TW201313114A - 具有高放熱性之電磁波吸收薄膜 - Google Patents

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Abstract

一種電磁波吸收薄膜，係具有塑膠薄膜、及設於其至少一面之單層或多層的金屬薄膜，多數實質上平行且不連續的線狀痕係以不規則寬度及間隔朝多方向形成於金屬薄膜，且於金屬薄膜上形成有奈米碳管薄層。

Description

具有高放熱性之電磁波吸收薄膜
本發明係有關一種具有高電磁波吸收能力以及高放熱性之電磁波吸收薄膜。
行動電話、智慧型手機、無線LAN等通訊設備、或電腦等電子儀器係使用供防止電磁波洩漏及進入的電磁波吸收片。目前廣泛使用之電磁波吸收片係包含金屬片或金屬網，惟近來亦提出在塑膠片上形成金屬沉積膜的電磁波吸收片。例如日本特開平9-148782號係提出一種電磁波吸收片，係包含塑膠薄膜、與形成於其兩面的第一及第二鋁沉積膜，第一鋁沉積膜係蝕刻成非導通之線狀圖案，第二鋁沉積膜則蝕刻成網目狀之導通圖案。惟，日本特開平9-148782號之電磁波吸收片的線狀圖案及網目狀圖案均為規則性，因而無法有效吸收廣範圍頻率的電磁波，加之電磁波吸收能力的非等向性亦大。
日本特開平11-40980號提出一種於塑膠薄膜的一面依序形成銅沉積層及鎳沉積層而成的電磁波遮蔽材。惟日本特開平11-40980號之電磁波遮蔽材其電磁波吸收能力非但不充分，且其非等向性亦大。
WO2010/093027揭示一種電磁波吸收薄膜，係具有塑膠薄膜、及設於其至少一面之單層或多層的金屬薄膜，多數實質上平行且不連續的線狀痕係以不規則寬度及間隔朝多方向形成於該金屬薄膜。WO2010/093027之電磁波吸收薄膜藉由朝多方向形成的線狀痕，不僅具有 高電磁波吸收能力，其非等向性亦降低。然而，為解決日益嚴峻的電磁波雜訊問題，便冀望有一種具有更高電磁波吸收能力的電磁波吸收薄膜。更者，若為了以不規則寬度及間隔形成的線狀痕而縮小電磁波吸收薄膜的尺寸，則會發生電磁波雜訊變動的問題。
又隨著筆記型電腦、超輕薄筆電(ultrabook)、行動電話、智慧型手機等電子儀器及電子通訊儀器等的小型化，CPU、LSI等的電子零件亦高積體化，發熱量增大。此等電子儀器及電子通訊儀器由於係供攜帶，亦要求防水性，因此放熱便漸趨困難。
於此種情況下，日本特開2006-135118號提出一種電磁波吸收性熱放射片，係具有熱傳導率為0.7W/mK以上之電磁波吸收層、及直接或隔著其他至少一層設於該電磁波吸收層單面的遠紅外線放射層。電磁波吸收層係包含均勻分散有羰基鐵、電解鐵、Fe-Cr系合金、Fe-Si系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Al-Si系合金、Fe-Cr-Si系合金、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Si-Ni系合金、Fe-Si-Cr-Ni系合金等軟磁性金屬粉的矽氧樹脂、丙烯酸橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟橡膠、氯化聚乙烯等絕緣性高分子。此外，遠紅外線放射層則包含分散有氧化矽、氧化鋁、堇青石等紅外線放射性氧化物陶瓷的矽氧樹脂等。
然而，日本特開2006-135118號之電磁波吸收性熱放射片中，由於電磁波吸收層及遠紅外線放射層均為樹脂基底，存有所謂無法充分減薄的問題。例如實施例1中電磁波吸收層的厚度為0.1mm，遠紅外線放射層的厚度為80μm。
近來，熱傳導率高於鋁或銅的石墨片係逐漸作為熱擴散片使用。舉例而言，Kaneka股份有限公司之GRAPHINITY其熱傳導率為1500W/mK且厚度為25~40μm。惟，石墨片有所謂昂貴的缺點。
因此，本發明之目的在於提供一種對各種頻率的電磁波均等地具有良好的吸收能力，同時具有高熱擴散性(放熱性)，且能以低成本製造的薄型電磁波吸收薄膜。
鑒於上述目的而致力研究的結果，本發明人發現，若於電磁波吸收薄膜的金屬薄膜面形成奈米碳管薄層，則(a)可提升電磁波吸收能力，並且切成小片時仍可減少電磁波吸收能力的變動，且(b)可提高熱擴散性(放熱性)，而達成本發明；其中該電磁波吸收薄膜係在形成於塑膠薄膜的金屬薄膜上，以不規則寬度及間隔朝多方向形成多數實質上平行且不連續的線狀痕而成。
亦即，具有高放熱性之本發明之電磁波吸收薄膜其特徵為具有塑膠薄膜、及設於其至少一面之單層或多層的金屬薄膜，多數實質上平行且不連續的線狀痕係以不規則寬度及間隔朝多方向形成於該金屬薄膜，同時於該金屬薄膜上形成有奈米碳管薄層，該線狀痕的寬度係90%以上處於0.1~100μm之範圍內，平均為1~50μm，該線狀痕的側向間隔係處於1~500μm之範圍內，平均為1~200μm，且該奈米碳管具有2μm以上之平均長度。
該線狀痕係朝二方向配向，其交叉角較佳為30~90°。
較佳為，該金屬薄膜包含選自包括鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等之合金之群組的至少一種金屬。
該奈米碳管薄層的厚度若以塗布量(每單位面積之奈米碳管的質量)表示，較佳為0.01~0.5g/m2。
該奈米碳管較佳為多層奈米碳管。較佳為該奈米碳管具有3μm以上之平均長度。
較佳為，該奈米碳管薄層含有黏著劑樹脂。
較佳為，該奈米碳管薄層上熱層壓有塑膠薄膜。
本發明之電磁波吸收薄膜係於金屬薄膜上朝多方向形成有線狀痕，進而於其上形成有奈米碳管薄層，因此對各種頻率的電磁波具有優良吸收能力，電磁波吸收能力的非等向性低，且即使經切成小片，電磁波吸收能力的變動亦小。再者，本發明之電磁波吸收薄膜具有高於昂貴石墨片的熱擴散性(放熱性)。具有此種特徵之本發明之電磁波吸收薄膜係適合作為行動電話、智慧型手機、筆記型電腦、超輕薄筆電等電子通訊儀器、或筆記型電腦、超輕薄筆電等電子儀器的放熱性雜訊抑制片使用。
茲參照隨附圖式對本發明之實施形態詳細進行說明，惟只要未特別說明，一實施形態之相關說明亦適用於其他實施形態。且下述說明非為限定性，可於本發明之技術思想範圍內進行各種變更。
[1]電磁波吸收薄膜
本發明之電磁波吸收薄膜1係如第1(a)圖所示，具有於塑膠薄膜10的至少一面依序形成有單層或多層的金屬薄膜11、及奈米碳管薄層14的構造。第1(a)圖~第1(d)圖係表示實質上平行且不連續的多數線狀痕12朝二方向形成於金屬薄膜11的實例，其中該金屬薄膜11係形成於塑膠薄膜10的一面整體。
(1)塑膠薄膜
形成塑膠薄膜10之樹脂只要具有絕緣性以及充分的強度、可撓性及加工性則未特別限制，可例舉如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚硫化芳撐(聚苯硫等)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。由強度及成本觀點，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯。塑膠薄膜10的厚度宜為10~100μm左右。
(2)金屬薄膜
形成金屬薄膜11之金屬只要具有導電性則未特別限定，惟由耐蝕性及成本觀點，較佳為鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等之合金，尤佳為鋁、銅、鎳及此等之合金。金屬薄膜的厚度較佳為0.01μm以上。厚度的上限並未特別限定，實用上10μm左右即足夠。理當亦可使用大於10μm之金屬薄膜，惟高頻率的電磁波吸收能力幾無不同。金屬薄膜的厚度更佳為0.01~5μm，最佳為0.01~1μm。金屬薄膜11可利用沉積法(真空沉積法、濺鍍法、離子鍍法等物理沉積法、或電漿CVD法、熱CVD 法、光CVD法等化學氣相沉積法)、鍍敷法或箔接合法來形成。
若金屬薄膜11為單層時，由導電性、耐蝕性及成本觀點，較佳為金屬薄膜11包含鋁或鎳。又金屬薄膜11為多層時，可利用非磁性金屬形成任一者，並利用磁性金屬形成另一者。作為非磁性金屬可例舉鋁、銅、銀、錫或此等之合金，作為磁性金屬則可例舉鎳、鈷、鉻或此等之合金。磁性金屬薄膜的厚度較佳為0.01μm以上，非磁性金屬薄膜的厚度較佳為0.1μm以上。厚度的上限並未特別限定，惟實用上兩者皆宜為10μm左右。更佳為，磁性金屬薄膜的厚度為0.01~5μm，非磁性金屬薄膜的厚度為0.1~5μm。第1(e)圖及第1(f)圖係表示塑膠薄膜10上形成有二層金屬薄膜11a、11b之情況。
(3)線狀痕
如第1(b)圖及第1(c)圖所示，多數實質上平行且不連續的線狀痕12a、12b係以不規則寬度及間隔朝二方向形成於金屬薄膜11。再者，為了說明用，第1(c)圖中係誇示線狀痕12的深度。朝二方向配向的線狀痕12係具有各種寬度W及間隔I。如後述，線狀痕12係藉由具有隨機附著之硬質微粒(鑽石微粒)的圖案輥的滑動接觸(sliding contact，滑接)所形成，因此線狀痕的間隔I在側向及長度方向係相同。以下將對側向間隔I進行說明，惟其說明亦直接適用於長度方向間隔。線狀痕12的寬度W係以相當於線狀痕形成前之金屬薄膜11的表面S的高度求得，線狀痕12的間隔I則設為相當於線狀痕形成前 之金屬薄膜11的表面S的高度之線狀痕12的間隔。由於線狀痕12具有各種寬度W及間隔I，故本發明之電磁波吸收薄膜1可有效吸收廣範圍頻率的電磁波。
較佳為線狀痕12的寬度W的90%以上處於0.1~100μm之範圍內，更佳處於0.5~50μm之範圍內，最佳處於0.5~20μm之範圍內。線狀痕12的平均寬度Wav較佳為1~50μm，更佳為1~10μm，最佳為1~5μm。
較佳為線狀痕12的側向間隔I處於1~500μm之範圍內，更佳處於1~100μm之範圍內，最佳處於1~50μm之範圍內，特佳處於1~30μm之範圍內。又線狀痕12的側向平均間隔Iav較佳為1~200μm，更佳為5~50μm，最佳為5~30μm。
由於線狀痕12的長度L係根據滑接條件(主要為輥及薄膜的相對周速、及複合薄膜對輥的捲繞角度)來決定，只要不改變滑接條件則大部分大致相同(大致等於平均長度)。線狀痕12的長度並未特別限定，實用上宜為1~100mm左右，較佳為2~10mm。
線狀痕12a、12b之銳角側的交叉角(以下只要未特別說明，僅稱為「交叉角」)θs較佳為10~90°，更佳為30~90°。透過調整複合薄膜與圖案輥的滑接條件(滑接方向、周速比等)，如第2(a)圖~第2(c)圖所示可得到各種交叉角θs的線狀痕12。第2(a)圖係表示具有三方向之線狀痕12a、12b、12c的實例，第2(b)圖表示具有四方向之線狀痕12a、12b、12c、12d的實例，第2(c)圖則表示具有正交之線狀痕12a’、12b’的實例。
(4)細微孔
如第3(a)圖及第3(b)圖所示，於金屬薄膜11，除線狀痕12外亦可隨機設有多數微細貫通孔13。細微孔13可藉由將表面具有高硬度微粒的輥按壓於金屬薄膜11而形成。如第3(b)圖所示，細微孔13的開口徑D係以相當於線狀痕形成前之金屬薄膜11的表面S的高度求得。較佳為細微孔13的開口徑D的90%以上處於0.1~1000μm之範圍內，更佳處於0.1~500μm之範圍內。又較佳為細微孔13的平均開口徑Dav處於0.5~100μm之範圍內，更佳處於1~50μm之範圍內。
(5)奈米碳管薄層
於具有線狀痕12之金屬薄膜11上形成有奈米碳管薄層14。奈米碳管可為單層構造或多層構造。多層奈米碳管係具有約10~數10nm之外徑，不僅未凝聚而容易形成為均勻的薄層，且導電性亦優良而較佳。
塗布於具有線狀痕12之金屬薄膜11上的奈米碳管需具有2μm以上之平均長度。茲認為不僅奈米碳管深入金屬薄膜11的線狀痕12內而與金屬薄膜11導通，藉由奈米碳管彼此的接觸亦可導通。因此，茲認為若奈米碳管過短則未能充分導通，不僅電磁波吸收能力低，熱擴散性(放熱性)亦低。奈米碳管的平均長度可由塗布有奈米碳管的稀薄分散液之玻璃板的顯微鏡照片，利用影像處理而求得。奈米碳管的平均長度的上限並未特別限定，只要考量奈米碳管的分散性來決定即可。
由於奈米碳管係於Co，Ni，Fe等金屬觸媒存在下形成，因而殘留有未分離之觸媒。可知尤其當金屬薄膜11包含鋁時，透過鋁與殘留觸媒的反應會導致鋁遭腐蝕。因此，若於鋁薄膜11上塗布殘留有觸媒之奈米碳管的分散液時，電磁波吸收能力及熱擴散性(放熱性)會經時性地劣化。為加以防止，係以由奈米碳管去除金屬觸媒為佳。金屬觸媒的去除可藉由在奈米碳管的水性分散液中添加硝酸、鹽酸等酸來進行。
以奈米碳管的質量基準計，奈米碳管薄層14較佳具有0.01~0.5g/m2的厚度(塗布量)。奈米碳管薄層14若薄於0.01g/m2，電磁波吸收能力的提升及均等化效果不充分，而厚於0.5g/m2則難以防止奈米碳管的凝聚，以致奈米碳管薄層14不均勻。以奈米碳管的質量基準計，奈米碳管薄層14的厚度更佳為0.02~0.2g/m2，最佳為0.04~0.1g/m2。
為防止奈米碳管的脫落，奈米碳管薄層係以含有黏著劑樹脂為佳。作為黏著劑樹脂，可例舉乙基纖維素等纖維素類、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯隨機共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物等苯乙烯系聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯丁醛、聚丙烯碳酸酯、聚氯乙烯等。此等黏著劑樹脂可單獨或組合使用。黏著劑樹脂的含量並未特別限定，較佳處於例如0.01~10g/m2之範圍內。再者，除黏著劑樹脂外還可含有習知之分散劑。
由於線狀痕12及奈米碳管均具有無規的尺寸及分布，於微觀上係形成不均勻的電磁波吸收構造，惟藉由相異的無數個電磁波吸收構造的存在，於巨觀上可發揮均等的電磁波吸收能力。
(6)保護層
為保護奈米碳管薄層14，如第4圖所示，係以用塑膠保護層15覆蓋奈米碳管薄層14為佳。塑膠保護層15用之塑膠薄膜宜與作為基底之塑膠薄膜10相同。保護層15的厚度較佳為10~100μm左右。
[2]電磁波吸收薄膜的製造方法 (1)線狀痕的形成
第5(a)圖~第5(e)圖係表示朝二方向形成線狀痕之裝置的一例。該裝置係具有：(a)捲筒21，供捲出金屬薄膜-塑膠複合薄膜100；(b)第一圖案輥2a，以與複合薄膜100的寬度方向相異的方向配置於金屬薄膜11側；(c)第一壓輥3a，配置於第一圖案輥2a的上游側及金屬薄膜11的相反側；(d)第二圖案輥2b，配置於第一圖案輥2a相對於複合薄膜100的寬度方向之反向及金屬薄膜11側；(e)第二壓輥3b，配置於第二圖案輥2b的下游側及金屬薄膜11的相反側；(f)電阻測定手段4a，配置於第一及第二圖案輥2a、2b之間及金屬薄膜11側；(g)電阻測定手段4b，配置於第二圖案輥2b的下游側及金屬薄膜11側；以及(h)捲筒24，供捲繞附有線狀痕之金屬薄膜-塑膠複合薄膜1。其他，於既定位置處配置有多個導引輥22、23。各圖案輥2a、2b為防止撓曲，係由背托輥(例如橡膠輥)5a、5b支持。
如第5(c)圖所示，由於各壓輥3a、3b係於與各圖案輥2a、2b滑接之位置更低的位置與複合薄膜100相接，因此複合薄膜100的金屬薄膜11便按壓於各圖案輥2a、2b。藉由在滿足此條件下調整各壓輥3a、3b的縱向位置，便可調整各圖案輥2a、2b對金屬薄膜11的按壓力，並可調整與中心角θ1成正比的滑接距離。
第5(d)圖係表示線狀痕12a與複合薄膜100的行進方向呈傾斜地形成的原理。由於圖案輥2a與複合薄膜100的行進方向呈傾斜，圖案輥2a上之硬質微粒的移動方向(旋轉方向)a與複合薄膜100的行進方向b相異。因此如X所示，若於任意時點使圖案輥2a上的點A處之硬質微粒與金屬薄膜11接觸而形成痕跡B，於既定時間後硬質微粒移動至點A’，痕跡B則移動至點B’。在硬質微粒由點A移動至點A’的期間，痕跡係連續地形成，因此便形成由點B’延伸至點A’的線狀痕12a。
由第一及第二圖案輥2a、2b形成之第一及第二線狀痕群12A、12B的方向及交叉角θs可透過變更各圖案輥2a、2b與複合薄膜100所夾之角度、及/或各圖案輥2a、2b相對於複合薄膜100的行進速度的周速度來調整。舉例來說，若增大圖案輥2a相對於複合薄膜100的行進速度b的周速度a，則如第5(d)圖之Y所示，可使線狀痕12a如線段C’D’般與複合薄膜100的行進方向夾45°。同樣地，若改變圖案輥2a相對於複合薄膜100的寬度方向的傾斜角θ2，則可改變圖案輥2a的周速度a。此對於圖案輥2b亦同。由此，藉由調整兩圖案輥2a、2b，便 可如第1(b)圖及第2(c)圖所例示般變更線狀痕12a、12b的方向。
由於各圖案輥2a、2b與複合薄膜100呈傾斜，複合薄膜100便透過與各圖案輥2a、2b的滑接而承受寬度方向的力。因此，為防止複合薄膜100的蛇行，係以調整各壓輥3a、3b相對於各圖案輥2a、2b的縱向位置及/或角度為佳。舉例來說，如適當調節圖案輥2a之軸線與壓輥3a之軸線的交叉角θ3，獲得按壓力的寬度方向分布以消除寬度方向的力，而能夠防止蛇行。且圖案輥2a與壓輥3a的間隔的調整亦有助於防止蛇行。為防止複合薄膜100的蛇行及斷裂，與複合薄膜100的寬度方向呈傾斜之第一及第二圖案輥2a、2b的旋轉方向係與複合薄膜100的行進方向相同為佳。
如第5(b)圖所示，滾筒形之各電阻測定手段4a、4b係隔著絕緣部40具有一對電極41、41，且於彼等之間測定附有線狀痕之金屬薄膜11的電阻。將用電阻測定手段4a、4b測定的電阻值回授，來調整複合薄膜100的行進速度、圖案輥2a、2b的旋轉速度及傾斜角θ2、壓輥3a、3b的位置及傾斜角θ3等運作條件。
為增大圖案輥2a、2b對複合薄膜100的按壓力，可如第6圖所示，於圖案輥2a、2b之間設置第三壓輥3c。藉由第三壓輥3c，與中心角θ1成正比之金屬薄膜11的滑接距離亦增大，線狀痕12a、12b增長。如調整第三壓輥3c的位置及傾斜角，亦有助於防止複合薄膜100的蛇行。
第7圖係表示供形成如第2(a)圖所示朝三方向配向之線狀痕的裝置的一例。該裝置與第5(a)圖~第5(e)圖所示之裝置的不同點為，於第二圖案輥2b的下游配置與複合薄膜100的寬度方向平行的第三圖案輥2c。第三圖案輥2c的旋轉方向與複合薄膜100的行進方向可相同也可相反，為有效形成線狀痕較佳為反向。與寬度方向平行配置的第三圖案輥2c係形成沿複合薄膜100的行進方向延伸的線狀痕12c。第三壓輥30b係設置於第三圖案輥2c的上游側，惟亦可為下游側。還可於第三圖案輥2c的下游側設置電阻測定輥4c。此外，並未限定於圖示之實例，可將第三圖案輥2c設於第一圖案輥2a的上游側、或第一及第二圖案輥2a、2b之間。
第8圖係表示供形成如第2(b)圖所示朝四方向配向之線狀痕的裝置的一例。該裝置與第7圖所示之裝置的不同點為，於第二圖案輥2b與第三圖案輥2c之間設有第四圖案輥2d，且於第四圖案輥2d的上游側設有第四壓輥3d。透過減緩第四圖案輥2d的旋轉速度，如第5(d)圖中之Z所示，可使線狀痕12a’的方向(線段E’F’)與複合薄膜100的寬度方向呈平行。
第9圖係表示供形成如第2(c)圖所示朝正交之二方向配向之線狀痕的裝置的其他實例。該裝置與第5(a)圖~第5(e)圖所示之裝置的不同點為，第二圖案輥32b係與複合薄膜100的寬度方向平行地配置。因此，以下僅對與第5(a)圖~第5(e)圖所示之裝置相異的部分進行說明。第二圖案輥32b的旋轉方向可複合薄膜100的行進 方向相同或相反。且第二壓輥33b可位於第二圖案輥32b的上游側或下游側。如第5(d)圖中之Z所示，該裝置可使線狀痕12a’的方向(線段E’F’)為複合薄膜100的寬度方向，而適於形成第2(c)圖所示之線狀痕。
可決定線狀痕的傾斜角及交叉角，以及彼等的深度、寬度、長度及間隔的運作條件係為複合薄膜100的行進速度、圖案輥的旋轉速度及傾斜角及按壓力等。複合薄膜的行進速度較佳為5~200m/分鐘，圖案輥的周速較佳為10~2,000m/分鐘。圖案輥的傾斜角θ2較佳為20°~60°，尤佳為約45°。複合薄膜100的張力(與按壓力成正比)較佳為0.05~5kgf/cm寬度。
線狀痕形成裝置所使用的圖案輥，較佳為表面具有具尖銳角部之莫氏硬度5以上之微粒的輥，例如日本特開2002-59487號所記載的鑽石輥。由於線狀痕的寬度係由微粒的粒徑決定，較佳為鑽石微粒的90%以上具有1~1,000μm之範圍內的粒徑，更佳為10~200μm之範圍內的粒徑。鑽石微粒係以50%以上的面積率附著於輥面上為佳。
可利用日本專利第2063411號所記載之方法，於具有線狀痕12之金屬薄膜11形成多數細微孔13。用於形成細微孔13的輥本身宜與線狀痕形成用輥相同。細微孔13可藉由使複合薄膜100以相同周速通過表面附著有與線狀痕形成用輥同樣具有尖銳角部且莫氏硬度5以上之多數微粒的輥、與具平滑面的輥間的間隙而形成。
(2)奈米碳管薄層的形成
在形成於電磁波吸收薄膜1的至少一面之具有線狀痕12的金屬薄膜11塗布奈米碳管分散液並使其自然乾燥，藉以形成奈米碳管薄層14。奈米碳管分散液係(a)於有機溶劑中摻混奈米碳管及視需求而定之分散劑而成者、或(b)於有機溶劑中摻混奈米碳管、黏著劑樹脂、及視需求而定之分散劑而成者。分散液中之奈米碳管的濃度較佳為0.01~2質量%。奈米碳管的濃度若低於0.1質量%時，未能得到充足的塗布量，而大於2質量%時則有奈米碳管在分散液中凝聚之虞，而無法獲得均勻的奈米碳管薄層。奈米碳管的濃度更佳為0.01~1質量%，最佳為0.1~0.5質量%。
當摻混黏著劑樹脂時，由分散液的黏度及奈米碳管的均勻分散性觀點，奈米碳管分散液中之黏著劑樹脂的濃度較佳為0.1~10質量%，更佳為1~5質量%。
作為奈米碳管分散液所使用的有機溶劑，除甲醇、乙醇、異丙醇、苯、甲苯、甲乙酮等低沸點溶劑以外，還可例舉乙二醇、丙二醇等烷基二醇類、丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚等烷基二醇之烷基醚類、丙二醇單乙醚乙酸酯、二丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯等烷基二醇之烷基醚乙酸酯類、萜品醇等萜烯類。
茲依據濃度來決定奈米碳管分散液的塗布量，以使奈米碳管薄層14以奈米碳管的質量基準計，具有0.01~0.5g/m2的厚度。奈米碳管分散液的塗布方法並未限定，而為獲得均勻的薄層14，較佳為噴墨印刷法等。 奈米碳管分散液的塗布毋需進行一次，為了儘可能獲得均勻的奈米碳管薄層14，可分作數次進行。
(3)塑膠保護層
為保護奈米碳管薄層14，係以熱層壓由塑膠薄膜構成的塑膠保護層15為佳。若為PET薄膜時，熱層壓溫度宜為110~150℃。
[3]電磁波吸收薄膜的性能 (1)電磁波吸收能力的評定 (a)傳送衰減率
傳送衰減率Rtp係如第10(a)圖及第10(b)圖所示，利用由50Ω之微帶線MSL(64.4mm×4.4mm)；支持微帶線MSL之絕緣基板120；與絕緣基板120的底面接合之接地電極121；與微帶線MSL的兩端連接之導電性銷122、122；網路分析儀NA；以及將網路分析儀NA與導電性銷122、122連接之同軸纜線123、123構成的系統，藉由黏著劑將雜訊抑制薄膜之試片TP黏貼於微帶線MSL上，對0.1~6GHz之入射波測定反射波S11的功率及透射波S12的功率，依據下式(1)來求得；Rtp=-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]………(1)
(b)雜訊吸收率
於第10(a)圖及第10(b)圖所示之系統中，入射之功率Pin=反射波S11的功率+透射波S12的功率+吸收之功率(功率損失)Ploss係成立。因此，由入射之功率Pin減去反射波S11的功率及透射波S21的功率來求取功率損失Ploss，並由Ploss除以入射功率Pin來求取雜訊吸收率Ploss/Pin。
(2)放熱性的評定
電磁波吸收薄膜1的放熱性係利用供予至其一部分的熱擴散至薄膜全體的速度來評定。具體而言，係如第11(a)圖所示，準備電磁波吸收薄膜1之長方形樣本200(100mm×50mm)、及具有與電磁波吸收薄膜1之樣本200相同大小之長方形開口部202的壓克力支持板201(200mm×100mm×2mm)，並如第11(b)圖所示利用寬度10mm之膠帶(玻璃紙帶)203將樣本200固定於壓克力支持板201的開口部202。如第11(d)圖所示，樣本200係於電磁波吸收薄膜1之奈米碳管薄層14側積層有厚度100μm之PET薄膜205而成者。
如第12圖所示，以樣本200露出的方式，將固定有樣本200的壓克力支持板201固定於具有可載置壓克力支持板201之開口部211的固定板210，於樣本200下方50mm的位置處載置作為熱源之鎳鉻合金線加熱器220，並於樣本200上方350mm的位置處固定紅外線攝溫儀230(NEC Avio Infrared Technologies股份有限公司製「Thermogear G100」)。由熱源230形成之樣本200之直徑約10mm的加熱區域(熱點)251係位於中央。如第13圖所示，分別利用紅外線攝溫儀230自動量測中央之加熱區域251之中心點處的溫度(最高區域溫度)Tmax、及由各角落起算位於對角線上20mm之距離的點252、253、254、255處的溫度t1、t2、t3、t4。以溫度t1、t2、t3、t4的平均作為最低區域溫度Tmin，並以彼等之平均作為平均溫度Tav。茲比較最高區域溫度Tmax、最低 區域溫度Tmin及平均溫度Tav的變化來評定熱擴散性(放熱性)。
根據以下實施例對本發明更詳細地進行說明，惟本發明並未受此等所限定。
實施例1
利用具備電沉積有粒徑分布為50~80μm之鑽石微粒的圖案輥32a、32b之第9圖所示之構造的裝置，在利用真空沉積法形成於厚度16μm之雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的一面且厚度0.05μm之鋁薄膜11上，形成如第2(c)圖所示朝正交之二方向配向的線狀痕。由附有線狀痕之鋁薄膜11的光學顯微鏡照片可知線狀痕具有下述特性： 寬度W之範圍：0.5~5μm
平均寬度Wav：2μm
間隔I之範圍：2~30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長度Lav：5mm
銳角側的交叉角θs：90°
將外徑為10~15nm且平均長度為3μm之多層奈米碳管(觸媒去除完成)分散於甲乙酮而成的濃度1質量%之奈米碳管分散液(含有1質量%之分散劑)，利用噴刷塗布於附有線狀痕之鋁薄膜11上，使其自然乾燥。所形成之奈米碳管薄層14的厚度(塗布量)為0.064g/m2。其後，於120℃將厚度16μm之PET薄膜熱層壓於鋁薄膜11上，得到電磁波吸收薄膜1之樣本。
將各個由上述電磁波吸收薄膜樣本切出之試片TP(55.2mm×4.7mm)藉由黏著劑黏貼於第10(a)圖及第10(b)圖所示之系統的微帶線MSL上，測定相對於0.1~6GHz的頻率範圍之入射功率Pin的反射波的功率S11及透射波的功率S12。依據段落[3]之(1)及(2)所記載之方法，求取0.1~6GHz的頻率範圍內的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於第14圖及第15圖。
比較例1
針對由未將奈米碳管分散液塗布於附有線狀痕之鋁薄膜11而製作的電磁波吸收薄膜1所切出之試片TP，以與實施例1相同的方法求取傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin；其中該附有線狀痕之鋁薄膜11係與實施例1同樣地製作。結果係分別示於第14圖及第15圖。
由第14圖及第15圖可明瞭，實施例1顯示出高於比較例1的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。由此可知，透過奈米碳管薄層14的形成，傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin即得以提升。
又依據第11圖~第13圖所示之方法(段落[3](2))，於22℃及34%之溼度的條件下進行實施例1及比較例1之電磁波吸收薄膜1的熱擴散性(放熱性)的評定。結果係分別示於第16圖及第17圖。由第16圖及第17圖可明瞭，形成有奈米碳管薄層14之實施例1之電磁波吸收薄膜具有高於未形成有奈米碳管薄層14之比較例1之電磁波吸收薄膜的熱擴散性。
實施例2、比較例2
除利用鎳形成金屬薄膜11以外係以與實施例1及比較例1同樣的方式製作電磁波吸收薄膜1，並針對由各電磁波吸收薄膜1切出之試片TP，以與實施例1相同的方法求取傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於第18圖及第19圖。由第18圖及第19圖可明瞭，實施例2顯示出高於比較例2的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。由此可知，即便為包含鎳之金屬薄膜11時，透過奈米碳管薄層14的形成，傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin亦得以提升。
實施例3
除分別設線狀痕的交叉角θs為30°、60°及90°以外係以與實施例1同樣的方式製作電磁波吸收薄膜1，並針對由各電磁波吸收薄膜1切出之試片TP，以與實施例1相同的方法求取傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。對6GHz的頻率之入射波的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin係示於表1。由表1可明瞭，30°~90°之交叉角θs任一者均顯示出高傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。
實施例4
除如下述表2所示改變奈米碳管分散液的塗布量以外，針對由以與實施例1同樣的方式製作的各電磁波吸收薄膜1切出之試片TP，以與實施例1相同的方法求取傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。對6GHz的頻率之入射波的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin係示於表2。由表2可明瞭，於奈米碳管薄層14的厚度為0.01~0.1g/m2之範圍內，係顯示出高傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin，而為上述範圍外的厚度時傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin的提升效果便不充分。
實施例5
對由電磁波吸收薄膜1切出之試片TP測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin，其中該電磁波吸收薄膜1除設鋁薄膜11的厚度為0.08μm以外係以與實施例1相同的方法製作。結果係分別示於第20圖及第21圖。由第20圖及第21圖可明瞭，實施例5的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin係與實施例1為大致相同程度。由此可知組合具有線狀痕的金屬薄膜與奈米碳管薄層14的本發明之電磁波吸收薄膜1，與金屬薄膜的厚度無關而具有優良的電磁波吸收能力。
實施例6
對由電磁波吸收薄膜1切出之試片TP測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin，其中該電磁波吸收薄膜1除使用由下方起依序包含厚度50nm之Ni層及厚度100nm之Cu層的二層構造的金屬薄膜以外係以與實施例1相同的方法製作。結果係分別示於第22圖及第23圖。由第22圖及第23圖可明瞭，金屬薄膜為二層構造時仍顯示出高傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。
比較例3
在未於利用真空沉積法形成於厚度16μm之雙軸拉伸PET薄膜的一面之厚度0.05μm的鎳薄膜11上形成線狀痕下，以與實施例1相同的方法形成厚度0.060g/m2的奈米碳管薄層14。對由所得之樣本切出之試片TP測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於第24圖及第25圖。由第24圖及第25圖可知，僅於無線狀痕的鎳薄膜11上形成奈米碳管薄層14，並無法獲得充分的電磁波吸收能力。
比較例4
在未於厚度16μm之雙軸拉伸PET薄膜上形成金屬薄膜之下，以與實施例1相同的方法形成厚度0.061g/m2之奈米碳管薄層14。對由所得之樣本切出之試片TP測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於第26圖及第27圖。由第26圖及第27圖可知，若無附有線狀痕之金屬薄膜而僅形成奈米碳管薄層14時，並無法獲得充分的電磁波吸收能力。
實施例7
由厚度16μm之雙軸拉伸PET薄膜上以與實施例1相同的方法形成有附有線狀痕之鋁薄膜11及奈米碳管薄層14的樣本，切出下述表3所示之尺寸的小片10片，並測定各小片之6GHz之傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於表3。Rtp及Ploss/Pin的值較小，係因小片的面積小於試片TP(55.2mm×4.7mm)的面積之故。由表3可明瞭，本發明之電磁波吸收薄膜1即使切成小片，傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin值的變動亦小。此可認為係隨機形成之線狀痕的變動由奈米碳管薄層14平均化所致。
比較例5
由厚度16μm之雙軸拉伸PET薄膜上以與實施例1相同的方法形成有附有線狀痕之鋁薄膜11的樣本(未形成有奈米碳管薄層14)，切出下述表4所示之尺寸的小片10片，並測定各小片的傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於表4。由表4可明瞭，如將未形成有奈米碳管薄層14的電磁波吸收薄膜切成小片，則傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin值的變動係大於具有奈米碳管薄層14之實施例7的變動。
實施例8、比較例6
除使用98質量%之二甲苯/異丙醇(IPA)=6/4的混合溶劑中均勻分散有0.5質量%之外徑10~15mm且平均長度3μm的多層奈米碳管(觸媒去除完成)，且進一步溶有1.5質量%之聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)者作為奈米碳管分散液以外，係以與實施例1同樣的方式製作實施例8之電磁波吸收薄膜1。對由該電磁波吸收薄膜1切出之試片TP以與實施例1相同的方法測定雜訊吸收率Ploss/Pin，並對由該電磁波吸收薄膜1切出之樣本以與實施例1相同的方法進行熱擴散性(放熱性)的評定。雜訊吸收率Ploss/Pin係示於第28圖，熱擴散性(放熱性)的評定則示於第29圖。又對實施例8的相同試片TP於6個月後測定雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係示於第30圖。由第29圖可明瞭，奈米碳管薄層14含有黏著劑樹脂之實施例8之電磁波吸收薄膜1亦具有良好的熱擴散性。
除去除觸媒以外係使用與實施例8相同的奈米碳管的分散液，以與實施例8同樣的方式製作比較例6之電磁波吸收薄膜的樣本，並同樣地測定雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係示於第31圖。又對相同樣本於6個月後以同樣方法測定雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係示於第32圖。
由第28圖及第30圖可明瞭，使用觸媒去除完成的奈米碳管的實施例8之電磁波吸收薄膜1幾乎未看出電磁波吸收能力的經時性劣化。與此相對，由第31圖及第32圖可明瞭，使用未去除觸媒的奈米碳管的比較例6之電磁波吸收薄膜1則可看出電磁波吸收能力大幅度經時性劣化。
比較例7
除使用含有1.0質量%之平均長度1μm的多層奈米碳管、與1.0質量%之PMMA的奈米碳管分散液以外係以與實施例1同樣的方式製作電磁波吸收薄膜，並對由其切出之試片TP以與實施例1相同的方法測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。結果係分別示於第33圖及第34圖。由第33圖及第34圖可明瞭，比較例7之傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin皆與比較例1為相同程度。由此可知，若奈米碳管的平均長度小於2μm，則無法獲得奈米碳管薄層14的效果。
實施例9
除將奈米碳管的濃度改為1.3質量%以外係以與實施例8同樣的方式製作電磁波吸收薄膜1，並以與實施例1相同的方法測定雜訊吸收率Ploss/Pin及熱擴散性(放熱性)。結果係分別示於第35圖及第36圖。由第35圖及第36圖可明瞭，即使改變奈米碳管的濃度，所得之電磁波吸收薄膜的電磁波吸收能力及熱擴散性幾無變化。
比較例8
在未於厚度16μm之PET薄膜的一面形成鋁薄膜11下，對塗布有與實施例8相同之奈米碳管分散液的樣本，以與實施例1相同的方法進行雜訊吸收率Ploss/Pin的測定及熱擴散性(放熱性)的評定。結果係分別示於第37圖及第38圖。
比較例9
在未於形成於厚度16μm之PET薄膜的一面之厚度0.05μm之鋁薄膜11形成線狀痕下，對塗布有與實施例8相同之奈米碳管分散液的樣本，以與實施例1相同的方法進行雜訊吸收率Ploss/Pin的測定及熱擴散性(放熱性)的評定。結果係分別示於第39圖及第40圖。
比較例10
對在厚度16μm之PET薄膜的一面僅形成厚度0.05μm之鋁薄膜11的樣本，以與實施例1相同的方法進行熱擴散性(放熱性)的評定。結果係示於第41圖。
由第39圖~第41圖可明瞭，在未形成有線狀痕的鋁薄膜11上形成奈米碳管薄層14的比較例9之電磁波吸收薄膜、及僅形成未形成有線狀痕之鋁薄膜11的比較例10之電磁波吸收薄膜，其不僅雜訊吸收率Ploss/Pin低，熱擴散性(放熱性)亦低。由此可知：(a)僅單獨有鋁薄膜並無法獲得充分的電磁波吸收能力及熱擴散性(放熱性)；及(b)即使在無線狀痕的鋁薄膜11上形成奈米碳管薄層14亦無法獲得充分的電磁波吸收能力及熱擴散性(放熱性)。理所當然，由第37圖及第38圖可明瞭，僅 形成有奈米碳管薄層14的比較例8之電磁波吸收薄膜亦不具有充分的電磁波吸收能力及熱擴散性(放熱性)。
若比較在形成有線狀痕的鋁薄膜11上未形成奈米碳管薄層14的比較例1之電磁波吸收薄膜、與在形成有線狀痕的鋁薄膜11上形成奈米碳管薄層14的實施例8之電磁波吸收薄膜1，可知熱擴散性(放熱性)顯著提升。由此可知透過形成有線狀痕的鋁薄膜11與奈米碳管薄層14的組合，相較於分別單獨使用時，可獲得格外提升的熱擴散性(放熱性)。
比較例11
對Panasonic股份有限公司製之PGS石墨片(厚度17μm)，以與實施例1相同的方法進行熱擴散性的評定。結果係示於42圖。由第42圖可明瞭，石墨片的熱擴散性比本發明之放熱性電磁波吸收薄膜來得差。
參考例1
除僅朝一方向(雙軸拉伸PET薄膜的長度方向)形成線狀痕以外係以與實施例1同樣的方式形成電磁波吸收薄膜，由其分別切出第一試片TP(線狀痕與其長度方向一致)及第二試片TP(線狀痕與其側向一致)，並以與實施例1相同的方法測定傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin。6GHz之傳送衰減率Rtp及雜訊吸收率Ploss/Pin係示於表5。由表5可明瞭，於具有一方向之線狀痕的鋁薄膜11上形成奈米碳管薄層14的電磁波吸收薄膜雖具有高電磁波吸收能力，惟其非等向性較大。
1‧‧‧電磁波吸收薄膜
10‧‧‧塑膠薄膜
11、11a、11b‧‧‧金屬薄膜
12a、12b、12c、 12d、12a’、12b’‧‧‧線狀痕
12A、12B‧‧‧線狀痕群
13‧‧‧貫通孔
14‧‧‧奈米碳管薄層
15‧‧‧塑膠保護層
100‧‧‧複合薄膜
2a‧‧‧第一圖案輥
2b‧‧‧第二圖案輥
3a‧‧‧第一壓輥
3b‧‧‧第二壓輥
4a、4b‧‧‧電阻測定手段
5a、5b‧‧‧背托輥
13‧‧‧貫通孔
14‧‧‧奈米碳管薄層
21、24‧‧‧捲筒
22、23‧‧‧導引輥
32a、32b‧‧‧圖案輥
40‧‧‧絕緣部
41‧‧‧電極
121‧‧‧接地電極
122‧‧‧導電性銷
123‧‧‧同軸纜線
200‧‧‧樣本
201‧‧‧壓克力支持板
202、211‧‧‧開口部
203‧‧‧膠帶(玻璃紙帶)
205‧‧‧PET薄膜
210‧‧‧固定板
220‧‧‧鎳鉻合金線加熱器
230‧‧‧紅外線攝溫儀
251‧‧‧加熱區域
252、253、254、255‧‧‧點
第1(a)圖係表示根據本發明之一實施形態之電磁波吸收薄膜的剖面圖。
第1(b)圖係表示第1(a)圖之電磁波吸收薄膜之線狀痕的細部的部分俯視圖。
第1(c)圖係第1(b)圖之A-A剖面圖(省略奈米碳管薄層)。
第1(d)圖係表示第1(c)圖之A'部分的放大剖面圖。
第1(e)圖係表示根據本發明其他實施形態之電磁波吸收薄膜的剖面圖。
第1(f)圖係表示第1(e)圖之B部分(省略奈米碳管薄層)的放大剖面圖。
第2(a)圖係表示根據本發明另一其他實施形態之電磁波吸收薄膜之線狀痕的細部的部分俯視圖。
第2(b)圖係表示根據本發明又一其他實施形態之電磁波吸收薄膜之線狀痕的細部的部分俯視圖。
第2(c)圖係表示根據本發明再一其他實施形態之電磁波吸收薄膜之線狀痕的細部的部分俯視圖。
第3(a)圖係表示根據本發明另一其他實施形態之電磁波吸收薄膜之線狀痕及細微孔的細部的部分俯視圖。
第3(b)圖係第3(a)圖之C-C剖面圖(省略奈米碳管薄層)。
第4圖係表示根據本發明另一其他實施形態之電磁波吸收薄膜的剖面圖。
第5(a)圖係表示線狀痕之形成裝置的一例的立體圖。
第5(b)圖係表示第5(a)圖之裝置的俯視圖。
第5(c)圖係第5圖(b)之D-D剖面圖。
第5(d)圖係用以說明與複合薄膜的行進方向呈傾斜之線狀痕形成原理的部放大俯視圖。
第5(e)圖係表示第5(a)圖之裝置中，圖案輥及壓輥相對於複合薄膜之傾斜角度的部分俯視圖。
第6圖係表示線狀痕之形成裝置之其他實例的部分剖面圖。
第7圖係表示線狀痕之形成裝置之另一其他實例的立體圖。
第8圖係表示線狀痕之形成裝置之又一其他實例的立體圖。
第9圖係表示線狀痕之形成裝置之再一其他實例的立體圖。
第10(a)圖係表示評定電磁波吸收薄膜的電磁波吸收能力之系統的俯視圖。
第10(b)圖係表示評定電磁波吸收薄膜的電磁波吸收能力之系統的部分剖面前視圖。
第11(a)圖係表示熱擴散性(放熱性)的評定所使用之樣本及壓克力支持板的俯視圖。
第11(b)圖係表示固定於壓克力支持板之樣本的俯視圖。
第11(c)圖係表示固定於壓克力支持板之樣本的剖面圖。
第11(d)圖係表示樣本的部分放大剖面圖。
第12圖係表示樣本的熱擴散性(放熱性)的評定方法的概略圖。
第13圖係表示測定樣本的熱擴散的方法的俯視圖。
第14圖係表示實施例1及比較例1之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第15圖係表示實施例1及比較例1之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第16圖係表示實施例1之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第17圖係表示比較例1之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第18圖係表示實施例2及比較例2之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第19圖係表示實施例2及比較例2之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第20圖係表示實施例1及5之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第21圖係表示實施例1及5之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第22圖係表示實施例6之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第23圖係表示實施例6之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第24圖係表示比較例3之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第25圖係表示比較例3之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第26圖係表示比較例4之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第27圖係表示比較例4之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第28圖係表示實施例8之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第29圖係表示實施例8之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第30圖係表示實施例8之電磁波吸收薄膜之6個月後的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第31圖係表示比較例6之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第32圖係表示比較例6之電磁波吸收薄膜之6個月後的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第33圖係表示比較例7之電磁波吸收薄膜的傳送衰減率Rtp與入射電波的頻率的關係的圖。
第34圖係表示比較例7之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第35圖係表示實施例9之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第36圖係表示實施例9之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第37圖係表示比較例8之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第38圖係表示比較例8之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第39圖係表示比較例9之電磁波吸收薄膜的雜訊吸收率Ploss/Pin與入射電波的頻率的關係的圖。
第40圖係表示比較例9之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第41圖係表示比較例10之電磁波吸收薄膜的熱擴散性的圖。
第42圖係表示比較例11之石墨片的熱擴散性的圖。
1‧‧‧電磁波吸收薄膜
10‧‧‧塑膠薄膜
11‧‧‧金屬薄膜
14‧‧‧奈米碳管薄層

Claims (8)

  1. 一種電磁波吸收薄膜，其特徵為其係具有塑膠薄膜及設於其至少一面之單層或多層的金屬薄膜，多數實質上平行且不連續的線狀痕係以不規則寬度及間隔朝多方向形成於金屬薄膜，同時於該金屬薄膜上形成有奈米碳管薄層，該線狀痕的寬度係90%以上處於0.1~100μm之範圍內，平均為1~50μm，該線狀痕的側向間隔係處於1~500μm之範圍內，平均為1~200μm，且該奈米碳管具有2μm以上之平均長度。
  2. 如申請專利範圍第1項之電磁波吸收薄膜，其中該線狀痕係朝二方向配向，其交叉角為30~90°。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電磁波吸收薄膜，其中該奈米碳管係已去除觸媒。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波吸收薄膜，其中該金屬薄膜包含選自包括鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及此等之合金之群組的至少一種金屬。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電磁波吸收薄膜，其中以奈米碳管的質量基準計，以該奈米碳管薄層的塗布量表示之厚度為0.01~0.5g/m2。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電磁波吸收薄膜，其中該奈米碳管為多層奈米碳管。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之電磁波吸收薄膜，其中該奈米碳管薄層係含有黏著劑樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之電磁波吸收薄膜，其中該奈米碳管薄層上熱層壓有塑膠薄膜。
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