JP5973099B1 - 近傍界電磁波吸収フィルム - Google Patents
近傍界電磁波吸収フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5973099B1 JP5973099B1 JP2016036465A JP2016036465A JP5973099B1 JP 5973099 B1 JP5973099 B1 JP 5973099B1 JP 2016036465 A JP2016036465 A JP 2016036465A JP 2016036465 A JP2016036465 A JP 2016036465A JP 5973099 B1 JP5973099 B1 JP 5973099B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- metal thin
- thin film
- wave absorbing
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009823 thermal lamination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
- H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
- H01Q1/526—Electromagnetic shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
- H04B5/70—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
- H04B5/72—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for local intradevice communication
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
【課題】 高い電磁波吸収能を有する近傍界電磁波吸収フィルムを提供する。【解決手段】 プラスチックフィルム10の一面に設けた金属薄膜11に交差する二列のレーザビーム穿孔穴12を有し、レーザビーム穿孔穴12は少なくとも部分的に間隔を開けており、二列のレーザビーム穿孔穴12は45〜90°の角度で交差しており、レーザビーム穿孔穴12の形成後に残留した金属薄膜部分11aは、レーザビーム穿孔穴12により仕切られた金属薄膜本体部13と、隣接する金属薄膜本体部13を連結する金属薄膜ブリッジ部14とからなり、金属薄膜ブリッジ部14は20μm以下の幅を有し、もって、50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有する近傍界電磁波吸収フィルム。【選択図】図1
Description
本発明は、高い電磁波吸収能を有する近傍界電磁波吸収フィルムに関する。
携帯電話、スマートフォン、無線LAN等の通信機器や、コンピュータ等の電子機器には、電磁波の漏洩及び進入を防止する電磁波吸収シートが使用されている。現在広く使用されている電磁波吸収シートは金属のシート又はネットからなるが、最近プラスチックシートに金属蒸着膜を形成した電磁波吸収シートも提案されている。例えば特開平9-148782号（特許文献1）は、プラスチックフィルムと、その両面に形成した第一及び第二のアルミニウム蒸着膜とからなり、第一のアルミニウム蒸着膜は非導通の線状パターンにエッチングされており、第二のアルミニウム蒸着膜は網目状の導通パターンにエッチングされている電磁波吸収シートを提案している。
また、WO 2010/093027（特許文献2）は、プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されているために、電磁波吸収能の異方性が低減された線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを開示している。
特許文献1の電磁波吸収シート及び特許文献2の線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムでは、線状パターン又は線状痕により電磁波吸収能を得ているが、それとは別にレーザビームの点状のパターンで電磁波吸収能を有する電磁波吸収フィルムを効率良く得ることも望まれている。
従って本発明の目的は、金属薄膜にレーザビーム穿孔穴を形成することにより良好な電磁波吸収能を有するとともに、その異方性が低い近傍界電磁波吸収フィルムを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(a) プラスチックフィルムに形成した金属薄膜に、少なくとも部分的に間隔をあけて配列されたレーザ穿孔穴の列を二方向に形成してなる近傍界電磁波吸収フィルムは、良好な電磁波吸収能を有するだけでなく、電磁波吸収能の異方性が低いことを発見し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の近傍界電磁波吸収フィルムは、プラスチックフィルムとその一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、
前記金属薄膜に交差する二方向の複数のレーザビーム穿孔穴列が形成されており、
前記レーザビーム穿孔穴は少なくとも部分的に間隔を開けており、
二方向の前記レーザビーム穿孔穴列は45〜90°の角度で交差しており、
前記レーザビーム穿孔穴の形成後に残留した金属薄膜部分は、前記レーザビーム穿孔穴列により仕切られた金属薄膜本体部と、隣接する前記金属薄膜本体部を連結する金属薄膜ブリッジ部とからなり、
前記金属薄膜ブリッジ部は20μm以下の幅を有し、
もって、50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有することを特徴とする。
前記金属薄膜に交差する二方向の複数のレーザビーム穿孔穴列が形成されており、
前記レーザビーム穿孔穴は少なくとも部分的に間隔を開けており、
二方向の前記レーザビーム穿孔穴列は45〜90°の角度で交差しており、
前記レーザビーム穿孔穴の形成後に残留した金属薄膜部分は、前記レーザビーム穿孔穴列により仕切られた金属薄膜本体部と、隣接する前記金属薄膜本体部を連結する金属薄膜ブリッジ部とからなり、
前記金属薄膜ブリッジ部は20μm以下の幅を有し、
もって、50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有することを特徴とする。
前記金属薄膜ブリッジ部は2〜15μmの平均幅を有するのが好ましい。
前記レーザ穿孔穴列の交差角は60〜90°であるのが好ましい。
前記レーザ穿孔穴の直径は100μm以下であるのが好ましい。
隣接する前記レーザビーム穿孔穴列の中心線間距離は前記レーザビーム穿孔穴の直径の1.5〜5倍であるのが好ましい。
前記金属薄膜の厚さは10〜300 nmであるのが好ましい。
前記金属薄膜はアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなるのが好ましい。
本発明の近傍界電磁波吸収フィルムは、金属薄膜に二方向のレーザ穿孔穴列が形成されており、レーザビーム穿孔穴が少なくとも部分的に間隔を開けており、残留した金属薄膜がレーザビーム穿孔穴列により仕切られた金属薄膜本体部とそれらを連結する幅の狭い金属薄膜ブリッジ部とからなり、もって50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有するので、優れた電磁波吸収能を有するだけでなく、その異方性も小さい。このような特徴を有する本発明の近傍界電磁波吸収フィルムは、携帯電話、スマートフォン、無線LAN等の通信機器や、コンピュータ等の電子機器のノイズ抑制シートとして用いるのに適している。
本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。
[1] 近傍界電磁波吸収フィルム
図1及び図2は本発明の好ましい一実施形態による近傍界電磁波吸収フィルム1を示す。この近傍界電磁波吸収フィルム1は、プラスチックフィルム10の一面に単層又は多層の金属薄膜11が形成され、金属薄膜11にレーザ穿孔穴12が交差する二列に形成されている。
図1及び図2は本発明の好ましい一実施形態による近傍界電磁波吸収フィルム1を示す。この近傍界電磁波吸収フィルム1は、プラスチックフィルム10の一面に単層又は多層の金属薄膜11が形成され、金属薄膜11にレーザ穿孔穴12が交差する二列に形成されている。
(1) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレート（PET）が好ましい。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレート（PET）が好ましい。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
(2) 金属薄膜
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは10〜300 nmが好ましく、20〜200 nmがより好ましく、30〜150 nmが最も好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは10〜300 nmが好ましく、20〜200 nmがより好ましく、30〜150 nmが最も好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜11が単層の場合、金属薄膜11は導電性、耐食性及びコストの観点からアルミニウム又はニッケルからなるのが好ましい。また金属薄膜11が複層の場合、一方を非磁性金属により形成し、他方を磁性金属により形成しても良い。非磁性金属としてアルミニウム、銅、銀、錫又はこれらの合金が挙げられ、磁性金属としてニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。合計の厚さが上記範囲内であれば、非磁性金属層の厚さ及び磁性金属層の厚さは特に限定的でない。
(3) レーザ穿孔穴列
図1〜図3に示すように、各レーザ穿孔穴12は、金属薄膜11にレーザビームを照射することにより金属が蒸発して形成されたほぼ円形の開口部であるが、プラスチックフィルム10は開口していない。各レーザビーム穿孔穴12の直径Dは100μm以下であるのが好ましく、40〜80μmであるのがより好ましい。
図1〜図3に示すように、各レーザ穿孔穴12は、金属薄膜11にレーザビームを照射することにより金属が蒸発して形成されたほぼ円形の開口部であるが、プラスチックフィルム10は開口していない。各レーザビーム穿孔穴12の直径Dは100μm以下であるのが好ましく、40〜80μmであるのがより好ましい。
金属薄膜11にレーザビーム穿孔穴12が交差する二列に配列されている。交差するレーザビーム穿孔穴列12a，12bにより仕切られた金属薄膜11は個々の金属薄膜本体部13となる。レーザビーム穿孔穴12は少なくとも部分的に間隔が開けているので、間隔部分の金属薄膜11は幅の狭い金属薄膜ブリッジ部14として残留する。従って、レーザビーム穿孔穴12の形成後に残留した金属薄膜部分（残留金属薄膜）は、金属薄膜本体部13及び幅の狭い金属薄膜ブリッジ部14からなる。
レーザビーム穿孔穴12の隙間は両方の列12a，12bにあるのが好ましい。金属薄膜ブリッジ部14の幅Wは20μm以下であり、好ましくは1〜15μmの範囲内である。従って、金属薄膜ブリッジ部14の最大幅Wmaxは20μmであり、好ましくは15μmである。また、金属薄膜ブリッジ部14の平均幅Wavは2〜15μmであり、好ましくは3〜10μmである。
レーザビームスポット自体は円形であるが、レーザビームにより蒸発する金属薄膜の領域は完全な円形にならず、隣接するレーザビーム穿孔穴12との干渉でやや不規則な輪郭を有する傾向がある。例えば、隣接するレーザビーム穿孔穴12との間に隙間がない場合、両レーザビーム穿孔穴12，12が接合するのではなく、僅かな幅の金属薄膜ブリッジ部14ができることがある。これは、隣接するレーザビームスポットの間に蒸発した金属が凝固し、幅の狭い金属薄膜ブリッジ部14になるためであると考えられる。このように、レーザビームスポットを同じ間隔で配列しても金属薄膜11の蒸発により実際に形成されるレーザビーム穿孔穴12の間隔は同じにならないので、金属薄膜ブリッジ部14は20μm以下の範囲内で異なる幅Wを有する。そのため、本発明の近傍界電磁波吸収フィルム1は広範囲の周波数に対して優れた電磁波吸収能を有する。
レーザビーム穿孔穴列12a，12bは45〜90°の交差角θで交差している。これにより、高い電磁波吸収能が得られるだけでなく、電磁波吸収能の異方性も低下する。交差角θが45°未満であると、電磁波吸収能は十分に発揮されない。交差角θが90°のとき、電磁波吸収能は最大となる。交差角θの好ましい範囲は60〜90°である。
レーザビーム穿孔穴列12a，12bの中心線間距離Tは金属薄膜本体部13の大きさに影響する。金属薄膜本体部13の大きさは近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値（よって電磁波吸収能）に影響するので、所望の電気抵抗値が得られるように、レーザビーム穿孔穴列12a，12bの中心線間距離Tを設定する必要がある。具体的には、レーザビーム穿孔穴列12a，12bの中心線間距離Tは100〜400μmが好ましく、150〜300μmがより好ましい。
図4及び図5は本発明の別の好ましい実施形態による近傍界電磁波吸収フィルム100を示す。この近傍界電磁波吸収フィルム100は、複数のレーザビーム穿孔穴12が連結して一体的な開口部（金属薄膜の消失部）112を有する。その結果、レーザビーム穿孔穴12の形成後に残留した金属薄膜部分は、開口部112により仕切られた金属薄膜本体部13と、隣接する金属薄膜本体部13を連結する金属薄膜ブリッジ部14とからなる。この実施形態では、金属薄膜本体部13は比較的小さいので、金属薄膜本体部13と金属薄膜ブリッジ部14とからなる残留金属薄膜11aは全体的に網目状に見える。
金属薄膜本体部13の大きさは、金属薄膜ブリッジ部14の幅W及び数、金属薄膜11の種類（電気抵抗）及び厚さ等により異なる。一般に、金属薄膜11を形成する金属の電気抵抗が大きいほど、また金属薄膜11が薄くなるほど、金属薄膜本体部13は大きくなる。鋭意研究の結果、近傍界電磁波吸収フィルム1の電磁波吸収能は、レーザビーム穿孔穴12の形成後に残留した金属薄膜部分（残留金属薄膜11a＝金属薄膜本体部13＋金属薄膜ブリッジ部14）の大きさ及び電気抵抗に依存することが分った。具体的には、50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有する場合、近傍界電磁波吸収フィルム1は広範囲の周波数の電磁波に対して優れた吸収能を有し、異方性が低い。
(4) 電気抵抗値
残留金属薄膜11aを有する近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値は、図6(a)〜図6(c) に示す装置を用いて、加圧下での直流二端子法（単に「加圧二端子法」と言う）により測定する。具体的には、硬質な絶縁性平坦面上に残留金属薄膜11aを上にして載置した10 cm×10 cmの近傍界電磁波吸収フィルム1の正方形試験片TP1の対向辺部に、長さ10 cm×幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極本体部121と、電極本体部121の中央側部から延びる幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極延長部122とからなる一対の電極120，120を載置し、試験片TP1と両電極120，120を完全に覆うようにそれらの上に10 cm×10 cm×厚さ5 mmの透明アクリル板130を載せ、透明アクリル板130の上に直径10 cmの円柱状重り140（3.85 kg）を載せた後で、両電極延長部222，222間を流れる電流から電気抵抗値を求める。
残留金属薄膜11aを有する近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値は、図6(a)〜図6(c) に示す装置を用いて、加圧下での直流二端子法（単に「加圧二端子法」と言う）により測定する。具体的には、硬質な絶縁性平坦面上に残留金属薄膜11aを上にして載置した10 cm×10 cmの近傍界電磁波吸収フィルム1の正方形試験片TP1の対向辺部に、長さ10 cm×幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極本体部121と、電極本体部121の中央側部から延びる幅1 cm×厚さ0.5 mmの電極延長部122とからなる一対の電極120，120を載置し、試験片TP1と両電極120，120を完全に覆うようにそれらの上に10 cm×10 cm×厚さ5 mmの透明アクリル板130を載せ、透明アクリル板130の上に直径10 cmの円柱状重り140（3.85 kg）を載せた後で、両電極延長部222，222間を流れる電流から電気抵抗値を求める。
近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値は50〜300Ω／100 cm2の範囲内である必要がある。電気抵抗値が50Ω／100 cm2未満又は300Ω／100 cm2超であると、近傍界電磁波吸収フィルム1は十分な電磁波吸収能を有さない。近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値は好ましくは60〜250Ω／100 cm2であり、より好ましくは80〜200Ω／100 cm2である。
(5) 光透過率
近傍界電磁波吸収フィルム1の電磁波吸収能は残留金属薄膜11a（金属薄膜本体部13＋金属薄膜ブリッジ部14）の面積率にも依存する。残留金属薄膜11aは実質的に光不透過性であるので、残留金属薄膜11aの面積率は近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率により表すことができる。近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率は、波長660 nmのレーザ光で測定する。
近傍界電磁波吸収フィルム1の電磁波吸収能は残留金属薄膜11a（金属薄膜本体部13＋金属薄膜ブリッジ部14）の面積率にも依存する。残留金属薄膜11aは実質的に光不透過性であるので、残留金属薄膜11aの面積率は近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率により表すことができる。近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率は、波長660 nmのレーザ光で測定する。
近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率は30〜80％の範囲内である必要がある。光透過率が30％未満であると、残留金属薄膜11aの面積率が大きすぎ、電磁波反射率が高く、電磁波ノイズの吸収能は低い。一方、光透過率が80％超であると、残留金属薄膜11aの面積率が小さすぎて電磁波吸収能が不十分である。近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率は好ましくは35〜70％である。
(6) 保護層
交差する二列のレーザビーム穿孔穴12を有する金属薄膜の表面に、プラスチック保護層（図示せず）を形成するのが好ましい。プラスチック保護層用のプラスチックフィルムはプラスチックフィルム10と同じで良い。プラスチック保護層の厚さは10〜100μm程度が好ましい。脱離を防止するために、プラスチックフィルムを熱ラミネートすることによりプラスチック保護層を形成するのが好ましい。保護層プラスチックフィルムがPETフィルムの場合、熱ラミネート温度は110〜150℃で良い。
交差する二列のレーザビーム穿孔穴12を有する金属薄膜の表面に、プラスチック保護層（図示せず）を形成するのが好ましい。プラスチック保護層用のプラスチックフィルムはプラスチックフィルム10と同じで良い。プラスチック保護層の厚さは10〜100μm程度が好ましい。脱離を防止するために、プラスチックフィルムを熱ラミネートすることによりプラスチック保護層を形成するのが好ましい。保護層プラスチックフィルムがPETフィルムの場合、熱ラミネート温度は110〜150℃で良い。
[2] 近傍界電磁波吸収フィルムの電磁波吸収能
(1) 伝送減衰率
伝送減衰率Rtpは、図7(a) 及び図7(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板220と、絶縁基板220の下面に接合された接地グランド電極221と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン222，222と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン222，222に接続する同軸ケーブル223，223とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLにノイズ抑制フィルムの試験片TP2を粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、下記式(1)：
Rtp＝−10×log[10S21/10/(1−10S11/10)]・・・(1)
により求める。
(1) 伝送減衰率
伝送減衰率Rtpは、図7(a) 及び図7(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板220と、絶縁基板220の下面に接合された接地グランド電極221と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン222，222と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン222，222に接続する同軸ケーブル223，223とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLにノイズ抑制フィルムの試験片TP2を粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、下記式(1)：
Rtp＝−10×log[10S21/10/(1−10S11/10)]・・・(1)
により求める。
(2) ノイズ吸収率
図7(a) 及び図7(b) に示すシステムにおいて、入射した電力Pin＝反射波S11の電力＋透過波S12の電力＋吸収された電力（電力損失）Plossが成り立つ。従って、入射した電力Pinから反射波S11の電力及び透過波S21の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求める。
図7(a) 及び図7(b) に示すシステムにおいて、入射した電力Pin＝反射波S11の電力＋透過波S12の電力＋吸収された電力（電力損失）Plossが成り立つ。従って、入射した電力Pinから反射波S11の電力及び透過波S21の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求める。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
実施例1、及び比較例1及び2
厚さ16μmのPETフィルム10に真空蒸着法により形成した厚さ80 nmのAl薄膜11に対して、3-AxisハイブリッドレーザーマーカーMD-X1000（株式会社キーエンス製）により直径60μmのレーザビーム穿孔穴12を交差する二列に形成し、図8〜図10に示す近傍界電磁波吸収フィルム1を作製した。
厚さ16μmのPETフィルム10に真空蒸着法により形成した厚さ80 nmのAl薄膜11に対して、3-AxisハイブリッドレーザーマーカーMD-X1000（株式会社キーエンス製）により直径60μmのレーザビーム穿孔穴12を交差する二列に形成し、図8〜図10に示す近傍界電磁波吸収フィルム1を作製した。
各近傍界電磁波吸収フィルム1から切り出した正方形の試験片TP1（10 cm×10 cm）に対して、段落[1] の(4) に記載の方法により電気抵抗値を測定した。また、各近傍界電磁波吸収フィルム1の光透過率を波長660 nmのレーザ光で測定した。結果を表1に示す。
各近傍界電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TP2（55.2 mm×4.7 mm）を図7(a) 及び図7(b) に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの周波数範囲の入射電力Pinに対する反射波の電力S11及び透過波の電力S12を測定した。段落[2] の(1) 及び(2) に記載の方法により、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、0.1〜6 GHzの周波数範囲におけるS11、及び伝送減衰率Rtpを求めた。0.1〜6 GHzの周波数範囲におけるS11を図11に示し、伝送減衰率Rtpを図12に示す。図11から明らかなように、レーザビーム穿孔穴12が過少（電気抵抗値及び光透過率が過小）の比較例1は反射波が多すぎた。また、図12から明らかなように、レーザビーム穿孔穴12が過剰（電気抵抗値が過大）の比較例2は伝送減衰率Rtpが低かった。
実施例2、及び比較例3及び4
厚さ16μmのPETフィルム10に真空蒸着法により形成した厚さ50 nmのNi薄膜11に対して、3-AxisハイブリッドレーザーマーカーMD-X1000（株式会社キーエンス製）により直径60μmのレーザビーム穿孔穴12を交差する二列に形成し、図13〜図15に示す近傍界電磁波吸収フィルム1を作製した。実施例1と同じ方法により、各近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値及び光透過率を波長660 nmのレーザ光で測定した。結果を表2に示す。
厚さ16μmのPETフィルム10に真空蒸着法により形成した厚さ50 nmのNi薄膜11に対して、3-AxisハイブリッドレーザーマーカーMD-X1000（株式会社キーエンス製）により直径60μmのレーザビーム穿孔穴12を交差する二列に形成し、図13〜図15に示す近傍界電磁波吸収フィルム1を作製した。実施例1と同じ方法により、各近傍界電磁波吸収フィルム1の電気抵抗値及び光透過率を波長660 nmのレーザ光で測定した。結果を表2に示す。
各近傍界電磁波吸収フィルム1の0.1〜6 GHzの周波数範囲におけるS11、伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例1と同じ方法で求めた。0.1〜6 GHzの周波数範囲におけるS11を図16に示し、伝送減衰率Rtpを図17に示す。また、実施例2のノイズ吸収率Ploss/Pinを図18に示す。図16から明らかなように、レーザビーム穿孔穴12が過少（電気抵抗値及び光透過率が過小）の比較例3は反射波が多すぎた。また、図17から明らかなように、レーザビーム穿孔穴12が過剰（電気抵抗値が過大）の比較例4は伝送減衰率Rtpが低かった。さらに図18から明らかなように、レーザビーム穿孔穴12、電気抵抗値及び光透過率が本発明の要件を満たす実施例2は高いノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
1・・・近傍界電磁波吸収フィルム
10・・・プラスチックフィルム
11・・・金属薄膜
11a・・・残留金属薄膜
12・・・レーザビーム穿孔穴
12a，12b・・・レーザビーム穿孔穴列
13・・・金属薄膜本体部
14・・・金属薄膜ブリッジ部
120・・・電極
121・・・電極本体部
122・・・電極延長部
130・・・透明アクリル板
140・・・円柱状重り
220・・・絶縁基板
221・・・接地グランド電極
222・・・導電性ピン
223・・・同軸ケーブル
D・・・レーザビーム穿孔穴の直径
W・・・金属薄膜ブリッジ部の幅
T・・・レーザビーム穿孔穴列の中心線間距離
TP1，TP2・・・近傍界電磁波吸収フィルムの試験片
MSL・・・マイクロストリップライン
NA・・・ネットワークアナライザ
10・・・プラスチックフィルム
11・・・金属薄膜
11a・・・残留金属薄膜
12・・・レーザビーム穿孔穴
12a，12b・・・レーザビーム穿孔穴列
13・・・金属薄膜本体部
14・・・金属薄膜ブリッジ部
120・・・電極
121・・・電極本体部
122・・・電極延長部
130・・・透明アクリル板
140・・・円柱状重り
220・・・絶縁基板
221・・・接地グランド電極
222・・・導電性ピン
223・・・同軸ケーブル
D・・・レーザビーム穿孔穴の直径
W・・・金属薄膜ブリッジ部の幅
T・・・レーザビーム穿孔穴列の中心線間距離
TP1，TP2・・・近傍界電磁波吸収フィルムの試験片
MSL・・・マイクロストリップライン
NA・・・ネットワークアナライザ
Claims (7)
- プラスチックフィルムと、その一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に交差する二方向の複数のレーザビーム穿孔穴列を有する近傍界電磁波吸収フィルムであって、
前記レーザビーム穿孔穴は少なくとも部分的に間隔を開けており、
二方向の前記レーザビーム穿孔穴列は45〜90°の角度で交差しており、
前記レーザビーム穿孔穴の形成後に残留した金属薄膜部分は、前記レーザビーム穿孔穴列により仕切られた金属薄膜本体部と、隣接する前記金属薄膜本体部を連結する金属薄膜ブリッジ部とからなり、
前記金属薄膜ブリッジ部は20μm以下の幅を有し、
もって、50〜300Ω／100 cm2の電気抵抗値及び30〜80％の光透過率（波長が660 nmのレーザ光）を有することを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1に記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、前記金属薄膜ブリッジ部が2〜15μmの平均幅を有することを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1又は2に記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、前記レーザ穿孔穴列の交差角が45〜90°であることを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、前記レーザ穿孔穴の直径が100μm以下であることを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、隣接する前記レーザビーム穿孔穴列の中心線間距離が前記レーザビーム穿孔穴の直径の1.5〜5倍であることを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、前記金属薄膜の厚さが10〜300 nmであることを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の近傍界電磁波吸収フィルムにおいて、前記金属薄膜がアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなることを特徴とする近傍界電磁波吸収フィルム。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016036465A JP5973099B1 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 近傍界電磁波吸収フィルム |
| US15/226,366 US20170251577A1 (en) | 2016-02-26 | 2016-08-02 | Near-field electromagnetic wave absorbing film |
| TW105124397A TWI744243B (zh) | 2016-02-26 | 2016-08-02 | 近場電磁波吸收薄膜 |
| EP16182393.5A EP3211982B1 (en) | 2016-02-26 | 2016-08-02 | Near-field electromagnetic wave absorbing film |
| CN201610821329.3A CN107135635B (zh) | 2016-02-26 | 2016-09-13 | 近场电磁波吸收薄膜 |
| KR1020160121315A KR102482857B1 (ko) | 2016-02-26 | 2016-09-22 | 근거리 전자기파 흡수 필름 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016036465A JP5973099B1 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 近傍界電磁波吸収フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5973099B1 true JP5973099B1 (ja) | 2016-08-23 |
| JP2017152663A JP2017152663A (ja) | 2017-08-31 |
Family
ID=56706666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016036465A Expired - Fee Related JP5973099B1 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 近傍界電磁波吸収フィルム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170251577A1 (ja) |
| EP (1) | EP3211982B1 (ja) |
| JP (1) | JP5973099B1 (ja) |
| KR (1) | KR102482857B1 (ja) |
| CN (1) | CN107135635B (ja) |
| TW (1) | TWI744243B (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184492A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Tdk Corp | フェライト部品 |
| JP2013084864A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Seiji Kagawa | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート |
| JP2013225566A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Hitachi Metals Ltd | 磁性シート、コイル部品および磁性シートの製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148782A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nippon Paint Co Ltd | 透明電磁波吸収シールド材 |
| US7214282B2 (en) * | 2001-05-16 | 2007-05-08 | Bridgeston Corporation | Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate, manufacturing method thereof and display panel |
| CN2569536Y (zh) * | 2002-09-16 | 2003-08-27 | 侯邦为 | 电磁波阻隔膜 |
| US7528342B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-05 | Laserfacturing, Inc. | Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser |
| KR20080011699A (ko) * | 2005-06-02 | 2008-02-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 전자파 차폐 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20080100447A (ko) * | 2006-03-09 | 2008-11-18 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법, 광 투과성 전자파 실드재 및 디스플레이용 필터 |
| TWM319852U (en) * | 2006-12-29 | 2007-10-01 | Amy Tseng | Flat glass apparatus for shielding electromagnetic waves |
| JP2009094467A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Fujifilm Corp | 画像表示装置、モアレ抑止フイルム、光学フィルタ、プラズマディスプレイフィルタ、画像表示パネル |
| RU2519942C2 (ru) * | 2009-02-13 | 2014-06-20 | Сейдзи КАГАВА | Композитная пленка из линейно-процарапанной, тонкой металлической пленки и пластиковой пленки, а также установка для ее производства |
| US9012044B2 (en) * | 2009-08-03 | 2015-04-21 | 3M Innovative Properties Company | Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom |
| TWI435205B (zh) * | 2011-05-12 | 2014-04-21 | Subtron Technology Co Ltd | 蓋板結構及其製作方法 |
| KR101790684B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2017-10-26 | 세이지 까가와 | 복합 전자파 흡수 시트 |
| JP2014090162A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-05-15 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | カバーレイフィルムおよびフレキシブルプリント配線板 |
| KR101980711B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2019-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 그래핀 전자파 차단판, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 전자기기 및 전자레인지의 도어 |
| CN105075417B (zh) * | 2013-03-21 | 2018-07-10 | 株式会社则武 | 电磁波屏蔽板 |
| CN103249290B (zh) * | 2013-05-13 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 一种单层复合单元宽带周期吸波结构 |
| CN103579776A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 具有改善斜入射性能的电磁吸波材料 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036465A patent/JP5973099B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-08-02 TW TW105124397A patent/TWI744243B/zh active
- 2016-08-02 EP EP16182393.5A patent/EP3211982B1/en active Active
- 2016-08-02 US US15/226,366 patent/US20170251577A1/en not_active Abandoned
- 2016-09-13 CN CN201610821329.3A patent/CN107135635B/zh active Active
- 2016-09-22 KR KR1020160121315A patent/KR102482857B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184492A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Tdk Corp | フェライト部品 |
| JP2013084864A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Seiji Kagawa | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート |
| JP2013225566A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Hitachi Metals Ltd | 磁性シート、コイル部品および磁性シートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3211982A1 (en) | 2017-08-30 |
| JP2017152663A (ja) | 2017-08-31 |
| TW201731372A (zh) | 2017-09-01 |
| EP3211982B1 (en) | 2020-09-30 |
| KR102482857B1 (ko) | 2022-12-29 |
| KR20170101090A (ko) | 2017-09-05 |
| CN107135635B (zh) | 2020-11-17 |
| TWI744243B (zh) | 2021-11-01 |
| CN107135635A (zh) | 2017-09-05 |
| US20170251577A1 (en) | 2017-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6027281B1 (ja) | 近傍界電磁波吸収フィルム | |
| TWI613955B (zh) | 複合電磁波吸收薄片 | |
| JP4685977B2 (ja) | 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム及びその製造装置 | |
| JP5038497B2 (ja) | 電磁波吸収フィルム及びそれを用いた電磁波吸収体 | |
| WO2011077834A1 (ja) | 複合電磁波吸収フィルム | |
| JP6208394B1 (ja) | 電磁波吸収フィルタ | |
| JP4757079B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
| JP5214541B2 (ja) | 可視光透過性電磁波吸収フィルム及びそれを用いた可視光透過性電磁波吸収体 | |
| JP5973099B1 (ja) | 近傍界電磁波吸収フィルム | |
| JP2013084864A (ja) | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート | |
| JP6461416B1 (ja) | 電磁波吸収複合シート | |
| JP2019016491A (ja) | 透明面状発熱体、透明面状発熱体製造方法 | |
| JP5107394B2 (ja) | 電磁波吸収体及びそれを用いた内装材 | |
| KR101026000B1 (ko) | 저항층 코팅 도전체 및 그 제조방법과 인쇄회로기판 | |
| CN110769672B (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
| KR101118801B1 (ko) | 디스플레이용 단위기판의 열변형 방지장치 | |
| JP2004335769A (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JP2011142198A (ja) | 電波吸収体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160627 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160713 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5973099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |