TW201111562A - Copper foil with resistive layer, production method therefor, and layered substrate - Google Patents

Description

201111562 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供減低電阻值差異，具有做為硬性基板及 軟性基板用之電阻元件之優良特性之附有電阻層之鋼箔與 其製造方法以及層積基板。 【先前技術】 在以行動電話為代表之行動電子終端機，近年來，在 電子機器當中’除了小型化·薄型化，不僅在原本通話以 外之映像或動畫的收送信，GPS(全球定位系統）機能、 〇ne-seg(〇ne segment)接收等的多機能化也特別顯著地進 步。伴隨此多機能化，行動終端機之構成零件的模組化也 ,躍地進步’如何將具有一個或是複數機能的模組小型化 是實裝技術的關鍵，也為先端技術的焦點。 例如對於現在的行動機器之封裝，以職(微細間距 求柵陣歹”等之小型薄型封裝為主流而最被廣泛應用，更為 了對應記憶體的大容量化或比現在更多之多機能化，而採 用MCP(多晶片封裝）或是p〇p(層疊封裝）技術。 國内外之PCB (印刷電路板）製造商，對於WL_csp(晶圓 ’及日日片尺寸封裝）、QFN(四方平面無引腳封裝）、fbga等之 封裝以及做為次世代大容量化與多機能化技術之3次元晶 片層積技術開發之競爭非常激烈。纟高密纟實裝方式之一曰 種為零件内藏基板技術。 零件内藏基板技術之對於基板之元件内藏方式，已有 5- 201111562 各種方式被提案、商品化。然而對於主動元件 被動零件之電阻、 相S於 、谷、電感等加工條件係有制約的， 該被動零件埋人其J ^ ^ Η . 土的情 '况，從設計的自由度以及加工的 谷易性來看，以使用電阻元件居多。 做為加工成做為被動零件之電阻元件之薄膜材 如有附有電阻層之金眉$ 例 «之金屬治。做為此金屬箔之代表， 電阻層之銅箔，市面上 矣 … 有販貝在銅洎面上以電解電 〇_ lam程度厚度之由電 "成 由电丨且赝形成之電阻兀件的形式， 在銅羯面上以卷對卷（Roll t〇R〇⑴藉由機 ^ l_A(Wnm)程度之厚度的電阻層的形式來化成 :㈣阻層之金屬箱的金屬落，其電阻層(薄膜 疋电解電鍍形式或是濺射形式，從操作加工性 及成本績效的面來看W採用銅落的t匕率為高。 以形成如此之附有電阻層之銅箱來形成電阻元 將該銅猪的-方的面與樹脂基板接著。為提高附有電阻声 之銅羯與樹脂基板之密著性，在成為基體之銅落的表面: 藉由銅粒子施以粗化處理1在粗化處理面上電解電錄 則使含填錄電鐘電著（參照專利文獻U 2)，若璣射，\ 使錄與鉻，或是錄與鉻與㈣二氧切蒸著形成電阻層㈢ 膜）’現在市售品當’，販賣著電阻值為25〜25〇ω/口程度 之附有電阻層之銅箔。 又 近年來，在内藏主動元件與被動零件之基板的設計 中，對於做為最適合薄型化之材料之附有電阻層之金屬荡 之使用的需要逐漸變高。更且，為增加將被動零件埋入基 201111562 板時之《又4的I巳圍，被要求不僅限於硬性基板而也可適用 於軟性基板之材料。 又，在使用附有電阻層之金屬箔之回路設計中，必要 的電阻值係以變更M UU ΑΑ ^ ώ |V T? E - l尺口路的寬度以及長度之寬高比來設計為 般的手法’但隨著近年的微細回路設計之微細蝕刻後之 被動元件電阻值之精度提升的要求也逐漸升高。又，也要 求具有對應軟性基板之可追隨適度的弯曲之拉伸特性之附 有電阻層之金屬箔。 本申請人在現在市售之材料中，有對應微細圖樣之附 有電阻層之銅羯。其構造開示於專利文獻卜3,任一的材 料皆為在具有微細結晶構造之鋼箔上根據必要藉由微細銅 粒施以粗化處理後，實施以含磷鎳浴來電解電鍍之構造。 然而，在銅箔表面上藉由微細粗化處理來使粗化粒子均一 性地分布是很困難的，若粗化粒子的分布產生不均一性， 則在其上設置（成為電阻元件）之含磷鎳的電著電鍍薄膜層 的厚度產生差異，引起以JIS-K-7194規定之面内電阻值測 定方法所得到之個別的電阻值差異變大之不良，更可能有 在回路設計中即使形成了電阻元件圖樣也無法得到與理論 相同之電阻值之可能性。因此，以往在粗化處理工程中， 以及在將電阻值控制於一定之電解電鍍工程中需要很多的 熟練技術。 先行專利文獻： 【專利文獻】 【專利文獻1】日本專利特開2003— 200523號公報 5 201111562 【專利文獻2】日本專利特開2〇〇3_2〇〇524號公報 【專利文獻3】日本專利特開2〇〇4_ 315843號公報 【發明内容】 【發明所欲解決之課題】 本發明係提供做為電阻元件的情況時電阻值的差里也 小’與所層積之樹脂基板之密著性也可充分維持jpcA規格 (JPCA-EB01)，做為硬性基板及軟性基板用之電阻元件也具 有優良的特性之附有電阻層之銅落與其製造方法以及使用 其之層積基板。 【用以解決課題之手段】 本發明之附有電阻層之銅箱，在銅領之一方的表面上 設置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金 層的表面上藉由鎳粒子施以粗化處理。 本發明之附有電阻層之銅羯，其特徵在於：銅羯之一 方的表面上設置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金 屬層或合金層的表面上藉由錄粒子施以粗化處理，在該施 以粗化處理的表面上施以膠囊電鍍。 本發明之附有電阻層之銅箱，在銅笛之一方的表面上 设置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金 層的表面上藉由錄粒子施以粗化處理，在該施以粗化處理 的表面上設置鉻酸鹽防銹層。 =，本發明之附有電阻層之銅羯，在銅羯之—方的表 面上設置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或 201111562 合金層的表面上藉由鎳粒子施以粗化處理，在該施以粗化 處理的表面上設置鉻酸鹽防銹層，在該防銹層的表面上設 置由矽烷耦合劑形成之薄膜層。 本發明之附有電阻層之銅箔之製造方法，在霧面的基 材上具有JIS-B-0601中所規定的Rz值在2. 5〜6 m之範 圍内之柱狀晶粒所形成之結晶的電解銅箱之該霧面上，設 置含磷鎳所形成之電阻層，在該電阻層的表面上藉由鎳粒 子施以粗化處理。藉由鎳粒子所施行的粗化處理係在表面 粗度在JIS-B-0601中所規定的匕值4_5〜85vra之範圍來 施行。 在本發明中之所以使用具有柱狀晶粒所形成之結晶的 $解鋼箱，係由於具有由柱狀晶粒所形成之結晶的電解銅 箱之霧面具有適當的粗度。若電解的霧面為微細結晶 粒’則難以得到滿足本發明之目的的表面粗度值在 2.5〜6. 5/zm之範圍之電解銅箔，不適合做為本發明之基底 箔之故。具有由柱狀晶粒所形成之結晶之電解銅箔，可使 用在電解液的組合中添加了硫脲或氯之泛用的電解液來製 箔，而可得到具有健全的起伏形狀之在jis_b_〇6〇i所規定 之Rz值在2.5〜6.5/zm之範圍之基底箔。 本發明之層積基板，係前述附有電阻層之銅箔钱刻加 工成零件内藏的硬性基板或是軟性基板而搭載之層積基 板0 【發明效果】 本發明之附有電阻層之銅箱，可提供做為電阻元件的 S- 201111562 it況時電阻值的差異小’與所層積之樹脂基板之密著性也 可充分維持JPCA規格（JPCA-EB01)，也具有可對應 R = G· 8〜1. 25(mm)範圍之折彎之拉伸塑性與耐折性之附有電 阻層之銅羯。 又’根據本發明之附有電阻層之銅箔之製造方法，可 製造做為電阻元件的情況時電阻值的差異小，與所層積之 樹知基板之密著性也可充分維持JPCA規格則1)， 也具有可對應R = 〇. 8〜；l. 25(mm)範圍之折彎之拉伸塑性與耐 折性之附有電阻層之銅箔。 根據本發明之層積基板，可提供與樹脂基板之密著性 ^刀維持jpCA規格（JpCA_EB〇1)，電阻值差異小，層積了 樹脂基板與附有電阻層之銅箔之層積基板。 、 【實施方式】 以下，對於本發明之附有電阻層之銅箱來詳細說明。 本發明之附有電阻層之銅箱，係銅羯之一方的表面上 設置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或人金 層的表面上藉由錄粒子施以粗化處理。成為電子元件之金 屬 '合金，以鎳、含磷鎳為佳。 干來= 圖圖，係將本發明之一實施形態者擴大表 =不者，第1A圖係電解鋼们之剖面，該鋼箱之霧面 ^的表面係由川-B-G6G1所規定之心值在Hi 一之 =内的柱狀晶粒所形成。在此，將電解銅…表面粗 -z值限定於2.5〜6.5,m之範圍，係由於若未滿2 5”， 201111562 則在之後的工程以後即使進行粗化處理也無法得到充分之 與樹脂基板的密著性，若超過6. 5 # m，則雖然與樹脂基板 的密著強度優良，但表面積增大，在形成25〇〇/□之高電 阻元件膜（厚度非常薄之膜）時，電鍍厚度顯著地變的=均 一，形成均一之電阻膜是很困難的。又，電解銅箔之表面 粗度Rz值以3.0~5.5//m為佳。 前述銅箱1係以電解銅笛為佳，特別是，採用在18〇 °C 60分鐘之大氣加熱條件下加熱後之在常溫的拉伸為12% 以上之電解銅箔為佳。鋼箔，特別是在壓延銅箔與樹脂基 板層積之加熱工程之加熱成型溫度範圍的結晶構造塑型變 形而有變大的情況。結晶若變大’則在做成微細圖樣的情 況時，不僅蝕刻後之圖樣直進性會變差，且蝕刻參數變差。 因此，藉由將拉伸限定於即使泛用之加熱沖壓加工溫度之 180°C前後的條件下也在12%以上，在層積卫程中即使加熱 處理也可維持健全的結晶粒形，也可追隨樹脂基板之線膨 脹係數，因此對於硬性及軟性基板可適當的對應。又，在 180°C前後的條件下之拉伸以在13 5%以上為佳。在此拉伸 係根據IPC-TM-650來測定。 又，通常，電解製箔後之在常溫的拉伸若在8%以上， 在180 C 6 0分鐘之大氣加熱條件下之加熱後，在常溫的拉 伸會在12%以上。 第1B圖係顯不在前述銅箔i之霧面上設置電阻層3之 狀態，電阻層3的表面係最終完成在Rz值2 5〜6 m之 範圍内。 201111562 第1C圖係'顯示藉由鎳粒子粗化處理電阻層3的表面後 之狀態’錦微粒子4 iti必丨隹i 孤卞4特別集中附著於電阻層3的山峰部份。 該錄粗化處理後的粗度，係以在jis b 〇6〇i所規定之Rz 值4. 5 8. 5 // m之範圍為佳。粗化處理後的表面粗度k限 於 4 · 5 〜8 · 5 // πι，γέ & I? ’、為了防止微細圖樣形成後之遷移不 良。亦即，RZ若超過上限之U"，則有發生遷移、粗化 粒子的脫落等不良之虞，若未滿下限之4.5㈣則有益法 滿足與樹脂基板之密著強度之虞之故。又，錄粗化處理後 之粗度以Rz值4.δ、7 5ym更佳。 ? Π)圖係顯示在鎳微粒子4不脫落的程度下，施以如 覆蓋在錄微粒子4的本工ι_ τ ' 之平滑的電鍍，就是所謂膠囊 電鑛5’藉由施以膠壸雷姑c 膠囊電It 5,錦微粒子4成為健全之物。 又在本發明中，前述錄粗化處理後，施以膠囊電鍍 :情：了’在之後的表面上設置鉻酸鹽防銹層(無圖示)為 。料防錄層之各附著量，做為金屬絡以0.005〜〇045 因為右滿足如此的財4贫曰 里Ρ可防止品質上的氧化變色等的 不良：發土。又，…更佳。 :在則述防銹層的表面上設置由矽烷耦合劑所形成之 化學薄膜層（無圖示） 則w成之 、更可耠升與樹脂基板的密著性因 此為佳。矽烷耦合 J之附者1，做為矽為0.001〜0.015 W“佳。又，以〇·_〜0.008 —更佳。 制藉由第2圖來說明本發明之时電阻層之銅箱 之衣泣方法之一實施形態。 10 201111562 第2圖令，為形成電 羯（電解鋼节m 丨層3冑捲成卷狀之基體銅 第-二2=稱為㈣Μ導至第-處…^ 液24，而 了氧化銀陽極23,充填了錄—鱗電解 之钿一，电阻層3。在第一處理槽22形成了電阻#3 之銅…水洗槽25洗淨後被引導至第二處理槽3 第-處理槽26中配置了氧化銀陽極27，充填 電解液28，實施鎳粗化處如 貝把ί鏢粗化處理之鋼箔6 中胃29洗淨後被引導至第三處理槽3〇。第三處 =中配置了氧化錶陽極31，充填了錄電解液32，而實施 '“鍍。在第三處理槽3〇中實施了膠囊電鍍之銅箔7在 水洗槽35洗淨後被引導至第四處理槽37。第四處理槽37 中配置了 sus陽極38，充填了鉻酸鹽電解液39，而實施絡 :鹽防銹層。在第四處理槽37中實施了鉻酸鹽防銹層之銅 V白8在水洗槽40洗淨後被引導至第五處理槽42。第五處 理槽42中充填了㈣液43，在銅8的表面上塗布石夕烧 耦合劑。在第五處理槽42中塗布了矽烷耦合劑之銅箔9經 過乾燥工程44後被捲於捲筒45。 做為基體銅落丨，雖也可使用壓延銅箔，但為了使電 阻層的差異更小，以使用藉由泛用的電解製箔條件來製造 之厚度為12#m以上，在霧面2(電解液面側）之電解製箔 後的形狀粗度在jIS_B_〇6〇1所規定之匕值25〜6 之 乾圍，且在180°C60分鐘之大氣加熱條件後之拉伸在12% 以上的銅箔為佳。 設置於銅羯1之霧面2的電阻層3，係在第—處理槽 11 201111562 22中使用含磷鎳浴藉由陰極電解電鍍法來形成。 做為形成電阻層3之含磷鎳浴，使用6〇〜70g/l之磺酸 鎳做為鎳，35〜45gn之亞磷酸做為p〇3，45〜55g/l之次亞 磷酸做為P〇4，25〜35g/1之硼酸（HB〇3)，pH:1. 6，浴溫度設 定為53〜58°C，以電解電流密度4.8〜5.5A/dm2,可製造具 有根據JIS-K-7194所規定之面内電阻值測定方法在 25〜250 Ω /□範圍内之面内電阻差異非常小的附有電阻層 之銅箔。 j而，在前述工程由於沒有在銅箔表面上施以粗化處 理，因此與樹脂基板的密著性差。因此，在本發明中藉由 在之後的工程進行適當之鎳的粗化處理，而可將與樹脂基 板之密著性提高至適合於内藏電阻層基板用途。 做為適當的鎳粗化處理的進行方法，如第2圖所示， 首先使用溶解料（第二處理槽26)實施錦的燒鍍。實施錄 的燒鍍之料鎳料組成，只要為可錄職合物即可， 並沒有特別㈣，但以使用15〜2Gg/1之硫_做為鎮， 18〜25g/1之硫酸錢為佳，做為使微細的錄粗化粒子形成之 添加物’以溶解了由〇.5〜2g/1之銅化合物做為金屬銅之浴 =成為佳’浴溫在25〜饥之範圍，則]X硫酸與碳酸錄 :微調整’設定為3.5〜3. 8之後在陰極電解電流密度為心 ±2A/dm之範圍來處理為佳。 以歸現鍍形成之粗化粒子不脫落的程度， 用硫酸錄浴（第三處理槽） h川）貝細千滑的電鍍，亦即 囊電鍍來使鎳粗化粒子變的健全。 明膠 12 201111562 為防止燒鍍後之微細鎳粒子 卞脫洛的膠囊電鍍的浴組 成，基本上，雖也可棘用# 用進仃鎳燒鍍之溶解鎳浴，但較佳 的情況為’使用35〜45g/]夕坊絲如， g之，,L酸鎳做為鎳，硼酸調整於 23〜28g/l為佳，浴溫在25 Μ b C之鞄圍，ρΗ係以硫酸與碳 酸錄來微調整，設定為2 4〜2 8夕体+ μ ' 巧么4 2. 8之後在陰極電解電流密度 為l〇±2A/dm2之範圍來處理為佳。 膠囊電鍍之處理條件為浴溫在3。销之範圍，則 以硫酸與碳酸錄來微調整，設定為2. 4〜2. 6之後，以陰極 電解電流密度IGA/dm2來平滑電鍍處理為佳。 實施膠囊電鍍之目的係為了防止藉㈣粒子來實施 =粗化處理的鎳粒子職1過薄則無法防止錄粒子的脫 洛，又，若過厚則會使電阻層之電阻值產生差異。因此， 膠囊電鍵之厚度為電阻層3的厚度之1/4〜"1〇程度為佳。 β膠囊電鑛工程後施以防錄處理，不論是絡酸鹽防錄或 是以苯并三唾為代表之有機防錄劑或是以該街生物化合物 來防錄處理皆可。然而，較佳的情況是，藉由路酸溶解液 之防銹處理不管是連續處理或是單板處理，成本績效優 良，因此較佳。 防銹處理係藉由浸潰處理於鉻酸鹽防銹劑來設置，可 根據必要做陰極電解處理(第四處理槽37)來提高防銹力。 旦在防錄處理之皮膜，以絡酸鹽處理的情況，為金屬鉻 量O. OOj〜0.045 mg/dm2之處理範圍，有機防銹處理的情 兄以苯并二唑（1，2, 3 —Benzotiaz〇le[公稱：BTA])為佳， 但市售之衍生物也可’其處理量為在n237i所規定之 S- 13 201111562 孤水噴霧試驗（鹽水濃度：5%-氯化鈉，溫度35〇c)條件下24 小時内表面不會氧化銅變色之程度之浸潰處理。 更且，在防銹處理上，可根據必要適當地覆層矽烷耦 合劑（第五處理槽42)來提高與硬性的樹脂基板或軟性基板 之密著性為佳.。矽烷耦合劑分別與對象之樹脂基板，例如 環氧基板為環氧系耦合劑，聚酰亞胺系基板為胺基系耦合 劑，具有相容性，因此在本發明中雖沒有限定種類，但至 少為了提升與化學上與樹脂基板之密著性，霧面側的矽烷 耦合劑之附著量，以矽而言為〇 〇〇1〜〇 〇15 mg/dm2之範圍 為佳。 以上係基於第2圖對於銅箔之連續表面處理做了說 明，但對於銅箔單板的表面處理也可以同樣的處理條件來 施行。 製做上述電阻層3時使用含磷鎳浴的理由為，建浴條 件谷易且電阻層的電阻值管理可以鎳附著量與含磷量及其 比率來管理之故，特別是在使用磺酸鎳的情況，由於薄獏 元成後之殘留電鍍應力小而可抑制翹曲的發生，因此對於 生產性的提升與品質的安定性兩方皆有優點。 在此’為形成電阻層’使用泛用之電解銅箔的霧面側 之理由為，粗面形狀若Rz值在2. 5〜6. m之範圍内，則 薄膜之厚度即使為電阻值25〇Ω/□程度之電解電鍍厚度， 也不會變的多孔而可施以均一的電鍍，對於在接下來的工 私之為了具有密著性之鎳粗化處理也不會使不良產生，而 可賦予健全的微細鎳粗化粒。 201111562 使用拉伸性良妨 > + 民好之電解鋼箔的理由，不管是硬性基 板、軟性基板都在搬误福 ^通過一次層積製程之加熱沖壓工程 等可適當地拉伸塑性， 賦予抑制翹曲或端面的捲曲不良的 效果之故。 拉伸性良好之電解銅箔’藉由在電解製箔時在電解液 中處方眾所周知的添加劑而可容易地得到。 (實施例1) 使用藉由電解製箔條件來制 曰俅仟求衣造之i 8 # m厚度之霧面側 (電解液面側）的形狀叙声盔ττ 〜狀祖度為jis-b_0601所規定之。值4 且在180 〇C 60分鐘夕士女丄也 · 刀里之大虱加熱條件之加熱後的拉 14. 2 %的銅箔（古河電氣工金r 一 电札工業（股份公司）製造之MP箔），在 該霧面側以以下的倏株寄& # ]保件貫轭成為電阻元件體之電阻層薄臈 的形成、鎳粗化處理、膠囊電鍍處理。 、 [電阻層形成浴組成與處理條件 使用續酸鎳做為鎳......65g/1 做為P〇3之亞磷酸......4〇g/l 50g/ 1 做為P〇4之次亞磷酸.. 棚酸（HB〇3)......30g/1 pH: 1.6

浴溫度：55°C 電解電鑛電流密度……5.0A/dm2 [錄粗化處理條件] 18g/l 使用硫酸錄做為錄 硫酸銨......20g/i 15 S- 201111562 做為添加物之由硫酸鋼化合物之金屬銅......1. 2g/l ··· 40A/dm2 ·.. 40g/1 PH：3. 6 浴溫度：30°C 電解電鍍電流密度...

[膠囊電鍍處理條件] 使用硫酸鎳做為鎳...， 硕酸（HB〇3)......25g/1 pH:2. 5

浴溫度：35°C 電解電鍍電流密度.·...，1 〇A/dm2 貫轭例之防銹處理，係浸潰於Cr〇3為3g/ 1之浴，乾 燥後將建浴為〇. 5wt%之環氧系矽烷耦合劑（Chiss〇(股份公 司）製Si la-AceS-510)僅薄膜塗布於該銅箔之霧面。 將所得到之附有電阻層之銅箔切斷成250mm平方，將 電阻層側（霧面側）重疊於市售的樹脂基板（使用日立化成 (股份公司）製LX67Fprepreg)，加熱沖壓後層積，製作單 面附有電阻層之銅覆層積板，以MeHex(股份公司）製的商 品名「A-process-w」之鹼性蝕刻劑僅選擇銅箔蝕刻後’根 據JIS-K-7194所規定之面内電阻值的測定方法，測定20 個試驗片以電阻率計L〇restaGp/MCp T61〇变（股份公 司）DINS製之4端子4探針法（定電流施加方式）來測定， 將合計的180個的測定值之差異指標標準差（j )以統計手 法求得’記載於表1。 又，與樹脂基材之密著性（密著強度的測定），係藉由 16 201111562 JIS-C-6481所規定之測定方法來測定。是否具有適當的拉 伸塑性之評價’係對於拉伸（常溫拉伸），在層積前的箔的 狀態以IPC-TM-650所規定之測定法來測定，塑性程度 (0.8R/MIT耐折性）係以JIS-P-8115所規定之耐撓曲性$ 測定法（R = 0. 8mm)來測定後記載於表j。 又，表1所示蝕刻後的鎳殘渣判定，係根據光學顯微 鏡之觀察結果。判定基準為，以1〇〇倍率目視觀察25 4咖 見方（1英吋見方）之蝕刻面内，完全看不見殘渣者為⑬， 未滿相當於ΙΟ/ζγπΦ之殘渣在5個以下者為〇，相當於ι〇 # ιηΦ以上未滿30# ιηΦ之殘渣未滿10個者為△，1〇#阳① 以上未滿30 " πιφ，而判斷實用性有問題之殘渣在1〇個以 上者為X。 (實施例2) 除了使用根據電解製箔條件來製造之丨8 # m厚的霧面 側形狀粗度在JIS-B-0601所規定之。值4 5//m，且在18〇 C 60为鐘之大氣加熱條件之加熱後的拉伸為ΐ4· 之銅箔 (古河電氣工業（股份公司）製造之Mp|g)以外，以實施例i 所記載的條件來處理後評價測定。 測定、評價結果併記於表1。 (實施例3) 除了使用根據電解製箔條件來製造之18//m厚的霧面 側形狀粗度在JIS-B_06〇1所規定之Rz值4. m，且在18〇 C 60分鐘之大氣加熱條件之加熱後的拉伸為} 2.⑽之銅箔 (古月電氣工業（股份公司）製造之Mp箔）以外，以實施例^ 201111562 所δ己載的條件來處理後評價測定 測定、評價結果併記於表丄。 (實施例4) 除了使用根據電解製箔侔株 η 表/自條件來製造之18//m厚的霧面 側形狀粗度在JIS_B_〇6Ql 〇r k班 DUi所規疋之Rz值8.5/zm,且在l8〇 C60分鐘之大氣加埶條侔 …、條件之加熱後的拉伸為12.0%之銅箔 (古河電氣工業（股份公司）製 I w之MP鎘）以外，以實施例1 所記載的條件來處理後評價測 測定 '評價結果併記於表i。 (實施例5) 示了使用根據電解製_條件來製造之18 “⑺厚的霧面 侧形狀粗度在JIS-B-_所規定之Rz值3.5”，且在18( 刀鐘之大氣加熱條件之加熱後的拉伸為H⑽之銅箔 (古〉可電氣工業（股份公司）製造之Mp箱）以外，以實施例] 所記載的條件來處理後評價測定。 測定、評價結果併記於表】。 (比較例1 ) /除7使用根據電解製_條件來製造之18 ”厚的霧面 。(^狀粗度在m'B~G6Gl所規定之^值9.2//m，且在180 〇刀鐘之大氣加熱條件之加熱後的拉伸為1 2. 0%之銅箔 可電氣工業（股份公司）製造之MP箔）以外，以實施例1 所記載的條件來處理後評價測定。 測定、評價結果併記於表i。 (比較例2) 18 201111562 下 除了使用在貫施例1所使用之基 . 體銅泊的霧面側以, 述處理條件施以銅燒鍍處理，接英者 考只知銅的膠囊電鍍後， 使用含Μ酸齡來電解電㈣為電阻層之薄膜之工程以 外，以實施例i所記載的條件來處理後評價測定。 測定、評價結果併記於表1。 [銅粗化處理條件] 使用硫酸銅做為銅......23 5g/l 硫酸......100g/l 做為銦......0. 25g/1

做為添加物之使用鉬化合物 洛溫度：25°C 電解電鍍電流密度......38A/dm2 [銅膠囊平滑電鍍處理條件] 使用硫酸銅做為銅......45g/l 硫酸......120g/l

浴溫度：55°C 電解電鍍電流密度......18A/dm2 (比較例3) 曰除了將在實施例1所使用之基體銅箱變更為175"m 厚之壓延銅泊’僅在_#，使用含磷磺酸鎳浴來電解電鍍 成為電阻層之薄膜之工程以外，同於實施你"做處理後評 價測定。 測定、評價結果併記於表】。 19 201111562 [表1]

從表可知，實施例卜5之附有電 负电阻層之銅箔的面内差 …小至未滿〇. 8，做為埋入樹脂基 奴之電阻几件也可充分 j雨足。 與樹脂基板之密著強度’若為通常之相當18…厚 度，只要在0.70kg/cm以上實用上就無問題，又，只要在 1.35kg/cm以下，就不會有鎳殘渣造成引起品質上懸念的 問題。實施例卜5之附有電阻層之銅箱之密著性皆滿足此 數值範圍，所以關於密著強度與鎳殘渣都是沒有問題的结 果。又，實施例1〜5之附有電阻層之銅箔的耐折性也為充 分滿足所求之特性。 又’對於電解製箔後之在常溫的拉伸，在實施例1〜5 皆為8 %以上而可滿足。 另一方面，比較例1係使用電解電鍍後之形狀粗度在 JIS-B-0601所規定之Rz值大至9.2//m之基體銅箱之故， 至 因此所做成之附有電阻層之銅箔之密著力大 20 201111562 1.38kg/cm，但電阻層之面内差異大’相較之下鎳殘渣也 多’為缺乏實用性的結果。 又，比較例2之附有電阻層之銅箔面内差異大，比較 例3雖面内差異較實施例丨小，但密著強度、耐折性皆無 法滿足’為缺乏實用性的結果。 如上述，本發明之附有電阻層之銅羯，做為電阻元件 =阻值之差異夠小，也可充分維持與所層積之樹脂基板之 密著性，對於折彎也具有適宜的拉伸塑性與耐折性。 又，本發明之附有電阻層之銅箱之製造方法，可製造 在做為電阻的情況之電阻值的差異夠小，不但可充分維持 與所層積之樹脂基板之密著性，料折彎也具有適宜的拉 伸塑性與耐折性之附有電阻層之銅箔。 “祀據本發明之層積基板，為充分維持與樹脂基板之接 著性，電阻值差異小的層積基板。 L座菜上之可利用性】 與本發明有關之附有電阻層之銅箱及其製造方法，可 ^用於硬性基板及軟性基板用之電阻元件所用之附有電阻 層之鋼箔及其製造方法。 【圖式簡單說明】 程順:1A圖，〜第1D圖係表示在附有電m層之銅箱之形成工 ^之製品的剖面之剖面說明圖。 ^圖係表示在附有電阻層之㈣ 成以後 〈I造工程之一例。 21 201111562 【主要元件符號說明】 1 基體銅箔 3 電阻層 4 鎳微粒子 5 膠囊電鍍 6 實施了鎳粗化處理之銅箔 7 實施了膠囊電鍍之銅箔 8 實施了鉻酸鹽防銹層之銅箔 9 塗布了矽烷耦合劑之銅箔 22 第一處理槽（電阻層形成工程） 23 氧化銥陽極 24 鎳一磷電解液 25 水洗槽 26 第二處理槽（粗化處理工程） 27 氧化銥陽極 28 鎳電解液 29 水洗槽 30 第三處理槽（膠囊電鍍工程） 31 氧化銥陽極 32 鎳電解液 35 水洗槽 37 第四處理槽（防銹處理工程） 38 SUS陽極 39 鉻酸鹽電解液 22 201111562 40 水洗槽 42 第五處理槽（矽烷處理工程） 43 矽烷液 44 乾燥工程 45 捲筒 23

Claims (1)

1. 201111562 七、申請專利範圍： 1_ 一種附有電阻層之銅羯，在銅羯之—方的表面上設 置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金層 的表面上藉由鎳粒子施以粗化處理。 2. —種附有電阻層之銅羯，在銅落之—方的表面上設 置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金層 的表面上藉由錄粒子施以粗化處理，在該施以粗化處理的 表面上施以膠囊電鍍。 •一種附有電阻層之銅箔，在銅箔之一方的表面上設 置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金層 的表面上藉由鎳粒子施以粗化處理’在該施以粗化處理的 表面上設置鉻酸鹽防銹層。 4· 一種附有電阻層之，在銅0之_方的表面上令 置成為電阻元件之金屬層或合金層，在該金屬層或合金^ 的表面上藉由鎳粒子施以粗化處理’在該施以粗化處理纪 表面上設置鉻酸鹽防錄層，在該防錄層的表面上設置由每 燒麵合劑形成之薄膜層。 5」如申請專利範圍第…項中任一項之附有電朋 之銅治，其中，前述銅荡係具有由柱狀晶粒所形成之处 之電解鋼落’在該電解銅落之霧面上設置了成為電 :金屬層或合金層’該霧面的基材，係…_〇6〇ι所 疋之Rz值2.5〜6.5#m之範圍内。 之銅i如ιγ㈣圍第1至5項中任-項之附有電阻 ”中’則述電解銅箱在18Gt6G分鐘之大氣加 24 201111562 條件下加熱後之在常溫的拉伸為m以上。 7:如申請專利範圍第…項中任一項之附有電阻層 之銅箔，其中，前述鎳粗化處理後之粗度為在 所規疋之Rz值之4.5〜8.5/zm之範圍内。 8. 如申請專利範圍第3或4項之附有電阻層之銅箔， 其中，刖述鉻酸鹽防銹層之鉻附著量，做為 9. 如申請專利範圍第4項之附有電阻層之銅箱，其 中，在前述由矽烷耦合劑形成之薄膜層之矽烷劑的附著 量，做為矽’為0.00卜0.015 mg/dm2。 10. —種附有電阻層之銅箔之製造方法，在霧面的基材 上具有JIS-B-〇601中所規定的Rz值在2 5〜6·5㈣之範圍 内之柱狀晶粒所形成之結晶的電解銅箔的霧面上，設置含 罐鎳所形成之電阻層，在該電阻層的表面上，藉由粗度^ Jisuin中所規定的Rzm 4 5~8 5#m之範圍㈣粒子 來施以粗化處理。 ^ U.如申請專利範圍第項之附有電阻層之銅笛之製 造方法’其中’前述電解㈣在180。㈤分鐘之大氣加熱 條件下加熱後之在常溫的拉伸為12%以上。 12.—種層積基板，申請專利範圍第丨至9項中任一項 之附有電阻層之銅箱钱刻加工成零件内藏的硬性基板或是 軟性基板而搭載。 25 &