JP2763952B2 - 導電性織物およびその製造方法 - Google Patents
導電性織物およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，電磁波シールド材に適した導電性織物およ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
（従来の技術） 近年，繊維分野においても機能性を重視した繊維素材
を開発する傾向にあり，指向する機能性も多種多様にわ
たり，より高性能なものが要求されるようになってき
た。このような状況下で，従来より導電性織物およびそ
の製造方法に関する提案が多数なされ，導電性織物に関
しては，織物を構成する糸自体が導電性能を有するもの
と，織物表面に導電層を有するものに大別され，また，
その製造方法に関しては，導電性物質をポリマー中に練
り込んだマスターチツプを溶融紡糸することによって導
電性フイラメント糸を得る方法と，織物表面にメツキ，
溶射，蒸着等により導電層を形成する方法に大別され
る。
を開発する傾向にあり，指向する機能性も多種多様にわ
たり，より高性能なものが要求されるようになってき
た。このような状況下で，従来より導電性織物およびそ
の製造方法に関する提案が多数なされ，導電性織物に関
しては，織物を構成する糸自体が導電性能を有するもの
と，織物表面に導電層を有するものに大別され，また，
その製造方法に関しては，導電性物質をポリマー中に練
り込んだマスターチツプを溶融紡糸することによって導
電性フイラメント糸を得る方法と，織物表面にメツキ，
溶射，蒸着等により導電層を形成する方法に大別され
る。
しかしながら，このような提案は，いずれも一長一短
を有し，あらゆる面において十分に満足できるものでは
なかった。すなわち，導電性繊維に関しては，高い導電
性を得るためには多量の導電物質を混入しなければなら
ず，その結果，繊維の物性を著しく低下させるという欠
点を有していた。また，このような欠点を解消するため
に，例えば，特開昭55−1337号公報のごとく，フイラメ
ント構造を芯鞘型にしたフイラメントからなる繊維も提
案されているが，導電層が絶縁層で被覆されているた
め，実質的に非常に低いレベルの導電性能しか得られて
いないので現状である。さらに，製造方法においても，
金属や炭化物のフイラーを練り込んだマスターチツプを
溶融紡糸に用いるため，スクリユーの摩耗やノイズのつ
まり等の問題が発生していた。一方，特開昭61−102478
号公報記録のごとく，メツキにより導電性能を付与する
技術にあっては，金属塩溶液を用いるため，作業環境上
大きな問題があった。また，溶射によって導電性能を付
与する技術にあっては，導電層の膜厚の制御が困難で，
均一な成膜ができないという欠点があった。さらに，上
記製造方法によって得られる布帛は，金属特有の光沢が
あり，外観品位が乏しく，しかも導電層に対して布帛表
面の凹凸が大きすぎるので，導電層のいたるところで欠
陥が生じ，高い導電性能を維持できないという欠点を有
するとともに，高い導電性能を得ようするために導電層
を厚くすると，フイラメント糸織物特有の粗剛感をより
一層助長することになり，衣服としての適応性に全く欠
けるという問題を有していた。
を有し，あらゆる面において十分に満足できるものでは
なかった。すなわち，導電性繊維に関しては，高い導電
性を得るためには多量の導電物質を混入しなければなら
ず，その結果，繊維の物性を著しく低下させるという欠
点を有していた。また，このような欠点を解消するため
に，例えば，特開昭55−1337号公報のごとく，フイラメ
ント構造を芯鞘型にしたフイラメントからなる繊維も提
案されているが，導電層が絶縁層で被覆されているた
め，実質的に非常に低いレベルの導電性能しか得られて
いないので現状である。さらに，製造方法においても，
金属や炭化物のフイラーを練り込んだマスターチツプを
溶融紡糸に用いるため，スクリユーの摩耗やノイズのつ
まり等の問題が発生していた。一方，特開昭61−102478
号公報記録のごとく，メツキにより導電性能を付与する
技術にあっては，金属塩溶液を用いるため，作業環境上
大きな問題があった。また，溶射によって導電性能を付
与する技術にあっては，導電層の膜厚の制御が困難で，
均一な成膜ができないという欠点があった。さらに，上
記製造方法によって得られる布帛は，金属特有の光沢が
あり，外観品位が乏しく，しかも導電層に対して布帛表
面の凹凸が大きすぎるので，導電層のいたるところで欠
陥が生じ，高い導電性能を維持できないという欠点を有
するとともに，高い導電性能を得ようするために導電層
を厚くすると，フイラメント糸織物特有の粗剛感をより
一層助長することになり，衣服としての適応性に全く欠
けるという問題を有していた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は，上記のような現状に鑑みて行われたもの
で，衣料用としての触感を損なわずに優れた導電性能を
有する織物を製造することを目的とするものである。
で，衣料用としての触感を損なわずに優れた導電性能を
有する織物を製造することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは，上記課題を解決するために鋭意研究し
た結果，高性能を発揮し得る導電性材料を選択し，かつ
膜厚をある水準以下におさえることによって，衣服とし
ての触感を損なうこともなく，優れた導電性織物を得る
ことができることを見出し，さらには織物表面の凹凸を
制御し，かつ有機繊維布帛上に導電性の薄膜を形成する
方法を採用することによって，従来にない高い導電性能
が得られることを見出し，本発明に到達した。
た結果，高性能を発揮し得る導電性材料を選択し，かつ
膜厚をある水準以下におさえることによって，衣服とし
ての触感を損なうこともなく，優れた導電性織物を得る
ことができることを見出し，さらには織物表面の凹凸を
制御し，かつ有機繊維布帛上に導電性の薄膜を形成する
方法を採用することによって，従来にない高い導電性能
が得られることを見出し，本発明に到達した。
すなわち，本発明は，「織物の表面に膜厚が５μｍ以
下である酸素欠損ｎ型半導体材料からなる導電性被膜を
有し，かつその導電性被膜の表面抵抗が50Ω／□以下で
あることを特徴とする導電性織物」並びに「織物の表面
粗度を10μｍ以下とする第１工程および該織物の表面に
酸素欠損ｎ型半導体材料の被膜を物理的気相蒸着法によ
り形成する第２工程よりなることを特徴とする導電性織
物の製造方法」を要旨とするものである。
下である酸素欠損ｎ型半導体材料からなる導電性被膜を
有し，かつその導電性被膜の表面抵抗が50Ω／□以下で
あることを特徴とする導電性織物」並びに「織物の表面
粗度を10μｍ以下とする第１工程および該織物の表面に
酸素欠損ｎ型半導体材料の被膜を物理的気相蒸着法によ
り形成する第２工程よりなることを特徴とする導電性織
物の製造方法」を要旨とするものである。
以下，本発明を詳細に説明する。
本発明の導電性織物は，まず第１に，その織物の表面
に膜厚が５μｍ以下の酸素欠損ｎ型半導体材料からなる
導電性被膜を有している。
に膜厚が５μｍ以下の酸素欠損ｎ型半導体材料からなる
導電性被膜を有している。
ここで基布となる織物としては，ポリエステルを代表
とする合成繊維からなるフイラメント織物が好ましく用
いられる。織物の表面に形成される導電性被膜は，酸素
欠損ｎ型半導体材料から構成されている必要があるが，
この酸素欠損ｎ型半導体材料としては，酸化錫，酸化イ
ンジウム，酸化亜鉛および酸化インジウムに錫をドーピ
ングしたもの（以下ITOという。）等を挙げることがで
き，この中で酸化錫，酸化インジウムが好ましく用いら
れ，さらにITOはより一層好ましい。半導体材料からな
る導電性被膜は，淡色で，しかも金属のような光沢を有
することもないので，衣料用としての外観品位を損なう
こともない。
とする合成繊維からなるフイラメント織物が好ましく用
いられる。織物の表面に形成される導電性被膜は，酸素
欠損ｎ型半導体材料から構成されている必要があるが，
この酸素欠損ｎ型半導体材料としては，酸化錫，酸化イ
ンジウム，酸化亜鉛および酸化インジウムに錫をドーピ
ングしたもの（以下ITOという。）等を挙げることがで
き，この中で酸化錫，酸化インジウムが好ましく用いら
れ，さらにITOはより一層好ましい。半導体材料からな
る導電性被膜は，淡色で，しかも金属のような光沢を有
することもないので，衣料用としての外観品位を損なう
こともない。
上記導電性被膜の膜厚は,5μｍ以下でなければなら
ず，膜厚が５μｍを越えると，織物の可撓性が低くな
り，衣服としての触感が損なわれ，さらには，曲げによ
り被膜に断裂が生じるので好ましくない。
ず，膜厚が５μｍを越えると，織物の可撓性が低くな
り，衣服としての触感が損なわれ，さらには，曲げによ
り被膜に断裂が生じるので好ましくない。
上記導電性被膜は，表面抵抗が50Ω／□以下であるこ
とが必要であり，好ましくは20Ω／□以下，より好まし
くは１Ω／□以下である。この表面抵抗が50Ω／□を越
えると，実質的に電磁波シールド材としての有効性が失
われる。
とが必要であり，好ましくは20Ω／□以下，より好まし
くは１Ω／□以下である。この表面抵抗が50Ω／□を越
えると，実質的に電磁波シールド材としての有効性が失
われる。
上述のごとき本発明の導電性織物は，次の方法によっ
て製造することができる。
て製造することができる。
まず，織物の表面粗度を10μｍ以下とする第１工程の
処理を行う。ここでいう表面粗度とは，触針式の表面粗
さ測定計により２次元で描かれた織物の断面形状から算
出するもので，断面形状において基準線を設定し，最大
山高さ（dm）と最大谷深さ（dr）を読み取り，下記
（１）式によって算出する。
処理を行う。ここでいう表面粗度とは，触針式の表面粗
さ測定計により２次元で描かれた織物の断面形状から算
出するもので，断面形状において基準線を設定し，最大
山高さ（dm）と最大谷深さ（dr）を読み取り，下記
（１）式によって算出する。
表面粗度＝dm＋dr（μｍ） ……（１） この表面粗度が10μｍを越えると，次工程の被膜形成
工程で導電性被膜が均一に形成されず，そればかりか被
膜の断裂が生じたりするため，十分な導電性が得られな
くなる。織物の表面粗度を10μｍ以下にするためには，
次の（イ），（ロ），（ハ）の少なくとも２つ以上の手
法を組み合わせて採用する必要がある。
工程で導電性被膜が均一に形成されず，そればかりか被
膜の断裂が生じたりするため，十分な導電性が得られな
くなる。織物の表面粗度を10μｍ以下にするためには，
次の（イ），（ロ），（ハ）の少なくとも２つ以上の手
法を組み合わせて採用する必要がある。
（イ）経糸および緯糸方向のカバーフアクターの総和が
1800以上となるように製織する。
1800以上となるように製織する。
（ロ）織物にカレンダー処理を施す。
（ハ）織物表面に樹脂コーテイングを施す。
ここでいうカバーフアクターの総和は，下記（２）式
によって算出され，平織物にあっては1800以上，斜紋織
物であっては2500以上，朱子織物にあっては3000以上で
あることが好ましい。
によって算出され，平織物にあっては1800以上，斜紋織
物であっては2500以上，朱子織物にあっては3000以上で
あることが好ましい。
（ただし,K1は経糸密度（本／吋）,K2は緯糸密度（本／
吋）,D1は経糸繊度（デニール）,D2は緯糸密度（デニー
ル）である。） 上記（ロ）のカレンダー処理は，加熱，加圧した１対
以上のロールの狭圧部に織物を通すことによって織物表
面を平滑化する処理であり，ユニバーサルカレンダー
法，フリクシヨンカレンダー法，シユライナーカレンダ
ー法等によって行うことができる。また，上記（ハ）の
樹脂コーテイングは，織物表面に樹脂を塗布するもの
で，乾式，湿式のいずれのコーテイング法でもよいが，
無孔の平滑な被膜を形成し得る乾式法を採用する方が好
ましく，コーテイングに際しては，ナイフコーテイング
法，ロールコーテイング法，バーコーテイング法等を使
用する樹脂に応じて随時採用すればよい。樹脂コーテイ
ング用の樹脂については，特に限定するものではない
が，第２工程における導電性被膜の形成を勘案すると，
疎水性の樹脂が好ましく，例えば，アクリル酸エステ
ル，ウレタン，塩化ビニル等の樹脂が挙げられる。ま
た、ここで形成されるコーテイング樹脂被膜の膜厚につ
いては，特に限定する必要はないが，織物表面を被覆し
得る程度の最小の膜厚である方が好ましい。
吋）,D1は経糸繊度（デニール）,D2は緯糸密度（デニー
ル）である。） 上記（ロ）のカレンダー処理は，加熱，加圧した１対
以上のロールの狭圧部に織物を通すことによって織物表
面を平滑化する処理であり，ユニバーサルカレンダー
法，フリクシヨンカレンダー法，シユライナーカレンダ
ー法等によって行うことができる。また，上記（ハ）の
樹脂コーテイングは，織物表面に樹脂を塗布するもの
で，乾式，湿式のいずれのコーテイング法でもよいが，
無孔の平滑な被膜を形成し得る乾式法を採用する方が好
ましく，コーテイングに際しては，ナイフコーテイング
法，ロールコーテイング法，バーコーテイング法等を使
用する樹脂に応じて随時採用すればよい。樹脂コーテイ
ング用の樹脂については，特に限定するものではない
が，第２工程における導電性被膜の形成を勘案すると，
疎水性の樹脂が好ましく，例えば，アクリル酸エステ
ル，ウレタン，塩化ビニル等の樹脂が挙げられる。ま
た、ここで形成されるコーテイング樹脂被膜の膜厚につ
いては，特に限定する必要はないが，織物表面を被覆し
得る程度の最小の膜厚である方が好ましい。
本発明方法では，上述の第１工程で表面粗度を10μｍ
以下とした織物の表面に，酸素欠損ｎ型半導体材料の被
膜を物理的気相蒸着法により形成する第２工程の処理を
行う。この第２工程は，織物の表面に導電層を形成する
工程である。
以下とした織物の表面に，酸素欠損ｎ型半導体材料の被
膜を物理的気相蒸着法により形成する第２工程の処理を
行う。この第２工程は，織物の表面に導電層を形成する
工程である。
ここでいう物理的気相蒸着法とは，熱，光，電子ビー
ム等によって固体を気化させつつ試料表面に再び固体と
して積層させる手法であり，例えば，イオンプレーテイ
ング法，スパツタリング法，反応性蒸着法等が挙げられ
る。イオンプレーテイング法とは，蒸発した原子をイオ
ンの作用で基材上に付着せしめる方法であり，通常，イ
オンは不活性ガスをイオン化することにより得る。スパ
ツタリング法とは，低圧気体中で固体を加熱したり，固
体にイオンを衝突させりすることにより，固体の面から
原子を飛び出させて基材に付着せしめる方法である。ま
た，反応性蒸着法とは，熱により蒸発した原子を酸素等
の気体と反応させつつ基材に付着せしめる方法である。
本発明の製造方法にあっては，織物表面上に導電性被膜
を形成させる本発明の第２工程では，上記のいずれかを
適用することが可能である。酸素欠損ｎ型半導体材料と
しては，前述の酸化錫，酸化インジウム，酸化亜鉛,ITO
等を用いる。
ム等によって固体を気化させつつ試料表面に再び固体と
して積層させる手法であり，例えば，イオンプレーテイ
ング法，スパツタリング法，反応性蒸着法等が挙げられ
る。イオンプレーテイング法とは，蒸発した原子をイオ
ンの作用で基材上に付着せしめる方法であり，通常，イ
オンは不活性ガスをイオン化することにより得る。スパ
ツタリング法とは，低圧気体中で固体を加熱したり，固
体にイオンを衝突させりすることにより，固体の面から
原子を飛び出させて基材に付着せしめる方法である。ま
た，反応性蒸着法とは，熱により蒸発した原子を酸素等
の気体と反応させつつ基材に付着せしめる方法である。
本発明の製造方法にあっては，織物表面上に導電性被膜
を形成させる本発明の第２工程では，上記のいずれかを
適用することが可能である。酸素欠損ｎ型半導体材料と
しては，前述の酸化錫，酸化インジウム，酸化亜鉛,ITO
等を用いる。
本発明は，以下の構成を有するものである。
（作 用） 本発明方法において，その第１工程で織物の表面粗度
を10μｍ以下にすると，表面が非常に滑らかで均一にな
り，従って，このような織物の表面状態で第２工程の物
理的気相蒸着法により酸素欠損ｎ型半導体材料の被膜を
形成すると，非常に薄い５μｍ以下の被膜が表面抵抗50
Ω／□以下にて均一に形成される。この被膜は半導体材
料からなるものであるが，このように被膜を半導体材料
で構成すると，金属材料に起因する金属光沢を有しない
で，極めて優れた外観品位を呈するようになり，しかも
一般に用いられている電磁波シールド材としての性能を
も十分に発揮する。また，この被膜は非常に薄く,5μｍ
以下であるが，このように被膜を薄くすると，衣服とし
ての可撓性や感触を非常に良好に保持することができ
る。
を10μｍ以下にすると，表面が非常に滑らかで均一にな
り，従って，このような織物の表面状態で第２工程の物
理的気相蒸着法により酸素欠損ｎ型半導体材料の被膜を
形成すると，非常に薄い５μｍ以下の被膜が表面抵抗50
Ω／□以下にて均一に形成される。この被膜は半導体材
料からなるものであるが，このように被膜を半導体材料
で構成すると，金属材料に起因する金属光沢を有しない
で，極めて優れた外観品位を呈するようになり，しかも
一般に用いられている電磁波シールド材としての性能を
も十分に発揮する。また，この被膜は非常に薄く,5μｍ
以下であるが，このように被膜を薄くすると，衣服とし
ての可撓性や感触を非常に良好に保持することができ
る。
（実施例） 次に，本発明を実施例により具体的に説明するが，実
施例における織物の測定，評価は，下記の方法で行っ
た。
施例における織物の測定，評価は，下記の方法で行っ
た。
（１） 表面粗度 （株）小坂研究所製の表面粗さ測定器SE−3AKを用い
て,Y軸倍率100倍,Z軸倍率500倍，ピツチ倍率200倍の測
定条件にて，走査距離を1cmとして試料の任意の５点の
平均により算出した。
て,Y軸倍率100倍,Z軸倍率500倍，ピツチ倍率200倍の測
定条件にて，走査距離を1cmとして試料の任意の５点の
平均により算出した。
（２） 表面抵抗 AATCC試験法（76,84）に準じて,5cm×5cmの試料片に5
00Vの電圧を印加したときの電流値Ａ（アンペア）を読
み取り，下記（３）式により算出した。
00Vの電圧を印加したときの電流値Ａ（アンペア）を読
み取り，下記（３）式により算出した。
（３） 外観品位 色，光沢を対象にして肉眼により次の３段階の判定を
行った。
行った。
○：外観品位が良好 △：外観品位が普通 ×：外観品位が粗悪 （４） 可撓性 JISL−1018の剛軟度を評価するカンチレバー法に準じ
て測定し，未処理布帛の剛軟度を100としたときの，処
理布帛が有する剛軟度の百分率を次の（４）式により算
出し，その結果を下記の３段階で評価した。
て測定し，未処理布帛の剛軟度を100としたときの，処
理布帛が有する剛軟度の百分率を次の（４）式により算
出し，その結果を下記の３段階で評価した。
（但し,Lは未処理布帛の剛軟度， Ｌ′は処理布帛の剛軟度とする。） ○：（４）式より算出された数値が80％以上 △：（４）式より算出された数値が65〜80％ ×：（４）式より算出された数値が65％未満 実施例１ 基布としてカバーフアクターの総和が2000のポリエス
テル織物を用い，この織物にユニバーサルカレンダー法
で圧力40kg/cm2にてカレンダー処理を施した。このとき
の織物の表面粗度は７μｍであった。次に,RFイオンプ
レーテイング装置を使用し,ITO（日本鉱業（株）製,In:
Sn＝95:5）をターゲツトとして用い，アルゴンガス導入
量30cc/minにてプラズマを発生させつつ，成膜速度70Å
/sec,RF出力200Wで膜厚が５μｍとなるように上記織物
上にITOを成膜し，本発明の導電性織物を得た。
テル織物を用い，この織物にユニバーサルカレンダー法
で圧力40kg/cm2にてカレンダー処理を施した。このとき
の織物の表面粗度は７μｍであった。次に,RFイオンプ
レーテイング装置を使用し,ITO（日本鉱業（株）製,In:
Sn＝95:5）をターゲツトとして用い，アルゴンガス導入
量30cc/minにてプラズマを発生させつつ，成膜速度70Å
/sec,RF出力200Wで膜厚が５μｍとなるように上記織物
上にITOを成膜し，本発明の導電性織物を得た。
本発明との比較のため，本実施例においてカレンダー
処理を省くほかは，本実施例と全く同一の方法により比
較用の導電性織物（比較例１）を製造した。
処理を省くほかは，本実施例と全く同一の方法により比
較用の導電性織物（比較例１）を製造した。
また，本発明との比較のため，本実施例においてカレ
ンダー処理を省くとともに,ITOの膜厚が７μｍになるよ
うに成膜するほかは，本実施例と全く同一の方法で比較
用の導電性織物（比較例２）を製造した。
ンダー処理を省くとともに,ITOの膜厚が７μｍになるよ
うに成膜するほかは，本実施例と全く同一の方法で比較
用の導電性織物（比較例２）を製造した。
本発明および比較用の導電性織物の性能を測定，評価
し，その結果を合わせて第１表に示した。
し，その結果を合わせて第１表に示した。
第１表より明らかなように，構成要件をすべて満足す
る本発明の導電性織物は，電磁波シールド材としての性
能（表面抵抗50Ω／□以下）を十分に有し，かつ衣服と
しての感触も損なわない優れた織物であった。
る本発明の導電性織物は，電磁波シールド材としての性
能（表面抵抗50Ω／□以下）を十分に有し，かつ衣服と
しての感触も損なわない優れた織物であった。
実施例２ 基布としてカバーフアクターの総和が3500のポリエス
テルサテン織物を用い，この織物の表面にポリウレタン
樹脂（ハイムレンＹ−210,大日精化工業（株）製）をナ
イフコーテイング法により乾式で成膜した。このときの
表面粗度は３μｍであった。この後，実施例１で用いた
のと同じ装置を用い，同じ成膜速度，同じRF出力で，膜
厚が３μｍとなるようにコーテイング面ITOの成膜を行
い，本発明の導電性織物を製造した。
テルサテン織物を用い，この織物の表面にポリウレタン
樹脂（ハイムレンＹ−210,大日精化工業（株）製）をナ
イフコーテイング法により乾式で成膜した。このときの
表面粗度は３μｍであった。この後，実施例１で用いた
のと同じ装置を用い，同じ成膜速度，同じRF出力で，膜
厚が３μｍとなるようにコーテイング面ITOの成膜を行
い，本発明の導電性織物を製造した。
本発明との比較のため，本実施例において成膜時にタ
ーゲツトとして用いたITOに代えてニツケルを用いるほ
かは，本実施例と全く同一の方法により比較用の導電性
織物（比較例３）を製造した。
ーゲツトとして用いたITOに代えてニツケルを用いるほ
かは，本実施例と全く同一の方法により比較用の導電性
織物（比較例３）を製造した。
本発明および比較用の導電性織物の性能を測定，評価
し，その結果を合わせて第２表に示した。
し，その結果を合わせて第２表に示した。
第２表より明らかなように，構成要件をすべて満足す
る本発明の導電性織物は，電磁波シールド材としての性
能（表面抵抗50Ω／□以下）を十分に有し，かつ衣服と
しての触感も損なわない優れた織物であった。一方，本
発明の構成要件を満足しない比較例３は，いずれかの要
件項目を満足し得ないものであった。
る本発明の導電性織物は，電磁波シールド材としての性
能（表面抵抗50Ω／□以下）を十分に有し，かつ衣服と
しての触感も損なわない優れた織物であった。一方，本
発明の構成要件を満足しない比較例３は，いずれかの要
件項目を満足し得ないものであった。
（発明の効果） 本発明によれば，衣料用としての感触を損なうことな
く，電磁波シールド材として有効な導電性織物を製造す
ることができる。
く，電磁波シールド材として有効な導電性織物を製造す
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】織物の表面に膜厚が５μｍ以下である酸素
欠損ｎ型半導体材料からなる導電性被膜を有し，かつそ
の導電性被膜の表面抵抗が50Ω／□以下であることを特
徴とする導電性織物。 - 【請求項２】織物の表面粗度を10μｍ以下とする第１工
程および該織物の表面に酸素欠損ｎ型半導体材料の被膜
を物理的気相蒸着法により形成する第２工程よりなるこ
とを特徴とする導電性織物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034944A JP2763952B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 導電性織物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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