JP6077643B2 - 電磁波シールド板 - Google Patents

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Description

本発明は、主にディスプレイの前面に設置し、電磁波のディスプレイへの侵入またはディスプレイから外部への放射を防止するための電磁波シールド板(電磁波シールドウィンドウ)に関する。
PDP(プラズマディスプレイパネル)、CRT(陰極線管)、VFD(蛍光表示管)、LCD(液晶ディスプレイ)などのディスプレイでは、その前面に板状やフィルム状の電磁波シールド部材が設置されている。電磁波シールド部材により、ディスプレイから発生する電磁波が外部に漏洩することを防止し、また、ディスプレイ外部からのノイズアタックによる誤作動などを防止している。このような電磁波シールド部材には、電磁波遮断(シールド)特性に加えて、ディスプレイの視認特性を確保するために高い透光性が要求される。透光性の電磁波シールド部材としては、透明導電性薄膜を基体全体に配置したものがあるが、優れたシールド特性と透光性を両立させることは困難であった。これを解決するため、金属の繊維をメッシュ状に編んだものをフィルム、ガラス、高分子基材に貼りつけたものが提案された。しかし、金属繊維の編み物はよじれが発生しやすく、ディスプレイと合わせるとモアレパタンの発生などがあり、視認特性が劣る場合があった。
従来、視認特性などを改善するために種々の提案がなされている。例えば、基板上に黒色顔料と軟化温度が550℃以下のガラス成分を含有する黒色層、および、銀(以下、Agと記す)、アルミニウム(以下、Alと記す)などの金属を含有する金属層を所定の製造方法により形成したものが提案されている(特許文献1参照)。また、透明高分子フィルム上に、真空プロセスで黒色層と、Ag、銅(以下、Cuと記す)、Alなどの導電性金属層を形成し、その後に湿式法でエッチングして所定の開口率の光透過部分を形成した電磁波シールドフィルムが提案されている(特許文献2参照)。その他、Alメッシュが積層された電磁波シールド部材において、メッシュ形成時のエッチングパタンの精度確保のために、表層のAl酸化被膜の厚みをコントロール(0−13Å)して開口部面積のばらつきをコントロールする技術が提案されている(特許文献3参照)。
特開2005−340617号公報 特開2000−200994号公報 特開2010−87119号公報
特許文献1では、その製造方法として、ガラス基板上に黒色顔料とガラス成分を含有する黒色層および金属層を塗布し、感光性工程でパタニングし、350〜500℃で焼成を行なっている。この焼成を行う際に金属層が酸化してしまい抵抗値が上昇することにより、シールド特性が低下するおそれがある。金属層として、Agなどの貴金属を使用すれば酸化は抑えられるものの、高価であり製品コストが高くなる。また、特許文献2では、基材に高分子フィルムを用いるため、ガラスと比較して光の透過率が悪く、着色する等のおそれもある。また、特許文献3のように、Al酸化被膜の厚みを0−13Åの薄膜に制御するには、高度な生産技術を要し、実用的ではない。
基材として、高分子フィルムの代わりにガラスを用いれば、透明で透過率も高い。特にガラスとして、住宅用建材等としても使用されているソーダライムガラスが採用できれば、非常に安価に電磁波シールド板を製造できる。しかし、ソーダライムガラス中のNaは、空気中の水分と反応してNaOHができ、一部ガラスを溶解して、配線のAl等とガラス中のCaとが反応しガラス表面を徐々に拡散していき、ガラスの曇りを発生させ、外観を著しく損ねるという問題がある。このため、ソーダライムガラスを採用しつつ、高い耐環境性を有することも望まれる。
また、導電性金属層に用いる金属として、Cuは耐蝕性に劣るため使用分野が制限される。また、Agは上述のとおり高価である。これらに対してAlは、耐食性に優れ、ガラスとの熱膨張係数のマッチングも高分子フィルムより優れる。しかし、Alの可視光反射率が高いため、電磁波シールド板の反射率が上がってしまい、ディスプレイの視認特性が劣るという問題がある。このような問題に対し、特許文献2では、Cu、コバルト(以下、Coと記す)、クロム(以下、Crと記す)、モリブデン(以下、Moと記す)、チタン(以下、Tiと記す)などの酸化物(酸化物を構成する金属の単体を含む場合がある)を材料とした黒色層を形成して反射率の低減を図っているが、基材としてガラスを用いる場合には、これらの酸化物(および金属)では良好な黒色膜が得られない。
本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、安価でありながら、優れたシールド特性とディスプレイの視認特性を両立でき、必要に応じて高い耐環境性も付与し得る電磁波シールド板を提供することを目的とする。
本発明の電磁波シールド板は、ガラス基板上に、中間層を形成し、その上にAlからなる導電層を形成してなる電磁波シールド板であって、上記中間層および上記導電層は、スパッタリングまたは真空蒸着で形成された後に湿式エッチングにより開口部が形成されており、上記中間層が、Cr、Mo、およびタングステン(以下、Wと記す)から選ばれる少なくとも1つの金属と、珪素(以下、Siと記す)の酸化物、Alの酸化物、およびTiの酸化物から選ばれる少なくとも1つの酸化物との混合物からなることを特徴とする。
上記ガラス基板がソーダライムガラス基板であり、上記開口部の形成後の上記中間層および上記導電層を含むガラス面全体に、インジウム錫オキサイド(以下、ITOと記す)の層が形成されていることを特徴とする。
上記中間層が、Moと、Alの酸化物との混合物、または、Wと、Siの酸化物との混合物からなることを特徴とする。特に、上記中間層が、Moと、Alの酸化物との混合物であり、該混合物の全量に対するAlの酸化物の含有量が2〜16重量%であることを特徴とする。
上記中間層の層厚が5nm〜500nmであり、上記導電層の層厚が500nm〜5000nmであることを特徴とする。
上記電磁波シールド板は、温度60℃で相対湿度95%の条件下に放置して1000時間経過後においてガラス面に曇りを生じないことを特徴とする。
本発明の電磁波シールド板は、ガラス基板上に、中間層を形成し、その上にAlからなる導電層を形成してなり、中間層および導電層は、スパッタリングまたは真空蒸着で形成された後に湿式エッチングにより開口部が形成され、中間層が、Cr、Mo、およびWから選ばれる少なくとも1つの金属と、Siの酸化物、Alの酸化物、およびTiの酸化物から選ばれる少なくとも1つの酸化物との混合物からなる。特に、ガラス基板の採用により透過率が高く、所定組成の中間層の形成により、Al導電層を採用しながらも可視光の反射率を大幅に低減させることができる。この結果、優れたシールド特性とディスプレイの視認特性を両立できる。
また、ガラス基板としてソーダライムガラス基板を採用し、開口部の形成後の中間層および導電層を含むガラス面全体にITOの層を形成することで、ソーダライムガラス面が直接大気中の水蒸気に接触することがない。このため、材料原価を安価としながら、高い耐環境性を有し、高温高湿環境下などにおいても、ガラスの曇りの発生を防止できる。
本発明の電磁波シールド板の一例を示す模式的な断面図である。 導電層形成面の拡大図である。 本発明の電磁波シールド板の他の例を示す模式的な断面図である。 中間層の有無が反射率の分光特性に与える影響を示す図である。 中間層の混合物組成比が反射率に与える影響を示す図である。 高温高湿試験後のガラス表面の電子顕微鏡写真を示す図である。
本発明の電磁波シールド板の一例を図1および図2に基づいて説明する。図1は、電磁波シールド板の一例を示す模式断面図であり、各層の厚みは説明のために実際よりも誇張して厚く記載している。また、図2は、導電層形成面の拡大図である。図1に示すように、この形態の電磁波シールド板1は、ガラス基板2の上に、中間層3を形成し、その上にAlからなる導電層4を形成している。中間層3および導電層4は、スパッタリングまたは真空蒸着で形成された後に湿式エッチングにより開口部5が形成されている。
ガラス基板2は、透光性絶縁基板であり、ソーダライムガラス、石英ガラス、硼珪酸ガラス、アルカリ成分を含まない無アルカリガラスなどを採用できる。本発明では、高い透過率を有し、かつ、一般建材の窓ガラスに使用され非常に安価であることから、ソーダライムガラスを用いることが好ましい。 また、ガラス基板2の厚みは、0.2〜1.8mm程度、好ましくは0.5〜1.2mm程度である。
中間層3は、(1)Cr、Mo、Wから選ばれる少なくとも1つの金属と、(2)Siの酸化物、Alの酸化物、Tiの酸化物から選ばれる少なくとも1つの酸化物との混合物からなる層である。Siの酸化物としてはSiOが、Tiの酸化物としてはTiOが、Alの酸化物としてはAlが、それぞれ挙げられる。この中間層3は、上記の混合物の固体ターゲット(蒸着材)を用いて、真空プロセスである、真空蒸着またはスパッタリングによりガラス基板2の表面に形成される。特に、均一な膜の形成が可能であり、安定的なシールド特性および視認特性を確保しやすいことから、スパッタリングによる成膜を行なうことが好ましい。スパッタリングは、上記固体ターゲットに加速したアルゴンイオンを衝突させて、ターゲット表面から飛び出した原子または分子をガラス基板上に付着して成膜する。
上記中間層は、可視光の干渉により入射光を吸収して黒色に見える層(黒色層)である。Al導電層は、可視光(波長約400〜700nm)の反射率が極めて高く、ギラツキを生じやすいため、ガラス基板上にAl導電層のみを形成する場合では、ディスプレイの視認特性を著しく低下させる。本発明では、上記中間層を、ガラス基板とAl導電層との間に介在させることで、可視光の反射率を低減させている。
上記中間層の有無による反射率の分光特性の一例を図4に示す。図4において、「中間層あり」は、ソーダライムガラス基板(0.7mm)に、MoとAlとの混合物(Alが10重量%含まれる)のターゲットを用いてスパッタリングで中間層(100nm)を形成し、その上に、純度99%のAl導電層(1000nm)をスパッタリングで形成したものである。また、「中間層なし」は、上記構成において、中間層を形成せずにAl導電層(1000nm)のみを形成したものである。図4に示すように、中間層なしの場合は、ガラス基板よりも大幅に反射率を高めてしまい、視認特性を悪くしてしまう。これに対して、上記中間層を設けることで、ガラス基板単体より寧ろ反射率が低くなり良好なことが分かる。また、全波長に対して分光特性がほぼフラットであり着色もないことが分かる。
また、中間層の混合物組成比は、反射率等に影響を与える。よって、所望の組成比の膜を形成するために、成膜時には、金属と酸化物のそれぞれを予め所望の組成比で略均一に混合した混合物の状態の固体ターゲットを用いることが好ましい。本発明では、中間層において、酸化物を構成する金属種と、金属単体の金属種とが異なるため、金属単体の固体ターゲットを用い、アルゴンと酸素の混合ガスを用いるような方法では上記組成の膜は成膜できない。
中間層の混合物組成比としては、混合物の全量(金属単体+酸化物)に対する酸化物の含有量が2〜16重量%であることが好ましい。酸化物の含有量が2重量%未満の場合、金属光沢が出始めて反射率の低減が図れないおそれがある。一方、酸化物の含有量が16重量%をこえる場合、白濁が出始めて反射率の低減が図れないおそれがある。
中間層の混合物組成比の影響の一例を図5に示す。図5は、ソーダライムガラス基板(0.7mm)に、MoとAlとの混合物のターゲットを用いてスパッタリングで中間層(100nm)を形成し、その上に、純度99%のAl導電層(1000nm)をスパッタリングで形成したものであり、上記混合物におけるAlの量(重量%)を変化させた際の可視光(波長500nm)の反射率の変化を測定したものである。混合物組成比には最適範囲があり、中間層にMoとAlとの混合物を用いる場合、図5に示すように、Alの含有量が2〜16重量%が好ましく、5〜15重量%がより好ましく、8〜12重量%が特に好ましい。
中間層の膜厚は、5nm〜500nmが適当である。5nm未満であると、十分な黒色化が図れず、反射率の低減を図れない場合がある。一方、500nmをこえると、可視光の干渉効果による反射光低減効果が得られないおそれがある。より好ましくは50nm〜200nmである。なお、膜厚は、中間層材料の屈折率に応じて各材料ごとに決められる。
導電層4は、上記中間層3の上(ガラス基板接触側の反対側)に形成されるAlからなる層である。導電層4は、中間層3と同様に、Alの固体ターゲット(蒸着材)を用いて、真空プロセスである、真空蒸着またはスパッタリングにより形成される。導電層の膜厚は、500nm〜5000nmが適当である。500nm未満であると、所望のシールド特性を確保できない場合がある。一方、5000nmをこえると、シールド特性には優れるものの、工数が増えて製造コストが高くなる。より好ましくは800nm〜3500nmである。
図1および図2に示す、中間層3および導電層4の開口部5は、湿式エッチングにより形成される。一例として、エッチングパタンのマスク層をレジスト材料を用いてスクリーン印刷などにより形成し、所定のエッチング液を用いて湿式エッチングにより開口部に相当する部分を除去することで得られる。エッチング液としては、中間層と導電層の両材料を同時にエッチングできる液を選択すると製造効率に優れる。例えば、りん酸系エッチング液が好適である。図2では、開口部5の形状、すなわちエッチングパタンを格子状としているが、これに限定されるものではない。格子状とする場合、通常、線幅Wとして5〜50μm、線ピッチPとして50〜500μmが選ばれる。開口率を小さくすればシールド特性は向上するが、ディスプレイの透過率が悪くなるので、要求特性に応じて開口率は決められる。
本発明の電磁波シールド板の他の例を図3に基づいて説明する。図3は、電磁波シールド板の他の例を示す模式断面図であり、図1と同様に、各層の厚みは説明のために実際よりも誇張して厚く記載している。図3に示すように、この形態の電磁波シールド板1は、ソーダライムガラスからなるガラス基板2の上に、中間層3を形成し、その上にAlからなる導電層4を形成し、中間層3および導電層4には、これらがスパッタリングまたは真空蒸着で形成された後に湿式エッチングにより開口部5が形成されている。この形態では、さらに、開口部5の形成後の中間層3および導電層4を含むガラス面に、ITO層6が形成されている。なお、ITO層は、ガラス基板において少なくとも導電層等が形成された面(図3参照)に形成されていればよく、それ以外の面に更に形成してもよい。
ITO層6は、中間層3および導電層4と同様に、真空プロセスである、真空蒸着またはスパッタリングにより形成される。ITOは、In:SnO=95:5(重量%)の混合物であるが、特に組成は限定されず使用できる。ITO層の膜厚は、5nm〜500nmが適当である。5nm未満であると、耐環境性を十分に確保できないおそれがある。500nmをこえると、ITOの着色層により透過率が低下してしまうおそれがある。
ITO層をコーティングすることにより、ソーダライムガラス面が直接大気中の水蒸気に接触することがなく、ソーダガラス中のNaのNaOH化が起こらない。また、Al導電層+中間層の前面がITO層で覆われているため、Alと硝子中のCaとNaOHの反応が起こらない。これらの結果、ガラスの曇りの発生を防止できる。これは、60℃、相対湿度95%の高温高湿試験を行うことで顕著に効果が確認できる。図6に、60℃、相対湿度95%で1000時間試験後のガラス表面の電子顕微鏡写真を示す。図6の上図がITO層なしの場合(後述の実施例1に該当)、下図がITO層ありの場合(後述の実施例2に該当)である。図6に示すように、ITO層がない場合、ガラス表面が大きく曇っているが、ITO層を設けたものは、ほとんど変化がなく良好である。また、ITO層がないものでは、中間層のMoの一部が、開口部部分に移動して結晶化していることが確認された。
本発明の電磁波シールド板は、主に、PDP、CRT、VFD、LCDなどのディスプレイの前面に配置するシールドウィンドウとして利用するものである。
[実施例1]
厚さ0.7mmのソーダライムガラス基板に、MoとAlとの混合物(Alが10重量%含まれる)のターゲットを用いてスパッタリングで中間層を形成した。中間層の膜厚は100nmとした。次に、純度99%のAl導電層をスパッタリングで形成した。導電層の膜厚は1000nmとした。その後、線幅10μm、線ピッチ300μmで格子状パタンをりん酸系エッチング液を用いて湿式同時エッチングにより形成した。開口率は93%であった。
[実施例2]
実施例1のパタン形成面の全面にITO層をスパッタリングで形成した。ITO層の膜厚は100nmとした。
[実施例3]
厚さ0.7mmのソーダライムガラス基板に、WとSiOとの混合物(SiOが10重量%含まれる)のターゲットを用いてスパッタリングで中間層を形成した。中間層の膜厚は150nmとした。次に、純度99%のAl導電層をスパッタリングで形成した。導電層の膜厚は3000nmとした。その後、線幅10μm、線ピッチ100μmで格子状パタンをりん酸系エッチング液を用いて湿式同時エッチングにより形成した。開口率は74%であった。さらに、このパタン形成面の全面にITO層をスパッタリングで形成した。ITO層の膜厚は100nmとした。
[比較例1]
厚さ0.7mmのソーダライムガラス基板に、純度99%のAl導電層をスパッタリングで形成した。導電層の膜厚は1000nmとした。その後、線幅10μm、線ピッチ300μmで格子状パタンをりん酸系エッチング液を用いて湿式同時エッチングにより形成した。開口率は93%であった。
実施例1〜3および比較例1のサンプルについて、シールド特性をKEC法で測定し、代表的な周波数として30MHzでのシールド特性を表1に示した。また可視光(500nm)の反射率を測定し、中間層の効果を確認した。さらに、ITO層の効果を確認するために、温度60℃で相対湿度95%の条件下で1000時間放置する高温高湿試験を行い、ガラス面の曇りの発生の有無を目視で確認した。これらの結果を表1に併記する。
Figure 0006077643
表1に示すように、各実施例は、可視光の反射率が小さく視認特性に優れ、かつ、シールド特性に優れることが分かる。特に、ITO層を形成した実施例2および実施例3では、高温高湿試験でもガラス面に曇りの発生が認められず、耐環境性にも優れることが分かる。
次に、本発明の電磁波シールド板と、従来より使用されている高分子フィルムに金属Cu箔を接着してエッチングでパタン化したシールド部材との比較を行った。
[比較例2]
基材としてポリカーボネートを使用し、15μmのCu箔を貼りつけ、エッチングで線幅10μm、線ピッチ300μmを形成して、シールド部材を得た。この比較例2および実施例1について、シールド部材に必要とされる、透過率、反射率、シールド特性の各数値を以下の表2に示す。なお、表中の「基材」は基材のみを、「製品」は導電層等を形成したものを、それぞれ評価した。
Figure 0006077643
表2に示すとおり、実施例1は比較例2と比較してガラスの透過率が優れるため製品透過率も良好である。また、実施例1は、中間層の効果で可視光の反射率も小さく、シールド特性は従来同等であった。さらに、実施例1はガラスであるため、カールする、折れ曲がる等がなく、比較例2に対して取扱い性に優れる。
本発明の電磁波シールド板は、安価であり、優れたシールド特性とディスプレイの視認特性を両立でき、必要に応じて高い耐環境性も付与し得るので、電磁波の遮断を必要とする任意の箇所に使用でき、特に、PDP、CRT、VFD、LCDなどのディスプレイの前面に設置する用途に好適に利用できる。
1 電磁波シールド板
2 ガラス基板
3 中間層
4 導電層
5 開口部
6 ITO層

Claims (6)

  1. ガラス基板上に、中間層を形成し、その上にアルミニウムからなる導電層を形成してなる電磁波シールド板であって、
    前記中間層および前記導電層は、スパッタリングまたは真空蒸着で形成された後に湿式エッチングにより開口部が形成されており、
    前記中間層が、クロム、モリブデン、およびタングステンから選ばれる少なくとも1つの金属と、珪素の酸化物、およびアルミニウムの酸化物から選ばれる少なくとも1つの酸化物との混合物からなることを特徴とする電磁波シールド板。
  2. 前記ガラス基板がソーダライムガラス基板であり、前記開口部の形成後の前記中間層および前記導電層を含むガラス面全体に、インジウム錫オキサイドの層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の電磁波シールド板。
  3. 前記中間層が、モリブデンと、アルミニウムの酸化物との混合物、または、タングステンと、珪素の酸化物との混合物からなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電磁波シールド板。
  4. 前記中間層が、モリブデンと、アルミニウムの酸化物との混合物であり、該混合物の全量に対する前記アルミニウムの酸化物の含有量が2〜16重量%であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電磁波シールド板。
  5. 前記中間層の層厚が5nm〜500nmであり、前記導電層の層厚が500nm〜5000nmであることを特徴とする請求項1記載の電磁波シールド板。
  6. 前記電磁波シールド板は、温度60℃で相対湿度95%の条件下に放置して1000時間経過後においてガラス面に曇りを生じないことを特徴とする請求項2記載の電磁波シールド板。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5973099B1 (ja) * 2016-02-26 2016-08-23 加川 清二 近傍界電磁波吸収フィルム
JP6027281B1 (ja) * 2016-04-01 2016-11-16 加川 清二 近傍界電磁波吸収フィルム
CN110818279B (zh) * 2019-11-12 2022-04-01 北京环境特性研究所 一种基于数字表面的电磁隐身玻璃
CN111018363A (zh) * 2020-01-17 2020-04-17 中国电子科技集团公司第三十三研究所 一种提高电磁屏蔽效能的ito薄膜玻璃及制备方法
US11632884B2 (en) * 2021-05-31 2023-04-18 Nano And Advanced Materials Institute Limited Transparent EMI shielding film and production method for the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323892A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Mitsui Chemicals Inc 積層体およびそれを用いた電磁波シールド
JP2001127485A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Nisshinbo Ind Inc 透視性電磁波シールド材及びその製造方法
JP2003336166A (ja) * 2002-05-10 2003-11-28 Konica Minolta Holdings Inc 機能性繊維およびその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3955023A (en) * 1974-11-01 1976-05-04 Texas Instruments Incorporated Black dielectric mask on white substrate
JPH0719994B2 (ja) 1987-12-25 1995-03-06 旭硝子株式会社 電磁波遮蔽透明板
EP0322720A3 (en) 1987-12-25 1990-01-17 Asahi Glass Company Ltd. Electromagnetic wave shielding transparent body
WO1997032458A1 (fr) * 1996-02-29 1997-09-04 Nissha Printing Co., Ltd. Materiau ecran electromagnetique transparent a la lumiere et procede pour le realiser
JPH1146086A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電磁波シールド膜
KR100335346B1 (ko) 1997-11-11 2002-06-20 이사오 우치가사키 전자파차폐성접착필름,이필름을채용한전자파차폐성어셈블리및표시소자
JP2000200994A (ja) 1999-01-07 2000-07-18 Mitsui Chemicals Inc 積層体およびそれを用いた電磁波シ―ルド
JP2000294980A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透光性電磁波フィルタおよびその製造方法
KR100521911B1 (ko) 2001-07-09 2005-10-13 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자파 차폐용 부재 및 그 제조방법
JP2003036166A (ja) 2001-07-23 2003-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd Pn符号列の位相シフト方法および位相シフト装置
WO2003045126A1 (fr) * 2001-11-20 2003-05-30 Bridgestone Corporation Materiau de fenetre transmettant la lumiere et protegeant contre les ondes electromagnetiques et procede de production de ce materiau
JP2005340617A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Toray Ind Inc 電磁波シールド基板およびその製造方法
JP2006252886A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Bridgestone Corp 低反射性導電膜、電磁波シールド膜及び電磁波シールド性光透過窓材
JP4699123B2 (ja) 2005-07-15 2011-06-08 大日本印刷株式会社 電磁波シールドフィルタ、その製造方法、およびこの電磁波シールドフィルタを具備するディスプレイならびに電磁波シールド構成体
JP2008139839A (ja) * 2006-11-02 2008-06-19 Bridgestone Corp ディスプレイ用光学フィルタ、これを備えたディスプレイ及びプラズマディスプレイパネル
JP5133978B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 旭硝子株式会社 導電体の製造方法
JP2010087119A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波シールド部材
JP5691331B2 (ja) 2010-09-15 2015-04-01 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体の製造方法
JP6183628B2 (ja) * 2012-08-31 2017-08-23 エルジー・ケム・リミテッド ディスプレイ基板のベゼルおよびこの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323892A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Mitsui Chemicals Inc 積層体およびそれを用いた電磁波シールド
JP2001127485A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Nisshinbo Ind Inc 透視性電磁波シールド材及びその製造方法
JP2003336166A (ja) * 2002-05-10 2003-11-28 Konica Minolta Holdings Inc 機能性繊維およびその製造方法

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