CN102471913A - 带电阻层铜箔及其制备方法、以及层叠基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种带电阻层铜箔，其在作为电阻元件的情况下电阻值的离散小，能够充分维持与层叠的树脂基板间的贴附性，作为用于刚性及柔性基板的电阻元件，具有优异的特性。本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理。本发明的带电阻层铜箔的制备方法，是在电解铜箔的粗糙面上设有由含磷镍所形成的电阻层，所述电解铜箔具有由柱状晶粒所构成的晶体，所述粗糙面的质地以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm的范围；在该电阻层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，所述粗化处理的粗糙度以JIS-B-0601规定的Rz值计在4.5～8.5μm的范围，合金层例如由含磷镍形成。

Description

带电阻层铜箔及其制备方法、以及层叠基板
技术领域
本发明涉及带电阻层铜箔及其制备方法，以及使用该带电阻层铜箔的层叠基板，所述带电阻层铜箔能降低电阻值离散，作为用于刚性基板及柔性基板的电阻元件具有优异的特性。
背景技术
近年来，在电子机器中，以便携式电话为代表的便携式电子终端，在小型化、薄型化的基础上，除通话功能以外，影像、动画的收发功能自不必说，GPS(Global Positioning System)功能、单频段(one-seg)接收信号功能等多功能化也取得了显著进展。伴随着该多功能化，便携终端的构成部件的模块化也有飞跃性的进展，如何将具有一种或多种功能的模块小型化是组装技术的关键，成为前沿技术的焦点。
例如，在现有的面向便携式机器的封装中，细间距球栅阵列(FBGA，Fine pitch Ball Grid Array)等小型、薄型封装成为主流，最适于使用，但是为了进一步应对存储器的大容量化及比目前更多的多功能化，人们开始采用多芯片封装(MCP，Multi Chip Package)技术、层叠封装(PoP，Package on Package)技术。
国内外的印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)生产商，在晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP，Wafer Level Chip Size Package)、四侧无引脚扁平封装(QFN，Quad Flat Non-leaded package)、FBGA等封装技术上展开激烈竞争的同时，在作为下一代大容量化及多功能化技术的三维芯片层叠技术开发上展开激烈竞争。其高密度组装方式之一为部件内置基板技术。
作为部件内置基板技术，即向基板内置元件的方式，人们已经提出了多种不同方案，并进行了商品化。但是，相对于有源元件，相当于无源部件的电阻、电容、电感等在加工条件方面存在制约，在将该无源部件埋入基板的情况下，从设计的自由度和加工容易性方面考虑，大多使用电阻元件。
作为加工成用作无源部件的电阻元件的薄膜材料，例如有带电阻层金属箔。作为该金属箔的代表有带电阻层铜箔，市售有以下类型：通过电镀在铜箔表面形成由厚度0.1μm左右的电阻层构成的电阻元件；在铜箔表面用卷到卷方式通过溅射形成厚度
Figure BDA0000129821650000021
(0.1～100nm)左右的电阻层。
带电阻层金属箔的金属箔，无论电阻层(薄膜)的形成方法是电镀类型还是溅射类型，从操作加工性和性价比方面考虑，使用铜箔的比例高。
由这种带电阻层铜箔形成电阻元件时，将该铜箔的一侧面与树脂基板粘接。为了提高带电阻层铜箔与树脂基板间的贴附性，对成为基体的铜箔表面实施利用铜粒子的粗化处理，然后，如果是电镀，则在该粗化处理面电镀含有磷的镍，形成电阻层(薄膜)(专利文献1或2)；如果是溅射，则在该粗化处理面蒸镀镍和铬，或者蒸镀镍、铬、铝和二氧化硅，形成电阻层(薄膜)。现有市售产品中，销售有电阻值为25～205Ω/□左右的带电阻层铜箔。
近年来，在内置有源元件和无源部件的基板的设计中，作为最适合于薄型化的材料，对带电阻层金属箔的使用需求越来越高。并且，为了扩大将无源部件埋入基板时的设计范围，人们正在寻求一种不只限于刚性基板，也能够适用于柔性基板的材料。
此外，在使用带电阻层金属箔的电路设计中，常规方法是改变电路的宽度和长度的纵横比来设计所需的电阻值，但近年来，随着微电路设计，对提高精密蚀刻后的无源元件电阻值精度的要求越来越高。此外，人们正在寻求一种适应于柔性基板的、具有能够随之适当弯曲的延伸特性的带电阻层金属箔。
在本申请人现有销售的材料中有适应于精密图案的带电阻层铜箔。其结构在专利文献1～3中被公开，但无论哪种材料都是根据需要，在具有微晶结构的铜箔上实施利用微细铜粒子的粗化处理后，在含磷镍浴中实施电镀所形成的结构。但是，通过微细粗化处理，难以使粗化粒子在铜箔表面均匀分布，如果粗化粒子的分布出现不均匀，则设置在其上(作为电阻元件)的含磷镍电镀薄膜层的厚度出现离散，在JIS-K-7194规定的面内电阻值测定方法中所得到的各电阻值的离散变大，出现不良情况，即使在电路设计中形成电阻元件图案，也可能得不到符合理论的电阻值。因此，现有技术在粗化处理工序中，以及在将电阻值控制在一定程度的电镀工序中，需要非常好的熟练技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2003-200523号公报
专利文献2：日本专利特开2003-200524号公报
专利文献3：日本专利特开2004-315843号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种带电阻层铜箔及其制备方法，以及使用该带电阻层铜箔的层叠基板，所述带电阻层铜箔在用作电阻元件的情况下电阻值的离散小，与层叠的树脂基板间的贴附性也能够充分维持JPCA标准(JPCA-EB01)，作为用于刚性基板及柔性基板的电阻元件也具有优异的特性。
解决技术问题的技术手段
本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理。
本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面实施卡普苏尔镀(カプセルメツキ)。
本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面设有铬酸盐防锈层。
此外，本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面上设有铬酸盐防锈层，在该防锈层表面设有由硅烷偶联剂形成的薄膜层。
本发明的带电阻层铜箔的制备方法，在电解铜箔的粗糙面上设有由含磷镍所形成的电阻层，所述电解铜箔具有由柱状晶粒所构成的晶体，所述粗糙面的质地以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm的范围；在该电阻层的表面实施利用镍粒子的粗化处理。利用镍粒子的粗化处理实施至其表面粗糙度以JIS-B-0601规定的Rz值计在4.5～8.5μm的范围。
本发明中，使用具有由柱状晶粒所构成的晶体的电解铜箔，是由于具有柱状晶粒所构成的晶体的电解铜箔的粗糙面具有适当的粗糙度。在微细晶粒的情况下，难以得到电解铜箔的粗糙面满足本发明目的的表面粗糙度Rz值在2.5～6.5μm范围的电解铜箔，其不适合于作为本发明的基体箔。具有由柱状晶粒所构成的晶体的电解铜箔，能够使用在电解液组成中添加了硫脲或氯的常用电解液来制箔，具有完整的波浪形状，能够获得以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm范围的基体箔。
本发明的层叠基板，其为在部件内置的刚性基板或柔性基板上加工蚀刻图案，搭载所述带电阻层铜箔。
发明效果
本发明的带电阻层铜箔，作为电阻元件，其电阻值的离散非常小，与层叠的树脂基板间的贴附性也能够充分维持JPCA标准(JPCA-EB01)，且能应对R＝0.8～1.25(mm)范围的弯曲，具有适当的伸缩塑性和耐弯折性。
此外，基于本发明的带电阻层铜箔的制备方法，能够制备下述带电阻层铜箔，所述带电阻层铜箔在作为电阻元件的情况下电阻值的离散也非常小，与层叠的树脂基板间的贴附性也可充分维持JPCA标准(JPCA-EB01)，同时能应对R＝0.8～1.25(mm)范围的弯曲，具有适当的伸缩塑性和耐弯折性。
基于本发明的层叠基板，能够提供一种层叠树脂基板与带电阻层铜箔的层叠基板，与树脂基板间的粘接性可充分维持JPCA标准(JPCA-EB01)，电阻值离散小。
附图说明
图1A～图1D为顺序表示在带电阻层铜箔的形成工序中的产品截面的截面示意图。
图2为表示带电阻层铜箔在形成电阻层以后的制备工序的一例工序图。
具体实施方式
下面，对本发明的带电阻层铜箔进行详细说明。
本发明的带电阻层铜箔，在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理。作为电阻元件的金属、合金，优选镍、含磷镍。
图1A～图1D为放大表示本发明的一个实施方式的示意图，图1A为电解铜箔1的截面，该铜箔的粗糙面2的表面形成有以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm范围内的柱状晶粒。这里，电解铜箔1的表面粗糙度Rz值限于2.5～6.5μm的范围是由于在小于2.5μm时，即使在下道工序以后进行粗化处理，也不能得到充分的与树脂基板间的贴附性；当超过6.5μm时，虽然与树脂基板间的贴附强度优异，但表面积增大，在形成250Ω/□的高电阻元件膜(厚度非常薄的膜)时，镀层厚度明显不均匀，难以形成均匀的电阻膜。并且，电解铜箔的表面粗糙度以Rz值计，优选3.0～5.5μm。
所述铜箔1优选为电解铜箔，尤其优选采用在180℃温度、大气加热条件下加热60分钟后的常温下的延伸率为12％以上的电解铜箔。铜箔，尤其是压延铜箔，在与树脂基板层叠的加热工序中的加热成型温度范围内，存在晶体结构发生塑性变形而变大的情况。如果晶体变大，则在制成精密图案的情况下，不只蚀刻后的图案直进性变差，而且蚀刻因子也会变差。因此，即使在常用的加热加压加工温度的180℃左右的条件下，也限定延伸率为12％以上，由此即使在层叠工序中进行加热处理，也能够维持完整的晶粒形状，由于能够随着树脂基板的线性膨胀系数的变化而变化，因此能够使其适用于刚性及柔性基板。并且，在180℃左右条件下的延伸率更优选为13.5％以上。这里，根据IPC-TM-650测定延伸率。
并且，通常只要电解制箔后的常温下的延伸率为8％以上，则在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的常温下的延伸率即为12％以上。
图1B表示在所述铜箔1的粗糙面设有电阻层3的状态，电阻层3的表面以Rz值计完成至2.5～6.5μm的范围。
图1C表示将电阻层3的表面用镍粒子进行了粗化处理的状态，镍微粒4特别集中附着在电阻层3的凸出部分。该镍粗化处理后的粗糙度以JIS-B-0601规定的Rz值计优选为4.5～8.5μm的范围。将粗化处理后的表面粗糙度Rz限定于4.5～8.5μm的范围内是为了防止形成精密图案后的迁移不良。即，由于当Rz超过上限8.5μm时，可能会出现迁移、粗化粒子脱落等不良情况；当小于下限4.5μm时，可能会无法满足与树脂基板的贴附强度。并且，镍粗化处理后的粗糙度以Rz值计更优选4.8～7.5μm。
图1D表示实施了平滑镀、所谓卡普苏尔镀5来覆盖镍微粒4的表面至镍微粒4不脱落的程度的状态，通过实施卡普苏尔镀5，使镍微粒4变得完整。
并且，在本发明中，所述镍粗化处理后，实施了卡普苏尔镀的情况下，优选在实施卡普苏尔镀后的表面上设置铬酸盐防锈层(图中未示出)。所述防锈层的铬附着量，以金属铬计优选为0.005～0.045mg/dm2。将铬酸盐附着量设为0.005～0.045mg/dm2，是因为只要满足该附着量，就能够防止品质方面氧化变色等不良情况的发生。并且，更优选为0.005～0.030mg/dm2。
由于在所述防锈层的表面设置由硅烷偶联剂形成的化学薄膜层(图中未示出)时，能够进一步提高与树脂基板间的贴附性，因此优选。硅烷偶联剂的附着量，以硅元素计优选为0.001～0.015mg/dm2，并且，更优选为0.003～0.008mg/dm2。
接下来，根据图2，对本发明的带电阻层铜箔的制备方法的其中一个实施方式进行说明。
在图2中，将卷绕在卷轴上的基体铜箔(电解铜箔，以下仅称为铜箔)1引导至用来形成电阻层3的第一处理槽22中。第一处理槽22中设置有氧化铱阳极23，充填Ni-P电解液24，形成电阻层3。在第一处理槽22中形成了电阻层3的铜箔5在水洗槽25中清洗后导入到第二处理层26。
第二处理槽26中设置有氧化铱阳极27，充填Ni电解液28，实施镍粗化处理。实施了镍粗化处理的铜箔6在水洗槽29中清洗后导入到第三处理层30。第三处理槽30设置有氧化铱阳极31，充填Ni电解液32，实施卡普苏尔镀。在第三处理槽30中实施了卡普苏尔镀的铜箔7在水洗槽35中清洗后导入第四处理层37。第四处理槽37中设置有SUS阳极38，充填铬酸盐电解液39，实施铬酸盐防锈层。在第四处理槽37中实施了铬酸盐防锈层的铜箔8在水洗槽40中清洗后导入第五处理层42。第五处理槽42中充填硅烷液43，在铜箔8的表面涂布硅烷偶联剂。在第五处理槽42中涂布了硅烷偶联剂的铜箔9经干燥工序44后卷绕到卷绕辊45上。
作为基体铜箔1还可以使用压延铜箔，但为了使电阻层的离散更小，优选使用下述铜箔，所述铜箔根据常用的电解制箔条件制得的厚度为12μm以上，粗糙面2(电解液面一侧)的电解制箔后的形状粗糙度以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm的范围，且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后，延伸率在12％以上。
在第一处理槽22中，通过使用了含磷镍浴的阴极电镀法形成设置在铜箔1的粗糙面2上的电阻层3。
作为形成电阻层3的含磷镍浴，设为以镍计60～70g/L的氨基磺酸镍、以PO3计35～45g/L的亚磷酸、以PO4计45～55g/L的次磷酸、25～35g/L的硼酸(HBO3)，pH：1.6、浴温53～58℃，在电镀电流密度4.8～5.5A/dm2的条件下，能够制备面内电阻的离散非常小的带电阻层铜箔，所述带电阻层铜箔依据JIS-K-7194规定的面内电阻值测定方法，具有25～250Ω/□的范围。
但是，在所述工序中，由于不在铜箔表面实施粗化处理，与树脂基板间的贴附性差。因此，在本发明中，在下道工序中进行适当的镍粗化处理，从而提高与树脂基板间的贴附性，使其适合于电阻层内置基板的用途。
作为进行适当的镍粗化处理的方法，如图2所示，首先用溶解镍浴(第二处理槽26)实施镍的热镀。实施热镀的溶解镍浴组成只要是可溶性镍化合物即可，没有特别限定，但优选使用硫酸镍，作为浴组成优选溶解了以镍计15～20g/L的硫酸镍、18～25g/L的硫酸铵、作为形成微细镍粗化粒子的添加物的以金属铜计0.5～2g/L的铜化合物，，优选浴温在25～35℃的范围，pH用硫酸和碳酸镍微调并设定为3.5～3.8后，在阴极电解电流密度40±2A/dm2的范围内进行处理。
然后，使用硫酸镍浴(第三处理槽30)实施平滑度、所谓的卡普苏尔镀至由该镍热镀所形成的粗化粒子不脱落的程度，使镍粗化粒子完整。
用来防止热镀后的微细镍粒子脱落的卡普苏尔镀的浴组成，基本上可以转用进行镍热镀的溶解镍浴，但优选使用硫酸镍，并优选将硫酸镍调节至以镍计35～45g/L、将硼酸调节至23～28g/L，优选浴温为25～45℃的范围，pH用硫酸和碳酸镍微调并设定为2.4～2.8后，在阴极电解电流密度10±2A/dm2的范围内进行处理。
卡普苏尔镀的处理条件优选为：浴温30～40℃范围，pH用硫酸和碳酸镍微调并设定为2.4～2.6后，在阴极电解电流密度10A/dm2下进行平滑镀处理。
实施卡普苏尔镀的目的在于用来防止利用镍粒子实施的粗化处理的镍粒子发生脱落，如果过薄则不能防止镍粒子脱落；此外，如果过厚则电阻层的电阻值产生离散。因此，卡普苏尔镀的厚度优选为电阻层3厚度的1/4～1/10左右。
在卡普苏尔镀工序后实施防锈处理，可以进行铬酸盐防锈，也可以利用以苯并三唑为代表的有机类防锈剂或其衍生物化合物进行防锈处理。但是，由于利用铬酸溶液的铬防锈处理，不论是连续处理，还是单板处理，性价比均优异，因此优选。
防锈处理通过浸渍处理设置铬酸盐防锈剂，或者根据需要进行阴极电解处理(第四处理槽37)来提高防锈能力。
防锈处理中的膜，在铬酸盐处理的情况下优选以金属铬量计在0.005～0.045mg/dm2的范围内处理；在有机防锈处理的情况下优选苯并三唑(1，2，3-Benzotriazole(俗称：BTA))，但可以是市售的衍生物，其处理量是实施在JIS-Z-2371规定的盐水喷雾试验(盐水浓度：5％-NaCl，温度35℃)条件下实施至24小时表面不发生氧化铜变色程度的浸渍处理。
进而，根据需要，优选在防锈处理层上适当涂布硅烷偶联剂(第五处理槽42)，提高与刚性树脂基板或柔性基板间的贴附性。硅烷偶联剂与作为对象的树脂基板，例如若为环氧基板则与环氧类偶联剂具有亲和性，若为聚酰胺树脂则与胺类偶联剂具有亲和性，因此在本发明中不限定硅烷偶联剂的种类，但为了至少能提高与树脂基板间的化学贴附性，优选粗糙面侧的硅烷偶联剂的附着量以硅元素计为0.001～0.015mg/dm2的范围。
以上，基于图2对铜箔的连续表面处理进行了说明，但在同样处理条件下，也可以对铜箔单板实施表面处理。
上述电阻层3的制备中使用含磷镍浴的原因是：建浴条件容易以及能够通过控制镍附着量与含磷量和它们的比例来对电阻层的电阻值进行管理，尤其是在使用氨基磺酸镍的情况下，由于形成薄膜后残留镀应力小，能抑制出现弯曲，因此在提高生产效率及品质稳定两方面均有优点。
这里，为了形成电阻层，使用常用的电解铜箔的粗糙面侧的原因是：若以Rz值计粗糙面形状在2.5～6.5μm的范围，则即使薄膜的厚度以电阻值计达到250Ω/□左右的电镀厚度，也能够不产生气孔，均匀施镀，即使对于在下道工序中使其具有贴附性的镍粗化处理也不会出现不良情况，能够赋予其完整的微细镍粗化粒子。
使用延伸性良好的电解铜箔的原因是：在将刚性基板、柔性基板进行一次层叠工序下的加热加压工序等时，也均具有适当的伸缩塑性，赋予其抑制弯曲或端面卷曲等不良情况的效果。
延伸性良好的电解铜箔，通过电解制箔时向电解液中添加公知的添加剂，能够容易地得到。
(实施例1)
使用根据电解制箔条件制得的铜箔，所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧(电解液面一侧)的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值4.8μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为14.2％(古河电气工业(株)制备的MP箔)，在下述条件下在该粗糙面侧形成作为电阻元件的电阻层薄膜、实施镍粗化处理及实施卡普苏尔镀处理。
[形成电阻层的浴组成和处理条件]
使用氨基磺酸镍，以镍计......65g/L
亚磷酸以PO3计......40g/L
次磷酸以PO4计......50g/L
硼酸(HBO3)......30g/L
pH：1.6
浴温：55℃
电镀电流密度......5.0A/dm2
[镍粗化处理条件]
使用硫酸镍，以镍计......18g/L
硫酸铵......20g/L
作为添加物的硫酸铜化合物，以金属铜计......1.2g/L
pH：3.6
浴温：30℃
电镀电流密度......40A/dm2
[卡普苏尔镀处理条件]
使用硫酸镍，以镍计......40g/L
硼酸(HBO3)......25g/L
pH：2.5
浴温：35℃
电镀电流密度......10A/dm2
实施例的防锈处理为浸渍于以CrO3计3g/L的浴液中，干燥后，仅在该铜箔的粗糙面侧薄膜涂布配制成0.5wt％的浴液的环氧系硅烷偶联剂(智索(株)生产Sila-Ace S-510)。
将制得的带电阻层铜箔切成250mm的四方形，将电阻层侧(粗糙面侧)重叠到市售的树脂基板(使用日立化成(株)生产的LX67F半固化片)上，加热加压层叠，制成单面带电阻层的覆铜层叠板，用MELTEX(株)生产的商品名“エ-プロセス-W”的碱性刻蚀剂仅选择铜箔进行蚀刻后，依据JIS-K-7194规定的面内电阻值测定方法用电阻率计Loresta-GP/MCP-T610型/(株)Dia Instruments生产的四端子四探针法(外加定电流方法)测定20个试验片，用统计学方法求出合计180的测定值的离散指标σ，记载在表1中。
此外，通过JIS-C-6481规定的测定方法测定与树脂基材的贴附性(贴附强度)。对是否具有适当的伸缩塑性的评价是通过IPC-TM-650规定的测定方法在层叠前的箔状态下测定延伸率(常温延伸率)，通过JIS-P-8115规定的耐弯曲性测定方法(R＝0.8mm)测定塑性程度(0.8R/MIT耐弯折性)，记载在表1中。
此外，通过光学显微镜观察蚀刻后的镍残渣，判定结果如表1所示。判定基准为：在100倍率下目测观察25.4mm的四方形(1英寸的四方形)的蚀刻面内，完全看不到残渣的记为◎，相当于小于10μmφ的残渣在5个以下的记为○，相当于10μmφ以上且小于30μmφ的残渣小于10个的记为△，10μmφ以上且小于30μmφ、可认为在实用性方面有问题的残渣在10个以上的记为×。
(实施例2)
除使用下述根据电解制箔条件制得的铜箔以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定；所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值4.5μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为14.2％(古河电气工业(株)制备的MP箔)。
测定、评价结果同样如表1所示。
(实施例3)
除使用下述根据电解制箔条件制得的铜箔以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定；所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值4.5μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为12.0％(古河电气工业(株)制备的MP箔)。
测定、评价结果同样如表1所示。
(实施例4)
除使用下述根据电解制箔条件制得的铜箔以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定；所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值8.5μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为12.0％(古河电气工业(株)制备的MP箔)。
测定、评价结果同样如表1所示。
(实施例5)
除使用下述根据电解制箔条件制得的铜箔以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定；所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值3.5μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为12.0％(古河电气工业(株)制备的MP箔)。
测定、评价结果同样如表1所示。
(比较例1)
除使用下述根据电解制箔条件制得的铜箔以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定；所述铜箔的厚度为18μm、粗糙面侧的形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值9.2μm、且在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的延伸率为12.0％(古河电气工业(株)制备的MP箔)。
测定、评价结果同样如表1所示。
(比较例2)
对实施例1中所使用的基体铜箔的粗糙面侧在下述处理条件下实施铜热镀处理，接着实施铜的卡普苏尔镀后，用含磷氨基磺酸镍浴电镀作为电阻元件的电阻层薄膜，除上述工序以外，在实施例1记载的条件下进行处理，供给评价测定。
测定、评价结果同样如表1所示。
[铜粗化处理条件]
使用硫酸铜，以金属铜计......23.5g/L
硫酸......100g/L
作为添加物的钼化合物，以钼计......0.25g/L
浴温：25℃
电镀电流密度......38A/dm2
[卡普苏尔平滑镀铜处理条件]
使用硫酸铜，以金属铜计......45g/L
硫酸......120g/L
浴温：55℃
电镀电流密度......18A/dm2
(比较例3)
将实施例1中所使用的基体铜箔变为17.5μm厚的压延铜箔，只在一侧面上用含磷氨基磺酸镍浴电镀作为电阻元件的电阻层薄膜，除上述工序以外，进行与实施例1相同的处理，供给评价测定。
测定、评价结果同样如表1所示。
表1
Figure BDA0000129821650000141
Figure BDA0000129821650000151
从表中可以看出，实施例1～5的带电阻层铜箔的面内离散小于0.80，非常小，能够充分满足作为埋入树脂基板中的电阻元件的要求。
通常来说，如果厚度相当于18μm，与树脂基板间的贴附强度在0.70kg/cm以上，在实用方面就没有问题，并且，如果在1.35kg/cm以下，则也不用担心因镍残渣引起品质上的问题。由于实施例1～5的带电阻层铜箔的贴附性均满足该数值范围，结果贴附强度、镍残渣均没有问题。并且，实施例1～5的带电阻层铜箔的耐弯折性也能够充分满足所要求的特性。
此外，对于电解制箔后的常温下的延伸率，实施例1～5均满足8％以上。
另一方面，比较例1由于使用电镀后的形状粗糙度非常大的基体铜箔，所述形状粗糙度为JIS-B-0601规定的Rz值9.2μm，因此得到的带电阻层铜箔的贴附力增大至1.38kg/cm，但电阻层的面内离散变大，镍残渣也比较多，结果缺乏实用性。
此外，比较例2的带电阻层铜箔，面内离散大；比较例3的面内离散比实施例1小，但不能满足贴附强度和耐弯折性，结果缺乏实用性。
如上所述，本发明的带电阻层铜箔，作为电阻元件，电阻值的离散非常小，也能够充分维持与层叠的树脂基板间的贴附性，对于弯曲也具有适当的伸缩塑性和耐弯折性。
并且，本发明的带电阻层铜箔的制备方法，能够制备出在作为电阻元件的情况下电阻值的离散非常小，也能够充分维持与层叠的树脂基板间的贴附性，同时，对于弯曲也具有适当的伸缩塑性和耐弯折性的带电阻层铜箔。
基于本发明的层叠基板，能充分维持与树脂基板间的粘接性，电阻值的离散小。
工业实用性
本发明的带电阻层铜箔及其制备方法，能够应用在可用于刚性基板及柔性基板的电阻元件的带电阻层铜箔及其制备方法。
附图标记说明
1基体铜箔；3电阻层；4镍粒子；22第一处理槽(电阻层形成工序)；26第二处理槽(粗化处理工序)；30第三处理槽(卡普苏尔镀工序)；37第四处理槽(防锈处理工序)；42第五处理槽(硅烷偶联剂)；44干燥工序。

Claims (12)

1.一种带电阻层铜箔，其在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理。
2.一种带电阻层铜箔，其在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面实施卡普苏尔镀。
3.一种带电阻层铜箔，其在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面设有铬酸盐防锈层。
4.一种带电阻层铜箔，其在铜箔的一侧表面设有作为电阻元件的金属层或合金层，在该金属层或合金层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，在该实施了粗化处理的表面上设有铬酸盐防锈层，在该防锈层表面设有由硅烷偶联剂形成的薄膜层。
5.如权利要求1～4任意一项所述的带电阻层铜箔，所述铜箔为具有由柱状晶粒所构成的晶体的电解铜箔，在该电解铜箔的粗糙面上设有作为电阻元件的金属层或合金层，该粗糙面的质地以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm的范围。
6.如权利要求1～5任意一项所述的带电阻层铜箔，所述电解铜箔在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的常温下的延伸率为12％以上。
7.如权利要求1～6任意一项所述的带电阻层铜箔，所述镍粗化处理后的粗糙度，以JIS-B-0601规定的Rz值计在4.5～8.5μm的范围。
8.如权利要求3或4所述的带电阻层铜箔，所述铬酸盐防锈层的铬附着量，以金属铬计为0.005～0.045mg/dm2。
9.如权利要求4所述的带电阻层铜箔，在由所述硅烷偶联剂形成的薄膜层中的硅烷偶联剂的附着量，以硅元素计为0.001～0.015mg/dm2。
10.带电阻层铜箔的制备方法，其是在电解铜箔的粗糙面上设有由含磷镍所形成的电阻层，所述电解铜箔具有由柱状晶粒所构成的晶体，所述粗糙面的质地以JIS-B-0601规定的Rz值计在2.5～6.5μm的范围；在该电阻层的表面实施利用镍粒子的粗化处理，所述粗化处理的粗糙度以JIS-B-0601规定的Rz值计在4.5～8.5μm的范围。
11.如权利要求10所述的带电阻层铜箔的制备方法，所述电解铜箔在180℃、大气加热条件下加热60分钟后的常温下的延伸率为12％以上。
12.一种层叠基板，其是在部件内置的刚性基板或柔性基板上加工蚀刻图案，并搭载有权利要求1～9任意一项所述的带电阻层铜箔。
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