CN107135635B - 近场电磁波吸收薄膜 - Google Patents
近场电磁波吸收薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107135635B CN107135635B CN201610821329.3A CN201610821329A CN107135635B CN 107135635 B CN107135635 B CN 107135635B CN 201610821329 A CN201610821329 A CN 201610821329A CN 107135635 B CN107135635 B CN 107135635B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser beam
- electromagnetic wave
- wave absorption
- film
- field electromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 36
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
- H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
- H01Q1/526—Electromagnetic shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
- H04B5/70—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
- H04B5/72—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for local intradevice communication
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明提供一种近场电磁波吸收薄膜,其于设置在塑料薄膜的一面的金属薄膜具有交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列,各列中的多个激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔排列,2个方向的激光束冲孔孔洞列以45~90°的角度交叉,激光束冲孔孔洞形成后残留下的金属薄膜部分包括被激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部、和将相邻的宽幅残留部连结的桥状残留部,桥状残留部具有20μm以下的宽度,再者具有50~300Ω/100cm2的电阻值及30~80%的透光率(波长为660nm的激光光线)。
Description
技术领域
本发明涉及具有高电磁波吸收能的近场电磁波吸收薄膜。
背景技术
防止电磁波的泄漏及进入电磁波吸收片被使用于移动电话、智能电话、无线LAN等通信设备、或计算机等电子设备中。当前广泛使用的电磁波吸收片由金属的片或网构成,但最近也提出在塑料片形成了金属蒸镀膜的电磁波吸收片。例如JP特开平9-148782号公报提出以下电磁波吸收片,其由塑料薄膜、及在其双面形成的第一及第二铝蒸镀膜构成,第一铝蒸镀膜被蚀刻成非导通的线状图案,第二铝蒸镀膜被蚀刻成网眼状的导通图案。
再有,WO 2010/093027公开了一种复合薄膜,其具有塑料薄膜、及设置在其至少一面的单层或多层的金属薄膜,多个实质上平行且断续的线状痕以不规则的宽度及间隔而沿多个方向形成于所述金属薄膜,由此降低了电磁波吸收能的各向异性。
JP特开平9-148782号公报的电磁波吸收片及WO 2010/093027的带线状痕的金属薄膜-塑料复合薄膜中,虽然通过线状图案或线状痕而能获得电磁波吸收能,但另外也期望利用激光束的点状的图案高效地获得具有优异的电磁波吸收能的电磁波吸收薄膜。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供一种通过在金属薄膜形成激光束冲孔孔洞而具有良好的电磁波吸收能、并且其各向异性低的近场电磁波吸收薄膜。
鉴于上述目的而专心研究的结果,本发明人发现:(a)在已形成于塑料薄膜的金属薄膜上将至少局部地空出间隔而被排列的多个激光束冲孔孔洞列形成于2个方向,由此构成的近场电磁波吸收薄膜不仅具有优异的电磁波吸收能,而且电磁波吸收能的各向异性低,由此想到了本发明。
即,本发明的近场电磁波吸收薄膜具有塑料薄膜、设置在塑料薄膜的一面的单层或多层的金属薄膜,其特征在于,
在所述金属薄膜形成交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列,
各列中的多个所述激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔排列,
2个方向的所述激光束冲孔孔洞以45~90°的角度交叉,
所述激光束冲孔孔洞形成后残留下的金属薄膜部分包括:被所述激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部;和将相邻的所述宽幅残留部连结的桥状残留部,
所述桥状残留部具有20μm以下的宽度,
再者,该近场电磁波吸收薄膜具有50~300Ω/100cm2的电阻值及30~80%的透光率,其中透光率针对波长为660nm的激光光线。
所述桥状残留部优选具有2~15μm的平均宽度。
所述激光束冲孔孔洞列是交叉角优选为60~90°。
所述激光束冲孔孔洞的直径优选为100μm以下。
相邻的所述激光束冲孔孔洞列的中心线间距离优选为所述激光束冲孔孔洞的直径的1.5~5倍。
所述金属薄膜的厚度优选为10~300nm。
所述金属薄膜优选由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及这些的合金所构成的群中被选出的至少一种金属构成。
附图说明
图1是表示基于本发明一实施方式的近场电磁波吸收薄膜的局部放大俯视图。
图2(a)是图1的A-A剖视图。
图2(b)是图1的B-B剖视图。
图3是图1的局部放大图。
图4是表示基于本发明的其他实施方式的近场电磁波吸收薄膜的局部放大俯视图。
图5是图4的局部放大图。
图6(a)是表示测定近场电磁波吸收薄膜的电阻值的装置的立体图。
图6(b)是表示利用图6(a)的装置来测定近场电磁波吸收薄膜的电阻值的样子的俯视图。
图6(c)是图6(b)的C-C剖视图。
图7(a)是表示评价近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能的系统的俯视图。
图7(b)是表示评价近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能的系统的部分剖面主视图。
图8是表示实施例1的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图9是表示比较例1的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图10是表示比较例2的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图11是针对实施例1及比较例1及2的近场电磁波吸收薄膜而表示S11与入射电波的频率的关系的图表。
图12是针对实施例1及比较例1及2的近场电磁波吸收薄膜而表示传输衰减率Rtp与入射电波的频率的关系的图表。
图13是表示实施例2的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图14是表示比较例3的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图15是表示比较例4的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。
图16是针对实施例2及比较例3及4的近场电磁波吸收薄膜而表示S11与入射电波的频率的关系的图表。
图17是针对实施例2及比较例3及4的近场电磁波吸收薄膜而表示传输衰减率Rtp与入射电波的频率的关系的图表。
图18是针对实施例2的近场电磁波吸收薄膜而表示噪声吸收率Ploss/Pin与入射电波的频率的关系的图表。
-符号说明-
1···近场电磁波吸收薄膜
10···塑料薄膜
11···金属薄膜
11a···残留金属薄膜部分
12···激光束冲孔孔洞
12a、12b···激光束冲孔孔洞列
13···宽幅残留部
14···桥状残留部
112···一体的开口部
120···电极
121···电极主体部
122···电极延长部
130···透明丙烯板
140···圆柱状测锤
220···绝缘基板
221···接地电极
222···导电性管脚
223···同轴线缆
D···激光束冲孔孔洞的直径
W···桥状残留部的宽度
T···相邻的激光束冲孔孔洞列的中心线间距离
TP1、TP2···近场电磁波吸收薄膜的试验片
MSL···微带线
NA···网络分析仪
具体实施方式
参照附图详细地说明本发明的实施方式,但如果没有特地通知,那么与一个实施方式相关的说明也能应用于其他实施方式。再有,下述说明并非是限定性的,在本发明的技术思想的范围内也可以进行各种变更。
[1]近场电磁波吸收薄膜
图1及图2表示基于本发明的优选一实施方式的近场电磁波吸收薄膜1。该近场电磁波吸收薄膜1在塑料薄膜10的一面形成单层或多层的金属薄膜11,且在金属薄膜11上多列激光束冲孔孔洞12形成于交叉的2个方向。
(1)塑料薄膜
形成塑料薄膜10的树脂只要具有绝缘性,并且具有足够的强度、可挠性及加工性,就不被特地限制,例如可列举聚酯(聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。从强度及成本的观点来说,优选聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。塑料薄膜10的厚度最好为10~100μm左右。
(2)金属薄膜
形成金属薄膜11的金属只要具有导电性,就并不特地加以限定,但从耐腐蚀性及成本的观点来说优选铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及这些的合金,特别优选铝、铜、镍及这些的合金。金属薄膜的厚度优选为10~300nm,更优选20~200nm,最优选30~150nm。金属薄膜11能通过蒸镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理蒸镀法、或等离子CVD法、热CVD法、光CVD法等化学气相蒸镀法)、镀覆法或箔接合法来形成。
在金属薄膜11为单层的情况下,金属薄膜11从导电性、耐腐蚀性及成本的观点来说优选由铝或镍构成。再有,在金属薄膜11为复层的情况下,也可以一方通过非磁性金属来形成、另一方通过磁性金属来形成。作为非磁性金属可列举铝、铜、银、锡或这些的合金,作为磁性金属可列举镍、钴、铬或这些的合金。只要合计厚度在上述范围内,那么非磁性金属层的厚度及磁性金属层的厚度并不特地加以限定。
(3)激光束冲孔孔洞列
如图1~图3所示,各激光束冲孔孔洞12是通过向金属薄膜11照射激光束光点而使金属蒸发来形成的大致圆形的开口部,但塑料薄膜10并未开口。各激光束冲孔孔洞12的直径D优选为100μm以下,更优选为40~80μm。
多列激光束冲孔孔洞12沿交叉的2个方向而排列于金属薄膜11。通过交叉的激光束冲孔孔洞列12a、12b而被间隔开的金属薄膜11成为各个宽幅残留部13。在各激光束冲孔孔洞列12a、12b中,由于多个激光束冲孔孔洞12至少局部地空出间隔而被排列,但间隔部分的金属薄膜11作为宽度窄的桥状残留部14而残留下来。因此,形成激光束冲孔孔洞12后残留下来的金属薄膜部分(残留金属薄膜部分)由宽幅残留部13及宽度窄的桥状残留部14构成。
两方的激光束冲孔孔洞列12a、12b中,优选激光束冲孔孔洞12至少局部地存在间隙。桥状残留部14的宽度W为20μm以下,优选处于1~15μm的范围内。因此,桥状残留部14的最大宽度Wmax为20μm,优选为15μm。再有,桥状残留部14的平均宽度Wav为2~15μm,优选为3~10μm。
为了使桥状残留部14具有不同的宽度W,也可以以不同的间隔向金属薄膜11照射激光束光点。
虽然激光束光点自身是圆形的,但通过激光束光点而蒸发的金属薄膜的区域并不是完整的圆形,因与相邻的激光束冲孔孔洞12的干涉而存在具有非常不规则的轮廓的倾向。例如,在相邻的激光束冲孔孔洞12之间没有间隙的情况下,两激光束冲孔孔洞12、12有可能接合或桥状残留部14的宽度变得过小。认为这是因为相邻的激光束光点间产生的金属凝固而形成过窄的桥状残留部14的缘故。这样,即便以相同的间隔排列激光束光点,通过金属薄膜11的蒸发而实际上形成的激光束冲孔孔洞12间隔也不会变为相同,因此桥状残留部14在20μm以下的范围内具有不同的宽度W。为此,本发明的近场电磁波吸收薄膜1相对于宽范围的频率而具有优异的电磁波吸收能。
2个方向的激光束冲孔孔洞列12a、12b以45~90°的交叉角θ交叉。由此,不仅能够得到较高的电磁波吸收能,而且电磁波吸收能的各向异性也降低。若交叉角θ低于45°,则电磁波吸收能不能充分地发挥。在交叉角θ为90°之时,电磁波吸收能变为最大。优选交叉角θ为60~90°。
相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T对宽幅残留部13的大小有影响。由于宽幅残留部13的大小对近场电磁波吸收薄膜1的电阻值(即电磁波吸收能)有影响,故需要设定相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T,以便能够得到所期望的电阻值。具体是,相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T优选为100~400μm,更优选为150~300μm。
图4及图5表示基于本发明的其他优选实施方式的近场电磁波吸收薄膜100。该近场电磁波吸收薄膜100具有多个激光束冲孔孔洞12连结而成为一体的开口部(金属薄膜的消失部)112。结果,激光束冲孔孔洞12形成后残留下来的金属薄膜部分由被一体的开口部112间隔开的宽幅残留部13、和将相邻的宽幅残留部13连结的桥状残留部14构成。该实施方式中,由于宽幅残留部13较小,故宽幅残留部13与桥状残留部14所构成的残留金属薄膜部分11a整体上可看成网眼状。
本实施方式中,也可以以不同的间隔向金属薄膜11照射激光束光点,以使得连接一部分相邻的激光束冲孔孔洞12。
宽幅残留部13的大小根据桥状残留部14的宽度W及数量、金属薄膜11的种类(电阻)及厚度等而不同。一般,形成金属薄膜11的金属的电阻越大、金属薄膜11变得越薄,则宽幅残留部13变得越大。专心研究的结果,可知:近场电磁波吸收薄膜1的电磁波吸收能依存于激光束冲孔孔洞12形成后残留下来的金属薄膜部分(残留金属薄膜部分11a=宽幅残留部13+桥状残留部14)的大小及电阻。具体是,具有50~300Ω/100cm2的电阻值及30~80%的透光率(波长为660nm的激光光线)的情况下,近场电磁波吸收薄膜1针对宽范围的频率的电磁波而具有优异的吸收能且各向异性低。
(4)电阻值
具有残留金属薄膜部分11a的近场电磁波吸收薄膜1的电阻值是利用图6(a)~图6(c)所示的装置且通过加压下的直流二端子法(简单称为“加压二端子法”)来测定的。具体是,在以残留金属薄膜部分11a为上而载置在硬质的绝缘性平坦面上的近场电磁波吸收薄膜1的正方形试验片TP1(10cm×10cm)的对置边部,载置长度10cm×宽度1cm×厚度0.5mm的电极主体部121、和从电极主体部121的中央侧部延伸的宽度1cm×厚度0.5mm的电极延长部122所构成的一对电极120、120,在这些之上安放10cm×10cm×厚度5mm的透明丙烯板130,以便将试验片TP1与两电极120、120完全地覆盖,在透明丙烯板130之上安放直径10cm的圆柱状测锤140(3.85kg)后,根据在两电极延长部122、122间流动的电流来求取近场电磁波吸收薄膜1的电阻值。
需要近场电磁波吸收薄膜1的电阻值处于50~300Ω/100cm2的范围内。若电阻值低于50Ω/100cm2或超过300Ω/100cm2,则近场电磁波吸收薄膜1不具有足够的电磁波吸收能。近场电磁波吸收薄膜1的电阻值优选为60~250Ω/100cm2,更优选为80~200Ω/100cm2。
(5)透光率
近场电磁波吸收薄膜1的电磁波吸收能也依存于残留金属薄膜部分11a(宽幅残留部13+桥状残留部14)的面积率。由于残留金属薄膜部分11a实质上是不透光性的,故残留金属薄膜部分11a的面积率能通过近场电磁波吸收薄膜1的透光率来表示。近场电磁波吸收薄膜1的透光率是利用波长660nm的激光光线来测定的。
近场电磁波吸收薄膜1的透光率需要处于30~80%的范围内。若透光率低于30%,则残留金属薄膜部分11a的面积率过大,电磁波反射率高而电磁波噪声的吸收能低。另一方面,若透光率超过80%,则残留金属薄膜部分11a面积率过小,电磁波吸收能不充分。近场电磁波吸收薄膜1的透光率优选为35~70%。
(6)保护层
优选在具有交叉的2个方向的多列激光束冲孔孔洞12的金属薄膜的表面形成塑料保护层(未图示)。塑料保护层用的塑料薄膜可以与塑料薄膜10相同。塑料保护层的厚度优选为10~100μm左右。为了防止脱离,作为保护层优选将塑料薄膜热层压于近场电磁波吸收薄膜1上。在塑料保护层由PET薄膜构成的情况下,热层压温度最好为110~150℃。
[2]近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能
(1)传输衰减率
利用由50Ω的微带线MSL(64.4mm×4.4mm)、支承微带线MSL的绝缘基板220、被接合于绝缘基板220的下表面的接地电极221、被连接至微带线MSL的两端的导电性管脚222、222、网络分析仪NA、将网络分析仪NA连接于导电性管脚222、222的同轴线缆223、223所构成的图7(a)及图7(b)所示的系统,通过粘接剂将近场电磁波吸收薄膜1的试验片TP2粘贴于微带线MSL,针对0.1~6GHz的入射波测定反射波的电力S11及透过波的电力S21,并通过下述式(1)来求取传输衰减率Rtp:
Rtp=-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]···(1)。
(2)噪声吸收率
在图7(a)及图7(b)所示的系统中,已入射的电力Pin=反射波的电力S11+透过波的电力S21+被吸收的电力(电力损耗)Ploss成立。因此,通过从已入射的电力Pin中减去反射波的电力S11及透过波的电力S21,来求取电力损耗Ploss,再将Ploss除以入射电力Pin来求取噪声吸收率Ploss/Pin。
虽然根据以下的实施例更详细地说明本发明,但本发明并未被限定于这些。
实施例1、及比较例1及2
针对通过真空蒸镀法已在厚度16μm的PET薄膜10形成的厚度80nm的作为金属薄膜11的各Al薄膜,利用3-Axis混合式激光器制造商MD-X1000(株式会社奇恩斯制)并以表1所示的条件,将直径60μm的激光束冲孔孔洞12形成为交叉的2个方向的多列,由此制作了图8~图10所示的近场电磁波吸收薄膜1。
针对从各近场电磁波吸收薄膜1切出的正方形的试验片TP1(10cm×10cm),利用段落[1]的(4)所述的方法而测定了电阻值。再有,利用波长660nm的激光光线而测定了各近场电磁波吸收薄膜1的透光率。结果如表1所示。
【表1】
项目 | 实施例1 | 比较例1 | 比较例2 |
对应图 | 图8 | 图9 | 图10 |
交叉角θ<sup>(1)</sup>(°) | 90 | 90 | 90 |
最大宽度Wmax<sup>(2)</sup>(μm) | 15 | 60 | 0 |
平均宽度Wav<sup>(2)</sup>(μm) | 8 | 50 | 0 |
电阻值(Ω/100cm<sup>2</sup>) | 100 | 2 | ∞ |
透光率(%) | 70 | 25 | 50 |
注:(1)激光束冲孔孔洞列的交叉角θ。
(2)在桥状残留部测定。
通过粘接剂将从各近场电磁波吸收薄膜1切出的试验片TP2(55.2mm×4.7mm)粘贴于图7(a)及图7(b)所示的系统的微带线MSL,测定了相对于0.1~6GHz的频率范围的入射电力Pin的反射波的电力S11及透过波的电力S21。通过段落[2]的(1)及(2)所述的方法,测定反射波的电力S11及透过波的电力S21,并求出0.1~6GHz的频率范围内的s11、及传输衰减率Rtp。将0.1~6GHz的频率范围内的S11示于图11、将传输衰减率Rtp示于图12。根据图11可知,激光束冲孔孔洞12过少(电阻值及透光率过小)的比较例1,反射波过多。再有,根据图12可知,激光束冲孔孔洞12过剩(电阻值过大)的比较例2,传输衰减率Rtp较低。
实施例2、及比较例3及4
针对通过真空蒸镀法厚度已在16μm的PET薄膜10形成的厚度50nm的作为金属薄膜11的各Ni薄膜,利用3-Axis混合式激光器制造商MD-X1000(株式会社奇恩斯制)并以表1所示的条件,将直径60μm的激光束冲孔孔洞12形成交叉的2个方向的多列,由此制作了图13~图15所示的近场电磁波吸收薄膜1。通过与实施例1相同的方法,测定了各近场电磁波吸收薄膜1的电阻值及透光率。将结果示于表2。
【表2】
项目 | 实施例2 | 比较例3 | 比较例4 |
对应图 | 图13 | 图14 | 图15 |
交叉角θ<sup>(1)</sup>(°) | 90 | 90 | 90 |
最大宽度Wmax<sup>(2)</sup>(μm) | 15 | 60 | 0 |
平均宽度Wav<sup>(2)</sup>(μm) | 7 | 50 | 0 |
电阻值(Ω/100cm<sup>2</sup>) | 60 | 6 | ∞ |
透光率(%) | 40 | 30 | 50 |
注:(1)激光束冲孔孔洞列的交叉角θ。
(2)在桥状残留部测定。
以与实施例1相同的方法求出各近场电磁波吸收薄膜1的0.1~6GHz的频率范围内的S11、传输衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。将0.1~6GHz的频率范围内的S11示于图16、将传输衰减率Rtp示于图17。再有,将实施例2的噪声吸收率Ploss/Pin示于图18。根据图16可知,激光束冲孔孔洞12过少(电阻值及透光率过小)的比较例3,反射波过多。再有,根据图17可知,激光束冲孔孔洞12过剩(电阻值过大)的比较例4,传输衰减率Rtp较低。进而根据图18可知,激光束冲孔孔洞12、电阻值及透光率满足本发明的要件的实施例2,示出了较高的噪声吸收率Ploss/Pin。
本发明的近场电磁波吸收薄膜在金属薄膜上形成2个方向的激光束冲孔孔洞列,各列中的多个激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔而排列,激光束冲孔孔洞形成后残留下来的金属薄膜由被激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部和连结这些宽幅残留部的宽度窄的桥状残留部构成,再者具有50~300Ω/100cm2的电阻值及30~80%的透光率(波长为660nm的激光光线),因此不仅具有优异的电磁波吸收能,而且其各向异性也小。具有这种特征的本发明的近场电磁波吸收薄膜适于用作移动电话、智能电话、无线LAN等通信设备、或计算机等电子设备的噪声抑制片。
Claims (5)
1.一种近场电磁波吸收薄膜,其具有塑料薄膜、和设置在该塑料薄膜的一面的单层或多层的金属薄膜,
所述近场电磁波吸收薄膜的特征在于,
在所述金属薄膜的整面形成交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列,
在各激光束冲孔孔洞列,多个圆形的激光束冲孔孔洞以空出间隔而分离的状态排列,
2个方向的所述激光束冲孔孔洞列以45~90°的角度交叉,
在所述2个方向的激光束冲孔孔洞列的交叉部,一个方向的激光束冲孔孔洞列中的相邻的一个以上的激光束冲孔孔洞、和与所述一个方向的激光束冲孔孔洞列交叉的另一方向的激光束冲孔孔洞列中的相邻的一个以上的激光束冲孔孔洞重复,且形成包含3~8个激光束冲孔孔洞的分离的一体开口部,并且不存在未形成所述一体开口部而孤立的激光束冲孔孔洞,
所述分离的一体开口部形成后残留下的金属薄膜部分包括:被所述分离的一体开口部间隔开的宽幅残留部;和将相邻的所述宽幅残留部连结的桥状残留部,并且全部所述宽幅残留部经由所述桥状残留部而连结,
所述桥状残留部具有2~15μm的宽度,
再者,该近场电磁波吸收薄膜具有50~300Ω/100cm2的电阻值及30~80%的透光率,其中透光率针对波长为660nm的激光光线。
2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜,其特征在于,
所述激光束冲孔孔洞的直径为100μm以下。
3.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜,其特征在于,
相邻的所述激光束冲孔孔洞列的中心线间距离为所述激光束冲孔孔洞的直径的1.5~5倍。
4.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜,其特征在于,
所述金属薄膜的厚度为10~300nm。
5.根据权利要求1~4任一项所述的近场电磁波吸收薄膜,其特征在于,
所述金属薄膜由从铝、铜、银、锡、镍、钴及铬所构成的群中被选出的至少一种金属或者所述金属的合金构成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-036465 | 2016-02-26 | ||
JP2016036465A JP5973099B1 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 近傍界電磁波吸収フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107135635A CN107135635A (zh) | 2017-09-05 |
CN107135635B true CN107135635B (zh) | 2020-11-17 |
Family
ID=56706666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610821329.3A Expired - Fee Related CN107135635B (zh) | 2016-02-26 | 2016-09-13 | 近场电磁波吸收薄膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170251577A1 (zh) |
EP (1) | EP3211982B1 (zh) |
JP (1) | JP5973099B1 (zh) |
KR (1) | KR102482857B1 (zh) |
CN (1) | CN107135635B (zh) |
TW (1) | TWI744243B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2569536Y (zh) * | 2002-09-16 | 2003-08-27 | 侯邦为 | 电磁波阻隔膜 |
CN102046370A (zh) * | 2009-02-13 | 2011-05-04 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
CN103249290A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-14 | 电子科技大学 | 一种单层复合单元宽带周期吸波结构 |
CN103579776A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 具有改善斜入射性能的电磁吸波材料 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148782A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nippon Paint Co Ltd | 透明電磁波吸収シールド材 |
KR100939747B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 전자파 실드성 광투과 창재, 그 제조 방법 및 표시 패널 |
US7528342B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-05 | Laserfacturing, Inc. | Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser |
KR20080011699A (ko) * | 2005-06-02 | 2008-02-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 전자파 차폐 적층체 및 그 제조 방법 |
JP4361532B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2009-11-11 | Tdk株式会社 | フェライト部品 |
EP1993338A4 (en) * | 2006-03-09 | 2011-05-25 | Bridgestone Corp | PROCESS FOR MANUFACTURING TRANSLUCENT ELECTROMAGNETIC WAVE PROTECTION MATERIALS, TRANSLUCENT ELECTROMAGNETIC WAVE PROTECTIVE MATERIALS, AND DISPLAY FILTER |
TWM319852U (en) * | 2006-12-29 | 2007-10-01 | Amy Tseng | Flat glass apparatus for shielding electromagnetic waves |
JP2009094467A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Fujifilm Corp | 画像表示装置、モアレ抑止フイルム、光学フィルタ、プラズマディスプレイフィルタ、画像表示パネル |
SG178225A1 (en) * | 2009-08-03 | 2012-03-29 | 3M Innovative Properties Co | Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom |
TWI435205B (zh) * | 2011-05-12 | 2014-04-21 | Subtron Technology Co Ltd | 蓋板結構及其製作方法 |
JP2013084864A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Seiji Kagawa | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート |
CN103959927B (zh) * | 2011-11-30 | 2017-07-18 | 加川清二 | 复合电磁波吸收片 |
JP5881012B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2016-03-09 | 日立金属株式会社 | 磁性シート、コイル部品および磁性シートの製造方法 |
JP2014090162A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-05-15 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | カバーレイフィルムおよびフレキシブルプリント配線板 |
KR101980711B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2019-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 그래핀 전자파 차단판, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 전자기기 및 전자레인지의 도어 |
JP6077643B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-02-08 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 電磁波シールド板 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036465A patent/JP5973099B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-08-02 TW TW105124397A patent/TWI744243B/zh active
- 2016-08-02 EP EP16182393.5A patent/EP3211982B1/en active Active
- 2016-08-02 US US15/226,366 patent/US20170251577A1/en not_active Abandoned
- 2016-09-13 CN CN201610821329.3A patent/CN107135635B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2016-09-22 KR KR1020160121315A patent/KR102482857B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2569536Y (zh) * | 2002-09-16 | 2003-08-27 | 侯邦为 | 电磁波阻隔膜 |
CN102046370A (zh) * | 2009-02-13 | 2011-05-04 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
CN103249290A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-14 | 电子科技大学 | 一种单层复合单元宽带周期吸波结构 |
CN103579776A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 具有改善斜入射性能的电磁吸波材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI744243B (zh) | 2021-11-01 |
KR102482857B1 (ko) | 2022-12-29 |
JP2017152663A (ja) | 2017-08-31 |
KR20170101090A (ko) | 2017-09-05 |
CN107135635A (zh) | 2017-09-05 |
JP5973099B1 (ja) | 2016-08-23 |
US20170251577A1 (en) | 2017-08-31 |
EP3211982A1 (en) | 2017-08-30 |
EP3211982B1 (en) | 2020-09-30 |
TW201731372A (zh) | 2017-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107263936B (zh) | 近场电磁波吸收膜 | |
TWI613955B (zh) | 複合電磁波吸收薄片 | |
JP4685977B2 (ja) | 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム及びその製造装置 | |
US9526195B2 (en) | Ultrathin shielding film of high shielding effectiveness and manufacturing method thereof | |
TWI439224B (zh) | 電磁波吸收膜及使用此電磁波吸收膜之電磁波吸收體 | |
US9326433B2 (en) | Composite electromagnetic-wave-absorbing film | |
US8952273B2 (en) | Near-field noise suppression sheet | |
US20210059085A1 (en) | Electromagnetic wave absorber, article with electromagnetic wave absorber, and method for manufacturing electromagnetic wave absorber | |
KR102677227B1 (ko) | λ/4 형 전파 흡수체 | |
JP2018198254A (ja) | 電磁波吸収フィルタ | |
JP5214541B2 (ja) | 可視光透過性電磁波吸収フィルム及びそれを用いた可視光透過性電磁波吸収体 | |
JP2013084864A (ja) | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート | |
CN107135635B (zh) | 近场电磁波吸收薄膜 | |
EP4441844A1 (en) | Surface wave suppression on antenna devices for an automotive radar antenna system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20201117 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |