TW201042894A - Regulation of recovery rates in charge pumps - Google Patents

Regulation of recovery rates in charge pumps Download PDF

Info

Publication number
TW201042894A
TW201042894A TW098143457A TW98143457A TW201042894A TW 201042894 A TW201042894 A TW 201042894A TW 098143457 A TW098143457 A TW 098143457A TW 98143457 A TW98143457 A TW 98143457A TW 201042894 A TW201042894 A TW 201042894A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
clock
charge pump
frequency
value
rate
Prior art date
Application number
TW098143457A
Other languages
English (en)
Inventor
Man Lung Mui
Seung-Pil Lee
Hao Thai Nguyen
Original Assignee
Sandisk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sandisk Corp filed Critical Sandisk Corp
Publication of TW201042894A publication Critical patent/TW201042894A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30Power supply circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Description

201042894 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 -般而言,本發明係關於電荷泵之領域, 言,係關於支配電荷泵内之恢復率之方法。 ’疋而 【先前技術】 電荷泵使用一切換過程來提供大於其此輸 DC輸出電|電反之一 吕,—電荷泵將U — + 電容器相合至-輸入與-輪出之間的開關。在—…該 循環(充電半循環)期門 個時鐘半 电千僱衣)期間’該電容器並 源電屋以便充電至該輸入電 :輸入或電 半循環)期間,已充電電容器與該輪入時仏盾環(傳送 提供兩倍於兮轸入免广 ^ 宅整串聯耦合以便 彳σ於°亥輸入電壓位準之一輪出雷厭^ 圖解說明此過程。在Μ 。在圖la及〗
嫩 在圖1a中’將電容器5與輪入帝厥P 聯配置以圖解說明充雷 、 电壓VIN並 „ 在圖lb中,蔣p*带+ 益5與該輸入電壓串 ,充電電谷 L, 配罝以圖解說明傳送车μ但 此,如圖ib中所見,已充 六k半循裱。因 地將係2*VIN。 书”谷态5之正極端子相對於接 電荷栗在諸多上下文中使用。舉例而… 閃記憶體及其他非揮發性記憶 。’笔荷泵用作快 電源電壓產生諸多户 週邊電路以自一較低 王。t夕所需運作雷懕,, 壓。若干電荷泵設外Α μ 例如,程式化或抹除電 —調節方案來提供所期望 且此專設計使用 性對於其中使用哕 勒位準。由於該輸出之準確 丨& π成W出之膺用I& 土 準之準確性相依於… 要,且由於該輪出位 '何調節,因此通常需要改良調節 145074.doc 201042894 之成力以追蹤輸出位準。 【發明内容】 :例示性實施例呈現-種為包含一時鐘及一電荷果之一 碑:果系统設定該時鐘之一頻率之方法。該方法包含為該 、里之頻率設定-初始值,及在使用㈣初㈣率值運行 二鐘運作該電荷泵系統時,確定該電荷泵在-恢復階 ❹ Ο :之—輸出電1之斜升率。然後,調整該時鐘之頻率 以使得電荷栗在恢復階段期間之輸出電塵之斜升率落入不 超過一預定最大速率之一範圍内。 根據另'態樣’呈現—種_系統。該系統包含:一 鐘:路:其用以提供—時鐘信號;-電荷泵,其用以提 么、輸出電壓,置中亡歹ίί·石λ /、Τ 4電何泵經連接以接收該時鐘俨號且 以該時鐘電路之頻率運作;及-調節器電路,其㈣接以 接收該輪出電麼且將自該輸出電屋導出之一調節電遂提供 至該電荷果。該系統亦包含:—暫存器,具有—可讯定 值,其令該時鐘頻率係回應於該暫存器值;及計數與時 電路’其可連接以接收該輸出電壓及該時鐘信號且自盆J 2=電荷果用以自-重設值恢復至一預定值之時鐘循環 本發明之各種態樣、優點、特徵及實施例包含於 明之例示性實例之以下闊述中,應結合隨附圖式理解^ 述。藉此,本文中所提及之所有專利、專利申請案:执 文、其它公開案、文件及諸如此類出於各種目的而以八 引用方式併人本文中。若在賴併人之公開案、文件 145074.doc 201042894 如此類中之任一者與本申請案之間存在術語之定義或使用 上之任何不一致或衝突,則應以本申請案之彼等定義或使 用為準。 【實施方式】 在一典型電荷泵系統内,該電荷泵將具有數個級且此等 級在圖1A之充電半循環與圖1B之傳送半循環之間切換的 速率係藉由供應至該泵之時鐘頻率設定。由於意欲使該泵 系充以足夠電流位準供應某一輪出電壓,並快速地返回 且在將該輸出施加至—負載時維持此等位準,因此該泵系 統經設計以滿足所需技術規範。與經設計成以高於某一速 率恢復至所規定料之m以相反,本文中所述之 系統及方法呈現一電荷泵系統,其中該時鐘頻率可微調以 使得恢復率不會恢復得太迅速。 因由一電荷泉供電之-電路上之不同位置及條件以及晶 拉間之變化,自料輸出供應之位準在其到達不同元件時 之實際斜升率可顯著變化。在該典型當前設計中系設計 者㈣要保證斜升率滿足技術規範中關於「最慢」元件針 對所提出之效能$ JL f /_£. 出之效…取小值。然而,滿足「最慢」元件之 最小效忐使得「最快」供應條件中之 例而士,, dfc 率極快。(舉 :而5 ’在一非揮發性記憶體裝置之情況下,其 陣列之各種元件將因自泵輸 ^ ., 个1 J。已憶體早7L之路庐茬 而在由該果驅動時經歷較慢或較快斜升率。該陣列之= 部分將自同-系得到不同位 …之不同 』匕規察到,若斜林、玄-丄 快,則此可導致不期望之結果。 斜升率太 145074.doc 201042894 Ο Ο 一=非揮發性記憶體裝置實例而言,已在石夕中觀察到, 、了泵之輪出上之一斜升率太快可導致某些問題讀取干 擾,例如,至記憶體單元中之熱電子注入。在一例示性實 轭例:,為解決此等熱電子注入相關失敗,該系統使用— 已減慢(相對於最大可用值)栗時鐘以使得斜升率較慢。因 j亦考量-最大斜升率且相應地調整泵時鐘,而非僅考 2高於某—最小值之—斜升率。在大多數應用中,此亦可 導致因泵輸出之斜升率對於使用泵輸出之最慢元件而言太 慢而,長之定時預算。由於斜升率可由泵時鐘頻率控制, 而非每-晶粒具有-固定系時鐘頻率’因此根據本文中所 呈見之自態樣,該系統使用一可微調時鐘頻率,從而藉 由檢查輸出之斜升率來微調該泵時鐘頻率。 在當則泵設計之一個例示性實施例中,一電壓偵測器電 路產生一「旗標」信號來計數產生此旗標信號所花費的時 間若泵犄鐘頻率比所預期時鐘頻率慢,則使該泵時鐘頻 率增加以將斜升率置於一所期望之範圍内…亦即,增加至 足夠高但亦不太快。因此,該設計可跨越逐晶粒或逐批電 晶體變化具有--致的泵輸出斜升率。 圖2係一典型電荷泵配置之一頂部位階方塊圖。如圖201 中所示’電荷泵201具有作為輸入之一時鐘信號及一電壓 Vreg且提供一輸出Vout。電壓Vreg係由調節器2〇3提供, 該調節器具有作為輸入之一參考電壓Vref及v〇ut。調節器 區塊203調節Vreg之值以使得k*Vout=Vref,其中藉由調整 k的值’可獲得Vout之所期望之值。如此項技術中將熟 145074.doc 201042894 知,值k可實施為(例如)一電阻器比率且通常係透過一數位 至類比轉換器來調整。(雖未顯示’但調節器(2〇3)亦將經 連接以接收自外部電源至晶片之電壓Vext。)調節器203可 取得其他電源電壓而非僅Vext。Vref係(例如)由帶隙產生 盗(未顯不)所提供之具有(比如)1.2伏之一電壓之一固定參 考值。時鐘—高(Clock—High)係至泵201之一時鐘(未顯示) 輸入。 舉例而 5,通常可在 Pan 及 Sarnaddar、MeGraw-Hi 11, 2006 之「Charge Pump Circuit Design」或 Department of
Electrical and Computer Engineering University of Toronto 之 Pylarinos及 Rogers 之「Charge Pumps: An Overview」(在 矣罔頁「www.eecg.toronto.edu/~kphang/ecel371/chargepumps.pdf」 上可用)中發現關於先前技術電荷泵(例如,Dickenson型泵 及電荷泵)之更多資訊。可在美國專利第5,436,587號、第 6,370,075號、第 6,556,465號、第 6,760,262號、第 6,801,454 號、第 6,922,096號、第 7,030,683 號、第7,135,910號、第 7,372,320 號、第 7,368,979 號、第 7,443,735 號、及第 7,440,342號;美國專利公開案2007-0139099-八1及2008-0024096-A1 ;及2004年5月10日提出申請之申請案第 10/842,910 號;2005 年 12 月 6 日提出申請之 1 1/295,906 ; 2005年12月16曰提出申請之1 1/303,387 ; 2006年7月31曰提 出申請之1 1/497,465 ; 2006年9月19日提出申請之11/ 5 23,875 ;兩者皆在2007年8月28日提出申請之1 1/845,903 及11/845,939 ;兩者皆在2007年12月12日提出申請之 145074.doc 201042894 1 1/955,221及1 1/995,237以及购年6月9日提出申請之 12/135,945中發關於各種其他電Μ態樣及設計之進一 步資訊。 在運作時,作為調節過程之一部分,電綱試將 準確地維持在所期望位準處。然、而,在輸出最初經連接以 驅動-負載時,v〇ut通常將降低到所期望值以下且然後回 升並恢復至所期望之值(恢復階段)。—旦回升至^之所
期望之範圍,該泵即f試將該輸出維持在此範圍内(調節 階段)。在先前技術中,泵通常經設計以盡實際上可能快 地恢復…或,或許更通常,至少比某一最小值快速地恢 復…此乃因該電荷泵之目的係在供應所需電流時維持所期 望之Vout值。 該泵之輸出通常將由一裝置上之諸多元件使用。因此, 在m述電荷泵配置中,泵設計將經最佳化以滿足最差情況 條件之一既定恢復技術規範。將對應地在此等最差條件中 〇 最佳化所有定時參數,此乃因具有一太慢的恢復技術規範 將負面地影響裝置效能。然而,如上所述,由於電荷系之 輸出係遞送至電路之具有不同負載之元件且由不同路徑連 接至該泵,因此一既定泵時鐘頻率之所得斜升率可不同; 且亦如上所述,發現一斜升率太快可影響一裝置之可靠 性。圖3可用於圖解說明此效應之一實例。 圖3顯示配置成一NAND串之某些EEPR0M記憶體單元。 (舉例而言,可在美國專利第7,120,051號或美國專利申請 案1 1/759,909中發現具有此一單元配置之非揮發性記憶體 145074.doc 201042894 系統之各種實例之更多細節,該等申請案以全文引用方式 併入本文中且可參考該等申請案以為本文中所給出之經簡 化論述提供上下文。)在圖3中,—串(本文中)五個浮動閘 極電晶體(311、313、321、315及317)係在-對選擇電晶體 303與305之間串聯配置於一基板3〇1上。在單元32ι之一讀 取作業中,使用一選擇閘極電壓Vsg來接通在該串之任一 端上之選擇閘極303及305。在圖3中,選擇用於感測之記 憶體單元係在該串之中心之單元321。在此實例中,將— 電壓BR施加至單元32 1之控制閘極。為以此控制閘極電壓 導通單兀321,必須完全接通該串中之其他記憶體單元 (311、313、3 15、317),而不管儲存於此等單元上之資料 型樣如何,以使得其不影響對所選單元321上之狀態之確 定。將施加至此等未選單元311、313、315、317之電壓標 記為Vread。由於Vread之值應充分足夠高以針對一記憶體 單疋可保持之貧料位準(本文中對應於儲存於浮動閘極上 之電荷量)中之任一者接通該等記憶體單元,因此此位準 通常係由一電荷泵提供。 在實際實施方案中,未選記憶體單元上之電壓位準將自 然地不即時變成Vread。由於該電壓係自該泉供應,因此 该泵之輸出將在施加此負載時降低、進入至恢復模式中且 斜降回至Vread之經調節之位準。由於自該泵至對應字線 穿過選擇電路、多卫器等)可非係全部相同,因此 該等未選單元上之實際值在其斜升至乂“以時可變化。不 同字線之間的此斜升率差可導致-局部升壓,尤其對於某 145074.doc •10· 201042894 些資料型樣。此可導致跨越某些裝置之一大的汲極-源極 電壓差’其中一個側上係一經升壓之電壓而另—側 係在接地處,且導致衝穿及至單元313中之熱載流子注 - a。為解決此種類型之讀取干擾可能性,可將該泵時鐘頻 t $設定地較低,以使得泵輸出之此最大斜升率係由該栗控 制,而非僅受到該泵與該等單元之控制閘極之間的狀寄 生效應的限制。除設定該泵時鐘頻率以外,該裝置之最佳 〇 化亦可包含相應地變更改變該裝置上之其他定時參數。 可使用圖4圖解說明確定電荷泵之斜升率之一例示性方 法。在圖4中,波形401表示來自該電荷果之。在啦 U之間,該泵處於恢復階段中,從而斜升至當連接至負載 時曾自其下降至之調節階段處之位準。為確定該杲輸出恢 復所花費的時間,計數t〇與"之間的時鐘循環(波形仙 彻)之數目。此可由—計數器完成,該計數器在於轉斷
疋啟用L號(波形en_clk_c〇unter 4〇5)時開始且在其於U 〇處確定已達到調節位準時去斷定該啟用信號。由於已知時 鐘頻率’因此可確定並視需要調整恢復時間以藉由一過程 (例如’圖5之流程之過程)將斜升率放人至所期望之範圍 内。 圖5係用於設定泵時鐘頻率之一例示性流程。在此實施 例中、,微調過程在該時鐘頻率足夠慢之情況下開始以使得 不超過最大斜升率且然後視需要逐漸增加為高於最小速 率’其中遞增之步長足夠小以避免超越上限速率。 在開始該過程之後,在5〇1處啟用該栗及該計數器。此 145074.doc 201042894 對應於圖4在時間t0處變高之信號en_dk_ •counter 403 ° — 旦s玄泵之輸出達到所期望之輸出(對應於圖4之時間tl),則 在503處停止該計數器。由於已知該泵輸出恢復所需之時 鐘循環之數目與該時鐘頻率兩者,因此可確定該斜升率並 在505處將其與所期望之斜升率相比較。最大及最小斜升 率可係預定值,或在某些實施例中,可動態地確定最大及 最小斜升率;舉例而言’可藉由控制器之韌體基於(比如) 讀取干擾之速率來確定此等值。若確定斜升率快於所期望 之範圍之最小界限,則該時鐘頻率係可接受且該過程結束〇 (507卜若不是,則調整該時鐘頻率,重設該泵且再次檢查 該斜升率。 在圖5之々IL私中,在5丨丨處重設該泵且在$ 13處調整該時 鐘頻率。雖然圖5顯示首先重設泵,但更一般而言,可改 變511與513之次序或可同時完成兩者,只要在返回至5〇ι 之前完成該兩者即可。由於圖5之實施例在時鐘頻率足多 k之情況下開始以使得斜升率將不超過最大所期望之王
率,因此在513處增加該時鐘頻率’其中遞增大小足夠j 以致其將不引起超越…旦重設該泵且調整該頻率,則索 過程再次經歷5(U、5〇3、5〇5,在5()7處結束或在需要時慈 歷另一反覆。 可替代地使用圖5之過程之若干變型。舉例而言,可採 ^足夠高的初始時鐘頻率以使斜升率高於·望之範圍之 取小值,且然後在505處檢查以看斜升是否低於最大值。 在此情況下,若505之比較發現斜升率太快,則替代地將 145074.doc 12 201042894 在513處逐漸減小時鐘速率。更一般而言,5〇5之比較可對 照所期望之|巳圍之上限值及下限值兩者來檢查斜升率且在 513處視情況向上或向下調整。在該等變型中之任一者 中’ 513處遞增之步長可針對所有所需反覆固定或可變, 但在任一情況下,該改變不應如此大以致在513之一單個 反覆中使斜升率自太慢走向太快(或反之亦然)。同樣,主 要根據在將該裝置發出至使用者之前完成之-初始微調作 ◎ 業闡述本文之過程,其亦可實施為一動態過程之一部分。 舉例而5,回到作為一非揮發性記憶體上之一週邊電路之 例不性應用,若控制器發現可因讀取干擾而引起之相對大 量的錯誤,則可調用微調過程且視需要重設泵時鐘頻率。 如上所述,可存在該系統上之其他參數,其中正使用該電 荷泵且將基於該時鐘頻率對其進行調整,但由於該等參數 將係應用特有參數,因此其不包含於圖5之流程中。 圖6係具有一可微調時鐘頻率之—泵系統之一實施例中 〇 之某些元件之-方塊圖。系⑷及調節器咖分別對應於圖 2之泵201及調節器203且可係各種設計中之任一者,例 如,上述參考中之彼等泵及調節器。時鐘CLK 6〇5以相依 於在暫存器609中所設定之值之—頻率向該系提供時鐘信 號。泵輸出Vout及時鐘頻率兩者皆供應至比較/計數區塊 607,其可實施於硬體、韌體或此等之某一組合中。當在 t〇處斷定en_Clk_C〇imter信號(403,圖4)時,泵6〇1斜升, 而比較/計數區塊607記住數目時鐘循環,同時對照參考值 比較Vout'輸出值CNT以指示t0與μ間的數目循環。(未 145074.doc •13· 201042894 顯示控制信號en—elk—counter至泵601及比較/計數元件607 之連接。)由於已知時鐘循環之數目及時鐘頻率,因此可 確定斜升率且視需要調整暫存器609之值,由輸入SET指 示。本文之論述主要在一初始微調過程之上下文中,其中 讀出CNT信號且自外側設定暫存器609之SET值。在其他實 施例中,可在系統自身上確定SET之值:舉例而言,此功 能可示意性地包含於可向暫存器6〇9提供SET之區塊6〇7 中。(雖然在圖6中以組合方式顯示,但針對區塊6〇7所述 之各種功能可根據實施方案分佈於數個元件上。) 雖然上述電荷泵系統可實施為一單獨電路,但其通常將 作為一較大系統上之一週邊元件出現。返回至一非揮發性 記憶體系統之實例’此系統通常係由一控制器晶片及一個 或多個記憶體晶片形成。雖然該電荷泵可在該控制器或一 單獨晶’但其更通常形成為—個或多個記憶體晶片上 之-週邊元件。由於所有記憶體晶片通常係相同,因此其 將皆具有一泵電路,但可停用此等記憶體晶片中之某些二 使得該等晶片中之—者或多者將給其他晶片供電。在此系 ,先中泵601、調即器6〇3且或許亦時鐘奶及暫存器 6〇9可放置於—記憶體晶片 i 〇〇 干比較/汁數凡件在該控 制為或該έ己憶體晶片上,但其他實 此等元件。 -他“例可以不同方式分佈 發施例闡述了本發明,但該闡述僅係本 應用之-實例^應被視為m此 示貫施例之特徵之各種修訂及組合皆在如由以下申請專:: 145074.doc -14- 201042894 範圍所涵蓋之本發明之範疇内。 【圖式簡單說明】 藉由查閱以下各圖可更好地理解本發明之各種態樣及特 徵’該等圖中: 圖1 A係泛用電荷泵内之充電半循環之一簡化電路圖; 圖1B係一泛用電荷泵内之傳送半循環之一簡化電路圖; 圖2係一經調節電荷泵之一頂層方塊圖; 〇 圖3圖解說明-可能的讀取干擾可如何自在其恢復階段 期間具有太迅速之一斜升率之一電荷泵發生; 、圖4圖解說明確定一電荷泵系統内之恢復時間之一方 圖5顯示— 圖6顯示_ 些組件。 電荷泵之時鐘率之微調之一例示性流程;及 可微調電荷泵系統之一例示性實施例中之某 【主要元件符號說明】
1 電容器 201 203 301 303 305 311 313 315 電荷泵 凋節器/調節器區塊 基板 選擇電晶體/選擇閘極 選擇電晶體/選擇閘極 浮動閘極Ί;晶體/記憶體單元/未選單元 序動閘極晶體/記憶體單元/未選單元 汙動閘極電晶體/記憶體單元/未選單元 145074,doc MS. 201042894 317 浮動閘極電晶體/記憶體單元/未選單元 321 浮動閘極電晶體/單元/所選單元 601 泵 603 調節器
605 時鐘CLK 607 比較/計數元件(比較/計數區塊) 609 暫存器 145074.doc -16-

Claims (1)

  1. 201042894 七、申請專利範圍: 1. -種為包含一時鐘及一電荷泵之―電 鐘之一頻率之方法,該方法包括:7 7系统設定該時 為該時鐘之該頻率設定一初始值; 在使用㈣初始頻率值運行❹時鐘 統時,確定該電荷泵在—恢復階 錢荷粟系 斜升率;及 S t —輪出電壓之 Ο 基於該所確定之斜升率,隨後調整 使得該電荷泵在該恢復階段 之該頻率以 率落入不超過-最大速率之一範圍内玄輪出電遷之該斜升 2. 如凊求们之方法,其中調整該 高於-最小速率。 料以使得該範圍 3. 如請求们之方法,其中確定 間之該輸出恢復階段期 到一參考值之時鐘《之數Γ 讀出《需要達 Ο 4. 如請求们之方法,其中在該電 發性朝· τ1· 系、先内包含一非揮 括:存器’其值支配該時鐘頻率,該方法進一步包 根據該經調整之時鐘頻率設定該暫存器值。 程之、員1之方法,其中將該方法執行為-初始微調過 枉之一部分。 :求項1之方法’其中確定該斜升率包含_· 維持對時鐘循環之該數目之一計數;及 確定該輸出電壓達到一參考位準時該計數之該值。 145074.doc 201042894 7.如清求項〗之方法,其中調整該頻率包含: 執行該頻率之一第一調整.; :使用以該第'經調整之頻率值運行之該時 何泵系統時,確定該電荷泵在-恢復階段" 出電壓之該斜升率;及 之該輸 進—步調整該時鐘之該頻率。 虫叫求項1之方法,其中調整兮萌t > a 率。 乃…員率包含增加該時鐘頻 9·如請求項】之方法,其中 率。 頻率包含減小該時鐘頻 10.如明求項!之方法,其中該電 元件,該枝進-步包括: 4上之-週邊 在調整該時鐘之^r嘀t 至之該值綱敕該時鐘頻率所調整 n亥電路上之一個或多個運作參數。 u.種-电何泵系統,其包括: ^鐘電路’其用以提供-時鐘信號; -電荷泵,其用以提供一輪出電屢 以接收該時鐘h U β何泵經連接 Τ4就且以其頻率運作; 5周節器電路,甘 r ^ /、、、坐連接以接收該輸出電壓且向节+ =該輸出電壓導出之-調節電壓; 應於該暫存器值:、:可5又疋值’其中該時鐘頻率係回 計數與比較雷 鐘信號且自其可連接以接收該輸出電壓及該時 /、.疋該電荷泵用以自一重設值恢復至— 145074.doc 201042894 預定值之時鐘循環之數目。 i2.如請求項η之電荷泵系統,其中該電荷泵用以恢復之時 鐘循環之該數目係可自外部存取至該電荷泵系統且該暫 存盗值係可自外部設定至該電荷泵系統。 13·如請求項11之電荷泵系統,其進一步包括·· 邏輯電路,其可連接以接收該電荷泵用以恢復之時鐘 Ο 循%之該數目,確定該電荷泵在恢復期間之斜升率且回 應於該斜升率調整該等暫存器值。 14.如π求項丨丨之電荷泵系統其中該電荷泵係—非揮發性 s己憶體晶片上之一週邊電路。 Ο 145074.doc
TW098143457A 2008-12-17 2009-12-17 Regulation of recovery rates in charge pumps TW201042894A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/337,050 US7795952B2 (en) 2008-12-17 2008-12-17 Regulation of recovery rates in charge pumps

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201042894A true TW201042894A (en) 2010-12-01

Family

ID=41727399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098143457A TW201042894A (en) 2008-12-17 2009-12-17 Regulation of recovery rates in charge pumps

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7795952B2 (zh)
TW (1) TW201042894A (zh)
WO (1) WO2010077528A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI485711B (zh) * 2012-03-20 2015-05-21 Ememory Technology Inc 快閃記憶體裝置
US9465395B2 (en) 2014-10-03 2016-10-11 M31 Technology Corporation Voltage generating circuit
TWI638525B (zh) * 2013-06-03 2018-10-11 三胞半導體公司 以跳頻快速穩定充電泵

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710907B2 (en) 2008-06-24 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Clock generator circuit for a charge pump
US8055936B2 (en) * 2008-12-31 2011-11-08 Pitney Bowes Inc. System and method for data recovery in a disabled integrated circuit
US8339183B2 (en) 2009-07-24 2012-12-25 Sandisk Technologies Inc. Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories
US8432732B2 (en) 2010-07-09 2013-04-30 Sandisk Technologies Inc. Detection of word-line leakage in memory arrays
US8305807B2 (en) 2010-07-09 2012-11-06 Sandisk Technologies Inc. Detection of broken word-lines in memory arrays
US8106701B1 (en) 2010-09-30 2012-01-31 Sandisk Technologies Inc. Level shifter with shoot-through current isolation
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US8294509B2 (en) 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US8537593B2 (en) 2011-04-28 2013-09-17 Sandisk Technologies Inc. Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load
US8379454B2 (en) 2011-05-05 2013-02-19 Sandisk Technologies Inc. Detection of broken word-lines in memory arrays
US8775901B2 (en) 2011-07-28 2014-07-08 SanDisk Technologies, Inc. Data recovery for defective word lines during programming of non-volatile memory arrays
US8750042B2 (en) 2011-07-28 2014-06-10 Sandisk Technologies Inc. Combined simultaneous sensing of multiple wordlines in a post-write read (PWR) and detection of NAND failures
US8726104B2 (en) 2011-07-28 2014-05-13 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile memory and method with accelerated post-write read using combined verification of multiple pages
US8699247B2 (en) 2011-09-09 2014-04-15 Sandisk Technologies Inc. Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
US8400212B1 (en) 2011-09-22 2013-03-19 Sandisk Technologies Inc. High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment
US8514628B2 (en) 2011-09-22 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps
US8395434B1 (en) 2011-10-05 2013-03-12 Sandisk Technologies Inc. Level shifter with negative voltage capability
KR20130066266A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 한국전자통신연구원 부하변동 특성 향상을 위한 전압공급 회로 및 출력전압 공급 방법
US8730722B2 (en) 2012-03-02 2014-05-20 Sandisk Technologies Inc. Saving of data in cases of word-line to word-line short in memory arrays
US8710909B2 (en) 2012-09-14 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps
US9164526B2 (en) * 2012-09-27 2015-10-20 Sandisk Technologies Inc. Sigma delta over-sampling charge pump analog-to-digital converter
US9810723B2 (en) * 2012-09-27 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Charge pump based over-sampling ADC for current detection
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
US9165683B2 (en) 2013-09-23 2015-10-20 Sandisk Technologies Inc. Multi-word line erratic programming detection
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
US9653126B2 (en) * 2014-01-27 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Digital ramp rate control for charge pumps
US9236795B2 (en) 2014-02-18 2016-01-12 Freescale Semiconductor, Inc. Voltage generator with ramp rate control
US9460809B2 (en) 2014-07-10 2016-10-04 Sandisk Technologies Llc AC stress mode to screen out word line to word line shorts
US9514835B2 (en) 2014-07-10 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks
US9443612B2 (en) 2014-07-10 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Determination of bit line to low voltage signal shorts
US9484086B2 (en) 2014-07-10 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Determination of word line to local source line shorts
US9330776B2 (en) 2014-08-14 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. High voltage step down regulator with breakdown protection
US9240249B1 (en) 2014-09-02 2016-01-19 Sandisk Technologies Inc. AC stress methods to screen out bit line defects
US9202593B1 (en) 2014-09-02 2015-12-01 Sandisk Technologies Inc. Techniques for detecting broken word lines in non-volatile memories
US9449694B2 (en) 2014-09-04 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9659666B2 (en) 2015-08-31 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Dynamic memory recovery at the sub-block level
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches
TWI550380B (zh) * 2015-12-21 2016-09-21 新唐科技股份有限公司 用於能量採集設備之功率最佳化裝置及方法
US9698676B1 (en) 2016-03-11 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Charge pump based over-sampling with uniform step size for current detection
EP3319216A1 (en) * 2016-11-03 2018-05-09 GN Hearing A/S Switched capacitor dc-dc power converter
JP7185609B2 (ja) * 2019-09-19 2022-12-07 株式会社東芝 矩形波信号生成回路、及びスイッチング電源
US11443778B1 (en) 2021-04-07 2022-09-13 Micron Technology, Inc. Peak current reduction using dynamic clocking during charge pump recovery period

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697860A (en) * 1971-03-15 1972-10-10 Westinghouse Electric Corp Dc static switch circuit with a main switch device and a power sharing circuit portion
US4511811A (en) * 1982-02-08 1985-04-16 Seeq Technology, Inc. Charge pump for providing programming voltage to the word lines in a semiconductor memory array
US4583157A (en) * 1985-02-08 1986-04-15 At&T Bell Laboratories Integrated circuit having a variably boosted node
US4636748A (en) * 1985-06-26 1987-01-13 Data General Corporation Charge pump for use in a phase-locked loop
US4736121A (en) * 1985-09-10 1988-04-05 Sos Microelettronica S.p.A. Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
US4888738A (en) * 1988-06-29 1989-12-19 Seeq Technology Current-regulated, voltage-regulated erase circuit for EEPROM memory
JPH02215154A (ja) 1989-02-16 1990-08-28 Toshiba Corp 電圧制御回路
US5175706A (en) * 1989-12-07 1992-12-29 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Programming voltage generator circuit for programmable memory
US5168174A (en) * 1991-07-12 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Negative-voltage charge pump with feedback control
US5392205A (en) * 1991-11-07 1995-02-21 Motorola, Inc. Regulated charge pump and method therefor
NL9200056A (nl) * 1992-01-14 1993-08-02 Sierra Semiconductor Bv Hoogspanningsgenerator met uitgangsstroomregeling.
JP2755047B2 (ja) * 1992-06-24 1998-05-20 日本電気株式会社 昇圧電位発生回路
US5263000A (en) * 1992-10-22 1993-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Drain power supply
JP3643385B2 (ja) * 1993-05-19 2005-04-27 株式会社東芝 半導体回路装置
WO1994029106A1 (de) * 1993-06-11 1994-12-22 ISOVOLTA Österreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung fotovoltaischer module sowie eine vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens
US5436587A (en) * 1993-11-24 1995-07-25 Sundisk Corporation Charge pump circuit with exponetral multiplication
US5508971A (en) * 1994-10-17 1996-04-16 Sandisk Corporation Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems
US5563779A (en) * 1994-12-05 1996-10-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for a regulated supply on an integrated circuit
US5596532A (en) 1995-10-18 1997-01-21 Sandisk Corporation Flash EEPROM self-adaptive voltage generation circuit operative within a continuous voltage source range
DE19548134A1 (de) 1995-12-21 1997-07-03 Butzbacher Weichenbau Gmbh Vorrichtung zum Niederhalten einer Schiene
KR0172370B1 (ko) * 1995-12-30 1999-03-30 김광호 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로
DE19612443C2 (de) * 1996-03-28 1998-02-05 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Versorgung eines elektronischen Lastkreises
US5625544A (en) * 1996-04-25 1997-04-29 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
US5818288A (en) * 1996-06-27 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Charge pump circuit having non-uniform stage capacitance for providing increased rise time and reduced area
US5818289A (en) * 1996-07-18 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US5945870A (en) * 1996-07-18 1999-08-31 Altera Corporation Voltage ramp rate control circuit
US5818766A (en) * 1997-03-05 1998-10-06 Integrated Silicon Solution Inc. Drain voltage pump circuit for nonvolatile memory device
US6104225A (en) * 1997-04-21 2000-08-15 Fujitsu Limited Semiconductor device using complementary clock and signal input state detection circuit used for the same
US6023187A (en) * 1997-12-23 2000-02-08 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof
KR100273278B1 (ko) * 1998-02-11 2001-01-15 김영환 반도체 소자의 펌핑회로
US5969986A (en) * 1998-06-23 1999-10-19 Invox Technology High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories
US6606267B2 (en) * 1998-06-23 2003-08-12 Sandisk Corporation High data rate write process for non-volatile flash memories
KR100292565B1 (ko) * 1998-04-09 2001-06-01 니시무로 타이죠 내부 전압 발생 회로와 반도체 메모리
US6344959B1 (en) * 1998-05-01 2002-02-05 Unitrode Corporation Method for sensing the output voltage of a charge pump circuit without applying a load to the output stage
EP0971361B1 (en) * 1998-06-23 2003-12-10 SanDisk Corporation High data rate write process for non-volatile flash memories
US6249898B1 (en) * 1998-06-30 2001-06-19 Synopsys, Inc. Method and system for reliability analysis of CMOS VLSI circuits based on stage partitioning and node activities
US6208542B1 (en) * 1998-06-30 2001-03-27 Sandisk Corporation Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory
US6198645B1 (en) * 1998-07-02 2001-03-06 National Semiconductor Corporation Buck and boost switched capacitor gain stage with optional shared rest state
KR100293637B1 (ko) * 1998-10-27 2001-07-12 박종섭 드레인 전압 펌핑 회로
JP2000236657A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Nec Kyushu Ltd 昇圧回路
JP3237654B2 (ja) * 1999-05-19 2001-12-10 日本電気株式会社 半導体装置
EP1058385B1 (en) * 1999-06-01 2005-06-01 Fujitsu Limited Comparator circuit
US6169444B1 (en) 1999-07-15 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Pulse frequency operation of regulated charge pumps
JP2001075536A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Nec Corp 昇圧回路、電源回路及び液晶駆動装置
JP2001126478A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6348827B1 (en) * 2000-02-10 2002-02-19 International Business Machines Corporation Programmable delay element and synchronous DRAM using the same
TW578377B (en) * 2000-05-10 2004-03-01 Sanyo Electric Co Charge-pump circuit and method for controlling the same
EP1184962B1 (en) * 2000-08-22 2006-05-17 STMicroelectronics S.r.l. High efficiency electronic circuit for generating and regulating a supply voltage
US6320796B1 (en) * 2000-11-10 2001-11-20 Marvell International, Ltd. Variable slope charge pump control
TW556400B (en) * 2000-11-17 2003-10-01 Sanyo Electric Co Voltage boosting device
US6525949B1 (en) * 2000-12-22 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit
US6577535B2 (en) * 2001-02-16 2003-06-10 Sandisk Corporation Method and system for distributed power generation in multi-chip memory systems
US6785180B2 (en) * 2001-03-15 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Programmable soft-start control for charge pump
US6486728B2 (en) * 2001-03-16 2002-11-26 Matrix Semiconductor, Inc. Multi-stage charge pump
JP2002315308A (ja) * 2001-04-10 2002-10-25 Fujitsu Ltd Dc−dcコンバータ及び記憶装置
US6424570B1 (en) * 2001-06-26 2002-07-23 Advanced Micro Devices, Inc. Modulated charge pump with uses an analog to digital converter to compensate for supply voltage variations
JP4152094B2 (ja) * 2001-09-03 2008-09-17 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置の制御方法及び半導体記憶装置
JP3557186B2 (ja) * 2001-09-26 2004-08-25 三洋電機株式会社 Dc−dcコンバータ
US7002381B1 (en) * 2001-12-11 2006-02-21 Advanced Micro Devices, Inc. Switched-capacitor controller to control the rise times of on-chip generated high voltages
US6867638B2 (en) * 2002-01-10 2005-03-15 Silicon Storage Technology, Inc. High voltage generation and regulation system for digital multilevel nonvolatile memory
JP2003219633A (ja) * 2002-01-17 2003-07-31 Seiko Epson Corp 昇圧回路
JP4222768B2 (ja) * 2002-03-27 2009-02-12 三洋電機株式会社 昇圧装置及びこれを用いた撮像装置
US6861894B2 (en) * 2002-09-27 2005-03-01 Sandisk Corporation Charge pump with Fibonacci number multiplication
ITMI20022268A1 (it) * 2002-10-25 2004-04-26 Atmel Corp Circuito pompa di cariche variabile con carico dinamico
US6975135B1 (en) * 2002-12-10 2005-12-13 Altera Corporation Universally programmable output buffer
US6734718B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Sandisk Corporation High voltage ripple reduction
US6891764B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-10 Intel Corporation Apparatus and method to read a nonvolatile memory
US7023260B2 (en) * 2003-06-30 2006-04-04 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit incorporating corresponding parallel charge pump stages and method therefor
FR2858725B1 (fr) * 2003-08-06 2005-10-07 St Microelectronics Sa Dispositif autoreparable pour generer une haute tension, et procede de reparation d'un dispositif pour generer une haute tension.
US6922096B2 (en) * 2003-08-07 2005-07-26 Sandisk Corporation Area efficient charge pump
US6859091B1 (en) * 2003-09-18 2005-02-22 Maxim Integrated Products, Inc. Continuous linear regulated zero dropout charge pump with high efficiency load predictive clocking scheme
JP4257196B2 (ja) * 2003-12-25 2009-04-22 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US7030683B2 (en) * 2004-05-10 2006-04-18 Sandisk Corporation Four phase charge pump operable without phase overlap with improved efficiency
KR100680503B1 (ko) * 2004-11-08 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생기
GB2434675B (en) * 2004-11-30 2010-01-06 Spansion Japan Ltd Semiconductor device and semiconductor control method
JP2006158132A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Renesas Technology Corp チャージポンプ方式電源回路
US7120051B2 (en) * 2004-12-14 2006-10-10 Sandisk Corporation Pipelined programming of non-volatile memories using early data
WO2006132757A2 (en) 2005-06-03 2006-12-14 Atmel Corporation High efficiency bi-directional charge pump circuit
TWI298828B (en) * 2005-06-29 2008-07-11 Novatek Microelectronics Corp Charge pump for generating arbitrary voltage level
US7276960B2 (en) * 2005-07-18 2007-10-02 Dialog Semiconductor Gmbh Voltage regulated charge pump with regulated charge current into the flying capacitor
JP4925621B2 (ja) * 2005-08-03 2012-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電源電位制御回路、半導体集積回路装置、フラッシュメモリ、及び電源電位の調整方法
US7477097B2 (en) * 2005-09-29 2009-01-13 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generating circuit
US20070126494A1 (en) 2005-12-06 2007-06-07 Sandisk Corporation Charge pump having shunt diode for improved operating efficiency
US7372320B2 (en) 2005-12-16 2008-05-13 Sandisk Corporation Voltage regulation with active supplemental current for output stabilization
US20070139099A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Sandisk Corporation Charge pump regulation control for improved power efficiency
US7397677B1 (en) * 2006-02-08 2008-07-08 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for charge pump control with adjustable series resistance
US7348829B2 (en) * 2006-03-24 2008-03-25 Intersil Americas Inc. Slew rate control of a charge pump
US20070229149A1 (en) 2006-03-30 2007-10-04 Sandisk Corporation Voltage regulator having high voltage protection
KR100761842B1 (ko) * 2006-04-07 2007-09-28 삼성전자주식회사 가변되는 주파수를 가지는 승압 클럭신호를 이용하여 승압 동작을 수행하는 승압 회로 및 승압 방법
US7554311B2 (en) 2006-07-31 2009-06-30 Sandisk Corporation Hybrid charge pump regulation
US7477092B2 (en) 2006-12-29 2009-01-13 Sandisk Corporation Unified voltage generation apparatus with improved power efficiency
US7440342B2 (en) 2006-12-29 2008-10-21 Sandisk Corporation Unified voltage generation method with improved power efficiency
US7558129B2 (en) 2007-03-30 2009-07-07 Sandisk 3D Llc Device with load-based voltage generation
US7515488B2 (en) 2007-03-30 2009-04-07 Sandisk 3D Llc Method for load-based voltage generation
KR100911193B1 (ko) * 2007-10-09 2009-08-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적회로의 전압 생성장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI485711B (zh) * 2012-03-20 2015-05-21 Ememory Technology Inc 快閃記憶體裝置
TWI638525B (zh) * 2013-06-03 2018-10-11 三胞半導體公司 以跳頻快速穩定充電泵
US9465395B2 (en) 2014-10-03 2016-10-11 M31 Technology Corporation Voltage generating circuit
TWI557528B (zh) * 2014-10-03 2016-11-11 円星科技股份有限公司 電壓產生電路

Also Published As

Publication number Publication date
US7795952B2 (en) 2010-09-14
WO2010077528A1 (en) 2010-07-08
US20100148856A1 (en) 2010-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201042894A (en) Regulation of recovery rates in charge pumps
TWI252491B (en) Voltage regulator with bypass for multi-voltage storage system
US7368979B2 (en) Implementation of output floating scheme for hv charge pumps
US20110173462A1 (en) Controlling and staggering operations to limit current spikes
CN106340318B (zh) 上电复位电路和包括其的半导体存储器件
JP6603947B2 (ja) 昇圧によるセンシングのための装置、方法、および、システム
JP6334965B2 (ja) 負電荷ポンプ調整
US10033268B2 (en) Apparatuses and methods for charge pump regulation
US8537593B2 (en) Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load
US8493795B2 (en) Voltage stabilization device and semiconductor device including the same, and voltage generation method
TW200406781A (en) Internal voltage converter scheme for controlling the power-up slope of internal supply voltage
US7619464B2 (en) Current comparison based voltage bias generator for electronic data storage devices
US7881117B2 (en) High voltage generator circuit and flash memory device including the same
KR20220133836A (ko) 저장 장치 및 그 동작 방법
US20070268751A1 (en) Flash memory device and related high voltage generating circuit
US20140169064A1 (en) Regulator, voltage generator and semiconductor memory device
US20180076709A1 (en) Charge pump switching controller for reducing standby current and charge pumping apparatus using the same
CN112214092B (zh) 一种ssd硬盘电源时序控制电路及方法
KR20140078986A (ko) 레귤레이터, 전압 발생기, 반도체 메모리 장치 및 전압 발생 방법
EP4005078A1 (en) Capacitor-based power converter
US20150055423A1 (en) Semiconductor memory apparatus
US9275749B1 (en) Internal power voltage generating circuit, semiconductor memory device and semiconductor device
TW594746B (en) Nonvolatile semiconductor memory
US11675403B2 (en) Electronic circuit for outputting voltage based on a plurality of input voltages
KR20220077061A (ko) 지능형 메모리 웨어 레벨링