TW201021688A - Electromagnetic wave absorption film and electromagnetic wave absorption body using the same - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 219
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 238000009823 thermal lamination Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQKBIUZEUFGQMZ-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Au] Chemical compound [Ru].[Au] CQKBIUZEUFGQMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
- E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
- E04B1/92—Protection against other undesired influences or dangers
- E04B2001/925—Protection against harmful electro-magnetic or radio-active radiations, e.g. X-rays
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Description
,201021688 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種涵蓋寬廣範圍之頻率’在電磁波吸收 能力上優異且便宜之電磁波吸收膜’及使用此電磁波吸收 膜之電磁波吸收體。 【先前技術】 在行動電話、個人電腦等之電子機器或通信機器中,使 巍 用防止電磁波之洩露及進入的密封材。雖然目前廣泛使用 之密封材爲金屬片或網等,但是其等有重量大且增大高 度,並且有配置於機器之殼體內很麻煩的問題。在重量輕 且對塑膠外殻等之配置容易的電磁波吸收材方面,日本特 開平9-148782號提案一種密封材,具有:塑膠薄膜、形成 於其一面的第1鋁蒸鍍膜,而後蝕刻成非導通之線狀圖案 者及形成於其另一面的第2鋁蒸鍍膜,而後蝕刻成網孔狀 圖案者。但是,在此文獻中例示的線狀圖案及網孔狀圖案 • 均爲規則圖案,因此僅能吸收特定頻率的電磁波,故無法 使寬廣範圍之頻率的電磁波不洩露而加以吸收。加上,係 利用蝕刻而進行圖案化,因此不得不使得電磁波吸收材變 成昂貴。 曰本特開平Η _40 9 80號提案一種電磁波吸收材,其係在 塑膠薄膜之一面依序形成銅蒸鍍層及鎳蒸鍍層。但是,此 電磁波吸收.材並未在蒸鍍層上設置線狀的蓋,因而電磁波 吸收能力低落。 201021688 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 因而,本發明之目的在於提供一種 且在電磁波吸收能力上優異且便宜之 用此電磁波吸收膜之電磁波吸收體。 [解決課題之手段] 基於上述目的經刻意硏究的結果, _ 不規則之寬幅及間隔將多數條線狀痕 ❹ 成之單層或雙層之金屬薄膜時,可; 膜,其對寬廣範圍之頻率的電磁波可 而構想本發明。 即,本發明之電磁波吸收膜,係以 具有:塑膠薄膜、及設置於其至少 金屬薄膜,以不規則之寬幅及間隔將 的線狀痕形成在上述金屬薄膜。上: 〇 鋁、銅、鎳、或其等之合金形成者。 上述線狀痕之寬幅係90%以上在 內,平均爲l~100vm爲較佳。上: 0.1~5mm之範圍內,平均爲1〜l〇〇#m 膜亦可更具有多數個微細之孔。 本發明之第1電磁波吸收體之特徵 吸收膜所形成,上述電磁波吸收膜具 置於其至少一面之單層或多層之金屬 涵蓋寬廣範圍之頻率 電磁波吸收膜,及使 本發明人發現,當以 形成在塑膠薄膜上形 匿得一種電磁波吸收 發揮優異的吸收能, 下列爲其特徵: 一面之單層或多層之 多條大致平行且斷續 述金屬薄膜較佳爲由 0 .1~ 1,0 0 0 # m 之範圍 ®線狀痕之間隔係以 爲較佳。上述金屬薄 爲:係由多片電磁波 有:塑膠薄膜、及設 薄膜,以不規則之寬 201021688 幅及間隔將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上述金屬 薄膜’多片之上述電磁波吸收膜係使上述線狀痕之配向爲 相異而配置。多片之上述電磁波吸收膜可爲同種的金屬薄 膜,亦可爲不同金屬薄膜。 在第1電磁波吸收體之一較佳例中,多片平坦的電磁波 吸收膜係直接或隔著介電體層而疊層。介電體層亦可爲空 氣層。 在第1電磁波吸收體之另一較佳例中,多片平坦的電磁 e 波吸收膜之至少一片爲波形。波形可爲正弦曲線狀、作成 連續圓弧狀、作成連續之3字狀等。亦可藉由波形之電磁 波吸收膜彼此之組合而形成蜂巢狀。在將至少一片波形的 電磁波吸收膜組合在至少一片平坦的電磁波吸收膜之情況 下,可使波形的電磁波吸收膜之線狀痕平行,亦可垂直於 平坦的電磁波吸收膜之線狀痕。 本發明另一較佳例的電磁波吸收體之特徵爲:具有最外 φ 側之一對平坦的電磁波吸收膜、及挾持於上述平坦的電磁 波吸收膜之至少一片波形的電磁波吸收膜,相鄰接之電磁 波吸收膜配置成線狀痕大致爲正交,同時接觸部被黏著, 因而抑制電磁波吸收能之向異性,同時具有自我支撐性。 本發明之第2電磁波吸收體之特徵爲:至少一片電磁波 吸收膜及電磁波反射體隔著介電體層配置,上述電磁波吸 收膜具有:塑膠薄膜、及設置於其至少一面之單層或多層 之金屬薄膜,以不規則之寬幅及間隔將多條大致平行且斷 201021688 續的線狀痕形成在上述金屬薄膜。上述電磁波反射體以金 屬薄膜或形成金屬薄膜之塑膠薄膜較佳。上述介電體層之 厚度以包含應吸收之電磁波雜訊之中心波長λ之1/4的範 圍,例如λ /8〜λ /2之範圍爲較佳。 [發明之效果] 本發明之電磁波吸收膜由於係以不規則之寬幅及間隔將 多條線狀痕形成在上述金屬薄膜,故在涵蓋寬廣範圍之頻 率且在電磁波吸收能上優異。又,將多片電磁波吸收膜加 以組合形成的本發明之電磁波吸收體係在一片電磁波吸收 膜反射或透過的電磁波,被另外的電磁波吸收膜所吸收, 因此具有高的電磁波吸收能。尤其,配置成線狀痕之配向 各異之多片電磁波吸收膜的電磁波吸收體具有抑制電磁波 吸收之向異性的優點。更進一步,隔著空間配置多片電磁 波吸收膜的電磁波吸收體除了電磁波吸收之外具有優異的 隔熱性及防音性,適合於作爲建材。具有如此特徵之本發 φ 明的電磁波吸收膜可使用表面具有硬質微粒子的輥而便宜 地製造。 此種本發明之電磁波吸收膜及電磁波吸收體可適用於行 動電話、個人電腦、電視等之電子機器及通信機器、建築 物之內壁等。尤其將至少一片平坦的電磁波吸收膜及至少 一片波形的電磁波吸收膜加以接著而成的電磁波吸收體除 了高的電磁波吸收能之外,尙具有優異的隔熱性、防音性 及自我支撐性,故適於作爲建築物之內壁用的電磁波密封 201021688 材。 【實施方式】 本發明之各實施形態將參照附加圖面而詳細說 特別聲明的話,關於一個實施形態之說明亦可適 實施形態。又,下列說明並非限制性,亦可在本 術思想的範圍內作各種變更。 π]電磁波吸收膜 本發明之電磁波吸收膜在塑膠薄膜之至少一面 Φ 或多層之金屬薄膜。多層之金屬薄膜以二層之金 ^ 佳,此時以磁性金屬薄膜及非磁性金屬薄膜之組 (1)第1電磁波吸收膜 第l(a)~l(d)圖顯示在塑膠薄膜10之一面全體形 造之金屬薄膜11的第1電磁波吸收膜之一例。大 斷續的多條線狀痕1 2以不規則之寬幅及間隔形 金屬薄膜11。 ⑩ (a)塑膠薄膜 形成塑膠薄膜10之樹脂只要具有絕緣性及 度、可撓性及加工性,並無特別限制,例如可舉出 對苯二甲酸乙二醇酯等)、聚苯硫醚(聚次苯基硫丨 醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚砜、聚醚 碳酸酯、聚丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙 烯等)。 (b)金屬薄膜 明,若未 用於其他 發明之技 具有單層 屬薄膜較 合較佳。 成單層構 致平行且 成在上述 充分的強 :聚醋(聚 链等)、聚 醚酮、聚 .嫌、聚丙 201021688 形成金屬薄膜11的金屬,雖然只要具有 別限制,但從耐蝕性及成本的觀點,以鋁 銀及其等之合金較佳,尤其以鋁、銅、鎳 佳。金屬薄膜之厚度以0.01从m以上較佳 然並不特別限定,但在實用上以l〇#m左 然,亦可使用超過10//m之金屬薄膜,但 波的吸收能幾乎不變。金屬薄膜之厚度以( 0.01~l;/m 最佳,10〜100nm 特佳。 e (C)線狀痕 從將顯微鏡照片加以圖案化的第1(b)及 解,多條大致平行且斷續的線狀痕12係以 間隔形成在金屬薄膜11。爲了說明起見,}I 度作成比實際更誇張。線狀痕1 2係從非常 的線狀痕而有各種寬幅W,同時以各種之 不規則。線狀痕12之寬幅W在與本來的表 φ 置求出,鄰接的線狀痕12之間隔I在與本 叉的位置求出。在線狀痕12中,即使有 妨。又,在線狀痕12中,有貫通金屬薄里 膜10者(形成非導通部121者)、及比較深 膜11者(形成高電阻部122者)。依此方式 係以不規則之寬幅W及間隔I形成,故本 收膜可有效地吸收涵蓋寬廣範圍頻率之電 線狀痕12之寬幅W,90 %以上係在0.1〜 導電性,並無特 、銅、鎳、銘、 及其等之合金較 。厚度之上限雖 右即爲充分。當 是對高頻率電磁 ).0 1 ~ 5 y m 更佳, 1(c)圖可清楚了 不規則之寬幅及 f線狀痕12之深 細的線狀痕到粗 間隔I而排列爲 面Sur交叉的位 來的表面Sur交 局部連結者亦無 I 1 1到達塑膠薄 而未貫通金屬薄 ,由於線狀痕1 2 發明之電磁波吸 磁波。 1,000 μ m之範圍 201021688 · 內’平均爲1〜100 Mm較佳。在上述範圍外,電磁波吸收膜 之電磁波吸收能低。線狀痕12之寬幅W,90 %以上在 0.1~100ym之範圍內之時更佳,之範圍內時爲 最佳。又,線狀痕12之平均寬幅Wav係以在l~100ym之 範圍內較佳,1〜20以m之範圍內時尤佳,1~10/ζιη之範圍 內時最佳。 線狀痕12之間隔I係以o.iymdmm之範圍內較佳,在 〇.l~l,〇〇〇#m之範圍內更佳,在〇.1〜i〇〇//m之範圍內最 佳。又,線狀痕12之間隔lav以在1~100 之範圍內較 佳,l~2〇em之範圍內時尤佳,卜lOym之範圍內時最佳。 線狀痕12之長度L係由滾接條件(主要係輥及薄膜的相 對周速、及薄膜對輥的捲繞角度0)而決定,故只要滾接條 件不變更,大部分幾乎相同(大致等於平均長度)。線狀痕 12之長度並不特別限定,實用上爲1〜100mm左右即可。 (d)微細孔 6 第2(a)圖〜第2(c)圖係顯示第1電磁波吸收膜之另一例。在 此例中,在金屬薄膜11除了線狀痕12以外,尙散亂地設 置貫通金屬薄膜11之多數個微細孔13。微細孔13係可藉 由將表面具有高硬度微粒子之輥按壓到金屬薄膜11而形 成。如第2(c)圖所示,微細孔13之開口徑D係在本來之表 面Sur的位置求得。微細孔13之開口徑D係90%以上在 0.1~l,000/zm之範圍內較佳,在0.1〜500/zm之範圍內尤 佳。又,微細孔13之平均開口徑Dav係在0.5~100/zm之 .201021688 範圍內較佳,在l~50#m之範圍內尤佳。平均開口 之上限以2〇/zm較佳,l〇//m最佳。微細孔13之平 以500個/cm2以上較佳,1χΐ〇4〜3xl06個/cm尤佳。 (e) 保護層 如第3圖所示,亦可在金屬薄膜11之上形成覆蓋 12(及微細孔13)之塑膠保護層l〇a。保護層l〇a之 10~ lOOjum 較佳。 (f) 浮凸 m 爲了提高電磁波吸收能,亦可在電磁波吸收膜實 狀等之浮凸。浮凸之直徑及深度分別以100/zm 150〜250/zm尤佳,浮凸之面積率以20~60%較佳。 (g) 表面電阻 電磁波吸收膜1之電磁波反射係數SC,以公式 SC = (R-Z)/(R + Z)[其中,Z係入射的電磁波之特性阻技 R是電磁波吸收膜1之表面電阻(Ω/口)],R = Z時爲 φ 磁波之特性阻抗Z在電磁波源之附近係因應於從電 起之距離而大幅變化,在從電磁波源起充分遠之位 爲自由空間之特性阻抗(377 Ω)。因而,將電磁波吸 配置在電磁波源之附近時,以儘量靠近Z的方式調 在配置於從電磁波源起充分遠之位置時,使R儘量 由空間之特性阻抗。電磁波吸收膜1之表面電阻可 薄膜11之材料及厚度、線狀痕12之寬幅、間隔、 而進行調整。表面電阻可使用直流二端子法進行測 徑D a v 均密度 線狀痕 厚度以 施球面 較佳, 表示: Ϊ; (Ω ) > 0。電 磁波源 置,係 收膜1 整R, 靠近自 由金屬 長度等 定。 -10- .201021688 (2)第2電磁波吸收膜 第4(a)圖及第4(b)圖係顯示本發明之第2電磁波吸收膜 的一例。在此電磁波吸收膜中,由第1及第2金屬之薄膜 11a,lib形成的複合金屬薄膜形成在塑膠薄膜1〇之一面, 第1及第2金屬之一方係非磁性金屬,旲一方係磁性金屬, 大致平行且斷續的多條線狀痕12係全面地形成在複合金 屬薄膜。線狀痕12可作成與第l(a)圖〜第1(d)圖所示者相 同。磁性金屬可舉出鎳、鈷、鉻及其等之合金,非磁性金 φ 屬可舉出銅、銀、鋁、錫及其等之合金。較佳之組合係鎳 及銅或鋁。磁性金屬薄膜之厚度以Ο.ΟΙμιη以上較佳,非 磁性金屬薄膜之厚度以0.1#m以上較佳。厚度之上限雖然 並未特別限定,但是兩金屬薄膜在實用上均以l〇#m左右 爲宜。更佳爲磁性金屬薄膜之厚度爲〇.〇1 ~5 # m,非磁性金 靥薄膜之厚度爲0.1~5ym。與第1電磁波吸收膜同樣,第 2電磁波吸收膜亦可具有微細孔13、塑膠保護層l〇a及浮 參 凸。 [2]電磁波吸收膜之製造方法 第1及第2電磁波吸收膜之任何一個均在塑膠薄膜1〇之 至少一面’藉由蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法 等之物理蒸鍍法,或電漿CVD法、熱CVD法、光CVD法、 等之化學氣相沈積法)、鍍著法或箔接合法而形成金屬薄膜 11’將表面具有多數個高硬度之微粒子的輥滾接在所獲得 的複合薄膜之金屬薄膜11側,因而可藉由在金屬薄膜1形 -11- 201021688 成多條大致平行且斷續的線狀痕12而製造。 (a) 線狀痕之形成 線狀痕12例如可藉由W02003/091003號所記載的方法形 成。如第5(a)圖及第5(b)圖所示,將具有金屬薄膜11的複 合薄膜1’之金屬薄膜11側滾接在表面散亂地付著具有尖銳 角部之多數個高硬度(例如摩氏硬度5以上)之微粒子(例 如,鑽石微粒子)的輥2爲較佳。線狀痕12之寬幅W、間 隔I及長度L係由複合薄膜Γ與輥2的滾接條件(輥2上之 ❹ 微粒子的粒徑、複合薄膜1’之周速、輥2之周速、複合薄 膜1’之張力、複合薄膜Γ對輥2之捲繞距離、複合薄膜1’ 與輥2之旋轉方向等)而決定。因而,微粒子之90%以上具 有在l~l,000/zm之範圍內的粒徑較佳,在10〜lOOjwm尤。 微粒子付著在輥面有50%以上之面積率較佳。複合薄膜Γ 之周速以5~200m/分較佳,輥2之周速以10~2,000m/分較 佳。複合薄膜1’之張力以0_05~5kgf/cm寬度較佳。複合薄 〇 膜Γ對輥2之捲繞距離L(由捲繞角度0決定)係相當於線 狀痕12之長度。複合薄膜Γ與輥2之旋轉方向以相反較佳。 如第5(b)圖所示,當輥2之微粒子在加壓下滾接於複合 薄膜Γ之金屬薄膜11時,多條大致平行且斷續的線狀痕(擦 傷)1 2係以不規則之寬幅及間隔形成在複合薄膜丨’之全面。 (b) 微細孔等之形成 藉由日本專利第206341 1等所記載的方法,可將多數個 微細孔13形成在具有線狀痕12之金屬薄膜1丨。例如,在 -12- .201021688 表面付著具有尖銳角部之摩氏硬度5以上的多數個之微粒 子的第1輥(與上述線狀痕形成用輥相同即可)、及按壓在 第1輥的平滑面之第2輥之間隙,將金屬薄膜Π作爲第1 輥之側,以和第1輥之周速相同的速度通過複合薄膜1’° 又,在複合薄膜1’上形成線狀痕12及因應於需要的微細孔 13之後,以熱叠層法等將第2塑膠薄膜接著在金屬薄膜 11,藉此可形成塑膠保護層l〇a。更進一步,因應於需要在 金屬薄膜11實施浮凸加工。 ❹ [3]電磁波吸收體 第1電磁波吸收體,係將多數片上述電磁波吸收膜配置 成線狀痕的配向不同。在電磁波吸收膜上未被吸收的電磁 波被反射或透過,故作成由另外的電磁波吸收膜吸收之構 造,藉此顯著地提高電磁波吸收能。又,由於與線狀痕12 正交的方向之表面電阻係大於與線狀痕12平行之方向的 表面電阻,故電磁波吸收膜在電磁波吸收能方面具有向異 ❹ 性,因此,將電磁波吸收膜配置成使線狀痕12之配向相 異,藉以抑制電磁波吸收能之向異性。在電磁波吸收體由 例如2片之電磁波吸收膜構成情況下,以配置成各線狀痕 12大致正交較佳。又,在電磁波吸收體由例如3片之電磁 波吸收膜構成情況下,以配置成各線狀痕12以60°交叉較 佳。 電磁波吸收膜之組合可爲下列任何一種:(1)全部由第1 電磁波吸收膜形成之情況' (2)全部由第2電磁波吸收膜形 -13- 201021688 成之情況、及(3)由第1及第2電磁波吸收膜形成之情況。 例如,在具有磁性金屬薄膜之第1電磁波吸收膜及具有非 磁性金屬薄膜之第1電磁波吸收膜之組合的情況下,磁性 金屬爲鎳,而非磁性金靥爲鋁或銅較佳。 在將第1電磁波吸收體配置在電磁波源之附近的情況 下,當將與線狀痕 12正交之方向的表面電阻爲 20~377 Ω/□、較佳爲30~377 Ω/□之電磁波吸收膜、及與 線狀痕12正交之方向的表面電阻爲377〜10,000 Ω /□、較 w 佳爲377 ~7,000 Ω/□之電磁波吸收膜加以組合時,可將電 場及磁場雙方有效地吸收。 爲了獲得優異的電磁波吸收能,亦可在多數片電磁波吸 收膜之間設置介電體層(空氣層)。此時,電磁波吸收膜之 間隔較佳爲0.2~10mm,更佳爲l~8mm。 第6圖係顯示電磁波吸收體之一例,其具有在2片之平 坦電磁波吸收膜la, la之間設置波形電磁波吸收膜lb的 Ο 構造。波形電磁波吸收膜lb之形狀及尺寸可因應於用途 而適當地設定。波形可爲正弦曲線狀、作成連續之圓弧狀、 作成連續之3字狀等。平坦電磁波吸收膜la, la與波形電 磁波吸收膜lb係以接點而接著,故此電磁波吸收體具有 自我支撐性’不僅電子•通信機器而且亦可適用於建築 物。波形之高度h!及間隔l2,在附著於電子•通信機器之 框體之情況下以0.2〜3mm爲宜,在使用於建築物之內壁之 情況下,爲了發揮優異的隔熱性及防音性,以3〜10mm較 -14- 201021688 佳。 第7圖係顯示具有將平坦電磁波吸收膜la及 吸收膜lb交互疊層之構造的電磁波吸收體之-波吸收體具有比第6圖之電磁波吸收體更高 性、隔熱性及防音性,故適合於建築物之內壁 波吸收體中,電磁波吸收膜la,lb配置成線狀 替。如第8圖所示,亦可使波形電磁波吸收膜 向相異。又,如第9圖所示,亦可使波形電磁 ❹ 呈剖面3字狀。更進一步,如第1 〇圖所示,亦 坦電磁波吸收膜la,la之間配置多數片(例如 電磁波吸收膜lb,lb。 於第11圖所示之電磁波吸收體中,成蜂巢狀 電磁波吸收膜la,la之間的波形電磁波吸收膜 者之線狀痕大致爲正交。此電磁波吸收體具有 性及防音性、及自我支撐性,故適合於建材等 φ 第12(a)圖及第12(b)圖係顯示將2片之電磁 le之金屬薄膜11,11加以接著而成的電磁波疼 15表示接著層。電磁波吸收膜ld,le之金屬 的一方係由非磁性金屬形成,而另一方係磁性 佳。 在第6圖~第11圖所示之例中,亦可以在一 金屬薄膜之塑膠薄膜置換多數片平坦電磁波吸 部分。 .波形電磁波 -例。此電磁 的自我支撐 :,在此電磁 :痕之方向交 lb, lb之配 波吸收膜lb :可在2片平 2片)之波形 :接合在平坦 1 c配置成兩 ‘優異的隔熱 〇 波吸收膜ld, δ收體。符號 薄膜1 1,1 1 i金屬形成較 -面全部形成 收膜1 a的一 -15- 201021688 (2)第2電磁波吸收體 第13圖係顯示第2電磁波吸收體的一例。此電磁波吸 收體係使電磁波吸收膜1及電磁波反射體16隔著介電體層 17疊層而成。電磁波吸收膜1配置在電磁波源側。電磁波 反射體16以由金屬等形成的薄膜狀、篩網狀等之導電體, 或形成金屬薄膜的塑膠薄膜等爲較佳。介電體層17不僅可 爲如塑膠薄膜之介電體,亦可爲空氣層。介電體層17之厚 度,係以包含欲吸收之電磁波雜訊之中心波長λ之1/4的 〇 範圍,例如λ /8〜λ /2之範圍較佳。 第14圖係顯示第2電磁波吸收體的另一例。此電磁波吸 收體係具有如下之構成:使多數片電磁波吸收膜If及多數 個介電體層17交互疊層,在中央設置電磁波反射體16。電 磁波吸收膜If之線狀痕以朝相異的方向(例如正交的方向) 進行配向較佳。 在第6圖〜第11圖所示之電磁波吸收體中,亦可以電磁 〇 波反射體16加以置換多數片平坦電磁波吸收膜la的一部 分,同時在電磁波吸收膜la與電磁波反射體16之間設置 介電體層17。 本發明將藉下列之實施例更詳細地說明,但是本發明並 不被此等所限定。 實施例1 在二軸延伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜[厚度: 12/zm、介電率:3·2(1ΜΗζ)、介電正接:ι.〇%(ΐΜΗζ)、熔 -16- 201021688 點:2 6 5 °C、玻璃轉移溫度:7 5 °C ]之一面,利用真空蒸鍍 法形成厚度0.05# m之鋁層’而製作複合薄膜。使用第5(a) 圖及第5(b)圖所示的裝置’複合薄膜1’之鋁層以下列條件 滾接在電著有粒徑之分布爲50〜80ym之鑽石微粒子之後 的輥2 » 複 合 薄 膜 Γ之 進行 速 度 : 10m/分 輥 2 之 周 速: 350m/分 複 合 薄 膜 1’之張: tl ; 0. lkg/cir 1寬度 薄 膜 之 捲 繞角 度0 ; 30° 利 用 光 學 顯微 鏡之 觀 察’ 可知所獲得的 電磁波吸收膜具 有如下的線狀痕。 寬幅W之範圍:0.5〜5vm 平均寬幅Wav: 2/zm 間隔I之範圍: 2~10ym 平均間隔lav: 5 β vcl 平均長度Lav: 5mm 如第15圖所示,使用直流二端子法測定配置在電磁波 吸收膜之試驗片(15cmxl5cm)的對向端部之4對銅電極(長 度3cmx寬度lcm)4, 4間之電阻値,並加以平均。從平均電 阻値求出的電磁波吸收膜之表面電阻,在與線狀痕垂直的 方向及平行的方向分別爲700 Ω /□及10Ω /□。 如第16圖所示,配置具備發信用天線50之高頻振盪器 5及具備接收用天線60之高頻接收器6,使天線50,60以 -17- 201021688 5 0mm之間隔d相向,在天線50, 60之間配置電磁波吸收膜 1之試驗片(15c mx 15cm)。從發信用天線50將200~3,250 MHz 頻率之信號以2.5mW之輸出進行發信,測定接收信號之強 度。結果顯示在第17圖。爲了比較,將在天線50, 60之間 未配置電磁波吸收膜1之情況的接收信號之強度以虛線(破 折)表示。 實施例2 除了設置微細孔以外,製作與實施例1同樣的電磁波吸 收膜。微細孔之平均開口徑爲3ym,平均密度爲5x1 04個 /cm2 »此電磁波吸收膜之表面電阻,在與線狀痕垂直的方 向及平行的方向分別爲900 Ω/□及15Ω/□。第18圖顯示 與實施例1同樣地測定之電磁波吸收能。 實施例3 將實施例1及2之電磁波吸收膜配置成其線狀痕之配向 大致正交,以5.0mm之間隔配置成平行而形成的電磁波吸 0 收體,將實施例1之電磁波吸收膜形成在天線50側,配置 在天線50, 60之間,與實施例1同樣地評估電磁波吸收能。 第19圖顯示結果。 實施例4 除了輥2之周速作成200 m/分以外,將與實施例1同樣 地製作之平坦的電磁波吸收膜A(表面電阻在與線狀痕垂直 的方向及平行的方向分別爲200 Ω /□及10 Ω /□),與成形 爲正弦波狀之實施例1的電磁波吸收膜B (周期:5mm、振 -18- 201021688 幅:2.5mm)接合成使兩者之線狀痕的配向大致爲正交,而 製作第8圖所示之電磁波吸收體。第20圖顯示電磁波吸收 體之電磁波吸收能。 實施例5 除了利用熱疊層法將厚度20 之聚對苯二甲酸丁二醇 酯(PBT)薄膜(熔點:220°C、玻璃轉移溫度:22°C )接著在鋁 層以外,與實施例1同樣地製作電磁波吸收膜。在此電磁 波吸收膜之PBT薄膜側,實施圓錐狀之浮凸加工。浮凸之 直徑、深度及面積率分別爲200 " m、200 " m、及40%。第 21圖顯示此電磁波吸收膜之電磁波吸收能。 實施例6 在利用真空蒸鏟法形成於厚度爲16/zm之二軸延伸PET 薄膜之一面的個別厚度爲0.6#m之銅層及0.2/zm之鎳層 的複合薄膜上,除了輥2之周速作成200m/分以外,以與實 施例1同樣的方法形成線狀痕。所製成的電磁波吸收膜之 φ 線狀痕及表面電阻係如下列。 寬幅W之範圍:0.5~5/zm 平均寬幅Wav: 2 β m 間隔I之範圍: 0.5~5"m 平均間_隔lav. 2 β τη. 平均長度Lav: 5mm 表面電阻:150Ω/□(與線狀痕垂直的方向) 5 Ω /□(與線狀痕平行的方向) -19 - 201021688 此電磁波吸收膜之電磁波吸收能顯示在第22圖。 實施例7 將鎳層之厚度作成0.3 ym,除了輥2之周速爲3 00m/分 以外,與實施例6同樣地製作電磁波吸收膜。此電磁波吸 收膜之表面電阻,在與線狀痕垂直的方向及平行的方向分 別爲150Ω/□及10Ω/□。第23圖顯示此電磁波吸收膜之 電磁波吸收能。 從第17圖〜第23圖清楚可知’實施例1〜7之電磁波吸收 m 膜之任何一個,對200~ 1,600MHz之範圍’尤其550~800 MHz 之範圍及1,0 0 0 ~ 1,4 0 〇 Μ Η z之範圍之電磁波具有優異的吸 收能。 【圖式簡單說明】 第1(a)圖係顯示本發明之一實施形態的電磁波吸收膜 的剖面圖。 第1(b)圖係顯示第i(a)圖之電磁波吸收:膜的,钿部之局部 Φ 放大俯視圖。 第1(c)圖係顯示第i(a)圖之A部分的放大剖面圖。 第1(d)圖係顯示第Ka)圖之A’部分的放大剖面圖。 第2(a)圖係顯示本發明之另一實施形態的電磁波吸收 膜的剖面圖。 第2(b)圖係顯示第2U)圖之電磁波吸收膜的細部之局部 放大俯視圖。 第2(c)圖係顯示第2(a)圖之B部分的放大剖面圖。 -20- 201021688 第3圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 膜的剖面圖。 第4(a)圖係顯示本發明之又另一實施形態的電磁波吸 收膜的剖面圖。 第4(b)圖係顯示第4(a)圖之C部分的放大剖面圖。 第5 (a)圖係顯示製造本發明之電磁波吸收膜的裝置之 一例之槪圖。 第5(b)圖係顯示在第5 (a)圖之裝置中,複合薄膜與硬質 參 粒子輥滾接之模樣的局部放大剖面圖。 第6圖係顯示本發明之一實施形態的電磁波吸收體的 立體圖。 第7圖係顯示本發明之另一實施形態的電磁波吸收體 的立體圖。 第8圖係顯示本發明之又另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 φ 第9圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的剖面圖。 第10圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的剖面圖。 第11圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的局部破斷立體圖。 第1 2(a)圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸 收體的剖面圖。 -21- 201021688 第12(b)圖係第12(a)圖之分解剖面圖。 第13圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 第14圖係顯示本發明之更另一實施形態的電磁波吸收 體的立體圖。 第15圖係顯示爲了測定表面電阻,而在電磁波吸收膜 之試驗面上配置電極之狀態的俯視圖。 第16圖係顯示評估電磁波吸收膜之電磁波吸收能的裝 參 置之槪圖。 第17圖係顯示實施例1之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第18圖係顯示實施例2之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第19圖係顯示實施例3之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 φ 第20圖係顯示實施例4之電磁波吸收膜的頻率與接收 信號強度之關係的曲線。 第21圖係顯示實施例5之電磁波吸收膜的頻率與 信號強度之關係的曲線。 第22圖係顯示實施例6之電磁波吸收膜的頻率興 信號強度之關係的曲線。 第23圖係顯示實施例7之電磁波吸收膜的頻率與胃& 信號強度之關係的曲線。 -22- 201021688 【主要元件符號說明】
1 電 磁 波 吸 收 膜 1 5 複 合 薄 膜 la 平 坦 電 磁 波 吸 收 膜 lb 波 形 電 磁 波 吸 收 膜 1 c 波 形 電 磁 波 吸 收 膜 Id, 1 e 電 磁 波 吸 收 膜 If 電 磁 波 吸 收 膜 2 輥 5 高 its 頻 振 盪 器 6 高 頻 受 信 器 10 塑 膠 薄 膜 10a 塑 膠 保 護 層 11 金 屬 薄 膜 12 線 狀 痕 13 微 細 孔 15 接 著 層 16 電 磁 波 反 射體 17 介 電 體 層 50 發 信 用 天 線 60 受 信 用 天 線 12 1 非 導 通 部 122 高 電 阻 部 -23-
Claims (1)
- 201021688 七、申請專利範圍: 1. —種電磁波吸收膜,其特徵爲:具有:塑膠薄膜、及設 置於其至少一面之單層或多層之金屬薄膜,以不規則之 寬幅及間隔,將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上 述金屬薄膜。 2. 如申請專利範圍第1項之電磁波吸收膜,其中上述金屬 薄膜係由鋁、銅、鎳、或其等之合金形成。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電磁波吸收膜,其中上述 〇 線狀痕之寬幅係90%以上在0.1~1,000//111之範圍內,平 均爲1~1 00//m,上述線狀痕之間隔係在0.1〜5mm之範圍 內,平均爲1〜100/zm。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波吸收膜, 其中上述金屬薄膜更具有多數個微細之孔。 5. —種電磁波吸收體,係由多數片電磁波吸收膜所形成, 其特徵爲:上述電磁波吸收膜具有:塑膠薄膜;及設置 © 於其至少一面之單層或多層之金屬薄膜,以不規則之寬 幅及間隔,將多條大致平行且斷續的線狀痕形成在上述 金屬薄膜,多數片之上述電磁波吸收膜配置成上述線狀 痕之配向相異。 6. 如申請專利範圍第5項之電磁波吸收體,其中多數片上 述電磁波吸收膜至少一片爲波形。 7. 如申請專利範圍第6項之電磁波吸收體,其中具有:最 外側之一對平坦電磁波吸收膜、及挾持於上述平坦電磁 -24- 201021688 波吸收膜之至少一片波形電磁波吸收膜’相鄰接之電磁 波吸收膜使線狀痕配置成大致正交,同時接觸部被黏 著,因而可抑制電磁波吸收能之向異性,同時具有自我 支撐性。 8. —種電磁波吸收體,其特徵爲:使至少一片電磁波吸收 膜及電磁波反射體隔著介電體層配置,上述電磁波吸收 膜具有:塑膠薄膜、及設置於其至少一面之單層或多層 之金屬薄膜,以不規則之寬幅及間隔將多條大致平行且 斷續的線狀痕形成在上述金屬薄膜。 9. 如申請專利範圍第8項之電磁波吸收體,其中上述電磁 波反射體係爲金屬薄膜或形成金屬薄膜之塑膠薄膜。 -25-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008167855 | 2008-06-26 | ||
JP2008200252 | 2008-08-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201021688A true TW201021688A (en) | 2010-06-01 |
TWI439224B TWI439224B (zh) | 2014-05-21 |
Family
ID=41444604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098121581A TWI439224B (zh) | 2008-06-26 | 2009-06-26 | 電磁波吸收膜及使用此電磁波吸收膜之電磁波吸收體 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8598470B2 (zh) |
EP (1) | EP2299795B1 (zh) |
JP (1) | JP5038497B2 (zh) |
KR (1) | KR101572459B1 (zh) |
CN (1) | CN102067743B (zh) |
HK (1) | HK1151178A1 (zh) |
TW (1) | TWI439224B (zh) |
WO (1) | WO2009157544A1 (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080911A (ja) * | 2008-04-30 | 2010-04-08 | Tayca Corp | 広帯域電磁波吸収体及びその製造方法 |
CN102046370B (zh) | 2009-02-13 | 2014-05-14 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
KR101725470B1 (ko) * | 2009-12-25 | 2017-04-10 | 세이지 까가와 | 복합 전자파 흡수 필름 |
JPWO2011114944A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2013-06-27 | 日本電気株式会社 | ノイズ抑制構造 |
JP5186535B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2013-04-17 | 清二 加川 | 透明電磁波吸収フィルム |
JP5107394B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2012-12-26 | 清二 加川 | 電磁波吸収体及びそれを用いた内装材 |
JP5302287B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2013-10-02 | 清二 加川 | 電磁波吸収体 |
CN103270821B (zh) * | 2010-12-27 | 2016-06-29 | 加川清二 | 近场电磁波吸收体 |
JP5731548B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2015-06-10 | 株式会社ニレコ | 帯状体の幅方向端部位置測定装置及び帯状体の幅方向中心位置測定装置 |
JP5582539B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2014-09-03 | 清二 加川 | 近傍界ノイズ抑制シート |
JP5069365B1 (ja) * | 2011-06-30 | 2012-11-07 | 清二 加川 | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
JP5771275B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-08-26 | 加川 清二 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
KR101790684B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2017-10-26 | 세이지 까가와 | 복합 전자파 흡수 시트 |
US10070547B2 (en) * | 2014-02-26 | 2018-09-04 | Sparton Corporation | Control of electric field effects in a printed circuit board assembly using embedded nickel-metal composite materials |
DE102014105272A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Radarsensor mit Absorber sowie ein Verfahren zur Montage des Absorbers |
RU2599303C2 (ru) * | 2015-02-24 | 2016-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Ай-Пласт" | Способ производства ячеистого полотна и установка для его осуществления |
KR101705973B1 (ko) * | 2015-04-22 | 2017-02-13 | 연세대학교 산학협력단 | 유전체 전자기파 차폐막 |
JP6023845B1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-09 | 加川 清二 | 電磁波吸収吸音パネル |
ES2894778T3 (es) * | 2015-06-11 | 2022-02-15 | Pilkington Group Ltd | Acristalamiento seguro para aves |
CN105751590A (zh) * | 2016-03-01 | 2016-07-13 | 武汉理工大学 | 一种具有吸波功能的蜂窝夹芯复合材料及其制备方法 |
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-
2009
- 2009-06-26 CN CN200980122381.8A patent/CN102067743B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-26 KR KR1020107022973A patent/KR101572459B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-26 TW TW098121581A patent/TWI439224B/zh active
- 2009-06-26 JP JP2010518077A patent/JP5038497B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-26 US US12/936,362 patent/US8598470B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-26 WO PCT/JP2009/061728 patent/WO2009157544A1/ja active Application Filing
- 2009-06-26 EP EP09770254.2A patent/EP2299795B1/en not_active Not-in-force
-
2011
- 2011-05-03 HK HK11104387.0A patent/HK1151178A1/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2299795A4 (en) | 2012-12-19 |
US20110031008A1 (en) | 2011-02-10 |
WO2009157544A1 (ja) | 2009-12-30 |
CN102067743B (zh) | 2014-02-19 |
TWI439224B (zh) | 2014-05-21 |
JPWO2009157544A1 (ja) | 2011-12-15 |
KR101572459B1 (ko) | 2015-11-27 |
US8598470B2 (en) | 2013-12-03 |
JP5038497B2 (ja) | 2012-10-03 |
KR20110033107A (ko) | 2011-03-30 |
CN102067743A (zh) | 2011-05-18 |
HK1151178A1 (zh) | 2012-01-20 |
EP2299795A1 (en) | 2011-03-23 |
EP2299795B1 (en) | 2014-01-01 |
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