CN103270821B - 近场电磁波吸收体 - Google Patents

近场电磁波吸收体 Download PDF

Info

Publication number
CN103270821B
CN103270821B CN201180062703.1A CN201180062703A CN103270821B CN 103270821 B CN103270821 B CN 103270821B CN 201180062703 A CN201180062703 A CN 201180062703A CN 103270821 B CN103270821 B CN 103270821B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
wire trace
wave absorption
metallic film
near field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180062703.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103270821A (zh
Inventor
加川清二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN103270821A publication Critical patent/CN103270821A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103270821B publication Critical patent/CN103270821B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • H01Q17/008—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种近场电磁波吸收体，其通过将在塑料薄膜的一方的面上形成金属薄膜而成的多层电磁波吸收薄膜粘合而成，至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜具有磁性金属的薄膜层，并且在至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜上，以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有实际上平行的多条断续的线状痕。

Description

近场电磁波吸收体
技术领域
本发明涉及一种近场电磁波吸收体，其对于数百MHz乃至数GHz的电磁波噪音具有较高的吸收能力，并且抑制电磁波吸收能力的各向异性。
背景技术
为了防止因从各种通信设备、电子仪器释放出的电磁波噪音而引起的错误动作等，使各种电磁波吸收体实用化。由于在近场处磁场是支配性的(磁场成分强)，因此一直以来广泛应用使用了磁性件的电磁波吸收体，还提出有使用了导电粉的电磁波吸收体的方案。
例如，日本特开2007-96269号公开了如下所述的近场电磁波吸收体，在由纸或塑料薄膜等非金属性材料构成的基材的表面形成碳纳米纤维或碳纳米管等导电性材料的层而成。然而，该近场电磁波吸收体的传送衰减率Rtp至多在10dB前后而未必足够，并且对于电磁波吸收能力的各向异性完全没有研究。
日本特开2006-279912号公开有如下所述的内容，对于由准微波带产生的电磁波噪音，为了将其反射系数(S11)设在-10dB以下、将噪音抑制效果(ΔPloss/Pin)设在0.5以上，作为将表面电阻整合为空间的特性阻抗Z(377Ω)的、控制为10～1000Ω/单位面积的近场电磁波噪音抑制薄膜而采用AlO、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜。然而，该近场电磁波噪音抑制薄膜的电磁波吸收能力不足，并且对于电磁波吸收能力的各向异性完全没有研究。
日本特开2008-53383号公开有如下所述的电波吸收屏蔽薄膜，其散热特性优异，其包括：导热系数在面方向与厚度方向上不同的石墨薄膜；以及含有形成在石墨薄膜之上的Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等的软磁性体、Mn-Zn铁酸盐、Ba-Fe铁酸盐、Ni-Zn铁酸盐等铁酸盐、及碳颗粒的软磁性层。然而，该电波吸收屏蔽薄膜的衰减率在10dB以下而是不足够的，并且对于电磁波吸收能力的各向异性完全没有研究。
发明内容
因而，本发明的目的在于，提供一种近场电磁波吸收体，其对数百MHz乃至数GHz的电磁波噪音具有较高的吸收能力，并且抑制电磁波吸收能力的各向异性。
解决方案
鉴于上述目的而深入研究，其结果是，本发明者发现：在通过将在塑料薄膜的一方的面上形成金属薄膜而成的多层电磁波吸收薄膜粘合而成的近场电磁波吸收体中，若(a)将至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜设为磁性金属的薄膜层，并且(b)在至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜上，以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成实际上平行的多条断续的线状痕，则近场中的电磁波吸收能力显著提高，从而得到了本发明。
即，本发明的近场电磁波吸收体通过将在塑料薄膜的一方的面上形成金属薄膜而成的多层电磁波吸收薄膜粘合而成，其特征在于，至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜具有磁性金属的薄膜层，并且在至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜上，以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有实际上平行的多条断续的线状痕。
优选的是，邻接的电磁波吸收薄膜以金属薄膜彼此对置的方式粘合。通过使粘合层足够薄，对置的金属薄膜借助粘合层而电磁结合。
优选的是，在全部的电磁波吸收薄膜的金属薄膜上，所述线状痕在多个方向上形成。优选的是，各电磁波吸收薄膜的金属薄膜在线状痕形成后具有50～1500Ω/单位面积的范围内的表面电阻。金属薄膜的表面电阻能够通过线状痕来进行调整。
优选的是，所述磁性金属为镍。优选的是，至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜由导电性金属薄膜层与磁性金属薄膜层构成。更优选的是，全部的金属薄膜由导电性金属薄膜层与磁性金属薄膜层构成。
优选的是，所述线状痕在两个方向上取向，其交叉角为30～90°。优选的是，所述线状痕的宽度的90％以上处于0.1～100μm的范围内，平均为1～50μm，所述线状痕的间隔处于0.1～200μm的范围内，平均为1～100μm。
发明效果
具有上述结构的本发明的近场电磁波吸收体对数百MHz乃至数GHz的电磁波噪音具有较高的吸收能力，并降低电磁波吸收能力的各向异性。具有上述特征的本发明的近场电磁波吸收体对于个人计算机、移动电话、智能手机等各种电子仪器及通信设备中的电磁波噪音的抑制是有效的。
附图说明
图1是表示在金属薄膜中具有线状痕的电磁波吸收薄膜的剖视图。
图2是表示线状痕的一例的局部俯视图。
图3(a)是表示线状痕的其他例的局部俯视图。
图3(b)是表示线状痕的另一其他例的局部俯视图。
图3(c)是表示线状痕的另一其他例的局部俯视图。
图4(a)是表示电磁波吸收薄膜的制造装置的一例的立体图。
图4(b)是表示图4(a)的装置的俯视图。
图4(c)是图4(b)的B-B剖视图。
图4(d)是用于说明形成相对于薄膜的行进方向倾斜的线状痕的原理的局部放大俯视图。
图4(e)是表示在图4(a)的装置中印刷辊及按压辊相对于薄膜的倾斜角度的局部俯视图。
图5是表示电磁波吸收薄膜的制造装置的其他例的局部剖视图。
图6是表示电磁波吸收薄膜的制造装置的另一其他例的立体图。
图7是表示电磁波吸收薄膜的制造装置的另一其他例的立体图。
图8是表示电磁波吸收薄膜的制造装置的另一其他例的立体图。
图9(a)是表示本发明的近场电磁波吸收体的一例的剖视图。
图9(b)是图9(a)所示的近场电磁波吸收体的分解剖视图。
图10(a)是表示本发明的近场电磁波吸收体的其他例的剖视图。
图10(b)是图10(a)所示的近场电磁波吸收体的分解剖视图。
图11(a)是表示本发明的近场电磁波吸收体中的电磁波吸收薄膜的组合的一例的分解立体图。
图11(b)是表示本发明的近场电磁波吸收体中的电磁波吸收薄膜的组合的其他例的分解立体图。
图12(a)是表示本发明的近场电磁波吸收体中具有线状痕的两层电磁波吸收薄膜的组合的一例的分解俯视图。
图12(b)是表示本发明的近场电磁波吸收体中具有线状痕的两层电磁波吸收薄膜的组合的其他例的分解俯视图。
图12(c)是表示本发明的近场电磁波吸收体中具有线状痕的两层电磁波吸收薄膜的组合的另一其他例的分解俯视图。
图13(a)是表示对近场电磁波吸收体的电磁波吸收能力进行评价的系统的俯视图。
图13(b)是表示对近场电磁波吸收体的电磁波吸收能力进行评价的系统的剖视图。
图14是表示实施例1的近场电磁波吸收体的Rtp、S11及S12的图表。
图15是表示实施例2的近场电磁波吸收体的Rtp、S11及S12的图表。
图16是表示比较例1的近场电磁波吸收体的Rtp、S11及S12的图表。
图17是表示比较例2的近场电磁波吸收体的Rtp、S11及S12的图表。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明，若没有特别地声明则关于一个实施方式的说明也适用于其他实施方式。并且下述说明并不作限定用，也可以在本发明的技术思想的范围内进行各种变更。
[1]电磁波吸收薄膜
如图1所示，构成本发明的近场电磁波吸收体的第一电磁波吸收薄膜100是在形成于塑料薄膜10的一方的面的金属薄膜11上形成有多个方向的线状痕12。
(1)塑料薄膜
形成塑料薄膜10的树脂只要具有绝缘性并且具有足够的强度、耐热性、挠性及加工性即可，并没有特别地限制，例如举出聚酯(聚对苯二甲酸乙酯等)、聚芳硫醚(聚苯硫醚等)、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚丙烯等)等。塑料薄膜10的厚度优选为10～100μm左右。
(2)金属薄膜
金属薄膜11由导电性金属或磁性金属构成，但至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜必须具有磁性金属薄膜层。作为导电性金属，举出铜、铝、银等。作为磁性金属，举出镍、铬等。上述金属当然并不限于单质，也可以是合金。金属薄膜11能够通过溅射法、真空蒸镀法等公知的方法来形成。
金属薄膜11的厚度在不形成线状痕的情况下优选为5～200nm，进一步优选为10～100nm，最优选为10～50nm。在形成线状痕的情况下，由于能够通过线状痕来调整表面电阻，因此金属薄膜11的厚度并没有限定。从实用的角度出发，优选为大约0.01～1μm。金属薄膜11也可以是导电性金属及磁性金属的层叠体。导电性金属及磁性金属的优选组合为铜和镍。导电性金属薄膜的厚度优选为0.01～1μm，磁性金属薄膜的厚度优选为5～200μm。在不形成线状痕的情况下，金属薄膜11的表面电阻优选为50～1500Ω/单位面积，进一步优选为100～1000Ω/单位面积，最优选为200～1000Ω/单位面积。表面电阻能够由直流二端子法进行测定。
(2)线状痕
为了发挥优异的电磁波吸收能力并抑制电磁波吸收能力的各向异性，需要在至少一层电磁波吸收薄膜的金属薄膜11上将实际上平行且断续的线状痕12以不规则的宽度及间隔形成在多个方向上。图2表示多个线状痕12的一例。多条实际上平行且断续的线状痕12a、12b以不规则的宽度及间隔在多个方向(图示的例中为两个方向)上取向。需要说明的是，为了便于说明而在图1中夸大了线状痕12的深度。在两个方向上取向的线状痕12具有各种宽度W及间隔I。需要说明的是，间隔I表示线状痕12的取向方向(长度方向)以及与其正交的方向(横向方向)这两者上的间隔。线状痕12的宽度W及间隔I皆通过线状痕形成前的金属薄膜11的表面S的高度(原始高度)来求得。线状痕12具有各种宽度W及间隔I，因此电磁波吸收薄膜1能够高效地吸收遍及广阔范围的频率的电磁波。
优选的是，线状痕12的宽度W的90％以上处于0.1～100μm的范围内，进一步优选处于0.1～50μm的范围内，最优选处于0.1～20μm的范围内。线状痕12的平均宽度Wav优选为1～50μm，进一步优选为1～20μm，最优选为1～10μm。
优选线状痕12的间隔I处于0.1～200μm的范围内，进一步优选处于0.1～100μm的范围内，最优选处于0.1～50μm的范围内，特别优选处于0.1～20μm的范围内。另外，线状痕12的平均间隔Iav优选为1～100μm，进一步优选为1～50μm，最优选为1～20μm。
线状痕12的长度L由滑动接触条件(主要是辊与薄膜之间的相对速度、及薄膜朝向辊卷绕的卷绕角度)决定，只要不改变滑动接触条件则大部分大致相同(大致等于平均长度)。线状痕12的长度并没有特别地限定，从实用的角度出发，优选1～100mm左右。
两个方向的线状痕12a、12b的锐角侧的交叉角(以下若没有特别申明则仅称作“交叉角”)θs优选为30～90°，进一步优选为45～90°，最优选为60～90°。通过调整塑料薄膜10与印刷辊之间的滑动接触条件(滑动接触方向、周速比等)，如图3(a)～图3(c)所示，获得各种交叉角θs的线状痕12。线状痕的取向并不局限于两个方向，也可以是三个方向以上。图3(a)的线状痕12由正交的线状痕12a、12b构成，图3(b)的线状痕12由以60°交叉的线状痕12a、12b构成，图3(c)的线状痕12由三个方向的线状痕12a、12b、12c构成。即使是形成得比较厚的金属薄膜11，也优选通过线状痕的形成将表面电阻调整为50～1500Ω/单位面积，进一步优选为100～1000Ω/单位面积，最优选为200～1000Ω/单位面积。
(3)保护层
在将多层电磁波吸收薄膜粘合的情况下，在金属薄膜11向外表面露出时，优选在该面上形成保护层(未图示)。优选的是，保护层为塑料的硬质涂层或薄膜。在使用薄膜的情况下，优选通过热层压法或干层压法进行粘合。塑料硬质涂层能够通过例如光固化性树脂的涂敷及紫外线的照射来形成。各保护层13的厚度优选为10～100μm左右。
[2]线状痕的形成装置
图4(a)～图4(e)表示在塑料薄膜上沿两个方向形成线状痕的装置的一例。为了简化说明，仅以在塑料薄膜10上形成线状痕的情况为例来说明线状痕的形成方法，但该方法当然能够直接应用于向金属薄膜11形成线状痕。
图示的装置具有：(a)导出塑料薄膜10的卷盘21；(b)相对于塑料薄膜10的宽度方向倾斜配置的第一印刷辊2a；(c)配置在第一印刷辊2a的上游侧且与第一印刷辊2a处于相反的一侧的第一按压辊3a；(d)在塑料薄膜10的宽度方向上朝向与第一印刷辊2a相反的方向倾斜，并且配置在与第一印刷辊2a相同的一侧的第二印刷辊2b；(e)配置在第二印刷辊2b的下游侧且与第二印刷辊2b处于相反的一侧的第二按压辊3b；(f)卷绕带有线状痕的塑料薄膜10’的卷盘24。除此之外，在规定的位置上配置有多个导辊22、23。各印刷辊2a、2b为了防止挠曲而由支承辊(例如橡胶辊)5a、5b支承。
如图4(c)所示，各按压辊3a、3b在比其与各印刷辊2a、2b之间滑动接触的位置低的位置处与塑料薄膜10相接，因此塑料薄膜10被按压在各印刷辊2a、2b上。在满足该条件下调整各按压辊3a、3b的高度，由此能够调整向各印刷辊2a、2b的按压力，并且也能够调整与中心角θ1成比例的滑动接触距离。
图4(d)表示线状痕12a相对于塑料薄膜10的行进方向斜向形成的原理。印刷辊2a相对于塑料薄膜10的行进方向倾斜，因此印刷辊2a上的硬质微颗粒的移动方向(旋转方向)与塑料薄膜10的行进方向不同。因此，如X所示，若在任意的时刻使印刷辊2a上的点A中的硬质微颗粒与塑料薄膜10接触而形成痕B，则在规定的时间之后硬质微颗粒移动到点A’，痕B移动到点B’。在硬质微颗粒从点A移动到点A’期间，痕被连续地形成，因此能够形成从点A’延伸到点B’的线状痕12a。
由第一印刷辊2a及第二印刷辊2b形成的线状痕12a、12b的方向及交叉角θs能够通过变更各印刷辊2a、2b相对于塑料薄膜10的角度、及/或各印刷辊2a、2b相对于塑料薄膜10的行进速度的周速度来进行调整。例如，若增大印刷辊2a相对于塑料薄膜10的行进速度b的周速度a，则如图4(d)的Y所示，能够使线状痕12a如线段C’D’那样相对于塑料薄膜10的行进方向呈45°。同样地，若改变印刷辊2a相对于塑料薄膜10的宽度方向的倾斜角θ2，则能够改变印刷辊2a的周速度a。上述情况对于印刷辊2b也是相同的。因而，通过两印刷辊2a、2b的调整而能够变更线状痕12a、12b的方向。
各印刷辊2a、2b相对于塑料薄膜10倾斜，因此通过与各印刷辊2a、2b之间的滑动接触而使塑料薄膜10受到宽度方向的力。因而，为了防止塑料薄膜10的曲折地行进(朝向横向的偏移)，优选调整各按压辊3a、3b相对于各印刷辊2a、2b的高度及/或角度。例如，若适当地调节印刷辊2a的轴线与按压辊3a的轴线之间的交叉角θ3，则以抵消宽度方向的力的方式获得按压力的宽度方向分布，从而能够防止曲折地行进。另外，印刷辊2a与按压辊3a之间的间隔的调整也有助于防止曲折地行进。为了防止塑料薄膜10的曲折地行进及断裂，优选的是，使相对于塑料薄膜10的宽度方向倾斜的第一印刷辊2a及第二印刷辊2b的旋转方向与塑料薄膜10的行进方向相同。
为了增大印刷辊2a、2b相对于塑料薄膜10的按压力，也可以如图5所示，在印刷辊2a、2b之间设置第三按压辊3c。利用第三按压辊3c使与中心角θ1成比例的塑料薄膜10的滑动接触距离也增大，线状痕12a、12b变长。若调整第三按压辊3c的位置及倾斜角，则还能够有助于防止塑料薄膜10的曲折地行进。
图6表示形成如图3(c)所示在三个方向取向的线状痕的装置的一例。该装置与图4(a)～图4(e)所示的装置的不同之处在于，在第二印刷辊2b的下游配置了与塑料薄膜10的宽度方向平行的第三印刷辊2c。第三印刷辊2c的旋转方向可以与塑料薄膜10的行进方向相同也可以相反，但为了高效地形成线状痕而优选相反方向。与宽度方向平行配置的第三印刷辊2c形成沿塑料薄膜10的行进方向延伸的线状痕12c。第三按压辊3d设在第三印刷辊2c的上游侧，但也可以设在下游侧。需要说明的是，本发明并不局限于图示的例，也可以将第三印刷辊2c设在第一印刷辊2a的上游侧、或设在第一印刷辊2a及第二印刷辊2b之间。
图7表示形成在四个方向取向的线状痕的装置的一例。该装置与图6所示的装置的不同之处在于，在第二印刷辊2b与第三印刷辊2c之间设置第四印刷辊2d，在第四印刷辊2d的上游侧设置第四按压辊3e。通过减慢第四印刷辊2d的旋转速度，在图4(d)中如由Z表示那样，能够使线状痕12a′的方向(线段E’F’)与塑料薄膜10的宽度方向平行。
图8表示形成如图3(a)所示正交的线状痕的装置的其他例。该装置与图4(a)～图4(e)所示的装置的不同之处在于，第二印刷辊32b与塑料薄膜10的宽度方向平行配置。因而，以下仅对与图4(a)～图4(e)所示的装置不同的部分进行说明。第二印刷辊32b的旋转方向可以与塑料薄膜10的行进方向相同也可以相反。另外，第二按压辊33b可以设在第二印刷辊32b的上游侧也可以设在下游侧。该装置如在图4(d)中由Z表示那样，将线状痕12a′的方向(线段E’F’)设为薄膜10的宽度方向，适于形成正交的线状痕。
不仅是线状痕的倾斜角及交叉角，决定上述的深度、宽度、长度及间隔的运转条件是塑料薄膜10的行进速度、印刷辊的旋转速度及倾斜角及按压力等。薄膜的行进速度优选为5～200m/分，印刷辊的周速优选为10～2000m/分。印刷辊的倾斜角θ2优选为20°～60°，特别优选为约45°。薄膜10的张力(与按压力成比例)优选为0.05～5kgf/cm宽度。
优选的是，印刷辊是在表面具有拥有锐角部的摩氏硬度5以上的微颗粒的辊、例如日本特开2002-59487号所记载的金刚石辊。线状痕的宽度由微颗粒的颗粒直径决定，因此金刚石微颗粒的90％以上优选具有1～100μm的范围内的颗粒直径，进一步优选10～50μm的范围内的颗粒直径。优选金刚石微颗粒在辊面以30％以上的面积率进行附着。
[3]近场电磁波吸收体
本发明的近场电磁波吸收体借助粘合层而将多层电磁波吸收薄膜层叠而成。在图9所示的例中，两层电磁波吸收薄膜100a、100b以金属薄膜11a、11b对置的方式粘合，在图10所示的例中，金属薄膜11a、11b以朝向相同的一侧的方式粘合。
对于具有第一电磁波吸收薄膜100a/粘合层20/第二电磁波吸收薄膜100b的层结构且金属薄膜11a、11b借助粘合层20而对置的图9所示的近场电磁波吸收体，粘合层20形成得非常薄，由此能够使金属薄膜11a及金属薄膜11a11b电磁结合。因此，优选的是，形成在金属薄膜11a的线状痕12a、12b的交叉角θs、与形成在金属薄膜11b的线状痕12a、12b的交叉角θs不同。例如，若将形成在金属薄膜11a的线状痕12a、12b的交叉角θs设为90°，则形成在金属薄膜11b的线状痕12a、12b的交叉角θs为60°、45°或30°。如图9(b)所示，该近场电磁波吸收体在一方的金属薄膜11a、11b形成粘合层20之后，利用粘合剂而使两电磁波吸收薄膜100a、100b贴合。为了获得金属薄膜11a及11b的足够的电磁结合，粘合层20的厚度优选在10μm以下，进一步优选在5μm以下。在图9所示的近场电磁波吸收体中，使塑料薄膜位于外侧，因此具有无需设置金属薄膜11a、11b用的保护层这样的优点。
如图10(a)及图10(b)所示，两片电磁波吸收薄膜100a、100b的金属薄膜11a、11b也可以朝向相同的方向。在该情况下，金属薄膜11a、11b借助塑料薄膜10a及粘合层20而电磁结合，但由于其程度较小，因此电磁波噪音抑制效果比图9所示的例子相比略差。
第一电磁波吸收薄膜100a的金属薄膜11a、第二电磁波吸收薄膜100b的金属薄膜11b的至少一方必须具有磁性金属薄膜层。例如，在金属薄膜11a由铝构成的情况下，金属薄膜11b是由镍构成或具有镍薄膜层的复合膜(例如铜/镍复合膜)。当然两方的金属薄膜11a、11b都可以是磁性金属薄膜，但优选的是至少一方的金属薄膜11a、11b具有导电性金属薄膜层。因而，金属薄膜11a、11b的优选组合是：(a)铝薄膜层与镍薄膜层的组合；(b)铜薄膜层与镍薄膜层的组合；(c)铜薄膜层与铜薄膜层/镍薄膜层的组合；(d)铜薄膜层/镍薄膜层与铜薄膜层/镍薄膜层的组合等。在两金属薄膜11a、11b具有导电性金属薄膜层与磁性金属薄膜层的情况下，电磁波吸收能力较大，因此最优选(d)的组合。
虽然在至少一个金属薄膜11a、11b处形成有多个方向的线状痕12，但更优选在全部的金属薄膜11a、11b形成有多个方向的线状痕12。图11(a)表示在两电磁波吸收薄膜100a、100b的金属薄膜11a、11b形成有线状痕12的例子，图11(b)表示在一方的电磁波吸收薄膜100a、100b的金属薄膜11a、11b形成有线状痕12的例子。如图12(a)～图12(c)所示，通过根据应吸收的频率而改变两层电磁波吸收薄膜100a、100b的线状痕的取向及交叉角θs，电磁波吸收能力的各向异性降低，从而获得优异的电磁波吸收能力。例示的电磁波吸收薄膜100a、100b的线状痕交叉角θs为60°及90°，但本发明当然并不局限于此，也能够使用30～90°以内的其他交叉角θs。
虽然根据以下的实施例对本发明进行更为详细地说明，但本发明并不局限于此。
实施例1
在厚度为16μm的PET薄膜10a上依次形成厚度为0.7μm的Cu薄膜层及厚度为50nm的Ni薄膜层，从而形成金属薄膜11a。接着，使用具有将颗粒直径分布为50～80μm的金刚石微颗粒电着后的印刷辊32a、32b的、图8所示的结构的装置，在金属薄膜11a形成交叉角为90°的两个方向的线状痕，从而获得电磁波吸收薄膜100a。同样地，在形成在厚度为16μm的PET薄膜10b上的由厚度为0.7μm的Cu薄膜层与厚度为50nm的Ni薄膜层构成的金属薄膜11b上，使用图4所示的装置而形成交叉角为60°的两个方向的线状痕，从而获得电磁波吸收薄膜100b。各电磁波吸收薄膜100a、100b中的线状痕的特性如下所述。
宽度W的范围：0.5～5μm
平均宽度Wav：2μm
横向方向间隔I的范围：2～30μm
平均横向方向间隔Iav：10μm
平均长度Lav：5mm
交叉角θs：90°及60°
利用市面上贩卖的粘合剂将上述带有线状痕的电磁波吸收薄膜100a、100b的金属薄膜11a、11b粘合，从而制成了图9(a)所示的近场电磁波吸收体1的试件TP(55.2mm×4.7mm)。粘合层20的厚度为大约1μm。
使用由50Ω的微带线MSL(64.4mm×4.4mm)、支承微带线MSL的绝缘基板200、与绝缘基板200的下表面粘合的接地大型电极201、与微带线MSL的两端连接的导电性销202、202、网络分析器NA、将网络分析器NA与导电性销202、202连接的同轴电缆203、203构成的图13所示的近场用电磁波评价系统，利用粘着剂将试件TP粘贴于微带线MSL，相对于0～6GHz的入射波而测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，并利用下述式来求得传送衰减率Rtp。
Rtp＝-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]
将结果表示在图14中。由图14得知，传送衰减率Rtp在大约1.5GHz～6GHz的广阔范围内变大为20dB以上。
另外，当对从该电磁波吸收体1向与上述试件TP正交的方向切出的试件进行同样的评价时，获得大致相同程度的传送衰减率Rtp。由此可知，实施例1的电磁波吸收体1的电磁波吸收能力的各向异性较小。
实施例2
除了在金属薄膜11a及11b之间夹装有厚度16μm的PET薄膜而将两电磁波吸收薄膜100a、100b粘合起来以外，其余与实施例1相同，制造近场电磁波吸收体1，并测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，从而求得传送衰减率Rtp。将结果表示在图15中。由图15得知，传送衰减率Rtp在大约2GHz～5.7GHz的广阔范围内变大为20dB以上，而比实施例1的传送衰减率Rtp略低。由此可知，金属薄膜11a及金属薄膜11b的电磁结合对电磁波吸收能力造成影响。
比较例1
除了未形成线状痕以外，其余与实施例1相同，制造近场电磁波吸收体1，并测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，从而求得传送衰减率Rtp。将结果表示在图16中。由图16得知，传送衰减率Rtp在0～6GHz的频率范围内变小。由此可知，即使是将具有由导电性金属薄膜层/磁性金属薄膜层构成的金属薄膜的两片电磁波吸收薄膜粘合而成的近场电磁波吸收体，若在两金属薄膜处未形成线状痕，则电磁波吸收能力显著降低。
比较例2
对于在实施例1中制成的电磁波吸收薄膜100a(在由厚度为0.7μm的Cu薄膜层及厚度为50nm的Ni薄膜层构成的金属薄膜11a形成交叉角为90°的两个方向的线状痕)，与实施例1相同地测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，从而求得传送衰减率Rtp。将结果表示在图17中。由图17得知，获得超过20dB的Rtp的频率区域大致仅是大约4.5GHz以上，比实施例1及实施例2显著缩窄。
在下述的表1中概括表示实施例及比较例的近场电磁波吸收体的结构。
表1

Claims (3)

1.一种近场电磁波吸收体，其通过将两层在塑料薄膜的一方的面上形成金属薄膜而成的电磁波吸收薄膜以所述金属薄膜彼此对置的方式粘合而成，其特征在于，
两电磁波吸收薄膜的金属薄膜均由导电性金属薄膜层与磁性金属薄膜层构成，
在两电磁波吸收薄膜的所述金属薄膜上，以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成有平行的多条断续的线状痕，
在各电磁波吸收薄膜中，所述线状痕的交叉角为30～90°，
所述金属薄膜彼此以电磁结合的方式借助厚度为5μm以下的粘合层进行粘合，
一方的电磁波吸收薄膜中的线状痕的取向及/或交叉角与另一方的电磁波吸收薄膜中的线状痕的取向及/或交叉角不同。
2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其特征在于，
各电磁波吸收薄膜的金属薄膜在线状痕形成后具有50～1500Ω/单位面积的范围内的表面电阻。
3.根据权利要求1或2所述的近场电磁波吸收体，其特征在于，
所述线状痕的宽度的90％以上处于0.1～100μm的范围内，平均为1～50μm，所述线状痕的间隔处于0.1～200μm的范围内，平均为1～100μm。
CN201180062703.1A 2010-12-27 2011-11-01 近场电磁波吸收体 Active CN103270821B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010290703 2010-12-27
JP2010-290703 2010-12-27
PCT/JP2011/075183 WO2012090586A1 (ja) 2010-12-27 2011-11-01 近傍界電磁波吸収体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103270821A CN103270821A (zh) 2013-08-28
CN103270821B true CN103270821B (zh) 2016-06-29

Family

ID=46382707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180062703.1A Active CN103270821B (zh) 2010-12-27 2011-11-01 近场电磁波吸收体

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20130285846A1 (zh)
EP (1) EP2661167B1 (zh)
JP (1) JP5726903B2 (zh)
KR (1) KR20140023270A (zh)
CN (1) CN103270821B (zh)
RU (1) RU2013135235A (zh)
TW (1) TWI569713B (zh)
WO (1) WO2012090586A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490546B2 (en) * 2012-07-13 2016-11-08 Sony Corporation Antenna
WO2015061670A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Nanyang Technological University Microwave absorbing composite for turbine blade applications
CN104656171A (zh) * 2015-03-03 2015-05-27 苏州康乐兴电子有限公司 增光膜的制作方法及设备、增光膜
KR101759205B1 (ko) * 2015-04-09 2017-07-19 한화첨단소재 주식회사 전자기파 차단 방열 필름
JP2017022319A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板
JP2017069278A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 積水化学工業株式会社 発泡複合シート、多層発泡複合シート、及びこれらの製造方法
JP6727408B2 (ja) * 2017-03-29 2020-07-22 富士フイルム株式会社 電波吸収体及び電波吸収体の製造方法
JP6208394B1 (ja) * 2017-05-23 2017-10-04 加川　清二 電磁波吸収フィルタ
KR102047987B1 (ko) * 2018-11-26 2019-11-22 국방과학연구소 전도성 시트, 전도성 시트를 포함하는 주파수 선택 장치 및 제조 방법
CN113519092B (zh) * 2019-03-01 2024-06-04 琳得科株式会社 电磁波吸收膜、电磁波吸收片
DE102019131499A1 (de) * 2019-11-21 2021-05-27 Carl Freudenberg Kg Flexibles Laminat zur Abschirmung elektromagnetischer Strahlung
JP2022095055A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 廣瀬製紙株式会社 電磁波吸収体
TW202312854A (zh) 2021-09-07 2023-03-16 日商拓自達電線股份有限公司 電磁波屏蔽膜
JP7323692B1 (ja) 2022-08-19 2023-08-08 清二 加川 近傍界電磁波吸収体
JP7423172B1 (ja) 2023-08-07 2024-01-29 清二 加川 電磁波吸収フィルム及びその製造装置、並びにかかる電磁波吸収フィルムを有する近傍界電磁波吸収体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102046370A (zh) * 2009-02-13 2011-05-04 加川清二 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2763952B2 (ja) * 1990-02-14 1998-06-11 ユニチカ株式会社 導電性織物およびその製造方法
US5373296A (en) * 1992-08-18 1994-12-13 Tdk Corporation Electromagnetic wave absorber and wave absorption structure
JP2002059487A (ja) 2000-08-14 2002-02-26 Seiji Kagawa 多孔質フィルムの製造装置
WO2005101941A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-27 Geltec Co., Ltd. 電磁波吸収体
JP2006279912A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Res Inst Electric Magnetic Alloys 近傍界電磁波ノイズ抑制材料
JP2007096269A (ja) 2005-08-30 2007-04-12 Nisca Corp 近傍界電磁波吸収体
JP2008053383A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Kaneka Corp 放熱・電波吸収・シールドフィルム
JP4976316B2 (ja) * 2008-01-22 2012-07-18 清二 加川 電磁波吸収フィルム
WO2009157544A1 (ja) * 2008-06-26 2009-12-30 Kagawa Seiji 電磁波吸収フィルム及びそれを用いた電磁波吸収体
JP5203295B2 (ja) * 2009-05-26 2013-06-05 清二 加川 電磁波吸収フィルム
JP2011233642A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Nitto Denko Corp 電磁波吸収体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102046370A (zh) * 2009-02-13 2011-05-04 加川清二 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2661167B1 (en) 2019-01-02
TW201238467A (en) 2012-09-16
TWI569713B (zh) 2017-02-01
CN103270821A (zh) 2013-08-28
JPWO2012090586A1 (ja) 2014-06-05
EP2661167A4 (en) 2014-12-17
KR20140023270A (ko) 2014-02-26
WO2012090586A1 (ja) 2012-07-05
RU2013135235A (ru) 2015-02-10
JP5726903B2 (ja) 2015-06-03
US20130285846A1 (en) 2013-10-31
EP2661167A1 (en) 2013-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103270821B (zh) 近场电磁波吸收体
KR101790684B1 (ko) 복합 전자파 흡수 시트
CN103718664B (zh) 具有高散热性的电磁波吸收薄膜
CN102415230B (zh) 复合电磁波吸收薄膜
CN102046370B (zh) 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置
CN103392389B (zh) 近场噪声抑制片材
KR102069556B1 (ko) 전자기파 흡수 필터
KR102168863B1 (ko) 전자파 흡수 복합 시트
KR20240026104A (ko) 근방계 전자파 흡수체
CN103636299B (zh) 近场噪声抑制薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant