JPH049292B2 - - Google Patents
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- JPH049292B2 JPH049292B2 JP13845983A JP13845983A JPH049292B2 JP H049292 B2 JPH049292 B2 JP H049292B2 JP 13845983 A JP13845983 A JP 13845983A JP 13845983 A JP13845983 A JP 13845983A JP H049292 B2 JPH049292 B2 JP H049292B2
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- glass substrate
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路の製造に使用される
ソーダライム系ガラス、ボロシリケート系ガラ
ス、溶融石英等の一主表面を精研磨をした電子デ
バイス用マスク基板（以下、「マスク基板」とい
う。）の製造方法に関するものである。
ソーダライム系ガラス、ボロシリケート系ガラ
ス、溶融石英等の一主表面を精研磨をした電子デ
バイス用マスク基板（以下、「マスク基板」とい
う。）の製造方法に関するものである。
従来、(1)マスク基板は、ソーダライム系ガラ
ス、ボロシリケート系ガラス、溶融石英等を所定
の板状に切断加工後、側面は未処理又は粗研摩で
仕上げられ、その主表面を粗研摩、精研摩を経
て、平面制度のよい鏡面に仕上げられていた。(2)
また、第１図に示すように、マスク基板１の主表
面１１は、通常の平面精度のよい鏡面に仕上げら
れ、さらにその側面１２も鏡面に仕上げるマスク
基板の製造方法があつた。これらのマスク基板
は、その後、真空蒸着法、スパツタリング法等を
使用し、クロムや酸化クロムなどの金属薄膜を成
膜し、さらに諸工程を経て、電子デバイス用のマ
スクとして使用されていた。
ス、ボロシリケート系ガラス、溶融石英等を所定
の板状に切断加工後、側面は未処理又は粗研摩で
仕上げられ、その主表面を粗研摩、精研摩を経
て、平面制度のよい鏡面に仕上げられていた。(2)
また、第１図に示すように、マスク基板１の主表
面１１は、通常の平面精度のよい鏡面に仕上げら
れ、さらにその側面１２も鏡面に仕上げるマスク
基板の製造方法があつた。これらのマスク基板
は、その後、真空蒸着法、スパツタリング法等を
使用し、クロムや酸化クロムなどの金属薄膜を成
膜し、さらに諸工程を経て、電子デバイス用のマ
スクとして使用されていた。
しかしながら、(1)項によるマスク基板は、その
側面が粗く、微細な裂溝が存在するため、ガラス
のチツプが剥離したり、凹凸部に研摩剤や研摩剤
以外の微粒子が補足され、マスク基板の精研摩工
程〜電子デバイス用マスク製造工程に悪影響を及
ぼす欠点があつた。すなわち、精研摩工程におい
ては、側面のガラスチツプが剥離することに起因
するマスク基板の主表面のキズの発生、また、マ
スク基板の主表面に金属薄膜を形成する成膜工程
においては、前記ガラスチツプ、研摩剤及び微小
粒子が、マスク基板−金属薄膜界面や金属薄膜上
に付着することにより、金属薄膜にパターンを施
す際に、ピンホール等の各種欠陥が多発するとい
う重大な欠点を有していた。(2)項によるマスク基
板は、側面が鏡面に仕上げられているので、(1)項
によるマスク基板のような欠点は有していない
が、第１図のような直方体のマスク基板の場合
は、４面の側面に各々数段階の研摩工程を要し、
生産性を悪化させる欠点を有していた。次に、側
面を鏡面にすることにより、すべり易いため扱い
にくく、さらに、電子デバイス要マスクの洗浄方
法として、一般に行なわれているスクラバー洗浄
においては、電子デバイス用マスクの自動搬送が
不可能であり、洗浄方法が限定されてしまう欠点
を有していた。
側面が粗く、微細な裂溝が存在するため、ガラス
のチツプが剥離したり、凹凸部に研摩剤や研摩剤
以外の微粒子が補足され、マスク基板の精研摩工
程〜電子デバイス用マスク製造工程に悪影響を及
ぼす欠点があつた。すなわち、精研摩工程におい
ては、側面のガラスチツプが剥離することに起因
するマスク基板の主表面のキズの発生、また、マ
スク基板の主表面に金属薄膜を形成する成膜工程
においては、前記ガラスチツプ、研摩剤及び微小
粒子が、マスク基板−金属薄膜界面や金属薄膜上
に付着することにより、金属薄膜にパターンを施
す際に、ピンホール等の各種欠陥が多発するとい
う重大な欠点を有していた。(2)項によるマスク基
板は、側面が鏡面に仕上げられているので、(1)項
によるマスク基板のような欠点は有していない
が、第１図のような直方体のマスク基板の場合
は、４面の側面に各々数段階の研摩工程を要し、
生産性を悪化させる欠点を有していた。次に、側
面を鏡面にすることにより、すべり易いため扱い
にくく、さらに、電子デバイス要マスクの洗浄方
法として、一般に行なわれているスクラバー洗浄
においては、電子デバイス用マスクの自動搬送が
不可能であり、洗浄方法が限定されてしまう欠点
を有していた。
本発明は、前記の欠点を除去するためになされ
たものであり、ガラス基板の主表面を粗研摩し、
次に粗研摩をしたガラス基板の側面を、フツ酸を
含む混酸を用いて化学エツチングして非鏡面に
し、次に前記主表面を精研摩することを特徴とす
るものであり、パターンを施す際のピンホール等
の欠陥、生産性の悪化、作業性の悪化等を防止で
きるマスク基板を提供することを目的としてい
る。
たものであり、ガラス基板の主表面を粗研摩し、
次に粗研摩をしたガラス基板の側面を、フツ酸を
含む混酸を用いて化学エツチングして非鏡面に
し、次に前記主表面を精研摩することを特徴とす
るものであり、パターンを施す際のピンホール等
の欠陥、生産性の悪化、作業性の悪化等を防止で
きるマスク基板を提供することを目的としてい
る。
以下、本発明の実施例を図に基づき詳細に説明
する。
する。
実施例 １
第２図及び第３図に基づき説明する。まず、厚
さ2.3mm、大きさ127mmの主表面を粗研摩し、化学
エツチングを施していない、４枚のガラス基板２
の主表面を順次対向するように配置し、その対向
させた主表面の全面において当接し、最も外側の
両端のガラス基板２の両主表面のうち、隣接する
ガラス基板２に当接していない主表面に、各々ガ
ラス基板２よりも大きい、135mm角のダミーガラ
ス３を、ガラス基板２の主表面がダミーガラス３
の主表面より内側になるように配置、当接する。
次に、前記のように配置、当接したガラス基板２
及びダミーガラス３を治具４に挟み、３重量％の
フツ酸と56重量％硫酸を混合して混酸にした化学
エツチング溶液に浸漬し、前記ガラス基板２の側
面２１を化学エツチングし、その後主表面を精研
摩して所望する平面精度にし、第３図に示すよう
なマスク基板５を作成する。すなわち、マスク基
板５の側面５２は、鏡面でない側面、すなわち非
鏡面の側面である。本実施例のマスク基板の一主
表面５１上に、クロム薄膜をスパツタリング法に
より付着し、その後、本実施例のマスク基板５の
一主表面５１と前記クロム薄膜とを検査したとこ
ろ、側面に化学エツチングを施さなかつた従来の
マスク基板と比較して、先ず、本実施例のマスク
基板５の一主表面５１上に付着している微小粒子
は半数以下であり、次に、本実施例のマスク基板
５上に付着した前記クロム薄膜の洗浄後のピンホ
ールの増加は、0.03個／cm2で、従来のマスク基板
上に付着したクロム薄膜の洗浄後のピンホールの
増加0.12個／cm2に比較して1/4まで減少した。ま
た、ガラス基板２の主表面は、前記のように、ガ
ラス基板及びダミーガラスを配置、当接している
ので、化学エツチングは施されない。よつて、本
実施例では、粗研摩後、精研摩前のガラス基板
に、化学エツチングを施したことから、精研摩に
よつてなされた主表面５１の平面精度に悪影響も
与えずに鏡面でない側面５２が得られる。また、
各ガラス基板２間にダミーガラス３を配置し、ガ
ラス基板２の主表面に当接してもよい。すなわ
ち、ダミーガラス３、ガラス基板２、ダミーガラ
ス３、ガラス基板２、ダミーガラス３のように配
置、当接すれば、本実施例のようにガラス基板の
対向する主表面の全面において注意深く当接する
必要もなく、ガラス基板の側面のみを化学エツチ
ングを施すことが可能である。
さ2.3mm、大きさ127mmの主表面を粗研摩し、化学
エツチングを施していない、４枚のガラス基板２
の主表面を順次対向するように配置し、その対向
させた主表面の全面において当接し、最も外側の
両端のガラス基板２の両主表面のうち、隣接する
ガラス基板２に当接していない主表面に、各々ガ
ラス基板２よりも大きい、135mm角のダミーガラ
ス３を、ガラス基板２の主表面がダミーガラス３
の主表面より内側になるように配置、当接する。
次に、前記のように配置、当接したガラス基板２
及びダミーガラス３を治具４に挟み、３重量％の
フツ酸と56重量％硫酸を混合して混酸にした化学
エツチング溶液に浸漬し、前記ガラス基板２の側
面２１を化学エツチングし、その後主表面を精研
摩して所望する平面精度にし、第３図に示すよう
なマスク基板５を作成する。すなわち、マスク基
板５の側面５２は、鏡面でない側面、すなわち非
鏡面の側面である。本実施例のマスク基板の一主
表面５１上に、クロム薄膜をスパツタリング法に
より付着し、その後、本実施例のマスク基板５の
一主表面５１と前記クロム薄膜とを検査したとこ
ろ、側面に化学エツチングを施さなかつた従来の
マスク基板と比較して、先ず、本実施例のマスク
基板５の一主表面５１上に付着している微小粒子
は半数以下であり、次に、本実施例のマスク基板
５上に付着した前記クロム薄膜の洗浄後のピンホ
ールの増加は、0.03個／cm2で、従来のマスク基板
上に付着したクロム薄膜の洗浄後のピンホールの
増加0.12個／cm2に比較して1/4まで減少した。ま
た、ガラス基板２の主表面は、前記のように、ガ
ラス基板及びダミーガラスを配置、当接している
ので、化学エツチングは施されない。よつて、本
実施例では、粗研摩後、精研摩前のガラス基板
に、化学エツチングを施したことから、精研摩に
よつてなされた主表面５１の平面精度に悪影響も
与えずに鏡面でない側面５２が得られる。また、
各ガラス基板２間にダミーガラス３を配置し、ガ
ラス基板２の主表面に当接してもよい。すなわ
ち、ダミーガラス３、ガラス基板２、ダミーガラ
ス３、ガラス基板２、ダミーガラス３のように配
置、当接すれば、本実施例のようにガラス基板の
対向する主表面の全面において注意深く当接する
必要もなく、ガラス基板の側面のみを化学エツチ
ングを施すことが可能である。
実施例 ２
第４図に基づき説明する。化学エツチングを施
した主表面６１と側面６２とからなるガラス基
板、すなわち全面に化学エツチングを施したガラ
ス基板（以下、「前マスク基板」という。）６は、
前記実施例１と同様のガラス基板を、12重量％フ
ツ酸と78重量％硝酸を混合して混酸にした化学エ
ツチング溶液に、ガラス基板の全表面を浸漬し
て、化学エツチングを施し、70％硫酸溶液ですす
ぎ、形成する。その後、この前マスク基板の主表
面を精研摩して、前記実施例１と同様のマスク基
板を形成する。本実施例においては、化学エツチ
ングを粗研摩後、精研摩前に施さなければ、マス
ク基板の主表面の平面精度を悪化してしまう。ま
た、前記実施例１において、ガラス基板の主表面
を全面において当接していなく、若干位置が変動
しても、本実施例と同様に、化学エツチング後、
ガラス基板の主表面を精研摩すれば所望の平面精
度は得られる。
した主表面６１と側面６２とからなるガラス基
板、すなわち全面に化学エツチングを施したガラ
ス基板（以下、「前マスク基板」という。）６は、
前記実施例１と同様のガラス基板を、12重量％フ
ツ酸と78重量％硝酸を混合して混酸にした化学エ
ツチング溶液に、ガラス基板の全表面を浸漬し
て、化学エツチングを施し、70％硫酸溶液ですす
ぎ、形成する。その後、この前マスク基板の主表
面を精研摩して、前記実施例１と同様のマスク基
板を形成する。本実施例においては、化学エツチ
ングを粗研摩後、精研摩前に施さなければ、マス
ク基板の主表面の平面精度を悪化してしまう。ま
た、前記実施例１において、ガラス基板の主表面
を全面において当接していなく、若干位置が変動
しても、本実施例と同様に、化学エツチング後、
ガラス基板の主表面を精研摩すれば所望の平面精
度は得られる。
以上、前記実施例１、２において、マスク基板
の主表面が四角形であつたが、円形、多角形、又
は円弧と、その円弧の始点と終点とを結んだ直線
とからなる形状であつてもよい。次に化学エツチ
ング溶液は、フツ酸を含んだ混酸であればよく、
前記実施例以外に、フツ酸と塩酸等の混酸でもよ
い。次に、化学エツチング溶液の混酸に使用され
るフツ酸、硫酸等の濃度、温度は、ガラス基板の
種類、化学エツチング量により適宜決定すればよ
い。また、マスク基板の側面に面取を設け、その
面取を含めた側面にも化学エツチングを施しても
よい。しかし、面取を設ける工程は、望ましく
は、マスク基板の主表面の平面精度を保つため
に、ガラス基板の主表面を精研摩する前がよい。
さらに、前記実施例１において、ダミーガラスを
用いたが、何らこれに限定されることなく、混酸
に侵されず、密着性のよい有機樹脂の板でもよ
く、望ましくは、ゴム状の有機樹脂の板がよい。
の主表面が四角形であつたが、円形、多角形、又
は円弧と、その円弧の始点と終点とを結んだ直線
とからなる形状であつてもよい。次に化学エツチ
ング溶液は、フツ酸を含んだ混酸であればよく、
前記実施例以外に、フツ酸と塩酸等の混酸でもよ
い。次に、化学エツチング溶液の混酸に使用され
るフツ酸、硫酸等の濃度、温度は、ガラス基板の
種類、化学エツチング量により適宜決定すればよ
い。また、マスク基板の側面に面取を設け、その
面取を含めた側面にも化学エツチングを施しても
よい。しかし、面取を設ける工程は、望ましく
は、マスク基板の主表面の平面精度を保つため
に、ガラス基板の主表面を精研摩する前がよい。
さらに、前記実施例１において、ダミーガラスを
用いたが、何らこれに限定されることなく、混酸
に侵されず、密着性のよい有機樹脂の板でもよ
く、望ましくは、ゴム状の有機樹脂の板がよい。
以上本発明により製造されたマスク基板は、ス
パツタリング工程等のマスク基板の主表面に、金
属薄膜を付着する工程及びレジストコーテイング
工程において、その主表面を付着粒子数の少な
い、高品質の表面に保つことができる。本発明に
よれば化学エツチング前に主表面を粗研摩し、化
学エツチング後に精研摩することから、化学エツ
チング前の粗研摩により、ガラス基板の厚さをほ
ぼ決定することができ、一方化学エツチング後の
精研摩により、主表面の平面精度を良好にするこ
とができる。したがつて、主表面を粗研摩した
後、側面に面取をつけても、その面取が除去され
ることを防止できる。また、本発明による側面
は、微視的には非常に滑らかな表面とすることが
でき、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリン
グの際の作業性が改善でき、さらに、電子デバイ
ス用マスクの自動搬送ができる効果がある。
パツタリング工程等のマスク基板の主表面に、金
属薄膜を付着する工程及びレジストコーテイング
工程において、その主表面を付着粒子数の少な
い、高品質の表面に保つことができる。本発明に
よれば化学エツチング前に主表面を粗研摩し、化
学エツチング後に精研摩することから、化学エツ
チング前の粗研摩により、ガラス基板の厚さをほ
ぼ決定することができ、一方化学エツチング後の
精研摩により、主表面の平面精度を良好にするこ
とができる。したがつて、主表面を粗研摩した
後、側面に面取をつけても、その面取が除去され
ることを防止できる。また、本発明による側面
は、微視的には非常に滑らかな表面とすることが
でき、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリン
グの際の作業性が改善でき、さらに、電子デバイ
ス用マスクの自動搬送ができる効果がある。
第１図は、従来のマスク基板の斜視図、第２図
は、本発明の一実施例を示す断面図、第３図は、
本発明の一実施例により製造された電子デバイス
用マスク基板を示す斜視図、第４図は、本発明の
他の実施例に使用される前マスク基板の斜視図で
ある。 ２……ガラス基板、３……ダミーガラス、４…
…治具、５……マスク基板、６……前マスク基
板、５１……マスク基板の主表面、５２……化学
エツチングを施した側面、６１……化学エツチン
グを施した主表面、６２……化学エツチングを施
した側面。
は、本発明の一実施例を示す断面図、第３図は、
本発明の一実施例により製造された電子デバイス
用マスク基板を示す斜視図、第４図は、本発明の
他の実施例に使用される前マスク基板の斜視図で
ある。 ２……ガラス基板、３……ダミーガラス、４…
…治具、５……マスク基板、６……前マスク基
板、５１……マスク基板の主表面、５２……化学
エツチングを施した側面、６１……化学エツチン
グを施した主表面、６２……化学エツチングを施
した側面。
Claims (1)
- １ ガラス基板の主表面を粗研摩し、次に粗研摩
をしたガラス基板の側面を、フツ酸を含む混酸を
用いて化学エツチングして非鏡面にし、次に前記
主表面を精研摩をし、前記粗研摩により前記基板
の厚さを略決定し、前記精研摩により前記主表面
を所望する平面制度にすることを特徴とする電子
デバイス用マスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138459A JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138459A JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029747A JPS6029747A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH049292B2 true JPH049292B2 (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15222513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138459A Granted JPS6029747A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電子デバイス用マスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029747A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100580549C (zh) * | 2002-12-03 | 2010-01-13 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料和光掩膜 |
| JP4839411B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2011-12-21 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランクおよびフォトマスク |
| JP5463740B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2014-04-09 | 東ソー株式会社 | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146928A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Ulvac Corp | Manufacturing of photomask substrate |
| JPS59172647A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | マスクプレ−トの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138459A patent/JPS6029747A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146928A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Ulvac Corp | Manufacturing of photomask substrate |
| JPS59172647A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | マスクプレ−トの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6029747A (ja) | 1985-02-15 |
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