JP7323692B1 - 近傍界電磁波吸収体 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施形態による近傍界電磁波吸収体を構成する電磁波吸収フィルムの一例を示す。この電磁波吸収フィルム100(100a,100b)はプラスチックフィルム10と、その一方の面に形成した金属薄膜11とからなり、金属薄膜11に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕12が複数方向に形成されている。
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル(ポリエチレンテレフタレート等)、ポリアリーレンサルファイド(ポリフェニレンサルファイド等)、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプロピレン等)等が挙げられる。中でも、強度及びコストの観点からポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが好ましい。プラスチックフィルム10の厚さは10~100μm程度で良いが、近傍界電磁波吸収体をできるだけ薄くするために10~30μm程度が好ましい。
金属薄膜11は非磁性金属又は磁性金属からなる。非磁性金属として、アルミニウム、銅、銀等が挙げられる。磁性金属として、ニッケル、クロム等が挙げられる。これらの金属は勿論単体に限らず、合金でも良い。コスト及び耐蝕性の観点から、アルミニウムが好ましい。金属薄膜11はスパッタリング法、真空蒸着法等の公知の方法により形成することができる。膜厚及び線状痕の加工程度の制御の観点から、金属薄膜11の厚さは、20~100 nmが好ましく、30~90 nmがより好ましく、40~80 nmが最も好ましい。
電磁波吸収フィルム100(100a,100b)の金属薄膜11には、図1及び図2に示すように、実質的に平行で断続的な線状痕12(12a,12b)が複数方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。図2は複数の線状痕12の一例を示す。多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a,12bは複数方向(図示の例では二方向)に不規則な幅及び間隔で配向している。なお、説明のために図1では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。なお間隔Iは、線状痕12の配向方向(長手方向)及びそれに直交する方向(横手方向)の両方における間隔を意味する。線状痕12の幅W及び間隔Iはいずれも線状痕形成前のプラスチックフィルム10の表面Sの高さ(元の高さ)を基準にして求める。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、電磁波吸収フィルム100は広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
図4(a)~図4(e) はプラスチックフィルム上の金属薄膜に線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。図示の装置は、(a) 金属薄膜を有するプラスチックフィルム10を巻き出すリール21と、(b) プラスチックフィルム10の幅方向に対して傾斜して配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側でそれと反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) プラスチックフィルム10の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向に傾斜し、かつ第一のパターンロール2aと同じ側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側でそれと反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 線状痕付き金属薄膜を有するプラスチックフィルム10’を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22,23が配置されている。各パターンロール2a,2bは、撓みを防止するためにバックアップロール(例えばゴムロール)5a,5bで支持されている。
(1) 構成
本発明の一実施形態による近傍界電磁波吸収体は、図9(a) 及び図9(b) に示すように、一方の(第一の)線状痕12付き金属薄膜11aを有する第一の電磁波吸収フィルム100aと、他方の(第二の)線状痕12付き金属薄膜11bを有する第二の電磁波吸収フィルム100bとを接着してなる。接着は、線状痕付き金属薄膜11a,11b同士を内側にして行うのが好ましい。従って、本発明の一実施形態による近傍界電磁波吸収体は、第一の電磁波吸収フィルム100a(プラスチックフィルム10a/第一の線状痕12付き金属薄膜11a)/接着層20/第二の電磁波吸収フィルム100b(第二の線状痕12付き金属薄膜11b/プラスチックフィルム10b)の層構成を有する。金属薄膜11a,11b同士が対向するので、両者の導通を防止するために接着層20は非導電性であるのが好ましい。接着層20は接着剤により形成することができるが、ヒートシール又は両面接着テープにより形成しても良い。
線状痕付き金属薄膜を有する電磁波吸収フィルム、及びそのような2枚の電磁波吸収フィルムの積層体からなる近傍界電磁波吸収体は、全体的に良好な放射ノイズ吸収能を発揮しても、周波数によっては放射ノイズが大きくなることがあることが分った。周波数によって放射ノイズが大きくなることがあるか否か及びそのときの周波数については予測することができず、実験でしか確認できない。そこで、まず種々の加工程度の線状痕付き金属薄膜を有する同じ2枚の電磁波吸収フィルムを積層してなる近傍界電磁波吸収体について放射ノイズを測定したところ、放射ノイズは線状痕の加工程度に応じて著しく異なることが分った。また、金属薄膜が非常に薄いだけでなく線状痕も非常に微細であるために、近傍界電磁波吸収体の製品ロットに応じて表面抵抗率のバラツキがあり、同じ線状痕の加工程度の目標値が同じ製品でも放射ノイズの有無及び大きさにバラツキが生じることも分った。そのため鋭意研究の結果、(a) 一対の電磁波吸収フィルムの線状痕付き金属薄膜の表面抵抗率を異ならせるとともに、(b) 両者の表面抵抗率を所定の範囲に限定すると、広範な周波数範囲にわたって放射ノイズを抑制することができるだけでなく、製品ロットによるバラツキも小さくなることが分った。本発明はかかる発見に基づき完成した。
第一の線状痕付き金属薄膜11aの光透過率は2.5~4%であり、第二の線状痕付き金属薄膜11bの光透過率は1~2.3%であるのが好ましい。線状痕付き金属薄膜の光透過率も表面抵抗率と同様に金属薄膜に対する線状痕の加工程度に応じて大きくなるので、第一の線状痕付き金属薄膜11aの2.5~4%の光透過率はほぼ150~500Ω/□の表面抵抗率に相当し、第二の線状痕付き金属薄膜11bの1~2.3%の光透過率はほぼ10~100Ω/□の表面抵抗率に相当する。第一の線状痕付き金属薄膜11aの光透過率は2.6~3.5%が好ましく、第二の線状痕付き金属薄膜11bの光透過率は1.5~2.2%が好ましい。
厚さ16μmのPETフィルムにアルミニウムを真空蒸着し、厚さ60 nmのアルミニウム薄膜を形成した。次いで、粒径分布が50~80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール32a,32bを有する図8に示す構造の装置を用い、プラスチックフィルムのアルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例1の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例1における線状痕の加工程度を「中1」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.1~50μm
平均幅Wav:22μm
横手方向間隔Iの範囲:1~120μm
平均横手方向間隔Iav:42μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
図8に示す装置におけるパターンロール32a,32bのプラスチックフィルムに対する押圧力を参考例1の場合より大きくした以外同様の方法により、アルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例2の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例2における線状痕の加工程度を「中2」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.1~50μm
平均幅Wav:25μm
横手方向間隔Iの範囲:1~150μm
平均横手方向間隔Iav:45μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
図8に示す装置におけるパターンロール32a,32bのプラスチックフィルムに対する押圧力を参考例1より小さくした以外参考例1と同様の方法により、アルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例3の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例3における線状痕の加工程度を「弱1」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.1~30μm
平均幅Wav:7μm
横手方向間隔Iの範囲:15~300μm
平均横手方向間隔Iav:71μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
図8に示す装置におけるパターンロール32a,32bのプラスチックフィルムに対する押圧力を、参考例1より小さくかつ参考例3より大きくした以外参考例1と同様の方法により、アルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例4の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例4における線状痕の加工程度を「弱2」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.1~50μm
平均幅Wav:11μm
横手方向間隔Iの範囲:10~210μm
平均横手方向間隔Iav:56μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
図8に示す装置におけるパターンロール32a,32bのプラスチックフィルムに対する押圧力を参考例1より大きくした以外参考例1と同様の方法により、アルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例5の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例4における線状痕の加工程度を「強1」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.2~70μm
平均幅Wav:31μm
横手方向間隔Iの範囲:0.5~100μm
平均横手方向間隔Iav:37μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
図8に示す装置におけるパターンロール32a,32bのプラスチックフィルムに対する押圧力を参考例5より大きくした以外参考例5と同様の方法により、アルミニウム薄膜に下記特性の二方向の線状痕を形成し、参考例6の電磁波吸収フィルムを得た。なお、参考例6における線状痕の加工程度を「強2」と呼ぶ。
幅Wの範囲:0.3~100μm
平均幅Wav:39μm
横手方向間隔Iの範囲:0.5~80μm
平均横手方向間隔Iav:30μm
平均長さLav:5 mm
交差角θs:90°
(2) 線状痕の幅の範囲及び平均、並びに間隔の範囲及び平均を算出するに当たり、0.1μmの幅までの線状痕をカウントした。
参考例1の電磁波吸収フィルムと参考例3の電磁波吸収フィルムとを、線状痕付きアルミニウム薄膜を内側にして、非導電性接着剤により接着し、図9(a) に示す近傍界電磁波吸収体を作製した。接着層の厚さは5μmであった。
参考例1と同様に、この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1(50 mm×50 mm)を切り出し、図11(a) 及び図11(b) に示す近傍界用電磁波評価システムによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図14に示す。図14から明らかなように、実施例1の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るが、十分に良好なノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
実施例1の近傍界電磁波吸収体から切り出した試験片TP2(40 mm×40 mm)に対して、森田テック株式会社製のEMCノイズスキャナー(WM7400)により、0.03 GHz乃至7 GHzの範囲において周波数をスキャンし、放射ノイズを測定した。図15に実施例1の試験片の累積放射ノイズを示す。
参考例1の電磁波吸収フィルムと参考例4の電磁波吸収フィルムとを、実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図16及び表2に表す。図16から明らかなように、実施例2の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るが、十分に良好なノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-20 dBm以上の累積放射ノイズが観察されず、かつ3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-30 dBm以上の累積放射ノイズが観察されなかった。
参考例2の電磁波吸収フィルムと参考例3の電磁波吸収フィルムとを、実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図17及び表2に表す。図17から明らかなように、実施例3の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るが、十分に良好なノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-20 dBm以上の累積放射ノイズが観察されず、かつ3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-30 dBm以上の累積放射ノイズが観察されなかった。
参考例2の電磁波吸収フィルムと参考例4の電磁波吸収フィルムとを、実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図18及び表2に表す。図18から明らかなように、実施例4の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るが、十分に良好なノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-20 dBm以上の累積放射ノイズが観察されず、かつ3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-30 dBm以上の累積放射ノイズが観察されなかった。
参考例1で得た厚さ60 nmのアルミニウム薄膜を有するPETフィルムのみからなる試験片について、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図19及び表2に表す。図19から明らかなように、比較例1の試験片は参考例1の電磁波吸収フィルムより著しく劣るノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-15 dBm以上、特に-10 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察されただけでなく、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-25 dBm以上、特に-20 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察された。これから、比較例1の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において著しく放射ノイズを放出することが分かる。
参考例1の電磁波吸収フィルムのみからなる試験片TP1及び試験片TP2について、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図12及び表2に表す。なお、比較例2のノイズ吸収率Ploss/Pinは参考例1のもの(図12)と同じである。また、比較例1と同様に、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-15 dBm以上、特に-10 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察されただけでなく、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-25 dBm以上、特に-20 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察された。これから、比較例1の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において著しく放射ノイズを放出することが分かる。
参考例3の電磁波吸収フィルムのみからなる試験片TP1及び試験片TP2について、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図20及び表2に表す。図20から明らかなように、比較例3の試験片は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2のほぼ全体で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2のほぼ全体で観察された。これから、比較例3の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。
参考例5の電磁波吸収フィルムのみからなる試験片TP1及び試験片TP2について、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図21及び表2に表す。図21から明らかなように、比較例4の試験片は参考例1の電磁波吸収フィルムに匹敵するノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。しかし、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で-15 dBm以上、特に-10 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察されただけでなく、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内でも-25 dBm以上、特に-20 dBm以上と大きな累積放射ノイズが試験片TP2のほぼ全体で観察された。これから、比較例4の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において著しく大きい放射ノイズを放出することが分かる。
参考例1の2枚の電磁波吸収フィルムを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図22及び表2に表す。図22から明らかなように、比較例5の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムに匹敵するノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。しかし、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2のほぼ全体で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2のほぼ全体で観察された。これから、比較例5の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。この理由は、比較例5の近傍界電磁波吸収体を構成する2枚の電磁波吸収フィルムのいずれも電磁波シールド性が不十分であるためであると考えられる。
参考例1の電磁波吸収フィルムと参考例5の電磁波吸収フィルムとを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図23及び表2に表す。図23から明らかなように、比較例6の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムに匹敵するノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。しかし、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約半分で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約20%で観察された。これから、比較例6の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。この理由は、比較例6の近傍界電磁波吸収体を構成する参考例1及び5の電磁波吸収フィルムのいずれも放射ノイズ吸収能(電磁波シールド性)が不十分であるためであると考えられる。
参考例3の2枚の電磁波吸収フィルムを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ24及び表2に表す。図24から明らかなように、比較例7の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより劣るノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内では-20 dBm以上の累積放射ノイズが観察されなかったが、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、試験片TP2の一部で25 dBm以上の累積放射ノイズが観察されただけでなく、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズも試験片TP2の約15%で観察された。これから、比較例7の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。この理由は、比較例7の近傍界電磁波吸収体を構成する参考例3の2枚の電磁波吸収フィルムの伝導ノイズ吸収能が不十分であるためであると考えられる。
参考例4の2枚の電磁波吸収フィルムを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図25及び表2に表す。図25から明らかなように、比較例8の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2のほぼ全体で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約半分で観察された。これから、比較例8の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。
参考例3の電磁波吸収フィルムと参考例5の電磁波吸収フィルムとを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図26及び表2に表す。図26から明らかなように、比較例9の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムより僅かに劣るノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。また、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約20%で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約10%で観察された。これから、比較例9の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。
参考例5の2枚の電磁波吸収フィルムを、線状痕付きアルミニウム薄膜同士を内側にして実施例1と同様に接着し、近傍界電磁波吸収体を作製した。この近傍界電磁波吸収体から試験片TP1及び試験片TP2を切り出し、実施例1と同じ方法によりノイズ吸収率Ploss/Pin及び放射ノイズを測定した。結果をそれぞれ図27及び表2に表す。図27から明らかなように、比較例9の近傍界電磁波吸収体は参考例1の電磁波吸収フィルムに匹敵するノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。しかし、0.03 GHz乃至3.5 GHz未満の周波数範囲内で、-15 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部の領域でしか観察されなかったが、-20 dBm~-15 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約30%で観察された。また、3.5 GHz乃至7 GHzの周波数範囲内で、25 dBm以上の累積放射ノイズは試験片TP2の一部でしか観察されなかったが、-30 dBm~-25 dBmの累積放射ノイズは試験片TP2の約20%で観察された。これから、比較例10の試験片は0.03 GHz乃至7 GHzの周波数範囲において大きな放射ノイズを放出することが分かる。
参考例1で製造した線状痕の加工程度が中1の電磁波吸収フィルムのロットから任意に10枚の電磁波吸収フィルム片Aを切り出した。また、参考例3で製造した線状痕の加工程度が弱1の電磁波吸収フィルムのロットからも任意に10枚の電磁波吸収フィルム片Bを切り出した。各電磁波吸収フィルム片Aと各電磁波吸収フィルム片Bを任意に組合せて、線状痕付きアルミニウム薄膜を内側にして非導電性接着剤により接着し、10枚の近傍界電磁波吸収体の試験片TP2を作製した。得られた各試験片TP2に対して、森田テック株式会社製のEMCノイズスキャナー(WM7400)により、0.03 GHz乃至7 GHzの範囲において周波数をスキャンし、参考例1と同様にして放射ノイズを測定した。図38~図47はそれぞれ0.03 GHz乃至3.5 GHzの範囲における累積放射ノイズ及び3.5 GHz乃至7 GHzの範囲における累積放射ノイズを示す。
図28~図37から明らかなように、線状痕の加工程度が中1のロットから任意に選んだ電磁波吸収フィルムと線状痕の加工程度が弱1のロットから任意に選んだ電磁波吸収フィルムとを接着してなる本発明の近傍界電磁波吸収体は、いずれも累積放射ノイズが小さかった。これから、本発明の近傍界電磁波吸収体は、電磁波吸収フィルムのいずれの組合でも安定して放射ノイズを抑制できることが分かる。
参考例1で製造した線状痕の加工程度が中1の電磁波吸収フィルムの第一のロットから任意に10枚の電磁波吸収フィルム片を切り出した。また、参考例1と同じ条件で製造した線状痕の加工程度が中1の電磁波吸収フィルムの第二のロットからも任意に10枚の電磁波吸収フィルム片を切り出した。第一のロットの各電磁波吸収フィルム片と第二のロットの各電磁波吸収フィルム片とを任意に組合せて、線状痕付きアルミニウム薄膜を内側にして非導電性接着剤により接着し、10枚の近傍界電磁波吸収体の試験片TP2を作製した。得られた各試験片TP2に対して、実施例5と同様にして放射ノイズを測定した。図38~図47はそれぞれ0.03 GHz乃至3.5 GHzの範囲における累積放射ノイズ及び3.5 GHz乃至7 GHzの範囲における累積放射ノイズを示す。
100,100a,100b・・・電磁波吸収フィルム
10,10a,10b・・・プラスチックフィルム
11,11a,11b・・・金属薄膜
12,12a,12b,12c,12d・・・線状痕
2a,2b,2c,2d・・・パターンロール
3a,3b,3c,3d,3e・・・押えロール
20・・・接着層
Claims (9)
- 少なくとも1層のプラスチックフィルムと、2層の線状痕付き金属薄膜とを有し、前記線状痕付き金属薄膜の各々には金属薄膜に実質的に平行な多数の断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されており、一方の線状痕付き金属薄膜が150~210Ω/□の表面抵抗率を有し、他方の線状痕付き金属薄膜が10~50Ω/□の表面抵抗率を有することを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、片面に線状痕付き金属薄膜を有する一対のプラスチックフィルムが接着されていることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項2に記載の近傍界電磁波吸収体において、前記線状痕付き金属薄膜同士が接着されていることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、1枚のプラスチックフィルムと、前記プラスチックフィルムの両面に設けられた2層の線状痕付き金属薄膜とからなることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、両金属薄膜の厚さが20~100 nmであることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、両金属薄膜に形成された線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30~90°であることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、前記線状痕付き金属薄膜の一方の光透過率が2.5~4%であり、他方の光透過率が1~2.3%であることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収体において、両金属薄膜がアルミニウムからなることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
- 請求項1~8のいずれかに記載の近傍界電磁波吸収体において、両金属薄膜に形成された線状痕の幅は0.1~100μmの範囲内にあって、平均2~50μmであり、前記線状痕の間隔は0.1~500μmの範囲内にあって、平均10~100μmであることを特徴とする近傍界電磁波吸収体。
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