CN117596854A - 近场电磁波吸收体 - Google Patents

近场电磁波吸收体 Download PDF

Info

Publication number
CN117596854A
CN117596854A CN202310976620.8A CN202310976620A CN117596854A CN 117596854 A CN117596854 A CN 117596854A CN 202310976620 A CN202310976620 A CN 202310976620A CN 117596854 A CN117596854 A CN 117596854A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electromagnetic wave
thin metal
film
linear
radiation noise
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310976620.8A
Other languages
English (en)
Inventor
加川清二
加川洋一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN117596854A publication Critical patent/CN117596854A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/043—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/03—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers with respect to the orientation of features
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • H01Q17/008—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/514—Oriented

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种近场电磁波吸收体包括至少一个塑料膜和两个线性刮痕薄金属膜，所述线性刮痕薄金属膜中的每个在多个方向上具有大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，所述线性刮痕具有不规则宽度和间隔，一个线性刮痕薄金属膜具有150‑300Ω/平方的表面电阻率，并且另一个线性刮痕薄金属膜具有10‑50Ω/平方的表面电阻率。

Description

近场电磁波吸收体
技术领域
本发明涉及一种近场电磁波吸收体，其在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内具有高传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性，由于基本上没有辐射噪声最大化的频率，因此能够在不接地的情况下使用，并且在不同生产批次之间噪声吸收性仅经受小的不均匀性。
背景技术
为了防止由于从各种电子器具和通信终端中的电子装置泄漏的电磁波噪声而导致的故障等，各种电磁波吸收体已经投入实际使用。在这种情况下，发明人在日本专利4685977中提出了一种具有降低的电磁波吸收性各向异性的线性刮痕薄金属膜-塑料复合膜，其包括塑料膜和形成在塑料膜的至少一个表面上的单层或多层薄金属膜，薄金属膜在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕。日本专利4685977描述了当一个复合膜具有20-377Ω/平方的表面电阻，另一个复合膜具有377-10,000Ω/平方的表面电阻时，具有不同线性刮痕交叉角的两个线性刮痕薄金属膜-塑料复合膜的组合可以有效地吸收电场和磁场，具有降低的电磁波吸收性的各向异性。然而，日本专利4685977没有提供任何示例，其中将具有不同表面电阻率并因此具有不同线性刮痕形成程度的两个线性刮痕薄金属膜-塑料复合膜组合。
当用相同的表面电阻率目标生产多个批次的薄金属膜-塑料复合膜，并且将任意选自不同批次的两个薄金属膜-塑料复合膜层压以生产近场电磁波吸收体时，取决于它们的组合，在宽频率范围内可能不会表现出良好的辐射噪声吸收性。这似乎是由于以下事实：(a)因为线性刮痕薄金属膜-塑料复合膜中的薄金属膜极薄，和(b)因为线性刮痕也极小，根据实际生产条件发生大的不均匀性，导致生产批次之间产品性能的大的不均匀性。
日本专利5203295公开了一种电磁波吸收膜，其通过将包括形成在塑料膜的至少一个表面上的磁性薄金属膜的磁性复合膜与包括形成在塑料膜的至少一个表面上的非磁性薄金属膜的非磁性复合膜层压而获得，磁性薄金属膜和非磁性薄金属膜中的至少一个被提供有在至少一个方向上具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，线性刮痕具有1-100μm的平均宽度和1-100μm的平均间隔，90％或更多的线性刮痕具有在0.1-1,000μm的范围内的宽度。日本专利5203295描述了包括具有1-377Ω/平方的表面电阻的磁性薄金属膜和具有377-10,000Ω/平方的表面电阻的非磁性薄金属膜的电磁波吸收膜具有优异的近场电磁波噪声吸收性。
然而，已经发现，在日本专利5203295中吸收的电磁波噪声是所谓的传导噪声，并且对于在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内的辐射噪声，存在它们被最大化的频率。深入的研究表明，线性刮痕磁性复合膜中的1-377Ω/平方的表面电阻和线性刮痕非磁性复合膜中的377-10,000Ω/平方的表面电阻没有很好地平衡，不可能防止在宽频率范围内的辐射噪声的最大化。具体地，在日本专利5203295的示例1中，线性刮痕磁性复合膜的表面电阻为30Ω/平方，而线性刮痕非磁性复合膜的表面电阻太大，为6,000Ω/平方。因此，当该电磁波吸收膜实际用于吸收近场噪声时，应当接地(GND)以防止最大噪声泄漏。
WO2012/090586 A公开了一种通过粘附多个电磁波吸收膜获得的近场电磁波吸收体，每个电磁波吸收膜包括形成在塑料膜的一个表面上的薄金属膜，至少一个电磁波吸收膜具有薄磁性金属膜，并且至少一个电磁波吸收膜的薄磁性金属膜在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕。WO 2012/090586 A描述了每个电磁波吸收膜的线性刮痕薄金属膜具有在50-1500Ω/平方范围内的表面电阻，并且近场电磁波吸收体在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内具有优异的传导噪声吸收性。然而，已经发现，WO 2012/090586 A的近场电磁波吸收体具有辐射噪声最大化的频率。相应地，当该近场电磁波吸收体投入实际使用时，应当接地(GND)以防止最大噪声的泄漏，如日本专利5203295中那样。
日本专利5559668公开了一种通过在电磁波反射体的前面经由电介质体层压多个电磁波吸收膜而获得的电磁波吸收体，每个电磁波吸收膜包括形成在塑料膜的表面上的导电材料层，导电材料层具有在100-1000Ω/平方范围内的表面电阻，最前面的电磁波吸收膜的导电材料层的表面电阻比下一个电磁波吸收膜的导电材料层的表面电阻大100Ω/平方或更多，(a)当包含两个电磁波吸收膜时，第一和第二电磁波吸收膜之间的间隙与第二电磁波吸收膜和电磁波反射体之间的间隙的比率为100/30-80/70，(b)当包含三个或更多个电磁波吸收膜时，第一和第二电磁波吸收膜之间的间隙与第二和第三电磁波吸收膜之间的间隙的比率为100/30-80/70，电磁波吸收膜的导电材料层在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，并且线性刮痕具有宽度和间隔，90％或更多的宽度在0.1-100μm的范围内并且平均在1-50μm的范围内，间隔在0.1-200μm的范围内并且平均在1-100μm的范围内。
日本专利5559668描述了，因为最前面的电磁波吸收膜的导电材料层的表面电阻比下一个电磁波吸收膜的导电材料层的表面电阻大100Ω/平方或更多，所以与简单层压具有相同表面电阻的多个电磁波吸收膜时相比，以更小的各向异性获得了极高的电磁波吸收性。然而，因为该电磁波吸收体具有其中多个电磁波吸收膜在电磁波反射体(铝板)的前面经由电介质体被层压的结构，所以该电磁波吸收体适用于ETC、FRID等，但不能用作附接到电子装置等的近场电磁波吸收体。
发明内容
相应地，本发明的目的是提供一种近场电磁波吸收体，其在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内具有高传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性，并且基本上没有辐射噪声最大化的频率，使得其可在没有接地的情况下使用，并且在产品批次之间噪声吸收性仅经受小的不均匀性。
作为针对以上目的的深入研究的结果，发明人已经发现，当两个线性刮痕薄金属膜的表面电阻率改变时，具有两个薄金属膜的近场电磁波吸收体具有提高的近场辐射噪声吸收性，每个薄金属膜在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，然而，如日本专利4685977中的具有20-377Ω/平方的表面电阻率的线性刮痕薄金属膜和具有377-10,000Ω/平方的表面电阻率的线性刮痕薄金属膜的组合不能在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内充分地表现出高的近场辐射噪声吸收性。因此，作为进一步提高近场辐射噪声吸收性的深入研究的结果，发明人出乎意料地发现，在小于377Ω/平方的范围内(其对应于日本专利4685977中的低表面电阻率)，通过将150-300Ω/平方的相对高的表面电阻率与10-50Ω/平方的相对低的表面电阻率组合，可以稳定地获得在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内具有高传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性并且基本上不具有辐射噪声最大化的频率的近场电磁波吸收体，从而使该近场电磁波吸收体可在不接地的情况下使用，并且在产品批次之间在噪声吸收性方面仅经受小的不均匀性。基于这样的发现完成了本发明。
因此，本发明的近场电磁波吸收体包括至少一个塑料膜和两个线性刮痕薄金属膜，线性刮痕薄金属膜中的每个在多个方向上具有大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，线性刮痕具有不规则宽度和间隔，一个线性刮痕薄金属膜具有150-300Ω/平方的表面电阻率，并且另一个线性刮痕薄金属膜具有10-50Ω/平方的表面电阻率。
在本发明的优选实施例中，一对塑料膜彼此粘附，每个塑料膜在一侧上具有线性刮痕薄金属膜。在这种情况下，两个线性刮痕薄金属膜优选地彼此粘附。
在本发明的另一优选实施例中，线性刮痕薄金属膜被提供在一个塑料膜的两侧上。
其中形成线性刮痕的薄金属膜优选厚为20-100nm。
薄金属膜优选由铝制成。
形成在薄金属膜中的线性刮痕优选以30-90°的交叉角在两个方向上定向。
优选的是，线性刮痕薄金属膜中的具有150-300Ω/平方的表面电阻率的一个具有2.5-3.5％的透光率，并且线性刮痕薄金属膜中的具有10-50Ω/平方的表面电阻率的另一个具有1-2.2％的透光率。
形成在两个薄金属膜中的线性刮痕优选具有在0.1-100μm的范围内并且平均在2-50μm的范围内的宽度以及在0.1-500μm的范围内并且平均在10-100μm的范围内的间隔。
具有以上结构的本发明的近场电磁波吸收体在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内具有高传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性，并且由于基本上没有辐射噪声最大化的频率，因此可以不需要接地而使用。而且，因为一个线性刮痕薄金属膜具有150-300Ω/平方的相对高的表面电阻率，而另一个线性刮痕薄金属膜具有10-50Ω/平方的相对低的表面电阻率，所以即使在制作的线性刮痕薄金属膜之间存在不均匀性，也可以稳定地获得仅经受小的噪声(辐射噪声)吸收性不均匀性的近场电磁波吸收体。具有这样的特征的本发明的近场电磁波吸收体可以适当地附接到各种电子器具和通信终端(诸如个人计算机、蜂窝电话、智能电话等)中的电子装置，以抑制电磁波噪声。
附图说明
图1是示出具有带有线性刮痕的薄金属膜的电磁波吸收膜的剖视图。
图2是示出形成在薄金属膜中的线性刮痕的示例的局部平面图。
图3(a)是示出线性刮痕的另一示例的局部平面图。
图3(b)是示出线性刮痕的再一示例的局部平面图。
图3(c)是示出线性刮痕的又一示例的局部平面图。
图4(a)是示出用于生产电磁波吸收膜的设备的示例的透视图。
图4(b)是示出图4(a)的设备的平面图。
图4(c)是沿着图4(b)中的线A-A截取的剖视图。
图4(d)是用于解释形成相对于膜的移动方向倾斜的线性刮痕的原理的放大局部平面图。
图4(e)是示出在图4(a)的设备中图案辊和推动辊相对于膜的倾斜角度的局部平面图。
图5是示出用于生产电磁波吸收膜的设备的另一示例的局部剖视图。
图6是示出用于生产电磁波吸收膜的设备的再一示例的透视图。
图7是示出用于生产电磁波吸收膜的设备的又一示例的透视图。
图8是示出用于生产电磁波吸收膜的设备的又一示例的透视图。
图9(a)是示出本发明的近场电磁波吸收体的示例的剖视图。
图9(b)是图9(a)中所示的近场电磁波吸收体的分解剖视图。
图10是示出本发明的近场电磁波吸收体的另一示例的剖视图。
图11(a)是示出用于评估近场电磁波吸收体的传导噪声吸收性的系统的平面图。
图11(b)是示出用于评估近场电磁波吸收体的传导噪声吸收性的系统的剖视图。
图12是示出参考示例1(比较示例2)的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图13(a)是示出参考示例1的试样在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图13(b)是示出参考示例1的试样在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图14是示出示例1的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图15(a)是示出示例1的试样在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图15(b)是示出示例1的试样在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图16是示出示例2的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的照片。
图17是示出示例3的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的照片。
图18是示出示例4的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的照片。
图19是示出比较示例1的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图20是示出比较示例3的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图21是示出比较示例4的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图22是示出比较示例5的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图23是示出比较示例6的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图24是示出比较示例7的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图25是示出比较示例8的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图26是示出比较示例9的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图27是示出比较示例10的试样的传导噪声吸收比Ploss/Pin的曲线图。
图28(a)是示出示例5的样品1在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图28(b)是示出示例5的样品1在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图29(a)是示出示例5的样品2在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图29(b)是示出示例5的样品2在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图30(a)是示出示例5的样品3在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图30(b)是示出示例5的样品3在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图31(a)是示出示例5的样品4在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图31(b)是示出示例5的样品4在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图32(a)是示出示例5的样品5在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图32(b)是示出示例5的样品5在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图33(a)是示出示例5的样品6在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图33(b)是示出示例5的样品6在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图34(a)是示出示例5的样品7在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图34(b)是示出示例5的样品7在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图35(a)是示出示例5的样品8在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图35(b)是示出示例5的样品8在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图36(a)是示出示例5的样品9在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图36(b)是示出示例5的样品9在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图37(a)是示出示例5的样品10在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图37(b)是示出示例5的样品10在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图38(a)是示出比较示例11的样品1在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图38(b)是示出比较示例11的样品1在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图39(a)是示出比较示例11的样品2在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图39(b)是示出比较示例11的样品2在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图40(a)是示出比较示例11的样品3在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图40(b)是示出比较示例11的样品3在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图41(a)是示出比较示例11的样品4在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图41(b)是示出比较示例11的样品4在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图42(a)是示出比较示例11的样品5在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图42(b)是示出比较示例11的样品5在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图43(a)是示出比较示例11的样品6在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图43(b)是示出比较示例11的样品6在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图44(a)是示出比较示例11的样品7在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图44(b)是示出比较示例11的样品7在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图45(a)是示出比较示例11的样品8在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图45(b)是示出比较示例11的样品8在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图46(a)是示出比较示例11的样品9在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图46(b)是示出比较示例11的样品9在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图47(a)是示出比较示例11的样品10在0.03GHz至3.5GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
图47(b)是示出比较示例11的样品10在3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声的照片。
具体实施方式
将参考附图说明本发明的实施例，并且应注意，关于一个实施例的说明适用于其他实施例，除非另有说明。而且，以下说明不是限制性的，并且可以在本发明的范围内进行各种修改。
[1]电磁波吸收膜
图1示出构成根据本发明的一个实施例的近场电磁波吸收体的电磁波吸收膜的示例。该电磁波吸收膜100(100a，100b)由塑料膜10和形成在塑料膜10的一侧上的薄金属膜11构成，并且薄金属膜11在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕12。
(1)塑料膜
形成塑料膜10的树脂没有特别限制，只要它们除了绝缘之外还具有足够的强度、柔韧性和可加工性即可，并且它们可以是例如聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳硫醚(聚苯硫醚等)、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。在它们当中，从强度和成本方面来看，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜是优选的。塑料膜10的厚度可以是约10-100μm，优选约10-30μm，以使近场电磁波吸收体尽可能薄。
(2)薄金属膜
薄金属膜11由非磁性或磁性金属制成。非磁性金属可以是铝、铜、银等，磁性金属可以是镍、铬等。当然，这些金属可以以纯金属或合金的形式使用。从成本和耐腐蚀性方面来看，铝是优选的。薄金属膜11可以通过已知的方法(诸如溅射法、真空气相沉积法等)形成。从控制薄金属膜11的厚度和形成线性刮痕的程度的方面来看，薄金属膜11的厚度优选为20-100nm，更优选为30-90nm，最优选为40-80nm。
(3)线性刮痕
如图1和图2中所示，电磁波吸收膜100(100a，100b)的薄金属膜11在多个方向上被提供有具有不规则的宽度和间隔的基本上平行的、间歇的线性刮痕12(12a，12b)。图2示出了在两个方向上定向的线性刮痕12a、12b。为了说明，图1中放大了线性刮痕12的深度。在两个方向上定向的线性刮痕12具有不同的宽度W和间隔I。间隔I包括平行于线性刮痕12的间隔和垂直于线性刮痕12的间隔。线性刮痕12的宽度W和间隔I在薄金属膜11的初始高度处测量，该初始高度对应于在形成线性刮痕之前薄金属膜11的表面S的高度。因为线性刮痕12具有各种宽度W和间隔I，所以电磁波吸收膜100可以有效地吸收宽频率范围内的电磁波。
线性刮痕12的宽度W优选在0.1-100μm的范围内，更优选在0.1-70μm的范围内。线性刮痕12的平均宽度Wav优选为2-50μm，更优选为5-30μm。线性刮痕12的间隔I优选在0.1-500μm的范围内，更优选在1-400μm的范围内。线性刮痕12的平均间隔Iav优选为10-100μm，更优选为20-80μm。顺便提及，为了确定线性刮痕12的宽度W、平均宽度Wav、间隔I和平均间隔Iav，对宽度小至0.1μm的线性刮痕12进行计数，除非下面另有提及。
因为线性刮痕12的长度L由滑动条件(主要是辊和塑料膜的相对速度，以及围绕辊卷绕的塑料膜的角度)确定，所以它们基本上相同，除非滑动条件改变(基本上等于平均长度)。线性刮痕12的长度实际上可以是约1-100mm，然而不是特别限制的。
在两个方向上的线性刮痕12a、12b的锐角交叉角θs(下文中简称为“交叉角”，除非另有提及)优选为30-90°，更优选为45-90°，最优选为60-90°。通过调整塑料膜10和图案辊之间的滑动条件(滑动方向、圆周速度比等)，可以形成如图3(a)至图3(c)所示的具有各种交叉角θs的线性刮痕12。尽管线性刮痕的定向不限于两个方向，而是可以是三个方向或更多，但是当完全考虑生产成本和性能时，在两个方向上形成线性刮痕是优选的。线性刮痕12由图3(a)中垂直交叉的线性刮痕12a、12b、图3(b)中以60°交叉的线性刮痕12a、12b、以及图3(c)中在三个方向上定向的线性刮痕12a、12b、12c构成。
[2]用于形成线性刮痕的设备
图4(a)至图4(e)示出用于在两个方向上在塑料膜上的薄金属膜中形成线性刮痕的设备的一个示例。描绘的设备包括：(a)卷轴21，具有薄金属膜的塑料膜10从该卷轴21卷开，(b)第一图案辊2a，相对于塑料膜10的横向方向倾斜，(c)第一推动辊3a，在相对侧上布置在第一图案辊2a的上游，(d)第二图案辊2b，在与第一图案辊2a相反的方向上相对于塑料膜10的横向方向倾斜并且布置在与第一图案辊2a相同的侧上，(e)第二推动辊3b，在相对侧上布置在第二图案辊2b的下游；以及(f)卷轴24，具有线性刮痕薄金属膜的塑料膜10’卷绕在该卷轴24上。另外，多个导辊22、23布置在预定位置处。每个图案辊2a、2b由支承辊(例如，橡胶辊)5a、5b支撑以防止弯曲。
如图4(c)所示，因为每个推动辊3a、3b在比塑料膜10的薄金属膜与每个图案辊2a、2b滑动接触的位置更低的位置处与塑料膜10的薄金属膜接触，所以塑料膜10被每个图案辊2a、2b推动。通过在满足该条件的情况下调节每个推动辊3a、3b的高度，可以控制每个图案辊2a、2b对薄金属膜的按压力。具体地，每个推动辊3a、3b的较低位置增加每个图案辊2a、2b对塑料膜10的薄金属膜的按压力，从而在薄金属膜中形成较深的线性刮痕(增加在薄金属膜中形成线性刮痕的程度)。相反，每个推动辊3a、3b的较高位置减小每个图案辊2a、2b对塑料膜10的薄金属膜的按压力，从而在塑料膜10的薄金属膜中形成较浅的线性刮痕(减小在薄金属膜中形成线性刮痕的程度)。
线性刮痕的深度的增加通常导致较少量的金属保留在薄金属膜中，从而为线性刮痕薄金属膜提供较高的表面电阻率。相应地，线性刮痕薄金属膜的表面电阻率可以通过改变每个图案辊2a、2b对塑料膜10的薄金属膜的按压力来调节。顺便提及，较深的线性刮痕倾向于具有较大的宽度，从而导致相邻线性刮痕之间的间隔较小。每个图案辊2a、2b对塑料膜10的按压力可以通过使每个图案辊2a、2b朝向或远离塑料膜10移位来调节。每个图案辊2a、2b的移位可以通过附接到每个图案辊2a、2b的驱动机构(未示出)来进行。
图4(d)示出线性刮痕12a形成为相对于塑料膜10的移动方向倾斜的原理。因为图案辊2a相对于塑料膜10的移动方向倾斜，所以图案辊2a上的细硬颗粒的移动方向(旋转方向)与塑料膜10的移动方向不同。在图案辊2a上的点A上的细硬颗粒与塑料膜10的薄金属膜接触以在任意时间形成如X所示的刮痕B之后，细硬颗粒在预定时间段内移动到点A’，并且刮痕B移动到点B’。当细硬颗粒从点A移动到点A’时，刮痕连续地形成，从而导致从点A’延伸到点B’的线性刮痕12a。
通过改变每个图案辊2a、2b相对于塑料膜10的角度和/或每个图案辊2a、2b相对于塑料膜10的移动速度的圆周速度，可以调节由第一和第二图案辊2a、2b形成的线性刮痕12a、12b的方向和交叉角θs。例如，当图案辊2a的圆周速度a相对于塑料膜10的移动速度b增加时，线性刮痕12a可以相对于塑料膜10的移动方向倾斜45°，如图4(d)中Y所示的线C’D’。类似地，如图4(e)所示，图案辊2a的圆周速度a可以通过改变图案辊2a相对于塑料膜10的横向方向的倾斜角θ2来改变。图案辊2b也是如此。相应地，通过调节两个图案辊2a、2b，可以改变线性刮痕12a、12b的方向。
因为每个图案辊2a、2b相对于塑料膜10倾斜，所以通过每个图案辊2a、2b滑动对塑料膜10施加横向方向上的力。相应地，为了防止塑料膜10的横向移动，优选地调节每个推动辊3a、3b相对于每个图案辊2a、2b的高度和/或角度。例如，如图4(e)中所示，图案辊2a的轴线和推动辊3a的轴线之间的交叉角θ3的适当调节提供了具有这样的横向分布的按压力，以便抵消横向分量，从而防止横向移动。图案辊2a和推动辊3a之间的距离的调节也有助于防止横向移动。为了防止塑料膜10的横向移动和破裂，相对于塑料膜10的横向方向倾斜的第一图案辊2a和第二图案辊2b的旋转方向优选地与塑料膜10的移动方向相同。
为了增加图案辊2a、2b对塑料膜10的薄金属膜的按压力，第三推动辊3c可以被提供在图案辊2a、2b之间，如图5中所示。第三推动辊3c与中心角θ1成比例地增加塑料膜10的滑动距离，从而导致更长的线性刮痕12a、12b。第三推动辊3c的位置和倾斜角度的调节有助于防止塑料膜10的横向移动。
图6示出用于形成如图3(c)中所示的在三个方向上定向的线性刮痕的设备的一个示例。该设备与图4(a)至图4(e)中所示的设备的不同之处在于，其包括第三图案辊2c和在第二图案辊2b下游的平行于塑料膜10的横向方向的第三推动辊3d。尽管第三图案辊2c的旋转方向可以与塑料膜10的移动方向相同或相反，但是优选地是相反的方向以高效地形成线性刮痕。平行于横向方向的第三图案辊2c形成与塑料膜10的移动方向一致的线性刮痕12c。虽然第三推动辊3d布置在第三图案辊2c的上游，但是它可以在下游侧。不限于描绘的示例，第三图案辊2c可以布置在第一图案辊2a的上游，或者布置在第一图案辊2a和第二图案辊2b之间。
图7示出用于形成在四个方向上定向的线性刮痕的设备的一个示例。该设备与图6中所示的设备的不同之处在于，其包括在第二图案辊2b和第三图案辊2c之间的第四图案辊2d，以及在第四图案辊2d上游的第四推动辊3e。在第四图案辊2d的旋转速度较慢的情况下，可以使线性刮痕12a’的方向(线E’F’)平行于塑料膜10的横向方向，如图4(d)中的Z所示。
图8示出用于形成如图3(a)中所示的垂直交叉的线性刮痕的设备的另一示例。该设备与图4(a)至图4(e)中所示的设备的不同之处在于，第二图案辊32b平行于塑料膜10的横向方向(垂直于移动方向)。因此，将仅说明与图4(a)至图4(e)中所示的部分不同的部分。第二图案辊32b的旋转方向可以与塑料膜10的移动方向相同或相反。而且，第二推动辊33b可以在第二图案辊32b的上游或下游。该设备使线性刮痕12a’的方向(线E’F’)与塑料膜10的横向方向一致，如图4(d)中的Z所示，适于形成垂直交叉的线性刮痕。
塑料膜10的移动速度优选为5-200m/分钟，并且图案辊的圆周速度优选为10-2,000m/分钟。图案辊的倾斜角θ2优选为20°至60°，特别是约45°。塑料膜10的张力(平行于按压力)优选为0.05-5kgf/cm宽度。
图案辊优选是具有带有表面上5或更高的莫氏硬度和锋利边缘的细颗粒的辊，例如JP 2002-59487A中描述的金刚石辊。因为线性刮痕的宽度由细颗粒的尺寸决定，所以90％或更多的细金刚石颗粒优选具有在0.1-100μm的范围内的尺寸，更优选地在0.1-70μm的范围内的尺寸。细金刚石颗粒优选以30％或更大的面积比附着在辊表面上。
[3]近场电磁波吸收体的构成
(1)结构
如图9(a)和图9(b)中所示，根据本发明的实施例的近场电磁波吸收体通过将具有带有线性刮痕12的一个(第一)薄金属膜11a的第一电磁波吸收膜100a粘附到具有带有线性刮痕12的另一个(第二)薄金属膜11b的第二电磁波吸收膜100b而获得。尽管不是限制性的，但是优选地通过内部的线性刮痕薄金属膜11a、11b进行粘附。根据本发明的实施例的近场电磁波吸收体具有包括第一电磁波吸收膜100a(塑料膜10a/具有第一线性刮痕12的薄金属膜11a)、粘合层20和第二电磁波吸收膜100b(具有第二线性刮痕12的薄金属膜11b/塑料膜10b)的层结构。因为薄金属膜11a、11b彼此面对，所以粘合层20优选地是不导电的，以防止薄金属膜11a、11b的导电。粘合层20可以通过施加粘合剂形成，尽管它可以通过热封或双面胶带形成。
该近场电磁波吸收体可以通过将粘合剂20施加到一个线性刮痕薄金属膜11a上，然后经由粘合剂将两个电磁波吸收膜100a、100b彼此按压来制作，如图9(b)中所示。
当粘合层20非常薄时，薄金属膜11a、11b电磁联接。在这种情况下，优选地，形成在薄金属膜11a中的线性刮痕12a、12b和形成在薄金属膜11b中的线性刮痕具有不同的交叉角θs，以减小电磁波吸收性的各向异性。粘合层20的厚度优选为1-30μm，更优选为1-20μm。
图10示出根据本发明的另一实施例的近场电磁波吸收体。该近场电磁波吸收体由一个塑料膜10和形成在塑料膜10的两侧上的薄金属膜11a、11b构成，并且每个薄金属膜11a、11b在多个方向上被提供有具有不规则宽度和间隔的大量基本上平行的、间歇的线性刮痕12。
(2)线性刮痕薄金属膜的表面电阻率
已经发现，尽管具有线性刮痕薄金属膜的电磁波吸收膜和由两个这样的电磁波吸收膜的层压体组成的近场电磁波吸收体通常表现出良好的辐射噪声吸收性，但是取决于频率，可能会泄漏大的辐射噪声。大的辐射噪声泄漏的频率不能被预测，而是仅通过实验来确认。作为层压两个相同的电磁波吸收膜以形成近场电磁波吸收体并测量泄漏辐射噪声的结果，其中每个电磁波吸收膜具有形成线性刮痕的不同程度的薄金属膜，已经发现泄漏辐射噪声根据形成线性刮痕的程度而不同。还发现，不仅因为薄金属膜极薄，而且因为线性刮痕极小，所以在近场电磁波吸收体的生产批次之间存在表面电阻率的不均匀性，并且即使具有形成线性刮痕的相同目标程度的产品也经受辐射噪声的泄漏水平的不均匀性。深入研究表明：(a)当一对电磁波吸收膜有具有不同表面电阻率的线性刮痕薄金属膜时，并且(b)当它们的表面电阻率被限制在预定范围内时，辐射噪声可以被抑制在宽频率范围内，同时在生产批次之间具有小的不均匀性。基于这样的发现完成了本发明。
在电子零件中，在0.03GHz至7GHz范围内的噪声通常应当被去除。作为对能够抑制该范围内的辐射噪声的线性刮痕薄金属膜的表面电阻率的组合进行深入研究的结果，已经发现，当一个线性刮痕薄金属膜具有150-300Ω/平方的表面电阻率，并且另一个线性刮痕薄金属膜具有10-50Ω/平方的表面电阻率时，可以抑制在0.03GHz至7GHz的频率范围内的辐射噪声，同时降低生产批次之间的不均匀性。
如上面描述的，在具有线性刮痕薄金属膜的电磁波吸收膜和由两个这样的电磁波吸收膜的层压体构成的近场电磁波吸收体中，辐射噪声在一个或多个频率处可能极大(最大化)。应当在任何频率处去除最大化的辐射噪声，并且可以通过观察在预定频率范围内累积的辐射噪声来实际确认辐射噪声的最大化。当在预定频率范围内的累积辐射噪声小于期望水平时，认为辐射噪声被抑制。另一方面，当累积辐射噪声超过期望水平时，假定辐射噪声在某一频率处最大化。相应地，近场电磁波吸收体的辐射噪声吸收性在本文中通过累积辐射噪声的水平来评估。
在0.03GHz至7GHz的频率范围内，累积辐射噪声的期望水平在低频侧和高频侧之间不同。这里，累积辐射噪声的期望水平在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内为-20dBm，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内为-30dBm。相应地，当累积辐射噪声在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内为-20dBm或更大或者在3.5GHz至7GHz的频率范围内为-30dBm或更大时，假定辐射噪声在一个或多个频率处最大化。如果在至少一个频率处存在最大化辐射噪声，则近场电磁波吸收体应当接地以去除辐射噪声。
一个(第一)线性刮痕薄金属膜11a具有150-300Ω/平方的表面电阻率，并且另一个(第二)线性刮痕薄金属膜11b具有10-50Ω/平方的表面电阻率。第一线性刮痕薄金属膜11a主要对吸收传导噪声有效，并且第二线性刮痕薄金属膜11b主要对吸收辐射噪声有效。
当第一线性刮痕薄金属膜11a的表面电阻率小于150Ω/平方时，近场电磁波吸收体不能表现出良好的传导噪声吸收性。本文使用的术语“良好的传导噪声吸收性”是指近场电磁波吸收体在从小于1GHz至高个位数GHz(特别是0.1-6GHz)的频率范围内表现出接近于具有150-300Ω/平方的表面电阻率的线性刮痕薄金属膜的传导噪声吸收比的传导噪声吸收比Ploss/Pin。另一方面，当第一线性刮痕薄金属膜11a的表面电阻率大于300Ω/平方时，不能表现出足够的辐射噪声吸收性。为了表现出良好的传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性，第一线性刮痕薄金属膜11a的表面电阻率优选为150-210Ω/平方。
当第二线性刮痕薄金属膜11b具有小于10Ω/平方的表面电阻率时，其特性接近薄金属膜本身的特性。也就是，第二线性刮痕薄金属膜11b表现出高辐射噪声吸收性和低传导噪声吸收性。而且，当第二线性刮痕薄金属膜11b具有大于50Ω/平方的表面电阻率时，近场电磁波吸收体具有太低的辐射噪声吸收性。
如上所述，因为较高的表面电阻率通过在薄金属膜中形成的较深和较宽的线性刮痕(形成线性刮痕的程度更高)而获得，所以在第二电磁波吸收膜100b的薄金属膜中形成的线性刮痕比在第一电磁波吸收膜100a的薄金属膜中形成的线性刮痕浅。相应地，与第一线性刮痕薄金属膜11a相比，第二线性刮痕薄金属膜11b具有更接近未刮痕薄金属膜的噪声吸收特性。
因为在薄金属膜中形成线性刮痕的程度较大为线性刮痕薄金属膜提供较高的表面电阻率，所以可以通过调节形成线性刮痕的程度来获得期望的表面电阻率。而且，因为当薄金属膜变得较厚时，即使在形成线性刮痕的程度相同的情况下，表面电阻率也趋于较低，所以对于较厚的金属膜，形成线性刮痕的程度应该增加，以获得期望的表面电阻率。
具有150-300Ω/平方的表面电阻率的线性刮痕薄金属膜和具有10-50Ω/平方的表面电阻率的线性刮痕薄金属膜的组合可以抑制在从小于1GHz到高个位数GHz的宽频率范围内的辐射噪声的最大化，同时保持良好的传导噪声吸收性。
(3)线性刮痕薄金属膜的透光率
线性刮痕薄金属膜的透光率与表面电阻率一样随着在薄金属膜中形成线性刮痕的程度的增加而增加。具体地，具有150-300Ω/平方的表面电阻率的第一线性刮痕薄金属膜11a具有2.5-3.5％的透光率，并且具有10-50Ω/平方的表面电阻率的第二线性刮痕薄金属膜11b具有1-2.2％的透光率。
将参考下面的示例更详细地解释本发明，而不旨在将其限制于此。
参考示例1
在真空中用铝气相沉积厚度为16μm的PET膜，以形成厚度为60nm的薄铝膜。使用具有图8中所示结构的设备，该设备包括具有粒度分布为50-80μm的电镀细金刚石颗粒的图案辊32a、32b，在两个方向上对塑料膜上的薄铝膜进行刮痕，以形成参考示例1的电磁波吸收膜，该电磁波吸收膜具有以下所示特性的线性刮痕。将参考示例1中形成线性刮痕的程度分类为“M1”(中等1)。
使用可从Napson公司获得的薄层电阻/表面电阻率计“EC-80P”，通过非破坏性涡流测试方法测量线性刮痕薄铝膜的表面电阻率。测量结果表明，线性刮痕薄铝膜的表面电阻率为172Ω/平方。
将具有线性刮痕薄铝膜的参考示例1的电磁波吸收膜设置在可从Keyence公司获得的激光通束传感器(laser thrubeam sensor)(IB-30)中，以测量线性刮痕薄铝膜的透光率。结果，透光率为2.6％。
从参考示例1的电磁波吸收膜中切出试样TP1(50mm×50mm)。如图11(a)和图11(b)中所示，在包括50Ω的微带线MSL(64.4mm×4.4mm)、支撑微带线MSL的绝缘基板200、附接到绝缘基板200的下表面的接地电极201、连接到微带线MSL的两个边缘的导体引脚202、202、网络分析仪NA以及用于将网络分析仪NA连接到导体引脚202、202的同轴电缆203、203的近场电磁波评估系统中，试样TP1通过粘合剂附接到绝缘基板200的上表面，使得试样TP1的中心与微带线MSL的中心对准。用0.1-6GHz的入射波测量反射波功率S11和透射波功率S12，以从S11和S21确定传导噪声吸收比Ploss/Pin。结果示出在图12中。从图12可以清楚地看出，参考示例1的电磁波吸收膜表现出良好的传导噪声吸收比Ploss/Pin。
通过可从Morita Tech有限公司获得的EMC噪声扫描仪(WM 7400)在0.03GHz至7GHz的频率范围内扫描从参考示例1的电磁波吸收膜切出的试样TP2(40mm×40mm)，以测量辐射噪声。图13(a)和图13(b)分别示出参考示例1的试样TP2在0.03GHz至小于3.5GHz和3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声。从图13(a)和图13(b)可以清楚地看出，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-15dBm或更大，特别是-10dBm或更大的大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-25dBm或更大，特别是-20dBm或更大的大的累积辐射噪声。
参考示例2
参考示例2的电磁波吸收膜通过以与参考示例1中相同的方式在薄铝膜中在两个方向上形成具有下面描述的特性的线性刮痕而获得，不同之处在于在图8所示的设备中使图案辊32a、32b对塑料膜的按压力大于参考示例1中的按压力。将参考示例2中形成线性刮痕的程度分类为“M2”(中等2)。
通过与参考示例1相同的方法测量的线性刮痕薄铝膜的表面电阻率和透光率分别为210Ω/平方和3.2％。
参考示例3
参考示例3的电磁波吸收膜通过以与参考示例1中相同的方式在薄铝膜中在两个方向上形成具有下面描述的特性的线性刮痕而获得，不同之处在于在图8所示的设备中使图案辊32a、32b对塑料膜的按压力小于参考示例1中的按压力。将参考示例3中形成线性刮痕的程度分类为“W1”(弱1)。
通过与参考示例1相同的方法测量的线性刮痕薄铝膜的表面电阻率和透光率分别为15Ω/平方和1.9％。
参考示例4
参考示例4的电磁波吸收膜通过以与参考示例1中相同的方式在薄铝膜中在两个方向上形成具有下面描述的特性的线性刮痕而获得，不同之处在于在图8所示的设备中使图案辊32a、32b对塑料膜的按压力小于参考示例1中的按压力并且大于参考示例3中的按压力。将参考示例4中形成线性刮痕的程度分类为“W2”(弱2)。
/>
通过与参考示例1相同的方法测量的线性刮痕薄铝膜的表面电阻率和透光率分别为27Ω/平方和2.2％。
参考示例5
参考示例5的电磁波吸收膜通过以与参考示例1中相同的方式在薄铝膜中在两个方向上形成具有下面描述的特性的线性刮痕而获得，不同之处在于在图8所示的设备中使图案辊32a、32b对塑料膜的按压力大于参考示例1中的按压力。将参考示例5中形成线性刮痕的程度分类为“S1”(强G1)。
通过与参考示例1相同的方法测量的线性刮痕薄铝膜的表面电阻率和透光率分别为624Ω/平方和3.7％。
参考示例6
参考示例6的电磁波吸收膜通过以与参考示例1中相同的方式在薄铝膜中在两个方向上形成具有下面描述的特性的线性刮痕而获得，不同之处在于在图8所示的设备中使图案辊32a、32b对塑料膜的按压力大于参考示例5中的按压力。将参考示例6中形成线性刮痕的程度分类为“S2”(强G2)。
通过与参考示例1相同的方法测量的线性刮痕薄铝膜的表面电阻率和透光率分别为1290Ω/平方和4.1％。
关于参考示例1-6的电磁波吸收膜，线性刮痕的尺寸和线性刮痕薄铝膜的特性总结在下面的表1中。
表1
注：(1)在形成线性刮痕的程度上，W1<W2<M1<M2<S1<S2。
(2)为了确定线性刮痕的宽度范围、平均宽度、间隔范围和平均间隔，对宽度小至0.1μm的线性刮痕进行计数。
示例1
将参考示例1的电磁波吸收膜经由非导电粘合剂粘附到参考示例3的电磁波吸收膜，它们的线性刮痕薄铝膜在内部，以制作图9(a)中所示的近场电磁波吸收体。粘合层的厚度为5μm。
(1)传导噪声的测量
如参考示例1中那样，从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1(50mm×50mm)，以通过图11(a)和图11(b)中所示的近场电磁波评估系统测量其传导噪声吸收比Ploss/Pin。结果示出在图14中。从图14可以清楚地看出，示例1的近场电磁波吸收体表现出足够高的传导噪声吸收比Ploss/Pin，尽管略小于参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比。
(2)辐射噪声的测量
通过可从Morita Tech有限公司获得的EMC噪声扫描仪(WM 7400)在0.03GHz至7GHz的频率范围内扫描从示例1的近场电磁波吸收体切出的试样TP2(40mm×40mm)，以测量其辐射噪声。图15(a)和图15(b)分别示出示例1的试样在0.03GHz至小于3.5GHz和3.5GHz至7GHz的频率范围内的累积辐射噪声。
从图15(a)可以清楚地看出，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内基本上未观察到-20dBm或更大的累积辐射噪声。而且，从图15(b)可以清楚地看出，在3.5GHz至7GHz的频率范围内基本上未观察到-30dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了示例1的近场电磁波吸收体在0.03GHz至7GHz的频率范围内具有优异的辐射噪声吸收性。
示例2
以与示例1相同的方式将参考示例1的电磁波吸收膜粘附到参考示例4的电磁波吸收膜，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，并通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图16和表2中。从图16可以清楚地看出，示例2的近场电磁波吸收体表现出足够高的传导噪声吸收比Ploss/Pin，尽管略低于参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内未观察到-20dBm或更大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内未观察到-30dBm或更大的累积辐射噪声。
示例3
以与示例1相同的方式将参考示例2的电磁波吸收膜粘附到参考示例3的电磁波吸收膜，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图17和表2中。从图17可以清楚地看出，示例3的近场电磁波吸收体表现出足够高的传导噪声吸收比Ploss/Pin，尽管略低于参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内未观察到-20dBm或更大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内未观察到-30dBm或更大的累积辐射噪声。
示例4
以与示例1相同的方式将参考示例2的电磁波吸收膜粘附到参考示例4的电磁波吸收膜，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图18和表2中。从图18可以清楚地看出，示例4的近场电磁波吸收体表现出足够高的传导噪声吸收比Ploss/Pin，尽管略低于参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内未观察到-20dBm或更大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内未观察到-30dBm或更大的累积辐射噪声。
比较示例1
通过与示例1中相同的方法测量在参考示例1中获得的仅由具有厚度为60nm的薄铝膜的PET膜组成的试样TP1和TP2的传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图19和表2中。从图19可以清楚地看出，与参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比相比，比较示例1的试样TP1表现出极低的传导噪声吸收比Ploss/Pin。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-15dBm或更大，特别是-10dBm或更大的大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-25dBm或更大，特别是-20dBm或更大的大的累积辐射噪声。这证实了比较示例1的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内极度泄漏辐射噪声。
比较示例2
通过与示例1中相同的方法测量仅由参考示例1的电磁波吸收膜组成的试样TP1和TP2的传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图12和表2中。顺便提及，比较示例2的传导噪声吸收比Ploss/Pin与参考示例1(图12)中的传导噪声吸收比相同。而且，如在比较示例1中，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-15dBm或更大，特别是-10dBm或更大的大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-25dBm或更大，特别是-20dBm或更大的大的累积辐射噪声。这证实了比较示例1的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内极度泄漏辐射噪声。
比较示例3
通过与示例1中相同的方法测量仅由参考示例3的电磁波吸收膜组成的试样TP1和TP2的传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图20和表2中。从图20可以清楚地看出，比较示例3的试样TP1表现出比参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比略低的传导噪声吸收比Ploss/Pin。在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声，但是在试样TP2的几乎整个区域中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声。在3.5GHz至7GHz的频率范围内，仅在试样TP2的一部分中观察到-25dBm或更大的累积辐射噪声，但是在试样TP2的几乎整个区域中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声。这证实了比较示例3的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。
比较示例4
通过与示例1中相同的方法测量仅由参考示例5的电磁波吸收膜组成的试样TP1和TP2的传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图21和表2中。从图21可以清楚地看出，比较示例4的试样TP1表现出与参考示例1的电磁波吸收膜相当的传导噪声吸收比Ploss/Pin。然而，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-15dBm或更大，特别是-10dBm或更大的大的累积辐射噪声，并且在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-25dBm或更大，特别是-20dBm或更大的大的累积辐射噪声。这证实了比较示例4的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏极大的辐射噪声。
比较示例5
以与示例1中相同的方式，将参考示例1的两个电磁波吸收膜粘附，其中两个电磁波吸收膜的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图22和表2中。从图22可以清楚地看出，比较示例5的试样TP1表现出与参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比相当的传导噪声吸收比Ploss/Pin。然而，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到25dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例5的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。这似乎是由于构成比较示例5的近场电磁波吸收体的两个电磁波吸收膜在辐射噪声吸收性(电磁屏蔽)方面不足。
比较示例6
以与示例1中相同的方式，将参考示例1的电磁波吸收膜粘附到参考示例5的电磁波吸收膜，其中它们的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图23和表2中。从图23可以清楚地看出，比较示例6的试样TP1表现出与参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比相当的传导噪声吸收比Ploss/Pin。然而，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在几乎一半的试样TP2中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在约20％的试样TP2中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到25dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例6的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。这似乎是由于构成比较示例6的近场电磁波吸收体的参考示例1和5的任何电磁波吸收膜在辐射噪声吸收性(电磁屏蔽)方面不足。
比较示例7
以与示例1中相同的方式，将参考示例3的两个电磁波吸收膜粘附，其中它们的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图24和表2中。从图24可以清楚地看出，比较示例7的试样TP1表现出比参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比低的传导噪声吸收比Ploss/Pin。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在试样TP2的一部分中观察到-25dBm或更大的累积辐射噪声，并且在约15％的试样TP2中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内未观察到-20dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例7的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。这似乎是由于构成比较示例7的近场电磁波吸收体的参考示例3的两个电磁波吸收膜在辐射噪声吸收性方面不足。
比较示例8
以与示例1中相同的方式，将参考示例4的两个电磁波吸收膜粘附，其中它们的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图25和表2中。从图25可以清楚地看出，比较示例8的试样TP1表现出比参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比略低的传导噪声吸收比Ploss/Pin。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在试样TP2的几乎整个区域中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在几乎一半的试样TP2中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-25dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例8的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。
比较示例9
以与示例1中相同的方式，将参考示例3的电磁波吸收膜粘附到参考示例5的电磁波吸收膜，其中它们的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图26和表2中。从图26可以清楚地看出，比较示例9的试样TP1表现出比参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比略低的传导噪声吸收比Ploss/Pin。而且，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在约20％的试样TP2中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在约10％的试样TP2中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到25dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例9的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。
比较示例10
以与示例1中相同的方式，将参考示例5的两个电磁波吸收膜粘附，其中它们的线性刮痕薄铝膜在内侧，以制作近场电磁波吸收体。从该近场电磁波吸收体中切出试样TP1和TP2，以通过与示例1中相同的方法测量传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声。结果分别示出在图27和表2中。从图27可以清楚地看出，比较示例10的试样TP1表现出与参考示例1的电磁波吸收膜的传导噪声吸收比相当的传导噪声吸收比Ploss/Pin。然而，在0.03GHz至小于3.5GHz的频率范围内，在约30％的试样TP2中观察到-20dBm至-15dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-15dBm或更大的累积辐射噪声。而且，在3.5GHz至7GHz的频率范围内，在约20％的试样TP2中观察到-30dBm至-25dBm的累积辐射噪声，尽管仅在试样TP2的一部分中观察到-25dBm或更大的累积辐射噪声。这证实了比较示例10的试样TP2在0.03GHz至7GHz的频率范围内泄漏大的辐射噪声。
比较示例5、7、8和10中的结果表明，即使近场电磁波吸收体由两个电磁波吸收膜构成，如果两个电磁波吸收膜具有相同的表面电阻率，也不能获得传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性的良好平衡的组合。而且，比较示例6和9中的结果表明，即使近场电磁波吸收体由具有不同表面电阻率的两个电磁波吸收膜构成，如果它们的表面电阻率不满足本发明的要求，也不能获得传导噪声吸收性和辐射噪声吸收性的良好平衡的组合。
示例1-4和比较示例1-10的近场电磁波吸收体的组成及其传导噪声吸收比Ploss/Pin和辐射噪声总结在下面的表2中。
表2
示例5
从以与参考示例1中相同的方式制作的一生产批次(单卷)的电磁波吸收膜中任意切出10个电磁波吸收膜片A，其形成线性刮痕的程度为M1。而且，从以与参考示例3中相同的方式制作的一生产批次(单卷)的电磁波吸收膜中任意切出10个电磁波吸收膜片B，其形成线性刮痕的程度为W1。将每个电磁波吸收膜片A与每个电磁波吸收膜片B任意组合并且通过非导电粘合剂粘附，其中电磁波吸收膜片A和电磁波吸收膜片B的线性刮痕薄铝膜在内侧，以获得10个近场电磁波吸收体试样TP2。通过可从Morita Tech有限公司获得的EMC噪声扫描仪(WM7400)在0.03GHz至7GHz的频率范围内扫描试样TP2中的每一个，以如参考示例1中那样测量辐射噪声。图38至图47分别示出在0.03GHz至3.5GHz和3.5GHz至7GHz的范围内的累积辐射噪声。
从图28至图37可以清楚地看出，通过将从具有形成线性刮痕的程度M1的生产批次中任意选择的每个电磁波吸收膜粘附到从具有形成线性刮痕的程度W1的生产批次中任意选择的每个电磁波吸收膜而形成的根据本发明的任何近场电磁波吸收体仅泄漏小的累积辐射噪声。这证实了本发明的近场电磁波吸收体可以以形成线性刮痕的程度M1和W1的任何组合稳定地抑制辐射噪声，基本上没有或具有小的不均匀性，这提供了具有满足本发明要求的表面电阻率的电磁波吸收膜。
比较示例11
从参考示例1中制作的单卷(第一卷)电磁波吸收膜中任意切出10个电磁波吸收膜片，其中形成线性刮痕的程度为M1。而且，从在与参考示例1相同的条件下制作的另一卷(第二卷)电磁波吸收膜中任意切出10个电磁波吸收膜片，其中形成线性刮痕的程度为M1。第一卷中的每个电磁波吸收膜片与第二卷中的每个电磁波吸收膜片任意组合并通过非导电粘合剂粘附，其中电磁波吸收膜片的线性刮痕薄铝膜在内侧，以获得近场电磁波吸收体的10个试样TP2。以与示例5相同的方式测量试样TP2中的每一个的辐射噪声。图38至图47分别示出在0.03GHz至3.5GHz范围内的累积辐射噪声和在3.5GHz至7GHz范围内的累积辐射噪声。
从图38至图47可以清楚地看出，在通过将任意选自其中形成线性刮痕的程度为M1的一个卷的每个电磁波吸收膜粘附到任意选自其中形成线性刮痕的程度也为M1的另一卷的每个电磁波吸收膜而获得的近场电磁波吸收体样品中，除了样品8之外的所有样品都经受大的累积辐射噪声，并且只有样品8表现出良好的辐射噪声吸收性。这证实了当在不同卷中具有形成线性刮痕的合适程度M1的两个电磁波吸收膜任意组合时，大多数合成的近场电磁波吸收体不能表现出令人满意的辐射噪声吸收性，尽管它们中的一些可以很好地抑制辐射噪声。
而且，从表2中可以清楚地看出，通过组合参考示例3的两个电磁波吸收膜(形成线性刮痕的程度：W1)获得的比较示例7的近场电磁波吸收体、通过组合参考示例4的两个电磁波吸收膜(形成线性刮痕的程度：W2)获得的比较示例8的近场电磁波吸收体、以及通过组合参考示例5的两个电磁波吸收膜(形成线性刮痕的程度：S1)获得的比较示例10的近场电磁波吸收体在辐射噪声吸收性方面全部都不足。这证实了如果组合具有相同形成线性刮痕的程度(表面电阻率)的电磁波吸收膜，则无论形成线性刮痕的程度(表面电阻率)是否改变，都不能获得足够的辐射噪声吸收性。
<附图标记说明>
1：近场电磁波吸收体
100，100a，100b：电磁波吸收膜
10，10a，10b：塑料膜
11，11a，11b：薄金属膜
12，12a，12b，12c，12d：线性刮痕
2a，2b，2c，2d：图案辊
3a，3b，3c，3d，3e：推动辊
20：粘合层

Claims (10)

1.一种近场电磁波吸收体，包括至少一个塑料膜和两个线性刮痕薄金属膜，所述线性刮痕薄金属膜中的每个在多个方向上具有大量基本上平行的、间歇的线性刮痕，所述线性刮痕具有不规则宽度和间隔，一个线性刮痕薄金属膜具有150-300Ω/平方的表面电阻率，并且另一个线性刮痕薄金属膜具有10-50Ω/平方的表面电阻率。
2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中一对塑料膜彼此粘附，每个塑料膜在一侧上具有线性刮痕薄金属膜。
3.根据权利要求2所述的近场电磁波吸收体，其中两个线性刮痕薄金属膜彼此粘附。
4.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中所述近场电磁波吸收体由一个塑料膜和形成在所述塑料膜的两侧上的两个线性刮痕薄金属膜组成。
5.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中两个薄金属膜厚为20-100nm。
6.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中形成在两个薄金属膜中的所述线性刮痕以30-90°的交叉角在两个方向上定向。
7.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中所述线性刮痕薄金属膜中的一个具有2.5-3.5％的透光率，并且所述线性刮痕薄金属膜中的另一个具有1-2.2％的透光率。
8.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中两个薄金属膜由铝制成。
9.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收体，其中一个线性刮痕薄金属膜具有150-210Ω/平方的表面电阻率，并且另一个线性刮痕薄金属膜具有10-50Ω/平方的表面电阻率。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的近场电磁波吸收体，其中形成在两个薄金属膜中的线性刮痕具有在0.1-100μm的范围内并且平均在2-50μm的范围内的宽度以及在0.1-500μm的范围内并且平均在10-100μm的范围内的间隔。
CN202310976620.8A 2022-08-19 2023-08-04 近场电磁波吸收体 Pending CN117596854A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-131275 2022-08-19
JP2022131275 2022-08-19
JP2022-168711 2022-10-20
JP2022168711A JP7323692B1 (ja) 2022-08-19 2022-10-20 近傍界電磁波吸収体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117596854A true CN117596854A (zh) 2024-02-23

Family

ID=87519420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310976620.8A Pending CN117596854A (zh) 2022-08-19 2023-08-04 近场电磁波吸收体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240061474A1 (zh)
JP (1) JP7323692B1 (zh)
KR (1) KR20240026104A (zh)
CN (1) CN117596854A (zh)
DE (1) DE102023122061A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7423172B1 (ja) 2023-08-07 2024-01-29 清二 加川 電磁波吸収フィルム及びその製造装置、並びにかかる電磁波吸収フィルムを有する近傍界電磁波吸収体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS523295Y2 (zh) 1972-08-31 1977-01-24
JP2002059487A (ja) 2000-08-14 2002-02-26 Seiji Kagawa 多孔質フィルムの製造装置
JP4685977B2 (ja) 2009-02-13 2011-05-18 清二 加川 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム及びその製造装置
JP5559668B2 (ja) 2010-12-07 2014-07-23 清二 加川 電磁波吸収体
KR20140023270A (ko) 2010-12-27 2014-02-26 세이지 까가와 근거리 전자파 흡수체

Also Published As

Publication number Publication date
DE102023122061A1 (de) 2024-02-22
JP7323692B1 (ja) 2023-08-08
US20240061474A1 (en) 2024-02-22
JP2024028074A (ja) 2024-03-01
KR20240026104A (ko) 2024-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9616640B2 (en) Composite film of linearly-scratched, thin metal film and plastic film, and its production apparatus
EP2519091B1 (en) Composite electromagnetic wave absorption film
TWI613955B (zh) 複合電磁波吸收薄片
EP2661167B1 (en) Near-field electromagnetic wave absorber
TWI653642B (zh) 電磁波吸收濾波器
JP2012099665A (ja) 電磁波吸収体
CN117596854A (zh) 近场电磁波吸收体
JP5203295B2 (ja) 電磁波吸収フィルム
JP5214541B2 (ja) 可視光透過性電磁波吸収フィルム及びそれを用いた可視光透過性電磁波吸収体
CN110626017B (zh) 电磁波吸收复合板
JP5559668B2 (ja) 電磁波吸収体
TW202410554A (zh) 近場電磁波吸收器
JP5186535B2 (ja) 透明電磁波吸収フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination