JP6106825B2 - 複合電磁波吸収シート - Google Patents

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Description

本発明は、薄くても幅広い周波数範囲にわたって高い電磁波吸収能を有する複合電磁波吸収シートに関する。
携帯電話、スマートフォン、無線LAN等の通信機器や、コンピュータ等の電子機器では、数MHz〜数GHzの広い周波数範囲にわたる信号が処理されており、それに伴って広い周波数範囲にわたる電磁波ノイズが発生する。通信機器や電子機器から出る電磁波ノイズを低減し、さらに通信機器や電子機器の回路を外部電磁波ノイズから守るだけでなく、個々の回路素子から発生した電磁波ノイズが他の回路素子に悪影響を与えないようにする必要がある。
このような電磁波ノイズに対して一般に電磁シールド技術が用いられている。電磁シールド技術は、ノイズ発生源及びノイズ受信部品の周囲を金属板で覆い、電磁波ノイズを遮蔽する技術である。例えば、電通信機器や子機器の筐体内部に金属製シールド板を配置すれば、通信機器や電子機器から放射される電磁波ノイズは抑制されるが、機器内部の電磁波ノイズが低減する訳ではないので、実装部品に対する十分なノイズ対策にならない。このために、電磁波ノイズを反射する電磁波シールドではなく、電磁波ノイズを吸収し得る電磁波吸収シートが望まれている。
特開2010-153542号は、基材と、導電性塗工材を塗布することにより形成された導電層と、磁性塗工材を塗布することにより形成された磁性層とを有する電磁波ノイズ抑制シートを開示している。基材の具体例は紙、不織布又は織布、布、樹脂シート等である。導電性塗工材は、銅、金、アルミニウム等の金属又はカーボン等の導電性材料を含有する。磁性塗工材は、軟磁性を有するフェライト等の金属酸化物、センダスト、パーマロイ、アモルファス合金等の磁性金属の粒子を含有する。この電磁波ノイズ抑制シートでは、導電層と磁性層の両方により電磁波吸収能を向上している。しかしながら、このような導電層と磁性層の組合せでは、十分な電磁波吸収能が得られない。
従って本発明の目的は、薄くても幅広い周波数範囲にわたって高い電磁波吸収能を有する複合電磁波吸収シートを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(a) 多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された金属薄膜を有するフィルムと、(b) カーボン、金属等の非磁性導電性粒子、又は磁性金属、フェライト等の磁性粒子を含有するフィルムと、(c) 前記金属薄膜上に形成されたカーボンナノチューブ薄層とを組合せると、広い周波数範囲にわたって高い電磁波吸収能を有する複合電磁波吸収シートが得られることを発見し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の複合電磁波吸収シートは、(a) プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された第一の電磁波吸収フィルムと、(b) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる第二の電磁波吸収フィルムとからなり、前記第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜上にカーボンナノチューブ薄層が形成されており、前記カーボンナノチューブ薄層の塗布量で表した厚さが0.01〜0.5 g/m 2 であることを特徴とする。
前記カーボンナノチューブ薄層の塗布量で表した厚さは0.01〜0.5 g/m2であるのが好ましい。前記カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブであるのが好ましい。
前記第一及び第二の複合電磁波吸収シートにおいて、前記線状痕は二方向に配向しており、その交差角は30〜90°であるのが好ましい。前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔は1〜500μmの範囲内にあって、平均1〜200μmであるのが好ましい。
前記金属薄膜はアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなるのが好ましい。
前記複合電磁波吸収シートにおいて、前記第二の電磁波吸収フィルムにおける前記非磁性導電性粒子は非磁性金属又はカーボンの粒子であるのが好ましい。
本発明の電磁波吸収シートは、(a-1) プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された第一の電磁波吸収フィルムと、(a-2) 前記第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜に形成したカーボンナノチューブ薄層と、(b) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる第二の電磁波吸収フィルムとを組合せてなるので、薄型でありながら、第一又は第二の電磁波吸収フィルム単独では得られない高い電磁波吸収能を幅広い周波数範囲にわたって発揮することができる。このような利点を有する本発明の薄型の複合電磁波吸収シートは小型化、軽量化及び低コスト化が要求される種々の通信機器や電子機器に好適である。
本発明の第一の複合電磁波吸収シートを示す部分断面図である。 本発明の第二の複合電磁波吸収シートを示す部分断面図である。 本発明の第三の複合電磁波吸収シートを示す部分断面図である。 本発明の第一の複合電磁波吸収シートに用いる第一の電磁波吸収フィルムの一例を示す断面図である。 図4(a) の第一の電磁波吸収フィルムの線状痕の詳細を示す部分平面図である。 図4(b) のA-A断面図である。 図4(c) の部分Cを示す拡大断面図である。 第一の電磁波吸収フィルムの別の例を示す断面図である。 図4(e) の部分Dを示す拡大断面図である。 第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜に形成した線状痕の別の例を示す部分平面図である。 第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜に形成した線状痕のさらに別の例を示す部分平面図である。 第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜に形成した線状痕のさらに別の例を示す部分平面図である。 線状痕の他に微細穴を形成した金属薄膜を有する第一の電磁波吸収フィルムを示す部分平面図である。 図6(a) のB-B断面図である。 金属薄膜表面にカーボンナノチューブ薄層が形成され、さらに保護層が設けられた第三の電磁波吸収フィルムの一例を示す断面図である。 金属薄膜表面にカーボンナノチューブ薄層が形成され、さらに保護層が設けられた第三の電磁波吸収フィルムの他の例を示す断面図である。 線状痕の形成装置の一例を示す斜視図である。 図8(a) の装置を示す平面図である。 図8(b) のC-C断面図である。 複合フィルムの進行方向に対して傾斜した線状痕が形成される原理を説明するための部分拡大平面図である。 図8(a) の装置において、複合フィルムに対するパターンロール及び押えロールの傾斜角度を示す部分平面図である。 線状痕の形成装置の他の例を示す部分断面図である。 線状痕の形成装置のさらに他の例を示す斜視図である。 線状痕の形成装置のさらに他の例を示す斜視図である。 線状痕の形成装置のさらに他の例を示す斜視図である。 本発明の第三の複合電磁波吸収シートに用いる第四の電磁波吸収フィルムを示す断面図である。 図13に示す第四の電磁波吸収フィルムの磁性金属薄膜の詳細を示す部分断面図である。 金属薄膜の表面抵抗を測定する装置を示す斜視図である。 図15(a) の装置を用いて金属薄膜の表面抵抗を測定する様子を示す平面図である。 図15(b) のD-D断面図である。 複合電磁波吸収シートの電磁波吸収能を評価するシステムを示す平面図である。 複合電磁波吸収シートの電磁波吸収能を評価するシステムを示す部分断面正面図である。 複合電磁波吸収シートの内部減結合率を測定する方法を示す部分断面概略図である。 複合電磁波吸収シートの相互減結合率を測定する方法を示す部分断面概略図である。 参考例1の第三の電磁波吸収フィルムの伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 参考例1の第三の電磁波吸収フィルムのノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 参考例1の第三の電磁波吸収フィルムの内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 参考例1の第三の電磁波吸収フィルムの相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 磁性金属薄膜を蒸着したプラスチックフィルムに対して熱処理を行う装置を示す断面図である。 図23(a) の装置を用いて磁性金属蒸着フィルムに対して熱処理を行う様子を示す平面図である。 参考例2の第四の電磁波吸収フィルムの伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 参考例2の第四の電磁波吸収フィルムのノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 参考例2の第四の電磁波吸収フィルムの内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 参考例2の第四の電磁波吸収フィルムの相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 比較例1の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 比較例1の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）のノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 比較例1の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 比較例1の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 比較例2の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 比較例2の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）のノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 比較例2の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 比較例2の磁性ノイズ抑制シート（第二の電磁波吸収フィルム）の相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 実施例1の第二の複合電磁波吸収シートの伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 実施例1の第二の複合電磁波吸収シートのノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 実施例1の第二の複合電磁波吸収シートの内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 実施例1の第二の複合電磁波吸収シートの相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 実施例2の第一の複合電磁波吸収シートの伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 実施例2の第一の複合電磁波吸収シートのノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 実施例2の第一の複合電磁波吸収シートの内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 実施例2の第一の複合電磁波吸収シートの相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。 実施例3の第三の複合電磁波吸収シートの伝送減衰率Rtp，S11及びS21と周波数との関係を示すグラフである。 実施例3の第三の複合電磁波吸収シートのノイズ吸収率Ploss/Pinと周波数との関係を示すグラフである。 実施例3の第三の複合電磁波吸収シートの内部減結合率Rdaと周波数との関係を示すグラフである。 実施例3の第三の複合電磁波吸収シートの相互減結合率Rdeと周波数との関係を示すグラフである。
本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。
[1] 第一の複合電磁波吸収シート
図1及び図4に示すように、第一の複合電磁波吸収シート1aは、(a) プラスチックフィルム11と、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜12とを有し、金属薄膜12に多数の実質的に平行で断続的な線状痕122が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された第一の電磁波吸収フィルム10aと、(b) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる第二の電磁波吸収フィルム20とからなる。
(1) 第一の電磁波吸収フィルム
第一の電磁波吸収フィルム10aは、図4(a) に示すように、プラスチックフィルム11の少なくとも一面に単層又は多層の金属薄膜12が形成された構造を有する。図4(a)〜図4(d)は、プラスチックフィルム11の一面全体に形成された金属薄膜12に実質的に平行で断続的な多数の線状痕122（122a，122b）が二方向に形成された例を示す。
(a) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム11を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。プラスチックフィルム11の厚さは10〜100μm程度で良く、好ましくは10〜30μmである。
(b) 金属薄膜
金属薄膜12を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜を用いても良いが、高周波数の電磁波の吸収能はほとんど変わらない。金属薄膜の厚さは0.01〜5μmがより好ましく、0.01〜1μmが最も好ましい。金属薄膜12は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜12が単層の場合、金属薄膜12は導電性、耐食性及びコストの観点からアルミニウム又はニッケルからなるのが好ましい。また金属薄膜12が複層の場合、一方を非磁性金属により形成し、他方を磁性金属により形成しても良い。非磁性金属としてアルミニウム、銅、銀、錫又はこれらの合金が挙げられ、磁性金属としてニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。磁性金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましく、非磁性金属薄膜の厚さは0.1μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、両者とも実用的には10μm程度で良い。より好ましくは、磁性金属薄膜の厚さは0.01〜5μmであり、非磁性金属薄膜の厚さは0.1〜5μmである。図4(e) 及び図4(f) はプラスチックフィルム11に二層の金属薄膜121a，121bを形成した第一の電磁波吸収フィルム10a’を示す。
(c) 線状痕
図4(b)〜図4(d) に示すように、金属薄膜12に多数の実質的に平行で断続的な線状痕122a，122bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図4(c) 及び図4(d) では線状痕122の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕122は種々の幅W及び間隔Iを有する。後述するように、線状痕122はランダムに付着した硬質微粒子（ダイヤモンド微粒子）を有するパターンロールの摺接により形成されるので、線状痕の横手方向間隔Iはパターンロール上の硬質微粒子の間隔により決まり、長手方向間隔Iは硬質微粒子の間隔及びパターンロールと複合フィルムの相対的な周速により決まる。以下横手方向間隔Iについて説明するが、その説明は長手方向間隔にも当てはまる。線状痕122の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さで求め、線状痕122の間隔Iは線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さで求める。線状痕122が種々の幅W及び間隔Iを有するので、複合電磁波吸収シートは広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
線状痕122の幅Wの90％以上は0.1〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、0.5〜50μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.5〜20μmの範囲内にあるのが最も好ましい。線状痕122の平均幅Wavは1〜50μmであるのが好ましく、1〜10μmがより好ましく、1〜5μmが最も好ましい。
線状痕122の横手方向間隔Iは1〜200μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜100μmの範囲内にあるのがより好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのが最も好ましく、1〜30μmの範囲内にあるのが特に好ましい。また線状痕122の横手方向平均間隔Iavは1〜100μmが好ましく、5〜50μmがより好ましく、5〜30μmが最も好ましい。
線状痕122の長さLは、摺接条件（主としてロール及びフィルムの相対的な周速、及び複合フィルムのロールへの巻回角度）により決まるので、摺接条件を変えない限り大部分がほぼ同じである（ほぼ平均長さに等しい）。線状痕122の長さは特に限定的でなく、実用的には1〜100 mm程度で良く、好ましくは2〜10 mmである。
線状痕122a，122bの鋭角側の交差角（以下特に断りがなければ単に「交差角」とも言う）θsは10〜90°が好ましく、30〜90°がより好ましい。複合フィルムとパターンロールとの摺接条件（摺接方向、周速比等）を調整することにより、図5(a)〜図5(c) に示すように種々の交差角θsの線状痕122が得られる。図5(a) は三方向の線状痕122a，122b，122cを有する例を示し、図5(b) は四方向の線状痕122a，122b，122c，122dを有する例を示し、図5(c) は直交する線状痕122a’，122b’を有する例を示す。
(d) 微細穴
図6(a) 及び図6(b) に示すように、金属薄膜12に線状痕122の他に多数の微細貫通穴13をランダムに設けても良い。微細穴13は、表面に高硬度微粒子を有するロールを金属薄膜12に押圧することにより形成することができる。図6(b) に示すように、微細穴13の開口径Dは線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さで求める。微細穴13の開口径Dは90％以上が0.1〜1000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜500μmの範囲内にあるのがより好ましい。また微細穴13の平均開口径Davは0.5〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましい。
(2) 第一の電磁波吸収フィルムの線状痕の形成
図8(a)〜図8(e) はプラスチックフィルム上の金属薄膜に線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜−プラスチック複合フィルム100を巻き出すリール21と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜12の側に配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側で金属薄膜12の反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向にかつ金属薄膜12の側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜12の反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 第一及び第二のパターンロール2a，2bの間で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段4aと、(g) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段4bと、(h) 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム1を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。
図8(c) に示すように、各パターンロール2a，2bとの摺接位置より低い位置で各押えロール3a，3bが複合フィルム100に接するので、複合フィルム100の金属薄膜12は各パターンロール2a，2bに押圧される。この条件を満たしたまま各押えロール3a，3bの縦方向位置を調整することにより、各パターンロール2a，2bの金属薄膜12への押圧力を調整でき、また中心角θ1に比例する摺接距離も調整できる。
図8(d) は線状痕122aが複合フィルム100の進行方向に対して斜めに形成される原理を示す。複合フィルム100の進行方向に対してパターンロール2aは傾斜しているので、パターンロール2a上の硬質微粒子の移動方向（回転方向）aと複合フィルム100の進行方向bとは異なる。そこでXで示すように、任意の時点においてパターンロール2a上の点Aにおける硬質微粒子が金属薄膜12と接触して痕Bが形成されたとすると、所定の時間後に硬質微粒子は点A’まで移動し、痕Bは点B’まで移動する。点Aから点A’まで硬質微粒子が移動する間、痕は連続的に形成されるので、点B’から点A’まで延在する線状痕122aが形成されたことになる。
第一及び第二のパターンロール2a，2bで形成される第一及び第二の線状痕群122A，122Bの方向及び交差角θsは、各パターンロール2a，2bの複合フィルム100に対する角度、及び／又は複合フィルム100の走行速度に対する各パターンロール2a，2bの周速度を変更することにより調整することができる。例えば、複合フィルム100の走行速度bに対するパターンロール2aの周速度aを増大させると、図8(d) のYで示すように線状痕122aを線分C’D’のように複合フィルム100の進行方向に対して45°にすることができる。同様に、複合フィルム100の幅方向に対するパターンロール2aの傾斜角θ2を変えると、パターンロール2aの周速度aを変えることができる。これはパターンロール2bについても同様である。従って、両パターンロール2a，2bの調整により、線状痕122a，122bの方向を図4(b) 及び図5(c) に例示するように変更することができる。
各パターンロール2a，2bは複合フィルム100に対して傾斜しているので、各パターンロール2a，2bとの摺接により複合フィルム100は幅方向の力を受ける。従って、複合フィルム100の蛇行（横方向のずれ）を防止するために、各パターンロール2a，2bに対する各押えロール3a，3bの縦方向位置及び／又は角度を調整するのが好ましい。例えば、パターンロール2aの軸線と押えロール3aの軸線との交差角θ3を適宜調節すると、幅方向の力をキャンセルするように押圧力の幅方向分布が得られ、もって蛇行を防止することができる。またパターンロール2aと押えロール3aとの間隔の調整も蛇行の防止に寄与する。複合フィルム100の蛇行及び破断を防止するために、複合フィルム100の幅方向に対して傾斜した第一及び第二のパターンロール2a，2bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じであるのが好ましい。
図8(b) に示すように、ロール形の各電気抵抗測定手段4a，4bは絶縁部40を介して一対の電極41，41を有し、それらの間で線状痕付き金属薄膜12の電気抵抗を測定する。電気抵抗測定手段4a，4bで測定した電気抵抗値をフィードバックして、複合フィルム100の走行速度、パターンロール2a，2bの回転速度及び傾斜角θ2、押えロール3a，3bの位置及び傾斜角θ3等の運転条件を調整する。
複合フィルム100に対するパターンロール2a，2bの押圧力を増大するために、図9に示すようにパターンロール2a，2bの間に第三の押えロール3cを設けても良い。第三の押えロール3cにより中心角θ1に比例する金属薄膜12の摺接距離も増大し、線状痕122a，122bは長くなる。第三の押えロール3cの位置及び傾斜角を調整すると、複合フィルム100の蛇行の防止にも寄与できる。
図10は、図5(a) に示すように三方向に配向した線状痕122a，122b，122cを形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bの下流に複合フィルム100の幅方向と平行な第三のパターンロール2c及び第三の押えロール3cを配置した点で図8(a)〜図8(e) に示す装置と異なる。第三のパターンロール2cの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良いが、線状痕を効率よく形成するために逆方向が好ましい。幅方向と平行に配置された第三のパターンロール2cは複合フィルム100の進行方向に延在する線状痕122cを形成する。第三の押えロール3cは第三のパターンロール2cの上流側に設けられているが、下流側でも良い。第三のパターンロール2cの下流側に電気抵抗測定ロール4cを設けても良い。なお図示の例に限定されず、第三のパターンロール2cを第一のパターンロール2aの上流側、又は第一及び第二のパターンロール2a、2bの間に設けても良い。
図11は、図5(b) に示すように四方向に配向した線状痕122a，122b，122c，122dを形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bと第三のパターンロール2cとの間に第四のパターンロール2dを設け、第四のパターンロール2dの上流側に第四の押えロール3dを設けた点で図10に示す装置と異なる。第四のパターンロール2dの回転速度を遅くすることにより、図8(d) においてZで示すように、線状痕122a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向と平行にすることができる。
図12は、図5(c)に示すように直交する二方向に配向する線状痕122a’，122b’を形成する装置の別の例を示す。この装置は、第二のパターンロール32bが複合フィルム100の幅方向と平行に配置されている点で図8(a)〜図8(e) に示す装置と異なる。従って、図8(a)〜図8(e) に示す装置と異なる部分のみ以下説明する。第二のパターンロール32bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良い。また第二の押えロール33bは第二のパターンロール32bの上流側でも下流側でも良い。この装置は、図8(d) においてZで示すように、線状痕122a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向にし、図5(c) に示す線状痕を形成するのに適している。
線状痕の傾斜角及び交差角だけでなく、それらの深さ、幅、長さ及び間隔を決める運転条件は、複合フィルム100の走行速度、パターンロールの回転速度及び傾斜角及び押圧力等である。複合フィルムの走行速度は5〜200 m/分が好ましく、パターンロールの周速は10〜2,000 m/分が好ましい。パターンロールの傾斜角θ2は20°〜60°が好ましく、特に約45°が好ましい。複合フィルム100の張力（押圧力に比例する）は0.05〜5 kgf/cm幅が好ましい。
線状痕形成装置に使用するパターンロールは、鋭い角部を有するモース硬度5以上の微粒子を表面に有するロール、例えば特開2002-59487号に記載されているダイヤモンドロールが好ましい。線状痕の幅は微粒子の粒径により決まるので、ダイヤモンド微粒子の90％以上は1〜1,000μmの範囲内の粒径を有するのが好ましく、5〜200μｍの範囲内の粒径がより好ましい。ダイヤモンド微粒子はロール面に50％以上の面積率で付着しているのが好ましい。
特許第2063411号に記載の方法により線状痕122を有する金属薄膜12に多数の微細穴13を形成することができる。微細穴13を形成するのに用いるロール自体は線状痕形成用ロールと同じで良い。微細穴13は、線状痕形成用ロールと同様に鋭い角部を有するモース硬度5以上の多数の微粒子が表面に付着したロールと平滑面のロールとの間隙に複合フィルム100を同じ周速で通過させることにより形成できる。
(3) 第二の電磁波吸収フィルム
図1に示すように、第一の複合電磁波吸収シート1aを構成する第二の電磁波吸収フィルム20は磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる。
(a) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子
磁性粒子には磁性金属粒子及び磁性非金属粒子がある。磁性金属粒子としては、純鉄、Fe-Si合金、Fe-Al合金、センダスト等のFe-Si-Al合金、パーマロイ、非晶質合金等の粒子が挙げられる。磁性非金属粒子としては、Ni-Znフェライト、Cu-Znフェライト、Mn-Znフェライト等のフェライトの粒子が挙げられる。
非磁性導電性粒子には非磁性金属粒子及び非磁性導電性非金属粒子がある。非磁性金属としては、銅、銀、金、アルミニウム等が挙げられる。非磁性導電性非金属粒子としては、黒鉛粒子及びカーボンブラックが挙げられる。
磁性粒子及び非磁性導電性粒子の腐食を防止し、樹脂又はゴムへの分散性を向上させ、かつ第二の電磁波吸収フィルムの電気抵抗を確保するために、磁性粒子及び非磁性導電性粒子をシランカップリング剤等で被覆するのが好ましい。
磁性粒子及び非磁性導電性粒子の平均粒径は5〜200μmであるのが好ましい。平均粒径が5μm未満であると、樹脂又はゴムへの分散が困難である。また平均粒径が200μm超であると、樹脂又はゴムへの均一な分散が困難であり、磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムのフィルムへの成形加工が難しい。磁性粒子及び非磁性導電性粒子の平均粒径はより好ましくは10〜100μmである。
(b) 樹脂又はゴム
第二の電磁波吸収フィルム20を形成する樹脂は、磁性粒子及び非磁性導電性粒子の分散性及び絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。
ゴムとしては、例えばクロロプレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、アクリロニトリルゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンゴム等が挙げられる。
(c) 組成
第二の電磁波吸収フィルム20における磁性粒子又は非磁性導電性粒子の含有量は10〜60体積％であるのが好ましい。磁性粒子又は非磁性導電性粒子の含有量が10体積％未満であると、第二の電磁波吸収フィルム20は十分な電磁波吸収能を発揮しない。一方、60体積％超であると、磁性粒子又は非磁性導電性粒子の樹脂又はゴムへの分散が困難である。磁性粒子又は非磁性導電性粒子の含有量はより好ましくは30〜50体積％である。
(d) 厚さ
一般に第二の電磁波吸収フィルム20は厚い程高い電磁波吸収能を発揮するが、厚すぎると小型の電子機器及び通信機器内の回路に配置するのが困難となる。従って、第二の電磁波吸収フィルム20の厚さは1 mm以下が好ましく、0.5 mm以下がより好ましい。第二の電磁波吸収フィルム20の厚さの下限は実用的には0.1 mm程度である。
[2] 第二の複合電磁波吸収シート
図2に示すように、第二の複合電磁波吸収シート1bは、金属薄膜12の上に順にカーボンナノチューブ薄層14を形成した以外、第一の複合電磁波吸収シート1aと同じである。図7(a) はカーボンナノチューブ薄層14が形成された金属薄膜12が単層の例を示し、図7(b) はカーボンナノチューブ薄層14が形成された金属薄膜12が二層の金属薄膜121a，121bである例を示す。図示の例では、カーボンナノチューブ薄層14上にプラスチック保護層15が設けられている。
(1) カーボンナノチューブ薄層
カーボンナノチューブ自体は単層構造でも多層構造でも良い。多層カーボンナノチューブは10 nm〜数10 nmの外径を有し、凝集なしに均一な薄い層に形成し易いだけでなく、導電性に優れているので好ましい。カーボンナノチューブ薄層14は、0.01〜0.5 g/m2の厚さ（塗布量）を有するのが好ましい。カーボンナノチューブ薄層14が0.01 g/m2より薄いと、電磁波吸収能の向上及び均一化効果が不十分であり、また0.5 g/m2より厚いと、カーボンナノチューブの凝集を防止するのが難しく、カーボンナノチューブ薄層14は不均一化する。カーボンナノチューブ薄層14の厚さはより好ましくは0.02〜0.2 g/m2であり、最も好ましくは0.04〜0.1 g/m2である。
カーボンナノチューブ薄層14による電磁波吸収能の向上の理由は必ずしも明確ではないが、線状痕122よりはるかに小さいカーボンナノチューブが線状痕122の中、及び線状痕122の間に存在すると、電磁波を吸収する構造が微細化され、その結果電磁波吸収能の向上及び均一化が起こると考えられる。線状痕122及びカーボンナノチューブはともにランダムなサイズ及び分布を有するので、ミクロ的には不均一な電磁波吸収構造を形成するが、異なる無数の電磁波吸収構造の存在によりマクロ的には均一な電磁波吸収能を発揮する。
カーボンナノチューブの分散液を線状痕122を有する金属薄膜12に塗布し、自然乾燥することにより、カーボンナノチューブ薄層14を形成する。分散液中のカーボンナノチューブの濃度は0.1〜2質量％が好ましい。カーボンナノチューブの濃度が0.1質量％未満であると十分な塗布量が得られず、また2質量％超であるとカーボンナノチューブが分散液中で凝集するおそれがあり、均一なカーボンナノチューブ薄層が得られない。カーボンナノチューブの好ましい濃度は0.2〜1質量％である。カーボンナノチューブが十分に長い場合、カーボンナノチューブ分散液はバインダ樹脂を含有しても良い。またカーボンナノチューブ分散液は、カーボンナノチューブの導電性にほとんど影響を与えない分散剤を含有しても良い。
カーボンナノチューブ薄層14が0.01〜0.5 g/m2の厚さを有するように、カーボンナノチューブ分散液の塗布量を濃度に応じて決める。カーボンナノチューブを分散する溶媒は比較的揮発性の良いものであれば限定されず、例えば水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、メチルエチルケトン等が好ましい。カーボンナノチューブ分散液の塗布方法は限定的ではないが、均一な薄層14を得るためにインクジェット印刷法等が好ましい。カーボンナノチューブ分散液の塗布は一回でする必要がなく、できるだけ均一なカーボンナノチューブ薄層14を得るために複数回に分けて行っても良い。
(2) 保護層
第一の電磁波吸収フィルム10aのハンドリングを容易にするとともに、金属薄膜12及びカーボンナノチューブ薄層14を保護するために、図7(a) 及び図7(b) に示すように、金属薄膜12上にプラスチック保護層15を形成しても良い。プラスチック保護層15用のプラスチックフィルムはベースとなるプラスチックフィルム11と同じでも良い。保護層15の厚さは5〜30μm程度が好ましく、10〜20μm程度がより好ましい。プラスチック保護層15は、プラスチックフィルムを熱ラミネートすることにより形成するのが好ましい。プラスチック保護層用プラスチックフィルムがPETフィルムの場合、熱ラミネート温度は110〜150℃で良い。
[3] 第三の複合電磁波吸収シート
図3に示すように、第三の複合電磁波吸収シート1cは、第一の電磁波吸収フィルム10aの代わりに第四の電磁波吸収フィルム10cを用いた点で、第一の複合電磁波吸収シート1aと異なる。そこで、第四の電磁波吸収フィルム10cについて以下詳細に説明する。
(1) 磁性金属薄膜
図13に示すように、第四の電磁波吸収フィルム10cは、プラスチックフィルム11の一方の面に蒸着法により磁性金属薄膜12aを形成した後、110〜180℃の範囲内の温度で熱処理してなり、(a) 磁性金属薄膜12aの光透過率（波長660 nmのレーザ光）が3〜50％であり、(b) 第四の電磁波吸収フィルム10cから切り出した10 cm×10 cmの正方形の試験片の磁性金属薄膜の対向辺部に、辺全体を覆う長さの一対の電極を配置し、平坦な加圧板を介して3.85 kgの荷重をかけて測定したときの磁性金属薄膜12aの表面抵抗が10〜200Ω／□である。
磁性金属薄膜12a用の磁性金属としてはNi，Fe，Co又はそれらの合金が挙げられるが、蒸着の容易性、導電性及び透磁率の観点からNi又はその合金が好ましい。磁性金属薄膜12aはスパッタリング法、真空蒸着法等の公知の方法により形成することができる。
(a) 光透過率
磁性金属薄膜12aは非常に薄いために、図14に示すように、厚さが不均一であり、厚く形成された領域12a’と、薄く形成された領域又は全く形成されていない領域12b’とがある。そのため、磁性金属薄膜12aの厚さを正確に測定するのは困難である。そこで、本発明では磁性金属薄膜12aの厚さを波長660 nmのレーザ光の透過率（単に「光透過率」という。）で表す。光透過率は磁性金属薄膜12aの任意の複数箇所の測定値を平均して求める。測定箇所数が5以上であると、光透過率の平均値は安定する。プラスチックフィルム11の厚さが30μm以下であるとプラスチックフィルム11自身の光透過率はほぼ100％であるので、第四の電磁波吸収フィルム10cの光透過率が磁性金属薄膜12aの光透過率と一致する。しかし、プラスチックフィルム11がそれより厚い場合には、第四の電磁波吸収フィルム10cの光透過率からプラスチックフィルム11の光透過率を引いた値が磁性金属薄膜12aの光透過率である。
磁性金属薄膜12aの光透過率は3〜50％の範囲内である必要がある。光透過率が3％未満であると、磁性金属薄膜12aが厚くなり過ぎて金属箔のような挙動を示し、電磁波反射率が高く、電磁波ノイズの吸収能は低い。一方、光透過率が50％超であると、磁性金属薄膜12aが薄すぎて電磁波吸収能が不十分である。磁性金属薄膜12aの光透過率は好ましくは5〜45％であり、より好ましくは8〜30％である。
(b) 表面抵抗
光透過率が3〜50％と薄い磁性金属薄膜12aの表面抵抗は測定方法により大きく異なることが分った。そのため、磁性金属薄膜12aと電極との接触面積をできるだけ大きくするとともに、磁性金属薄膜12aと電極とができるだけ均一に密着するように、図15に示す装置を用いて、加圧下での直流二端子法（単に「加圧二端子法」と言う）により表面抵抗を測定する。具体的には、硬質な絶縁性平坦面上に磁性金属薄膜12aを上にして載置した10 cm×10 cmの第四の電磁波吸収フィルム10cの正方形試験片TP1の対向辺部に、長さ10 cm×幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極本体部16aと、電極本体部16aの中央側部から延びる幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極延長部16bとからなる一対の電極16，16を載置し、試験片TP1と両電極16，16を完全に覆うようにそれらの上に10 cm×10 cm×厚さ5 mmの透明アクリル板17を載せ、透明アクリル板17の上に直径10 cmの円柱状重り18（3.85 kg）を載せた後で、両電極延長部16b，16b間を流れる電流から表面抵抗を求める。
熱処理後の磁性金属薄膜12aの表面抵抗は10〜200Ω／□の範囲内である必要がある。表面抵抗が10Ω／□未満であると、磁性金属薄膜12aが厚すぎて金属箔のような挙動を示し、電磁波ノイズの吸収能が低い。一方、表面抵抗が200Ω／□超であると、磁性金属薄膜12aが薄すぎてやはり電磁波吸収能が不十分である。熱処理後の磁性金属薄膜12aの表面抵抗は好ましくは15〜150Ω／□であり、より好ましくは20〜120Ω／□であり、最も好ましくは30〜100Ω／□である。
(2) 熱処理
光透過率が3〜50％で、表面抵抗が10〜200Ω／□と非常に薄い磁性金属薄膜12aは、図14に示すように全体的に厚さムラがあり、比較的厚い領域12a’と比較的薄い（又は薄膜がない）領域12b’とを有する。比較的薄い領域12b’は磁気ギャップ及び高抵抗領域として作用し、近傍界ノイズにより磁性金属薄膜12a内を流れる磁束及び電流を減衰させると考えられる。しかし、このような薄い磁性金属薄膜12aの状態は製造条件により大きく異なり、一定の光透過率及び表面抵抗を有する磁性金属薄膜12aを安定的に形成するのは非常に困難であることが分った。そこで鋭意研究した結果、蒸着法により形成した磁性金属薄膜12aに対して、プラスチックフィルム11の熱収縮が起こり得る100℃超の温度で熱処理すると、磁性金属薄膜12aの表面抵抗は若干低下するとともに安定化し、経時変化が実質的になくなることが分った。延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムのように熱収縮が起こり得るプラスチックフィルムに対して100℃を超す温度で熱処理を行うということは、従来では全く考えられないことであった。しかし、110〜180℃の範囲内の温度で短時間（例えば10分〜1時間）熱処理すると、プラスチックフィルム11が僅かに熱収縮するだけで、磁性金属薄膜12aの表面抵抗が僅かに低下するとともに安定化し、もって電磁波ノイズ吸収能も安定化することが分った。ここで、電磁波ノイズ吸収能の安定化とは、電磁波ノイズ吸収能の経時変化が実質的になくなるだけでなく、製造条件によるばらつき及び製造ロット間のばらつきも低下することを意味する。
熱処理条件を変えることにより表面抵抗を調整することができる。例えば、表面抵抗が高めの磁性金属薄膜12aに対しては、熱処理温度を高くするか熱処理時間を長くすることにより、表面抵抗を所望の値に低下させることができる。逆に、表面抵抗が低めの磁性金属薄膜12aに対しては、熱処理温度を低くするか熱処理時間を短くすることにより表面抵抗の低下を抑制することができる。
同じ表面抵抗を有する蒸着フィルムであっても、熱処理なしのものと熱処理したものとでは電磁波吸収能に著しい差があり、熱処理により所望の表面抵抗に調整した蒸着フィルムの方が高い電磁波吸収能を有することが分った。この理由は明らかではない。というのは、非常に薄い磁性金属薄膜の状態（特に組織）の熱処理による変化を評価することは非常に困難であるからである。実験の結果磁性金属薄膜の電磁波吸収能が熱処理温度に応じて変化することが分ったので、本発明では磁性金属薄膜の組織状態を熱処理温度により規定することにする。
熱処理温度は110〜180℃の範囲内である。熱処理温度が110℃未満であると、熱処理による電磁波吸収能の向上及びバラツキの低減の効果が実質的に得られない。一方、熱処理温度が180℃超であると、磁性金属薄膜12aの表面酸化が起こるだけでなく、十分な耐熱性を有さないプラスチックフィルムでは熱収縮が大きくなり過ぎる。熱処理温度は120〜170℃が好ましく、130〜160℃がより好ましい。熱処理時間は熱処理温度により異なるが、一般に10分〜1時間が好ましく、20〜40分がより好ましい。
熱処理した磁性金属薄膜12aの表面に保護フィルムを積層することにより、磁性金属薄膜12aの保護とともに絶縁性を確保するのが好ましい。保護フィルムとしては、プラスチックフィルム11と同じものを使用しても良い。
[4] 電磁波吸収フィルムの電磁波吸収能
(1) 伝送減衰率
伝送減衰率Rtpは、図16(a) 及び図16(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板220と、絶縁基板220の下面に接合された接地グランド電極221と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン222，222と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン222，222に接続する同軸ケーブル223，223とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLに複合電磁波吸収シートの試験片TP2を粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して、反射波S11の電力及び透過波S21の電力を測定し、下記式(1)：
Rtp＝−10×log[10S21/10/(1−10S11/10)]・・・(1)
により求める。
(2) ノイズ吸収率
図16(a) 及び図16(b) に示すシステムにおいて、入射した電力Pin＝反射波S11の電力＋透過波S21の電力＋吸収された電力（電力損失）Plossが成り立つ。従って、入射した電力Pinから反射波S11の電力及び透過波S21の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求める。
(3) 内部減結合率
内部減結合率（イントラ・デカップリング・レイシオ）Rdaは、同じプリント基板内での結合がノイズ抑制シートによりどの程度減衰するかを示すもので、図17に示すように、ネットワークアナライザNAに接続した一対のループアンテナ301，302の近傍にノイズ抑制シートの試験片TPを載置し、0〜6 GHzの高周波信号が一方のループアンテナ301から他方のループアンテナ302に送信されるときの減衰率を測定することにより求める。
(4) 相互減結合率
相互減結合率（インターデカップリングレイシオ）Rdeは、2つのプリント基板間又は部品間での結合がノイズ抑制シートによりどの程度減衰するかを示すもので、図18に示すように、ネットワークアナライザNAに接続した一対のループアンテナ301，302の間にノイズ抑制シートの試験片TPを載置し、0〜6 GHzの高周波信号が一方のループアンテナ301から他方のループアンテナ302に送信されるときの減衰率を測定することにより求める。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
参考例1
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール32a，32bを有する図12に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム11の一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜12に、図5(c)に示すように直交する二方向に配向した線状痕122a’，122b’を形成し、第一の電磁波吸収フィルム10aを作製した。線状痕付きアルミニウム薄膜12の光学顕微鏡写真から、線状痕122a’，122b’は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
外径が10〜15 nmで長さが0.1〜10μmの多層カーボンナノチューブをメチルエチルケトンに分散させた濃度1質量％のカーボンナノチューブ分散液（1質量％の分散剤を含有）を、エアブラシにより線状痕付きアルミニウム薄膜12に塗布し、自然乾燥させた。形成されたカーボンナノチューブ薄層14の厚さ（塗布量）は0.064 g/m2であった。その後、アルミニウム薄膜12に120℃で厚さ16μmのPETフィルム保護層15を熱ラミネートし、第三の電磁波吸収フィルム10bのサンプルを得た。
第三の電磁波吸収フィルム10bから切り出した試験片TP2（55.2 mm×4.7 mm）を図16(a) 及び図16(b) に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの周波数範囲の入射電力Pinに対する反射波の電力S11及び透過波の電力S21を測定した。段落[4] の(1) 及び(2) に記載の方法により、0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinをそれぞれ図19及び図20に示す。
図17に示す装置に第三の電磁波吸収フィルム10bの試験片TPを載置し、0〜6 GHzの高周波信号が一方のループアンテナ301から他方のループアンテナ302に送信されるときの減衰率を測定し、内部減結合率Rdaを求めた。さらに、図18に示す装置に第三の電磁波吸収フィルム10bの試験片TPを載置し、0〜6 GHzの高周波信号が一方のループアンテナ301から他方のループアンテナ302に送信されるときの減衰率を測定し、相互減結合率Rdeを求めた。0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeをそれぞれ図21及び図22に示す。
参考例2
厚さ16μmのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム11に真空蒸着法により目標光透過率（波長660 nm）27.0％のNi薄膜12aを形成し、長尺の蒸着フィルムを作製した。長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ（210 mm×297 mm）のサンプルSを切り取り、図23(a) 及び図23(b) に示すように、各サンプルSをNi薄膜12aを下にして加熱装置240のホットプレート241上に載置し、A4サイズで厚さ3 mmのテフロン（登録商標）製断熱シート242、及びA4サイズで厚さ2 mmの鉄板243を載せた後、150℃で30分間熱処理を行い、第四の電磁波吸収フィルム10cを得た。熱処理による熱収縮は約1％であった。
第四の電磁波吸収フィルム10cから10 cm×10 cmの試験片TP1を切り出した。試験片TP1の任意の5箇所の光透過率を、株式会社キーエンス製の透過型レーザセンサ（IB-05）を使用し、波長660 nmのレーザ光で測定し、平均した。また試験片TP1の表面抵抗を図15に示すように加圧二端子法により測定した。各電極16は長さ10 cm×幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極本体部16aと幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極延長部16bとからなり、透明アクリル板17は10 cm×10 cm×厚さ5 mmであり、円柱状重り18は10 cmの直径を有し、3.85 kgであった。両電極16，16を鶴賀電機株式会社製の抵抗計（型名：3565）に接続し、得られた電流値から表面抵抗を求めた。その結果、試験片TP1の平均光透過率は26.7％であった。また平均表面抵抗は、熱処理前が100〜110Ω／□であり、熱処理後が90 Ω／□であった。
第四の電磁波吸収フィルム10cから切り取った試験片TP2（55.2 mm×4.7 mm）を図16(a) 及び図16(b) に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S21の電力を測定した。段落[4] の(1) 及び(2) に記載の方法により、0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinをそれぞれ図24及び図25に示す。
図17に示す装置及び図18に示す装置にそれぞれ第四の電磁波吸収フィルム10cの試験片TPを載置し、0〜6 GHzの高周波信号が一方のループアンテナ301から他方のループアンテナ302に送信されるときの減衰率を測定し、内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeを求めた。0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeをそれぞれ図26及び図27に示す。
比較例1
第二の電磁波吸収フィルム20として、フェライト粒子を含有する市販の厚さ0.1 mmの磁性ノイズ抑制シート（NECトーキン株式会社製の「バスタレイド」）を用い、その0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pin、及び0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeを測定した。結果をそれぞれ図28〜図31に示す。
比較例2
第二の電磁波吸収フィルム20として、市販の厚さ0.2 mmのカーボン含有導電性ノイズ抑制シートを用い、その0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pin、及び0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeを測定した。結果をそれぞれ図32〜図35に示す。
実施例1
参考例1で得られた第三の電磁波吸収フィルム10bに、第二の電磁波吸収フィルム20としてフェライト粒子を含有する市販の厚さ0.1 mmの磁性ノイズ抑制シート（NECトーキン株式会社製の「バスタレイド」）を接着し、図2に示す第二の複合電磁波吸収シート1bを得た。第二の複合電磁波吸収シート1bの0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pin、及び0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeをそれぞれ図36〜図39に示す。図36〜図39から明らかなように、第三の電磁波吸収フィルム10bと磁性ノイズ抑制シート20からなる実施例1の第二の複合電磁波吸収シート1bは、第三の電磁波吸収フィルム10b単独（参考例1）及び第二の電磁波吸収フィルム20単独（比較例1）の場合より優れた電磁波吸収能を有していた。
実施例2
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール32a，32bを有する図12に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム11の一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜12に、図5(c)に示すように直交する二方向に配向した線状痕122a’，122b’を形成し、第一の電磁波吸収フィルム10aを作製した。線状痕付きアルミニウム薄膜12の光学顕微鏡写真から、線状痕122a’，122b’は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
この第一の電磁波吸収フィルム10aに、第二の電磁波吸収フィルム20としてフェライト粒子を含有する市販の厚さ0.1 mmの磁性ノイズ抑制シート（NECトーキン株式会社製の「バスタレイド」）を接着し、図1に示す第一の複合電磁波吸収シート1aを得た。第一の複合電磁波吸収シート1aの0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pin、及び0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeをそれぞれ図40〜図43に示す。図40〜図43から明らかなように、第一の電磁波吸収フィルム10aと磁性ノイズ抑制シート20からなる実施例2の第一の複合電磁波吸収シート1aは、第一の電磁波吸収フィルム10a単独及び第二の電磁波吸収フィルム20単独（比較例1）の場合より優れた電磁波吸収能を有していた。
実施例3
参考例2で得られた第四の電磁波吸収フィルム10cに、第二の電磁波吸収フィルム20としてフェライト粒子を含有する市販の厚さ0.1 mmの磁性ノイズ抑制シート（NECトーキン株式会社製の「バスタレイド」）を接着し、図3に示す第三の複合電磁波吸収シート1cを得た。第三の複合電磁波吸収シート1cの0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pin、及び0〜6 GHzの周波数範囲における内部減結合率Rda及び相互減結合率Rdeをそれぞれ図44〜図47に示す。図44〜図47から明らかなように、第四の電磁波吸収フィルム10cと磁性ノイズ抑制シート20からなる実施例3の第三の複合電磁波吸収シート1cは、第四の電磁波吸収フィルム10c単独（参考例2）及び第二の電磁波吸収フィルム20単独（比較例1）の場合より優れた電磁波吸収能を有していた。

Claims (4)

  1. (a) プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された第一の電磁波吸収フィルムと、(b) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる第二の電磁波吸収フィルムとからなり、前記第一の電磁波吸収フィルムの金属薄膜上にカーボンナノチューブ薄層が形成されており、前記カーボンナノチューブ薄層の塗布量で表した厚さが0.01〜0.5 g/m2であることを特徴とする複合電磁波吸収シート。
  2. 請求項1に記載の複合電磁波吸収シートにおいて、前記線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30〜90°であることを特徴とする複合電磁波吸収シート。
  3. 請求項1又は2に記載の複合電磁波吸収シートにおいて、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって、平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔は1〜500μmの範囲内にあって、平均1〜200μmであることを特徴とする複合電磁波吸収シート。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の複合電磁波吸収シートにおいて、前記金属薄膜がアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなることを特徴とする複合電磁波吸収シート。
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