JPS6029747A - 電子デバイス用マスク基板 - Google Patents
電子デバイス用マスク基板Info
- Publication number
- JPS6029747A JPS6029747A JP58138459A JP13845983A JPS6029747A JP S6029747 A JPS6029747 A JP S6029747A JP 58138459 A JP58138459 A JP 58138459A JP 13845983 A JP13845983 A JP 13845983A JP S6029747 A JPS6029747 A JP S6029747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask substrate
- glass
- substrate
- borders
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路の製造に使用されるソーダラ
イム系ガラス、ボロシリケート系ガラス、溶融石英等の
一生表面が粗研磨又は精研磨をした電子デバイス用マス
ク基板（以下、「マスク基板」という。〉に関するもの
である。
イム系ガラス、ボロシリケート系ガラス、溶融石英等の
一生表面が粗研磨又は精研磨をした電子デバイス用マス
ク基板（以下、「マスク基板」という。〉に関するもの
である。
従来、（１）、マスク基板は、ソーダライム系ガラス、
ボロシリケート系ガラス、溶融石英等を所定の板上に切
断加工後、周縁部は未処理又は粗研摩で仕上げられ、そ
の主表面を粗研摩、精研摩を経て、平面精度のよい鏡面
に仕上げられていた。
ボロシリケート系ガラス、溶融石英等を所定の板上に切
断加工後、周縁部は未処理又は粗研摩で仕上げられ、そ
の主表面を粗研摩、精研摩を経て、平面精度のよい鏡面
に仕上げられていた。
（２）また、第１図に示すように、マスク基板１の主表
面１１は、通常の平面精度のよい鏡面に仕上げられ、さ
らにその周縁部１２も鏡面に仕上げられているマスク基
板があった。これらのマスク基板は、その後、真空蒸着
法、スパッタリング法等を使用し、クロムや酸化クロム
などの金属簿膜を成膜し、さらに諸工程を経て、電子デ
バイス用のマスクとして使用されていた。
面１１は、通常の平面精度のよい鏡面に仕上げられ、さ
らにその周縁部１２も鏡面に仕上げられているマスク基
板があった。これらのマスク基板は、その後、真空蒸着
法、スパッタリング法等を使用し、クロムや酸化クロム
などの金属簿膜を成膜し、さらに諸工程を経て、電子デ
バイス用のマスクとして使用されていた。
しかしながら、（１）項のマスク基板Ｃよ、その周縁部
が粗く、微細な裂溝が存在するため、ガラスのチップが
剥離したり、凹凸部に研摩剤や研摩側以外の微粒子が捕
捉され、マスク基板の精研摩工程〜電子デバイス用マス
ク製造工程に悪影響を及ぼす欠点があった。すなわち、
精研摩工程にお□いては、周縁部のガラスチップが剥Ｎ
けることに起因するマスク基板の主表面のキズの発生、
また、マスク基板の主表面に金属薄膜を形成する成膜１
稈においては、前記ガラスチップ、研摩剤及び微小粒子
が、マスク基板−金属薄膜界面や金属薄膜上に付着する
ことにより、金属薄膜にパターンを施す際に、ピンホー
ル等の各種欠陥が多発するという重大な欠点を有してい
た。（２）項のマスク基板は、周縁部が鏡面に仕上げら
れているので、（１）項のマスク基板のような欠点は右
していないが、第１図のような直方体のマスク基板の場
合は、４面の周縁部に各々数段階の研摩工程を要し、生
産性を悪化させる欠点を有していた。次に、周縁部を鏡
面にすることにより、ずへり易いため扱いに（く、さら
に、電子デバイス用マスクの洗浄方法として、一般に行
なわれているスクラバー洗浄においては、電子デバイス
用マスクの自動搬送が不可能であり、洗浄方法が限定さ
れてしまう欠点を有していた。
が粗く、微細な裂溝が存在するため、ガラスのチップが
剥離したり、凹凸部に研摩剤や研摩側以外の微粒子が捕
捉され、マスク基板の精研摩工程〜電子デバイス用マス
ク製造工程に悪影響を及ぼす欠点があった。すなわち、
精研摩工程にお□いては、周縁部のガラスチップが剥Ｎ
けることに起因するマスク基板の主表面のキズの発生、
また、マスク基板の主表面に金属薄膜を形成する成膜１
稈においては、前記ガラスチップ、研摩剤及び微小粒子
が、マスク基板−金属薄膜界面や金属薄膜上に付着する
ことにより、金属薄膜にパターンを施す際に、ピンホー
ル等の各種欠陥が多発するという重大な欠点を有してい
た。（２）項のマスク基板は、周縁部が鏡面に仕上げら
れているので、（１）項のマスク基板のような欠点は右
していないが、第１図のような直方体のマスク基板の場
合は、４面の周縁部に各々数段階の研摩工程を要し、生
産性を悪化させる欠点を有していた。次に、周縁部を鏡
面にすることにより、ずへり易いため扱いに（く、さら
に、電子デバイス用マスクの洗浄方法として、一般に行
なわれているスクラバー洗浄においては、電子デバイス
用マスクの自動搬送が不可能であり、洗浄方法が限定さ
れてしまう欠点を有していた。
本発明は、前記の欠点を除去するためになされたもので
あり、マスク基板の周縁部に化学エツチングを施して鏡
面でない周縁部を有づることを特徴とするものであり、
パターンを施す際のピンホール等の欠陥、生産性の悪化
、作業性の悪化等を防止することができるマスク基板を
提供することを目的としている。
あり、マスク基板の周縁部に化学エツチングを施して鏡
面でない周縁部を有づることを特徴とするものであり、
パターンを施す際のピンホール等の欠陥、生産性の悪化
、作業性の悪化等を防止することができるマスク基板を
提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例を図に基づき詳細に説明する。
（実施例１） 第２図及び第３図に基づき説明する。ま
ず、厚さ２．ｌｕｎ、大きさ１２７ｍｍ角の主表面を相
研摩し、化学エツチングを施していないガラス基板２の
４枚の主表面を順次対向するように配置し、その対向さ
せた主表面の全面にＪ３いて当接し、最も外側の両端の
ガラス基板２の両生表面のうち、鱗接するガラス基板２
に当接していない主表面に、各々ガラス基板２よりも大
きい１３５１１１ｍ角のダミーガラス３を、ガラス基板
２の主表面がダミーガラス３の主表面より内側になるよ
うに配置、当接する。次に、前記のように配置、当接し
たガラス基板２及びダミーガラス３を治具４に挾み、３
重量％のフッ酸と５６重量％硫酸を混合して混酸にした
化学エツチング溶液に浸漬し、ＩｙＩ記ガラス基板２の
周縁部２１を化学エツチングし、その後主表面を精研摩
して、第３図に示Ｊ°ようなマスク基板５を作成する。
ず、厚さ２．ｌｕｎ、大きさ１２７ｍｍ角の主表面を相
研摩し、化学エツチングを施していないガラス基板２の
４枚の主表面を順次対向するように配置し、その対向さ
せた主表面の全面にＪ３いて当接し、最も外側の両端の
ガラス基板２の両生表面のうち、鱗接するガラス基板２
に当接していない主表面に、各々ガラス基板２よりも大
きい１３５１１１ｍ角のダミーガラス３を、ガラス基板
２の主表面がダミーガラス３の主表面より内側になるよ
うに配置、当接する。次に、前記のように配置、当接し
たガラス基板２及びダミーガラス３を治具４に挾み、３
重量％のフッ酸と５６重量％硫酸を混合して混酸にした
化学エツチング溶液に浸漬し、ＩｙＩ記ガラス基板２の
周縁部２１を化学エツチングし、その後主表面を精研摩
して、第３図に示Ｊ°ようなマスク基板５を作成する。
すなわち、マスク基板５の周縁部５２は、鏡面でない周
縁部である。本実施例のマスク基板の一生表面上に、ク
ロム薄膜゛をスパッタリング法により付着し、その後、
前記マスク基板の一生表面とクロム薄膜を検査したとこ
ろ、周縁部に化学エツチングを施さなかった従来のマス
ク基板と比較して微小粒子は半数以下であり、前記クロ
ム薄膜を付着したマスク基板の洗浄後のピンホールの増
加は、０．０３個／ Ｇ１１１２で、周縁部に化学エツ
チングを施さなかった従来のマスク基板の０．１２個／
ｃｍ２に比較して１／４まで減少した。
縁部である。本実施例のマスク基板の一生表面上に、ク
ロム薄膜゛をスパッタリング法により付着し、その後、
前記マスク基板の一生表面とクロム薄膜を検査したとこ
ろ、周縁部に化学エツチングを施さなかった従来のマス
ク基板と比較して微小粒子は半数以下であり、前記クロ
ム薄膜を付着したマスク基板の洗浄後のピンホールの増
加は、０．０３個／ Ｇ１１１２で、周縁部に化学エツ
チングを施さなかった従来のマスク基板の０．１２個／
ｃｍ２に比較して１／４まで減少した。
また、ガラス基板２の主表面は、前記のように、ガラス
基板及びダミーガラスを配置、当接しているので、化学
エツチングは施されない。よって、本実施例では、粗研
産後、精研産前のガラス基板に、化学エツチングを施し
たが、所望の平面精度を有する精研産後のガラス基板に
化学エツチングを施しても主表面には化学エツチングは
施されず、平面精度に悪影響を与えない効果がある。さ
らに、各ガラス基板間にダミーガラスを配置し、ガラス
基板の主表面に当接してもよい。すなわら、ダミーガラ
ス、ガラス基板、ダミーガラス、ガラス基板、ダミーガ
ラスのように配置、当接すれば、本実施例のようにガラ
ス基板の対向する主表面の全面において注意深く当接す
る必要もなく、ガラス基板の周縁部のみを化学エツチン
グを施１−ことが可能である。
基板及びダミーガラスを配置、当接しているので、化学
エツチングは施されない。よって、本実施例では、粗研
産後、精研産前のガラス基板に、化学エツチングを施し
たが、所望の平面精度を有する精研産後のガラス基板に
化学エツチングを施しても主表面には化学エツチングは
施されず、平面精度に悪影響を与えない効果がある。さ
らに、各ガラス基板間にダミーガラスを配置し、ガラス
基板の主表面に当接してもよい。すなわら、ダミーガラ
ス、ガラス基板、ダミーガラス、ガラス基板、ダミーガ
ラスのように配置、当接すれば、本実施例のようにガラ
ス基板の対向する主表面の全面において注意深く当接す
る必要もなく、ガラス基板の周縁部のみを化学エツチン
グを施１−ことが可能である。
（実施例２） 第４図に基づき説明する。化学エツチン
グを施した主表面６１と周縁部６２にりなる前マスク基
板６は、前記実施例１と同様のガラス基板を、１２重量
％フッ酸と１８重量％硝酸を混合して混酸にした化学エ
ツチング溶液に、ガラス基板の全表面を浸漬して、化学
エツチングを施し、７０％硫酸溶液ですすぎ、形成する
。その後、ガラス基板の主表面を精研摩して、前記実施
例１と同様のマスク長板を形成する。本実施例において
は、化学エツチングを粗研磨後、精研摩前に施さなけれ
ば、マスク基板の主表面の平面精度を悪化してしまう。
グを施した主表面６１と周縁部６２にりなる前マスク基
板６は、前記実施例１と同様のガラス基板を、１２重量
％フッ酸と１８重量％硝酸を混合して混酸にした化学エ
ツチング溶液に、ガラス基板の全表面を浸漬して、化学
エツチングを施し、７０％硫酸溶液ですすぎ、形成する
。その後、ガラス基板の主表面を精研摩して、前記実施
例１と同様のマスク長板を形成する。本実施例において
は、化学エツチングを粗研磨後、精研摩前に施さなけれ
ば、マスク基板の主表面の平面精度を悪化してしまう。
また、前記実施例１において、ガラス基板の主表面を全
面において当接していなく、若干位置が変動しても、本
実施例と同様に、化学エツチング後、ガラス基板の主表
面を精（ｌＩｉ ＩＩすればよい。
面において当接していなく、若干位置が変動しても、本
実施例と同様に、化学エツチング後、ガラス基板の主表
面を精（ｌＩｉ ＩＩすればよい。
以上、前記実施例１．２において、マスク基板の主表面
が四角形であったが、円形、多角形、又は円弧及びその
円弧の始点と終点とを直線で結んだ形状であってもよい
。次に化学エツチング溶液は、フッ酸を含んだ混酸であ
ればよく、前記実施例以外に、フッ酸と塩酸等の８１！
酸でもよい。次に、化学エツチング溶液の混酸に使用さ
れるフッ酸、硫酸等のａ度、温度は、ガラス基板の種類
、化学エツチング量により適宜決定すればよい。また、
マスク基板の周縁部に面取を設け、その面取を含めた周
縁部にも化学エツチングを施してもよいし、また、化学
エツチングを周縁部に施した後、面取を設けてもよい。
が四角形であったが、円形、多角形、又は円弧及びその
円弧の始点と終点とを直線で結んだ形状であってもよい
。次に化学エツチング溶液は、フッ酸を含んだ混酸であ
ればよく、前記実施例以外に、フッ酸と塩酸等の８１！
酸でもよい。次に、化学エツチング溶液の混酸に使用さ
れるフッ酸、硫酸等のａ度、温度は、ガラス基板の種類
、化学エツチング量により適宜決定すればよい。また、
マスク基板の周縁部に面取を設け、その面取を含めた周
縁部にも化学エツチングを施してもよいし、また、化学
エツチングを周縁部に施した後、面取を設けてもよい。
しかし、面取を設ける工程は、望ましくは、マスク基板
の主表面の平面精度を保つために、ガラス基板の主表面
を精研摩する前がよい。さらに、前記実施例１において
、ダミーガラスを用いたが、何らこれに限定されること
なく、混酸に侵されず、密着性のよい有機樹脂の板でも
よく、望ましくは、ゴム状の有機樹脂の板がよい。
の主表面の平面精度を保つために、ガラス基板の主表面
を精研摩する前がよい。さらに、前記実施例１において
、ダミーガラスを用いたが、何らこれに限定されること
なく、混酸に侵されず、密着性のよい有機樹脂の板でも
よく、望ましくは、ゴム状の有機樹脂の板がよい。
以上、本発明によれば、周縁部に化学エツチングを施し
たマスク基板は、スパッタリング工程等のマスク基板の
主表面に、金属簿膜を付１？ｌる工程及びレジストコー
ティング工程におい（、その主表面を付着粒子数の少な
い、高品質の表面に保つことができる。また、本発明の
周縁部は、微視的には非常に滑らかな表面とすることが
でき、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリングの際
の作業性が改善でき、さらに、電子デバイス用マスクの
自動搬送ができる効果がある。
たマスク基板は、スパッタリング工程等のマスク基板の
主表面に、金属簿膜を付１？ｌる工程及びレジストコー
ティング工程におい（、その主表面を付着粒子数の少な
い、高品質の表面に保つことができる。また、本発明の
周縁部は、微視的には非常に滑らかな表面とすることが
でき、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリングの際
の作業性が改善でき、さらに、電子デバイス用マスクの
自動搬送ができる効果がある。
第１図は、従来のマスク基板の斜視図、第２図は、本発
明を形成するための冶具、ガラス基板及びダミーガラス
の断面図、第３図は、本発明の一実施例の斜視図、第４
図は、前マスク基板の斜視図である。 ２・・・ガラス基板、３・・・ダミーガラス、４・・・
冶具、５・・・マスク基板、６・・・前マスク基板、５
１・・・マスク基板の主表面、５２・・・化学エツチン
グを施した周縁部、６１・・・化学エツチングを施した
主表面、６２・・・化学エツチングを施した周縁部 ｆ！Ｓ４図 手 続 補 正 書 （自発） １、事件の表示 昭和５８年特許願第１３８４５９号２
、発明の名称 電子デバイス用マスク基板３、補正をす
る者 事件との関係 特許用、願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１６０
置 ０３（３４８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１）明ｉ書の「発明の詳ｔｌＪな説明」の欄５、補正
の内容 （１） 明細書箱５頁８行目〜１６行目に［クロム薄膜
をスパッタリング法により付着し、その後、前記マスク
基板の一生表面とクロム薄膜を検査したところ、周縁部
に化学エツチングを施さなかった従来のマスク基板と比
較して微小粒子は半数以下であり、前記クロム薄膜を付
着したマスク基板の洗浄後のピンホールの増加は、０．
０３個／ ｃ＋ａ２で、周縁部に化学エツチングを施さ
なかった従来のマスク基板の０．１２ ＠／ｃｗｈ”に
比較して１／４まで減少した。」とあるを［クロム薄膜
をスパッタリング法により付着し、その後、本実施例の
マスク基板の一生表面と前記クロム薄膜とを検査したと
ころ、周縁部に化学エツチングを施さなかった従来のマ
スク基板と比較して、先ず、本実施例のマスク基板の一
生表面上に付着している微小粒子は半数以下であり、次
に、本実施例のマスク基板上に付着した前記クロム薄膜
の洗浄後のピンホールの増加は、０．０３個／Ｃｌ１１
２で、従来のマスク基板上に付着したクロム薄膜の洗浄
後のピンホールｔｌ） Ｊｖｌ加０．１２個／ｃ＋ａ２
に比較して１／４まで減少した。」と補正する。 （２） 明細書簡６頁１４行１北１５行目に［周縁部６
２よりなる前マスク基板６は、」とあるを「周縁部６２
とからなるガラス基板、すなわち全面に化学エツチング
を施したガラス基板（以下、「前マスク基板Ｊという。 ）６は、」と補正する。 （３） 明細書第６頁１９行目〜２０行目に［ガラス基
板Ｊとあるを「前マスク褥板」と訂正する。 （４） 明ｍ書第７頁１０行目〜１１行目に「円弧及び
その円弧の始点と終点とを直径で結んだ形状」とあるを
［円弧と、その円弧の始点以上
明を形成するための冶具、ガラス基板及びダミーガラス
の断面図、第３図は、本発明の一実施例の斜視図、第４
図は、前マスク基板の斜視図である。 ２・・・ガラス基板、３・・・ダミーガラス、４・・・
冶具、５・・・マスク基板、６・・・前マスク基板、５
１・・・マスク基板の主表面、５２・・・化学エツチン
グを施した周縁部、６１・・・化学エツチングを施した
主表面、６２・・・化学エツチングを施した周縁部 ｆ！Ｓ４図 手 続 補 正 書 （自発） １、事件の表示 昭和５８年特許願第１３８４５９号２
、発明の名称 電子デバイス用マスク基板３、補正をす
る者 事件との関係 特許用、願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１６０
置 ０３（３４８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１）明ｉ書の「発明の詳ｔｌＪな説明」の欄５、補正
の内容 （１） 明細書箱５頁８行目〜１６行目に［クロム薄膜
をスパッタリング法により付着し、その後、前記マスク
基板の一生表面とクロム薄膜を検査したところ、周縁部
に化学エツチングを施さなかった従来のマスク基板と比
較して微小粒子は半数以下であり、前記クロム薄膜を付
着したマスク基板の洗浄後のピンホールの増加は、０．
０３個／ ｃ＋ａ２で、周縁部に化学エツチングを施さ
なかった従来のマスク基板の０．１２ ＠／ｃｗｈ”に
比較して１／４まで減少した。」とあるを［クロム薄膜
をスパッタリング法により付着し、その後、本実施例の
マスク基板の一生表面と前記クロム薄膜とを検査したと
ころ、周縁部に化学エツチングを施さなかった従来のマ
スク基板と比較して、先ず、本実施例のマスク基板の一
生表面上に付着している微小粒子は半数以下であり、次
に、本実施例のマスク基板上に付着した前記クロム薄膜
の洗浄後のピンホールの増加は、０．０３個／Ｃｌ１１
２で、従来のマスク基板上に付着したクロム薄膜の洗浄
後のピンホールｔｌ） Ｊｖｌ加０．１２個／ｃ＋ａ２
に比較して１／４まで減少した。」と補正する。 （２） 明細書簡６頁１４行１北１５行目に［周縁部６
２よりなる前マスク基板６は、」とあるを「周縁部６２
とからなるガラス基板、すなわち全面に化学エツチング
を施したガラス基板（以下、「前マスク基板Ｊという。 ）６は、」と補正する。 （３） 明細書第６頁１９行目〜２０行目に［ガラス基
板Ｊとあるを「前マスク褥板」と訂正する。 （４） 明ｍ書第７頁１０行目〜１１行目に「円弧及び
その円弧の始点と終点とを直径で結んだ形状」とあるを
［円弧と、その円弧の始点以上
Claims (3)
- （１） フッ酸を含む混酸を用いて化学エツチングを周
縁部に施し、鏡面でない前記周縁部を設けてなることを
特徴とする電子デバイス用マスク基板。 - （２） ガラス基板の少なくとも一生表面をダミーガラ
スに当接さゼ、前記化学エツチングを施すことを特徴と
する特許請求の範囲１（１）項記載の電子デバイス用マ
スク基板。 - （３） ガラス基板の少なくとも一生表面をゴム状の有
機樹脂の板に゛当接させ、前記化学エツチングをｍずご
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電子デ
バイス用マスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138459A JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138459A JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029747A true JPS6029747A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH049292B2 JPH049292B2 (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15222513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138459A Granted JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051369A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
| WO2010092937A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランクおよびフォトマスク |
| JP2010280544A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Tosoh Corp | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS55146928A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Ulvac Corp | Manufacturing of photomask substrate |
| JPS59172647A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | マスクプレ−トの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138459A patent/JPS6029747A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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