JP2000054115A - Ｉ．ｔ．ｏ焼結体の製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜の形成方法 - Google Patents
Ｉ．ｔ．ｏ焼結体の製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空蒸着により基板温度１５０℃で、かつ速
い成膜速度で低抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得ら
れるＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法を提供する。 【解決手段】 主として酸化インジウム及び酸化錫から
なるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの
各粉末を添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の
製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＭｇＯの各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕する
ことにより粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末と
からなる原料粉中に添加して、混合、成形、焼結する
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。
い成膜速度で低抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得ら
れるＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法を提供する。 【解決手段】 主として酸化インジウム及び酸化錫から
なるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの
各粉末を添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の
製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＭｇＯの各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕する
ことにより粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末と
からなる原料粉中に添加して、混合、成形、焼結する
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜形成のた
めの真空成膜用のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法および
Ｉ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法に関するものである。
めの真空成膜用のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法および
Ｉ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウム及び酸化錫（Ｉｎ2 Ｏ3
およびＳｎＯ2 ）からなるＩ．Ｔ．Ｏ焼結体は、真空成
膜法の真空蒸着用ペレットまたはスパッタリング用ター
ゲットとして使用する事で、透明電極（液晶ディスプレ
イ、タッチパネル）、帯電防止、電磁波遮断（クリーン
ルーム窓、メーター類窓）、面発熱体（防曇防霜用ヒー
ター）、熱線遮断（建物窓、炉のぞき窓）、光電変換素
子（太陽電池、光増幅器）等の透明導電膜として幅広く
用いられている。
およびＳｎＯ2 ）からなるＩ．Ｔ．Ｏ焼結体は、真空成
膜法の真空蒸着用ペレットまたはスパッタリング用ター
ゲットとして使用する事で、透明電極（液晶ディスプレ
イ、タッチパネル）、帯電防止、電磁波遮断（クリーン
ルーム窓、メーター類窓）、面発熱体（防曇防霜用ヒー
ター）、熱線遮断（建物窓、炉のぞき窓）、光電変換素
子（太陽電池、光増幅器）等の透明導電膜として幅広く
用いられている。
【０００３】その中でも、カラー液晶ディスプレイに使
用されるカラーフィルター上の透明導電膜は特に注目を
集めている。
用されるカラーフィルター上の透明導電膜は特に注目を
集めている。
【０００４】真空成膜法にてＩ．Ｔ．Ｏ焼結体から良質
の透明導電膜を得るのに、特開平２−３０４８１５号公
報では、Ｉ．Ｔ．Ｏにインジウムと錫以外の３価及び４
価の酸化物としてＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 を添加し、混
合、焼結するＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法が記載されて
いる。
の透明導電膜を得るのに、特開平２−３０４８１５号公
報では、Ｉ．Ｔ．Ｏにインジウムと錫以外の３価及び４
価の酸化物としてＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 を添加し、混
合、焼結するＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法が記載されて
いる。
【０００５】また、特開平７−３１６７９８号公報で
は、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末を混合し、圧密状態で焼結し、その
焼結体を粉砕し粉末とした後、これを再度焼結すること
が記載されている。
は、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末を混合し、圧密状態で焼結し、その
焼結体を粉砕し粉末とした後、これを再度焼結すること
が記載されている。
【０００６】特開平８−４９０７０号公報では、酸化イ
ンジウム粉末を主とする原料粉中に、酸化インジウム粉
末と酸化錫粉末を熱処理することにより得た粒度調整粉
を添加して造粒粉とし、その後成形、焼結を行うことが
記載されている。
ンジウム粉末を主とする原料粉中に、酸化インジウム粉
末と酸化錫粉末を熱処理することにより得た粒度調整粉
を添加して造粒粉とし、その後成形、焼結を行うことが
記載されている。
【０００７】また、（社）表面技術協会機能材料ドライ
プロセシング専門部会主催の透明導電膜シンポジウムの
中で、真空蒸着及びＲＦイオンプレーティングによる
Ｉ．Ｔ．Ｏ膜によれば真空蒸着で基板温度２００℃、成
膜速度１．０Å／ｓｅｃにおいて基板温度３００℃と同
程度の膜が得られることが記載されている。
プロセシング専門部会主催の透明導電膜シンポジウムの
中で、真空蒸着及びＲＦイオンプレーティングによる
Ｉ．Ｔ．Ｏ膜によれば真空蒸着で基板温度２００℃、成
膜速度１．０Å／ｓｅｃにおいて基板温度３００℃と同
程度の膜が得られることが記載されている。
【０００８】さらに、（株）東レリサーチセンター調査
研究部門発行の「透明導電膜の現状と展望」でも真空蒸
着で基板温度２００℃、成膜速度１．０Å／ｓｅｃ程度
にしなければ実用に供せられる膜が得られないことが記
載されている。
研究部門発行の「透明導電膜の現状と展望」でも真空蒸
着で基板温度２００℃、成膜速度１．０Å／ｓｅｃ程度
にしなければ実用に供せられる膜が得られないことが記
載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、各種
ディスプレイ用透明導電膜の中でも特に注目を集めてい
るカラー液晶ディスプレイに使用されるカラーフィルタ
ーは有機材料で形成されている為、一般的に基板温度２
００℃以下で成膜しなければならない。この事はカラー
フィルターが有機物である為、真空中での耐熱性に限界
がある事や、真空蒸着では２００℃以下の成膜温度で
は、Ｉ．Ｔ．Ｏの結晶化温度との関係で、低抵抗率を得
るのが困難であるとされている。
ディスプレイ用透明導電膜の中でも特に注目を集めてい
るカラー液晶ディスプレイに使用されるカラーフィルタ
ーは有機材料で形成されている為、一般的に基板温度２
００℃以下で成膜しなければならない。この事はカラー
フィルターが有機物である為、真空中での耐熱性に限界
がある事や、真空蒸着では２００℃以下の成膜温度で
は、Ｉ．Ｔ．Ｏの結晶化温度との関係で、低抵抗率を得
るのが困難であるとされている。
【００１０】従つて、本発明の目的は、この様な従来技
術の問題点を解決するためになされたものであり、設備
が簡便、廉価なことや大量処理可能な利点を持つ、真空
蒸着により基板温度１５０℃で、かつ速い成膜速度で低
抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得られるＩ．Ｔ．Ｏ
焼結体の製造方法を提供する事にある。
術の問題点を解決するためになされたものであり、設備
が簡便、廉価なことや大量処理可能な利点を持つ、真空
蒸着により基板温度１５０℃で、かつ速い成膜速度で低
抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得られるＩ．Ｔ．Ｏ
焼結体の製造方法を提供する事にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、主として酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．
Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を
添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法
において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯの各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することによ
り粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末
とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原
料粉中に添加して、混合、成形、焼結することを特徴と
するＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
明は、主として酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．
Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を
添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法
において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯの各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することによ
り粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末
とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原
料粉中に添加して、混合、成形、焼結することを特徴と
するＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
【００１２】本発明の第二の発明は、主として酸化イン
ジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を添加し成形して焼結を
行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ
粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することにより粒度調
整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原料粉中に
添加して、混合、成形、焼結することを特徴とするＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
ジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を添加し成形して焼結を
行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ
粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することにより粒度調
整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原料粉中に
添加して、混合、成形、焼結することを特徴とするＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
【００１３】本発明の第三の発明は、上記の第一および
第二の発明の方法により製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を
蒸着し、その残渣（残骸）を粉砕することにより粒度調
整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原料粉中に
添加して、混合、成形、焼結することを特徴とするＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
第二の発明の方法により製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を
蒸着し、その残渣（残骸）を粉砕することにより粒度調
整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末とからなる原料粉中に
添加して、混合、成形、焼結することを特徴とするＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法である。
【００１４】前記酸化錫を２〜６重量％含有するＩ．
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を
混合、成形、熱処理、粉砕することにより粒度調整粉を
得るのが好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を製造するの
に使用するＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯの各粉末の割合が、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末１００ｗｔ％に
対してＡｌ2 Ｏ3 粉末１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ
2 粉末０．０５〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯ粉末０．００５
〜２．０ｗｔ％であるのが好ましい。
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を
混合、成形、熱処理、粉砕することにより粒度調整粉を
得るのが好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を製造するの
に使用するＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯの各粉末の割合が、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末１００ｗｔ％に
対してＡｌ2 Ｏ3 粉末１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ
2 粉末０．０５〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯ粉末０．００５
〜２．０ｗｔ％であるのが好ましい。
【００１５】前記粒度調整粉の最大粒径が０．５０ｍｍ
以下であるのが好ましい。前記原料粉中に添加する粒度
調整粉が５０〜９０重量％であるのが好ましい。
以下であるのが好ましい。前記原料粉中に添加する粒度
調整粉が５０〜９０重量％であるのが好ましい。
【００１６】本発明の第四の発明は、上記の方法により
製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着することを特
徴とするＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法である。前記蒸着を
３０Å／ｓｅｃ以下の成膜速度で行うのが好ましい。
製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着することを特
徴とするＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法である。前記蒸着を
３０Å／ｓｅｃ以下の成膜速度で行うのが好ましい。
【００１７】前記蒸着を１５０℃の基板温度で行うのが
好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着した薄膜
と基板との間にＡｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯの混合層が積層さ
れているのが好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に
蒸着した薄膜とＡｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯの混合層の積層体
にＳｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが均一に分散しているのが好
ましい。
好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着した薄膜
と基板との間にＡｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯの混合層が積層さ
れているのが好ましい。前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に
蒸着した薄膜とＡｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯの混合層の積層体
にＳｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが均一に分散しているのが好
ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】上記目的を達成する為、本発明に
係わる第一の発明のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法は、主
として酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉
末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯを添加した粉末を成
形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法におい
て、Ｉ．Ｔ．Ｏ紛末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各
粉末を混合、成形、熱処理、粉砕する事により粒度調整
粉を得る工程、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度調整粉
を添加して、混合、成形、焼結する工程を有することを
特徴とする。
係わる第一の発明のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法は、主
として酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉
末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯを添加した粉末を成
形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法におい
て、Ｉ．Ｔ．Ｏ紛末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各
粉末を混合、成形、熱処理、粉砕する事により粒度調整
粉を得る工程、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度調整粉
を添加して、混合、成形、焼結する工程を有することを
特徴とする。
【００１９】上記構成において、主たるＩ．Ｔ．Ｏ原料
粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）に主たる粒
度調整粉（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）を含有
させる事の手段は、製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の真空
成膜により、基板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜
速度で蒸着しても、スプラッシュが全く発生せず透過率
８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に
動作する。
粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）に主たる粒
度調整粉（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）を含有
させる事の手段は、製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の真空
成膜により、基板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜
速度で蒸着しても、スプラッシュが全く発生せず透過率
８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に
動作する。
【００２０】また、上記目的を達成する為、本発明に係
る第二の発明のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法は、主とし
て酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末に
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯを添加した粉末を成形し
て焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、
Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することに
より粒度調整粉を得て、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度
調整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴とす
る。
る第二の発明のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法は、主とし
て酸化インジウム及び酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末に
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯを添加した粉末を成形し
て焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、
Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末を混合、成形、熱処理、粉砕することに
より粒度調整粉を得て、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度
調整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴とす
る。
【００２１】上記構成において、主たるＩ．Ｔ．Ｏ原料
粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）にＩ．Ｔ．
Ｏ粒度調整粉を含有させる事の手段は、製造されたＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の真空成膜により基板温度１５０℃、３０
Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着しても、スプラッシュが全
く発生せず透過率８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω
・ｃｍを示す様に動作する。
粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）にＩ．Ｔ．
Ｏ粒度調整粉を含有させる事の手段は、製造されたＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の真空成膜により基板温度１５０℃、３０
Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着しても、スプラッシュが全
く発生せず透過率８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω
・ｃｍを示す様に動作する。
【００２２】また、本発明の第三の発明は、成膜に使用
した上記の第一および第二の発明の方法により製造され
たＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着し、その残渣（残骸）を粉砕
して粒度調整粉とし、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度調
整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴とす
る。上記構成において、主たるＩ．Ｔ．Ｏ原料粉中（Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）に成膜に使用後の粒
度調整粉を含有させる事の手段は、真空成膜により基板
温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着して
も、スプラッシュが全く発生せず透逼率８５％以上、体
積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作する。
した上記の第一および第二の発明の方法により製造され
たＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着し、その残渣（残骸）を粉砕
して粒度調整粉とし、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記粒度調
整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴とす
る。上記構成において、主たるＩ．Ｔ．Ｏ原料粉中（Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ含有）に成膜に使用後の粒
度調整粉を含有させる事の手段は、真空成膜により基板
温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着して
も、スプラッシュが全く発生せず透逼率８５％以上、体
積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作する。
【００２３】本発明では、主として酸化インジウム及び
酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯを添加した粉末を成形して焼結を行うＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、酸化錫組成が２〜６
重量％となるＩ．Ｔ．Ｏ粉末と、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯ各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕すること
により粒度調整粉を得て、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記
粒度調整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴
とする。
酸化錫からなるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯを添加した粉末を成形して焼結を行うＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法において、酸化錫組成が２〜６
重量％となるＩ．Ｔ．Ｏ粉末と、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＯ各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕すること
により粒度調整粉を得て、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ各粉末とからなる原料粉中に前記
粒度調整粉を添加して、混合、成形、焼結する事を特徴
とする。
【００２４】また、本発明では、上記の製造されたＩ．
Ｔ．Ｏ焼結体において、Ａｌ2 Ｏ3とＳｉＯ2 とＭｇＯ
の含有量がＩ．Ｔ．Ｏ１００ｗｔ％に対して、Ａｌ2 Ｏ
3 は１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 は０．０５〜
０．５ｗｔ％、ＭｇＯは０．００５〜２．０ｗｔ％であ
る事の手段が好ましい。
Ｔ．Ｏ焼結体において、Ａｌ2 Ｏ3とＳｉＯ2 とＭｇＯ
の含有量がＩ．Ｔ．Ｏ１００ｗｔ％に対して、Ａｌ2 Ｏ
3 は１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 は０．０５〜
０．５ｗｔ％、ＭｇＯは０．００５〜２．０ｗｔ％であ
る事の手段が好ましい。
【００２５】本発明では、粒度調整粉の最大粒径が０．
５０ｍｍ以下、好ましくは０．５０〜０．０７５ｍｍか
らなる事を特徴とする。本発明では、原料粉中に添加す
る粒度調整粉の総量が全量の内、５０〜９０重量％であ
る事を特徴とする。
５０ｍｍ以下、好ましくは０．５０〜０．０７５ｍｍか
らなる事を特徴とする。本発明では、原料粉中に添加す
る粒度調整粉の総量が全量の内、５０〜９０重量％であ
る事を特徴とする。
【００２６】上記の特徴とする各構成において、Ｉ．
Ｔ．Ｏ原料粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 、ＭｇＯ含有）
に主たるＩ．Ｔ．Ｏ調整粉（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯ含有）を含有させる事の手段は、真空成膜により基
板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着して
も、スプラッシュが全く発生せず透過率８５％以上、体
積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作する。
Ｔ．Ｏ原料粉中（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 、ＭｇＯ含有）
に主たるＩ．Ｔ．Ｏ調整粉（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯ含有）を含有させる事の手段は、真空成膜により基
板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度で蒸着して
も、スプラッシュが全く発生せず透過率８５％以上、体
積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作する。
【００２７】本発明の第四の発明は、上記の方法により
製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着してなるＩ．
Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法を特徴とする。この事は、真空成
膜により基板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度
で蒸着しても、スプラッシュが全く発生せず透過率８５
％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作
する。
製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着してなるＩ．
Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法を特徴とする。この事は、真空成
膜により基板温度１５０℃、３０Å／ｓｅｃの成膜速度
で蒸着しても、スプラッシュが全く発生せず透過率８５
％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に動作
する。
【００２８】本発明は、Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体により成膜さ
れる事で、Ｉ．Ｔ．Ｏ薄膜と基板との間にＡｌ2 Ｏ3 及
びＭｇＯの混合層が積層する様に動作する。本発明は、
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着してなる薄膜の表面から積層体
の間にＳｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが均―に分散する様に動
作する。
れる事で、Ｉ．Ｔ．Ｏ薄膜と基板との間にＡｌ2 Ｏ3 及
びＭｇＯの混合層が積層する様に動作する。本発明は、
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着してなる薄膜の表面から積層体
の間にＳｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが均―に分散する様に動
作する。
【００２９】本発明は、Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を３０Å／ｓ
ｅｃ以下、好ましくは２４〜２９Å／ｓｅｃの成膜速度
で真空蒸着すると、スプラッシュが全く発生せず透過率
８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に
動作する。
ｅｃ以下、好ましくは２４〜２９Å／ｓｅｃの成膜速度
で真空蒸着すると、スプラッシュが全く発生せず透過率
８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを示す様に
動作する。
【００３０】本発明は、Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を１５０℃の
基板温度で真空蒸着すると、スプラッシュが全く発生せ
ず透過率８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを
示す様に動作する。
基板温度で真空蒸着すると、スプラッシュが全く発生せ
ず透過率８５％以上、体積抵抗率１×１０-4Ω・ｃｍを
示す様に動作する。
【００３１】
【実施例】以下に、実施例を用いて本発明を説明する。
【００３２】実施例１ Ｉ．Ｔ．Ｏの主成分である酸化インジウムと酸化錫の割
合が重量比で９５：５となるようにし、ついでＩ．Ｔ．
Ｏ粉末への添加物として重量比でＩ．Ｔ．Ｏ１００ｗｔ
％に対しＡｌ2 Ｏ3 を１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ
2 を０．０５〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯを０．００５〜
２．０ｗｔ％の各粉末をそれぞれ加える。好ましくはＡ
ｌ2 Ｏ3 を１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．０
５〜０．１５ｗｔ％、ＭｇＯを０．００５〜０．０５ｗ
ｔ％それぞれ加える。本実施例においては、Ａｌ2 Ｏ3
を１．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．１ｗｔ％、ＭｇＯを
０．０２ｗｔ％それぞれ加えた。この混合物をボールミ
ルを使って十分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。（原料粉とする）
合が重量比で９５：５となるようにし、ついでＩ．Ｔ．
Ｏ粉末への添加物として重量比でＩ．Ｔ．Ｏ１００ｗｔ
％に対しＡｌ2 Ｏ3 を１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ
2 を０．０５〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯを０．００５〜
２．０ｗｔ％の各粉末をそれぞれ加える。好ましくはＡ
ｌ2 Ｏ3 を１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．０
５〜０．１５ｗｔ％、ＭｇＯを０．００５〜０．０５ｗ
ｔ％それぞれ加える。本実施例においては、Ａｌ2 Ｏ3
を１．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．１ｗｔ％、ＭｇＯを
０．０２ｗｔ％それぞれ加えた。この混合物をボールミ
ルを使って十分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。（原料粉とする）
【００３３】この原料粉の一部をプレス圧力１３００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 で大きさが２８φｍｍ×ｌ６ｔｍｍのペレ
ット形状に成形する。プレス後大気中にて温度１３５０
℃で加熱し、Ｉ．Ｔ．０焼結体を得る。このようにして
作製したＩ．Ｔ．Ｏ焼結体をロールクラッシャーによ
り、最大粒径０．５ｍｍ以下になる様に粉砕し、粒度調
整粉を得た。
ｇｆ／ｃｍ2 で大きさが２８φｍｍ×ｌ６ｔｍｍのペレ
ット形状に成形する。プレス後大気中にて温度１３５０
℃で加熱し、Ｉ．Ｔ．０焼結体を得る。このようにして
作製したＩ．Ｔ．Ｏ焼結体をロールクラッシャーによ
り、最大粒径０．５ｍｍ以下になる様に粉砕し、粒度調
整粉を得た。
【００３４】前記原料粉中に上記粒度調整粉を５０〜９
０重量％加える。好ましくは５０〜８０重量％加える。
本実施例においては、６０重量％加えた。この混合物を
ボールミルを使つて粒状形状にしながら混ぜ合わせる。
その後、プレス圧力１３００ｋｇｆ／ｃｍ2 で大きさが
２５φｍｍ×ｌ６．５ｔｍｍのペレット形状に成形す
る。プレス後大気中にて温度１３５０℃で加熱し、Ｉ．
Ｔ．Ｏ焼結体を得る。
０重量％加える。好ましくは５０〜８０重量％加える。
本実施例においては、６０重量％加えた。この混合物を
ボールミルを使つて粒状形状にしながら混ぜ合わせる。
その後、プレス圧力１３００ｋｇｆ／ｃｍ2 で大きさが
２５φｍｍ×ｌ６．５ｔｍｍのペレット形状に成形す
る。プレス後大気中にて温度１３５０℃で加熱し、Ｉ．
Ｔ．Ｏ焼結体を得る。
【００３５】通常の真空蒸着装置の電子ビーム蒸発源部
にこのＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を設置し、酸素ガス圧５×１０
-4ｔｏｒｒ、４×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度１５０℃の
雰囲気においてそれぞれ成膜速度２７Å／ｓｅｃ、８Å
／ｓｅｃで合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ
膜を作製した。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５
５０ｎｍでそれぞれ８８％、９２％、四端子法により測
定した体積抵抗率はそれぞれ１．ｌ×１０-4Ω・ｃｍ、
１．８×１０-4Ω・ｃｍであった。
にこのＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を設置し、酸素ガス圧５×１０
-4ｔｏｒｒ、４×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度１５０℃の
雰囲気においてそれぞれ成膜速度２７Å／ｓｅｃ、８Å
／ｓｅｃで合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ
膜を作製した。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５
５０ｎｍでそれぞれ８８％、９２％、四端子法により測
定した体積抵抗率はそれぞれ１．ｌ×１０-4Ω・ｃｍ、
１．８×１０-4Ω・ｃｍであった。
【００３６】また、２次イオン質量分析（以下ＳＩＭＳ
分析と略す）にて、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｍｇの分散状態を測定したところ、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜／
合成石英基板界面付近にＡｌ、Ｍｇが蓄積した分布を示
した。また表面から蓄積層に向かいＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、
Ｓｎの分布を測定したが一定であった。
分析と略す）にて、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｍｇの分散状態を測定したところ、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜／
合成石英基板界面付近にＡｌ、Ｍｇが蓄積した分布を示
した。また表面から蓄積層に向かいＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、
Ｓｎの分布を測定したが一定であった。
【００３７】さらに、誘導結合プラズマ分析（以下Ｉ．
Ｃ．Ｐ発光分析と略す）にてＩ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｎＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの含有量を測定した
ところ、それぞれ４．５２ｗｔ％、０．１１ｗｔ％、検
出限界以下、０．０１１ｗｔ％の濃度値を得た。
Ｃ．Ｐ発光分析と略す）にてＩ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｎＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの含有量を測定した
ところ、それぞれ４．５２ｗｔ％、０．１１ｗｔ％、検
出限界以下、０．０１１ｗｔ％の濃度値を得た。
【００３８】尚、原料粉中に粒度調整粉を添加して、混
合、成形、焼結後の酸化錫組成が２〜６重量％（Ａｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ無しとして）である場合、Ａｌ
2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭｇＯの含有量がＩ．Ｔ．Ｏ １０
０ｗｔ％に対してそれぞれ１．００〜２．５ｗｔ％、
０．０５〜０．５ｗｔ％、０．００５〜２．０ｗｔ％の
範囲である場合、原料粉中に添加する粒度調整粉が総量
５０〜９０重量％である場合、基板温度１５０℃で透過
率８５％以上、体積抵抗率１〜２．５×１０-4Ω・ｃｍ
の範囲にあり、ＳＩＭＳ分析においては本実施例と同じ
結果を得た。
合、成形、焼結後の酸化錫組成が２〜６重量％（Ａｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ無しとして）である場合、Ａｌ
2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭｇＯの含有量がＩ．Ｔ．Ｏ １０
０ｗｔ％に対してそれぞれ１．００〜２．５ｗｔ％、
０．０５〜０．５ｗｔ％、０．００５〜２．０ｗｔ％の
範囲である場合、原料粉中に添加する粒度調整粉が総量
５０〜９０重量％である場合、基板温度１５０℃で透過
率８５％以上、体積抵抗率１〜２．５×１０-4Ω・ｃｍ
の範囲にあり、ＳＩＭＳ分析においては本実施例と同じ
結果を得た。
【００３９】実施例２ 粒度調整粉の成分が重量比で９５：５の酸化インジウム
と酸化錫である事及び粒度調整粉を原料粉に添加した時
点でＩ．Ｔ．Ｏ １００ｗｔ％に対しＡｌ2 Ｏ3 を１．
００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．０５〜０．５ｗｔ
％、ＭｇＯを０．００５〜２．０ｗｔ％それぞれ添加し
た以外は、実施例１と同様に作製し、蒸着を行った。
と酸化錫である事及び粒度調整粉を原料粉に添加した時
点でＩ．Ｔ．Ｏ １００ｗｔ％に対しＡｌ2 Ｏ3 を１．
００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．０５〜０．５ｗｔ
％、ＭｇＯを０．００５〜２．０ｗｔ％それぞれ添加し
た以外は、実施例１と同様に作製し、蒸着を行った。
【００４０】得られた薄膜の波長５５０ｎｍでの透過率
及び体積抵抗率は、実施例１に記載した範囲にあり、Ｓ
ＩＭＳ分析においても実施例１と同様の結果を得た。
及び体積抵抗率は、実施例１に記載した範囲にあり、Ｓ
ＩＭＳ分析においても実施例１と同様の結果を得た。
【００４１】実施例３ 実施例１での成膜をした後の焼結体を粒度調整粉とした
以外は、実施例１と同様に作製し、蒸着を行った。得ら
れた薄膜の波長５５０ｎｍでの透過率及び体積抵抗率
は、実施例１に記載した範囲にあり、ＳＩＭＳ分析にお
いても実施例１と同様の結果を得た。
以外は、実施例１と同様に作製し、蒸着を行った。得ら
れた薄膜の波長５５０ｎｍでの透過率及び体積抵抗率
は、実施例１に記載した範囲にあり、ＳＩＭＳ分析にお
いても実施例１と同様の結果を得た。
【００４２】比較例１ Ｉ．Ｔ．Ｏの主成分である酸化インジウムと酸化錫の割
合が重量比で９９：１となるようにし、それ以外は実施
例１と同様に実施しＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を作製した。
合が重量比で９９：１となるようにし、それ以外は実施
例１と同様に実施しＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を作製した。
【００４３】酸素ガス圧５×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度
１５０℃の雰囲気において成膜速度４．０Å／ｓｅｃで
合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ膜を作製し
た。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５５０ｎｍで
９３％であったが、四端子法により測定した体積抵抗率
は４．２×１０-3Ω・ｃｍであった。実施例１と同じ成
膜速度にした以外は、上記と同じ条件で蒸着したとこ
ろ、波長５５０ｎｍの透過率は１２％であった。
１５０℃の雰囲気において成膜速度４．０Å／ｓｅｃで
合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ膜を作製し
た。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５５０ｎｍで
９３％であったが、四端子法により測定した体積抵抗率
は４．２×１０-3Ω・ｃｍであった。実施例１と同じ成
膜速度にした以外は、上記と同じ条件で蒸着したとこ
ろ、波長５５０ｎｍの透過率は１２％であった。
【００４４】比較例２ Ｉ．Ｔ．Ｏの主成分である酸化インジウムと酸化錫の割
合が重量比で９３：７となるようにし、それ以外は実施
例１と同様に実施しＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を作製した。
合が重量比で９３：７となるようにし、それ以外は実施
例１と同様に実施しＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を作製した。
【００４５】酸素ガス圧５×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度
１５０℃の雰囲気において成膜速度４．０Å／ｓｅｃで
合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ膜を作製し
た。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５５０ｎｍで
４９％であった。成膜速度１．０Å／ｓｅｃにした以外
は、上記と同じ条件で蒸着したところ、渡長５５０ｎｍ
の透過率は３２％であった。
１５０℃の雰囲気において成膜速度４．０Å／ｓｅｃで
合成石英板上に膜厚１２００ÅのＩ．Ｔ．Ｏ膜を作製し
た。得られたＩ．Ｔ．Ｏ膜の透過率は波長５５０ｎｍで
４９％であった。成膜速度１．０Å／ｓｅｃにした以外
は、上記と同じ条件で蒸着したところ、渡長５５０ｎｍ
の透過率は３２％であった。
【００４６】比較例３ Ｉ．Ｔ．Ｏへの添加物として重量比でＩ．Ｔ．Ｏ １０
０ｗｔ％に対しＡｌ2Ｏ3 を１．００ｗｔ％末満、Ｓｉ
Ｏ2 を０．０５ｗｔ％末満、Ｍｇｏを０．００５ｗｔ％
未満加える。または少なくともどれか１つをこの添加量
にして加える。本比較例ではＡｌ2 Ｏ3 を０．５ｗｔ
％、ＳｉＯ2 を０．０２ｗｔ％、ＭｇＯを０．００２ｗ
ｔ％にした。それ以外は、実施例１と同様に実施した。
０ｗｔ％に対しＡｌ2Ｏ3 を１．００ｗｔ％末満、Ｓｉ
Ｏ2 を０．０５ｗｔ％末満、Ｍｇｏを０．００５ｗｔ％
未満加える。または少なくともどれか１つをこの添加量
にして加える。本比較例ではＡｌ2 Ｏ3 を０．５ｗｔ
％、ＳｉＯ2 を０．０２ｗｔ％、ＭｇＯを０．００２ｗ
ｔ％にした。それ以外は、実施例１と同様に実施した。
【００４７】Ａｌ2 Ｏ3 が１．００ｗｔ％末満、ＳｉＯ
2 が０．０５ｗｔ％末満、ＭｇＯが０．００５ｗｔ％未
満の場合または少なくともどれか１つをこの添加量にし
た場合は、本実施例と同様の添加効果が現れず、スプラ
ッシュによるものと思われる膜欠陥が多数見られた。
2 が０．０５ｗｔ％末満、ＭｇＯが０．００５ｗｔ％未
満の場合または少なくともどれか１つをこの添加量にし
た場合は、本実施例と同様の添加効果が現れず、スプラ
ッシュによるものと思われる膜欠陥が多数見られた。
【００４８】比較例４ Ｉ．Ｔ．Ｏへの添加物として重量比でＩ．Ｔ．Ｏ １０
０ｗｔ％に対しＡｌ2Ｏ3 を２．５０ｗｔ％、ＳｉＯ2
を０．５ｗｔ％、ＭｇＯを２．０ｗｔ％それぞれ越えた
量を加える。または少なくともどれか１つをこの数値を
越えた添加量にして加える。本比較例ではＡｌ2 Ｏ3 を
１．５０ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．７０ｗｔ％、ＭｇＯを
０．０５ｗｔ％それぞれ加えた。それ以外は、実施例１
と同様に実施し体積抵抗率は７．５×１０-3Ω・ｃｍを
得た。
０ｗｔ％に対しＡｌ2Ｏ3 を２．５０ｗｔ％、ＳｉＯ2
を０．５ｗｔ％、ＭｇＯを２．０ｗｔ％それぞれ越えた
量を加える。または少なくともどれか１つをこの数値を
越えた添加量にして加える。本比較例ではＡｌ2 Ｏ3 を
１．５０ｗｔ％、ＳｉＯ2 を０．７０ｗｔ％、ＭｇＯを
０．０５ｗｔ％それぞれ加えた。それ以外は、実施例１
と同様に実施し体積抵抗率は７．５×１０-3Ω・ｃｍを
得た。
【００４９】Ａｌ2 Ｏ3 を２．５０ｗｔ％、ＳｉＯ2 を
０．５ｗｔ％、ＭｇＯを２．０ｗｔ％それぞれ越えた場
合または少なくともどれか１つをこの数値を越えた添加
量にした場合には、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｉ、Ｍｇそれぞ
れ他の添加物より多く含有したり、Ｓｎが膜厚方向での
不均一及び含有量の低減など良好なる導電性を示さない
Ｉ．Ｔ．Ｏ膜が得られた。
０．５ｗｔ％、ＭｇＯを２．０ｗｔ％それぞれ越えた場
合または少なくともどれか１つをこの数値を越えた添加
量にした場合には、Ｉ．Ｔ．Ｏ膜中のＳｉ、Ｍｇそれぞ
れ他の添加物より多く含有したり、Ｓｎが膜厚方向での
不均一及び含有量の低減など良好なる導電性を示さない
Ｉ．Ｔ．Ｏ膜が得られた。
【００５０】比較例５ 最大粒径０．２１２ｍｍ（６５メッシュ）以下になる様
に粉砕し、粒度調整粉を作製した以外は実施例１と同様
に実施した。蒸着中側面で２つに分離し、成膜速度が不
安定になり、波長５５０ｎｍの透過率及び体積抵抗率が
再現よく得る事が出来なかった。
に粉砕し、粒度調整粉を作製した以外は実施例１と同様
に実施した。蒸着中側面で２つに分離し、成膜速度が不
安定になり、波長５５０ｎｍの透過率及び体積抵抗率が
再現よく得る事が出来なかった。
【００５１】比較例６ 最大粒径０．８５ｍｍ（２０メッシュ）以下になる様に
粉砕し、粒度調整粉を作製した以外は実施例１と同様に
実施した。蒸着開始（昇華開始）直後からスプラッシュ
が発生し、膜欠陥が多数見られた。
粉砕し、粒度調整粉を作製した以外は実施例１と同様に
実施した。蒸着開始（昇華開始）直後からスプラッシュ
が発生し、膜欠陥が多数見られた。
【００５２】比較例７ 原料粉中に添加する粒度調整粉が４０重量％である以外
は、実施例１と同様に実施した。蒸着中側面で２つに分
離し、成膜速度が不安定になり、波長５５０ｎｍの透過
率及び体積抵抗率が再現よく得る事が出来なかった。
は、実施例１と同様に実施した。蒸着中側面で２つに分
離し、成膜速度が不安定になり、波長５５０ｎｍの透過
率及び体積抵抗率が再現よく得る事が出来なかった。
【００５３】比較例８ 原料粉中に添加する粒度調整粉が９５重量％である以外
は、実施例１と同様に実施した。蒸着開始（昇華開始）
直後からスプラッシュが発生し、膜欠陥が多数見られ
た。
は、実施例１と同様に実施した。蒸着開始（昇華開始）
直後からスプラッシュが発生し、膜欠陥が多数見られ
た。
【００５４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、設
備が簡単で、廉価な事や大量処理可能な利点を持つ真空
蒸着により、基板温度１５０℃の条件下において、速い
成膜速度で低抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得ら
れ、工業的に大いに役立つものである。
備が簡単で、廉価な事や大量処理可能な利点を持つ真空
蒸着により、基板温度１５０℃の条件下において、速い
成膜速度で低抵抗、高透過率のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜が得ら
れ、工業的に大いに役立つものである。
Claims (13)
- 【請求項１】 主として酸化インジウム及び酸化錫から
なるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの
各粉末を添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の
製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＭｇＯの各粉末を混合、成形、熱処理、粉砕する
ことにより粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉をＩ．
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末と
からなる原料粉中に添加して、混合、成形、焼結するこ
とを特徴とするＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項２】 前記酸化錫を２〜６重量％含有するＩ．
Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉末を
混合、成形、熱処理、粉砕することにより粒度調整粉を
得る請求項１記載のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項３】 主として酸化インジウム及び酸化錫から
なるＩ．Ｔ．Ｏ粉末にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの
各粉末を添加し成形して焼結を行うＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の
製造方法において、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末を混合、成形、熱処
理、粉砕することにより粒度調整粉を得た後、該粒度調
整粉をＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ
の各粉末とからなる原料粉中に添加して、混合、成形、
焼結することを特徴とするＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法により製造された
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着させた際の該焼結体の残渣を粉
砕することにより粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉を
Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉
末とからなる原料粉中に添加して、混合、成形、焼結す
ることを特徴とするＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の方法により製造された
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を蒸着させた際の該焼結体の残渣を粉
砕することにより粒度調整粉を得た後、該粒度調整粉を
Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの各粉
末とからなる原料粉中に添加して、混合、成形、焼結す
ることを特徴とするＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項６】 前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を製造するのに使
用するＩ．Ｔ．Ｏ粉末とＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ
の各粉末の割合が、Ｉ．Ｔ．Ｏ粉末１００ｗｔ％に対し
てＡｌ2 Ｏ3 粉末１．００〜２．５ｗｔ％、ＳｉＯ2 粉
末０．０５〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯ粉末０．００５〜
２．０ｗｔ％である請求項１乃至５のいずれかの項に記
載のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項７】 前記粒度調整粉の最大粒径が０．５０ｍ
ｍ以下である請求項１乃至５のいずれかの項に記載の
Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項８】 前記原料粉中に添加する粒度調整粉が５
０〜９０重量％である請求項１乃至５のいずれかの項に
記載のＩ．Ｔ．Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の方法
により製造されたＩ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着するこ
とを特徴とするＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法。 - 【請求項１０】 前記蒸着を３０Å／ｓｅｃ以下の成膜
速度で行う請求項９に記載のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方
法。 - 【請求項１１】 前記蒸着を１５０℃の基板温度で行う
請求項９に記載のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法。 - 【請求項１２】 前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着し
た薄膜と基板との間にＡｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯの混合層が
積層されている請求項９に記載のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成
方法。 - 【請求項１３】 前記Ｉ．Ｔ．Ｏ焼結体を基板に蒸着し
た薄膜とＡｌ2 Ｏ3及びＭｇＯの混合層の積層体の間に
Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが均一に分散している請求項１
２に記載のＩ．Ｔ．Ｏ薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10229547A JP2000054115A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉ．ｔ．ｏ焼結体の製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10229547A JP2000054115A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉ．ｔ．ｏ焼結体の製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000054115A true JP2000054115A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16893884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10229547A Pending JP2000054115A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉ．ｔ．ｏ焼結体の製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000054115A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110163279A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
| JP5726752B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| CN110928012A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-03-27 | 深圳市康盛光电科技有限公司 | 一种调光膜用ito导电膜的防电击穿制备方法 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10229547A patent/JP2000054115A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110163279A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
| US9028726B2 (en) * | 2008-09-25 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
| JP5726752B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| CN110928012A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-03-27 | 深圳市康盛光电科技有限公司 | 一种调光膜用ito导电膜的防电击穿制备方法 |
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