CN103718664B - 具有高散热性的电磁波吸收薄膜 - Google Patents

具有高散热性的电磁波吸收薄膜 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电磁波吸收薄膜，其具有塑料薄膜及在该塑料薄膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，多个实质上平行且断续的线状痕迹以不规则的宽度及间隔在多个方向上形成于金属薄膜，并且在金属薄膜上形成有碳纳米管薄层。

Description

具有高散热性的电磁波吸收薄膜
技术领域
本发明涉及一种具有高电磁波吸收能力且具有高散热性的电磁波吸收薄膜。
背景技术
在移动电话、智能手机、无线LAN等通信设备和计算机等电子仪器中使用有防止电磁波的泄露及进入的电磁波吸收片。现在广泛使用的电磁波吸收片由金属的片材或网构成，而最近也提出有在塑料片上形成有金属蒸镀膜而成的电磁波吸收片。例如日本特开平9-148782号提出有下述电磁波吸收片，该电磁波吸收片由塑料薄膜和形成在其两面上的第一铝蒸镀膜及第二铝蒸镀膜构成，第一铝蒸镀膜被蚀刻成非导通的线状图案，第二铝蒸镀膜被蚀刻成网眼状的导通图案。但是，日本特开平9-148782号的电磁波吸收片的线状图案及网眼状图案均为规则图案，因此除了无法高效吸收大范围的频率的电磁波之外，电磁波吸收能力的各向异性还较大。
日本特开平11-40980号提出一种在塑料薄膜的一面上依次形成铜蒸镀层及镍蒸镀层而成的电磁波屏蔽材。但是，日本特开平11-40980号的电磁波屏蔽材不仅电磁波吸收能力不够，其各向异性还较大。
WO2010/093027公开有一种电磁波吸收薄膜，该电磁波吸收薄膜具有塑料薄膜及在该塑料薄膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔沿着多个方向形成许多实质平行且断续的线状痕迹。WO2010/093027的电磁波吸收薄膜不仅利用在多个方向上形成的线状痕迹而具有高电磁波吸收能力，并且也可以降低其各向异性。然而，为了解决日益严峻的电磁波噪声问题，期望具有更高电磁波吸收能力的电磁波吸收薄膜。此外，由于是以不规则的宽度及间隔形成的线状痕迹，因此当电磁波吸收薄膜的尺寸变小时，有时会产生电磁波噪声不均的问题。
另外，伴随着笔记本电脑、超级本、移动电话、智能手机等电子仪器及电子通信设备等的小型化，CPU、LSI等电子部件也高集成化，发热量逐渐增大。这些电子仪器及电子通信设备被携带，因此也要求防水性，因此散热变得越发困难。
在这种情况下，日本特开2006-135118号提出有一种电磁波吸收性热放射片，其具有导热率为0.7W/mK以上的电磁波吸收层及直接或隔着其他至少一层设置在所述电磁波吸收层的单面上的远红外线放射层。电磁波吸收层由均匀分散有羰基铁、电解铁、Fe-Cr系合金、Fe-Si系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Al-Si系合金、Fe-Cr-Si系合金、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Si-Ni系合金、Fe-Si-Cr-Ni系合金等软磁性金属粉的、硅酮、丙烯酸类树脂、乙丙橡胶、氟橡胶、氯化聚乙烯等绝缘性聚合物构成。另外，远红外线放射层由分散有二氧化硅、氧化铝、堇青石等红外线放射性氧化物陶瓷的硅树脂等构成。
然而，在日本特开2006-135118号的电磁波吸收性热放射片中，电磁波吸收层及远红外线放射层均是树脂基底，因此具有无法充分变薄这样的问题。例如在实施例1中，电磁波吸收层的厚度为0.1mm，远红外线放射层的厚度为80μm。
最近，开始将导热率高于铝、铜的石墨片用作热扩散片。例如，KANEKA株式会社的GRAPHINITY(日文：グラフィニラィ)的导热率为1500W/mK且厚度为25～40μm。但是，石墨片具有昂贵这样的缺点。
发明内容
发明概要
发明要解决的课题
因而，本发明的目的在于，提供一种对于各种频率的电磁波而均匀地具有良好的吸收能力、并且具有较高的热扩散性(散热性)、且能够以低成本来制造的薄型的电磁波吸收薄膜。
解决方案
鉴于上述目的而深入研究的结果是，本发明人发现，当在电磁波吸收薄膜的金属薄膜面上形成碳纳米管薄层时，(a)电磁波吸收能力提高，并且即使进行了小片化时也使电磁波吸收能力的不均变小，并且(b)热扩散性(散热性)提高，从而想到本发明，该电磁波吸收薄膜是通过在形成于塑料薄膜的金属薄膜上以不规则的宽度及间隔沿着多个方向形成许多实质平行且断续的线状痕迹而成的。
即，具有高散热性的本发明的电磁波吸收薄膜的特征在于，具有塑料薄膜及在该塑料薄膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔沿着多个方向形成有许多实质平行且断续的线状痕迹，并且在所述金属薄膜上形成有碳纳米管薄层，所述线状痕迹的宽度的90％以上处于0.1～100μm的范围内，平均为1～50μm，所述线状痕迹的横断方向间隔处于1～500μm的范围内，平均为1～200μm，所述碳纳米管具有2μm以上的平均长度。
优选的是，所述线状痕在两个方向上取向，其交叉角为30～90°。
优选的是，所述金属薄膜由至少一种金属构成，该至少一种金属从由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金构成的组中选择。
优选的是，当由涂敷量(每单位面积的碳纳米管的质量)表示时，所述碳纳米管薄层的厚度为0.01～0.5g/m2。
所述碳纳米管优选为多层碳纳米管。所述碳纳米管优选具有3μm以上的平均长度。
优选的是，所述碳纳米管薄层含有粘合剂树脂。
优选的是，在所述碳纳米管薄层之上热层压有塑料薄膜。
发明效果
本发明的电磁波吸收薄膜在金属薄膜上沿着多个方向形成有线状痕迹，进而在其之上形成有碳纳米管薄层，因此相对于各种频率的电磁波而具有优异的吸收能力，电磁波吸收能力的各向异性较低，并且即使小片化也使电磁波吸收能力的不均较小。除此之外，本发明的电磁波吸收薄膜与昂贵石墨片相比，具有热扩散性(散热性)。具有这样特征的本发明的电磁波吸收薄膜适合用作移动电话、智能手机等电子通信设备或笔记本电脑、超级本等电子设备的散热性噪声抑制片。
附图说明
图1(a)是表示本发明的一实施方式的电磁波吸收薄膜的剖视图。
图1(b)是表示图1(a)的电磁波吸收薄膜的线状痕迹的详细情况的局部俯视图。
图1(c)是图1(b)的A-A剖视图(省略碳纳米管薄层)。
图1(d)是表示图1(c)的A’部分的放大剖视图。
图1(e)是表示本发明的其他实施方式的电磁波吸收薄膜的剖视图。
图1(f)是表示图1(e)的B部分(省略碳纳米管薄层)的放大剖视图。
图2(a)是表示本发明的另一其他实施方式的电磁波吸收薄膜的线状痕迹的详细情况的局部俯视图。
图2(b)是表示本发明的另一其他实施方式的电磁波吸收薄膜的线状痕迹的详细情况的局部俯视图。
图2(c)是表示本发明的另一其他实施方式的电磁波吸收薄膜的线状痕迹的详细情况的局部俯视图。
图3(a)是表示本发明的另一其他实施方式的电磁波吸收薄膜的线状痕及微细孔的洋细情况的局部俯视图。
图3(b)是图3(a)的C-C剖视图(省略碳纳米管薄层)。
图4是表示本发明的另一其他实施方式的电磁波吸收薄膜的剖视图。
图5(a)是表示线状痕迹的形成装置的一例的立体图。
图5(b)是表示图5(a)的装置的俯视图。
图5(c)是图5(b)的D-D剖视图。
图5(d)是用于说明形成有相对于复合薄膜的行进方向倾斜的线状痕迹的原理的局部放大俯视图。
图5(e)是表示在图5(a)的装置中印刷辊及压延轧辊的相对于复合薄膜的倾斜角度的局部俯视图。
图6是表示线状痕迹的形成装置的其他例的局部剖视图。
图7是表示线状痕迹的形成装置的其他例的立体图。
图8是表示线状痕迹的形成装置的其他例的立体图。
图9是表示线状痕迹的形成装置的其他例的立体图。
图10(a)是表示用于评价电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能力的系统的俯视图。
图10(b)是表示用于评价电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能力的系统的局部剖面主视图。
图11(a)是表示热扩散性(散热性)的评价所使用的样本及丙烯酸类支承板的俯视图。
图11(b)是表示在丙烯酸类支承板上固定的样本的俯视图。
图11(c)是表示在丙烯酸类支承板上固定的样本的剖视图。
图11(d)是表示样本的局部放大剖视图。
图12是表示样本的热扩散性(散热性)的评价方法的示意图。
图13是表示测定样本的热扩散的方法的俯视图。
图14是表示实施例1及比较例1的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图15是表示实施例1及比较例1的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图16是表示实施例1的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图17是表示比较例1的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图18是表示实施例2及比较例2的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图19是表示实施例2及比较例2的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图20是表示实施例1及5的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图21是表示实施例1及5的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图22是表示实施例6的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图23是表示实施例6的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图24是表示比较例3的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图25是表示比较例3的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图26是表示比较例4的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图27是表示比较例4的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图28是表示实施例8的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图29是表示实施例8的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图30是表示实施例8的电磁波吸收薄膜的六个月后的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图31是表示比较例6的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图32是表示比较例6的电磁波吸收薄膜的六个月后的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图33是表示比较例7的电磁波吸收薄膜的传送衰减率Rtp与入射电波的频率之间的关系的图表。
图34是表示比较例7的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图35是表示实施例9的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图36是表示实施例9的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图37是表示比较例8的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图38是表示比较例8的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图39是表示比较例9的电磁波吸收薄膜的噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率之间的关系的图表。
图40是表示比较例9的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图41是表示比较例10的电磁波吸收薄膜的热扩散性的图表。
图42是表示比较例11的石墨片的热扩散性的图表。
具体实施方式
参照附图而详细说明本发明的实施方式，若没有特殊说明，则与一个实施方式相关的说明也能够适用于其他实施方式。另外，下述说明并非限定性内容，也可以在本发明的技术思想的范围内进行各种变更。
[1]电磁波吸收薄膜
如图1(a)所示，本发明的电磁波吸收薄膜1具有在塑料薄膜10的至少一面上依次形成有单层或多层的金属薄膜11与碳纳米管薄层14的构造。图1(a)～图1(d)表示在形成于塑料薄膜10的一面整体的金属薄膜11上沿着两个方向形成有实质平行且断续的多个线状痕迹12的例子。
(1)塑料薄膜
形成塑料薄膜10的树脂只要具有绝缘性并且具有足够的强度、挠性及加工性即可，并没有特别限制，例如举出聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、聚亚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂、聚乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。从强度及成本的观点出发，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。塑料薄膜10的厚度可以为10～100μm左右。
(2)金属薄膜
形成金属薄膜11的金属具有导电性即可，并没有特别限定，但从耐腐蚀性及成本的观点出发，优选铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金，尤其优选铝、铜、镍及其合金。金属薄膜的厚度优选为0.01μm以上。厚度的上限没有特别限定，但从实用性出发，10μm左右就足够。当然，也可以使用超过10μm的金属薄膜，对高频的电磁波进行吸收的能力几乎没有改变。金属薄膜的厚度进一步优选为0.01～5μm，最优选为0.01～1μm。金属薄膜11能够通过蒸镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等物理蒸镀法、或等离子体CVD法、热CVD法、光CVD法等化学气相蒸镀法)、镀金法或箔接合法来形成。
在金属薄膜11为单层的情况下，从导电性、耐腐蚀性及成本的观点出发，金属薄膜11优选由铝或镍构成。另外，在金属薄膜11为多层的情况下，也可以使一方由非磁性金属形成，另一方由磁性金属形成。作为非磁性金属而举出铝、铜、银、锡或这些的合金，作为磁性金属而举出镍、钴、铬或这些的合金。磁性金属薄膜的厚度优选为0.01μm以上，非磁性金属薄膜的厚度优选为0.1μm以上。厚度的上限并没有特别限定，但从两者共同的实用性出发，可以为10μm左右。更优选的是，磁性金属薄膜的厚度为0.01～5μm，非磁性金属薄膜的厚度为0.1～5μm。图1(e)及图1(f)表示在塑料薄膜10上形成有两层金属薄膜11a、11b的情况。
(3)线状痕迹
如图1(b)及图1(c)所示，在金属薄膜11上沿着两个方向以不规则的宽度及间隔形成有许多实质平行且断续的线状痕迹12a、12b。需要说明的是，为了说明而在图1(c)中夸大了线状痕迹12的深度。沿着两个方向取向的线状痕迹12具有各种宽度W及间隔I。如后所述，线状痕迹12通过具有随机附着的硬质微粒(金刚石微粒)的印刷辊的滑动接触而形成，因此线状痕迹的间隔I在宽度方向及长度方向上不变。以下，对横断方向间隔I进行说明，该说明也直接适用于长度方向间隔。线状痕迹12的宽度W在与线状痕迹形成前的金属薄膜11的表面S相当的高度下求得，线状痕迹12的间隔I设为与线状痕迹形成前的金属薄膜11的表面S相当的高度下的线状痕迹12的间隔。线状痕迹12具有各种宽度W及间隔I，因此本发明的电磁波吸收薄膜1能够高效地吸收大范围的频率的电磁波。
线状痕迹12的宽度W的90％以上优选处于0.1～100μm的范围内，更优选处于0.5～50μm的范围内，最优选处于0.5～20μm的范围内。线状痕迹12的平均宽度Wav优选为1～50μm，更优选为1～10μm，最优选为1～5μm。
线状痕迹12的横断方向间隔I优选处于1～500μm的范围内，更优选处于1～100μm的范围内，最优选处于1～50μm的范围内，尤其优选处于1～30μm的范围内。另外，线状痕迹12的宽度方向平均间隔Iav优选为1～200μm，更优选为5～50μm，最优选为5～30μm。
线状痕迹12的长度L由滑动接触条件(主要是辊及薄膜的相对周速、及复合薄膜向辊的卷绕角度)来决定，因此只要不改变滑动接触条件则大部分几乎相同(几乎平均长度相等)。线状痕迹12的长度并没有特别限定，从实用性的角度出发可以为1～100mm左右，优选为2～10mm。
线状痕迹12a、12b的锐角侧的交叉角(以下若没有特别说明也仅称作“交叉角”)θs优选为10～90°，更优选为30～90°。通过调整复合薄膜与印刷辊之间的滑动接触条件(滑动接触方向、周速比等)，如图2(a)～图2(c)所示那样获得各种交叉角θs的线状痕迹12。图2(a)表示具有三个方向的线状痕迹12a、12b、12c的例子，图2(b)表示具有四个方向的线状痕迹12a、12b、12c、12d的例子，图2(c)表示具有正交的线状痕迹12a’、12b’的例子。
(4)微细孔
如图3(a)及图3(b)所示，也可以在金属薄膜11上除线状痕迹12之外还随机设有许多微细贯通孔13。微细孔13能够通过将在表面具有高硬度微粒的辊向金属薄膜11按压而形成。如图3(b)所示，微细孔13的开口直径D在与线状痕迹形成前的金属薄膜11的表面S相当的高度处求得。微细孔13的开口直径D的90％以上优选处于0.1～1000μm的范围内，更优选处于0.1～500μm的范围内。另外，微细孔13的平均开口直径Dav优选处于0.5～100μm的范围内，更优选处于1～50μm的范围内。
(5)碳纳米管薄层
在具有线状痕迹12的金属薄膜11之上形成有碳纳米管薄层14。碳纳米管可以是单层构造，也可以是多层构造。多层碳纳米管具有大约10～数10nm的外径，不仅容易形成不凝结且均匀的薄层，且导电性优异，因此是优选的。
涂敷在具有线状痕迹12的金属薄膜11之上的碳纳米管需要具有2μm以上的平均长度。碳纳米管进入到金属薄膜11的线状痕迹12内，不仅与金属薄膜11导通，且因碳纳米管彼此的接触而相互导通。因此，若碳纳米管过短则导通不充分，不仅使电磁波吸收能力较低，且热扩散性(散热性)也较低。碳纳米管的平均长度能够根据涂敷有碳纳米管的稀薄分散液的玻璃板的显微镜照片通过图像处理来求得。碳纳米管的平均长度的上限并没有特别限定，可以考虑碳纳米管的分散性而确定。
碳纳米管在具有Co、Ni、Fe等金属催化剂的情况下形成，残留有未分离的催化剂。尤其是金属薄膜11由铝构成的情况下可知，由于铝与残留催化剂的反应而腐蚀铝。因此，当向铝薄膜11涂敷残留有催化剂的碳纳米管的分散液时，电磁波吸收能力及热扩散性(散热性)随时间恶化。为了防止该情况，优选从碳纳米管去除金属催化剂。金属催化剂的去除能够通过向碳纳米管的水性分散液添加硝酸、盐酸等酸而进行。
基于碳纳米管的质量基准，碳纳米管薄层14优选具有0.01～0.5g/m2的厚度(涂敷量)。当碳纳米管薄层14薄于0.01g/m2时，电磁波吸收能力的提高及均匀化效果不充分，并且当厚于0.5g/m2时，难以防止碳纳米管的凝结，使碳纳米管薄层14变得不均匀化。基于碳纳米管的质量基准，碳纳米管薄层14的厚度更优选为0.02～0.2g/m2，最优选为0.04～0.1g/m2。
为了防止碳纳米管的脱落，碳纳米管薄层优选含有粘合剂树脂。作为粘合剂树脂，举出乙基纤维素等纤维素类、丙烯酸类树脂、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯无规共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物等苯乙烯共聚物、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚碳酸丙二醇酯、聚氯乙烯等。能够单独或组合这些粘合剂树脂而使用。粘合剂树脂的含有量并没有特别限定，例如优选为0.01～10g/m2。需要说明的是，在粘合剂树脂之外也可以含有公知的分散剂。
线状痕迹12及碳纳米管均具有随机的尺寸及分布，因此微观上形成不均匀的电磁波吸收构造，由于存在无数不同的电磁波吸收构造，宏观上发挥均匀的电磁波吸收能力。
(6)保护层
为了保护碳纳米管薄层14，如图4所示，优选将碳纳米管薄层14由塑料保护层15覆盖。塑料保护层15用的塑料薄膜可以与成为基底的塑料薄膜10相同。保护层15的厚度优选为10～100μm左右。
[2]电磁波吸收薄膜的制造方法
(1)线状痕迹的形成
图5(a)～图5(e)表示在两个方向上形成线状痕迹的装置的一例。该装置具有：(a)放卷金属薄膜-塑料复合薄膜100的卷轴21；(b)在与复合薄膜100的宽度方向不同的方向上配置在金属薄膜11的一侧的第一印刷辊2a；(c)在第一印刷辊2a的上游侧且配置在金属薄膜11的相反一侧的第一压延轧辊3a；(d)关于复合薄膜100的宽度方向而配置在与第一印刷辊2a相反的方向上、且配置在金属薄膜11的一侧的第二印刷辊2b；(e)在第二印刷辊2b的下游侧且配置在金属薄膜11的相反一侧的第二压延轧辊3b(f)在第一印刷辊2a及第二印刷辊2b之间且配置在金属薄膜11的一侧的电阻测定机构4a；(g)在第二印刷辊2b的下游侧且配置在金属薄膜11的一侧的电阻测定机构4b；(h)用于卷绕带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合薄膜1的卷轴24。除此之外，在规定的位置配置有多个导辊22、23。为了防止各印刷辊2a、2b发生挠曲而利用支持辊(例如橡胶辊)5a、5b进行支承。
如图5(c)所示，在比与各印刷辊2a、2b的滑动接触位置低的位置处，各压延轧辊3a、3b与复合薄膜100相接，因此复合薄膜100的金属薄膜11向各印刷辊2a、2b按压。在满足该条件的情况下调整各压延轧辊3a、3b的纵向位置，从而能够调整各印刷辊2a、2b向金属薄膜11按压的按压力，并且也能够调整与中心角θ1成比例的滑动接触距离。
图5(d)表示线状痕迹12a相对于复合薄膜100的行进方向倾斜地形成的原理。相对于复合薄膜100的行进方向而使印刷辊2a倾斜，因此印刷辊2a上的硬质微粒的移动方向(旋转方向)a与复合薄膜100的行进方向b不同。因此，如X所示那样，在任意的时刻，当印刷辊2a上的点A处的硬质微粒与金属薄膜11接触而形成痕迹B时，在规定的时间后，硬质微粒移动到点A’，痕迹B移动到点B’。由于在从点A到点A’硬质微粒移动的期间内，痕迹连续地形成，因此形成有从点B’到点A’延伸的线状痕迹12a。
由第一印刷辊2a及第二印刷辊2b形成的第一线状痕迹组12a及第二线状痕迹组12b的方向及交叉角θs能够通过变更各印刷辊2a、2b的相对于复合薄膜100的角度、及/或相对于复合薄膜100的运行速度的各印刷辊2a、2b的周速度来进行调整。例如，当使印刷辊2a的相对于复合薄膜100的运行速度b的周速度a增大时，如图5(d)的Y所示，能够将线状痕迹12a如线段C’D’那样相对于复合薄膜100的行进方向设为45°。同样，当改变印刷辊2a的相对于复合薄膜100的宽度方向的倾斜角θ2时，能够改变印刷辊2a的周速度a。该情况对于印刷辊2b也相同。因而，通过两印刷辊2a、2b的调整，能够如图1(b)及图2(c)所例示的那样变更线状痕迹12a、12b的方向。
各印刷辊2a、2b相对于复合薄膜100倾斜，因此通过与各印刷辊2a、2b的滑动接触而使复合薄膜100承受宽度方向的力。因此，为了防止复合薄膜100的曲折，优选调整各压延轧辊3a、3b的相对于各印刷辊2a、2b的纵向位置及/或角度。例如，当适当调节印刷辊2a的轴线与压延轧辊3a的轴线的交叉角θ3时，以消除宽度方向的力的方式获得按压力的宽度方向分布，并且能够防止曲折。另外，调整印刷辊2a与压延轧辊3a的间隔也有助于防止曲折。为了防止复合薄膜100的曲折及断裂，优选使相对于复合薄膜100的宽度方向倾斜的第一印刷辊2a及第二印刷辊2b的旋转方向与复合薄膜100的行进方向相同。
如图5(b)所示，辊形的各电阻测定机构4a、4b隔着绝缘部40而具有一对电极41、41，在其间测定带线状痕迹的金属薄膜11的电阻。通过反馈由电阻测定机构4a、4b测定的电阻值，来调整复合薄膜100的运行速度、印刷辊2a、2b的旋转速度及倾斜角θ2、压延轧辊3a、3b的位置及倾斜角θ3等运转条件。
为了增大印刷辊2a、2b的相对于复合薄膜100的按压力，如图6所示，也可以在印刷辊2a、2b之间设置第三压延轧辊3c。因第三压延轧辊3c而使与中心角θ1成比例的金属薄膜11的滑动接触距离也增大，线状痕迹12a、12b增长。当调整第三压延轧辊3c的位置及倾斜角时，也能够有助于防止复合薄膜100的曲折。
图7表示如图2(a)所示形成在三个方向上取向的线状痕迹的装置的一例。该装置与图5(a)～图5(e)所示的装置的不同点在于，在第二印刷辊2b的下游配置有与复合薄膜100的宽度方向平行的第三印刷辊2c。第三印刷辊2c的旋转方向可以与复合薄膜100的行进方向相同，也可以相反，但为了高效地形成线状痕迹而优选相反方向。与宽度方向平行地配置的第三印刷辊2c形成沿复合薄膜100的行进方向延伸的线状痕迹12c。第三压延轧辊30b设置在第三印刷辊2c的上游侧，也可以在下游侧。也可以在第三印刷辊2c的下游侧设置电阻测定辊4c。需要说明的是，并不限于图示的例子，也可以将第三印刷辊2c设于第一印刷辊2a的上游侧、或设于第一印刷辊2a及第二印刷辊2b之间。
图8表示如图2(b)所示形成在四个方向上取向的线状痕迹的装置的一例。该装置与图7所示的装置的不同点在于，在第二印刷辊2b与第三印刷辊2c之间设有第四印刷辊2d且在第四印刷辊2d的上游侧设有第四压延轧辊3d。通过减慢第四印刷辊2d的旋转速度，在图5(d)中如Z所示，能够将线状痕迹12a’的方向(线段E’F’)设为与复合薄膜100的宽度方向平行。
图9表示如图2(c)所示形成在正交的两个方向上取向的线状痕迹的装置的其它例子。该装置与图5(a)～图5(e)所示的装置的不同点在于，第二印刷辊32b与复合薄膜100的宽度方向平行地配置。因此，以下仅对与图5(a)～图5(e)所示的装置不同的部分进行说明。第二印刷辊32b的旋转方向可以与复合薄膜100的行进方向相同，也可以相反。另外，第二压延轧辊33b可以位于第二印刷辊32b的上游侧，也可以位于下游侧。该装置中，如图5(d)中Z所示，将线状痕迹12a’的方向(线段E’F’)设为复合薄膜100的宽度方向，适于形成图2(c)所示的线状痕迹。
不仅是决定线状痕迹的倾斜角及交叉角的条件，决定线状痕迹的深度、宽度、长度及间隔的运转条件均是复合薄膜100的运行速度、印刷辊的旋转速度、倾斜角及按压力等。复合薄膜的运行速度优选为5～200m/分，印刷辊的周速优选为10～2000m/分。印刷辊的倾斜角θ2优选为20°～60°，尤其优选为大约45°。复合薄膜100的张力(与按压力成比例)优选为0.05～5kgf/cm宽度。
线状痕迹形成装置所使用的印刷辊是在表面上具有带尖锐角部的摩氏硬度5以上的微粒的辊，例如优选为日本特开2002-59487号所述的金刚石辊。线状痕迹的宽度由微粒的粒径来决定，因此金刚石微粒的90％以上优选具有1～1000μm的范围内的粒径，更优选10～200μm的范围内的粒径。金刚石微粒优选以50％以上的面积率附着在辊面。
利用日本专利第2063411号所述的方法，能够在具有线状痕迹12的金属薄膜11上形成许多微细孔13。形成微细孔13所使用的辊本身可以与线状痕迹形成用辊相同。微细孔13能够通过以下方式形成，即，使复合薄膜100以相同的周速来通过下述辊与平滑面的辊之间的间隙，该辊与线状痕迹形成用辊同样地在表面上附着有带尖锐角部的摩氏硬度5以上的许多微粒。
(2)碳纳米管薄层的形成
在形成于电磁波吸收薄膜1的至少一面的具有线状痕迹12的金属薄膜11上涂敷碳纳米管分散液，自然干燥，从而形成碳纳米管薄层14。碳纳米管分散液是(a)向有机溶剂中调配碳纳米管及根据需要调配分散剂而成的、或(b)向有机溶剂中调配碳纳米管、粘合剂树脂及根据需要调配分散剂而成的。分散液中的碳纳米管的浓度优选为0.01～2质量％。当碳纳米管的浓度不足0.1质量％时，无法获得足够的涂敷量，并且当超过2质量％时碳纳米管有可能在分散液中凝结，无法获得均匀的碳纳米管薄层。碳纳米管的浓度更优选为0.01～1质量％，最优选为0.1～0.5质量％。
在调配粘合剂树脂的情况下，从分散液的粘度及碳纳米管的均匀分散性的观点出发，碳纳米管分散液中的粘合剂树脂的浓度优选为0.1～10质量％，更优选为1～5质量％。
作为碳纳米管分散液所使用的有机溶剂，除了甲醇、乙醇、异丙醇、苯、甲苯、甲基-乙基酮等低沸点溶剂之外，举出乙二醇、丙二醇等亚烷基二元醇类、丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚等亚烷基二醇的烷基醚类、丙二醇单乙醚醋酸酯、二丙二醇单乙醚醋酸酯、二甘醇单丁醚醋酸酯等亚烷基二醇的烷基醚醋酸酯类、松油醇等萜烯类。
基于碳纳米管的质量基准，根据浓度来确定碳纳米管分散液的涂敷量，以使碳纳米管薄层14具有0.01～0.5g/m2的厚度。碳纳米管分散液的涂敷方法并不受到限定，为了获得均匀的薄层14而优选喷墨印刷法等。碳纳米管分散液的涂敷不需要一次完成，为了获得尽可能均匀的碳纳米管薄层14，也可以分多次进行。
(3)塑料保护层
为了保护碳纳米管薄层14，优选对由塑料薄膜构成的塑料保护层15进行热层压。在PET薄膜的情况下，热层压温度可以为110～150℃。
[3]电磁波吸收薄膜的性能
(1)电磁波吸收能力的评价
(a)传送衰减率
如图10(a)及图10(b)所示，传送衰减率Rtp是使用下述系统，利用粘接剂将噪声抑制薄膜的试件TP粘贴在微带线MSL上，相对于0.1～6GHz的入射波而测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，利用下述式(1)：
Rtp=-10×log[10s21n0/(1-10s11n0)]…(1)
来求得，上述系统由50Ω的微带线MSL(64.4mm×4.4mm)、支承微带线MSL的绝缘基板120、与绝缘基板120的下表面接合的接地大型电极121、与微带线MSL的两端连接的导电性销122、122、网络分析器NA、将网络分析器NA与导电性销122、122连接的同轴电缆123、123构成。
(b)噪声吸收率
在图10(a)及图10(b)所示的系统中，入射的电力Pin=反射波S11的电力+透射波S12的电力+吸收的电力(电力损失)Ploss成立。因此，通过从入射的电力Pin减去反射波S11的电力及透射波S21的电力，求得电力损失Ploss，通过将Ploss除以入射电力Pin而求得噪声吸收率Ploss/Pin。
(2)散热性的评价
电磁波吸收薄膜1的散热性基于给予其一部分的热量向薄膜整体扩散的速度来进行评价。具体来说，如图11(a)所示，准备电磁波吸收薄膜1的长方形样本200(100mm×50mm)及具有与电磁波吸收薄膜1的样本200相同大小的长方形开口部202的丙烯酸类支承板201(200mm×100mm×2mm)，如图11(b)及图11(c)所示，将样本200通过宽度10mm的粘合带(透明黏胶胶带)203固定在丙烯酸类支承板201的开口部202。如图11(d)所示，样本200在电磁波吸收薄膜1的碳纳米管薄层14侧层叠有厚度100μm的PET薄膜205。
如图12所示，在具有以使样本200露出的方式支承丙烯酸类支承板201的开口部211的固定板210上，对固定有样本200的丙烯酸类支承板201进行固定，在样本200的下方50mm的位置作为热源而载置镍镉合金线加热器220，在样本200的上方350mm的位置固定红外线温度记录装置230(NEC Avio红外线技术株式会社制的“Thermo gear G100”)。基于热源230的样本200的直径大约10mm的加热区域(热点)251位于中央。如图13所示，利用红外线温度记录装置230，分别对中央的加热区域251的中心点处的温度(最高区域温度)Tmax、及位于距离各角沿对角线上20mm的位置处的点252、253、254、255中的温度t1、t2、t3、t4进行自动测量。将温度t1、t2、t3、t4的平均值设为最低区域温度Tmin，将其平均值设为平均温度Tav。对最高区域温度Tmax、最低区域温度Tmin及平均温度Tav的变化进行比较，评价热扩散性(散热性)。
利用以下的实施例，进一步详细说明本发明，本发明并不限定于下述实施例。
实施例1
使用具有电镀了粒径分布为50～80μm的金刚石微粒的印刷辊32a、32b的图9所示的构造的装置，在利用真空蒸镀法而形成于厚度为16μm的双轴延伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面的厚度为0.05μm的铝薄膜11上，形成有如图2(c)所示正交的在两个方向上取向的线状痕迹。根据带线状痕迹的铝薄膜11的光学显微镜照片，知晓线状痕迹具有下述特性。
宽度W的范围：0.5～5μm
平均宽度Wav：2μm
间隔I的范围：2～30μm
平均间隔Iav：20μm
平均长度Lav：5mm
锐角侧的交叉角θs：90°
将使外径为10～15nm且平均长度为3μm的多层碳纳米管(催化剂去除完成)分散到甲基乙基酮中而得到的浓度为1质量％的碳纳米管分散液(含有1质量％的分散剂)借助喷枪涂敷到带线状痕迹的铝薄膜11，使其自然干燥。形成的碳纳米管薄层14的厚度(涂敷量)为0.064g/m2。之后，在铝薄膜11以120℃热层压厚度为16μm的PET薄膜，从而获得电磁波吸收薄膜1的样本。
利用粘接剂将从上述电磁波吸收薄膜样本切出的试件TP(55.2mm×4.7mm)分别粘贴在图10(a)及图10(b)所示的系统的微带线MSL上，测定相对于0.1～6GHz的频率范围的入射电力Pin的反射波的电力S11及透射波的电力S12。利用段落[3]的(1)及(2)所述的方法，求得0.1～6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图14及图15中。
比较例1
利用与实施例1相同的方法，对如下的试件TP求得传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin，该试件TP从在与实施例1相同地制作的带线状痕迹的铝薄膜11上不涂敷碳纳米管分散液而制作出的电磁波吸收薄膜1切出。将结果分别表示在图14及图15中。
从图14及图15明确可知，实施例1与比较例1相比，示出较高传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。由此可知，通过形成碳纳米管薄层14而提高传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。
另外，利用图11～图13所示的方法(段落[3](2))，在22℃及34％的湿度的条件下进行实施例1及比较例1的电磁波吸收薄膜1的热扩散性(散热性)的评价。将结果分别表示在图16及图17中。从图16及图17明确可知，形成有碳纳米管薄层14的实施例1的电磁波吸收薄膜与未形成碳纳米管薄层14的比较例1的电磁波吸收薄膜相比，具有较高的热扩散性。
实施例2、比较例2
除了将金属薄膜11由镍形成以外、其余设为与实施例1及比较例1相同地制作电磁波吸收薄膜1，利用与实施例1相同的方法对从各电磁波吸收薄膜1切出的试件TP求得传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图18及图19中。从图18及图19明确可知，实施例2与比较例2相比，示出较高的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。由此可知，即便在由镍构成的金属薄膜11的情况下，也因形成碳纳米管薄层14而提高传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。
实施例3
除了将线状痕迹的交叉角θs分别设为30°、60°及90°以外、其余与实施例1相同地制作电磁波吸收薄膜1，利用与实施例1相同的方法对从各电磁波吸收薄膜1切出的试件TP求得传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将相对于6GHz的频率的入射波的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin表示在表1中。从表1明确可知，30°～90°的交叉角θs均显示较高的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。
[表1]
交叉角θs(°) 6GHz下的Rtp 6GHz下的Ploss/Pin
30 31.0 0.93
60 32.4 0.95
90 32.6 0.96
实施例4
除了使碳纳米管分散液的涂敷量如下述表2所示进行变化以外、其余与实施例1相同地制作的各电磁波吸收薄膜1，利用与实施例1相同的方法，对从各电磁波吸收薄膜1切出的试件TP求得传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。相对于6GHz的频率的入射波的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin表示在表2中。从表2明确可知，在碳纳米管薄层14的厚度为0.01～0.1g/m2的范围内，示出较高的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin，在上述范围外的厚度下，传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin的提高效果不足够。
[表2]
CNT(1)薄层的厚度(g/m2) 6GHz下的Rtp 6GH下的Ploss/Pin
19.9 0.94
0.01 21.3 0.94
0.05 32.6 0.96
0.1 32.9 0.95
注：(1)多层碳纳米管。
实施例5
利用除了将铝薄膜11的厚度设为0.08μm的以外、其余与实施例1相同的方法来制作的电磁波吸收薄膜1，对从电磁波吸收薄膜1切出的试件TP，测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图20及图21中。从图20及图21明确可知，实施例5的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin与实施例1几乎为相同等级。由此可知，具有线状痕迹的金属薄膜与碳纳米管薄层14组合而成的本发明的电磁波吸收薄膜1与金属薄膜的厚度无关地具有优异的电磁波吸收能力。
实施例6
利用除了使用自下方起依次由厚度为50nm的Ni层及厚度为100nm的Cu层构成的双层构造的金属薄膜以外、其余与实施例1相同的方法来制作的电磁波吸收薄膜1，对从电磁波吸收薄膜1切出的试件TP测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图22及图23中。从图22及图23明确可知，在金属薄膜为双层构造的情况下也示出较高的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。
比较例3
在利用真空蒸镀法而形成于厚度为16μm的双轴延伸PET薄膜的一面的厚度为0.05μm的镍薄膜11上，不形成线状痕迹而以与实施例1相同的方法来形成厚度0.060g/m2的碳纳米管薄层14。对从获得的样本切出的试件TP测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图24及图25。从图24及图25可知，在没有线状痕迹的镍薄膜11上仅形成有碳纳米管薄层14，无法获得足够的电磁波吸收能力。
比较例4
在厚度为16μm的双轴延伸PET薄膜上不形成金属薄膜而以与实施例1相同的方法来形成厚度0.061g/m2的碳纳米管薄层14。对从获得的样本切出的试件TP测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图26及图27中。从图26及图27可知，在不带线状痕迹的金属薄膜上仅形成碳纳米管薄层14的情况下，无法获得足够的电磁波吸收能力。
实施例7
从在厚度为16μm的双轴延伸PET薄膜上以与实施例1相同的方法形成有带线状痕迹的铝薄膜11及碳纳米管薄层14的样本切出10片下述表3所示的尺寸的小片，测定各小片的6GHz下的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在表3中。Rtp及Ploss/Pin的值较小是因为小片的面积小于试件TP(55.2mm×4.7mm)的面积。从表3明确可知，即便使本发明的电磁波吸收薄膜1小片化，传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin的值的不均也较小。这是因为，随机形成的线状痕迹的不均被碳纳米管薄层14平均化。
[表3]
比较例5
从在厚度为16μm的双轴延伸PET薄膜上以与实施例1相同的方法形成有带线状痕迹的铝薄膜11的样本(不形成碳纳米管薄层14。)切出10片下述表4所示的尺寸的小片，测定各小片的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在表4中。从表4明确可知，当使未形成碳纳米管薄层14的电磁波吸收薄膜小片化时，传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin的值的不均变得大于具有碳纳米管薄层14的实施例7的情况。
[表4]
实施例8、比较例6
在作为碳纳米管分散液，使外径为10～15nm且平均长度为3μm的多层碳纳米管(催化剂去除完成)0.5质量％均匀地分散到二甲苯/异丙醇(IPA)=6/4的混合溶剂98质量％中，进而溶解有1.5质量％的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，除了使用上述获得的溶液以外、其余与实施例1相同地制作实施例8的电磁波吸收薄膜1。利用与实施例1相同的方法对从该电磁波吸收薄膜1切出的试件TP测定噪声吸收率Ploss/Pin，并且利用与实施例1相同的方法对从该电磁波吸收薄膜1切出的样本进行热扩散性(散热性)的评价。将噪声吸收率Ploss/Pin表示在图28中，将热扩散性(散热性)的评价表示在图29中。另外，在六个月后对实施例8的相同试件TP测定噪声吸收率Ploss/Pin。将结果表示在图30中。从图29明确可知，碳纳米管薄层14含有粘合剂树脂的实施例8的电磁波吸收薄膜1也具有优良的热扩散性。
使用除了未去除催化剂以外、其余与实施例8相同的碳纳米管的分散液，与实施例8相同地制作比较例6的电磁波吸收薄膜的样本，相同地测定出噪声吸收率Ploss/Pin。将结果表示在图31中。另外，利用相同的方法，在六个月后对相同的样本测定噪声吸收率Ploss/Pin。将结果表示在图32中。
从图28及图30明确可知，在使用了催化剂去除完成的碳纳米管的实施例8的电磁波吸收薄膜1中，几乎没有发现电磁波吸收能力的随时间劣化。与此相对地，从图31及图32明确可知，在使用未去除催化剂的碳纳米管的比较例6的电磁波吸收薄膜1中，确认电磁波吸收能力的较大的随时间劣化。
比较例7
除了使用含有平均长度为1μm的多层碳纳米管1.0质量％及PMMA1.0质量％的碳纳米管分散液以外、其余与实施例1相同地制作电磁波吸收薄膜，利用与实施例1相同的方法，对从上述薄膜切出的试件TP测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将结果分别表示在图33及图34中。从图33及图34明确可知，比较例7的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin均与比较例1为同等程度。由此可知，当碳纳米管的平均长度为2μm以下时，几乎无法获得碳纳米管薄层14的效果。
实施例9
除了将碳纳米管的浓度变更为1.3质量％以外、其余与实施例8相同地制作电磁波吸收薄膜1，利用与实施例1相同的方法来测定噪声吸收率Ploss/Pin及热扩散性(散热性)。将结果分别表示在图35及图36中。从图35及图36明确可知，即便变更碳纳米管的浓度，获得的电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能力及热扩散性几乎不发生变化。
比较例8
利用与实施例1相同的方法，对在厚度为16μm的PET薄膜的一面上不形成铝薄膜11而涂敷有与实施例8相同的碳纳米管分散液的样本，进行噪声吸收率Ploss/Pin的测定及热扩散性(散热性)的评价。将结果分别表示在图37及图38中。
比较例9
利用与实施例1相同的方法，对在形成于厚度为16μm的PET薄膜的一面处的厚度为0.05μm的铝薄膜11上不形成线状痕迹而涂敷有与实施例8相同的碳纳米管分散液的样本，进行噪声吸收率Ploss/Pin的测定及热扩散性(散热性)的评价。将结果分别表示在图39及图40中。
比较例10
利用与实施例1相同的方法，对在厚度为16μm的PET薄膜的一面仅形成有厚度0.05μm的铝薄膜11的样本进行热扩散性(散热性)的评价。将结果表示在图41中。
从图39～图41明确可知，在未形成线状痕迹的铝薄膜11上形成有碳纳米管薄层14的比较例9的电磁波吸收薄膜、及仅形成有未形成线状痕迹的铝薄膜11的比较例10的电磁波吸收薄膜中，不仅噪声吸收率Ploss/Pin较低，且热扩散性(散热性)也较低。由此，(a)单独利用铝薄膜无法获得足够的电磁波吸收能力及热扩散性(散热性)、及(b)即便在不具有线状痕迹的铝薄膜11上形成碳纳米管薄层14，也无法获得足够的电磁波吸收能力及热扩散性(散热性)。当然，从图37及图38明确可知，仅形成有碳纳米管薄层14的比较例8的电磁波吸收薄膜也无法具有足够的电磁波吸收能力及热扩散性(散热性)。
当对在形成有线状痕迹的铝薄膜11上未形成碳纳米管薄层14的比较例1的电磁波吸收薄膜、与在形成有线状痕迹的铝薄膜11上形成有碳纳米管薄层14的实施例8的电磁波吸收薄膜1进行比较时，可知热扩散性(散热性)显著提高。由此可知，通过形成有线状痕迹的铝薄膜11与碳纳米管薄层14的组合，与分别单独使用的情况相比，获得明显提高的热扩散性(散热性)。
比较例11
利用与实施例1相同的方法，对松下株式会社制的PGS石墨片(厚度为17μm)进行热扩散性的评价。将结果表示在图42中。从图42明确可知，石墨片的热扩散性比本发明的散热性电磁波吸收薄膜劣化。
参考例1
除了仅在一个方向(双轴延伸PET薄膜的长度方向)形成线状痕迹以外、其余与实施例1相同地形成电磁波吸收薄膜，之后分别切出第一试件TP(线状痕迹与其长度方向一致。)及第二试件TP(线状痕迹与其宽度方向一致。)，利用与实施例1相同的方法来测定传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将6GHz下的传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin表示在表5中。从表5明确可知，在具有一个方向的线状痕迹的铝薄膜11中形成有碳纳米管薄层14的电磁波吸收薄膜虽具有较高的电磁波吸收能力，但其各向异性较大。
[表5]
线状痕迹的取向 6GHz下的Rtp 6GHz下的Ploss/Pin
试件的长度方向 34.5 0.88
试件的宽度方向 19.8 0.89

Claims (6)

1.一种电磁波吸收薄膜，其特征在于，
所述电磁波吸收薄膜具有塑料薄膜及在该塑料薄膜的至少一面上设置的单层或多层的金属薄膜，在所述金属薄膜上以不规则的宽度及间隔沿着多个方向形成有许多实质平行且断续的线状痕迹，并且在所述金属薄膜上形成有含有粘合剂树脂的碳纳米管薄层，所述线状痕迹的宽度的90％以上处于0.1～100μm的范围内，平均为1～50μm，所述线状痕迹的横断方向间隔处于1～500μm的范围内，平均为1～200μm，所述碳纳米管具有2μm以上的平均长度，
基于碳纳米管的质量基准，所述碳纳米管薄层的由涂敷量表示的厚度为0.01～0.5g/m2，
所述碳纳米管薄层是通过在形成有所述线状痕迹的所述金属薄膜上涂敷含有碳纳米管及粘合剂树脂的分散液而形成的。
2.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄膜，其特征在于，
所述线状痕迹在两个方向上取向，其交叉角为30～90°。
3.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄膜，其特征在于，
所述碳纳米管去除了催化剂。
4.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄膜，其特征在于，
所述金属薄膜由至少一种金属构成，该至少一种金属从由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金构成的组中选择。
5.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄膜，其特征在于，
所述碳纳米管是多层碳纳米管。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电磁波吸收薄膜，其特征在于，
在所述碳纳米管薄层之上热层压有塑料薄膜。
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