CN110928012A - 一种调光膜用ito导电膜的防电击穿制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，包括以下步骤：A、设备检查：先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁；以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊；B、基材处理：对基材表面进行脱气处理；C、镀ITO膜；D、镀SiO2保护层即可制得ITO导电膜。本发明的调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，通过保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁，减少导电颗粒的产生；并在镀完ITO后再加镀一层薄的SiO2保护层，可减少98％以上的膜表面可能存在的ITO粉尘。本发明从源头上减少或杜绝调光膜表面的导电颗粒，能有效解决调光膜电击穿的问题。

Description

一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法
技术领域
本发明涉及调光膜技术领域，具体涉及一种调光膜用ITO(铟锡氧化物)导电膜的防电击穿制备方法。
背景技术
PDLC液晶调光膜(Polymer Dispersed Liquid Crystal)是指由美国发明的液晶聚合物技术(PDLC)而制作的光学薄膜。这种技术主要是应用了向列态液晶和分子聚合物混合后，通过电场控制液晶的排列状态，使液晶折射率变化，而呈现透光和散光的宏观状态的切换。当PDLC液晶调光膜通电时(ON状态)，在电场作用下液晶分子有序排列，分子聚合物和液晶材料折射率趋于一致，大幅抑制光散射，PDLC液晶调光膜呈现无色透明状态；当PDLC液晶调光膜断电时(OFF状态)，液晶分子无序取向，分子聚合物和液晶材料折射率失配，PDLC液晶调光膜产生强烈光散射，外观呈乳白色或彩色或黑色，呈现为不透明。
调光膜的制备工艺一般为：先将导电层通过镀膜的方式加镀在基材上形成导电膜，然后将液晶混合物滴加在两片导电膜中，辊压后经固化制得调光膜。
客户在使用调光膜的过程中，在加上工作电压后(一般40-70V)，经常在膜的表面会出现小黑点(如图5所示)，严重影响了调光膜的使用率。分析小黑点产生的原因，主要是因为膜的表面有微小的导电颗粒，导致灌好液晶的调光膜正负极导通，导通处在加上电压后会因短路而击穿，击穿的地方就会发黑，这在调光膜上是绝对不允许的。虽然通过减小工作电压或增大液晶层的厚度可以改善电击穿的情况，但这样又会产生调光膜的全线透过率降低以及增加成本等问题。
如何制备出一种用于调光膜、能防止小黑点产生、且不影响调光膜的全线透过率的导电膜，成为本领域急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术的不足，提供一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，该方法制得的ITO导电膜应用在调光膜上，能防止小黑点产生、且不影响调光膜的全线透过率。
本发明所采用的技术方案是：一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，包括以下步骤：
A、设备检查：先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁；以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊；
B、基材处理：对基材表面进行脱气处理；
C、镀ITO膜：然后在基材表面镀ITO膜，加镀的ITO膜具有导电性；
D、镀SiO2保护层：采用溅射镀膜方式在ITO膜的表面加镀一层SiO2保护层，即可制得ITO导电膜。
优选的，对制得ITO导电膜可选择以下任意一种方式处理：1、可以直接进行收卷；2、采用双层贴合复卷机对镀膜后的ITO导电膜的SiO2保护层的表面贴上保护膜后收卷；3、可对贴上保护膜的ITO导电膜进行分切制得成品，并对检验合格的成品进行包装。ITO导电膜的后期处理可根据实际需要进行选择。
优选的，所述的步骤A中，所述的步骤A中定期对靶区进行彻底清洁、更换备件的具体操作为每次检修彻底清洁靶面，更换接地板，清洁POLYCOLD盘管、分子泵口区域；定期清洁卷绕端各传动辊的具体操作为每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊。
优选的，每次靶区的检修的具体时间为15-18小时。
优选的，每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊的具体时间为45-54小时之间。
优选的，所述的步骤B采用双层贴合复卷机进行倒膜，并基材表面进行脱气处理。
优选的，所述的步骤C的镀ITO膜工艺参数为：2条ITO靶，走速1m/min，DC1＝DC2＝5.8KW，氩氧比Ar/O2＝700/24sccm。
优选的，所述的步骤D的镀SiO2保护层的工艺参数为：2条SiO2靶，走速3m/min，MF＝15KW，氩氧比Ar/O2＝1000/120sccm。
优选的，所述的SiO2保护层的厚度控制在10-15nm之间。
一种调光膜用ITO导电膜，根据上述所述的制备方法制备的产品。
本发明对小黑点进行分析，小黑点为微小的导电颗粒，主要是ITO粉尘，必须保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁，定期对靶区进行彻底清洁、更换备件，定期清洁卷绕端各传动辊上的ITO膜层。
本发明与现有技术相比具有以下优点：本发明一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，通过保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁，减少导电颗粒的产生。此外，在镀完ITO后再加镀一层薄的SiO2保护层，可减少98％以上的膜表面可能存在的ITO粉尘，通过大量试验验证，SiO2保护层的厚度在10-15nm为最佳，这样既保留了原有的一切ITO性能，又可提升生产效率。本发明一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，从源头上减少或杜绝调光膜表面的导电颗粒，能有效解决调光膜电击穿的问题。
附图说明
图1是靶区及需清洁位置示意图。
图2是靶区位置局部放大图。
图3是POLYCOLD盘管及分子泵泵口需清洁区域示意图。
图4是本发明的调光膜用ITO导电膜的结构示意图。
图5是采用普通导电膜制成的调光膜的电击穿图片。
图中标号所示为：
1-基材、2-ITO膜层、3-SiO2保护层。
具体实施方式：
为加深本发明的理解，下面将结合实施案例和附图对本发明作进一步详述。本发明可通过如下方式实施：
参照图1，一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，包括以下步骤：
A、设备检查：先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁；以及是否有定期对靶区(如图1-2所示)进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊。确保每次检修彻底清洁靶面，更换接地板，清洁POLYCOLD盘管、分子泵口区域(如图3所示)，每次靶区的检修的具体时间为15-18小时；每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊，具体频率为45-54小时之间。
B、基材处理：采用双层贴合复卷机进行倒膜，并基材表面进行脱气处理；
C、镀ITO膜：在基材表面镀ITO膜；具体工艺参数为：2条ITO靶，走速1m/min，DC1＝DC2＝5.8KW，氩氧比Ar/O2＝700/24sccm；
D、镀SiO2保护层：采用溅射镀膜方式在ITO膜的表面加镀一层SiO2保护层，即可制得ITO导电膜(如图4所示)。具体工艺参数为：2条SiO2靶，走速3m/min，MF＝15KW，氩氧比Ar/O2＝1000/120sccm。SiO2保护层的厚度在10-15nm为最佳，这样既保留了原有的一切ITO性能，又可提升生产效率。
利用本发明的防电击穿制备方法制备的ITO导电膜(试样1-2)与普通的工艺(直接在PET基材上加镀ITO膜)制备的ITO导电膜(对照品1-3)进行电击穿测试，即加上工作电压后(60V)，观察导电膜的表面会出现小黑点的情况，具体结果如下表所示：
测试品 成品数量(米) 电击穿点数量(个) 不良率
对照品1 9500 392 4.1％
对照品2 10000 386 3.9％
对照品3 9800 212 2.2％
试样1 11000 0 0.0％
试样2 11800 0 0.0％
从测试结果显示，应用本发明一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法制得的ITO导电膜，表面被电击穿点的数量为0，不良率为0％，说明本发明一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，从源头上减少或杜绝调光膜表面的导电颗粒，能有效解决调光膜电击穿的问题。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、设备检查：先检查设备保证真空腔内尤其是靶区及与膜有接触区域的清洁；以及是否有定期对靶区进行彻底清洁、更换备件和清洁卷绕端各传动辊；
B、基材处理：对基材表面进行脱气处理；
C、镀ITO膜：然后在基材表面镀ITO膜；
D、镀SiO2保护层：采用溅射镀膜方式在ITO膜的表面加镀一层SiO2保护层，即可制得ITO导电膜。
2.根据权利要求1一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在镀完SiO2保护层后，在SiO2保护层的表面贴上保护膜。
3.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤A中定期对靶区进行彻底清洁、更换备件的具体操作为每次检修彻底清洁靶面，更换接地板，清洁POLYCOLD盘管、分子泵口区域；定期清洁卷绕端各传动辊的具体操作为每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊。
4.根据权利要求3所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，每次靶区的检修的具体时间为15-18小时。
5.根据权利要求3所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，每生产三卷膜拆下清洁一次各传动辊的具体时间为45-54小时之间。
6.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤C的镀ITO膜工艺参数为：2条ITO靶，走速1m/min，DC1＝DC2＝5.8KW，氩氧比Ar/O2＝700/24sccm。
7.根据权利要求1所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的步骤D的镀SiO2保护层的工艺参数为：2条SiO2靶，走速3m/min，MF＝15KW，氩氧比Ar/O2＝1000/120sccm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种调光膜用ITO导电膜的防电击穿制备方法，其特征在于，所述的SiO2保护层的厚度控制在10-15nm之间。
9.一种调光膜用ITO导电膜，其特征在于，根据权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备的产品。
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