JP2007158202A - 半導体製造装置、半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法、及び、半導体製造装置のプリメンテナンス方法 - Google Patents
半導体製造装置、半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法、及び、半導体製造装置のプリメンテナンス方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007158202A JP2007158202A JP2005354297A JP2005354297A JP2007158202A JP 2007158202 A JP2007158202 A JP 2007158202A JP 2005354297 A JP2005354297 A JP 2005354297A JP 2005354297 A JP2005354297 A JP 2005354297A JP 2007158202 A JP2007158202 A JP 2007158202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- back surface
- backside
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】 裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハ5を製品用ウェハ3とは別個に格納できる裏面ウェハ格納部6と、格納した裏面ウェハ5をステージ1上に搬送する搬送機構2とを備える。
【選択図】 図1
Description
即ち、従来の200mmウェハの場合には、裏面は粗研磨状態であることが一般的であったが、設計ルールの微細化とともに大口径ウェハが使用されるようになったため、300mmウェハでは表面の平坦度の要求スペックを満たすために裏面も鏡面研磨している。 なお、現在は、200mmウェハの場合にも表面の平坦度の要求スペックを満たすために裏面も鏡面研磨する場合がある。
なお、図1における符号4は、製品用ウェハ格納部である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、半導体製造装置において、裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハ5を製品用ウェハ3とは別個に格納できる裏面ウェハ格納部6と、格納した裏面ウェハ5をステージ1上に搬送する搬送機構2とを備えたことを特徴とする。
なお、搬送機構2としては、通常の製品用ウェハ3を搬送する搬送機構2が兼用できるように搬送機構2を設計すれば良い。
或いは、裏面ウェハ格納部6を、裏面ウェハ5を裏面を上面にして格納させたものと裏面ウェハ5を表面を上面にして格納させたものを別個に2つ設けても良い。
図2及び図3参照
図2及び図3は、本発明者による実験結果の説明図であり、図2は絶縁膜成膜プロセスを重ねたのちにテストウェハをステージ1上に載置したのちテストウェハの裏面に付着したパーティクル数のウェハ処理枚数依存性を示した図であり、図3はリソパターニング後の表面欠陥の数のウェハ処理枚数依存性を示した図である。
図4参照
図4は、本発明の実施例1の半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法を示すフローチャートであり、まず、
A.半導体製造装置を用いて所定の製造プロセス、例えば、成膜装置であれば成膜工程、エッチング装置であればエッチング工程を所定回数、例えば、10ロット処理を行う。
B.10ロット処理毎に裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハを裏面を上面としてステージ上に搬送して載置したのち、製造プロセスを行うことなく裏面ウェハを回収して裏面に付着したパーティクルや汚染を測定してデータプロットを行う。
C.この測定データに基づいて、ステージのクリーニング周期を決定する。
図5は裏面パーティクル測定結果のプロット図であり、裏面に付着したパーティクル数をゴミチェック測定器により測定し、この測定データに基づいて、ステージのクリーニング周期を決定する。
図から明らかなように処理枚数の増加とともに欠陥が増加する。
なお、欠陥数は、300mm裏面ウェハ一枚における欠陥数であり、欠陥とは直径が0.2μm以上のパーティクルを表す。
この場合、各製造装置によって異なるが、例えば、実績に基づいて管理値を5×1010atms/cm2 以下とする。
D.再び、半導体製造装置を用いて所定の製造プロセスを行い、Cで決定したクリーニング周期に自動的に裏面ウェハを搬送して、搬送チェック、パーティクルチェック、及び、コンタミチェックを行う。
D1 .ウェハロード用のポートに裏面を下面として裏面ウェハを収容した裏面ウェハキャリアを配置し、この裏面ウェハキャリアから裏面ウェハをステージ上に搬送したのち、製造プロセスは行わずに裏面ウェハを裏面ウェハキャリアにアンロードする。
D2 .ウェハロード用のポートに裏面を上面として裏面ウェハを収容した裏面ウェハキャリアを配置し、この裏面ウェハキャリアから裏面ウェハをステージ上に搬送したのち、製造プロセスは行わずに裏面ウェハを裏面ウェハキャリアにアンロードする。
D3 .パーティクルチェック後の裏面ウェハ対して、全反射蛍光X線で、ウェハ面内の5点を測定した検出した元素毎に平均値を採って個々の元素毎のコンタミ管理値内確認も行う。
この場合の管理値は、上述のように5×1010atms/cm2 以下とする。
E.裏面ウェハのパーティクルが付着した表面に対してSEM−EDX分析により異常物を分析し、構成要素を特定することによってその異常物の発生源を推測する。
F.推定した発生源に対して異常物を発生しないように設計変更或いは補修を行う。
例えば、パーティクル或いはコンタミである異常物が有機系或いは酸化物系であるかに分けて対象処置を実施する。
再び、図1参照
(付記1) 裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハ5を製品用ウェハ3とは別個に格納できる裏面ウェハ格納部6と、前記格納した裏面ウェハ5をステージ1上に搬送する搬送機構2とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
(付記2) 上記裏面ウェハ格納部6において、上記裏面ウェハ5を周期的に上下を反転させて格納していることを特徴とする付記1記載の半導体製造装置。
(付記3) 上記裏面ウェハ格納部6において、上記裏面ウェハ5を裏面を上面にして格納していることを特徴とする付記1記載の半導体製造装置。
(付記4) 上記ステージ1が、ウェハ吸着型ステージであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の半導体製造装置。
(付記5) 上記ステージ1が、エッジ把持型ステージであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の半導体製造装置。
(付記6) ステージ1上において製品用ウェハ3を用いた製造プロセスが予め設定した所定の回数を超えた時に、裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハ5を裏面を上面として前記ステージ1上に搬送してパーティクル・汚染チェックを行ってプリメンテナンス周期を決定し、決定したプリメンテナンス周期毎に前記裏面ウェハ5を裏面を上面として前記ステージ1上に搬送して搬送チェックを行ったのち、別の裏面ウェハ5を裏面を上面として前記ステージ1上に搬送して裏面測定及び裏面汚染チェックを行うことによりプリメンテナンス周期を適正化することを特徴とする半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法。
(付記7) 上記裏面ウェハ5が、表面側が酸化されている裏面ウェハ5であることを特徴とする付記6記載の半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法。
(付記8) 上記表面側が酸化されている裏面ウェハ5における酸化膜は、電荷を発生させた酸化膜であることを特徴とする付記7記載の半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法。
(付記9) ステージ1上において製品用ウェハ3を用いた製造プロセスが付記6に記載の半導体製造装置のプリメンテンナス周期決定方法によって決定したプリメンテナンス周期に達する毎にプリメンテナンスを行うことを特徴とする半導体製造装置のプリメンテナンス方法。
(付記10) ステージ1上において製品用ウェハ3を用いた製造プロセスが上記プリメンテンナンス周期に達した時に、前記ステージ1上に上記裏面ウェハ5を裏面が上面になるように搬送して前記ステージ1の表面のクリーニングのみを行うことを特徴とする付記9記載の半導体製造装置のプリメンテナンス方法。
2 搬送機構
3 製品用ウェハ
4 製品用ウェハ格納部
5 裏面ウェハ
6 裏面ウェハ格納部
Claims (5)
- 裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハを製品用ウェハとは別個に格納できる裏面ウェハ格納部と、前記格納した裏面ウェハをステージ上に搬送する搬送機構とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
- 上記裏面ウェハ格納部において、上記裏面ウェハを周期的に上下を反転させて格納していることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- ステージ上において製品用ウェハを用いた製造プロセスが予め設定した回数を超えたときに裏面を鏡面研磨するとともに表面を裏面より高い鏡面度に研磨した裏面ウェハを裏面を上面として前記ステージ上に搬送してパーティクル・汚染チェックを行ってプリメンテナンス周期を決定し、決定したプリメンテナンス周期に前記裏面ウェハを裏面を下面として前記ステージ上に搬送して搬送チェックを行ったのち、別の裏面ウェハを裏面を上面として前記ステージ上に搬送して裏面測定及び裏面汚染チェックを行って前記プリメンテナンス周期を適正化することを特徴とする半導体製造装置のプリメンテナンス方法。
- ステージ上において製品用ウェハを用いた製造プロセスが請求項3に記載の半導体製造装置のプリメンテナンス周期決定方法によって決定したプリメンテナンス周期に達する毎にプリメンテナンスを行うことを特徴とする半導体製造装置のプリメンテナンス方法。
- ステージ上において製品用ウェハを用いた製造プロセスが上述のプリメンテナンス周期に達した時に、前記ステージ上に上記裏面ウェハを裏面が上面になるように搬送して前記ステージの表面のクリーニングのみを行うことを特徴とする請求項4記載の半導体製造装置のプリメンテナンス方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005354297A JP4822048B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 半導体製造装置のプリメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005354297A JP4822048B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 半導体製造装置のプリメンテナンス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158202A true JP2007158202A (ja) | 2007-06-21 |
JP4822048B2 JP4822048B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38242121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005354297A Expired - Fee Related JP4822048B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 半導体製造装置のプリメンテナンス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4822048B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224580A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0574739A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 真空処理装置およびその運転方法 |
JPH1126339A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Chichibu Onoda Cement Corp | ダミーウェハ |
JP2002025980A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの製造方法 |
JP2006032427A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Applied Materials Inc | 基板処理装置及び静電チャックのクリーニング方法 |
-
2005
- 2005-12-08 JP JP2005354297A patent/JP4822048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0574739A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 真空処理装置およびその運転方法 |
JPH1126339A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Chichibu Onoda Cement Corp | ダミーウェハ |
JP2002025980A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの製造方法 |
JP2006032427A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Applied Materials Inc | 基板処理装置及び静電チャックのクリーニング方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224580A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4822048B2 (ja) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101752513B1 (ko) | 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP6345611B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体 | |
TWI493643B (zh) | 吸除光罩 | |
CN109712867B (zh) | 衬底载体劣化检测及修复 | |
US20080031510A1 (en) | Method of and apparatus for inspecting wafers in chemical mechanical polishing equipment | |
TWI497195B (zh) | 光罩基底用基板、光罩基底及光罩 | |
KR20070096951A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 액침 리소그래피 시스템 | |
TW201428873A (zh) | 處理設備及裝置製造方法 | |
US20140226136A1 (en) | Method and apparatus for cleaning photomask handling surfaces | |
JP2012104593A5 (ja) | ||
JP6002112B2 (ja) | 基板の欠陥分析装置、基板処理システム、基板の欠陥分析方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6573918B2 (ja) | ロールツーロールウエハ裏側粒子及び汚染の除去 | |
JP4822048B2 (ja) | 半導体製造装置のプリメンテナンス方法 | |
US20080318343A1 (en) | Wafer reclaim method based on wafer type | |
CN101656191B (zh) | 去除氮氧化硅膜的方法 | |
JP5899153B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
TWI462164B (zh) | 清潔晶圓載盤的方法 | |
JP2005286102A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JPH11224895A (ja) | パーティクル除去用円板治具及びこれを用いたパーティクル管理方法 | |
JP2015079072A (ja) | 基板割れ処理システムを搭載した露光装置 | |
JP2013102053A (ja) | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2008032702A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
KR101684572B1 (ko) | 포토 마스크 재생방법 | |
Leavey et al. | Mask and wafer inspection and cleaning for proximity x-ray lithography | |
JP2006186124A (ja) | 化学的機械的研磨方法および半導体ウエハの処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080730 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4822048 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |