CN111018363A - 一种提高电磁屏蔽效能的ito薄膜玻璃及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及ITO薄膜领域，具体涉及一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法。包括基体玻璃与ITO‑Ag复合膜，所述ITO‑Ag复合膜分别镀于所述基体玻璃的两侧，且每侧ITO‑Ag复合膜均至少镀制一层。本发明一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法包括：S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO‑Ag复合膜；S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。本发明采用技术成熟的制备工艺，其可靠性高、可批量生产，可任意裁切，非常适用于ITO薄膜在电磁屏蔽领域的应用。

Description

一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法
技术领域
本发明涉及ITO薄膜领域，具体涉及一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法。
背景技术
综合显示控制系统是作战系统最主要的人机接口，包含有主调度显示器、多功能显示器等，承担了雷达数字显示、通信导航识别、红外搜索跟踪、数字地图、战场态势、图像显示控制等复杂任务，显示区域更大、更直观，实时响应精准感知的交互式人机接口对电磁干扰更加敏感。而光电探测系统融合了红外和合成孔径雷达图像，有极高的灵敏度、目标识别、红外搜索与跟踪能力，在光谱信息的获取和传输过程中极易受到外界的电磁干扰而出现严重错误。电磁波段的屏蔽主要采用传输线理论，利用薄膜材料的导电性能，可很好地实现电磁波段的屏蔽，传统ITO作为连续导电氧化物，具备优异的透光性能及导电性能，在广泛应用于电磁屏蔽领域。
但随着高功率微波武器、核脉冲武器等功率的增大，提出了对透明电磁防护材料更强的超宽带电磁防护和超高透光多功能兼容的超宽谱透明电磁防护材料的长期而急迫需求。传统ITO薄膜材料因屏蔽效能低（～25dB）,无法满足光电窗口屏蔽效能的需求。
因此有必要提出一种新的ITO薄膜屏蔽玻璃的制备工艺。
发明内容
为了解决上述不足，本发明提供了一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法，主要通过制备一层ITO-Ag复合薄膜，增加电磁波的吸收损耗，从而使镀膜玻璃的电磁屏蔽效能得到明显提高。本发明采用的技术方案如下：
一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，包括基体玻璃与ITO-Ag复合膜，所述ITO-Ag复合膜分别镀于所述基体玻璃的两侧，且每侧ITO-Ag复合膜均至少镀制一层。
优选地，所述玻璃基材可以为浮法玻璃、K9玻璃与石英玻璃中的任意一种。
一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；
S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；
S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO-Ag复合膜；
S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；
S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。
所述S1中，浮法玻璃的厚度为3.0mm，长度范围为50mm～500mm，宽度范围为50mm～400mm。
所述S2中，ITO靶材的纯度为99.99%，长度范围为50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。
所述S2中，Ag靶材的纯度为99.999%，长度范围在50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。
所述S3中，磁控溅射沉积温度设置在60℃，为保证膜层的均匀性及沉积的效率，溅射功率设置为1.5KW，通入的氧气为0.6sccm，小车速率60mm/min。
所述S3中，在浮法玻璃两侧连续周期制备ITO-Ag复合膜，总厚度控制小于400nm。
所述S4中，退火温度设置在300℃，退火时间设置在0.5h。
所述S5的具体步骤为：采用异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切，再打磨清洗，尺寸精度精确到0.1mm，工艺要求无毛刺，无裂口。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1、本发明采用了磁控溅射沉积技术制备低电阻ITO-Ag薄膜结构替代传统ITO薄膜，且所述的低电阻ITO-Ag屏蔽薄膜采用了周期薄膜结构替代传统ITO薄膜，可实现自动化连续生产，加工简单快捷，产品一致性好。
2、本发明所制备的ITO薄膜，其总透光率基本不下降，但电磁波段屏蔽效能相较于单层ITO薄膜显著提升，在300MHz～18GHz波段电磁屏蔽效能达到45dB，对于ITO薄膜的应用具有重大意义，特别是军用综合航电系统在显示中的应用越来越广泛。
综上，本发明采用技术成熟的制备工艺，其可靠性高、可批量生产，可任意裁切，非常适用于ITO薄膜在电磁屏蔽领域的应用，可以满足光学窗口高透光、高屏效、高可靠的需要。
附图说明
图1为本发明产品结构示意图；
图中：1为基体玻璃，2为ITO-Ag复合膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，本发明提供了一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，包括基体玻璃2与ITO-Ag复合膜2，所述ITO-Ag复合膜2分别镀于所述基体玻璃1的两侧，且每侧ITO-Ag复合膜2均至少镀制一层，所述玻璃基材1可以为浮法玻璃、K9玻璃与石英玻璃中的任意一种。本发明还提供了一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，以具体实施例为例，本发明的具体方法为：
实施例Ⅰ
本实施例的材料组成如下：
1）浮法玻璃：该玻璃主要由二氧化硅组成，厚度3mm；
2）ITO靶材：纯度99.99%，尺寸大小610mm×128mm×6mm；
3）Ag靶材：纯度99.999%，尺寸大小610mm×128mm×6mm；
本实施例的结构尺寸如下：
1）浮法玻璃尺寸：500mm×400mm×3mm：
其中导线部分长600mm，引出部分长45mm，末端增强部分长5mm；
2）ITO、Ag薄膜总厚度400nm：
其中ITO单侧膜层厚度为400nm，采用一下工艺参数在浮法玻璃制备低电阻薄膜；
本实施例的工艺如下：
（1）采用磁控溅射沉积技术，将500mm×400mm的浮法玻璃清洗烘干，放入洁净间备用，磁控溅射启动按照《SIV-500RD多靶磁控溅射系统操作规程》由进行操作，首先打开总电源，开启循环水系统，开启空气压缩机，开启加热电源，开启控制柜面板，开启RF电源和DC电源，检查所有传感器指示无误，无报警，开始抽真空，并随时注意真空度变化；工作状态稳定，真空度达到1.3×10-3Pa及以下时（一般需24小时后），溅射温度稳定在60℃，才可以安装玻璃原片。操作人员戴一次性乳胶手套，轻轻开启装片舱门，将1片玻璃原片安装于舱内小车夹具上，四周锁好，关闭舱门；按ITO、Ag薄膜程序工艺参数（见表1、表2）设置控制面板参数和控制程序，仔细检查无误后，启动溅射程序，进行磁控溅射。
表1 ITO薄膜程序工艺参数
Figure DEST_PATH_IMAGE002
表2 Ag薄膜程序工艺参数
Figure DEST_PATH_IMAGE004
程序结束后，报警器变黄色，可以打开装片舱门，由于舱体内有氮气，应注意不要一下开门太大；卸下镀好的玻璃。镀膜完成后将玻璃，用柔软的保护膜隔开。
将制备好的出样放在真空退火炉中，利用机械泵将真空退火炉中的压强抽至1.0×10^1Pa以下，然后将温度设置为300℃，从室温升至300℃时间为三分钟，保温0.5小时，然后十分钟温度下降至室温。
最后用异型裁切机将镀膜玻璃裁切成成品结构，尺寸精确到0.1mm。
实施例Ⅱ
与实施例1不同之处在于：
本实施例的结构尺寸中浮法玻璃总厚度为2.0mm，宽度为300mm，长度为300mm。
本发明涉及的原理为：
本发明一方面采用ITO作为电磁屏蔽主体，采用浮法玻璃作为ITO薄膜的支撑体；并利用导电性能优异的金属Ag作为载流子传导层，增加薄膜整体的导电性能，利用一维光子带隙结构，增加薄膜材料的传输损耗，将ITO与金属Ag有序复配，在浮法玻璃表面利用多靶磁控溅射沉积技术对其ITO、Ag薄膜进行低电阻制备，并采用高温退火工艺对薄膜进行热处理，可以有效的降低薄膜的方块电阻，在基本不降低透光率的同时显著的提高了ITO基薄膜材料的导电性能，大幅提高了ITO薄膜的电磁屏蔽效能，突破了一般ITO薄膜屏蔽效能的不足，为薄膜在高透光高电磁屏蔽领域提供了一种新方法。
上面仅对本发明的较佳实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化，各种变化均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，其特征在于：包括基体玻璃（1）与ITO-Ag复合膜（2），所述ITO-Ag复合膜（2）分别镀于所述基体玻璃（1）的两侧，且每侧ITO-Ag复合膜（2）均至少镀制一层。
2.一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基材（1）可以为浮法玻璃、K9玻璃与石英玻璃中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；
S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；
S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO-Ag复合膜；
S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；
S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。
4.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S1中，浮法玻璃的厚度为3.0mm，长度范围为50mm～500mm，宽度范围为50mm～400mm。
5.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S2中，ITO靶材的纯度为99.99%，长度范围为50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。
6.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S2中，Ag靶材的纯度为99.999%，长度范围在50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。
7.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S3中，磁控溅射沉积温度设置在60℃，为保证膜层的均匀性及沉积的效率，溅射功率设置为1.5KW，通入的氧气为0.6sccm，小车速率60mm/min。
8.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法：所述S3中，在浮法玻璃两侧连续周期制备ITO-Ag复合膜，总厚度控制小于400nm。
9.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S4中，退火温度设置在300℃，退火时间设置在0.5h。
10.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S5的具体步骤为：采用异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切，再打磨清洗，尺寸精度精确到0.1mm，工艺要求无毛刺，无裂口。
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