TWI497195B - 光罩基底用基板、光罩基底及光罩 - Google Patents

Description

光罩基底用基板、光罩基底及光罩

本發明係關於一種光罩基底用基板，特別係關於一種用於製造FPD裝置之大型光罩基底用基板。

近年之電子裝置，特別是半導體元件及液晶顯示器用之彩色濾光器或TFT元件等，伴隨著IT技術之高速發展，被要求能作更進一步之微細化。支持如此之微細加工技術之技術之一係使用被稱為轉印光罩之光罩之微影技術。該微影技術係藉由使曝光用光源之電磁波或光波通過光罩而對附有抗蝕膜之矽晶圓等曝光，而於矽晶圓上形成微細之圖案。該光罩通常係於形成遮光性膜等薄膜於透光性基板上而成之光罩基底上，使用微影技術將前述薄膜圖案化，藉此形成作為轉印圖案之薄膜圖案而製成。

又，為達成圖案之微細化，提高作為用於製造光罩之原版之光罩基底之品質亦非常重要。半導體用之光罩，除對基板之主表面施以鏡面研磨外，尚對形成於基板之主表面周緣之端面亦實施研磨以成特定之鏡面。但，有關液晶顯示器、有機電激發光顯示器、電漿面板顯示器等平面顯示器(FPD：Flat Panel Display)之大型光罩，開發當初並未要求端面為鏡面，其端面係粗面之原狀。如此，端面為粗面之情形下，無法以洗淨而徹底除去附著於端面之研磨劑或玻璃成分等污物，洗淨後，此等污物會從彼處剝離而附著於基板之主表面或主表面上所形成之薄膜或抗蝕膜，成為粒子之產生要因，此係成品率低落之要因。

圖4係顯示大型光罩基底用基板之立體圖。該大型光罩基底用基板10具有表裏2個主表面11與4個端面T。為解決引起前述成品率惡化之問題，可考慮使大型光罩基底用基板10之端面T形成為鏡面。

但，於大型光罩基底用基板10開發當初，因大型光罩基底用基板10之處理難以機械化，故以人手夾持端面T之方式進行把持。該情形下，對端面T進行處理時，處理用手套與大型光罩基底用基板10間會打滑，以致會產生無法把持大型光罩基底用基板10之問題。

為解決前述問題，針對曝光用大型基板，例如曾有業者提案使端面具有基板濡濕之狀態下由人把持時不致滑落般之面粗度，具體而言係使端面之表面粗度Ra為0.05~0.4 μm左右(日本特開2005-37580號公報(專利文獻1))，或使端面之表面粗度Ra為例如0.03~0.3 μm(日本特開2005-300566號公報(專利文獻2))。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-37580號公報

專利文獻2：日本特開2005-300566號公報(發明專利第3934115號公報)

於專利文獻1、2所記載之曝光用大型基板，在該等基板申請時，FPD用等之大型光罩，轉印圖案線寬比較寬，相較於微小的顆粒附著於光罩基底所造成之不良影響，前述以外問題更為重要。

但，之後，即使大型光罩，轉印圖案線寬亦朝微細化進展，顆粒之影響難以忽視。又，伴隨FPD等之大型化及FPD製造之效率化，光罩基底之大型化亦同步進展。與之相伴，先前之粗面研磨(未鏡面研磨)基板之端面全周之情形或使端面T之表面粗度Ra為0.03~0.4 μm左右之情形(專利文獻1、2)，與之前相比，來自基板研磨時之端面之玻璃碎屑之發生將會增加，已成為問題。

本發明係為解決前述問題而完成者，其目的在於提供一種光罩基底用基板，其可抑制研磨時來自端面之玻璃碎屑及研磨劑殘留物等顆粒之產生，及降低與之相伴之表面缺陷發生率。

發明人等解析而明瞭下述情事。圖5A~圖5C係用於說明玻璃碎屑之發生之圖，圖5A係顯示主表面之研磨時(主表面右旋轉)之狀態之頂視圖，圖5B係顯示主表面之研磨時(主表面左旋轉)之狀態之頂視圖，圖5C係主表面之研磨時之端面及載體之側視圖。如同圖所示，在基板10由載體31之基板保持部31a保持之狀態下，載體31係與旋轉基板之中心同軸旋轉，藉由基板保持部31a之側壁押壓端面T，基板10會於上下平盤上旋轉。又，為研磨基板10之表裏兩方之主表面11，在具有研磨面34之上平盤32與具有研磨面35之下平盤33之間，基板係以被施加特定壓力之方式被夾持。藉由將於摩擦力高之2個研磨面間被夾持而經加壓之狀態之基板10，以載體31之基板保持部31a之側壁押壓其端面T，端面T上將被施加較大的力。且，由於以基板10之中心為軸旋轉，端面T之全面上並非施加同等之力，從基板對稱線11a朝旋轉進行方向側之一半區域，例如，如圖5A所示使基板10順時針旋轉之情形，端面T之區域T1上施加有幾乎全部之力。又，即使是相同區域T1內，亦從基板對稱線11a朝端面彼此相接之角部P附近，成為施加之力逐漸增大之荷重分布。又，使基板10逆時針旋轉之情形，如圖5B所示，此次將成為在端面T之區域T2具有相同傾向之荷重分布。因相同基板10之研磨，係進行順時針與逆時針之兩方之研磨，故區域T1、T2上均施加有荷重。因此，基板10之主表面11之研磨中，對從區域T1與區域T2之角部P而始之特定長度之區域(即從各端面T之基板之角部P沿主表面之邊方向特定長度之區域)，施加有非常大之力。此外，為研磨主表面11，上平盤32與下平盤33一併同軸旋轉。上下平盤32、33之旋轉方向與基板10之旋轉方向不同之情形下，係對抗著加壓狀態下接觸之摩擦力高之研磨面34、35之旋轉方向而令基板10旋轉，因此對從區域T1與區域T2之角部P而始之特定長度之區域，施加有更強之力。

即使是大型光罩基底用基板10之主表面11之兩面研磨之情形，由上平盤32與下平盤33對基板10施加之每單位面積之壓力，係與LSI光罩基底用玻璃基板之主表面之兩面研磨時被施加之壓力為相同程度。即，因大型光罩基底用基板10主表面11之面積大出甚多，故施加之荷重亦非常大。另一方面，端面之主表面側(長邊側)之長度與厚度(短邊側之長度)之比率，與LSI基板相比，大型光罩基底用基板10更大。即，大型光罩基底用基板10之端面相對於主表面之面積比率較小，較LSI光罩基底用基板被施加更大之力。該端面相對於主表面之面積比率，即使尺寸增大，厚度亦不那麼變厚，故更為顯著。

玻璃碎屑，係先前之對端面全周進行粗面研磨(未鏡面研磨)之情形或使表面粗度Ra為0.03~0.4 μm左右之情形(專利文獻1、2)下，因端面T上施加有強大的力時所造成之表面微小之凸部剝落而發生。從該等驗證，本發明人等所做出的結論是，因大型光罩基底用基板之尺寸朝大型化進展，故於兩面研磨時因被載體31之基板保持部31a之側壁押壓所造成之從各端面T之基板之角部P沿主表面之邊方向特定長度之區域上被施加之力持續增加，因此玻璃碎屑之發生率亦增大。又，關於端面T之中央側區域，也得到因使基板為粗面所造成之玻璃碎屑之發生率，基板尺寸之大型化幾乎不會對其造成影響之結論。又，本發明人等又發現藉由將各端面T之中央側區域之局部設為粗面，使自基板之角部P沿主表面之邊方向特定長度之區域為表面粗度0.5 nm以下之鏡面，可抑制玻璃碎屑之發生，並大幅抑制與之相伴之基板主表面之表面缺陷(傷痕)之發生率。

本發明中，至少對於端面T之4隅側附近之角部側區域進行本申請案特定之鏡面研磨，而對於端面T之中央側之中央側區域進行粗面研磨，有以下2個理由。

(1)　對於無法鏡面研磨端面T之全面之大型光罩基底用基板10，抑制玻璃碎屑之發生或研磨劑殘留物之生塵，而實施表面缺陷對策或生塵對策。

(2)　縮短基板之加工時間。

與鏡面研磨端面T之全面之情形相比，可縮短端面研磨之加工時間。其結果，可實現加工之成本降低。

於大型光罩基底之製造步驟中，藉由對基板之端面T實施本申請案特定之鏡面研磨後再投入主表面11之研磨步驟，可獲得抑制玻璃碎屑之發生及與之相伴之表面缺陷發生率較低之效果。又，亦可獲得減少研磨殘留物等之顆粒發生之效果。根據發明人等之試驗之結果，確認藉由只對作為強力抵接於基板保持之研磨載體之部分的基板之4隅附近進行本申請案特定之鏡面研磨，可充分地獲得其效果。

本發明具有以下構成。

(構成1)　一種光罩基底用基板，其係由表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板，且於前述端面與前述主表面之間具有倒角面者，其特徵在於：前述主表面係一邊之長度為500 mm以上；前述端面係包含從鄰接之端面相接之角部沿主表面側之邊方向特定長度範圍的區域之2個角部側區域、與夾於該2個角部側區域間之中央側區域；前述角部側區域之端面之表面粗度Ra係0.5 nm以下之鏡面；前述中央側區域係粗面。

(構成2)　如構成1所記載之光罩基底用基板，其中前述中央側區域係表面粗度Ra為50 nm以上之粗面。

(構成3)　如構成1或2所記載之光罩基底用基板，其中前述特定長度係100 mm以上。

(構成4)　如構成1或2所記載之光罩基底用基板，其中前述主表面之一邊之長度為1000 mm以上，前述特定長度為150 mm以上。

(構成5)　如構成1至4中任一項所記載之光罩基底用基板，其中前述中央側區域包含搬運基板時所把持之區域。

(構成6)　如構成1至4中任一項所記載之光罩基底用基板，其係於製造平面顯示器之光罩基底時使用。

(構成7)　一種光罩基底，其係於構成1至5中任一項所記載之光罩基底用基板之主表面上具有薄膜。

(構成8)　一種光罩，其係於構成1至5中任一項所記載之光罩基底用基板之主表面上具有薄膜圖案。

以下，對本發明進行詳細說明。

本發明之光罩基底用基板，係以表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板，且於前述端面與前述主表面之間具有倒角面者，其特徵在於：前述主表面係一邊之長度為500 mm以上；前述端面係包含從鄰接之端面彼此相接之角部沿主表面之邊方向特定長度範圍的區域之2個角部側區域、與夾於該2個角部側區域間之中央側區域；前述角部側區域之端面之表面粗度Ra係0.5 nm以下之鏡面；前述中央側區域係粗面(構成1)。

本發明之光罩基底用基板係以表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板，又於端面及主表面之間具有倒角面(構成1)。

例如，本發明中，如圖1C所示，係以表裏2個主表面11和4個端面T所構成之薄板，又於端面T與主表面11之間具有倒角面C。

又，於本發明之光罩基底用基板中，主表面11係一邊之長度為500 mm以上(構成1)。

例如，本發明中，如圖1B所示，短邊L2之長度為500 mm以上。

又，於本發明之光罩基底用基板中，端面係包含從端面彼此相接之角部沿主表面之邊方向特定長度範圍之角部側區域、與夾於兩角部側區域間之中央側區域(構成1)。

例如，本發明中，如圖1A所示，端面T係包含從端面T彼此相接之角部沿主表面11之長邊L1方向特定長度(邊L4之長度)範圍之角部側區域13、與夾於兩角部側區域13間之中央側區域14。

又，於本發明之光罩基底用基板中，角部側區域之端面之表面粗度Ra係0.5 nm以下之鏡面(構成1)。

例如，本發明中，如圖1A所示，角部側區域13之端面T之表面粗度Ra係0.5 nm以下之鏡面。又，角部側區域之端面T之表面粗度Ra若在0.3 nm以下，則顆粒之發生率可進一步減少，如此更佳。

又，於本發明之光罩基底用基板中，中央側區域係粗面(構成1)。

例如，本發明中，如圖1A所示，中央側區域14係粗面。

如此，本發明中，於特定尺寸(一邊長度為500 mm以上)之光罩基底用基板中，使4個端面之角部側區域為鏡面，使4個端面之中央側區域為粗面。此係用於一併解決處理性、玻璃碎屑之問題。即，因中央側區域之局部區域成為粗面，故可解決處理性之問題。又，因從載體31之基板保持部31a之側壁受到之力較大的角部側區域係形成為鏡面，故玻璃碎屑之問題亦得到解決。

又，於本發明之光罩基底用基板中，中央側區域宜為表面粗度Ra為50 nm以上之粗面(構成2)。此係因為可更有效解決處理之問題。又，作為粗面之中央側區域之表面粗度Ra之上限，宜為400 nm。若表面粗度Ra比400 nm更粗，則顆粒之發生率之問題將會顯著。又，設為粗面之中央側區域若表面粗度Ra為300 nm以下，則可謀求顆粒之發生率之減少，此外表面粗度Ra為200 nm以下最佳。

又，於本發明之光罩基底用基板中，特定長度宜為100 mm以上(構成3)。此係因為可更有效地解決玻璃碎屑之問題。

又，於本發明之光罩基底用基板中，主表面之一邊之長度宜為1000 mm以上，前述特定長度宜為150 mm以上(構成4)。此係因為於主表面之一邊之長度為1000 mm以上之情形，從載體31之基板保持部31a之側壁所受到之力較大之區域會變廣，若特定長度為150 mm以上，則可更有效地解決處理性、玻璃碎屑之問題。又，若特定長度為200 mm以上，則可進一步減少玻璃碎屑及顆粒之發生率，因此較好。又，若無處理性上之問題或基板檢測問題，則若設特定長度為300 mm以上，則可進一步減少玻璃碎屑及顆粒之發生率，故而最佳。

又，於本發明之光罩基底用基板中，中央側區域宜包含搬運基板時所把持之區域(構成5)。此係因為中央側區域若包含搬運基板時所把持之區域，則可更有效地解決處理性之問題。

此外，於大型光罩基底之缺陷檢查裝置、檢查形成於大型光罩之轉印圖案之光罩檢查裝置、對形成於光罩基底之抗蝕膜曝光描繪轉印圖案之曝光描繪裝置、曝光裝置等中，存在以光照射於端面T以檢測載臺上之大型光罩基底或大型光罩之有無之情形。如此之情形下，中央側區域設為粗面可謂有效。

又，本發明之光罩基底用基板亦可於製造平面顯示器之光罩基底時使用(構成6)。

又，於本發明之光罩基底用基板，亦可於主表面具有薄膜(構成7)。

又，於本發明之光罩基底用基板，亦可於主表面具有薄膜圖案(構成8)。

於本發明之光罩基底用基板中，基板主表面之研磨步驟時，藉由對端面之中被施加非常大力之基板4隅附近之角部區域施與鏡面研磨，可大幅減少玻璃碎屑之發生率，而抑制表面缺陷產生率於較低，且，基板主表面之研磨步驟時，藉由使相對而言施加之力較小之基板之中央側區域為粗面，可提供處理時等之際容易接受處理之光罩基底用基板。

(實施形態1)

首先，使用圖1A~圖1C、圖2，對本發明之光罩基底用基板之構造進行說明。圖1係顯示本發明之光罩基底用基板之構造之圖，圖1A係光罩基底用基板之側視圖，圖1B係頂視圖，圖1C係側面之局部放大圖。如圖1C所示，本實施形態之光罩基底用基板10係以表裏2個主表面11及4個端面T構成之薄板，且於端面T與主表面11之間具有倒角面C。如圖1B所示，主表面11係具有一對長邊L1(長邊L1之長度：800 mm)與一對短邊L2(短邊L2之長度：500 mm)之大致矩形狀。如圖1A、圖1C所示，端面T係包含從端面彼此相接之角部沿主表面11之邊方向100 mm(邊L4之長度：特定長度)之範圍之角部側區域13、及夾持於兩角部側區域13間之中央側區域14，角部側區域13之端面T係表面粗度Ra為0.1 nm之鏡面，中央側區域14係粗面。

又，該光罩基底用基板10之側面12具有倒角面C，及夾於兩倒角面C間之端面T。又，端面T係具有一對長邊(長邊L1或短邊L2)與一對短邊L3(短邊L3之長度：8.2 mm)之大致矩形狀。又，中央側區域14係搬運基板時被把持之區域。從基板之上面觀察該狀態，如圖1B所示，只對基板之4個角隅部分(對應於角部側區域13之部分)鏡面研磨。又，中央側區域14係表面粗度Ra為50 nm之粗面，側面12之長度(基板之厚度)為10 mm。

於本發明中，大型光罩基底用基板10係指矩形基板或正方形基板之一邊(較好的為各邊)在500 mm以上者。有關大型光罩基底用基板10，現狀係存在短邊L2×長邊L1為500 mm×800 mm~2140 mm×2460 mm之範圍中各種各樣之尺寸，厚度(側面12之長度)為10~15 mm。特別是若基板之長邊L1之大小為800 mm以上時，則施加於端面之角部側區域之力相當大，此外若為1200 mm以上，則施加於端面之角部側區域之力變得非常大，如適用本申請案發明時之效果非常大。

又，於本發明中，特定之鏡面係指表面粗度Ra為0.5 nm以下之面，特定之粗面係指表面粗度Ra為50 nm以上之面。

如前所述，本實施形態係對構成端面T之角部側區域13以表面粗度Ra 0.1 nm進行鏡面研磨，對中央側區域14以表面粗度Ra 50 nm進行粗面研磨之光罩基底用基板10之一例。

而後，對本實施形態之光罩基底用基板之製造方法進行說明。該光罩基底用基板10之製造方法之鏡面研磨步驟中，實施鏡面研磨端面之步驟後，實施研磨主表面之步驟。

首先，使用圖2，對鏡面研磨端面之步驟進行說明。圖2係用於說明鏡面研磨端面之方法之圖。如同圖所示，使用杯型刷子21對角部側區域13(同圖中斜線部)進行鏡面研磨。然並非局限於此，只要為可鏡面研磨角部側區域13之研磨方法，亦可使用其他任何研磨方法。

而後，使用圖3A、圖3B，對鏡面研磨主表面之步驟進行說明。圖3係用於說明本發明之主表面之研磨步驟之概略圖，圖3A係顯示頂視圖，圖3B係顯示側視圖。如同圖所示，基板10之端面T係以載體31保持，基板10係以於上下對向設置之上平盤32之研磨面34與下平盤33之研磨面35之間，基板10之兩主表面11與其等相接之方式夾持。之後，使上下平盤32、33以相對於上下平盤之研磨面34、35垂直之上下平盤之垂直軸為旋轉軸O1、O2分別旋轉之同時，使基板10之自轉軸O3相對於下平盤之旋轉軸O2平行偏心，且基板10之局部設定成位於下平盤之旋轉軸O2上，使基板經由使載體31旋轉而自轉。利用上下平盤之研磨面34、35與基板之兩主表面11彼此一邊接觸一邊相對性移動，而研磨基板之兩主表面11。研磨步驟時，施加於基板10之兩主表面11之壓力為100 g/cm² 。

又，可複數次進行如此之主表面11之研磨步驟，亦可進行內容分別不同之主表面11之研磨步驟。例如，亦可為首先將包含硬質拋光材料之研磨布用於研磨面34、35進行第1研磨步驟，之後，將包含軟質拋光材料之研磨布用於研磨面34、35進行第2研磨步驟者。如此，藉由複數次重覆主表面11之研磨步驟，可製造具有更高平坦度之光罩基底用基板10，令人滿意。

對於研磨步驟結束之基板10，進行特定之洗淨步驟後，進行缺陷檢查，結果於基板主表面檢測出表面缺陷之基板之發生率可降低至3%左右，檢測出顆粒之發生率亦可降低至5%左右，可達成非常高之成品率。

於本實施形態之光罩基底用基板10及光罩基底用基板10之製造方法中，因只對端面T之4隅側鏡面研磨，故可防止玻璃碎屑之發生或脫落，又可防止顆粒之附著或脫落。其結果，可使光罩基底用基板10之研磨成品率、洗淨成品率提高。

又，藉由粗面研磨端面T之中央側區域14，可獲得以下效果。

(1)　可縮短用於基板端面之鏡面研磨之加工時間。

(2)　利用人手進行處理之情形，可基本無問題地進行。

(實施形態2)

本實施形態中，長邊L1之長度為1220 mm，短邊L2之長度為1400 mm，短邊L3之長度為10.6mm，邊L4之長度為150 mm，基板之厚度為13 mm，角部側區域13之表面粗度Ra為0.05 nm，中央側區域14之表面粗度Ra為500 nm(表面粗度Ra 500 nm之表面，目視為霧狀者)，中央側區域14係包含在曝光裝置之光罩載臺52載置基板時，照射用於檢測光罩之檢測光之區域者。又，處理並非由人手而係使用機械進行。對於其他構成及光罩基底用基板10之製造方法，因與前述實施形態1相同，故此處省略說明。

對於研磨步驟結束之基板10，進行特定之洗淨步驟後，進行缺陷檢查，結果於基板主表面檢測出表面缺陷之基板之發生率可降低至3%左右，顆粒檢測之發生率亦可降低至5%左右，可達成非常高之成品率。

於本實施形態之光罩基底用基板10及光罩基底用基板10之製造方法中，可獲得與前述實施形態1相同之效果。

(比較例1)

於本比較例，係使尺寸為500 mm×800 mm，厚度為10 mm之光罩基底用基板10之端面全面為表面粗度Ra 50 nm之粗面。

之後，對光罩基底用基板10之兩主表面11，以與前述實施形態相同之研磨方法實施鏡面研磨。

對於研磨步驟結束之基板10，進行特定之洗淨步驟後，進行缺陷檢查，結果於基板主表面檢測出表面缺陷之基板之發生率高至20%左右，檢測出顆粒之發生率亦高至30%左右，為低成品率。

又，雖嘗試以穿戴有處理用手套之手進行處理，但處理用手套與大型光罩基底用基板10間非常滑溜而危險，判明缺乏實用性。

(比較例2)

於本比較例，係使尺寸為1220 mm×1400 mm，厚度為13 mm之光罩基底用基板10之端面全面為表面粗度Ra 1.0nm之鏡面。

之後，對光罩基底用基板10之兩主表面11，以與前述實施形態相同之研磨方法鏡面研磨。

對於研磨步驟結束之基板10，進行特定之洗淨步驟後，進行缺陷檢查，結果於基板主表面檢測出表面缺陷之基板之發生率高至30%左右，檢測出顆粒之發生率亦高至40%左右，為低成品率。

又，雖嘗試以穿戴有處理用手套之手進行處理，但基板10之重量非常之重，處理用手套與大型光罩基底用基板10間滑溜，無法把持大型光罩基底用基板10。

又，於前述實施形態中，雖中央側區域14之整體為粗面，但在尺寸相對較小之大型光罩基底用基板之情形下，用於進行處理之把持區域為特定時，可將不包含中央側區域14之該等特定區域之區域之端面T亦形成為與角部側區域相同程度或其以上之表面粗度之鏡面。此外，以使用機械或夾具之處理使基板移動之情形，若因前述基板檢測之關係而有必要設為粗面之中央側區域14之特定區域若可預先決定，則不受限於基板之大小，亦可為僅有中央側區域14之有必要設為粗面之區域為前述表面粗度之粗面，除此之外之中央側區域14為與角部側區域相同程度或其以上之表面粗度之鏡面即可。又，於中央側區域14中，為進一步降低玻璃碎屑之發生率或研磨劑之固著引起之顆粒之發生率，亦可為從中央側區域14之基板對稱線向兩側之角部側區域每隔特定距離階段性地減小表面粗度之構成。

又，光罩基底用基板10之基板形狀，並非局限於矩形，亦可為主表面11之一邊為500 mm以上之正方形。

又，本發明不受以上實施形態之限定，又，在不脫離本發明之要旨之範圍內可進行各種各樣之變更。

10．．．光罩基底用基板

11．．．主表面

11a．．．基板對稱線

12．．．側面

13．．．角部側區域

14．．．中央側區域

21．．．刷子

31．．．載體

31a．．．基板保持部

32．．．上平盤

33．．．下平盤

34、35．．．研磨面

C．．．倒角面

L1．．．長邊

L2．．．短邊

L3．．．短邊

O1、O2．．．旋轉軸

O3．．．自轉軸

P．．．角部

T．．．端面

圖1A係顯示本發明之光罩基底用基板之構造之側視圖；

圖1B係顯示本發明之光罩基底用基板之構造之頂視圖；

圖1C係顯示本發明之光罩基底用基板之構造之側面之局部放大圖；

圖2係用於說明鏡面研磨端面之方法之圖；

圖3A係用於說明本發明之主表面之研磨步驟之概略之頂視圖；

圖3B係用於說明本發明之主表面之研磨步驟之概略之側視圖；

圖4係顯示大型光罩基底用基板之立體圖；

圖5A係用於說明玻璃碎屑之發生之圖，顯示主表面之研磨時(主表面右旋轉)之狀態之頂視圖；

圖5B係用於說明玻璃碎屑之發生之圖，顯示主表面之研磨時(主表面左旋轉)之狀態之頂視圖；及

圖5C係用於說明玻璃碎屑之發生之圖，顯示主表面之研磨時之端面及載體之側視圖。

11．．．主表面

12．．．側面

C．．．倒角面

L3．．．短邊

T．．．端面

Claims (16)

1. 一種光罩基底用基板，其係以表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板，且於前述端面與前述主表面之間具有倒角面者，其特徵在於：前述主表面係一邊之長度為500mm以上；前述端面係包含從鄰接之端面相接之角部沿主表面側之邊方向特定長度範圍的區域之2個角部側區域、與夾於該2個角部側區域間之中央側區域；前述角部側區域之端面之表面粗度Ra係0.5nm以下之鏡面；前述中央側區域係粗面。
2. 如請求項1之光罩基底用基板，其中前述中央側區域係表面粗度Ra為50nm以上之粗面。
3. 如請求項1或2之光罩基底用基板，其中前述特定長度係100mm以上。
4. 如請求項1或2之光罩基底用基板，其中前述主表面之一邊之長度為1000mm以上，前述特定長度為150mm以上。
5. 如請求項1或2之光罩基底用基板，其中前述中央側區域包含搬運基板時所把持之區域。
6. 如請求項3之光罩基底用基板，其中前述中央側區域包含搬運基板時所把持之區域。
7. 如請求項4之光罩基底用基板，其中前述中央側區域包含搬運基板時所把持之區域。
8. 一種光罩基底用基板，其係以表裏2個主表面和4個端面所構成之薄板，且於前述端面與前述主表面之間具有倒 角面者，其特徵在於：前述主表面係一邊之長度為500mm以上；前述端面係包含從鄰接之端面相接之角部沿主表面側之邊方向特定長度範圍的區域之2個角部側區域、與夾於該2個角部側區域間之中央側區域；前述角部側區域之端面之表面粗度Ra係0.5nm以下之鏡面；至少前述中央側區域之特定區域係粗面。
9. 如請求項8之光罩基底用基板，其中前述中央側區域之特定區域係表面粗度Ra為50nm以上之粗面。
10. 如請求項8或9之光罩基底用基板，其中前述特定長度係100mm以上。
11. 如請求項8或9之光罩基底用基板，其中前述主表面之一邊之長度為1000mm以上，前述特定長度為150mm以上。
12. 如請求項8或9之光罩基底用基板，其中前述中央側區域之特定區域包含搬運基板時所把持之區域。
13. 如請求項8或9之光罩基底用基板，其中前述中央側區域之特定區域包含檢測基板之有無時，光所照射之區域。
14. 2、8或9中任一項之光罩基底用基板，其係製造平面顯示器之光罩基底時使用。
15. 一種光罩基底，其特徵在於係於請求項1、2、8或9中任一項之光罩基底用基板之主表面上具有薄膜。
16. 一種光罩，其特徵在於係於請求項1、2、8或9中任一項之光罩基底用基板之主表面上具有薄膜圖案。