TW201012772A - Glass substrate regeneration device - Google Patents

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201012772 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種玻璃基板再生裝置，其從在液晶 顯示裝置等所使用之彩色濾光器的製程中所產生之不良基 板（未滿足品質基準的基板）再生玻璃基板。 【先前技術】 第15圖係表示彩色液晶顯示裝置所使用之彩色濾光 器之一例的剖面圖。 e 彩色濾光器1具備有：玻璃基板2、形成於玻璃基板2 之上的黑陣列（BM)3、紅色的著色像素（R像素）4R、綠色的 著色像素（G像素）4G、藍色的著色像素（B像素）4B(以下將 RGB各像素總稱爲「著色像素4」）、ITO(Indium Tin Oxide) 等的透明電極5、光間隔片（PS)以及粒子準位（VA)7。作爲 這種構造之彩色濾光器101的製造方法，已知光蝕刻法、 印刷法以及噴墨法。 第16圖係表示光蝕刻法之各步驟的流程圖。 G 首先，將BM形成於玻璃基板上（S101)。接著，清潔玻 璃基板（S 102)，對玻璃基板上塗布RGB之任一種著色光阻 劑，並進行預備乾燥後（S103)，爲了使基板上的著色光阻 劑變成乾燥、變硬，而進行預烘（S104)。然後，使用光罩 將基板上的著色光阻劑進行曝光（S 105)，在進行顯像處理 後（S10 6)，使已圖型化的著色光阻劑變硬（S10 7)。至在玻璃 基板上形成R、G、B之3色像素爲止重複進行上述之S10 2〜 S107的處理（S108)。然後，在著色像素上將透明電極進行 201012772 成膜後（S109)，在透明電極5上形成PS、VA(S110)。經由 以上的步驟，而製造第15圖所示的彩色濾光器。 此外，關於對玻璃基板上之BM的形成，例如可採用 如下的方法，將金屬薄膜形成於玻璃基板上，再對金屬薄 膜上塗布光阻劑後，利用光蝕刻法進行曝光、顯像、蝕刻， 而形成BM形狀的圖型。或者，採用如下的方法，將黒色 的光阻劑塗布於玻璃基板上，再利用光蝕刻法將此黑色的 光阻劑進行曝光及顯像，而形成具有BM形狀的圖型（所謂 ®的樹脂BM)。 又，隨著彩色濾光器用玻璃基板的大型化，而有迴避 採用由金屬薄膜所構成之BM的傾向。這是由於和使用鉻 等金屬並利用真空裝置形成金屬薄膜相比，使用黑色的樹 脂光阻劑進行光蝕刻法在價格及環境之雙方上比較有利。 雖然在上述的彩色濾光器需要高可靠性，但是如第16 圖所示，其製造需要經過很多步驟，在其途中可能產生灰 塵或樹脂渣等異物的附著或混入、針孔、圖型欠缺等缺陷。 ® 發生這種缺陷的基板是未滿足品質基準的不良基板，會降 低良率。又，隨著近年來之大畫面液晶電視的普及，彩色 濾光器用玻璃基板大型化，使用厚度1mm以下且一邊之長 度長達1〜2m的玻璃基板》因爲這種玻璃基板易破損，所 以不良基板之丟棄作業伴隨危險。 因此，要求可從未滿足品質基準的不良基板再生玻璃 基板的玻璃基板再生裝置。由玻璃基板再生裝置所再生的 玻璃基板可再投入製程。 201012772 第17圖係表示彩色濾光器用玻璃基板之再生處理的 流程圖。 對在PS、VA形成步驟以後所產生之不良基板（具有和 第15圖之彩色濾光器一樣的疊層構造）進行再生的情況， 首先，依序進行第1鹸性液處理（S201)、刷洗（S202)以及沖 水（S203)，並將位於玻璃基板之最上層的PS、VA膜剝離。 接著，進行酸性液處理（S 204)及沖水（S205)，並將是中間層 的透明電極剝離。然後，依序進行第2鹼性液處理（S 206)、 β 刷洗（S207)以及沖水（S208)，並將玻璃基板表面的BM、R 像素、G像素、B像素剝離。然後，利用刷洗（S209)除去微 量地殘留於玻璃基板上的清潔殘渣，藉除去水分而使玻璃 基板變成乾燥（S210)» 第18圖係表示以往之玻璃基板再生裝置的圖。 玻璃基板再生裝置90是進行用以剝離不良基板1表面 之樹脂膜（PS、VA、BM以及著色像素）的鹼性液處理（第17 圖的S2(H、S206)，並具備有：儲存槽91、泵92、噴嘴93、 ^ 鹼性液補充槽94、剝離液補充槽95以及回收盤96。 在儲存槽91中，儲存已預先調整各自的成分及濃度的 處理液，包含鹼性液及剝離液。儲存槽91內的處理液係藉 由泵92經由配管97向噴嘴93供給，並從噴嘴93向不良 基板1排出。利用未圖示的清潔刷，和處理液的排出平行 地清潔不良基板的表面，並將PS、VA等的樹脂膜剝離。 不良基板1係一面藉由未圖示的搬運裝置以固定速度在既 定方向上搬運，一面被施加藉由處理液及清潔刷的剝離處 201012772 理。 對不良基板1所排出的處理液及被剝離的樹脂（例如在 PS、VA形成所使用的樹脂）係從回收盤96經由配管100而 回收在儲存槽9,1中。所回收的樹脂在儲存槽91內沈澱後 從配管102向外部排出。或者，亦可將過濾器設置於儲存 槽91內並使樹脂分離。 每隔固定時間測量儲存槽91內的鹼性液濃度及剝離 液濃度。在濃度不足的情況，從鹼性液補充槽94及剝離液 補充槽95分別經由配管98及配管99而向儲存槽91補充 鹼性液及剝離液。 除了上述之第17圖及第18圖所示的玻璃基板再生方 法以外，提議幾種方法》例如，在專利文獻1，記載藉由 將不良基板浸泡於包含有水溶性有機胺化合物和無機鹼性 金屬化合物之水溶液而再生玻璃基板的方法。在專利文獻 2,記載在將不良基板浸泡於濃度98%之濃硫酸後沖水，再 浸泡於包含有加溫至55 °C之烷基二醇和乙二醇酯的鹼性水 Q 溶液，並因應於需要而進行海綿摩擦。在專利文獻2，記 載進行一次酸性液處理和二次酸性液處理，並將ITO膜、 RGB像素以及剝離的方法。在專利文獻4，記載利用2 階段之處理而將RGB像素及BM剝離的方法，而該處理由 以包含有無機酸的前處理液將不良基板進行前處理的步 驟、及以包含有鹼性液的剝離液將不良基板進行後處理的 步驟所構成。 (專利文獻） 專利文獻1:特開2001- 124916號公報 201012772 專利文獻2:特開平7-230081號公報 專利文獻3:特開2006-154752號公報 專利文獻4:特開20 02 -17 94 38號公報 專利文獻5:特開2003— 279915號公報 專利文獻6:特開2005 — 189679號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 在上述的第17圖，雖然爲了便於圖示，而連續地記載 β PS、VA剝離步驟（第1鹼性液處理）、透明電極剝離步驟、 (酸性液處理）以及RGB像素、BM剝離步驟（第2鹼性液處 理），但是因爲這些各步驟的處理時間相異，所以實際上， 係以獨立的分批處理進行各步驟。因而，在玻璃基板的再 生處理耗費很多時間。 又，在專利文獻1〜4的處理方法，因爲需要將不良基 板浸泡於處理液10分鐘~2小時，所以具有玻璃基板受損 的問題。又，因爲最下層（玻璃基板表面）的樹脂膜殘渣殘 ® 留，所以一般在剝離後進行硏磨處理，亦具有處理步驟數 增加的問題。 因而，本發明之目的在於提供一種玻璃基板再生裝 置，其不會損傷彩色濾光器用玻璃基板，並可在短時間內 將其上的樹脂膜及金屬膜剝離。 (解決課題之手段） 本發明係有關於一種玻璃基板再生裝置’其一面搬運 在玻璃基板上形成有由樹脂及金屬之任一個所構成之1層 201012772 以上的層的不良基板，一面從不良基板再生玻璃基板。該 玻璃基板再生裝置至少具備有：第1鹼性液處理部，係以 鹼性液處理不良基板，並將位於不良基板之表面的第1樹 脂層剝離；第1酸性液處理部，係設置於第1鹼性液處理 部的下游，以酸性液處理不良基板，並將位於不良基板之 表面的金靥膜剝離；以及第2鹼性液處理部，係設置於酸 性液處理部的下游，以鹼性液處理不良基板，並將位於玻 璃基板之表面的第2樹脂層剝離。 ® (發明之效果） 若依據本發明的玻璃基板再生裝置，因爲一面搬運基 板一面依序進行剝離處理，所以可在短時間內再生玻璃基 板。又，藉由處理時間變短，而可防止玻璃基板的損傷。 【實施方式】 第1八圖~第1E圖係表示在彩色濾光器製程所產生之 不良基板之例子的剖面圖。 在此，不良基板是在光蝕刻法之各步驟所產生之未滿 ® 足品質基準的基板，意指在玻璃基板上形成有樹脂膜 (BM、R像素、G像素、B像素、PS、VA)及金屬膜（透明電 極）的一方或雙方之狀態的基板。 第1A圖所示的不良基板la是在PS、VA形成步驟後 的檢查所發現者，是在玻璃基板2上形成有BM3、RGB之 著色像素4、由ITO等之金屬膜所構成的透明電極5、PS6 以及VA7者。 又，在彩色濾光器的製程，使用由檢查所發現的不良 201012772 基板，提出透明電極用金屬膜的成膜條件。 第1B圖所示的不良基板lb是作爲使用第1A圖所示 的不良基板並提出金靥膜之成膜條件的結果所產生者，在 PS6、VA7上還具有ITO等的金屬膜8。 第1C圖所示的不良基板lc是作爲使用在金屬膜之形 成步驟以後且在PS、VA形成步驟之前所發現的不良基板 並提出金屬膜之成膜條件的結果所產生者，玻璃基板2的 背面（和BM3及著色像素4之形成面反側的面）具有ITO等 •的金屬膜9。 第1D圖所示的不良基板Id具有形成於著色像素4上 的過敷層33、和形成於玻璃基板2之背面的透明電極34。 第1E圖所示的不良基板le是在第1D圖所不之不良基板 Id的過敷層33上還具有PS6及VA7。過敷層33是爲了著 色像素4上的平坦化、或防止著色像素4中之成分的流出、 保護著色像素4的目的而設置。 此外，不良基板在光蝕刻法（第15圖）所示之任一步驟 ^ 都可能產生。因此’除了第1入圖~第1E圖所不的不良基 板以外，亦存在在玻璃基板2上形成有BM3及著色像素4(R 像素、G像素、B像素）之至少一種的不良基板’或在玻璃 基板2上僅形成BM3、著色像素4、以及透明電極5的不 良基板。 以下，因應於需要，一面參照第丨入圖〜第1E圖’一 面說明各實施形態的玻璃基板再生裝置。 (第1實施形態） -10- 201012772 第2圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生 方法的流程圖。 第2圖所示之玻璃基板再生方法適合從具有第1A圖之 構造的不良基板la再生玻璃基板。具體而言，本實施形態 的玻璃基板再生方法，具備有：將最上層的樹脂層（PS6、 VA7)剝離的第1鹼性液處理步驟（S11)、將中間層之金屬膜 (透明電極5)剝離的酸性液處理步驟（S 12)、以及將最下層 的樹脂層（BM3、著色像素4)剝離的第2鹼性液處理步驟 © (S13)。這些各步驟S11~S13，不是作爲獨立的分批處理來 進行，而是對利用搬運裝置所搬運的不良基板連續地進 行。此外，在第2鹼性液處理步驟（S 13)以後，進行最終水 洗處理步驟（S 14)，而完成玻璃基板的再生。 第3圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生 裝置的圖。 玻璃基板再生裝置10是對在大致水平地支持之狀態 下由搬運裝置所搬運的基板進行再生處理的裝置，朝向不 ® 良基板的搬運方向依序具備有：第1鹼性液處理部12、酸 性液處理部14以及第2鹸性液處理部16。 又，在第1鹸性液處理部12的上游，配置基板搬入部 11»在第1鹸性液處理部12、酸性液處理部14以及第2 鹼性液處理部1 6的正後，分別配置水沖洗部1 3、丨5以及 17。此外，在水沖洗部17的下游，依序配置最終沖水處理 部18和玻璃基板搬出部19。 第1鹼性液處理部12對從基板搬入部11所搬入的不 -11- 201012772 良基板噴射鹼性液，並將最上層的樹脂層（第1A圖的PS6、 VA7)剝離。水沖洗部1 3利用沖水而除去在第1鹼性液處理 部12附著於不良基板表面的鹸性液。 酸性液處理部1 4對已利用水沖洗部1 3沖水的不良基 板噴射酸性液，而將中間層的金屬膜（第1A圖的透明電極 5)剝離。水沖洗部1 5利用沖水而除去在酸性液處理部附著 於不良基板表面的酸性液。 第2驗性液處理部16對已利用水沖洗部15沖水的不 〇 良基板噴射鹸性液，而將最下層的金屬膜（第1A圖的 B M3、著色像素4)剝離。水沖洗部17利用沖水而除去在第 2齡性液處理部16附著於不良基板表面的鹼性液。 已由水沖洗部17沖水的玻璃基板2，再由最終沖水處 理部18沖水後，從玻璃基板搬出部19排出。 在該第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2 鹼性液處理部16’可任意地設定處理液的排出壓力或液 温、排出時間以及基板的搬運速度。藉由使可變更這些項 ® 目，而即使在已變更玻璃基板2上之各層（PS6、VA7、透明 電極5、BM3、著色像素4)的材料或厚度的情況，亦可設 定最適合各層之剝離的條件。又，在該第1鹼性液處理部 12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16，因應於 需要而設置用以剝離基板上之層的刷子或海綿輥等。此 外，在酸性液處理部14’亦可對基板的雙面排出酸性液。 (第1實施例） 以下’作爲第1實施例，表示使用第3圖所示之玻璃 -12- 201012772 基板再生裝置ι〇的情況之具體的處理條件。 在鹼性處理步驟所使用的鹼性液及在酸性液處理步驟 所使用之酸性液的成分例是如以下所示。 (1) 鹼性液（在第1鹼性液處理部12及第2鹼性液處理 部16使用）： 氫氧化鉀 8重量％ 單乙醇胺 1 2重量％ 二乙醇單丁醚 15重量％ . ® 苯甲基乙醇 2重量％ 水 6 3重量％ (2) 酸性液（在酸性液處理部14使用）： 氯化亞鐵 3 5重量％ 硝酸 水 3重量％ 6 2重量％ ❿ 13- 201012772 ❹

[第1表] 第1鹼性液處理 (排出壓力： O.IMPa) 酸性液處理(排出壓 力：0.15MPa) 第2鹼性液處理 (排出壓力： O.IMPa) 殘渣(P S、VA) 殘澄（ 透明 電極） 殘渣(B M、RG B) 條件 NO. 溫度(。〇 時間 (秒) 溫度(。〇 時間 (秒） 溫度fc) 時間 (秒） 1 50 180 60 180 65 180 〇 〇 X 2 个 t t t 个 210 〇 〇 X 3 t 个 个 t 个 240 〇 〇 〇 4 t t t 个 t 270 〇 〇 〇 5 50 180 55 150 t t 〇 X X 6 个 个 t 180 个 个 〇 〇 〇 7 t 个 65 150 t t 〇 X X 8 t 个 65 180 t t 〇 〇 〇 9 30 60 60 180 个 t X X X 10 个 90 t 个 个 t 〇 〇 〇 11 40 60 个 个 个 个 〇 〇 〇 12 t 90 个 个 个 t 〇 〇 〇 13 50 60 个 个 个 个 〇 〇 〇 第1表表示改變藥液的排出條件（溫度、排出時間）， 並根據「0:無殘渣，X:有殘渣」而評估在剝離處理後各 層有無殘渣的結果。此時，在第1及第2鹼性液處理部之 鹼性液的排出壓力都設爲0.1 MPa，而在酸性液處理部的排 出壓力設爲0.15 MPa。此外，表中之向上的箭號「丫」表示 値和上面的列相同。 如從條件9〜1 3所掌握的所示，在第1鹼性液處理部之 -14- .201012772 鹼性液的排出壓力爲0.1 MPa的情況，最上層的樹脂層 (PS、VA)在液溫40°C、排出時間60秒以上的條件、或液 溫3 0°C、排出時間90秒以上的條件完全地被剝離，亦未 產生殘渣。又，雖然鹼性液侵蝕玻璃基板，但是因爲在本 實施形態在短時間內進行剝離處理，所以在玻璃基板上未 看到鹼性液的影響。 如從條件5~8所掌握的所示，在酸性液的排出壓力爲 0.1 5MPa的情況，中間層的金屬膜（透明電極）在液溫55°C、 ® 排出時間1 8 0秒以上的條件、或液溫6 5 °C、排出時間1 5 0 秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。 如從條件1〜4所掌握的所示，在第2鹼性液處理部之 鹼性液的排出壓力爲0.1 MPa的情況，最下層的樹脂層 (BM、著色像素）在液溫65 °C、排出時間240秒以上的條件 完全地被剝離，亦未產生殘渣。又，雖然鹼性液侵鈾玻璃 基板，但是因爲在本實施形態在短時間內進行剝離處理， 所以在玻璃基板上未看到鹼性液的影響。 ❹ (第2實施形態） 第4圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 方法的流程圖。 第4圖所示之玻璃基板再生方法，不僅第ία圖所示之 不良基板la，亦可對第1B圖〜第1E圖所示之不良基板 lb〜le進行再生，是在第1實施形態的再生方法（第2圖） 再附加第1酸性液處理步驟（S21)。 更具體而言，本實施形態的玻璃基板再生方法，具備 -15- 201012772 有：用以將根據所提出之金屬膜的成膜條件所形成之金屬 膜8剝離的第1酸性液處理步驟（S 2 1)、將最上層的樹脂層 (PS6、VA7)剝離的第1鹼性液處理步驟（S22)、將中間層之 金屬膜（透明電極5)剝離的第2酸性液處理步驟（S23)、以 及將最下層的樹脂層（BM3、著色像素4)剝離的第2鹼性液 處理步驟（S24)。這些各步驟S21〜S24，不是作爲獨立的分 批處理來進行，而對利用搬運裝置所搬運的不良基板連續 地進行。此外，在第2鹼性液處理步驟（S 24)以後，進行最 ❹ 終水洗處理步驟（S25)。 第5A圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 裝置的示意構成圖。 玻璃基板再生裝置20a是對在大致水平地支持之狀態 下由搬運裝置所搬運的基板進行再生處理的裝置，朝向不 良基板的搬運方向依序具備有：第1酸性液處理部22 a、 第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼 性液處理部28。玻璃基板再生裝置20a適合處理具有第1A ® 圖及第1B圖所示之構造的不良基板1&及lb。 又，在第1酸性液處理部22a的上游，配置基板搬入 部21。在第1酸性液處理部21、第1鹼性液處理部12、 第2酸性液處理部26以及第2鹸性液處理部16的正後， 分別配置水沖洗部23、25、27以及29。此外，在水沖洗 部29的下游’依序配置最終沖水處理部3〇和玻璃基板搬 出部31。 第1酸性液處理部2 2a對從基板搬入部21所搬入的不 -16- 201012772 良基板噴射酸性液，並將根據所提出的成膜條件所形成之 金屬膜8(第1B圖）剝離。水沖洗部23利用沖水而除去在第 1酸性液處理部21附著於不良基板表面的酸性液。 第1鹼性液處理部24將最上層的樹脂層（PS6、VA7) 剝離。水沖洗部25利用沖水而除去在第1鹼性液處理部 24附著於不良基板表面的鹼性液。 第2酸性液處理部26對已利用水沖洗部25沖水之不 良基板的雙面噴射酸性液，而將位於玻璃基板2之雙面的 ® 金屬膜（透明電極5及金屬膜9)剝離。水沖洗部27利用沖 水而除去在第2酸性液處理部26附著於不良基板表面的酸 性液。 第2鹼性液處理部28對已利用水沖洗部27沖水的不 良基板噴射鹼性液，而將最下層的金屬膜（BM3、著色像素 4)剝離。水沖洗部2 9利用沖水而除去在第2鹼性液處理部 28附著於不良基板表面的鹸性液。 已由水沖洗部29沖水的玻璃基板2，再由最終沖水處 ® 理部30沖水後，從玻璃基板搬出部31排出。 在該第1酸性液處理部22a、第1鹼性液處理部24、 第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28，可任意 地設定處理液的排出壓力或液温、排出時間以及基板的搬 運速度。藉由使可變更這些項目，而即使在已因設計變更 等而變更玻璃基板2上之各層（PS6、VA7、透明電極5、 BM3、著色像素4、金屬膜8及9)的材料或厚度的情況， 亦可設定最適合各層之剝離的條件。又，在該第1酸性液 -17- 201012772 處理部22a、第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26 以及第2鹼性液處理部28，因應於需要而設置用以剝離基 板上之層的刷子或海綿輥等。 在本實施形態的玻璃基板再生裝置20處理第1A圖及 第1B圖所示之不良基板la及lb的情況，因應於不良基板 之疊層構造而各層的剝離步驟相異。 在已投入第1A圖所示之不良基板la的情況，在第1 酸性液處理部22a，未將最上層的PS6及VA7剝離，而將 Ο 所露出之透明電極5的一部分剝離。然後，和第1實施形 態一樣，在第1鹸性液處理部24、第2酸性液處理部26 以及第2鹼性液處理部28依序將各層剝離，而再生玻璃基 板2。 < 在已投入第1B圖所示之不良基板lb的情況，在第1 酸性液處理部22a，將爲了提出金屬膜的成膜條件所形成 之金屬膜8剝離。然後，和第1實施形態一樣，在第1鹸 性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處 ® 理部28依序將各層剝離，而再生玻璃基板2。 此外，在第2酸性液處理部26,雖然對不良基板的背 面亦噴射藥液，但是因爲其液性是酸性，所以對如第1A 圖及第1B圖所示，對在背面玻璃基板未露出的不良基板無 損害》 第5B圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 裝置之其他的例子的圖。 玻璃基板再生裝置 20b是替代玻璃基板再生裝置 -18- 201012772 2 0a(第5A圓）的第1酸性液處理部22a，而設置第 處理部22b。第1酸性液處理部22b對從基板搬二 搬入之不良基板1的雙面噴射酸性液，並將金屬 玻璃基板再生裝置2Ob不僅第1A圖及第1B圖所 疊層構造的不良基板la及lb，而且適合處理第 1 E圖。 在已投入第1C圖所示之不良基板1C的情況 酸性液處理部22b，對不良基板lc的雙面噴射酸 ® 將表面之透明電極5和背面的金屣膜9之雙方剝 在第1鹼性液處理部28將最下層的樹脂層剝離， 璃基板2。 在已投入第1D圖及第1E圖所示之不良基板 的情況，在第1酸性液處理部22b，對不良基板 噴射酸性液，而將背面之透明電極34剝離。然卷 鹸性液處理部28將玻璃基板2上的樹脂層（PS6、 敷層33、BM3、著色像素4)剝離，而再生玻璃基 W 在第1<：圖~第1£圖所示之構造，在玻璃基 面上直接形成金屬膜（ITO膜）。在此狀態，最初進 理時，鹼性處理液滲入金屬膜之多孔狀之結晶的 蝕玻璃基板2。由於在玻璃基板2的背面上產生 璃表面部分和被侵蝕部分，玻璃基板2的表面成 狀，而無法將玻璃基板2再用作基材。因此，在t 裝置，首先，進行酸性液處理，並將在玻璃基板 所直接形成之金屬膜剝離。在已將不良基板Ιο ί 酸性液 、部2 1所 膜剝離。 示之具有 1C圖~第 ,，在第1 性液，而 離。然後， 而再生玻 [Id 及 le Id的雙面 I，在第1 VA7、過 板2 〇 板2的背 行鹼性處 間隙而侵 本來之玻 爲毛玻璃 I 5B圖的 2的表面 le投入第 -19- 201012772 1酸性液處理部22a或22b的情況，雖然在第2鹼性液處 理部28處理所再生的玻璃基板2(素玻璃之狀態），但是因 爲該處理時間短，所以抑制對玻璃基板2的侵蝕。 又，在對第1C圖〜第1E圖所示之構造的不良基板 1 1 e進行再生的情況，能以1次的酸性液處理和1次的 鹼性液處理再生玻璃基板2。因此，亦可替代將不良基板 lc〜le投入第1酸性液處理部22a或22b，而從基板搬入部 21投入第2酸性液處理部26。另一方面，在將不良基板 G lc~le直接投入第2酸性液處理部26的情況，因爲不進行 不要的鹼性液處理，所以可將基本的侵蝕抑制成最小限度。 又，在第5A圖及第5B圖之構成例，雖然第2酸性液 處理部26對不良基板的雙面噴射酸性液，但是亦可如以下 所示構成第2酸性液處理部。 第6圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 裝置之其他的例子的圖。 第6圖所示之玻璃基板再生裝置20c具備有：一對第 ® 2酸性液處理部26a及26b，係配置於第1鹼性液處理部 24和第2鹼性液處理部28之間，並僅對不良基板的一個 面噴出酸性液；及一對水沖洗部27a及27b，係配置於各 個第2酸性液處理部26a及26b的正後。又，在水沖洗部 27a與第2酸性液處理部26b之間、水沖洗部27b與第2 鹼性液處理部28之間，設置用以使不良基板的表裡反轉之 未圖示的反轉機構。即使如此地構成，亦和第4圖的裝置 一樣，可將形成於玻璃基板之背面的金屬膜9剝離。此外， -20- 201012772 在第6圖的例子’亦可替代第1酸性液處理部22a，而採 用向不良基板的雙面排出酸性液的第1酸性液處理部 22b(第 5B 圖）。 如以上之說明所示，若依據本實施形態的玻璃基板再 生裝置2 0a及2 0b，可和不良基板之叠層構造無關，從各 種種類的不良基板再生玻璃基板。 (第2實施例） 以下，作爲第2實施例，表示使用第5A圖之玻璃基板 Ο 再生裝置20a的情況之具體的處理條件。此外’在第1及 第2鹼性液處理步驟所使用的鹸性液及在第1及第2酸性 液處理步驟所使用的酸性液係和該第1實施例一樣的。 -21- 201012772 [第2表] 第1酸性液 第1鹼性液處 第2酸性液處 第2鹼性液處 處理(排出壓 理(排出壓力： 理（排出壓 理(排出壓力： 殘渣（ 殘渣（透 明電極） 殘渣(B 力：0.15MPa) O.IMPa) 力：0.15MPa) O.IMPa) PS 、V Μ、 RG 條件 溫度 時間 溫度 時間 溫度 時間 溫度 時間 A) Β) NO. ΓΟ (秒） rc) (秒） (。。） (秒） rc) (秒） 1 60 180 50 180 60 180 65 180 〇 〇 X 2 个 个 个 个 个 个 个 210 〇 〇 X 3 个 个 个 t t 个 t 240 〇 〇 〇 4 个 个 ί t 个 个 个 270 〇 〇 〇 5 55 150 50 180 55 150 个 个 〇 X X 6 个 180 个 t 个 180 t 个 〇 〇 〇 7 65 120 个 个 65 120 个 t 〇 X X 8 65 150 t 个 65 150 个 t 〇 〇 〇 9 60 180 30 60 60 180 个 个 X X X 10 t t 个 90 t t t t 〇 〇 〇 11 个 个 40 60 个 个 个 t 〇 〇 〇 12 t t 个 90 t t t 个 〇 〇 〇 13 个 个 50 60 t 个 个 个 〇 〇 〇

第2表表示改變藥液的排出條件（溫度、排出時間）， 並根據「〇:無殘渣，X:有殘渣」而評估在剝離處理後各 層有無殘渣的結果。此時，在第1及第2鹼性液處理部之 鹼性液的排出壓力都設爲〇.1 MPa，而在第1及第2酸性液 處理部的排出壓力設爲〇.15MPa。此外，表中之向上的箭 號「T」表示値和上面的列相同。 如從條件9~13可知，在第1鹼性液處理部之鹼性液的 -22- 201012772 排出壓力爲0.1 MPa的情況，最上層的樹脂層（PS、VA)在液 溫40°C、排出時間60秒以上的條件、或液溫30°C、排出時 間90秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。 如從條件5〜8可知，在第1及第2酸性液處理部之酸 性液的排出壓力爲0.1 5 MPa的情況，透明電極及提出成膜 條件用的金屬膜，在液溫55t、排出時間180秒以上的條 件、或液溫65 °C、排出時間1 50秒以上的條件完全地被剝 離，亦未產生殘渣。 © 如從條件1〜4可知，在第2鹼性液處理部之鹼性液的 排出壓力爲0.1 MPa的情況，最下層的樹脂層（BM、著色像 素）在液溫65°C、排出時間240秒以上的條件完全地被剝 離，亦未產生殘渣。 (第3實施形態） 第7圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理單 元的示意構成圖。 鹼性液處理單元40a是爲了從不良基板再生玻璃基 W 板，而用以將玻璃基板上的樹脂層（PS6、VA7、BM3、著色 像素4)剝離的裝置。鹸性液處理單元40a可利用上述之第 1及第2的各實施形態的玻璃基板再生裝置所具備之第1 及第2鹼性液處理部的一方或雙方。 鹼性液處理單元40a具備有沿著不良基板之搬運方向 串列地配置，並可對不良基板獨立地進行剝離處理之一對 處理部41a與41b、鹼性液補充槽42、剝離液補充槽43以 及回收盤44a與44b。 -23- 201012772 處理部41a包含有··儲存處理液的儲存槽45a、對不良 基板排出處理液的噴嘴46a、經由配管47a而向噴嘴46a 供給儲存槽45a內之處理液的泵48a以及刷並清潔基板表 面的刷子（未圖示）。處理部41b包含有：配置於處理部41a 的下游並和設置於處理部41a—樣的儲存槽45b、噴嘴 4 6b、經由配管4 7b而向噴嘴4 6b供給處理液的泵48b以及 清潔用刷子（未圖示）。 在處理部41a，由泵48a向噴嘴46a供給儲存槽45a © 內的處理液，而從噴嘴46a向不良基板1的表面如淋浴般 排出。然後，利用未圖示的刷子刷不良基板1的表面，藉 此將樹脂層的一部分剝離。從回收盤44a將不良基板1的 清潔所使用的處理液及剝離樹脂經由配管49a而回收至儲 存槽45a。使剝離樹脂在儲存槽45a內沈澱後，從配管50a 向外部排出。或者，亦可將過濾機構設置於配管49a的途 中或儲存槽45a內，除去處理液中的樹脂。 在處理部41b亦一樣，由泵4 8b向噴嘴4 6b供給儲存 W 槽45b內的處理液，而從噴嘴46b向不良基板1的表面如 淋洛般排出。利用未圖示的刷子刷不良基板1的表面，藉 此將殘留的樹脂層剝離。從回收盤4 4b將清潔所使用的處 理液及剝離樹脂經由配管49b而回收至儲存槽45b。使剝 離樹脂在儲存槽45b內沈澱後，從配管50b向外部排出。 或者，亦可將過濾機構設置於配管4 9b的途中或儲存槽45b 內，除去處理液中的樹脂。 在儲存槽45a及45b，預先儲存被調整至既定濃度的 -24- 201012772 處理液，利用未圖示的測量裝置每隔固定時間監視其內部 的處理液濃度。在儲存槽45 a內之處理液濃度降低的情 況，從鹼性液補充槽42及剝離液補充槽43經由配管51a 及52，向儲存槽45 a補充鹼性液及剝離液，而調整儲存槽 45a內之處理液濃度。另一方面，在儲存槽45b內之處理 液濃度降低的情況，從鹼性液補充槽42經由配管51b，向 儲存槽45b補充鹼性液，而調整儲存槽4 5b內之處理液濃 度。 ® 又，亦可替代第7圖所示的鹼性液處理單元40a，而 採用如下所示之構成。 第8圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理單 元之其他的例子的圖。 鹼性液處理單元40b是對和第7圖所示者一樣的處理 部41a及41b，分別設置鹼性液補充槽42a及42b、剝離液 補充槽43a及43b。 » 在第8圖所示之鹼性液處理單元41b，在儲存槽45a ® 及45b內的處理液濃度降低的情況，從鹼性液補充槽42a 及42b經由配管51a及51b而向儲存槽45a及45b供給鹼 性液。又，從剝離液補充槽43a及43b經由配管52a及52b， 而向儲存槽45a及45b供給剝離液。 在第7圖及第8圖所示的鹼性液處理單元40a及40b， 在處理部41a和處理部41b，處理液之成分或濃度的至少 一方相異。具體而言，在第7圖之構成，藉由將剝離液僅 和在上游側的處理部41a所使用的處理液混合，而在處理 -25- 201012772 部41a及41b所使用之處理液的成分相異。又，亦可使在 下游側的處理部41b所使用的處理液所含之鹼性液濃度比 處理部41a的低（第7圖及第8圖），或在下游側的處理部 所使用的處理液所含之剝離液濃度比處理部41a的低（第8 圖）。 若如此隨著從上游往下游，使處理液的濃度（鹼性液濃 度、剝離液濃度）變低，則可高效率地使用鹼性液或剝離 液。即，在應剝離之樹脂量最多之鹼性液處理的起始階段， © 以濃度比較高的處理液強力地進行剝離處理，在隨著剝離 處理進展而樹脂量減少後的階段，以低濃度的處理液進行 剝離處理。結果，和使用固定濃度之處理液的情況相比， 因爲可減少鹸性液及剝離液的用量，所以可降低玻璃基板 再生所需的費用。又，藉由使處理液濃度逐漸降低，而可 縮短玻璃基板曝露於高濃度處理液的時間，結果，可防止 鹼性成分對玻璃基板的損傷。 此外，在上述的說明，雖然表示藉由來自噴嘴46a及 ® 46之處理液的排出和清潔刷之刷掉的組合而處理不良基板 的例子，但是作爲在處理部41a及41b之樹脂層的剝離處 理部，可採用任何的構成。例如，亦可以既定壓力對不良 基板噴射處理液，在使樹脂膜剝離某程度後，以海綿刷表 面而進行清潔。又，亦可替代清潔刷，而使用海綿輥。或 者，在使不良基板浸泡於處理液中之狀態下搬運，然後， 以高壓對不良基板噴射處理液，而將樹脂膜剝離、除去。 又，在第7圖及第8圖的例子，雖然說明使用2個處 -26- 201012772 理部41a及41b構成鹼性液處理單元的例子，但是只要複 數個處理部串列地配置即可，處理部的個數只要2個以上 良口可。 (第3~第6實施例） 以下，作爲第3〜第6實施例，表示使用第7圖之鹸性 液處理單元40 a的情況（更詳細說明之，將第7圖之鹼性液 處理單元40a應用於第3圖所示之玻璃基板再生裝置的第 1鹼性液處理部12及第2鹸性液處理部16的情況）之具體 ® 的處理條件。又，作爲比較例，表示使用第18圖所示之構 成的玻璃基板再生裝置之情況的處理條件。此外，第18圖 所示的噴嘴是將第7圖所示的噴嘴串列地連接者。 作爲處理對象的基板，使用將BM、著色像素、ITO透 明電極、PS以及VA形成於由無鹼性玻璃所構成之玻璃基 板（尺寸：2 1 6 0 m m X 2 4 6 0 m m、厚度：0.7 m m)者（第 1 A 圖）。 鹼性液的成分如以下所示。又在第1鹼性液處理部12 及第2鹼性液處理部16使用同一處理液。 ❹ (1)處理液1(上游側的處理部41a用）： 無機鹼（氫氧化鉀） 11重量％ 有機鹼（單乙醇胺、三乙醇胺） 20重量％ 乙二醇醚 2 8重量％ 苯甲基乙醇 8重量％ 水 3 3重量％ (2)處理液2(下游側的處理部41b用）： 無機鹼（氫氧化鉀） 11重量％ -27- 201012772 水 8 9重量％ 在第1及第2鹸性液處理部之處理液的溫度如以下所 示。 (1) 第3實施例：55°c

(2) 第4實施例：45°C

(3) 第5實施例：60°C

(4) 第6實施例：65°C 又，在第1鹼性液處理部及第2鹼性液處理部的處理 ® 是如以下所示進行。一面從噴嘴以排出壓力O.IMPa的淋浴 排出，一面利用刷子將處理對象基板進行清潔，並將樹脂 槽（PS、VA、BM、著色像素）剝離除去。將基板的搬運速度 設爲1 000mm/分鐘，將上游側及下游側之處理部的處理時 間都設爲90秒（總處理時間爲180秒）。 (比較例） 在比較例，使用成分和上述之處理液1相同的處理 液。一面從噴嘴以排出壓力O.IMPa的淋浴排出55°c的處理 ^ 液，一面利用刷子清潔處理對象基板，而將PS、VA剝離、 除去。將基板的搬運速度設爲100 Omm/分鐘，將處理時間 設爲1 8 0秒。 此外，在酸性液處理步驟，使用周知的處理裝置或處 理液將透明電極膜剝離、除去。 關於在第3〜6實施例及比較例所再生的玻璃基板，利 用目視檢査，確認殘渣的附著或有無斑點，並根據元素分 析而進行銦的檢測、表面粗糙度測量。在第1〜4實施例及 -28- 201012772 比較例所再生的玻璃基板，都未看到殘渣的附著或斑點， 並未檢測到銦。玻璃基板的表面粗糙度在第3~6實施例爲 0.50 1nm，而在比較例爲0.544nm，都滿足玻璃基板的品質 基準。如此，在第3 ~6實施例，將鹼性液處理部二分割成 上游側的處理部及下游側的處理部，雖然在下游側的處理 部使用鹼性液濃度低的處理液，但是已確認可無問題地再 生玻璃基板。 (第4實施形態） 第9圖係表示本發明之第4實施形態之搬運裝置的一 部分的立體圖，第10圖係從第9圖之K —IX線所看到的圖》 搬運裝置60具備有：在各個上端部支持不良基板1之 下面的複數個輥61、及使各個輥61繞中心軸轉動的驅動 機構（未圖示）。各個輥61每隔固定間隔配置成中心軸彼此 平行，藉由驅動機構轉動，而朝向各個中心軸相連的方向 (第9圖及第10圖的左右方向）搬運不良基板1。 又，在輥61之上端部的下方，設置橡皮刮62，其用 以刮取附著於輥61的液體62。橡皮刮62具有在輥61之 軸向伸長之長板形，其一片在和輥61的外面抵接之狀態被 固定。在橡皮刮62及輥61之接觸部分的下方，如第1〇圖 所示，設置液承部63，其用以接受由橡皮刮62所刮取而 掉下的液體67。由液承部63所接受的液體67被儲存於回 收槽64。 爲了處理在輥61上移動的不良基板1，而從噴嘴65 向不良基板1排出處理液66。包含有所排出的處理液及所 -29- 201012772 剝離之各層的材料的液體繞至不良基板1的下面，而附著 於輥61。 亦如在上述之第1及第2實施形態的說明所示，在本 發明的玻璃基板再生裝置，不是採用將複數片不良基板一 起浸泡於處理液的浸泡方式，而是採用一面逐片搬運不良 基板一面進行逐次處理的逐片搬運方式。在此逐片搬運方 式，有在再生處理所剝離的光阻劑或ITO等附著於輥61 後，再轉印並固接於再生基板並變成異物的問題。因此， ® 以往除了在沖水步驟需要對基板的雙面噴射水並仔細地進 行清潔以外，還需要在短間隔清潔搬運裝置，具有維修性 不佳的問題。 在本實施形態的搬運裝置60，因爲橡皮刮62接觸輥 61的表面，所以隨著輥61的轉動而除去附著於輥61之表 面的液體。結果，抑制除去物再附著於玻璃基板，而可防 止在某步驟的除去物被帶入其他的步驟。在藉逐片搬運方 式的玻璃基板再生處理，因爲交互地進行酸處理及鹼處 理，雖然因在某步驟的除去物和下一步驟之處理液的混 合，而有引起剝離性能的降低或析出物之產生的情況，但 是若依據本實施形態的搬運裝置60,可防止那種不良。又， 因爲可高效率地回收由輥61所刮取的液體67，所以亦可 提高搬運裝置60的維修性或減輕對過濾器的負荷。此外’ 亦可大量地減少沖水時所使用的水量。 此外，橡皮刮62的材質只要和處理液不反應者即可， 可利用彈性體或超高分子量聚乙烯、聚醛、聚四氯代乙烯 -30- 201012772 等。尤其，因爲橡皮刮62是以被壓在輥61之狀態固定’ 所以使用耐磨性優異的材料較佳。 又，雖然亦可對全部的輥61設置橡皮刮62，但是以 常發生液體之繞入的部分爲中心對一部分的輥61設置的 效率高。 此外，在搬運裝置60，除了指示基板之下面的輥61 以外，有還設置從上壓住所搬運之基板的上部輥的情況。 對此上部輥，亦可一樣地安裝橡皮刮。如此構成時，因爲 ® 可除去已附著於上部輥的液體，所以可更加提高在將橡皮 刮62安裝於輥61的情況所得之效果。 (第5實施形態） 第11圖係表示本發明之第5實施形態之玻璃基板再生 裝置的圖，第12圖係表示第11圖所示之透過型光感測器 的示意構成圖。此外，在第11圖，箭號表示基板的搬運方 向。 本實施形態的玻璃基板再生裝置還具備有：判定部 ^ 70,係判定不良基板上是否有透明電極；及分配部71，係 分配不良基板的搬運目的地》 判定部70包含有透光型感測器72 »透光型感測器72 具有射出第1波長之光的光源73a、射出和第1波長相異 之第2波長之光的光源73b、檢測第1波長之光強度的光 感測器74a以及檢測第2波長之光強度的光感測器74b。 判定部70使用透光型感測器72，感測不良基板1中之素 玻璃（未被BM及著色像素覆蓋的部分）部分上之複數個點 -31- 201012772 的透過率並判定有無透明電極5。 具體而言，作爲第1波長及第2波長，使用藍色區域 的450nm及綠色區域的6 0 0nm。若將從言些波長的光源所 射出並僅透過玻璃基板2之光的透過率設爲100%，則透過 透明電極5及玻璃基板 2的雙方之光的透過率變成 92〜95 %。因此，若在不良基板1上的複數個點檢測此2波 長的透過率，可判定有無透明電極。 在判定部7〇判定在不良基板上有透明電極的情況，分 ® 配部71將不良基板投入第1鹼性液處理部12。因此，在 此情況，所投入之不良基板經由第1鹼性液處理部12'酸 性液處理部14以及第2鹸性液處理部16各層依序被剝 離，再生玻璃基板。另一方面，在判定部70判定在不良基 板上無透明電極的情況，分配部71將不良基板投入第2鹸 性液處理部16»因此，在此情況，所投入之不良基板只在 第2鹼性液處理部16而被進行剝離處理，再生玻璃基板。 如上述所示，在彩色濾光器的製程，產生具有各種疊 W 層構造的不良基板。另一方面，玻璃基板再生處理的步驟 大致分成將樹脂光阻劑剝離的鹼性液處理、和將金屬膜（透 明電極）剝離的酸處理。雖然無金靥膜的不良基板，即在玻 璃基板上形成有BM、著色像素之一部分或全部的不良基 板，只進行第2鹼性液處理，就可再生玻璃基板，但是一 樣地處理所有的種類的基板時，需要浪費地進行本來不必 要的第1鹼性液處理或酸性液處理。 若依據本實施形態的玻璃基板再生裝置，可著眼於不 -32- 201012772 良基板上有無透明電極，而高效率地進行不需要酸性液處 理之不良基板的再生處理。又，藉由對無透明電板的不良 基板不進行不必要的酸性液處理，而可抑制從酸性液處理 部向第2鹼性液處理部不必要地帶入酸性液。因而，可延 遲第2鹼性液處理部之處理液的劣化速度。 此外，在本實施形態，雖然說明對第1實施形態的玻 璃基板再生裝置附加判定部70及分配部71的例子，但是 亦可對第2實施形態的玻璃基板再生裝置亦一樣地附加判 ® 定部70及分配部71。 (第6實施形態） 第13圖係表示本發明之第6實施形態之玻璃基板再生 裝置的圖。 本實施形態的玻璃基板再生裝置除了第1實施形態的 玻璃基板再生裝置10以外，還具備有蝕刻液管理部75a、 和蝕刻液供排部8 1。 蝕刻液管理部75a包含有：用以測量不良基板表面之 透明電極的膜厚的接觸式表面形狀量測部7 6、和算出所測 量之膜厚的累計値的累計計算/判定部77。 接觸式表面形狀量測部76以接觸式的針掃描處理對 象基板上的透明電極膜表面，再根據玻璃基板和透明電極 膜表面的段差，而測量透明電極膜的膜厚。此測量時的針 壓是約3mg，掃描速度是約50pm/sec。 累計計算/判定部77將接觸式表面形狀量測部76所測 量之各基板上之透明電極膜的膜厚累計，算出累計膜厚。 -33- 201012772 累計計算/判定部77比較表示成爲蝕刻液之補充或更換時 期的基準之累計膜厚的基準値（是預設的値）、和所算出之 累計膜厚，並判定所算出之累計膜厚是否超過基準値。在 所算出之累計膜厚超過基準値的情況，累計計算/判定部77 經由傳送線路80向酸性液處理部14及蝕刻液供排部81指 示鈾刻液之補充或更換。 蝕刻液供排部81具備有經由配管並按照此順序所連接 的過濾器82、泵83、中繼槽84、電磁閥85以及流量計86 ❹ 。過濾器82經由配管89而和酸性液處理部14內的儲存槽 79連接。在流量計86,連接蝕刻液供排用的配管87,在 中繼槽84，連接廢液排出用的配管88» 在對酸性液處理部14供給蝕刻液時，將經由配管87 所供給的蝕刻液暫時儲存於中繼槽84後，使用泵83向儲 存槽79送出中繼槽84內的蝕刻液。另一方面，在排出酸 性液處理部14的蝕刻液時，將儲存槽79內的蝕刻液一度 ^ 向中繼槽84排出後，經由配管88而從中繼槽84向外部排 出。 作爲用以剝離ITO等之透明電極的蝕刻液，例如使用 鹽酸和硝酸的混合液、或氯化亞鐵和鹽酸的混合液、或稀 鹽酸等的酸性液。因爲蝕刻液每次進行剝離處理就逐漸疲 勞’所以需要在適當的時期進行補充或更換。在彩色濾光 器製程所產生之不良基板上之透明電極膜的膜厚一般是約 14 0nm。因此，若所有的不良基板之透明電極膜的膜厚是大 致定値，藉由計數對酸性液處理部所投入之不良基板的片 -34- 201012772 數，而可計算此蝕刻液之補充或更換的時期。 可是，實際上，在處理對象基板中，存在透明電極膜 的膜厚比在一般之製程所形成的厚度更厚者。 更詳細說明之，在因維修等而使用以形成透明電極膜 的濺鍍裝置暫停後，要再運轉時，預先使用提出萌膜條件 用的玻璃基板（以下稱爲「假基板」）來確認成膜條件。此 假基板在爲了提出成膜條件而重複利用後，被供給所叠層 之透明電極的剝離處理，而再生玻璃基板。 假基板上之透明電極膜的膜厚是一般之膜厚的數倍~ 數十倍。因此，將假基板投入酸性液處理部時，不管投入 片數，蝕刻液的疲勞極快地進展。結果，酸性液處理部的 處理性能降低，具有產生透明電極膜之除去不良的可能性。 因此，本實施形態的玻璃基板再生裝置利用蝕刻液管 理部75a，根據在被投入酸性液處理部的基板上所形成之 透明電極膜之實際的厚度，而管理蝕刻液的疲勞程度，並 在適當的時序進行鈾刻液之補充或更換。 以某固定量的蝕刻液（具有既定之成分）可剝離之透明 電極膜的最大量（體積）是大致定値。因此，在處理對象基 板及透明電極膜的面積是定値的情況，若已知透明電極膜 的面積和蝕刻液的成分及量，就能以透明電極膜的厚度表 達蝕刻液的蝕刻性能（基準値）。因此，藉由累計計算/判定 部77累計使用表面形狀量測部76所測量之厚度，而可掌 握適當之蝕刻液的補充、更換時期。 又，即使在玻璃基板的尺寸不是定値的情況，亦爲了 -35- 201012772 可管理蝕刻液，亦可採用如下之構成。 第14圖係表示本發明之第6實施形態之蝕刻液管理部 之其他的例子的圖。 蝕刻液管理部75b除了第13圖所示之蝕刻液管理部 75a之構成以外，還具備有面積測量部78。面積測量部78 測量所投入之基板的面積，並向累計計算/判定部77輸出 所測量的面積。此外，在藉面積測量部78之面積的測量， 可利用分析以相機所拍攝之圖像並算出面積的方法等周知 ®之各種方法。 累計計算/判定部77算出對接觸式表面形狀量測部76 所測量之某基板上之透明電極膜的厚度乘以由面積測量部 78所測量之該基板的面積的値。累計計算/判定部77將藉 乘法所得之値（相當於體積）累計，而求得累計値。又，作 爲表示蝕刻液之補充或更換時期之基準的値，累計計算/判 定部77使用可剝離之透明電極膜的最大量（對應於透明電 極膜之膜厚和面積相乘的値）。累計計算/判定部77在判定 所算出之累計値超過此基準値的情況，經由傳送線路80, 向酸性液處理部14及蝕刻液供排部81指示蝕刻液之補充 或更換。 若使用第14圖的蝕刻液管理部75b來構成玻璃基板再 生裝置，即使在酸性液處理部14所投入的不良基板或假基 板的尺寸變更的情況，亦可確實地判定蝕刻液之補充或更 換的時期。 此外，除了上述之第13圖及第14圖之構成以外，如 -36- 201012772 以下所示構成酸性液處理部14較佳。 一般，隨著蝕刻液的疲勞，而蝕刻所需的時間變長。 另一方面，藉由提高蝕刻液的濃度而提高蝕刻的反應性。 因此，將昇溫裝置設置於酸性液處理部14的任一個位 置，而因應於蝕刻液的疲勞程度使液溫分段地上昇。根據 所剝離之透明電極膜的量（體積）而定義蝕刻液的疲勞程 度，並設定分段之複數個臨限値和與各個臨限値對應的液 溫。然後，累計計算/判定部77判定所求得之累計値是否 ❹ 超過所設定之臨限値，在所求得之累計値超過某臨限値的 情況，累計計算/判定部77對酸性液處理部14下指示，使 蝕刻液的溫度上昇至對該某臨限値所設定之液溫爲止。 例如，如第13圖之構成所示，在根據累計膜厚而管理 蝕刻液的情況，如以下的第3表所示，設定複數個累計膜 厚値（臨限値）和與其對應的液溫。藉由每當由累計計算/判 定部77所算出之累計膜厚超過各臨限値時使液溫上昇，而 可將處理時間保持定値，同時可高效率地用完疲勞的蝕刻

[第3表] 處理階段 累計膜厚 液溫 處理時間 初期 〜3〇xl03nm 5 5〇C 180秒 中期 3〇x103nm〜6〇xl03nm 6 0°C 180秒 末期 6〇χ 103nm~ 6 5〇C 180秒 -37- 201012772 此外，如第14圖之構成所示，在根據膜厚和基板面積 的乘積的累計値而管理蝕刻液的情況，可替代累計膜厚， 而將相當於所剝離之透明電極膜之量的値（對應於透明電 極膜之膜厚和面積之乘積的値）設爲臨限値。 又，蝕刻液管理部75a及75b在所算出之累計値超過 既定之基準値的情況，使位於酸性液處理部14之上游及下 游的各處理部停止動作較佳。在此情況，在更換儲存槽79 內的蝕刻液時，可防止從上游的裝置搬來基板，或將未完 ® 成酸性液處理的基板搬至下游的裝置。 此外，上述之各實施形態的構成是可任意地組合。即， 可將第3實施形態的鹼性液處理單元、第4實施形態的搬 運裝置、第5實施形態的分配機構、第6實施形態的蝕刻 液（酸性液）管理機構之任意的幾個和第1及第2實施形態 的玻璃基板再生裝置自由地組合。 (工業上的可應用性） 本發明可利用於玻璃基板再生裝置，其從在液晶顯示 裝置等之彩色濾光器製程所產生的不良基板再生玻璃基 板。 【圈式簡單說明】 第1A圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板 之一例的剖面圖。 第1B圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板 之其他的例子的剖面圖。 第1C圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板 -38- 201012772 之其他的例子的剖面圖。 第1D圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板 之其他的例子的剖面圖。 第1E圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板 之其他的例子的剖面圖。 第2圖係表示本發明之第丨實施形態之玻璃基板再生 方法的流程圖。 第3圖係表示本發明之第丨實施形態之玻璃基板再生 ® 裝置的示意構成圖。 第4圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 方法的流程圖。 第5A圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 裝置的示意構成圖。 第5B圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 裝置之其他的例子的圖。 第6圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生 ® 裝置之其他的例子的圖。 第7圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理部 的示意構成圖。 第8圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理部 之其他的例子的圖。 第9圖係表示本發明之第4實施形態之搬運裝置的圖。 第10圖係從第9圖之κ_Κ線所看到的圖。 第11圖係表示本發明之第5實施形態之玻璃基板再生 -39- 201012772 裝置的圖。 第12圖係表不第11圖所示之透過型光感測器的示意 構成圖。 第13圖係表示本發明之第6實施形態之玻璃基板再生 裝置的圖。 第14圖係表示本發明之第6實施形態之蝕刻液管理部 之其他的例子的圖。 第15圖係表示彩色液晶顯示裝置所使用之彩色濾光 ® 器之一例的剖面圖。 第16圖係表示光蝕刻法之各步驟的流程圖。 第17圖係表示彩色濾光器用玻璃基板之再生處理的 流程圖。 第18圖係表示以往之玻璃基板再生裝置的圖。 【主要元件符號說明】 1 不 良 基 板 2 玻 璃 基 板 3 黑 陣 列（BM) 4 著 色 像 素 5 透 明 電 極 6 光 間 隔 片（PS) 7 粒 子 對 準 8 金 靥 膜 9 金 靥 膜 10 璃 基 板 再生裝置 -40- 201012772

12 第 1 暇 性 液 處 理 部 14 酸 性 液 處 理 部 16 第 2 驗 性 液 處 理 部 20 玻 璃 基 板 再 生 裝 置 22 第 1 酸 性 液 處 理 部 24 第 1 .ftA. 鹼 性 液 處 理 部 26 第 2 酸 性 液 處 理 部 28 第 2 驗 性 液 處 理 部 40 鹼 性 液 處 理 單 元 4 1 處 理 部 60 搬 運 裝 置 6 1 輥 62 橡 皮 刮 70 判 定 部 7 1 分 配 部 75 蝕 刻 液 管 理 部 76 表 面 形 狀 量 測 部 77 累 計 計 算 /判定部 8 1 蝕 刻 液 供 排 部 -41 -

Claims (1)

1. 201012772 七、申請專利範圍： 1. 一種玻璃基板再生裝置，其一面搬運在玻璃基板上形成 有由樹脂及金屬之任一個所構成之1層以上的層的不良 基板，一面從該不良基板再生該玻璃基板，該裝置至少 具備有： 第1鹼性液處理部，係以鹼性液處理該不良基板， 並將位於該不良基板之表面的第1樹脂層剝離； 第1酸性液處理部，係設置於該第1鹼性液處理部 0 的下游，以酸性液處理該不良基板，並將位於該不良基 板之表面的金屬膜剝離；以及 第2鹸性液處理部，係設置於該酸性液處理部的下 游，以鹼性液處理該不良基板，並將位於該玻璃基板之 表面的第2樹脂層剝離。 2. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具 備有第2酸性液處理部，其設置於該第1鹼性液處理部 的上游，以酸性液處理該不良基板，並將位於該不良基 φ 板之表面的金屬層剝離。 3. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中在該 第1及第2鹼性液處理部的至少一方，串列地設置藉由 該鹼性液處理該基板的複數個處理手段。 4. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中 具備有搬運機構，其包含有複數個輥，而該輥在各 個上端部支持該不良基板的下面，並藉由各自繞中心軸 轉動而搬運該不良基板； 設置橡皮刮，其配置於較該輥之該上端部下方之 -42- 201012772 處，並接觸該輥的表面，以除去該輥之表面的液體。 5. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具 備有： 判定部，係在將該不良基板投入該玻璃基板再生裝 置之前，檢測在該不良基板上之複數個點之既定波長的 光的透過率，並根據檢測結果，判定在該不良基板上是 否有該金屬層；及 分配部，係在該判定部判定在該不良基板上有該金 〇 屬層的情況，將該不良基板投入該第1鹼性液處理部， 而在該判定部判定在該不良基板上無該金屬層的情況， 將該不良基板投入該第2鹼性液處理部。 6. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具 備有： 接觸式表面形狀量測部，係對被投入該第1酸性液 處理部之各個該不良基板，測量位於表面之該金屬層的 厚度；及 φ 累計計算/判定部，係將由該接觸式表面形狀量測部 所測量之金屬層的厚度累計，算出累計膜厚，並因應於 所算出之累計膜厚，而控制該第1酸性液處理部的處理 時間及處理溫度，在所算出之累計膜厚超過既定値的情 況，使該第1酸性液處理部之上游側及下游側的處理部 停止。 -43-