JP4685977B2 - 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム及びその製造装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電磁波吸収能の異方性が低い電磁波吸収体に好適な線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム、及びその製造装置に関する。
パーソナルコンピュータ、携帯電話、有料道路の自動料金収受システム（ETC）、無線LAN等の電子機器や通信機器のシステムには、電磁波の漏洩及び進入を防止する電磁波吸収体が使用されている。電磁波吸収体には、広範囲の周波数の電磁波を良好に吸収できるだけでなく、入射方向に応じた電磁波吸収能の差（電磁波吸収能の異方性）が少ないことも求められる。さらにETC等のように円偏波を用いるシステムでは、TE波（入射面に対して電界成分が垂直な電磁波）及びTM波（入射面に対して磁界成分が垂直な電磁波）の両方とも効率良く吸収することも必要であり、かかる要求を満たす電磁波吸収体も求められている。
現在広く使用されているのは金属のシート又はネットからなる電磁波吸収体であるが、最近プラスチックシートに金属蒸着膜を形成した電磁波吸収シートも提案されている。例えば特開平9-148782号は、プラスチックフィルムと、その両面に形成した第一及び第二のアルミニウム蒸着膜とからなり、第一のアルミニウム蒸着膜は非導通の線状パターンにエッチングされており、第二のアルミニウム蒸着膜は網目状の導通パターンにエッチングされている電磁波吸収シートを提案している。しかし、この電磁波吸収シートの線状パターン及び網目状パターンはいずれも規則的であるので、広範囲の周波数の電磁波を効率良く吸収することができない上に、電磁波吸収能の異方性が大きい。
特開平11-40980号は、プラスチックフィルムの一面に順に銅蒸着層及びニッケル蒸着層を形成してなる電磁波シ−ルド材を提案している。しかしこの電磁波シ−ルド材は電磁波吸収能が十分でないだけでなく、その異方性が大きい。
従って本発明の目的は、種々の周波数の電磁波に対して良好な吸収能を有するだけでなく、電磁波吸収能の異方性が低い電磁波吸収体に好適な線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム、及びその製造装置を提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(a) プラスチックフィルムに形成した金属薄膜に、多数の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成すると、種々の周波数の電磁波に対して良好な吸収能を有するだけでなく、電磁波吸収能の異方性が低い線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムが得られること、及び(b) このような線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、多数の高硬度微粒子を表面に有する複数のパターンロールを軸線方向が異なるように具備する装置により製造できることを発見し、本発明に想到した。
すなわち、電磁波吸収能の異方性が低減された本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されていることを特徴とする。前記金属薄膜はアルミニウム、銅、ニッケル又はこれらの合金からなるのが好ましい。
前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜1,000μmの範囲内にあって、平均１〜100μmであるのが好ましい。前記線状痕の間隔は0.1μm〜５mmの範囲内にあって、平均１〜100μmであるのが好ましい。前記線状痕は少なくとも二方向に配向しており、その交差角は10〜90°であるのが好ましい。
上記線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを製造する本発明の装置は、金属薄膜−プラスチック複合フィルムの金属薄膜に線状痕を形成するように配置された多数の高硬度微粒子を表面に有する複数のパターンロールと、前記パターンロールを前記複合フィルムに押圧する手段とを具備し、前記複数のパターンロールは前記複合フィルムの金属薄膜に摺接する面内において異なる方向を向いており、もって前記金属薄膜を前記複数のパターンロールに順次摺接させることにより、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする。
本発明の一実施形態による線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置（第一の装置）は２本のパターンロールを有し、両パターンロールは前記複合フィルムの幅方向に関して相互に逆の側に傾斜している。
第一の装置の好ましい例は、(a) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置された上流側の第一のパターンロールと、(b) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記前記複合フィルムの幅方向に配置された下流側の第二のパターンロールと、(c) 前記第一及び第二のパターンロールの周辺に配置された複数の押えロールとを具備し、両パターンロールは前記複合フィルムの幅方向に関して相互に逆の側に傾斜しており、前記金属薄膜を押えロールで押圧した状態で前記第一及び第二のパターンロールに摺接させ、もって前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする。
本発明の別の実施形態による線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置（第二の装置）は２本のパターンロールを有し、一方のパターンロールは前記複合フィルムの幅方向に平行であり、他方のパターンロールは前記複合フィルムの幅方向に対して傾斜している。
第二の装置の好ましい例は、(a) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置された第一のパターンロールと、(b) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と平行に配置された第二のパターンロールと、(c) 前記第一及び第二のパターンロールの周辺に配置された複数の押えロールとを具備し、前記第一及び第二のパターンロールのいずれか一方が前記複合フィルムの走行方向に関して上流側に位置し、他方が下流側に位置し、前記金属薄膜は押えロールで押圧された状態で前記第一及び第二のパターンロールに順次摺接し、もって前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする。
第一及び第二の装置を組合せた構成も本発明に含まれる。例えば、複合フィルムの走行方向に関して相互に逆の側に傾斜した２本のパターンロールと、複合フィルムの幅方向に平行な１本のパターンロールとを組合せても良い。また複合フィルムの走行方向に関して傾斜したパターンロールは３本以上でも良い。
いずれの装置でも、各パターンロールの複合フィルムに対する角度、及び／又は複合フィルムの走行速度に対する各パターンロールの周速度を調整することにより、第一のパターンロールで形成される線状痕及び第二のパターンロールで形成される線状痕の方向及び交差角を調整することができる。またパターンロールに対する押えロールの位置及び／又は角度を調整することにより、前記複合フィルムの蛇行を防止することができる。
複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置されたパターンロールの回転方向は複合フィルムの進行方向と同じであるのが好ましい。
第一及び第二の装置はいずれも金属薄膜に接触する少なくとも一つの電気抵抗測定手段を有し、前記電気抵抗測定手段により得られた電気抵抗の測定値に応じて装置の運転条件を調整するのが好ましい。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは電磁波吸収体として使用するのに適する。複数枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを直接又は誘電体層を介して積層すると、電磁波吸収能が向上する。積層する場合、それぞれの線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを線状痕の方向が異なるように配置するのが好ましい。誘電体層は、例えばハニカム構造体のように空気層を含むものでも良い。
本発明の電磁波吸収体は電磁波反射体と組合せても良い。電磁波反射体は金属シート、金属薄膜を形成したプラスチックフィルム等である。電磁波吸収体と電磁波反射体との間に誘電体層を設ける場合、その厚さは吸収すべき電磁波ノイズの中心波長λの１／４を含む範囲、例えばλ／８〜λ／２の範囲であるのが好ましい。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、金属薄膜に線状痕が複数方向に形成されているので、種々の周波数の電磁波に対して優れた吸収能を有するのみならず、電磁波吸収能の異方性が低い。本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを直接又は誘電体層を介して複数枚組合せると、電磁波吸収能が向上する。特に誘電体層が空気の場合、優れた電磁波吸収能だけでなく優れた断熱性及び防音性も有するので、建材等に好適である。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムと電磁波反射体とを誘電体層を介して組合せると、両者の反射波が干渉により打ち消し合うので、極めて高い電磁波吸収能が得られる。
このような特徴を有する本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビ等の電子機器及び通信機器、ICタグ、非接触ICカード等を用いるRFID（Radio Frequency Identification）システム、無線LANシステム、有料道路の自動料金収受システム（ETC）、建築物の内壁等に用いるのに好適である。
本発明の装置は異なる方向に配置された少なくとも２つのパターンロールを具備するので、金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に連続的に形成することができ、もって電磁波吸収能の異方性が低減された電磁波吸収フィルムを安価に製造することができる。
本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。
[1] 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、プラスチックフィルムの少なくとも一面に単層又は多層の金属薄膜を有する。多層の金属薄膜を二層構造とする場合、磁性金属薄膜と非磁性金属薄膜との組合せが好ましい。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、プラスチックフィルムの少なくとも一面に単層又は多層の金属薄膜を有する。多層の金属薄膜を二層構造とする場合、磁性金属薄膜と非磁性金属薄膜との組合せが好ましい。
図1(a)〜図1(d)は、プラスチックフィルム10の一面全体に形成された金属薄膜11に実質的に平行で断続的な多数の線状痕12が二方向に形成された例を示す。
(1) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
(2) 金属薄膜
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、銀及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜を用いても良いが、高周波数の電磁波の吸収能はほとんど変わらない。金属薄膜の厚さは0.01〜５μmがより好ましく、0.01〜１μmが最も好ましく、10〜100 nmが特に好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、銀及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜を用いても良いが、高周波数の電磁波の吸収能はほとんど変わらない。金属薄膜の厚さは0.01〜５μmがより好ましく、0.01〜１μmが最も好ましく、10〜100 nmが特に好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
(3) 線状痕
図1(b)及び図1(c) に示すように、金属薄膜11に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a，12bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c)では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。線状痕12の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求め、線状痕12の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さにおける線状痕12の間隔とする。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
図1(b)及び図1(c) に示すように、金属薄膜11に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a，12bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c)では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。線状痕12の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求め、線状痕12の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さにおける線状痕12の間隔とする。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
線状痕12の幅Wの90％以上は0.1〜1,000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜100μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.1〜20μmの範囲内にあるのが最も好ましい。線状痕12の平均幅Wavは１〜100μmであるのが好ましく、１〜20μmがより好ましく、１〜10μmが最も好ましい。
線状痕12の間隔Iは0.1μm〜５mmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜1,000μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.1〜100μmの範囲内にあるのが最も好ましく、0.1〜20μmの範囲内にあるのが特に好ましい。また線状痕12の平均間隔Iavは１〜100μmが好ましく、１〜20μmがより好ましく、１〜10μmが最も好ましい。
線状痕12の長さLは、摺接条件（主としてロール及びフィルムの相対的な周速、及びフィルムのロールへの巻回角度）により決まるので、摺接条件を変えない限り大部分がほぼ同じである（ほぼ平均長さに等しい）。線状痕12の長さは特に限定的でなく、実用的には1〜100 mm程度で良い。
線状痕12a，12bの鋭角側の交差角（以下特に断りがなければ単に「交差角」とも言う）θsは10°以上90°未満が好ましく、20〜70°がより好ましい。金属薄膜−プラスチック複合フィルムとパターンロールとの摺接条件（摺接方向、周速比等）を調整することにより、図2(a)〜図2(c) に示すように種々の交差角θsの線状痕12が得られる。
(4) 微細穴
図3(a) 及び図3(b) に示すように、金属薄膜11に線状痕12の他に多数の微細貫通穴13をランダムに設けても良い。微細穴13は、表面に高硬度微粒子を有するロールを金属薄膜11に押圧することにより形成することができる。図3(b) に示すように、微細穴13の開口径Dは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求める。微細穴13の開口径Dは90％以上が0.1〜1,000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜500μmの範囲内にあるのがより好ましい。また微細穴13の平均開口径Davは0.5〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましい。
図3(a) 及び図3(b) に示すように、金属薄膜11に線状痕12の他に多数の微細貫通穴13をランダムに設けても良い。微細穴13は、表面に高硬度微粒子を有するロールを金属薄膜11に押圧することにより形成することができる。図3(b) に示すように、微細穴13の開口径Dは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求める。微細穴13の開口径Dは90％以上が0.1〜1,000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜500μmの範囲内にあるのがより好ましい。また微細穴13の平均開口径Davは0.5〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましい。
(5) 保護層
図４に示すように、金属薄膜11の上に、線状痕12（及び微細穴13）を覆うプラスチック保護層10aを形成するのが好ましい。保護層10aの厚さは10〜100μmが好ましい。
図４に示すように、金属薄膜11の上に、線状痕12（及び微細穴13）を覆うプラスチック保護層10aを形成するのが好ましい。保護層10aの厚さは10〜100μmが好ましい。
(6) 表面抵抗
線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１の電磁波反射係数RCは、RC＝（R−Z）／（R＋Z）［ただし、Rは金属薄膜11の表面抵抗（Ω／□）であり、Zは電磁波の特性インピーダンス（Ω）である。］により表され、R＝Zだと0である。金属薄膜11の表面抵抗は、金属薄膜11の材料及び厚さ、線状痕12の幅、間隔、長さ等により調整することができる。表面抵抗は直流二端子法で測定することができる。電磁波の特性インピーダンスZは、電磁波源の近傍では電磁波源からの距離に応じて大きく変化し、電磁波源から十分に遠い位置では自由空間の特性インピーダンス（377Ω）である。従って、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１を電磁波源の近傍に配置する場合、Zにできるだけ近くなるようにRを調整し、電磁波源から十分に遠い位置に配置する場合、Rを自由空間の特性インピーダンスに近づける。
線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１の電磁波反射係数RCは、RC＝（R−Z）／（R＋Z）［ただし、Rは金属薄膜11の表面抵抗（Ω／□）であり、Zは電磁波の特性インピーダンス（Ω）である。］により表され、R＝Zだと0である。金属薄膜11の表面抵抗は、金属薄膜11の材料及び厚さ、線状痕12の幅、間隔、長さ等により調整することができる。表面抵抗は直流二端子法で測定することができる。電磁波の特性インピーダンスZは、電磁波源の近傍では電磁波源からの距離に応じて大きく変化し、電磁波源から十分に遠い位置では自由空間の特性インピーダンス（377Ω）である。従って、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１を電磁波源の近傍に配置する場合、Zにできるだけ近くなるようにRを調整し、電磁波源から十分に遠い位置に配置する場合、Rを自由空間の特性インピーダンスに近づける。
図5(a) 及び図5(b) に示すように、プラスチックフィルム10に複数の金属薄膜11a，11bを設けても良い。一方の金属薄膜を非磁性金属により形成し、他方の金属薄膜を磁性金属により形成するのが好ましい。多層の金属薄膜11a，11bでも、線状痕12自体は図1(a)〜図2(c) に示すものと同じで良い。非磁性金属として銅、銀、アルミニウム、錫又はこれらの合金が挙げられ、磁性金属としてニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。好ましい組合せはニッケルと銅又はアルミニウムである。磁性金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましく、非磁性金属薄膜の厚さは0.1μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、両者とも実用的には10μm程度で良い。より好ましくは、磁性金属薄膜の厚さは0.01〜５μmであり、非磁性金属薄膜の厚さは0.1〜５μmである。
[2] 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置
図6(a)〜図6(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜−プラスチック複合フィルム100を巻き出すリール21と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜11の側に配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側で金属薄膜11の反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向にかつ金属薄膜11の側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 第一及び第二のパターンロール2a，2bの間で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4aと、(g) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4bと、(h) 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。
図6(a)〜図6(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜−プラスチック複合フィルム100を巻き出すリール21と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜11の側に配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側で金属薄膜11の反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向にかつ金属薄膜11の側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 第一及び第二のパターンロール2a，2bの間で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4aと、(g) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4bと、(h) 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。
図6(c) に示すように、各パターンロール2a，2bとの摺接位置より低い位置で各押えロール3a，3bが複合フィルム100に接するので、複合フィルム100の金属薄膜11は各パターンロール2a，2bに押圧される。この条件を満たしたまま各押えロール3a，3bの縦方向位置を調整することにより、各パターンロール2a，2bの金属薄膜11への押圧力を調整でき、また中心角θ1に比例する摺接距離も調整できる。
図6(d) は線状痕12aが複合フィルム100の進行方向に対して斜めに形成される原理を示す。複合フィルム100の進行方向に対してパターンロール2aは傾斜しているので、パターンロール2a上の硬質微粒子の移動方向（回転方向）aと複合フィルム100の進行方向bとは異なる。そこでXで示すように、任意の時点においてパターンロール2a上の点Aにおける硬質微粒子が金属薄膜11と接触して痕Bが形成されたとすると、所定の時間後に硬質微粒子は点A’まで移動し、痕Bは点B’まで移動する。点Aから点A’まで硬質微粒子が移動する間、痕は連続的に形成されるので、点A’から点B’まで延在する線状痕12aが形成されたことになる。
第一及び第二のパターンロール2a，2bで形成される第一及び第二の線状痕群12A，12Bの方向及び交差角θsは、各パターンロール2a，2bの複合フィルム100に対する角度、及び／又は複合フィルム100の走行速度に対する各パターンロール2a，2bの周速度を変更することにより調整することができる。例えば、複合フィルム100の走行速度bに対するパターンロール2aの周速度aを増大させると、図6(d) のYで示すように線状痕12aを線分C’D’のように複合フィルム100の進行方向に対して45°にすることができる。同様に、複合フィルム100の幅方向に対するパターンロール2aの傾斜角θ2を変えると、パターンロール2aの周速度aを変えることができる。これはパターンロール2bについても同様である。従って、両パターンロール2a，2bの調整により、線状痕12a，12bの方向を図1(b) 及び図2(c) に例示するように変更することができる。
各パターンロール2a，2bは複合フィルム100に対して傾斜しているので、各パターンロール2a，2bとの摺接により複合フィルム100は幅方向の力を受ける。従って、複合フィルム100の蛇行を防止するために、各パターンロール2a，2bに対する各押えロール3a，3bの縦方向位置及び／又は角度を調整するのが好ましい。例えば、パターンロール2aの軸線と押えロール3aの軸線との交差角θ3を適宜調節すると、幅方向の力をキャンセルするように押圧力の幅方向分布が得られ、もって蛇行を防止することができる。またパターンロール2aと押えロール3aとの間隔の調整も蛇行の防止に寄与する。複合フィルム100の蛇行及び破断を防止するために、複合フィルム100の幅方向に対して傾斜した第一及び第二のパターンロール2a，2bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じであるのが好ましい。
図6(b) に示すように、ロール形の各電気抵抗測定手段4a，4bは絶縁部40を介して一対の電極41，41を有し、それらの間で線状痕付き金属薄膜11の電気抵抗を測定する。電気抵抗測定手段4a，4bで測定した電気抵抗値をフィードバックして、複合フィルム100の走行速度、パターンロール2a，2bの回転速度及び傾斜角θ2、押えロール3a，3bの位置及び傾斜角θ3等の運転条件を調整する。
複合フィルム100に対するパターンロール2a，2bの押圧力を増大するために、図7に示すようにパターンロール2a，2bの間に第三の押えロール3cを設けても良い。第三の押えロール3cにより中心角θ1に比例する金属薄膜11の摺接距離も増大し、線状痕12a，12bは長くなる。第三の押えロール3cの位置及び傾斜角を調整すると、複合フィルム100の蛇行の防止にも寄与できる。
図８は、図2(a) に示すように三方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bの下流に複合フィルム100の幅方向と平行な第三のパターンロール2cを配置した点で図6(a)〜図6(e) に示す装置と異なる。第三のパターンロール2cの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良いが、線状痕を効率よく形成するために逆方向が好ましい。幅方向と平行に配置された第三のパターンロール2cは複合フィルム100の進行方向に延在する線状痕12cを形成する。第三の押えロール30bは第三のパターンロール2cの上流側に設けられているが、下流側でも良い。第三のパターンロール2cの下流側に電気抵抗測定ロール4cを設けても良い。なお図示の例に限定されず、第三のパターンロール2cを第一のパターンロール2aの上流側、又は第一及び第二のパターンロール2a、2bの間に設けても良い。
図９は、図2(b) に示すように四方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bと第三のパターンロール2cとの間に第四のパターンロール2dを設け、第四のパターンロール2dの上流側に第四の押えロール3dを設けた点で図８に示す装置と異なる。第四のパターンロール2dの回転速度を遅くすることにより、図6(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向と平行にすることができる。
図10は、図2(c)に示すように二方向に配向する線状痕を形成する装置の別の例を示す。この装置は、第二のパターンロール32bが複合フィルム100の幅方向と平行に配置されている点で図6(a)〜図6(e) に示す装置と異なる。従って、図6(a)〜図6(e) に示す装置と異なる部分のみ以下説明する。第二のパターンロール32bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良い。また第二の押えロール33bは第二のパターンロール32bの上流側でも下流側でも良い。この装置は、図6(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向にし、図2(c) に示す線状痕を形成するのに適している。
線状痕の傾斜角及び交差角だけでなく、それらの深さ、幅、長さ及び間隔を決める運転条件は、複合フィルム100の走行速度、パターンロールの回転速度及び傾斜角及び押圧力等である。複合フィルムの走行速度は５〜200 m/分が好ましく、パターンロールの周速は10〜2,000 m/分が好ましい。パターンロールの傾斜角θ2は20°〜60°が好ましく、特に約45°が好ましい。複合フィルム100の張力（押圧力に比例する）は0.05〜５kgf/cm幅が好ましい。
本発明の装置に使用するパターンロールは、鋭い角部を有するモース硬度５以上の微粒子を表面に有するロール、例えば特開2002-59487号に記載されているダイヤモンドロールが好ましい。線状痕の幅は微粒子の粒径により決まるので、ダイヤモンド微粒子の90％以上は１〜1,000μmの範囲内の粒径を有するのが好ましく、10〜200μｍの範囲内の粒径がより好ましい。ダイヤモンド微粒子はロール面に50％以上の面積率で付着しているのが好ましい。
特許第2063411号に記載の方法により線状痕12を有する金属薄膜11に多数の微細穴13を形成することができる。微細穴13を形成するのに用いるロール自体は線状痕形成用ロールと同じで良い。微細穴13は、線状痕形成用ロールと同様に鋭い角部を有するモース硬度５以上の多数の微粒子が表面に付着したロールと平滑面のロールとの間隙に複合フィルム100を同じ周速で通過させることにより形成できる。
[3] 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの特性及び用途
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、多数の断続的で不規則な線状痕が複数方向に形成されているので、種々の周波数を有する電磁波ノイズに対して高い吸収能を有し、かつ入射方向に応じた電磁波吸収能の変化（異方性）が小さい。さらにTE波（入射面に対して電界成分が垂直な電磁波）及びTM波（入射面に対して磁界成分が垂直な電磁波）の両方とも効率良く吸収することができる。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、多数の断続的で不規則な線状痕が複数方向に形成されているので、種々の周波数を有する電磁波ノイズに対して高い吸収能を有し、かつ入射方向に応じた電磁波吸収能の変化（異方性）が小さい。さらにTE波（入射面に対して電界成分が垂直な電磁波）及びTM波（入射面に対して磁界成分が垂直な電磁波）の両方とも効率良く吸収することができる。
このような特徴を有する線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビ等の電子機器や通信機器、ICタグ、非接触ICカード等を用いるRFID（Radio Frequency Identification）システム、無線LANシステム、有料道路の自動料金収受システム等における電磁波ノイズの漏洩及び進入の防止や、情報の漏洩防止等に適している。
[4] 電磁波吸収体
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック層複合フィルムは単独で電磁波吸収体として使用できるが、必要に応じて直接又は誘電体層を介して複数枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを積層しても良い。一枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムで吸収されずに反射又は透過した電磁波は別の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムにより吸収されるので、電磁波吸収能は著しく向上する。
本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック層複合フィルムは単独で電磁波吸収体として使用できるが、必要に応じて直接又は誘電体層を介して複数枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを積層しても良い。一枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムで吸収されずに反射又は透過した電磁波は別の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムにより吸収されるので、電磁波吸収能は著しく向上する。
組み合わせる線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムは同種の金属薄膜を有する必要がなく、異種の金属薄膜を有するものを組合せても良い。例えば、線状痕の交差角が異なる二枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを組合せにおいて、一方の表面抵抗を20〜377Ω／□、好ましくは30〜377Ω／□とし、他方の表面抵抗を377〜10,000Ω／□、好ましくは377〜7,000Ω／□とすると、電界及び磁界の両方を効率的に吸収することができ、かつ電磁波吸収能の異方性が一層低くなる。この組合せの場合、両線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムとも、線状痕の交差角θsは20〜70°であるのが好ましい。また磁性金属（例えばニッケル）薄膜を有する第一の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムと非磁性金属（例えばアルミニウム又は銅）薄膜を有する第二の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムとの組合せも好ましい。
線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの間に誘電体層を設ける場合、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの間隔は0.2〜10 mmが好ましく、１〜８mmがより好ましい。
図11は、二枚の平坦な線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1a，1aの間に波形の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1bを設けた構造を有する多層型電磁波吸収体の一例を示す。線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1bの波形は正弦曲線状、連続した円弧状、連続したコの字状等で良い。平坦な線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1a，1aと波形の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1bは線接着されているので、この多層型電磁波吸収体は十分な自己支持性を有し、電子通信機器のみならず建築物に使用するのに好適である。波形の高さh1及び間隔I2は、電子通信機器の筺体に設ける場合には0.2〜３mmが好ましく、建築物の内壁に設ける場合には優れた断熱性及び防音性を発揮するために３〜10 mmが好ましい。
平坦な線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1a及び波形の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1bを交互に積層しても良い。この場合線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1bの波形の配向を異ならせても良い。
図12(a) 及び図12(b) は、二枚の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1c，1dの金属薄膜11，11側を接着した多層型電磁波吸収体の例を示す。14は接着層を示す。
[5] 複合型電磁波吸収体
図13に示すように、本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムと電磁波反射体とを組合せて、複合型電磁波吸収体とすることもできる。この複合型電磁波吸収体は、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１と電磁波反射体15とを誘電体層16を介して積層してなる。線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１は電磁波源側に配置する。電磁波反射体15は、金属のシート、ネット又はメッシュ、金属薄膜を形成したプラスチックフィルム等である。誘電体層16は、プラスチック等からなる中実の誘電体のみならず、空気層を含む多孔構造体でも良い。誘電体層16の厚さは、吸収すべき電磁波の中心波長λの1／4を含む範囲、例えばλ／８〜λ／２の範囲とするのが好ましい。
図13に示すように、本発明の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムと電磁波反射体とを組合せて、複合型電磁波吸収体とすることもできる。この複合型電磁波吸収体は、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１と電磁波反射体15とを誘電体層16を介して積層してなる。線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム１は電磁波源側に配置する。電磁波反射体15は、金属のシート、ネット又はメッシュ、金属薄膜を形成したプラスチックフィルム等である。誘電体層16は、プラスチック等からなる中実の誘電体のみならず、空気層を含む多孔構造体でも良い。誘電体層16の厚さは、吸収すべき電磁波の中心波長λの1／4を含む範囲、例えばλ／８〜λ／２の範囲とするのが好ましい。
図14に示すように、複数の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1eと複数の誘電体層16との交互積層体と、電磁波反射体15との組合せでも良い。電磁波反射体15は積層体の中央にもうけるのが好ましい。この場合、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1eは、線状痕の交差角θsが交互に異なるように積層するのが好ましい。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
実施例１
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a，2bを有する図6(a) に示す構造の装置を用い、厚さ12μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜を形成した複合フィルムから線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック層複合フィルムを製造した。線状痕は図1(b)に示すように二方向に配向していた。線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの光学顕微鏡写真を図15に示す。
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a，2bを有する図6(a) に示す構造の装置を用い、厚さ12μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜を形成した複合フィルムから線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック層複合フィルムを製造した。線状痕は図1(b)に示すように二方向に配向していた。線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの光学顕微鏡写真を図15に示す。
光学顕微鏡写真から、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：５mm
鋭角側の交差角θs：30°
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：５mm
鋭角側の交差角θs：30°
図16に示すように、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの試験片T1（28 cm×28 cm）の対向端部に四対の銅電極（３cm×１cm）61，61を配置し、それらの間の抵抗値を直流二端子法により測定した。平均抵抗値から求めた線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの表面抵抗は、377Ω／□であった。
発砲ウレタン樹脂板（28 cm×28 cm×2 cm）の一面に線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを接合し、他面にアルミニウム板（28 cm×28 cm×1 mm）を接合し、図13に示す複合型電磁波吸収体の試験片T2を作製した。
接地した誘電体製ホルダ62と、ホルダ62から100 cm離れた送信アンテナ63a及び受信アンテナ63bと、アンテナ63a，63bに接続したネットワークアナライザ64とを有する図17に示す装置を用い、複合型電磁波吸収体の電磁波吸収能を以下の方法により評価した。まずホルダ62に固定したアルミニウム板（28 cm×28 cm×2 mm）に、アンテナ63aから10°から60°まで10°間隔で入射角度θiを変えながら、１〜７GHzの電磁波（円偏波）を0.25 GHz間隔で照射し、アンテナ63bで反射波を受信し、ネットワークアナライザ64により反射電力を測定した。次に試験片T2を、アルミニウム薄膜をアンテナ63a，63b側にして線状痕の鋭角な交差方向が水平となるようにホルダ62に固定し、上記と同様にして反射電力を測定した。アルミニウム板を用いて測定した反射電力が入射電力と等しいと仮定し、反射係数（反射電力／入射電力）RCを求め、RL（dB）＝20 log(1/RC)により反射減衰量（リターンロス）RL（dB）を求めた。3.5 GHzで各入射角度θiにおける反射減衰量RLをプロットした結果を図18に示す。
実施例２〜９
線状痕の交差角θsをそれぞれ10°，20°，40°，50°，60°，70°，80°及び90°とした以外実施例１と同様にして、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを作製し、電磁波吸収能を評価した。結果を図18〜20に示す。図18〜20から明らかなように、実施例１〜９の複合型電磁波吸収体はいずれも3.5GHzの電磁波に対して５dB以上の吸収能を有していた。特に線状痕の交差角θsが20〜80°である実施例１及び実施例３〜８の複合型電磁波吸収体は10 dB以上の吸収能を有していた。中でも交差角θsが30°である実施例１の複合型電磁波吸収体は、10〜50°の入射角度θiの電磁波に対して30 dB以上の吸収能を有していた。
線状痕の交差角θsをそれぞれ10°，20°，40°，50°，60°，70°，80°及び90°とした以外実施例１と同様にして、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを作製し、電磁波吸収能を評価した。結果を図18〜20に示す。図18〜20から明らかなように、実施例１〜９の複合型電磁波吸収体はいずれも3.5GHzの電磁波に対して５dB以上の吸収能を有していた。特に線状痕の交差角θsが20〜80°である実施例１及び実施例３〜８の複合型電磁波吸収体は10 dB以上の吸収能を有していた。中でも交差角θsが30°である実施例１の複合型電磁波吸収体は、10〜50°の入射角度θiの電磁波に対して30 dB以上の吸収能を有していた。
実施例10
実施例１と同様にして、線状痕の交差角θsが40°の線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの試験片T2（21 cm×29.7 cm、線状痕の鋭角な交差方向が長手方向と一致）を作製し、図17に示す装置を用いて電磁波吸収能を以下の方法により評価した。まずホルダ62にアルミニウム板（縦21 cm×横29.7 cm×厚さ2 mm）を取り付け、アンテナ63aから10°から60°まで10°間隔で入射角度θiを変えながら、１〜４GHzのTE波及びTM波をそれぞれ0.25 GHz間隔で照射し、アンテナ63bで反射波を受信し、ネットワークアナライザ64により反射電力を測定した。次に試験片T2を図1(b) に示すように線状痕の鋭角な交差方向が水平となるようにホルダ62に固定し、同様に反射電力を測定した。反射電力の測定値から、実施例１と同様にしてTE波及びTM波の各々について反射減衰量RL（dB）を求めた。各入射角度θiにおけるピーク吸収率（dB）及びそれが得られた周波数（ピーク周波数：GHz）をプロットした結果を図21に示す。
実施例１と同様にして、線状痕の交差角θsが40°の線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの試験片T2（21 cm×29.7 cm、線状痕の鋭角な交差方向が長手方向と一致）を作製し、図17に示す装置を用いて電磁波吸収能を以下の方法により評価した。まずホルダ62にアルミニウム板（縦21 cm×横29.7 cm×厚さ2 mm）を取り付け、アンテナ63aから10°から60°まで10°間隔で入射角度θiを変えながら、１〜４GHzのTE波及びTM波をそれぞれ0.25 GHz間隔で照射し、アンテナ63bで反射波を受信し、ネットワークアナライザ64により反射電力を測定した。次に試験片T2を図1(b) に示すように線状痕の鋭角な交差方向が水平となるようにホルダ62に固定し、同様に反射電力を測定した。反射電力の測定値から、実施例１と同様にしてTE波及びTM波の各々について反射減衰量RL（dB）を求めた。各入射角度θiにおけるピーク吸収率（dB）及びそれが得られた周波数（ピーク周波数：GHz）をプロットした結果を図21に示す。
また線状痕の鋭角な交差方向が垂直となるようにホルダ62に固定した以外上記と同様にして試験片T2の電磁波吸収能を評価した。結果を図22に示す。
図21及び22から明らかなように、実施例10の線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムは、10〜60°の入射角度θiのTE波及びTM波のいずれに対しても５dB以上のピーク吸収率を有し、特に40〜60°の入射角度θiの場合、10 dB以上のピーク吸収率を有していた。
実施例11
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a〜2dを具備する図９に示す構造の装置を用い、厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜を有する複合フィルムから、図2(b) に示すように四方向に配向した線状痕（交差角度は全て45°）を作製した。線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの試験片（60 cm×60 cm）の表面抵抗は377Ω／□であった。光学顕微鏡写真から、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜10μm
平均間隔Iav：５μm
平均長さLav：５mm
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a〜2dを具備する図９に示す構造の装置を用い、厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜を有する複合フィルムから、図2(b) に示すように四方向に配向した線状痕（交差角度は全て45°）を作製した。線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの試験片（60 cm×60 cm）の表面抵抗は377Ω／□であった。光学顕微鏡写真から、線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜10μm
平均間隔Iav：５μm
平均長さLav：５mm
発砲ポリスチレン板（60 cm×60 cm×15 mm）の一面に線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを接合し、他面にアルミニウム板（60 cm×60 cm×５mm）を接合し、図13に示す複合型電磁波吸収体を作製した。２〜７GHzの電磁波を用い、かつ入射角度θiを７度とした以外実施例１と同様にして、アルミニウム板（60 cm×60 cm×５mm）を用いて反射電力を測定した。次に線状痕付きアルミニウム薄膜をアンテナ63a，63b側にして、上記複合型電磁波吸収体をホルダ62に固定し、上記と同様にして反射電力を測定した。反射電力の測定値から得られた反射係数RCから、RL（dB）＝−20 log(1/RC)により周波数２〜７GHzにおける反射減衰量RL（dB）を求めた。結果を図23に示す。
実施例12及び13
実施例11と同様に作製した表面抵抗が320Ω／□及び270Ω／□の線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを用いた以外実施例11と同様にして複合型電磁波吸収体を作製し、電磁波吸収能を評価した。結果を図23に示す。
実施例11と同様に作製した表面抵抗が320Ω／□及び270Ω／□の線状痕付きアルミニウム薄膜−プラスチック複合フィルムを用いた以外実施例11と同様にして複合型電磁波吸収体を作製し、電磁波吸収能を評価した。結果を図23に示す。
実施例14
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムの一面に真空蒸着法により厚さ0.03μmのニッケル薄膜を形成した複合フィルムを用いた以外実施例１と同様にして、図1(b) に示すように二方向に配向する線状痕を有し、380Ω／□の表面抵抗を有する線状痕付きニッケル薄膜−プラスチック複合フィルムを作製した。光学顕微鏡写真の観察により、線状痕付きニッケル薄膜−プラスチック複合フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜10μm
平均間隔Iav：５μm
平均長さLav：５mm
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムの一面に真空蒸着法により厚さ0.03μmのニッケル薄膜を形成した複合フィルムを用いた以外実施例１と同様にして、図1(b) に示すように二方向に配向する線状痕を有し、380Ω／□の表面抵抗を有する線状痕付きニッケル薄膜−プラスチック複合フィルムを作製した。光学顕微鏡写真の観察により、線状痕付きニッケル薄膜−プラスチック複合フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜５μm
平均幅Wav：２μm
間隔Iの範囲：２〜10μm
平均間隔Iav：５μm
平均長さLav：５mm
線状痕付きニッケル薄膜−プラスチック複合フィルムを用いた以外実施例11と同様にして複合型電磁波吸収体を作製し、電磁波吸収能を評価した。結果を図24に示す。
図23及び図24から明らかなように、実施例11〜14の複合型電磁波吸収体はいずれも２〜７GHzの電磁波に対して５dB以上の吸収能を有していた。特に実施例11〜13の複合型電磁波吸収体は３〜６GHzの電磁波に対して10 dB以上の吸収能を有していた。また実施例11の複合型電磁波吸収体は周波数4.75 GHzにおいて43 dBの最大吸収量を有し、実施例12の複合型電磁波吸収体は周波数4.75 GHzにおいて32.5dBの最大吸収量を有し、実施例13の複合型電磁波吸収体は周波数4.5 GHzにおいて19.5 dBの最大吸収量を有し、実施例14の複合型電磁波吸収体は周波数4.75 GHzにおいて31 dBの最大吸収量を有していた。
Claims (10)
- プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されていることを特徴とする電磁波吸収能の異方性が低減された線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム。
- 請求項１に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムにおいて、前記線状痕が二方向に配向しており、その交差角が10〜90°であることを特徴とする線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム。
- 請求項１又は２に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムにおいて、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜1,000μmの範囲内にあって、平均１〜100μmであり、前記線状痕の間隔は0.1μm〜５mmの範囲内にあって、平均１〜100μmであることを特徴とする線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムにおいて、前記金属薄膜がアルミニウム、銅、ニッケル又はこれらの合金からなることを特徴とする線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム。
- 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置であって、金属薄膜−プラスチック複合フィルムの金属薄膜に線状痕を形成するように配置された多数の高硬度微粒子を表面に有する複数のパターンロールと、前記パターンロールを前記複合フィルムに押圧する手段とを具備し、前記複数のパターンロールは前記複合フィルムの金属薄膜に摺接する面内において異なる方向を向いており、もって前記金属薄膜を前記複数のパターンロールに順次摺接させることにより、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする装置。
- 請求項５に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置において、２本の前記パターンロールを有し、両パターンロールは前記複合フィルムの幅方向に関して相互に逆の側に傾斜していることを特徴とする装置。
- 請求項５に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置において、(a) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置された上流側の第一のパターンロールと、(b) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置された下流側の第二のパターンロールと、(c) 前記第一及び第二のパターンロールの周辺に配置された複数の押えロールとを具備し、両パターンロールは前記複合フィルムの幅方向に関して相互に逆の側に傾斜しており、前記金属薄膜を押えロールで押圧した状態で前記第一及び第二のパターンロールに摺接させ、もって前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする装置。
- 請求項５に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置において、２本の前記パターンロールを有し、一方のパターンロールが前記複合フィルムの幅方向に平行であり、他方のパターンロールが前記複合フィルムの幅方向に対して傾斜していることを特徴とする装置。
- 請求項８に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置において、(a) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と異なる方向に配置された第一のパターンロールと、(b) 多数の高硬度微粒子を表面に有し、前記複合フィルムの幅方向と平行に配置された第二のパターンロールと、(c) 前記第一及び第二のパターンロールの周辺に配置された複数の押えロールとを具備し、前記第一及び第二のパターンロールのいずれか一方が前記複合フィルムの走行方向に関して上流側に位置し、他方が下流側に位置し、前記金属薄膜を押えロールで押圧した状態で前記第一及び第二のパターンロールに順次摺接させ、もって前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を複数方向に形成することを特徴とする装置。
- 請求項５に記載の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムの製造装置において、３本以上の前記パターンロールを有し、２本以上のパターンロールが前記複合フィルムの幅方向に対して傾斜しており、１本のパターンロールが前記複合フィルムの幅方向に平行であることを特徴とする装置。
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