JP5186535B2 - 透明電磁波吸収フィルム - Google Patents
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Description
本発明の透明電磁波吸収フィルムは、プラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を有し、他方の面に複数方向の線状痕群を有する。図1(a)〜図1(d)は、プラスチックフィルム10の一方の面に透明導電体層11が形成され、他方の面に実質的に平行で断続的な多数の線状痕12が二方向に形成された例を示す。
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、透明性及び絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル(ポリエチレンテレフタレート等)、ポリアリーレンサルファイド(ポリフェニレンサルファイド等)、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプロピレン等)等が挙げられる。プラスチックフィルム10の厚さは50〜300μm程度で良い。
透明導電体層11は酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等の透明導電性酸化物、又はニッケル薄膜等の透明金属薄膜からなるのが好ましい。透明導電体層11はスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、ゾルゲル法、メッキ法等の公知の方法により形成することができる。透明導電体層11の厚さは0.01〜2μmが好ましく、0.05〜1μmがより好ましく、0.1〜1μmが最も好ましい。透明金属薄膜の場合、十分な透明度が得られる膜厚にする必要がある。透明導電体層11の表面抵抗は150〜600Ω/□であるのが好ましい。
図1(b)及び図1(c) に示すように、プラスチックフィルム10の他方の面(透明導電体層11を有さない面)に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a,12bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c)では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。なお間隔Iは、線状痕12の配向方向(長手方向)及びそれに直交する方向(横手方向)の両方における間隔を意味する。線状痕12の幅W及び間隔Iはいずれも線状痕形成前のプラスチックフィルム10の表面Sの高さ(元の高さ)で求める。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、本発明の透明電磁波吸収フィルムは広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
図3に示すように、透明導電体層11及び線状痕12を有する面の上にそれぞれ保護層13a,13bを形成するのが好ましい。保護層13a,13bはプラスチックのハードコート又はフィルムであるのが好ましい。フィルムを用いる場合、熱ラミネート法又はドライラミネート法により接着するのが好ましい。保護層13aにより透明導電体層11が保護され、保護層13bにより線状痕12による不透明性が解消される。プラスチックハードコートは、例えば光硬化性樹脂の塗布及び紫外線の照射により形成することができる。保護層13a,13bを形成するハードコート又はフィルムは、線状痕12の効果を確保するためにプラスチックフィルム10と異なる材質であるのが好ましい。各保護層13a,13bの厚さは10〜100μm程度が好ましい。
透明電磁波吸収フィルム1の電磁波反射係数RCは、RC=(R−Z)/(R+Z)[ただし、Rは透明導電体層11の表面抵抗(Ω/□)であり、Zは電磁波の特性インピーダンス(Ω)である。]により表され、R=Zだと0である。透明導電体層11の表面抵抗は材質及び厚さ等により調整できる。表面抵抗は直流二端子法で測定することができる。電磁波の特性インピーダンスZは、電磁波源の近傍では電磁波源からの距離に応じて大きく変化し、電磁波源から十分に遠い位置では自由空間の特性インピーダンス(377Ω)である。従って、透明電磁波吸収フィルム1を電磁波源の近傍に配置する場合、Zにできるだけ近くなるようにRを調整し、電磁波源から十分に遠い位置に配置する場合、Rを自由空間の特性インピーダンスに近づける。
(1) 第一の複合透明電磁波吸収フィルム
複数の透明電磁波吸収フィルム片を線状痕の幅、間隔、長さ及び方向の少なくとも1つが異なるように組合せると、より高い反射減衰量を有する複合透明電磁波吸収フィルムが得られる。図4(a)及び図4(b)は、プラスチックベースフィルム14の一方の面に、線状痕12a,12bの配向が異なる第一〜第三の透明電磁波吸収フィルム片1a〜1cを隙間なく隣接させ、接着してなる複合透明電磁波吸収フィルム100を示す。第一〜第三の透明電磁波吸収フィルム片1a〜1cの面積率は、用途に応じて種々に変更することができるが、好ましい一例は合計を100%としてそれぞれ50〜70%、20〜30%、及び10〜20%である。
図6に示すように、第二の複合透明電磁波吸収フィルム120は、線状痕12を形成する代わりに、プラスチックフィルム10の他方の面(透明導電体層11のない面)に硬化性樹脂層15を形成し、それに線状痕12と実質的に同じ線状溝12’を設けたものである。線状溝12’の形状、サイズ及び配置は第一の複合透明電磁波吸収フィルム100における線状痕12の形状、サイズ及び配置と実質的に同じで良い。線状溝12’は、プラスチックフィルム10の他方の面に塗布したフォトレジスト(硬化性樹脂)層15にパターンマスクを介して紫外線等の光を照射して硬化反応を起こさせ、未硬化の部分をエッチングにより除去する方法により形成することができる。第二の複合透明電磁波吸収フィルム120は複数の透明電磁波吸収フィルムを接着する必要がないので、透明電磁波吸収フィルムの隣接線が現れない。また線状溝12’の配置を任意に設定することができる。
図7(a)〜図7(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。線状痕の形成は、透明導電体層11の形成前でも形成後でも行うことができるが、透明導電体層11の損傷を防ぐためにその形成前に行うのが好ましい。図示の装置は、透明導電体層11のないプラスチックフィルム10に線状痕を形成するものであり、(a)プラスチックフィルム10を巻き出すリール21と、(b) フィルム10の幅方向に対して傾斜して配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側でそれと反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) フィルム10の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向に傾斜し、かつ第一のパターンロール2aと同じ側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側でそれと反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 線状痕付きプラスチックフィルム10’を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22,23が配置されている。各パターンロール2a,2bは、撓みを防止するためにバックアップロール(例えばゴムロール)5a,5bで支持されている。
本発明の透明電磁波吸収フィルムは単独でも電磁波吸収体として使用できるが、透明誘電体層を介して複数枚の透明電磁波吸収フィルムを積層すると、反射減衰量が向上する。組み合わせる透明電磁波吸収フィルムは同種の透明導電体層を有する必要がなく、異種の透明導電体層を有するものを組合せても良い。例えば、線状痕の交差角が異なる二枚の透明電磁波吸収フィルムを組合せる場合、一方の表面抵抗を20〜377Ω/□、好ましくは30〜377Ω/□とし、他方の表面抵抗を377〜10,000Ω/□、好ましくは377〜7,000Ω/□とすると、電界及び磁界の両方を効率的に吸収することができ、かつ電磁波吸収能の異方性が一層低くなる。この組合せの場合、両透明電磁波吸収フィルムとも、線状痕の交差角θsは20〜70°であるのが好ましい。透明電磁波吸収フィルムの間に設ける透明誘電体層はプラスチックシートが好ましく、その厚さは吸収すべき電磁波の中心波長λの1/4を含む範囲、例えばλ/8〜λ/2の範囲とするのが好ましい。
第一の透明電磁波吸収体は、透明電磁波吸収フィルム/透明誘電体層/透明電磁波吸収フィルム、透明電磁波吸収フィルム/透明誘電体層/複合透明電磁波吸収フィルム、及び複合透明電磁波吸収フィルム/透明誘電体層/複合透明電磁波吸収フィルムのいずれかの層構成を有する。一方の(複合)透明電磁波吸収フィルムにおける線状痕の配向と他方の(複合)透明電磁波吸収フィルムにおける線状痕の配向とは異なるのが好ましい。図12(a) 及び図12(b) は第一の透明電磁波吸収体の例を示す。図12(a) の透明電磁波吸収体は、線状痕の幅、間隔、長さ及び方向の少なくとも1つが異なる二枚の透明電磁波吸収フィルム1,1’を透明誘電体層150を介して積層してなり、図12(b) の透明電磁波吸収体は、図4に示す複合透明電磁波吸収フィルム100,100を透明誘電体層150を介して積層してなる。勿論、第一の透明電磁波吸収体の構成はこれらに限定されない。
第二の透明電磁波吸収体は、上記透明電磁波吸収フィルム/透明誘電体層/縦方向のみの線状痕、横方向のみの線状痕又は縦横直交する二方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルム、又は上記複合透明電磁波吸収フィルム//透明誘電体層/縦方向のみの線状痕、横方向のみの線状痕又は縦横直交する二方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルムの層構成を有する。図13は第二の透明電磁波吸収体の一例を示す。この透明電磁波吸収体は、二方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルム1と、横方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルム1’とを透明誘電体層150を介して積層してなる。図14は第二の透明電磁波吸収体の別の例を示す。この透明電磁波吸収体は、図4に示す複合透明電磁波吸収フィルム100と、縦横の線状痕(交差角θs:90°)を有する透明電磁波吸収フィルム1とを透明誘電体層150を介して積層してなる。
一面に厚さ200〜300 nmのITO薄膜(表面抵抗:250Ω/□)を形成した厚さ120μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムからなる透明電磁波吸収フィルムの試験片(32 cm×52 cm)の電磁波吸収能を図15に示す装置を用いて評価した。この装置は、接地された厚さ200〜300 nmのITO薄膜(表面抵抗:250Ω/□)を後面に有する厚さ2cmの透明プラスチック製ホルダ62と、ホルダ62から100 cm離れた送信アンテナ63a及び受信アンテナ63bと、アンテナ63a,63bに接続したネットワークアナライザ64とを有する。まずホルダ62の前面(アンテナ側)に固定したアルミニウム板(32 cm×52 cm×2 mm)に、アンテナ63aから10°から60°まで10°間隔で入射角度θiを変えながら、1〜5.5 GHzの周波数の電磁波(円偏波)を0.25 GHzの周波数間隔で照射し、アンテナ63bで反射波を受信し、ネットワークアナライザ64により反射電力を測定した。次にITO薄膜をアンテナ63a,63b側にして試験片TPをホルダ62の前面に固定し、上記と同様にして反射電力を測定した。
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a,2bを有する図7(a) に示す構造の装置を用い、参考例1の透明電磁波吸収フィルムの他方の面(ITO薄膜のない面)に、図2(c) に示すように90°で交差する二方向の線状痕を形成した。線状痕の特性は下記の通りであった。
幅Wの範囲:0.5〜5μm
平均幅Wav:2μm
横手方向間隔Iの範囲:2〜30μm
平均横手方向間隔Iav:20μm
平均長さLav:5mm
交差角θs:90°
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール2a,2bを有する図7(a) に示す構造の装置を用い、参考例1の透明電磁波吸収フィルムの他方の面(ITO薄膜のない面)に交差角θsが90°の二方向の線状痕を形成し、第一の透明電磁波吸収フィルム1aを得た。次にパターンロール2a,2bの周速及び傾斜角、プラスチックフィルムの走行速度及び張力等を変更して、第一の透明電磁波吸収フィルム1aと異なる二方向の線状痕を有する第二及び第三の透明電磁波吸収フィルム1b,1cを得た。第一〜第三の透明電磁波吸収フィルム1a〜1cの線状痕の特性は表1に示す通りであった。
厚さ20 nmのNi蒸着膜(表面抵抗:500Ω/□)を有する以外参考例1と同じ透明電磁波吸収フィルムの試験片(32 cm×52 cm)について、参考例1と同じ方法で電磁波吸収能を評価した。電磁波吸収能としてのピーク吸収率及びピーク周波数を図21に示す。図21から明らかなように、10°〜60°の入射角度θiで、TE波のピーク吸収率は約8〜6 dBの範囲にあり、またTM波のピーク吸収率は約14〜13 dBの範囲にあった。
参考例2の透明電磁波吸収フィルムの他方の面(Ni蒸着膜のない面)に、交差角θsが90°の二方向の線状痕を形成した。線状痕の特性は下記の通りであった。
幅Wの範囲:0.5〜5μm
平均幅Wav:2μm
横手方向間隔Iの範囲:2〜30μm
平均横手方向間隔Iav:20μm
平均長さLav:5mm
交差角θs:90°
実施例1の二枚の透明電磁波吸収フィルムの試験片(図17)を図24に示すように長辺を水平にして厚さ2cmの透明プラスチック製ホルダ62(後面にITO薄膜が形成されていない)の前面及び後面に固定し、参考例1と同様にしてピーク吸収率及びピーク周波数を測定した。図24においてTP1は前面側の試験片を示し、TP2は後面側の試験片を示す(以下の実施例においても同様)。測定結果を図25に示す。図25から明らかなように、TE波のピーク吸収率は入射角度θiが10°では約33 dBであるが、入射角度θiが20°で約40 dBと最高になり、入射角度θiが60°まで増大するにつれて約15 dBまで低下した。またTM波のピーク吸収率は入射角度θiが10°から60°まで変化するにつれて約33 dBから約15 dBまで低下した。このように透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体の前面及び後面に固定してなる第一の透明電磁波吸収体は優れた電磁波吸収能を有することが分かる。
ホルダ62(後面にITO薄膜が形成されていない)の後面に固定する試験片TP2を図26に示すように水平の線状痕のみを有する透明電磁波吸収フィルムから作製した以外、実施例4と同様にしてピーク吸収率及びピーク周波数を測定した。測定結果を図27に示す。図27から明らかなように、TE波のピーク吸収率は入射角度θiが10°では約32 dBであるが、入射角度θiが20°で約52 dBと最高になり、入射角度θiが60°まで増大するにつれて約12 dBまで低下した。またTM波のピーク吸収率は入射角度θiが10°から60°まで変化するにつれて約11 dBから約7 dBまで低下した。このように第二の透明電磁波吸収体は優れた電磁波吸収能を有することが分かる。
ホルダ62(後面にITO薄膜が形成されていない)の後面に固定する試験片TPを図28に示すように垂直の線状痕のみを有する透明電磁波吸収フィルムから作製した以外、実施例4と同様にしてピーク吸収率及びピーク周波数を測定した。測定結果を図29に示す。図29から明らかなように、TE波のピーク吸収率は入射角度θiが10°では約13 dBであるが、入射角度θiが50°で約30 dBと最高になり、入射角度θiが60°まで増大するにつれて約23 dBまで低下した。またTM波のピーク吸収率は入射角度θiが10°では約25 dBであるが、入射角度θiが40°で約35 dBと最高になり、入射角度θiが60°まで増大するにつれて約20 dBまで低下した。このように第二の透明電磁波吸収体は優れた電磁波吸収能を有することが分かる。
Claims (10)
- プラスチックフィルムの一方の面に透明導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されていることを特徴とする透明電磁波吸収フィルム。
- 請求項1に記載の透明電磁波吸収フィルムにおいて、前記線状痕が二方向に配向しており、その交差角が10〜90°であることを特徴とする透明電磁波吸収フィルム。
- 請求項1又は2に記載の透明電磁波吸収フィルムにおいて、前記線状痕の幅は90%以上が0.1〜1,000μmの範囲内にあって、平均1〜100μmであり、前記線状痕の間隔は0.1μm〜5mmの範囲内にあって、平均1〜100μmであることを特徴とする透明電磁波吸収フィルム。
- 隣接する複数の透明電磁波吸収フィルム片を有する複合透明電磁波吸収フィルムであって、各透明電磁波吸収フィルム片は、一方の面に透明導電体層を有するとともに、他方の面に不規則な幅及び間隔で実質的に平行な多数の断続的な線状痕群が複数方向に形成されたプラスチックフィルムからなり、かつ前記複数の透明電磁波吸収フィルム片は線状痕の幅、間隔、長さ及び方向の少なくとも1つが異なることを特徴とする複合透明電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体層を介して積層したことを特徴とする透明電磁波吸収体。
- 請求項4に記載の複合透明電磁波吸収フィルムを透明誘電体層を介して積層したことを特徴とする透明電磁波吸収体。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明電磁波吸収フィルムと請求項4に記載の複合透明電磁波吸収フィルムとを透明誘電体層を介して積層したことを特徴とする透明電磁波吸収体。
- 請求項5〜7のいずれかに記載の透明電磁波吸収体において、一方の電磁波吸収フィルムにおける線状痕の配向と他方の電磁波吸収フィルムにおける線状痕の配向とが異なることを特徴とする透明電磁波吸収体。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明電磁波吸収フィルムと、縦方向のみの線状痕、横方向のみの線状痕又は縦横直交する二方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルムとを、透明誘電体層を介して積層したことを特徴とする透明電磁波吸収体。
- 請求項4に記載の複合透明電磁波吸収フィルムと、縦方向のみの線状痕、横方向のみの線状痕又は縦横直交する二方向の線状痕を有する透明電磁波吸収フィルムとを、透明誘電体層を介して積層したことを特徴とする透明電磁波吸収体。
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