TW201021688A - Electromagnetic wave absorption film and electromagnetic wave absorption body using the same - Google Patents

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,201021688 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種涵蓋寬廣範圍之頻率’在電磁波吸收 能力上優異且便宜之電磁波吸收膜’及使用此電磁波吸收 膜之電磁波吸收體。 【先前技術】 在行動電話、個人電腦等之電子機器或通信機器中，使 巍 用防止電磁波之洩露及進入的密封材。雖然目前廣泛使用 之密封材爲金屬片或網等，但是其等有重量大且增大高 度，並且有配置於機器之殼體內很麻煩的問題。在重量輕 且對塑膠外殻等之配置容易的電磁波吸收材方面，日本特 開平9-148782號提案一種密封材，具有：塑膠薄膜、形成 於其一面的第1鋁蒸鍍膜，而後蝕刻成非導通之線狀圖案 者及形成於其另一面的第2鋁蒸鍍膜，而後蝕刻成網孔狀 圖案者。但是，在此文獻中例示的線狀圖案及網孔狀圖案 • 均爲規則圖案，因此僅能吸收特定頻率的電磁波，故無法 使寬廣範圍之頻率的電磁波不洩露而加以吸收。加上，係 利用蝕刻而進行圖案化，因此不得不使得電磁波吸收材變 成昂貴。 曰本特開平Η _40 9 80號提案一種電磁波吸收材，其係在 塑膠薄膜之一面依序形成銅蒸鍍層及鎳蒸鍍層。但是，此 電磁波吸收.材並未在蒸鍍層上設置線狀的蓋，因而電磁波 吸收能力低落。 201021688 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 因而，本發明之目的在於提供一種 且在電磁波吸收能力上優異且便宜之 用此電磁波吸收膜之電磁波吸收體。 [解決課題之手段] 基於上述目的經刻意硏究的結果， _ 不規則之寬幅及間隔將多數條線狀痕 ❹ 成之單層或雙層之金屬薄膜時，可； 膜，其對寬廣範圍之頻率的電磁波可 而構想本發明。 即，本發明之電磁波吸收膜，係以 具有：塑膠薄膜、及設置於其至少 金屬薄膜，以不規則之寬幅及間隔將 的線狀痕形成在上述金屬薄膜。上： 〇 鋁、銅、鎳、或其等之合金形成者。 上述線狀痕之寬幅係90%以上在 內，平均爲l~100vm爲較佳。上： 0.1~5mm之範圍內，平均爲1〜l〇〇#m 膜亦可更具有多數個微細之孔。 本發明之第1電磁波吸收體之特徵 吸收膜所形成，上述電磁波吸收膜具 置於其至少一面之單層或多層之金屬 涵蓋寬廣範圍之頻率 電磁波吸收膜，及使 本發明人發現，當以 形成在塑膠薄膜上形 匿得一種電磁波吸收 發揮優異的吸收能， 下列爲其特徵： 一面之單層或多層之 多條大致平行且斷續 述金屬薄膜較佳爲由 0 .1~ 1，0 0 0 # m 之範圍 ®線狀痕之間隔係以 爲較佳。上述金屬薄 爲：係由多片電磁波 有：塑膠薄膜、及設 薄膜，以不規則之寬 201021688 幅及間隔將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上述金屬 薄膜’多片之上述電磁波吸收膜係使上述線狀痕之配向爲 相異而配置。多片之上述電磁波吸收膜可爲同種的金屬薄 膜，亦可爲不同金屬薄膜。 在第1電磁波吸收體之一較佳例中，多片平坦的電磁波 吸收膜係直接或隔著介電體層而疊層。介電體層亦可爲空 氣層。 在第1電磁波吸收體之另一較佳例中，多片平坦的電磁 e 波吸收膜之至少一片爲波形。波形可爲正弦曲線狀、作成 連續圓弧狀、作成連續之3字狀等。亦可藉由波形之電磁 波吸收膜彼此之組合而形成蜂巢狀。在將至少一片波形的 電磁波吸收膜組合在至少一片平坦的電磁波吸收膜之情況 下，可使波形的電磁波吸收膜之線狀痕平行，亦可垂直於 平坦的電磁波吸收膜之線狀痕。 本發明另一較佳例的電磁波吸收體之特徵爲：具有最外 φ 側之一對平坦的電磁波吸收膜、及挾持於上述平坦的電磁 波吸收膜之至少一片波形的電磁波吸收膜，相鄰接之電磁 波吸收膜配置成線狀痕大致爲正交，同時接觸部被黏著， 因而抑制電磁波吸收能之向異性，同時具有自我支撐性。 本發明之第2電磁波吸收體之特徵爲：至少一片電磁波 吸收膜及電磁波反射體隔著介電體層配置，上述電磁波吸 收膜具有：塑膠薄膜、及設置於其至少一面之單層或多層 之金屬薄膜，以不規則之寬幅及間隔將多條大致平行且斷 201021688 續的線狀痕形成在上述金屬薄膜。上述電磁波反射體以金 屬薄膜或形成金屬薄膜之塑膠薄膜較佳。上述介電體層之 厚度以包含應吸收之電磁波雜訊之中心波長λ之1/4的範 圍，例如λ /8〜λ /2之範圍爲較佳。 [發明之效果] 本發明之電磁波吸收膜由於係以不規則之寬幅及間隔將 多條線狀痕形成在上述金屬薄膜，故在涵蓋寬廣範圍之頻 率且在電磁波吸收能上優異。又，將多片電磁波吸收膜加 以組合形成的本發明之電磁波吸收體係在一片電磁波吸收 膜反射或透過的電磁波，被另外的電磁波吸收膜所吸收， 因此具有高的電磁波吸收能。尤其，配置成線狀痕之配向 各異之多片電磁波吸收膜的電磁波吸收體具有抑制電磁波 吸收之向異性的優點。更進一步，隔著空間配置多片電磁 波吸收膜的電磁波吸收體除了電磁波吸收之外具有優異的 隔熱性及防音性，適合於作爲建材。具有如此特徵之本發 φ 明的電磁波吸收膜可使用表面具有硬質微粒子的輥而便宜 地製造。 此種本發明之電磁波吸收膜及電磁波吸收體可適用於行 動電話、個人電腦、電視等之電子機器及通信機器、建築 物之內壁等。尤其將至少一片平坦的電磁波吸收膜及至少 一片波形的電磁波吸收膜加以接著而成的電磁波吸收體除 了高的電磁波吸收能之外，尙具有優異的隔熱性、防音性 及自我支撐性，故適於作爲建築物之內壁用的電磁波密封 201021688 材。 【實施方式】 本發明之各實施形態將參照附加圖面而詳細說 特別聲明的話，關於一個實施形態之說明亦可適 實施形態。又，下列說明並非限制性，亦可在本 術思想的範圍內作各種變更。 π]電磁波吸收膜 本發明之電磁波吸收膜在塑膠薄膜之至少一面 Φ 或多層之金屬薄膜。多層之金屬薄膜以二層之金 ^ 佳，此時以磁性金屬薄膜及非磁性金屬薄膜之組 (1)第1電磁波吸收膜 第l(a)~l(d)圖顯示在塑膠薄膜10之一面全體形 造之金屬薄膜11的第1電磁波吸收膜之一例。大 斷續的多條線狀痕1 2以不規則之寬幅及間隔形 金屬薄膜11。 ⑩ (a)塑膠薄膜 形成塑膠薄膜10之樹脂只要具有絕緣性及 度、可撓性及加工性，並無特別限制，例如可舉出 對苯二甲酸乙二醇酯等）、聚苯硫醚（聚次苯基硫丨 醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚砜、聚醚 碳酸酯、聚丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴（聚乙 烯等）。 (b)金屬薄膜 明，若未 用於其他 發明之技 具有單層 屬薄膜較 合較佳。 成單層構 致平行且 成在上述 充分的強 :聚醋（聚 链等）、聚 醚酮、聚 .嫌、聚丙 201021688 形成金屬薄膜11的金屬，雖然只要具有 別限制，但從耐蝕性及成本的觀點，以鋁 銀及其等之合金較佳，尤其以鋁、銅、鎳 佳。金屬薄膜之厚度以0.01从m以上較佳 然並不特別限定，但在實用上以l〇#m左 然，亦可使用超過10//m之金屬薄膜，但 波的吸收能幾乎不變。金屬薄膜之厚度以（ 0.01~l;/m 最佳，10〜100nm 特佳。 e (C)線狀痕 從將顯微鏡照片加以圖案化的第1(b)及 解，多條大致平行且斷續的線狀痕12係以 間隔形成在金屬薄膜11。爲了說明起見，}I 度作成比實際更誇張。線狀痕1 2係從非常 的線狀痕而有各種寬幅W，同時以各種之 不規則。線狀痕12之寬幅W在與本來的表 φ 置求出，鄰接的線狀痕12之間隔I在與本 叉的位置求出。在線狀痕12中，即使有 妨。又，在線狀痕12中，有貫通金屬薄里 膜10者（形成非導通部121者）、及比較深 膜11者（形成高電阻部122者）。依此方式 係以不規則之寬幅W及間隔I形成，故本 收膜可有效地吸收涵蓋寬廣範圍頻率之電 線狀痕12之寬幅W，90 %以上係在0.1〜 導電性，並無特 、銅、鎳、銘、 及其等之合金較 。厚度之上限雖 右即爲充分。當 是對高頻率電磁 ).0 1 ~ 5 y m 更佳， 1(c)圖可清楚了 不規則之寬幅及 f線狀痕12之深 細的線狀痕到粗 間隔I而排列爲 面Sur交叉的位 來的表面Sur交 局部連結者亦無 I 1 1到達塑膠薄 而未貫通金屬薄 ，由於線狀痕1 2 發明之電磁波吸 磁波。 1，000 μ m之範圍 201021688 · 內’平均爲1〜100 Mm較佳。在上述範圍外，電磁波吸收膜 之電磁波吸收能低。線狀痕12之寬幅W，90 %以上在 0.1~100ym之範圍內之時更佳，之範圍內時爲 最佳。又，線狀痕12之平均寬幅Wav係以在l~100ym之 範圍內較佳，1〜20以m之範圍內時尤佳，1~10/ζιη之範圍 內時最佳。 線狀痕12之間隔I係以o.iymdmm之範圍內較佳，在 〇.l~l，〇〇〇#m之範圍內更佳，在〇.1〜i〇〇//m之範圍內最 佳。又，線狀痕12之間隔lav以在1~100 之範圍內較 佳，l~2〇em之範圍內時尤佳，卜lOym之範圍內時最佳。 線狀痕12之長度L係由滾接條件（主要係輥及薄膜的相 對周速、及薄膜對輥的捲繞角度0)而決定，故只要滾接條 件不變更，大部分幾乎相同（大致等於平均長度）。線狀痕 12之長度並不特別限定，實用上爲1〜100mm左右即可。 (d)微細孔 6 第2(a)圖〜第2(c)圖係顯示第1電磁波吸收膜之另一例。在 此例中，在金屬薄膜11除了線狀痕12以外，尙散亂地設 置貫通金屬薄膜11之多數個微細孔13。微細孔13係可藉 由將表面具有高硬度微粒子之輥按壓到金屬薄膜11而形 成。如第2(c)圖所示，微細孔13之開口徑D係在本來之表 面Sur的位置求得。微細孔13之開口徑D係90%以上在 0.1~l，000/zm之範圍內較佳，在0.1〜500/zm之範圍內尤 佳。又，微細孔13之平均開口徑Dav係在0.5~100/zm之 .201021688 範圍內較佳，在l~50#m之範圍內尤佳。平均開口 之上限以2〇/zm較佳，l〇//m最佳。微細孔13之平 以500個/cm2以上較佳，1χΐ〇4〜3xl06個/cm尤佳。 (e) 保護層 如第3圖所示，亦可在金屬薄膜11之上形成覆蓋 12(及微細孔13)之塑膠保護層l〇a。保護層l〇a之 10~ lOOjum 較佳。 (f) 浮凸 m 爲了提高電磁波吸收能，亦可在電磁波吸收膜實 狀等之浮凸。浮凸之直徑及深度分別以100/zm 150〜250/zm尤佳，浮凸之面積率以20~60%較佳。 (g) 表面電阻 電磁波吸收膜1之電磁波反射係數SC，以公式 SC = (R-Z)/(R + Z)[其中，Z係入射的電磁波之特性阻技 R是電磁波吸收膜1之表面電阻（Ω/口）]，R = Z時爲 φ 磁波之特性阻抗Z在電磁波源之附近係因應於從電 起之距離而大幅變化，在從電磁波源起充分遠之位 爲自由空間之特性阻抗（377 Ω)。因而，將電磁波吸 配置在電磁波源之附近時，以儘量靠近Z的方式調 在配置於從電磁波源起充分遠之位置時，使R儘量 由空間之特性阻抗。電磁波吸收膜1之表面電阻可 薄膜11之材料及厚度、線狀痕12之寬幅、間隔、 而進行調整。表面電阻可使用直流二端子法進行測 徑D a v 均密度 線狀痕 厚度以 施球面 較佳， 表示： Ϊ； (Ω ) > 0。電 磁波源 置，係 收膜1 整R， 靠近自 由金屬 長度等 定。 -10- .201021688 (2)第2電磁波吸收膜 第4(a)圖及第4(b)圖係顯示本發明之第2電磁波吸收膜 的一例。在此電磁波吸收膜中，由第1及第2金屬之薄膜 11a，lib形成的複合金屬薄膜形成在塑膠薄膜1〇之一面， 第1及第2金屬之一方係非磁性金屬，旲一方係磁性金屬， 大致平行且斷續的多條線狀痕12係全面地形成在複合金 屬薄膜。線狀痕12可作成與第l(a)圖〜第1(d)圖所示者相 同。磁性金屬可舉出鎳、鈷、鉻及其等之合金，非磁性金 φ 屬可舉出銅、銀、鋁、錫及其等之合金。較佳之組合係鎳 及銅或鋁。磁性金屬薄膜之厚度以Ο.ΟΙμιη以上較佳，非 磁性金屬薄膜之厚度以0.1#m以上較佳。厚度之上限雖然 並未特別限定，但是兩金屬薄膜在實用上均以l〇#m左右 爲宜。更佳爲磁性金屬薄膜之厚度爲〇.〇1 ~5 # m，非磁性金 靥薄膜之厚度爲0.1~5ym。與第1電磁波吸收膜同樣，第 2電磁波吸收膜亦可具有微細孔13、塑膠保護層l〇a及浮 參 凸。 [2]電磁波吸收膜之製造方法 第1及第2電磁波吸收膜之任何一個均在塑膠薄膜1〇之 至少一面’藉由蒸鍍法（真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法 等之物理蒸鍍法，或電漿CVD法、熱CVD法、光CVD法、 等之化學氣相沈積法）、鍍著法或箔接合法而形成金屬薄膜 11’將表面具有多數個高硬度之微粒子的輥滾接在所獲得 的複合薄膜之金屬薄膜11側，因而可藉由在金屬薄膜1形 -11- 201021688 成多條大致平行且斷續的線狀痕12而製造。 (a) 線狀痕之形成 線狀痕12例如可藉由W02003/091003號所記載的方法形 成。如第5(a)圖及第5(b)圖所示，將具有金屬薄膜11的複 合薄膜1’之金屬薄膜11側滾接在表面散亂地付著具有尖銳 角部之多數個高硬度（例如摩氏硬度5以上）之微粒子（例 如，鑽石微粒子）的輥2爲較佳。線狀痕12之寬幅W、間 隔I及長度L係由複合薄膜Γ與輥2的滾接條件（輥2上之 ❹ 微粒子的粒徑、複合薄膜1’之周速、輥2之周速、複合薄 膜1’之張力、複合薄膜Γ對輥2之捲繞距離、複合薄膜1’ 與輥2之旋轉方向等）而決定。因而，微粒子之90%以上具 有在l~l,000/zm之範圍內的粒徑較佳，在10〜lOOjwm尤。 微粒子付著在輥面有50%以上之面積率較佳。複合薄膜Γ 之周速以5~200m/分較佳，輥2之周速以10~2,000m/分較 佳。複合薄膜1’之張力以0_05~5kgf/cm寬度較佳。複合薄 〇 膜Γ對輥2之捲繞距離L(由捲繞角度0決定）係相當於線 狀痕12之長度。複合薄膜Γ與輥2之旋轉方向以相反較佳。 如第5(b)圖所示，當輥2之微粒子在加壓下滾接於複合 薄膜Γ之金屬薄膜11時，多條大致平行且斷續的線狀痕（擦 傷）1 2係以不規則之寬幅及間隔形成在複合薄膜丨’之全面。 (b) 微細孔等之形成 藉由日本專利第206341 1等所記載的方法，可將多數個 微細孔13形成在具有線狀痕12之金屬薄膜1丨。例如，在 -12- .201021688 表面付著具有尖銳角部之摩氏硬度5以上的多數個之微粒 子的第1輥（與上述線狀痕形成用輥相同即可）、及按壓在 第1輥的平滑面之第2輥之間隙，將金屬薄膜Π作爲第1 輥之側，以和第1輥之周速相同的速度通過複合薄膜1’° 又，在複合薄膜1’上形成線狀痕12及因應於需要的微細孔 13之後，以熱叠層法等將第2塑膠薄膜接著在金屬薄膜 11，藉此可形成塑膠保護層l〇a。更進一步，因應於需要在 金屬薄膜11實施浮凸加工。 ❹ [3]電磁波吸收體 第1電磁波吸收體，係將多數片上述電磁波吸收膜配置 成線狀痕的配向不同。在電磁波吸收膜上未被吸收的電磁 波被反射或透過，故作成由另外的電磁波吸收膜吸收之構 造，藉此顯著地提高電磁波吸收能。又，由於與線狀痕12 正交的方向之表面電阻係大於與線狀痕12平行之方向的 表面電阻，故電磁波吸收膜在電磁波吸收能方面具有向異 ❹ 性，因此，將電磁波吸收膜配置成使線狀痕12之配向相 異，藉以抑制電磁波吸收能之向異性。在電磁波吸收體由 例如2片之電磁波吸收膜構成情況下，以配置成各線狀痕 12大致正交較佳。又，在電磁波吸收體由例如3片之電磁 波吸收膜構成情況下，以配置成各線狀痕12以60°交叉較 佳。 電磁波吸收膜之組合可爲下列任何一種：（1)全部由第1 電磁波吸收膜形成之情況' (2)全部由第2電磁波吸收膜形 -13- 201021688 成之情況、及（3)由第1及第2電磁波吸收膜形成之情況。 例如，在具有磁性金屬薄膜之第1電磁波吸收膜及具有非 磁性金屬薄膜之第1電磁波吸收膜之組合的情況下，磁性 金屬爲鎳，而非磁性金靥爲鋁或銅較佳。 在將第1電磁波吸收體配置在電磁波源之附近的情況 下，當將與線狀痕 12正交之方向的表面電阻爲 20~377 Ω/□、較佳爲30~377 Ω/□之電磁波吸收膜、及與 線狀痕12正交之方向的表面電阻爲377〜10,000 Ω /□、較 w 佳爲377 ~7,000 Ω/□之電磁波吸收膜加以組合時，可將電 場及磁場雙方有效地吸收。 爲了獲得優異的電磁波吸收能，亦可在多數片電磁波吸 收膜之間設置介電體層（空氣層）。此時，電磁波吸收膜之 間隔較佳爲0.2~10mm，更佳爲l~8mm。 第6圖係顯示電磁波吸收體之一例，其具有在2片之平 坦電磁波吸收膜la, la之間設置波形電磁波吸收膜lb的 Ο 構造。波形電磁波吸收膜lb之形狀及尺寸可因應於用途 而適當地設定。波形可爲正弦曲線狀、作成連續之圓弧狀、 作成連續之3字狀等。平坦電磁波吸收膜la, la與波形電 磁波吸收膜lb係以接點而接著，故此電磁波吸收體具有 自我支撐性’不僅電子•通信機器而且亦可適用於建築 物。波形之高度h!及間隔l2，在附著於電子•通信機器之 框體之情況下以0.2〜3mm爲宜，在使用於建築物之內壁之 情況下，爲了發揮優異的隔熱性及防音性，以3〜10mm較 -14- 201021688 佳。 第7圖係顯示具有將平坦電磁波吸收膜la及 吸收膜lb交互疊層之構造的電磁波吸收體之-波吸收體具有比第6圖之電磁波吸收體更高 性、隔熱性及防音性，故適合於建築物之內壁 波吸收體中，電磁波吸收膜la，lb配置成線狀 替。如第8圖所示，亦可使波形電磁波吸收膜 向相異。又，如第9圖所示，亦可使波形電磁 ❹ 呈剖面3字狀。更進一步，如第1 〇圖所示，亦 坦電磁波吸收膜la，la之間配置多數片（例如 電磁波吸收膜lb，lb。 於第11圖所示之電磁波吸收體中，成蜂巢狀 電磁波吸收膜la，la之間的波形電磁波吸收膜 者之線狀痕大致爲正交。此電磁波吸收體具有 性及防音性、及自我支撐性，故適合於建材等 φ 第12(a)圖及第12(b)圖係顯示將2片之電磁 le之金屬薄膜11，11加以接著而成的電磁波疼 15表示接著層。電磁波吸收膜ld，le之金屬 的一方係由非磁性金屬形成，而另一方係磁性 佳。 在第6圖~第11圖所示之例中，亦可以在一 金屬薄膜之塑膠薄膜置換多數片平坦電磁波吸 部分。 .波形電磁波 -例。此電磁 的自我支撐 :，在此電磁 :痕之方向交 lb, lb之配 波吸收膜lb :可在2片平 2片）之波形 :接合在平坦 1 c配置成兩 ‘優異的隔熱 〇 波吸收膜ld， δ收體。符號 薄膜1 1，1 1 i金屬形成較 -面全部形成 收膜1 a的一 -15- 201021688 (2)第2電磁波吸收體 第13圖係顯示第2電磁波吸收體的一例。此電磁波吸 收體係使電磁波吸收膜1及電磁波反射體16隔著介電體層 17疊層而成。電磁波吸收膜1配置在電磁波源側。電磁波 反射體16以由金屬等形成的薄膜狀、篩網狀等之導電體， 或形成金屬薄膜的塑膠薄膜等爲較佳。介電體層17不僅可 爲如塑膠薄膜之介電體，亦可爲空氣層。介電體層17之厚 度，係以包含欲吸收之電磁波雜訊之中心波長λ之1/4的 〇 範圍，例如λ /8〜λ /2之範圍較佳。 第14圖係顯示第2電磁波吸收體的另一例。此電磁波吸 收體係具有如下之構成：使多數片電磁波吸收膜If及多數 個介電體層17交互疊層，在中央設置電磁波反射體16。電 磁波吸收膜If之線狀痕以朝相異的方向（例如正交的方向） 進行配向較佳。 在第6圖〜第11圖所示之電磁波吸收體中，亦可以電磁 〇 波反射體16加以置換多數片平坦電磁波吸收膜la的一部 分，同時在電磁波吸收膜la與電磁波反射體16之間設置 介電體層17。 本發明將藉下列之實施例更詳細地說明，但是本發明並 不被此等所限定。 實施例1 在二軸延伸聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜[厚度： 12/zm、介電率：3·2(1ΜΗζ)、介電正接：ι.〇%(ΐΜΗζ)、熔 -16- 201021688 點：2 6 5 °C、玻璃轉移溫度：7 5 °C ]之一面，利用真空蒸鍍 法形成厚度0.05# m之鋁層’而製作複合薄膜。使用第5(a) 圖及第5(b)圖所示的裝置’複合薄膜1’之鋁層以下列條件 滾接在電著有粒徑之分布爲50〜80ym之鑽石微粒子之後 的輥2 » 複 合 薄 膜 Γ之 進行 速 度 : 10m/分 輥 2 之 周 速： 350m/分 複 合 薄 膜 1’之張： tl ; 0. lkg/cir 1寬度 薄 膜 之 捲 繞角 度0 ; 30° 利 用 光 學 顯微 鏡之 觀 察’ 可知所獲得的 電磁波吸收膜具 有如下的線狀痕。 寬幅W之範圍：0.5〜5vm 平均寬幅Wav: 2/zm 間隔I之範圍： 2~10ym 平均間隔lav: 5 β vcl 平均長度Lav: 5mm 如第15圖所示，使用直流二端子法測定配置在電磁波 吸收膜之試驗片（15cmxl5cm)的對向端部之4對銅電極（長 度3cmx寬度lcm)4, 4間之電阻値，並加以平均。從平均電 阻値求出的電磁波吸收膜之表面電阻，在與線狀痕垂直的 方向及平行的方向分別爲700 Ω /□及10Ω /□。 如第16圖所示，配置具備發信用天線50之高頻振盪器 5及具備接收用天線60之高頻接收器6，使天線50，60以 -17- 201021688 5 0mm之間隔d相向，在天線50, 60之間配置電磁波吸收膜 1之試驗片（15c mx 15cm)。從發信用天線50將200~3,250 MHz 頻率之信號以2.5mW之輸出進行發信，測定接收信號之強 度。結果顯示在第17圖。爲了比較，將在天線50, 60之間 未配置電磁波吸收膜1之情況的接收信號之強度以虛線（破 折）表示。 實施例2 除了設置微細孔以外，製作與實施例1同樣的電磁波吸 收膜。微細孔之平均開口徑爲3ym，平均密度爲5x1 04個 /cm2 »此電磁波吸收膜之表面電阻，在與線狀痕垂直的方 向及平行的方向分別爲900 Ω/□及15Ω/□。第18圖顯示 與實施例1同樣地測定之電磁波吸收能。 實施例3 將實施例1及2之電磁波吸收膜配置成其線狀痕之配向 大致正交，以5.0mm之間隔配置成平行而形成的電磁波吸 0 收體，將實施例1之電磁波吸收膜形成在天線50側，配置 在天線50, 60之間，與實施例1同樣地評估電磁波吸收能。 第19圖顯示結果。 實施例4 除了輥2之周速作成200 m/分以外，將與實施例1同樣 地製作之平坦的電磁波吸收膜A(表面電阻在與線狀痕垂直 的方向及平行的方向分別爲200 Ω /□及10 Ω /□)，與成形 爲正弦波狀之實施例1的電磁波吸收膜B (周期：5mm、振 -18- 201021688 幅：2.5mm)接合成使兩者之線狀痕的配向大致爲正交，而 製作第8圖所示之電磁波吸收體。第20圖顯示電磁波吸收 體之電磁波吸收能。 實施例5 除了利用熱疊層法將厚度20 之聚對苯二甲酸丁二醇 酯（PBT)薄膜（熔點：220°C、玻璃轉移溫度：22°C )接著在鋁 層以外，與實施例1同樣地製作電磁波吸收膜。在此電磁 波吸收膜之PBT薄膜側，實施圓錐狀之浮凸加工。浮凸之 直徑、深度及面積率分別爲200 " m、200 " m、及40%。第 21圖顯示此電磁波吸收膜之電磁波吸收能。 實施例6 在利用真空蒸鏟法形成於厚度爲16/zm之二軸延伸PET 薄膜之一面的個別厚度爲0.6#m之銅層及0.2/zm之鎳層 的複合薄膜上，除了輥2之周速作成200m/分以外，以與實 施例1同樣的方法形成線狀痕。所製成的電磁波吸收膜之 φ 線狀痕及表面電阻係如下列。 寬幅W之範圍：0.5~5/zm 平均寬幅Wav: 2 β m 間隔I之範圍： 0.5~5"m 平均間_隔lav. 2 β τη. 平均長度Lav: 5mm 表面電阻：150Ω/□(與線狀痕垂直的方向） 5 Ω /□(與線狀痕平行的方向） -19 - 201021688 此電磁波吸收膜之電磁波吸收能顯示在第22圖。 實施例7 將鎳層之厚度作成0.3 ym，除了輥2之周速爲3 00m/分 以外，與實施例6同樣地製作電磁波吸收膜。此電磁波吸 收膜之表面電阻，在與線狀痕垂直的方向及平行的方向分 別爲150Ω/□及10Ω/□。第23圖顯示此電磁波吸收膜之 電磁波吸收能。 從第17圖〜第23圖清楚可知’實施例1〜7之電磁波吸收 m 膜之任何一個，對200~ 1，600MHz之範圍’尤其550~800 MHz 之範圍及1，0 0 0 ~ 1，4 0 〇 Μ Η z之範圍之電磁波具有優異的吸 收能。 【圖式簡單說明】 第1(a)圖係顯示本發明之一實施形態的電磁波吸收膜 的剖面圖。 第1(b)圖係顯示第i(a)圖之電磁波吸收:膜的,钿部之局部 Φ 放大俯視圖。 第1(c)圖係顯示第i(a)圖之A部分的放大剖面圖。 第1(d)圖係顯示第Ka)圖之A’部分的放大剖面圖。 第2(a)圖係顯示本發明之另一實施形態的電磁波吸收 膜的剖面圖。 第2(b)圖係顯示第2U)圖之電磁波吸收膜的細部之局部 放大俯視圖。 第2(c)圖係顯示第2(a)圖之B部分的放大剖面圖。 -20- 201021688 第3圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 膜的剖面圖。 第4(a)圖係顯示本發明之又另一實施形態的電磁波吸 收膜的剖面圖。 第4(b)圖係顯示第4(a)圖之C部分的放大剖面圖。 第5 (a)圖係顯示製造本發明之電磁波吸收膜的裝置之 一例之槪圖。 第5(b)圖係顯示在第5 (a)圖之裝置中，複合薄膜與硬質 參 粒子輥滾接之模樣的局部放大剖面圖。 第6圖係顯示本發明之一實施形態的電磁波吸收體的 立體圖。 第7圖係顯示本發明之另一實施形態的電磁波吸收體 的立體圖。 第8圖係顯示本發明之又另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 φ 第9圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的剖面圖。 第10圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的剖面圖。 第11圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的局部破斷立體圖。 第1 2(a)圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸 收體的剖面圖。 -21- 201021688 第12(b)圖係第12(a)圖之分解剖面圖。 第13圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 第14圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 第15圖係顯示爲了測定表面電阻，而在電磁波吸收膜 之試驗面上配置電極之狀態的俯視圖。 第16圖係顯示評估電磁波吸收膜之電磁波吸收能的裝 參 置之槪圖。 第17圖係顯示實施例1之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第18圖係顯示實施例2之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第19圖係顯示實施例3之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 φ 第20圖係顯示實施例4之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第21圖係顯示實施例5之電磁波吸收膜的頻率與 信號強度之關係的曲線。 第22圖係顯示實施例6之電磁波吸收膜的頻率興 信號強度之關係的曲線。 第23圖係顯示實施例7之電磁波吸收膜的頻率與胃& 信號強度之關係的曲線。 -22- 201021688 【主要元件符號說明】

1 電 磁 波 吸 收 膜 1 5 複 合 薄 膜 la 平 坦 電 磁 波 吸 收 膜 lb 波 形 電 磁 波 吸 收 膜 1 c 波 形 電 磁 波 吸 收 膜 Id, 1 e 電 磁 波 吸 收 膜 If 電 磁 波 吸 收 膜 2 輥 5 高 its 頻 振 盪 器 6 高 頻 受 信 器 10 塑 膠 薄 膜 10a 塑 膠 保 護 層 11 金 屬 薄 膜 12 線 狀 痕 13 微 細 孔 15 接 著 層 16 電 磁 波 反 射體 17 介 電 體 層 50 發 信 用 天 線 60 受 信 用 天 線 12 1 非 導 通 部 122 高 電 阻 部 -23-

Claims (1)

1. 201021688 七、申請專利範圍： 1. —種電磁波吸收膜，其特徵爲：具有：塑膠薄膜、及設 置於其至少一面之單層或多層之金屬薄膜，以不規則之 寬幅及間隔，將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上 述金屬薄膜。 2. 如申請專利範圍第1項之電磁波吸收膜，其中上述金屬 薄膜係由鋁、銅、鎳、或其等之合金形成。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電磁波吸收膜，其中上述 〇 線狀痕之寬幅係90%以上在0.1~1，000//111之範圍內，平 均爲1~1 00//m，上述線狀痕之間隔係在0.1〜5mm之範圍 內，平均爲1〜100/zm。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波吸收膜， 其中上述金屬薄膜更具有多數個微細之孔。 5. —種電磁波吸收體，係由多數片電磁波吸收膜所形成， 其特徵爲：上述電磁波吸收膜具有：塑膠薄膜；及設置 © 於其至少一面之單層或多層之金屬薄膜，以不規則之寬 幅及間隔，將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上述 金屬薄膜，多數片之上述電磁波吸收膜配置成上述線狀 痕之配向相異。 6. 如申請專利範圍第5項之電磁波吸收體，其中多數片上 述電磁波吸收膜至少一片爲波形。 7. 如申請專利範圍第6項之電磁波吸收體，其中具有：最 外側之一對平坦電磁波吸收膜、及挾持於上述平坦電磁 -24- 201021688 波吸收膜之至少一片波形電磁波吸收膜’相鄰接之電磁 波吸收膜使線狀痕配置成大致正交，同時接觸部被黏 著，因而可抑制電磁波吸收能之向異性，同時具有自我 支撐性。 8. —種電磁波吸收體，其特徵爲：使至少一片電磁波吸收 膜及電磁波反射體隔著介電體層配置，上述電磁波吸收 膜具有：塑膠薄膜、及設置於其至少一面之單層或多層 之金屬薄膜，以不規則之寬幅及間隔將多條大致平行且 斷續的線狀痕形成在上述金屬薄膜。 9. 如申請專利範圍第8項之電磁波吸收體，其中上述電磁 波反射體係爲金屬薄膜或形成金屬薄膜之塑膠薄膜。 -25-