TWI613955B - 複合電磁波吸收薄片 - Google Patents

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Abstract

一種複合電磁波吸收薄片，其包含(a)第一電磁波吸收薄膜10a及(b)第二電磁波吸收薄膜20；該第一電磁波吸收薄膜10a係具有塑膠薄膜11及設於前述塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜12，在前述金屬薄膜12上以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡122；該第二電磁波吸收薄膜20係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成。

Description

複合電磁波吸收薄片
本發明係關於一種雖然薄，但是遍及寬廣的頻率範圍卻具有高電磁波吸收能力的複合電磁波吸收薄片。
在行動電話、智慧型手機、無線LAN等通訊機器、或電腦等電子機器方面，處理著幾MHz~幾GHz寬廣頻率範圍的信號，伴隨此而產生遍及寬廣頻率範圍的電磁波雜訊。不僅要減低從通訊機器或電子機器發出來的電磁波雜訊進而保護通訊機器或電子機器的電路不受到外部電磁波雜訊的傷害，而且有必要使從各個電路元件產生的電磁波雜訊不會對其他電路元件帶來不良影響。
對於此種電磁波雜訊，一般使用電磁屏蔽技術。電磁屏蔽技術為以金屬板覆蓋雜訊產生源及雜訊接收零件的周圍，遮蔽電磁波雜訊的技術。例如，若在通訊機器或電子機器的殼體內部配置金屬製屏蔽板，則從通訊機器或電子機器放射的電磁波雜訊會被抑制，但機器內部的電磁波雜訊卻不能減低，所以對於安裝零件而言不算是完善的雜訊因應對策。因此，期望可吸收電磁波雜訊的電磁波吸收薄片，而不是反射電磁波雜訊的電磁波屏蔽。
特開2010-153542號揭示了一種具有基材、藉由塗布導電性塗層材料而形成的導電層、及藉由塗布磁性塗層材料而形成的磁性層之電磁波雜訊抑制薄片。基材的具體例為紙、不織布或織布、布、樹脂薄片等。導電性塗 層材料含有銅、金、鋁等金屬或碳等的導電性材料。磁性塗層材料含有具有軟磁性的鐵氧體等的金屬氧化物、鋁矽鐵粉(Sendust)、坡莫合金(permalloy)、非晶質合金等磁性金屬的粒子。在此電磁波雜訊抑制薄片中，係藉由導電層與磁性層兩方來提高電磁波吸收能力。然而，在此種導電層與磁性層的組合中，得不到充分的電磁波吸收能力。
因此，本發明之目的為提供一種雖然薄，但是遍及寬廣的頻率範圍卻具有高電磁波吸收能力的複合電磁波吸收薄片。
有鑑於上述目的，經專心研究的結果，本發明者發現組合(a)具有以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡之金屬薄膜、或具有熱處理成具備有預定透光率及表面電阻之磁性金屬薄膜的薄膜；及(b)含有碳、金屬等非磁性導電性粒子、或磁性金屬、鐵氧體等磁性粒子的薄膜，就可得到遍及寬廣的頻率範圍具有高電磁波吸收能力的複合電磁波吸收薄片，而想到本發明。
即，本發明之第一複合電磁波吸收薄片，其特徵在於：包含(a)第一電磁波吸收薄膜及(b)第二電磁波吸收薄膜；該第一電磁波吸收薄膜係具有塑膠薄膜及設於前述塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在前 述金屬薄膜上以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡；該第二電磁波吸收薄膜係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成。
本發明之第二複合電磁波吸收薄片，其特徵在於：包含：(a)第三電磁波吸收薄膜；及(b)由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成的第二電磁波吸收薄膜；前述第三電磁波吸收薄膜係包含(i)塑膠薄膜；(ii)金屬薄膜，其係設於前述塑膠薄膜的其至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡；及(iii)奈米碳管薄層，其係形成於前述金屬薄膜上。
以前述奈米碳管薄層的塗布量表示的厚度較佳為0.01~0.5g/m2。前述奈米碳管較佳為多層奈米碳管。
在前述第一及第二複合電磁波吸收薄片中，前述線狀痕跡較佳為定向於兩方向，其交叉角較佳為30~90°。前述線狀痕跡的寬度較佳為90%以上在0.1~100μm的範圍內，平均為1~50μm，前述線狀痕跡的橫向間隔較佳為在1~500μm的範圍內，平均為1~200μm。
前述金屬薄膜較佳為係由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等金屬之合金中所選的至少一種金屬所構成。
本發明之第三複合電磁波吸收薄片，其特徵在於：包含(a)第四電磁波吸收薄膜及(b)第二電磁波吸收薄膜；前述第四電磁波吸收薄膜係在塑膠薄膜的至少一面上利用蒸鍍法形成磁性金屬薄膜後，以110~180℃範圍內 的溫度進行熱處理而成的第四電磁波吸收薄膜，前述磁性金屬薄膜的透光率(波長660nm的雷射光)為3~50%，在由前述第四電磁波吸收薄膜切出的10cm×10cm的正方形試片的磁性金屬薄膜之對向邊部上配置覆蓋邊全體的長度的一對電極，透過平坦加壓板而施加3.85kg的負荷測定時的前述磁性金屬薄膜的表面電阻為10~200Ω/□；前述第二電磁波吸收薄膜係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成。
構成前述第四電磁波吸收薄膜的前述磁性金屬較佳為Ni或其合金。前述熱處理較佳為10分鐘~1小時。
在前述第一~第三複合電磁波吸收薄片中，前述第二電磁波吸收薄膜中的前述磁性粒子或前述非磁性導電性粒子的含有量較佳為10~60體積%。此外，前述磁性粒子或前述非磁性導電性粒子的平均粒徑較佳為5~200μm。
在前述第一~第三複合電磁波吸收薄片中，前述第二電磁波吸收薄膜中的前述非磁性導電性粒子較佳為非磁性金屬或碳的粒子。
本發明之電磁波吸收薄片係組合(a-1)第一電磁波吸收薄膜、(a-2)第三電磁波吸收薄膜或(a-3)第四電磁波吸收薄膜、及(b)第二電磁波吸收薄膜而成，該第一電磁波吸收薄膜係具有塑膠薄膜及設於其至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在前述金屬薄膜上以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕 跡，該第三電磁波吸收薄膜係在前述第一電磁波吸收薄膜之金屬薄膜上形成有奈米碳管薄層，該第四電磁波吸收薄膜係在塑膠薄膜的至少面上利用蒸鍍法形成磁性金屬薄膜後，以110~180℃範圍內的溫度進行熱處理而成的第四電磁波吸收薄膜，前述磁性金屬薄膜的透光率(波長660nm的雷射光)為3~50%，在由前述第四電磁波吸收薄膜切出的10cm×10cm的正方形試片的磁性金屬薄膜之對向邊部上配置覆蓋邊全體的長度的一對電極，透過平坦加壓板而施加3.85kg的負荷測定時的前述磁性金屬薄膜的表面電阻為10~200Ω/□，該第二電磁波吸收薄膜係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成；所以雖然為薄型，但是卻可遍及寬廣的頻率範圍發揮第一~第四電磁波吸收薄膜單獨得不到的高電磁波吸收能力。具有此種優點的本發明之薄型複合電磁波吸收薄片適用於被要求小型化、輕量化及低成本化的各種通訊機器或電子機器。
[實施發明之形態]
茲參閱附圖詳細說明本發明之實施形態，但若無特別預告，則關於一個實施形態的說明也適用於其他實施形態。此外，下述說明並非限定，而在本發明之技術思想範圍內可進行各種變更。
[1]第一複合電磁波吸收薄片
如圖1及圖4所示，第一複合電磁波吸收薄片1a包含(a)第一電磁波吸收薄膜10a及(b)第二電磁波吸收薄膜20 ，該第一電磁波吸收薄膜10a係具有塑膠薄膜11及設於其至少一面上的單層或多層的金屬薄膜12，在金屬薄膜12上以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡122，該第二電磁波吸收薄膜20係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成。
(1)第一電磁波吸收薄膜
如圖4(a)所示，第一電磁波吸收薄膜10a具有在塑膠薄膜11之至少一面上形成有單層或多層的金屬薄膜12之構造。圖4(a)~圖4(d)顯示在形成於塑膠薄膜11整面的金屬薄膜12上於兩方向上形成有實質平行且斷續的多數線狀痕跡122(122a、122b)之例。
(a)塑膠薄膜
形成塑膠薄膜11的樹脂只要具有絕緣性，同時具有充分的強度、撓性及加工性，就不受特別限制，可舉例如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚芳硫醚(聚對苯硫醚等)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚、聚二醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。由強度及成本的觀點來看，聚對苯二甲酸乙二酯較佳。塑膠薄膜11的厚度為10~100μm程度即可，較佳為10~30μm。
(b)金屬薄膜
形成金屬薄膜12的金屬只要具有導電性，就不受特別限定，但由耐腐蝕性及成本的觀點來看，鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等的合金較佳，特別是鋁、銅、 鎳及此等的合金較佳。金屬薄膜的厚度較佳為0.01μm以上。厚度的上限並不特別限定，但在實用上為10μm程度就足夠。當然也可以使用超過10μm的金屬薄膜，但是高頻電磁波的吸收能力幾乎不變。金屬薄膜的厚度更佳為0.01~5μm，最佳為0.01~1μm。金屬薄膜12可利用蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍層法等物理蒸鍍法、或電漿CVD法、熱CVD法、光CVD法等化學氣相蒸鍍法)、電鍍法或箔接合法形成。
金屬薄膜12為單一層時，由導電性、耐腐蝕性及成本的觀點，金屬薄膜12較佳為由鋁或鎳構成。此外，金屬薄膜12為複數層時，也可以利用非磁性金屬形成其中一者，利用磁性金屬形成另一者。作為非磁性金屬，可舉鋁、銅、銀、錫或此等的合金，作為磁性金屬，可舉鎳、鈷、鉻或此等的合金。磁性金屬薄膜的厚度較佳為0.01μm以上，非磁性金屬薄膜的厚度較佳為0.1μm以上。厚度的上限並不特別限定，但兩者都在實用上為10μm程度即可。更佳是磁性金屬薄膜的厚度為0.01~5μm，非磁性金屬薄膜的厚度為0.1~5μm。圖4(e)及圖4(f)顯示在塑膠薄膜11上形成有兩層金屬薄膜121a、121b的第一電磁波吸收薄膜10a’。
(c)線狀痕跡
如圖4(b)~圖4(d)所示，在金屬薄膜12上以不規則的寬度及間隔於兩方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡122a、122b。再者，為了說明，在圖4(c)及圖4(d)中誇大線狀痕跡122的深度。定向於兩方向上的線狀痕跡 122具有各種寬度W及間隔I。如後述，線狀痕跡122係由具有隨機地附著的硬質微粒子(金剛石微粒子)之圖案輥的滑接所形成，所以線狀痕跡的橫向間隔I取決於圖案輥上的硬質微粒子的間隔，長度方向間隔I取決於硬質微粒子的間隔及圖案輥和複合薄膜的相對周速。以下，就橫向間隔I進行說明，但是其說明也適用於長度方向間隔。線狀痕跡122的寬度W係利用相當於線狀痕跡形成前的金屬薄膜12之表面S的高度求出，線狀痕跡122的間隔I係利用相當於線狀痕跡形成前的金屬薄膜12之表面S的高度求出。由於線狀痕跡122具有各種寬度W及間隔I，所以複合電磁波吸收薄片可有效率地吸收遍及廣大範圍的頻率的電磁波。
線狀痕跡122寬度W的90%以上較佳為在0.1~100μm的範圍內，更佳為在0.5~50μm的範圍內，最佳為在0.5~20μm的範圍內。線狀痕跡122的平均寬度Wav較佳為1~50μm，更佳為1~10μm，最佳為1~5μm。
線狀痕跡122的橫向間隔I較佳為在1~200μm的範圍內，更佳為在1~100μm的範圍內，最佳為在1~50μm的範圍內，特佳為在1~30μm的範圍內。此外，線狀痕跡122的橫向平均間隔Iav較佳為1~100μm，更佳為5~50μm，最佳為5~30μm。
線狀痕跡122的長度L取決於滑接條件(主要是輥及薄膜的相對周速、及複合薄膜對輥的捲繞角度)，所以只要不改變滑接條件，大部分就大致相同(大致等於平均長度)。線狀痕跡122的長度並不特別限定，在實用上為1~ 100mm程度即可，較佳為2~10mm。
線狀痕跡122a、122b的銳角側的交叉角(以下若無特別預告，也只稱為「交叉角」)θs較佳為10~90°，更佳為30~90°。藉由調整複合薄膜和圖案輥的滑接條件(滑接方向、周速比等)，可如圖5(a)~圖5(c)所示，得到各種交叉角θs的線狀痕跡122。圖5(a)顯示具有三方向的線狀痕跡122a、122b、122c之例，圖5(b)顯示具有四方向的線狀痕跡122a、122b、122c、122d之例，圖5(c)顯示具有正交的線狀痕跡122a’、122b’之例。
(d)細微孔
如圖6(a)及圖6(b)所示，在金屬薄膜12上除了線狀痕跡122之外，也可以任意地設置多數個細微貫穿孔13。細微孔13可藉由將在表面具有高硬度微粒子的輥壓在金屬薄膜12上而形成。如圖6(b)所示，細微孔13的開口直徑D係利用相當於線狀痕跡形成前的金屬薄膜12之表面S的高度求出。細微孔13的開口直徑D較佳為90%以上在0.1~1000μm的範圍內，更佳為在0.1~500μm的範圍內。此外，細微孔13的平均開口直徑Dav較佳為在0.5~100μm的範圍內，更佳為在1~50μm的範圍內。
(2)第一電磁波吸收薄膜之線狀痕跡的形成
圖8(a)~圖8(e)顯示在塑膠薄膜上的金屬薄膜上於兩方向上形成線狀痕跡之裝置的一例。此裝置具有：(a)捲出金屬薄膜-塑膠複合薄膜100的捲軸21；(b)在和複合薄膜100寬度方向不同的方向上配置於金屬薄膜12側的第一圖案輥2a；(c)在第一圖案輥2a上游側配置於金屬薄 膜12相反側的第一壓輥3a；(d)關於複合薄膜100的寬度方向，配置於和第一圖案輥2a相反方向上且金屬薄膜12側的第二圖案輥2b；(e)在第二圖案輥2b下游側配置於金屬薄膜12相反側的第二壓輥3b；(f)在第一及第二圖案輥2a、2b之間配置於金屬薄膜12側的電阻測定機構4a；(g)在第二圖案輥2b下游側配置於金屬薄膜12側的電阻測定機構4b；及(h)捲取帶有線狀痕跡的金屬薄膜-塑膠複合薄膜1的捲軸24。除此之外，還在預定的位置上配置有複數個導輥22、23。為了防止彎曲，各圖案輥2a、2b以支承輥(例如橡膠輥)5a、5b支持著。
如圖8(c)所示，各壓輥3a、3b在比和各圖案輥2a、2b的滑接位置更低的位置上接觸於複合薄膜100，所以複合薄膜100之金屬薄膜12被壓在各圖案輥2a、2b上。在滿足此條件的狀態下，藉由調整各壓輥3a、3b的縱向位置，可調整各圖案輥2a、2b對金屬薄膜12的壓力，並且也可以調整與中心角θ1成比例的滑接距離。
圖8(d)顯示對於複合薄膜100行進方向傾斜形成線狀痕跡122a的原理。由於圖案輥2a對於複合薄膜100行進方向傾斜，所以圖案輥2a上的硬質微粒子的移動方向(旋轉方向)a與複合薄膜100的行進方向b不同。於是，若如以X所示，假設在任意的時點，圖案輥2a上的點A的硬質微粒子與金屬薄膜12接觸而形成有痕跡B，則在預定的時間後，硬質微粒子會移動到點A’，痕跡B會移動到點B’。硬質微粒子從點A移動到點A’的這段期間，痕跡被連續地形成，所以會形成從點B’延伸到點A’的線狀痕跡 122a。
以第一及第二圖案輥2a、2b形成的第一及第二線狀痕跡群122A、122B的方向及交叉角θs可藉由變更各圖案輥2a、2b對於複合薄膜100的角度、及/或各圖案輥2a、2b對於複合薄膜100移動速度的周速度而調整。例如，若使圖案輥2a對於複合薄膜100移動速度b的周速度a增大，則可如圖8(d)之以Y所示，使線狀痕跡122a如同線段C’D’一般，對於複合薄膜100的行進方向成為45°。同樣地，若改變圖案輥2a對於複合薄膜100寬度方向的傾斜角θ2，則可改變圖案輥2a的周速度a。此對於圖案輥2b也同樣。因此，藉由兩圖案輥2a、2b的調整，可如同圖4(b)及圖5(c)所例示一般，變更線狀痕跡122a、122b的方向。
由於各圖案輥2a、2b對於複合薄膜100傾斜，所以複合薄膜100會隨著和各圖案輥2a、2b的滑接而承受寬度方向之力。因此，為了防止複合薄膜100的蛇行(橫向偏移)，調整各壓輥3a、3b對於各圖案輥2a、2b的縱向位置及/或角度較佳。例如，若適當調節圖案輥2a之軸線與壓輥3a之軸線的交叉角θ3，則可使壓力往寬度方向分散以消除寬度方向之力，因而可防止蛇行。此外，圖案輥2a與壓輥3a之間隔的調整也有助於防止蛇行。為了防止複合薄膜100的蛇行及斷裂，對於複合薄膜100的寬度方向傾斜的第一及第二圖案輥2a、2b的旋轉方向較佳為和複合薄膜100的行進方向相同。
如圖8(b)所示，輥形的各電阻測定機構4a、4b係經 由絕緣部40而具有一對電極41、41，在該等電極之間測定帶有線狀痕跡的金屬薄膜12之電阻。反饋以電阻測定機構4a、4b測定的電阻值，調整複合薄膜100的移動速度、圖案輥2a、2b的旋轉速度及傾斜角θ2、壓輥3a、3b的位置及傾斜角θ3等的運轉條件。
為了增大圖案輥2a、2b對於複合薄膜100的壓力，也可以如圖9所示，在圖案輥2a、2b之間設置第三壓輥3c。與中心角θ1成比例的金屬薄膜12之滑接距離也隨著第三壓輥3c而增大，線狀痕跡122a、122b變長。若調整第三壓輥3c的位置及傾斜角，則也可以有助於防止複合薄膜100的蛇行。
圖10顯示形成如同圖5(a)所示一般定向於三方向上的線狀痕跡122a、122b、122c之裝置的一例。此裝置在下述之點與圖8(a)~圖8(e)所示之裝置不同：於第二圖案輥2b的下游配置有和複合薄膜100寬度方向平行的第三圖案輥2c及第三壓輥3c。第三圖案輥2c的旋轉方向可以和複合薄膜100的行進方向相同，也可以相反，但是為了有效率地形成線狀痕跡，反方向較佳。和寬度方向平行配置的第三圖案輥2c形成延伸於複合薄膜100行進方向上的線狀痕跡122c。第三壓輥3c雖然設置於第三圖案輥2c的上游側，但也可以設置於下游側。可以在第三圖案輥2c的下游側設置電阻測定輥4c。再者，也可以不受圖示之例限定，而將第三圖案輥2c設置於第一圖案輥2a的上游側、或第一及第二圖案輥2a、2b之間。
圖11顯示形成如同圖5(b)所示一般定向於四方向上 的線狀痕跡122a、122b、122c、122d之裝置的一例。此裝置在下述之點與圖10所示之裝置不同：於第二圖案輥2b與第三圖案輥2c之間設置有第四圖案輥2d，於第四圖案輥2d的上游側設置有第四壓輥3d。藉由使第四圖案輥2d的旋轉速度變慢，可如同在圖8(d)中以Z所示一般，使線狀痕跡122a’的方向(線段E’F’)和複合薄膜100的寬度方向平行。
圖12顯示形成如同圖5(c)所示一般定向於正交的兩方向上的線狀痕跡122a’、122b’之裝置的別例。此裝置在下述之點與圖8(a)~圖8(e)所示之裝置不同：和複合薄膜100的寬度方向平行地配置有第二圖案輥32b。因此，以下只說明和圖8(a)~圖8(e)所示之裝置不同的部分。第二圖案輥32b的旋轉方向可以和複合薄膜100的行進方向相同，也可以相反。此外，第二壓輥33b可以是第二圖案輥32b的上游側，也可以是下游側。此裝置適合於如同在圖8(d)中以Z所示一般，以線狀痕跡122a’的方向(線段E’F’)為複合薄膜100的寬度方向，形成圖5(c)所示的線狀痕跡。
不僅決定線狀痕跡的傾斜角及交叉角，而且決定該等線狀痕跡的深度、寬度、長度及間隔的運轉條件為複合薄膜100的移動速度、圖案輥的旋轉速度及傾斜角及壓力等。複合薄膜的移動速度較佳為5~200m/分鐘，圖案輥的周速較佳為10~2,000m/分鐘。圖案輥的傾斜角θ2較佳為20°~60°，特別是約45°較佳。複合薄膜100的張力(與壓力成比例)較佳為0.05~5kgf/cm寬度。
使用於線狀痕跡形成裝置的圖案輥較佳為在表面含有具有尖銳角部的莫氏(Mohs)硬度5以上的微粒子之輥，例如特開2002-59487號所記載的金剛石輥。由於線狀痕跡的寬度取決於微粒子的粒徑，所以金剛石微粒子的90%以上較佳為具有1~1,000μm範圍內的粒徑，更佳為5~200μm範圍內的粒徑。金剛石微粒子較佳為在輥面上以50%以上的面積率附著。
可以利用專利第2063411號所記載的方法，在具有線狀痕跡122的金屬薄膜12上形成多數個細微孔13。使用於形成細微孔13的輥本身和線狀痕跡形成用輥相同即可。細微孔13可藉由下述形成：使複合薄膜100以相同的周速通過和線狀痕跡形成用輥同樣具有尖銳角部的莫氏硬度5以上的多數個微粒子附著於表面上之輥與平滑面之輥的間隙。
(3)第二電磁波吸收薄膜
如圖1所示，構成第一複合電磁波吸收薄片1a的第二電磁波吸收薄膜20係由磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠所構成。
(a)磁性粒子或非磁性導電性粒子
磁性粒子中有磁性金屬粒子及磁性非金屬粒子。就磁性金屬粒子而言，可舉純鐵、Fe-Si合金、Fe-Al合金、鋁矽鐵粉(Sendust)等的Fe-Si-Al合金、坡莫合金(permalloy)、非晶質合金等的粒子。就磁性非金屬粒子而言，可舉Ni-Zn鐵氧體、Cu-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體等的鐵氧體粒子。
非磁性導電性粒子中有非磁性金屬粒子及非磁性導電性非金屬粒子。就非磁性金屬而言，可舉銅、銀、金、鋁等。就非磁性導電性非金屬粒子而言，可舉石墨粒子及碳黑。
為了防止磁性粒子及非磁性導電性粒子的腐蝕，使對樹脂或橡膠的分散性提高，並且確保第二電磁波吸收薄膜的電阻，用矽烷偶合劑等覆蓋磁性粒子及非磁性導電性粒子較佳。
磁性粒子及非磁性導電性粒子的平均粒徑較佳為5~200μm。若平均粒徑不到5μm，則不易分散到樹脂或橡膠上。此外，若平均粒徑超過200μm，則不易均勻分散到樹脂或橡膠上，磁性粒子或非磁性導電性粒子分散的樹脂或橡膠對薄膜的成形加工困難。磁性粒子及非磁性導電性粒子的平均粒徑更佳為10~100μm。
(b)樹脂或橡膠
形成第二電磁波吸收薄膜20的樹脂只要具有磁性粒子及非磁性導電性粒子的分散性及絕緣性，同時具有充分的強度、撓性及加工性，就不受特別限制，可舉例如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚芳硫醚(聚對苯硫醚等)、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。
就橡膠而言，可舉例如氯丁二烯橡膠、乙烯-丙烯-二烯橡膠、丙烯腈橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚胺酯、苯乙烯-丁二烯橡膠等。
(c)組成
第二電磁波吸收薄膜20中的磁性粒子或非磁性導電性粒子的含有量較佳為10~60體積%。若磁性粒子或非磁性導電性粒子的含有量不到10體積%，則第二電磁波吸收薄膜20不會充分發揮的電磁波吸收能力。另一方面，若超過60體積%，則磁性粒子或非磁性導電性粒子不易分散至樹脂或橡膠上。磁性粒子或非磁性導電性粒子的含有量更佳為30~50體積%。
(d)厚度
一般第二電磁波吸收薄膜20越厚越發揮高的電磁波吸收能力，但若過厚，則配置於小型電子機器及通訊機器內的電路上成為困難。因此，第二電磁波吸收薄膜20的厚度較佳為1mm以下，更佳為0.5mm以下。第二電磁波吸收薄膜20厚度的下限在實用上為0.1mm程度。
[2]第二複合電磁波吸收薄片
如圖2所示，第二複合電磁波吸收薄片1b除了在金屬薄膜12上依序形成有奈米碳管薄層14之外，都和第一複合電磁波吸收薄片1a相同。圖7(a)顯示形成有奈米碳管薄層14的金屬薄膜12為單一層之例，圖7(b)顯示形成有奈米碳管薄層14的金屬薄膜12為兩層金屬薄膜121a、121b之例。在圖示之例中，於奈米碳管薄層14上設置有塑膠保護層15。
(1)奈米碳管薄層
奈米碳管本身可以是單層構造，也可以是多層構造。多層奈米碳管具有10nm~幾10nm的外徑，不僅容易形成為均勻的薄層而不凝聚，並且導電性佳，所以比較理 想。奈米碳管薄層14較佳為具有0.01~0.5g/m2的厚度(塗布量)。若奈米碳管薄層14比0.01g/m2薄，則無法充分提高電磁波吸收能力及達到均勻化效果，而若比0.5g/m2厚，則不易防止奈米碳管的凝聚，奈米碳管薄層14會不均勻化。奈米碳管薄層14的厚度更佳為0.02~0.2g/m2，最佳為0.04~0.1g/m2。
利用奈米碳管薄層14提高電磁波吸收能力的理由雖然不一定明確，但是一般認為若比線狀痕跡122小得多的奈米碳管存在於線狀痕跡122之中及線狀痕跡122之間，則吸收電磁波的構造被細微化，其結果被認為會產生電磁波吸收能力的提高及均勻化。線狀痕跡122及奈米碳管全都具有不規則的尺寸及分布，所以在微觀下雖然形成不均勻的電磁波吸收構造，但藉由不同的無數電磁波吸收構造的存在，在宏觀下卻發揮均勻的電磁波吸收能力。
將奈米碳管的分散液塗布於具有線狀痕跡122的金屬薄膜12上，藉由自然乾燥，形成奈米碳管薄層14。分散液中的奈米碳管的濃度較佳為0.1~2質量%。若奈米碳管的濃度不到0.1質量%，則得不到充分的塗布量，而若超過2質量%，則有奈米碳管在分散液中凝聚之虞，得不到均勻的奈米碳管薄層。奈米碳管較佳的濃度為0.2~1質量%。奈米碳管夠長時，奈米碳管分散液可以含有黏著劑樹脂。此外，奈米碳管分散液也可以含有幾乎不會影響奈米碳管導電性的分散劑。
按照濃度決定奈米碳管分散液的塗布量，使奈米碳 管薄層14具有0.01~0.5g/m2厚度。。分散奈米碳管的溶劑若為揮發性較佳者，則不受限定，例如水、甲醇、乙醇、異丙醇、苯、甲苯、丁酮等較佳。奈米碳管分散液的塗布方法並不限定，但是為了得到均勻的薄層14，噴墨印刷法等較佳。奈米碳管分散液的塗布無需一次進行，為了得到盡量均勻的奈米碳管薄層14，可以分成複數次進行。
(2)保護層
為了使第一電磁波吸收薄膜10a的處理容易，並且保護金屬薄膜12及奈米碳管薄層14，可以如圖7(a)及圖7(b)所示，在金屬薄膜12上形成塑膠保護層15。塑膠保護層15用的塑膠薄膜可以和成為基底的塑膠薄膜11相同。保護層15的厚度較佳為5~30μm程度，更佳為10~20μm程度。塑膠保護層15較佳為藉由熱貼合塑膠薄膜而形成。塑膠保護層用塑膠薄膜為PET薄膜時，熱貼合溫度為110~150℃即可。
[3]第三複合電磁波吸收薄片
如圖3所示，第三複合電磁波吸收薄片1c在下述之點與第一複合電磁波吸收薄片1a不同：使用第四電磁波吸收薄膜10c取代第一電磁波吸收薄膜10a。因此，以下就第四電磁波吸收薄膜10c詳細地進行說明。
(1)磁性金屬薄膜
如圖13所示，第四電磁波吸收薄膜10c係在塑膠薄膜11一面上利用蒸鍍法形成磁性金屬薄膜12a後，以110~180℃範圍內的溫度進行熱處理而成，(a)磁性金屬薄膜 12a的透光率(波長660nm的雷射光)為3~50%，(b)在由第四電磁波吸收薄膜10c切出的10cm×10cm的正方形試片的磁性金屬薄膜之對向邊部上配置覆蓋邊全體的長度的一對電極，透過平坦加壓板而施加3.85kg的負荷測定時的磁性金屬薄膜12a的表面電阻為10~200Ω/□。
就磁性金屬薄膜12a用的磁性金屬而言，可舉Ni、Fe、Co或其等的合金，但由蒸鍍的容易性、導電性及導磁率的觀點來看，Ni或其合金較佳。磁性金屬薄膜12a可以藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等眾所周知的方法形成。
(a)透光率
磁性金屬薄膜12a非常地薄，所以如圖14所示，厚度不均勻，具有形成得較厚的區域12a’、及形成得較薄的區域或完全未形成的區域12b’。因此，要正確地測定磁性金屬薄膜12a的厚度困難。所以，在本發明中，以波長660nm的雷射光的穿透率(只稱為「透光率」)表示磁性金屬薄膜12a的厚度。透光率係將磁性金屬薄膜12a任意複數處的測定值平均求出。若測定處數為5以上，則透光率的平均值安定。若塑膠薄膜11的厚度為30μm以下，則塑膠薄膜11本身的透光率大約為100%，所以第四電磁波吸收薄膜10c的透光率與磁性金屬薄膜12a的透光率一致。然而，塑膠薄膜11比其厚時，從第四電磁波吸收薄膜10c的透光率減去塑膠薄膜11的透光率之值為磁性金屬薄膜12a的透光率。
磁性金屬薄膜12a的透光率必需為3~50%的範圍內。若透光率不到3%，則磁性金屬薄膜12a過厚而呈現如 金屬箔之類的特性，電磁波反射率高，電磁波雜訊的吸收能力低。另一方面，若透光率超過50%，則磁性金屬薄膜12a過薄而電磁波吸收能力不完全。磁性金屬薄膜12a的透光率較佳為5~45%，更佳為8~30%。
(b)表面電阻
已知透光率為3~50%且薄的磁性金屬薄膜12a的表面電阻因測定方法而大不相同。因此，以盡量加大磁性金屬薄膜12a與電極的接觸面積，並且磁性金屬薄膜12a與電極盡量均勻地密合的方式，使用圖15所示的裝置，藉由加壓下的直流二端子法(只稱為「加壓二端子法」)測定表面電阻。具體而言，在將磁性金屬薄膜12a朝上而載置於硬質的絕緣性平坦面上的10cm×10cm的第四電磁波吸收薄膜10c的正方形試片TP1之對向邊部上載置由長度10cm×寬度1cm×厚度0.5mm的電極本體部16a及從電極本體部16a之中央側部延伸的寬度1cm×厚度0.5mm的電極延長部16b構成的一對電極16、16，以完全覆蓋試片TP1與兩電極16、16的方式於其等之上放置10cm×10cm×厚度5mm的透明壓克力板17，在壓克力板17之上放置直徑10cm的圓柱狀鉛錘18(3.85kg)後，從流經兩電極延長部16b、16b間的電流求出表面電阻。
熱處理後的磁性金屬薄膜12a的表面電阻必需為10~200Ω/□的範圍內。若表面電阻不到10Ω/□，則磁性金屬薄膜12a過厚而顯示如金屬箔之類的舉動，電磁波雜訊的吸收能力低。另一方面，若表面電阻超過200Ω/□，則磁性金屬薄膜12a過薄而電磁波吸收能力仍然不充分。熱 處理後的磁性金屬薄膜12a的表面電阻較佳為15~150Ω/□，更佳為20~120Ω/□，最佳為30~100Ω/□。
(2)熱處理
如圖14所示，透光率為3~50%、表面電阻為10~200Ω/□且非常薄的磁性金屬薄膜12a係全體具有厚度不均勻，並且具有比較厚的區域12a’與比較薄(或無薄膜)的區域12b’。比較薄的區域12b’起作用作為磁隙及高電阻區域，一般認為是利用近場雜訊使流經磁性金屬薄膜12a內的磁流及電流衰減。然而，已知此種薄的磁性金屬薄膜12a的狀態會因製造條件而大不相同，要穩定地形成具有一定的透光率及表面電阻的磁性金屬薄膜12a非常地困難。於是，經專心研究的結果，得知若對於利用蒸鍍法形成的磁性金屬薄膜12a以可產生塑膠薄膜11熱收縮的超過100℃的溫度進行熱處理，則磁性金屬薄膜12a的表面電阻會降低一些，並且穩定化，時效變化著實地消失。對於如同延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜一般可產生熱收縮的塑膠薄膜以超過100℃的溫度進行熱處理，在以往是完全不被考慮的。然而，已知若以110~180℃範圍內的溫度短時間(例如10分鐘~1小時)進行熱處理，則只是塑膠薄膜11稍微熱收縮，磁性金屬薄膜12a的表面電阻稍微降低，並且穩定化，因而穩定了電磁波雜訊吸收能力。此處，所謂電磁波雜訊吸收能力的穩定化，意味著不僅實質上無電磁波雜訊吸收能力的時效變化，而且由製造條件所產生的偏差及製造批量間的偏差也降低。
藉由改變熱處理條件，可調整表面電阻。例如，對 於表面電阻較高的磁性金屬薄膜12a，藉由提高熱處理溫度或加長熱處理時間，可使表面電阻降低到所希望的值。相反地，對於表面電阻較低的磁性金屬薄膜12a，藉由降低熱處理溫度或縮短熱處理時間，可抑制表面電阻的降低。
已知即使是具有相同表面電阻的蒸鍍薄膜，若是無熱處理者與經熱處理者，在電磁波吸收能力上也有顯著的差別，利用熱處理將表面電阻調整為期望值的蒸鍍薄膜具有高的電磁波吸收能力。此理由並不明確。因為要評估非常薄的磁性金屬薄膜狀態(特別是組織)的由熱處理所產生的變化是非常困難的。實驗的結果，得知磁性金屬薄膜的電磁波吸收能力會隨著熱處理溫度而變化，所以在本發明中，要依據熱處理溫度來規定磁性金屬薄膜的組織狀態。
熱處理溫度為110~180℃的範圍內。若熱處理溫度不到110℃，則實質上得不到利用熱處理提高電磁波吸收能力及減低偏差的效果。另一方面，若熱處理溫度超過180℃，則不僅會產生磁性金屬薄膜12a的表面氧化，而且若是不具有足夠耐熱性的塑膠薄膜，則熱收縮會變得過大。熱處理溫度較佳為120~170℃，更佳為130~160℃。熱處理時間因熱處理溫度而異，一般10分鐘~1小時較佳，20~40分鐘更佳。
藉由在經熱處理的磁性金屬薄膜12a的表面上層積保護薄膜來保護磁性金屬薄膜12a並且確保絕緣性較佳。就保護薄膜而言，可以使用和塑膠薄膜11相同的薄膜。
[4]電磁波吸收薄膜的電磁波吸收能力 (1)傳送衰減率
如圖16(a)及圖16(b)所示，傳送衰減率Rtp係使用下述系統：以50Ω的微帶線MSL(64.4mm×4.4mm)、支持微帶線MSL的絕緣基板220、接合於絕緣基板220下面的接地電極221、連接於微帶線MSL兩端的導電性銷222、222、網路分析器NA、及將網路分析器NA連接於導電性銷222、222的同軸電纜223、223構成；利用黏著劑將複合電磁波吸收薄片的試片TP2貼附於微帶線MSL上，對於0.1~6GHz的入射波測定反射波S11的電力及穿透波S21的電力，利用下式(1)求出：Rtp=-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]…(1)
(2)雜訊吸收率
在圖16(a)及圖16(b)所示的系統中，入射的電力Pin=反射波S11的電力+穿透波S21的電力+被吸收的電力(電力損失)Ploss成立。因此，藉由從入射的電力Pin減去反射波S11的電力及穿透波S21的電力，求出電力損失Ploss，藉由Ploss除以入射電力Pin，求出雜訊吸收率Ploss/Pin。
(3)內部去偶合率
內部去偶合率(intradecoupling ratio)Rda係表示在相同印刷基板內的偶合會因為雜訊抑制薄片衰減到什麼程度，如圖17所示，在連接於網路分析器NA的一對環形天線301、302附近載置雜訊抑制薄片的試片TP，藉由測定0~6GHz的高頻信號從一方的環形天線301傳送到另一方的環形天線302時的衰減率來求出。
(4)相互去偶合率
相互去偶合率(interdecoupling ratio)Rde係表示在兩個印刷基板間或零件間的偶合利用雜訊抑制薄片衰減到什麼程度，如圖18所示，在連接於網路分析器NA的一對環形天線301、302之間載置雜訊抑制薄片的試片TP，藉由測定0~6GHz的高頻信號從一環形天線301傳送到另一環形天線302時的衰減率來求出。
茲藉由以下的實施例更加詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。
參考例1
使用具有電沉積有粒徑分布為50~80μm的金剛石微粒子之圖案輥32a、32b的圖12所示之構造的裝置，在利用真空蒸鍍法形成於厚度16μm的雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜11一面上的厚度0.05μm的鋁薄膜12上形成如同圖5(c)所示一般定向於正交的兩方向的線狀痕跡122a’、122b’，製作出第一電磁波吸收薄膜10a。由帶有線狀痕跡的鋁薄膜12的光學顯微鏡照片得知線狀痕跡122a’、122b’具有下述特性：寬度W的範圍：0.5~5μm
平均寬度Wav：2μm
間隔I的範圍：2~30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長度Lav：5mm
銳角側的交叉角θs：90°
將使外徑為10~15nm、長度為0.1~10μm的多層奈 米碳管分散於丁酮中而成的濃度1質量%的奈米碳管分散液(含有1質量%的分散劑)用噴刷塗布於帶有線狀痕跡的鋁薄膜12上，使其自然乾燥。所形成的奈米碳管薄層14的厚度(塗布量)為0.064g/m2。其後，以120℃將厚度16μm的PET薄膜保護層15熱貼合於鋁薄膜12上，得到第三電磁波吸收薄膜10b的樣品。
將由第三電磁波吸收薄膜10b切出的試片TP2(55.2mm×4.7mm)用黏著劑貼附於圖16(a)及圖16(b)所示的系統的微帶線MSL上，測定對於0.1~6GHz頻率範圍的入射電力Pin的反射波的電力S11及穿透波的電力S21。利用段落[4]的(1)及(2)所記載的方法求出在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率RtP及雜訊吸收率Ploss/Pin。將傳送表減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin分別顯示於圖19及圖20。
在圖17所示的裝置上載置第三電磁波吸收薄膜10b的試片TP，測定0~6GHz的高頻信號從一環形天線301傳送到另一環形天線302時的衰減率，求出內部去偶合率Rda。再在圖18所示的裝置上載置第三電磁波吸收薄膜10b的試片TP，測定0~6GHz的高頻信號從一環形天線301傳送到另一環形天線302時的衰減率，求出相互去偶合率Rde。將在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde分別顯示於圖21及圖22。
參考例2
在厚度16μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜11上利用真空蒸鍍法形成目標透光率(波長660nm)27.0%的Ni薄膜12a，製作出長的蒸鍍薄膜。由長的蒸鍍薄膜的任意 部分切下A4尺寸(210mm×297mm)的樣品S，如圖23(a)及圖23(b)所示，將各樣品S以Ni薄膜12a朝下而載置於加熱裝置240的熱板241上，放置A4尺寸且厚度3mm的鐵氟龍(註冊商標)製隔熱薄片242及A4尺寸且厚度2mm的鐵板243後，以150℃進行30分鐘熱處理，得到第四電磁波吸收薄膜10c。熱處理造成的熱收縮為約1%。
由第四電磁波吸收薄膜10c切出10cm×10cm的試片TP1。將試片TP1任意5處的透光率使用基恩斯(Keyence)股份有限公司製造的穿透型雷射感測器(IB-05)以波長660nm的雷射光測定、平均。此外，如圖15所示，利用加壓二端子法測定試片TP1的表面電阻。各電極16係由長度10cm×寬度1cm×厚度0.5mm的電極本體部16a及寬度1cm×厚度0.5mm的電極延長部16b所構成，透明壓克力板17為10cm×10cm×厚度5mm，圓柱狀鉛錘18具有10cm的直徑，為3.85kg。將兩電極16、16連接於鶴賀電機股份有限公司製造的電阻計(型名：3565)，從所得到的電流值求出表面電阻。其結果，試片TP1的平均透光率為26.7%。此外，平均表面電阻係熱處理前為100~110Ω/□，熱處理後為90Ω/□。
將由第四電磁波吸收薄膜10c切下的試片TP2(55.2mm×4.7mm)用黏著劑貼附於圖16(a)及圖16(b)所示的系統的微帶線MSL上，測定在0.1~6GHz頻率範圍的反射波S11的電力及穿透波S21的電力。利用段落[4]的(1)及(2)所記載的方法求出在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。將傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率 Ploss/Pin分別顯示於圖24及圖25。
在圖17所示的裝置及圖18所示的裝置上分別載置第四電磁波吸收薄膜10c的試片TP，測定0~6GHz的高頻信號從一環形天線301傳送到另一環形天線302時的衰減率，求出內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde。將在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde分別顯示於圖26及圖27。
比較例1
使用含有鐵氧體粒子的市售厚度0.1mm的磁性雜訊抑制薄片(NEC東金(TOKIN)股份有限公司製造的「BUSTERAID」)作為第二電磁波吸收薄膜20，測定其在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin、及在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde。將結果分別顯示於圖28~圖31。
比較例2
使用市售厚度0.2mm的含碳的導電性雜訊抑制薄片作為第二電磁波吸收薄膜20，測定其在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin、及在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde。將結果分別顯示於圖32~圖35。
實施例1
在由參考例1得到的第三電磁波吸收薄膜10b上黏接含有鐵氧體粒子的市售厚度0.1mm的磁性雜訊抑制薄片(NEC東金(TOKIN)股份有限公司製造的「BUSTERAID」)作為第二電磁波吸收薄膜20，得到圖2所示的第二複合 電磁波吸收薄片1b。將第二複合電磁波吸收薄片1b的在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin、及在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde分別顯示於圖36~圖39。如從圖36~圖39可明瞭，由第三電磁波吸收薄膜10b及磁性雜訊抑制薄片20構成的實施例1的第二複合電磁波吸收薄片1b具有比第三電磁波吸收薄膜10b單獨(參考例1)及第二電磁波吸收薄膜20單獨(比較例1)的情況更優良的電磁波吸收能力。
實施例2
使用具有電沉積有粒徑分布為50~80μm的金剛石微粒子之圖案輥32a、32b的圖12所示之構造的裝置，在利用真空蒸鍍法形成於厚度16μm的雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜11一面上的厚度0.05μm的鋁薄膜12上形成如同圖5(c)所示一般定向於正交的兩方向的線狀痕跡122a’、122b’，製作出第一電磁波吸收薄膜10a。由帶有線狀痕跡的鋁薄膜12的光學顯微鏡照片得知線狀痕跡122a’、122b’具有下述特性：寬度W的範圍：0.5~5μm
平均寬度Wav：2μm
間隔I的範圍：2~30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長度Lav：5mm
銳角側的交叉角θs：90°
在此第一電磁波吸收薄膜10a上黏接含有鐵氧體粒 子的市售厚度0.1mm的磁性雜訊抑制薄片(NEC東金(TOKIN)股份有限公司製造的「BUSTERAID」)作為第二電磁波吸收薄膜20，得到圖1所示的第一複合電磁波吸收薄片1a。將第一複合電磁波吸收薄片1a的在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin、及在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde分別顯示於圖40~圖43。如從圖40~圖43可明瞭，由第一電磁波吸收薄膜10a及磁性雜訊抑制薄片20構成的實施例2的第一複合電磁波吸收薄片1a具有比第一電磁波吸收薄膜10a單獨及第二電磁波吸收薄膜20單獨(比較例1)的情況更優良的電磁波吸收能力。
實施例3
在由參考例2得到的第四電磁波吸收薄膜10c上黏接含有鐵氧體粒子的市售厚度0.1mm的磁性雜訊抑制薄片(NEC東金(TOKIN)股份有限公司製造的「BUSTERAID」)作為第二電磁波吸收薄膜20，得到圖3所示的第三複合電磁波吸收薄片1c。將第三複合電磁波吸收薄片1c的在0.1~6GHz頻率範圍的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin、及在0~6GHz頻率範圍的內部去偶合率Rda及相互去偶合率Rde分別顯示於圖44~圖47。如從圖44~圖47可明瞭，由第四電磁波吸收薄膜10c及磁性雜訊抑制薄片20構成的實施例3的第三複合電磁波吸收薄片1c具有比第四電磁波吸收薄膜10c單獨(參考例2)及第二電磁波吸收薄膜20單獨(比較例1)的情況更優良的電磁波吸收能力。
1‧‧‧帶有線狀痕跡的金屬薄膜-塑膠複合薄膜
11‧‧‧塑膠薄膜
12‧‧‧金屬薄膜、鋁薄膜
13‧‧‧細微孔
14‧‧‧奈米碳管薄層
15‧‧‧塑膠保護層
16、41‧‧‧電極
17‧‧‧透明壓克力板
18‧‧‧鉛錘
20‧‧‧第二電磁波吸收薄膜
21、24‧‧‧捲軸
22、23‧‧‧導輥
40‧‧‧絕緣部
100‧‧‧複合薄膜
122‧‧‧線狀痕跡
220‧‧‧絕緣基板
221‧‧‧接地電極
222‧‧‧導電性銷
223‧‧‧同軸電纜
240‧‧‧加熱裝置
241‧‧‧熱板
242‧‧‧隔熱薄片
243‧‧‧鐵板
301、302‧‧‧環形天線
1a‧‧‧第一複合電磁波吸收薄片
1b‧‧‧第二複合電磁波吸收薄片
1c‧‧‧第三複合電磁波吸收薄片
2a‧‧‧第一圖案輥
2b、32b‧‧‧第二圖案輥
2c‧‧‧第三圖案輥
2d‧‧‧第四圖案輥
3a‧‧‧第一壓輥
3b、33b‧‧‧第二壓輥
3c‧‧‧第三壓輥
3d‧‧‧第四壓輥
4a、4b‧‧‧電阻測定機構
4c‧‧‧電阻測定輥
5a、5b‧‧‧支承輥
10a’‧‧‧第一電磁波吸收薄膜
10b‧‧‧第三電磁波吸收薄膜
10c‧‧‧第四電磁波吸收薄膜
12a‧‧‧磁性金屬薄膜、Ni薄膜
16a‧‧‧電極本體部
16b‧‧‧電極延長部
32a、32b‧‧‧圖案輥
121a、121b‧‧‧金屬薄膜
122a、122b、122c、122d、122a’、122b’‧‧‧線狀痕跡
12a’‧‧‧形成得較厚的區域
12b’‧‧‧形成得較薄的區域或完全未形成的區域
122A、122B‧‧‧第一及第二線狀痕跡群
MSL‧‧‧微帶線
NA‧‧‧網路分析器
S‧‧‧表面
TP、TP1、TP2‧‧‧試片
圖1為顯示本發明第一複合電磁波吸收薄片的部分剖面圖。
圖2為顯示本發明第二複合電磁波吸收薄片的部分剖面圖。
圖3為顯示本發明第三複合電磁波吸收薄片的部分剖面圖。
圖4(a)為顯示使用於本發明第一複合電磁波吸收薄片的第一電磁波吸收薄膜一例的剖面圖。
圖4(b)為顯示圖4(a)的第一電磁波吸收薄膜之線狀痕跡細節的部分平面圖。
圖4(c)為圖4(b)的A-A剖面圖。
圖4(d)為顯示圖4(c)的部分C的放大剖面圖。
圖4(e)為顯示第一電磁波吸收薄膜別例的剖面圖。
圖4(f)為顯示圖4(e)的部分D的放大剖面圖。
圖5(a)為顯示形成於第一電磁波吸收薄膜之金屬薄膜上的線狀痕跡別例的部分平面圖。
圖5(b)為顯示形成於第一電磁波吸收薄膜之金屬薄膜上的線狀痕跡另外別例的部分平面圖。
圖5(c)為顯示形成於第一電磁波吸收薄膜之金屬薄膜上的線狀痕跡另外別例的部分平面圖。
圖6(a)為顯示具有除了線狀痕跡之外還形成有細微孔的金屬薄膜之第一電磁波吸收薄膜的部分平面圖。
圖6(b)為圖6(a)的B-B剖面圖。
圖7(a)為顯示在金屬薄膜表面上形成有奈米碳管薄 層並設置有保護層的第三電磁波吸收薄膜一例的剖面圖。
圖7(b)為顯示在金屬薄膜表面上形成有奈米碳管薄層並設置有保護層的第三電磁波吸收薄膜他例的剖面圖。
圖8(a)為顯示線狀痕跡形成裝置一例的斜視圖。
圖8(b)為顯示圖8(a)的裝置的平面圖。
圖8(c)為圖8(b)的C-C剖面圖。
圖8(d)為用以說明對複合薄膜行進方向傾斜的線狀痕跡之形成原理的部分放大平面圖。
圖8(e)為顯示在圖8(a)的裝置中圖案輥及壓輥對於複合薄膜之傾斜角度的部分平面圖。
圖9為顯示線狀痕跡形成裝置他例的部分剖面圖。
圖10為顯示線狀痕跡形成裝置另一例的斜視圖。
圖11為顯示線狀痕跡形成裝置另一例的斜視圖。
圖12為顯示線狀痕跡形成裝置另一例的斜視圖。
圖13為顯示使用於本發明第三複合電磁波吸收薄片的第四電磁波吸收薄膜的剖面圖。
圖14為顯示圖13所示的第四電磁波吸收薄膜之磁性金屬薄膜細節的部分剖面圖。
圖15(a)為顯示測定金屬薄膜的表面電阻之裝置的斜視圖。
圖15(b)為顯示使用圖15(a)的裝置測定金屬薄膜的表面電阻之情況的平面圖。
圖15(c)為圖15(b)的D-D剖面圖。
圖16(a)為顯示評估複合電磁波吸收薄片的電磁波吸收能力之系統的平面圖。
圖16(b)為顯示評估複合電磁波吸收薄片的電磁波吸收能力之系統的部分剖面正面圖。
圖17為顯示測定複合電磁波吸收薄片的內部去偶合率之方法的部分剖面概略圖。
圖18為顯示測定複合電磁波吸收薄片的相互去偶合率之方法的部分剖面概略圖。
圖19為顯示參考例1的第三電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖20為顯示參考例1的第三電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖21為顯示參考例1的第三電磁波吸收薄膜的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖22為顯示參考例1的第三電磁波吸收薄膜的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖23(a)為顯示對於蒸鍍有磁性金屬薄膜的塑膠薄膜進行熱處理之裝置的剖面圖。
圖23(b)為顯示使用圖22(a)的裝置對磁性金屬蒸鍍薄膜進行熱處理之情況的平面圖。
圖24為顯示參考例2的第四電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖25為顯示參考例2的第四電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖26為顯示參考例2的第四電磁波吸收薄膜的內部 去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖27為顯示參考例2的第四電磁波吸收薄膜的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖28為顯示比較例1的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖29為顯示比較例1的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖30為顯示比較例1的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖31為顯示比較例1的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖32為顯示比較例2的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖33為顯示比較例2的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖34為顯示比較例2的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖35為顯示比較例2的磁性雜訊抑制薄片(第二電磁波吸收薄膜)的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖36為顯示實施例1的第二複合電磁波吸收薄片的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖37為顯示實施例1的第二複合電磁波吸收薄片的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖38為顯示實施例1的第二複合電磁波吸收薄片的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖39為顯示實施例1的第二複合電磁波吸收薄片的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖40為顯示實施例2的第一複合電磁波吸收薄片的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖41為顯示實施例2的第一複合電磁波吸收薄片的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖42為顯示實施例2的第一複合電磁波吸收薄片的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖43為顯示實施例2的第一複合電磁波吸收薄片的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
圖44為顯示實施例3的第三複合電磁波吸收薄片的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率之關係的圖表。
圖45為顯示實施例3的第三複合電磁波吸收薄片的雜訊吸收率Ploss/Pin與頻率之關係的圖表。
圖46為顯示實施例3的第三複合電磁波吸收薄片的內部去偶合率Rda與頻率之關係的圖表。
圖47為顯示實施例3的第三複合電磁波吸收薄片的相互去偶合率Rde與頻率之關係的圖表。
1a‧‧‧第一複合電磁波吸收薄片
10a‧‧‧第一電磁波吸收薄膜
11‧‧‧塑膠薄膜
12‧‧‧金屬薄膜

Claims (13)

  1. 一種複合電磁波吸收薄片，其特徵在於：包含(a)第一電磁波吸收薄膜及(b)第二電磁波吸收薄膜；該第一電磁波吸收薄膜係具有塑膠薄膜及設於前述塑膠薄膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在前述金屬薄膜上以不規則的寬度及間隔於複數方向上形成有多數實質平行且斷續的線狀痕跡；該第二電磁波吸收薄膜係由分散有磁性粒子或非磁性導電性粒子的樹脂或橡膠所構成，在前述第一電磁波吸收薄膜的金屬薄膜上形成有奈米碳管薄層，以前述奈米碳管薄層的塗布量表示的厚度為0.01~0.5g/m2。
  2. 如申請專利範圍第1項之複合電磁波吸收薄片，其中前述線狀痕跡定向於兩方向，其交叉角為30~90°。
  3. 如申請專利範圍第1項之複合電磁波吸收薄片，其中前述線狀痕跡寬度係90%以上在0.1~100μm的範圍內，平均為1~50μm，前述線狀痕跡的橫向間隔在1~500μm的範圍內，平均為1~200μm。
  4. 如申請專利範圍第1項之複合電磁波吸收薄片，其中前述金屬薄膜係由從鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等金屬之合金所構成的群組中選出的至少一種金屬構成。
  5. 如申請專利範圍第1項之複合電磁波吸收薄片，其中前述第二電磁波吸收薄膜中的前述磁性粒子或前述非磁性導電性粒子的含有量為10~60體積%。
  6. 如申請專利範圍第1項之複合電磁波吸收薄片，其中前述磁性粒子或前述非磁性導電性粒子的平均粒徑為5~200μm。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之複合電磁波吸收薄片，其中前述非磁性導電性粒子為非磁性金屬或碳的粒子。
  8. 一種複合電磁波吸收薄片，其特徵在於：包含(a)第四電磁波吸收薄膜及(b)第二電磁波吸收薄膜；前述第四電磁波吸收薄膜係在塑膠薄膜的至少一面上利用蒸鍍法形成磁性金屬薄膜後，以110~180℃範圍內的溫度進行熱處理而成的第四電磁波吸收薄膜，前述磁性金屬薄膜的透光率(波長660nm的雷射光)為3~50%，在由前述第四電磁波吸收薄膜切出的10cm×10cm的正方形試片的磁性金屬薄膜之對向邊部上配置覆蓋邊全體的長度的一對電極，透過平坦加壓板而施加3.85kg的負荷而測定時的前述磁性金屬薄膜的表面電阻為10~200Ω/□；前述第二電磁波吸收薄膜係由分散有磁性粒子或非磁性導電性粒子的樹脂或橡膠所構成。
  9. 如申請專利範圍第8項之複合電磁波吸收薄片，其中前述熱處理進行10分鐘~1小時。
  10. 如申請專利範圍第8項之複合電磁波吸收薄片，其中前述磁性金屬薄膜係由Ni或其合金所構成。
  11. 如申請專利範圍第8項之複合電磁波吸收薄片，其中前述第二電磁波吸收薄膜中的前述磁性粒子或前述非 磁性導電性粒子的含有量為10~60體積%。
  12. 如申請專利範圍第8項之複合電磁波吸收薄片，其中前述磁性粒子或前述非磁性導電性粒子的平均粒徑為5~200μm。
  13. 如申請專利範圍第8至12項中任一項之複合電磁波吸收薄片，其中前述非磁性導電性粒子為非磁性金屬或碳的粒子。
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