CN102317860A - 掩模板用基板、掩模板以及光掩模 - Google Patents

掩模板用基板、掩模板以及光掩模 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种掩模板用基板、掩模板以及光掩模。该掩模板用基板是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板,在端面与主表面之间设置倒角面。主表面的一条边的长度为500mm以上。并且,在端面设置:从相邻的端面相接的角部起在主表面的边方向上具有规定长度(边L4的长度)的范围的区域亦即两个角部侧区域、和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域。并且,将角部侧区域的端面做成表面粗糙度(Ra)为0.5nm以下的镜面,将中央侧区域做成粗糙面。

Description

掩模板用基板、掩模板以及光掩模
技术领域
本发明涉及掩模板用基板,特别是涉及用于制造FPD设备的大型掩模板用基板。
背景技术
近年的电子器件,特别是半导体元件和液晶显示器用的彩色滤光片或TFT元件等,伴随着IT技术的迅速发展,要求更加微细化。支持这样的微细加工技术的技术之一是使用被称作转印掩模的光掩模的光刻技术。在该光刻技术中,使曝光用光源的电磁波乃至光波通过光掩模对带抗蚀剂膜的硅片等进行曝光,由此在硅片上形成微细的图形。该光掩模的制造通常通过以下方式进行:在透光性基板上形成有遮光性膜等薄膜的掩模板上,利用光刻技术对所述薄膜印刻图形,由此形成作为转印图形的薄膜图形。
然而,为了实现图形的微细化,成为用于制造光掩模的原版的掩模板的品质的提高也极其重要。在半导体用的光掩模中,对基板的主表面进行镜面研磨,并且对在基板的主表面的周缘形成的端面也实施研磨以使其成为规定的镜面。然而,在液晶显示器、有机电致发光显示器、等离子显示器等平板显示器(FPD:Flat Panel Display)的大型光掩模中,在当初开发时,并未要求将端面做成镜面,因此端面保持粗糙面的状态。这样,在端面为粗糙面的情况下,附着于端面的研磨剂或玻璃成分等污垢通过清洗无法彻底去除,因此在清洗后会从该处剥离并附着于基板的主表面或附着于在主表面上形成的薄膜或抗蚀剂膜,从而成为产生颗粒的原因,这成为成品率降低的原因。
图4是示出大型掩模板用基板的立体图。该大型掩模板用基板10具有正反两个主表面11和四个端面T。为了解决引起上述成品率变差的问题而考虑将大型掩模板用基板10的端面T做成镜面。
然而,在当初开发大型掩模板用基板10时,由于对大型掩模板用基板10的处理难以机械化,因此是用人手夹持端面T的方式进行把持。在该情况下,存在在搬运端面T时,会在搬运用手套与大型掩模板用基板10之间产生滑动,无法把持大型掩模板用基板10这样的问题。
为了解决上述问题而提出有以下方案:对于曝光用大型基板,例如将端面做成一定的表面粗糙度,以使在基板润湿的状态下由人把持时不致滑落,具体而言,将端面的表面粗糙度Ra做成0.05μm~0.4μm左右(日本特开2005-37580号公报(专利文献1)),或者将端面的表面粗糙度Ra做成例如0.03μm~0.3μm左右(日本特开2005-300566号公报(专利文献2))。
专利文献1:日本特开2005-37580号公报
专利文献2:日本特开2005-300566号公报(日本专利第3934115号公报)
在专利文献1、2记载的曝光用大型基板中,在当初申请时,FPD用等大型光掩模存在的问题是,上述其他问题比因转印图形线宽度较宽、在掩模板上附着有微小的颗粒而引起的恶劣影响更加重要。
然而,此后,对于大型光掩模,转印图形线宽度的微细化不断发展,而颗粒的影响则变得难以忽视。并且,随着FPD等的大型化和FPD制造的效率化,掩模板的大型化不断进步。与此相伴,在现有的对端面四周进行粗糙面研磨(不进行镜面研磨)的情况下,或将端面T的表面粗糙度Ra做成0.03μm~0.4μm左右的情况下(专利文献1、2),则存在基板研磨时来自端面的玻璃屑的产生比以往还有所增加的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题所做出的,其目的在于,提供一种抑制研磨时来自端面的玻璃屑或研磨剂残留物等颗粒的产生,以及将伴随于此的表面缺陷发生率抑制到较低的掩模板用基板。
本发明人们弄清了以下事实。图5A~图5C是用于说明玻璃屑的产生的图,图5A是示出主表面研磨时(主表面向右旋转)的状态的俯视图,图5B是示出主表面研磨时(主表面向左旋转)的状态的俯视图,图5C是主表面研磨时的端面及托板的侧视图。如该图所示,基板10在由托板31的基板保持部31a保持的状态下,通过托板31绕与旋转基板的中心同轴地旋转且由基板保持部31a的侧壁按压端面T,从而基板10在上下平台上旋转。并且,为了对基板10的正反双方的主表面11进行研磨,而在具有研磨面34的上平台32与具有研磨面35的下平台33之间施加规定的压力以进行夹持。用托板31的基板保持部31a的侧壁对处于被摩擦力较高的两个研磨面夹持而被加压的状态下的基板10按压端面T,由此对端面T施加较大的力。并且,通过以基板10的中心为轴进行旋转,从而不对端面T的整个面施加相等的力,而是从基板对称线11a开始对旋转前进方向侧的一半的区域,例如图5A所示,在使基板10顺时针旋转的情况下,几乎所有的力都施加于端面T的区域T1。而且形成为以下的载荷分布:即使在相同的区域T1内,所施加的力也是从基板对称线11a朝向端面彼此连接的角部P附近逐渐增大。另外,在使基板10逆时针旋转的情况下,如图5B所示,这次是在端面T的区域T2形成具有同样倾向的载荷分布。由于对同一基板10的研磨,进行顺时针和逆时针两种研磨,因此对区域T1、T2均施加有载荷。因此,在对基板10的主表面11的研磨过程中,对从区域T1和区域T2的角部P起具有规定长度的区域(即,从各端面T的基板的角部P起在主表面的边方向上具有规定长度的区域),施加有非常强的力。进而,为了研磨主表面11,上平台32与下平台33均以同轴旋转。在上下平台32、33的旋转方向与基板10的旋转方向是不同的方向的情况下,通过使基板10向与在被加压的状态下接触的摩擦力较高的研磨面34、35的旋转方向相反的方向旋转,从而对从区域T1和区域T2的角部P起具有规定长度的区域施加较强的力。
即使在大型掩模板用基板10的主表面11的两面研磨的情况下,用上平台32和下平台33对基板10施加的每个单位面积的压力,也施加与在LSI掩模板用玻璃基板的主表面的两面研磨的情况下相同程度的压力。也就是说,由于大型掩模板用基板10的主表面11的面积相当大,因此作用的载荷也非常大。另一方面,对于端面的主表面侧(长边侧)的长度与厚度(短边侧的长度)的比率,大型掩模板用基板10的比LSI基板的大。也就是说,大型掩模板用基板10,端面相对于主表面的面积比率较小,因而对其施加的力大于对LSI掩模板用基板施加的力。由于虽然尺寸增大但厚度并不那么大,因此该端面相对于主表面的面积比率更显著。
当在对现有的端面四周进行粗糙面研磨(不进行镜面研磨)的情况下或将表面粗糙度Ra做成0.03μm~0.4μm左右的情况下(专利文献1、2),对端面T施加较强的力时,表面的微小凸部剥落而产生玻璃屑。根据这些验证,本发明人们得出以下结论:由于大型掩模板用基板的尺寸的大型化不断发展,由于两面研磨时被托板31的基板保持部31a的侧壁按压而对从各端面T的基板的角部起在主表面的边方向上具有规定长度的区域施加的力持续增大,由此玻璃屑的产生率也增大。并且得出以下结论:对于端面T的中央侧区域,基板尺寸的大型化对由做成基板的粗糙面所引起的玻璃屑的产生率几乎未造成任何影响。而且本发明人们发现:通过将各端面T的中央侧区域的一部分做成粗糙面,而将从基板的角部P起在主表面的边方向上具有规定长度的区域做成表面粗糙度0.5nm以下的镜面,就能够抑制玻璃屑的产生,并能够大幅度地抑制与其相伴的基板主表面的表面缺陷(划痕)的发生率。
在本发明中,至少对端面T的四角侧附近的角部侧区域进行本申请规定的镜面研磨,并对端面T的中央侧的中央侧区域进行粗糙面研磨,存在以下两个理由。
(1)对于无法对端面T的整个面进行镜面研磨的大型掩模板用基板10,抑制玻璃屑的产生以及研磨剂残留物的发尘,实施表面缺陷对策或发尘对策。
(2)缩短基板的加工时间。
与对端面T的整个面进行镜面研磨的情况相比,能够缩短镜面研磨的加工时间。其结果能够实现加工的成本降低。
在大型掩模板的制造工序中,在对基板的端面T实施了本申请规定的镜面研磨之后,投入对主表面11的研磨工序,由此能够获得抑制玻璃屑的产生以及将与其相伴的表面缺陷发生率抑制到较低的效果。并且,还能够获得降低研磨残留物等颗粒产生的效果。发明人们进行的试验的结果确认了:通过只对与保持基板的研磨托板牢固地接触的部分亦即基板的四个角附近进行本申请规定的镜面研磨,由此能够充分地获得上述效果。
本发明具有以下构成。
(构成1)一种掩模板用基板,是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板,在所述端面与所述主表面之间具有倒角面,该掩模板用基板的特征在于,
所述主表面的一条边的长度为500mm以上,
所述端面包括:从相邻的端面相接的角部起在主表面侧的边方向上具有规定长度的范围的区域亦即两个角部侧区域、和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域,
所述角部侧区域的端面是表面粗糙度Ra为0.5nm以下的镜面,
所述中央侧区域是粗糙面。
(构成2)根据构成1所述的掩模板用基板,其特征在于,所述中央侧区域是表面粗糙度Ra为50nm以上的粗糙面。
(构成3)根据构成1或2所述的掩模板用基板,其特征在于,所述规定长度为100mm以上。
(构成4)根据构成1或2所述的掩模板用基板,其特征在于,所述主表面的一条边的长度为1000mm以上,所述规定长度为150mm以上。
(构成5)根据构成1至4中的任一项所述的掩模板用基板,其特征在于,所述中央侧区域包括搬运基板时被把持的区域。
(构成6)根据构成1至4中的任一项所述的掩模板用基板,其特征在于,在制造平板显示器的光掩模板时使用。
(构成7)一种掩模板,其特征在于,在构成1至5中的任一项所述的掩模板用基板的主表面上具有薄膜。
(构成8)一种光掩模,其特征在于,在构成1至5中的任一项所述的掩模板用基板的主表面上具有薄膜图形。
下面,对本发明进行详细说明。
本发明的掩模板用基板是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板,在所述端面及所述主表面之间具有倒角面,其特征在于,
所述主表面的一条边的长度为500mm以上,
所述端面包括:从相邻的端面彼此相接的角部起在主表面的边方向上具有规定长度的范围的区域亦即两个角部侧区域、和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域,
所述角部侧区域的端面是表面粗糙度Ra为0.5nm以下的镜面,
所述中央侧区域是粗糙面(构成1)。
本发明的掩模板用基板是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板,并且在端面及主表面之间具有倒角面(构成1)。
例如,如图1C所示,在本发明中,是由正反两个主表面11和四个端面T构成的薄板,并且在端面T及主表面11之间具有倒角面C。
并且,在本发明的掩模板用基板中,主表面11的一条边的长度为500mm以上(构成1)。
例如,如图1B所示,在本发明中,短边L2的长度为500mm以上。
并且,在本发明的掩模板用基板中,端面包括:从端面彼此连接的角部起在主表面侧的边方向上具有规定长度的范围的角部侧区域、和被两个角部侧区域夹着的中央侧区域(构成1)。
例如,如图1A所示,在本发明中,端面T包括:从端面T彼此连接的角部起在主表面11的长边L1方向上具有规定长度(边L4的长度)的范围的角部侧区域13、和被两个角部侧区域13夹着的中央侧区域14。
并且,在本发明的掩模板用基板中,角部侧区域的端面是表面粗糙度Ra为0.5nm以下的镜面(构成1)。
例如,如图1A所示,在本发明中,角部侧区域13的端面T是表面粗糙度Ra为0.5nm以下的镜面。另外,当角部侧区域的端面T的表面粗糙度Ra为0.3nm以下时,能够进一步降低颗粒的产生率,因此是更优选的。
并且,在本发明的掩模板用基板中,中央侧区域是粗糙面(构成1)。
例如,如图1A所示,在本发明中,中央侧区域14是粗糙面。
这样,在本发明中,在特定尺寸(一条边的长度为500mm以上)的掩模板用基板中,将四个端面的角部侧区域做成镜面,而将四个端面的中央侧区域做成了粗糙面。这是为了将搬运、玻璃屑的问题全部解决。即,由于中央侧区域的一部分区域成为粗糙面,因此能够解决搬运的问题。并且,由于从托板31的基板保持部31a的侧壁承受的力较大的角部侧区域成为镜面,因此也能够解决玻璃屑的问题。
并且,优选为,在本发明的掩模板用基板中,中央侧区域是表面粗糙度Ra为50nm以上的粗糙面(构成2)。这是为了能够更有效地解决搬运的问题。其中,作为做成粗糙面的中央侧区域的表面粗糙度Ra的上限,优选为400nm。当表面粗糙度Ra比400nm粗糙时,则颗粒的产生率的问题变得显著。并且,当将做成粗糙面的中央侧区域的表面粗糙度Ra做成300nm以下时,能够进一步实现降低颗粒的产生率,进而,表面粗糙度Ra为200nm以下是最佳的。
并且,在本发明的掩模板用基板中,优选规定长度为100mm以上(构成3)。这是为了能够更有效地解决玻璃屑的问题。
并且,优选为,在本发明的掩模板用基板中,主表面的一条边的长度为1000mm以上,所述规定长度为150mm以上(构成4)。这是为了在主表面的一条边的长度为1000mm以上的情况下,从托板31的基板保持部31a的侧壁承受的力较大的区域扩大,当将规定长度做成150mm以上时,能够更有效地解决搬运、玻璃屑的问题。另外,当将规定长度做成200mm以上时,能够进一步降低玻璃屑和颗粒的产生率,因此是优选的。另外若不存在搬运上的问题或基板检测的问题,则将规定长度做成300mm以上时,能够进一步降低玻璃屑及颗粒的产生率,因此是最佳的。
并且,优选为,在本发明的掩模板用基板中,中央侧区域包括搬运基板时被把持的区域(构成5)。这是为了当中央侧区域包括搬运基板时被把持的区域时,能够更有效地解决搬运的问题。
此外,在大型掩模板的缺陷检查装置、检查在大型掩模上形成的转印图形的掩模检查装置、在将转印图形曝光描绘在形成于掩模板的抗蚀剂膜上的扫描装置、曝光装置等中,有时是将光照射端面T来检测工作台上有无大型掩模板或大型掩模。在该情况下,预先将中央侧区域做成粗糙面是有效的。
并且,本发明的掩模板用基板也可以在制造平板显示器的光掩模板时使用(构成6)。
并且,在本发明的掩模板用基板中,可以在主表面上具有薄膜(构成7)。
并且,本发明的掩模板用基板,可以在主表面上具有薄膜图形(构成8)。
在本发明涉及的掩模板用基板中,在基板主表面的研磨工序时,通过对端面中也作用非常大的力的基板的四个角附近的角部区域也进行镜面研磨,从而能够大幅度地降低玻璃屑的产生率,并将表面缺陷发生率抑制到较低,并且在基板主表面的研磨工序时,通过将作用有较小程度的力的基板的中央侧区域做成粗糙面,从而能够提供易于进行搬运时等处理的掩模板用基板。
附图说明
图1A是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的侧视图。
图1B是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的俯视图。
图1C是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的侧面的局部放大图。
图2是用于说明对端面进行镜面研磨的方法的图。
图3A是用于对本发明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的俯视图。
图3B是用于对本发明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的侧视图。
图4是示出大型掩模板用基板的立体图。
图5A是用于说明玻璃屑的产生的图,是示出主表面研磨时(主表面向右旋转)的状态的俯视图。
图5B是用于说明玻璃屑的产生的图,是示出主表面研磨时(主表面向左旋转)的状态的俯视图。
图5C是用于对玻璃屑的产生进行说明的图,是主表面的研磨时的端面及托板的侧视图。
具体实施方式
(实施方式1)
首先,利用图1A~图1C、图2,对本发明涉及的掩模板用基板的构造进行说明。图1是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的图,图1A是掩模板用基板的侧视图,图1B是俯视图,图1C是侧面的局部放大图。如图1C所示,本实施方式涉及的掩模板用基板10是由正反两个主表面11和四个端面T构成的薄板,在端面T与主表面11之间具有倒角面C。如图1B所示,主表面11是具有一对长边L1(长边L1的长度:800mm)和一对短边L2(短边L2的长度:500mm)的大致矩形形状。如图1A、1C所示,端面T包括:从端面彼此连接的角部起在主表面11的边方向上具有100mm(边L4的长度:规定长度)的范围的角部侧区域13、和夹在两个角部侧区域13之间的中央侧区域14,角部侧区域13的端面T是表面粗糙度Ra为0.1nm的镜面,中央侧区域14是粗糙面。
并且,该掩模板用基板10的侧面12具有倒角面C和夹在两个倒角面之间的端面T。并且端面T是具有一对长边(长边L1或短边L2)和一对短边L3(短边L3的长度:8.2mm)的大致矩形形状。另外,将中央侧区域14作为搬运基板时被把持的区域。如图1B所示,当从基板的上面观察该状态时,只有基板的四个拐角部分(对应于角部侧区域13的部分)被镜面研磨。另外,中央侧区域14做成表面粗糙度Ra为50nm的粗糙面,侧面12的长度(基板的厚度)为10mm。
在本发明中,大型掩模板用基板10是指矩形基板或正方形基板的一条边(优选为各条边)为500mm以上的情况。现状下,大型掩模板用基板10具有短边L2×长边L1在500mm×800mm~2140mm×2460mm的范围内的各种尺寸,厚度(侧面12的长度)是10mm~15mm。特别是当基板的长边L1的大小为800mm以上时,则在端面的角部侧区域作用的力变得相当大,进而当达到1200mm以上时则在端面的角部侧区域作用的力变得非常大,因此应用本申请发明所获得的效果也非常大。
并且,在本发明中,将表面粗糙度Ra在0.5nm以下的面称作规定的镜面,将表面粗糙度Ra在50nm以上的面称作规定的粗糙面。
如上所述,本实施方式是以表面粗糙度Ra为0.1nm对构成端面T的角部侧区域13进行镜面研磨,以表面粗糙度Ra为50nm对中央侧区域14进行粗糙面研磨的掩模板用基板10的一个例子。
接下来,对本实施方式涉及的掩模板用基板的制造方法进行说明。在该掩模板用基板10的制造方法中的镜面研磨工序中,在实施了对端面进行镜面研磨的工序之后,实施研磨主表面的工序。
首先,利用图2说明对端面进行镜面研磨的工序。图2是用于说明对端面进行镜面研磨的方法的图。如该图所示,使用杯式刷21对角部侧区域13(该图中的斜线部)进行镜面研磨。并不局限于此,只要是能够对角部侧区域13进行镜面研磨的研磨方法,则可以使用其他任何研磨方法。
接下来,利用图3A、图3B,说明对主表面进行镜面研磨的工序。图3是用于对本发明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的图,图3A示出俯视图,图3B示出侧视图。如该图所示,用托板31来保持基板10的端面T,在被上下对置地设置的上平台32的研磨面34与下平台33的研磨面35之间,以使基板10的两个主表面11与其接触的方式夹持基板10。然后,将相对于上下平台的研磨面34、35垂直的上下平台的垂直轴作为旋转轴O1、O2,使上下平台32、33分别旋转,并且将基板10的自转轴O3设定成相对于下平台的旋转轴O2平行并偏心、且基板10的一部分位于下平台的旋转轴O2上,通过使托板31旋转而使基板自转。通过上下平台的研磨面34、35与基板的两个主表面11互相接触并且相对地移动,由此对基板的两个主表面11进行研磨。在研磨工序时,将作用于基板10的两个主表面11的压力设定为100g/cm2
另外,这样的主表面11的研磨工序可以进行多次,还可以进行内容各自不同的主表面11的研磨工序。例如,可以在研磨面34、35上使用由硬质研磨材料(polisher)构成的研磨布先进行第一研磨工序,然后,在研磨面34、35上使用由软质研磨材料构成的研磨布进行第二研磨工序。通过以该方式反复多次进行主表面11的研磨工序,从而能够制造具有更高的平坦度的掩模板用基板10,因此是优选的。
对完成了研磨工序的基板10进行了规定的清洗工序之后,进行了缺陷检查,结果表明,在基板主表面上检测出表面缺陷的基板的发生率能够降低到3%左右,并且检测出颗粒的发生率也能够降低到5%左右,能够获得非常高的成品率。
在本实施方式涉及的掩模板用基板10和掩模板用基板10的制造方法中,由于只对端面T的四角侧进行镜面研磨,因此能够防止玻璃屑的产生或脱落,并且能够防止颗粒的附着或脱落。其结果,能够提高掩模板用基板10的研磨成品率、清洗成品率。
另外,通过对端面T的中央侧区域14进行粗糙面研磨而获得以下的效果。
(1)能够缩短基板的端面的镜面研磨所花费的加工时间。
(2)在由人手进行搬运的情况下,能够无任何问题地进行。
(实施方式2)
在本实施方式中,将长边L1的长度设为1220mm,短边L2的长度设为1400mm,短边L3的长度设为10.6mm,边L4的长度设为150mm,基板的厚度设为13mm,角部侧区域13的表面粗糙度Ra设为0.05nm,中央侧区域14的表面粗糙度Ra设为500nm(表面粗糙度Ra为500nm的表面,在目视下为模糊的表面),中央侧区域14包括在将基板载置于曝光装置的掩模工作台52上时照射用于检测光掩模的检测光的区域。并且,不用人手而是使用机器来进行搬运。对于其他的构成以及掩模板用基板10的制造方法,由于与上述的实施方式1相同,因此在此省略说明。
对完成了研磨工序的基板10进行了规定的清洗工序以后,进行缺陷检查,结果表明,在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率能够降低到3%左右,并且检测出颗粒的发生率也能够降低到5%左右,能够实现非常高的成品率。
在本实施方式涉及的掩模板用基板10及掩模板用基板10的制造方法中,也能够获得与上述的实施方式1同样的效果。
(比较例1)
在本比较例中,将尺寸为500mm×800mm、厚度为10mm的掩模板用基板10的端面整个面做成表面粗糙度Ra为50nm的粗糙面。
然后,利用与上述的实施方式同样的研磨方法对掩模板用基板10的两个主表面11进行了镜面研磨。
对完成了研磨工序的基板10进行了规定的清洗工序之后,进行缺陷检查,结果表明,在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率提高到20%左右,检测出颗粒的发生率也提高到30%左右,成为较低的成品率。
另外,用戴有搬运用手套的手试着搬运,结果表明:在搬运用手套与大型掩模板用基板10之间非常容易滑动,十分危险,因此欠缺实用性。
(比较例2)
在本比较例中,将尺寸为1220mm×1400mm、厚度为13mm的掩模板用基板10的端面整个面做成表面粗糙度Ra为1.0nm的镜面。
然后,利用与上述的实施方式同样的研磨方法对掩模板用基板10的两个主表面11进行了镜面研磨。
对完成了研磨工序的基板10进行了规定的清洗工序之后,进行缺陷检查,结果表明,在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率提高到30%左右,检测出颗粒的发生率也提高到40%左右,成为较低的成品率。
另外,用戴有搬运用手套的手试着搬运,结果发现:基板10的重量非常重,且在搬运用手套与大型掩模板用基板10之间发生滑动而无法把持大型掩模板用基板10。
另外,虽然在上述的实施方式中是将中央侧区域14的整体做成粗糙面,但是在尺寸比较小的大型掩模板用基板上确定了用于进行搬运的把持的区域的情况下,也可以将除中央侧区域14的那些确定区域外的区域的端面T,做成与角部侧区域相同程度或超过角部侧区域的表面粗糙度的镜面。进而,在使用机械或夹具进行搬运而使基板移动的情况下,若利用所述的基板检测的关系而预先决定了必需做成粗糙面的中央侧区域14的特定区域,则不局限于基板的大小,也可以只将中央侧区域14的必需做成粗糙面的区域,做成具有所述表面粗糙度的粗糙面,而将除此以外的中央侧区域14做成与角部侧区域相同程度或超过其的表面粗糙度的镜面。并且,在中央侧区域14,为了进一步降低玻璃屑的产生率或由研磨剂的粘着而引起的颗粒的产生率,也可以形成为如下构成:从中央侧区域14的基板对称线开始,在两侧的角部侧区域按照规定距离,阶段性地将表面粗糙度逐级减小。
并且,掩模板用基板10的形状不限于矩形,也可以是主表面11的一条边的长度为500mm以上的正方形。
另外,本发明不限于以上实施方式,并且在不脱离本发明的宗旨的范围内可以进行各种变更。

Claims (8)

1.一种掩模板用基板,是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板,在所述端面与所述主表面之间具有倒角面,该掩模板用基板的特征在于,
所述主表面的一条边的长度为500mm以上,
所述端面包括:从相邻的端面相接的角部起在主表面侧的边方向上具有规定长度的范围的区域亦即两个角部侧区域、和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域,
所述角部侧区域的端面是表面粗糙度(Ra)为0.5nm以下的镜面,
所述中央侧区域是粗糙面。
2.根据权利要求1所述的掩模板用基板,其特征在于,所述中央侧区域是表面粗糙度(Ra)为50nm以上的粗糙面。
3.根据权利要求1或2所述的掩模板用基板,其特征在于,所述规定长度为100mm以上。
4.根据权利要求1或2所述的掩模板用基板,其特征在于,所述主表面的一条边的长度为1000mm以上,所述规定长度为150mm以上。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的掩模板用基板,其特征在于,所述中央侧区域包括搬运基板时被把持的区域。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的掩模板用基板,其特征在于,在制造平板显示器的光掩模板时使用。
7.一种掩模板,其特征在于,
在权利要求1至5中的任意一项所述的掩模板用基板的主表面上具有薄膜。
8.一种光掩模,其特征在于,
在权利要求1至5中的任意一项所述的掩模板用基板的主表面上具有薄膜图形。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108133714A (zh) * 2014-03-31 2018-06-08 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板
CN109590817A (zh) * 2016-08-12 2019-04-09 Agc株式会社 玻璃基板

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012027176A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Tosoh Corp フォトマスク用基板
JP6190108B2 (ja) * 2012-11-27 2017-08-30 Mipox株式会社 板ガラス等ワークの周縁部を研磨テープにより研磨する研磨装置及び研磨方法
US9341940B2 (en) * 2014-05-15 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reticle and method of fabricating the same
TWI680347B (zh) 2015-12-29 2019-12-21 日商Hoya股份有限公司 光罩基板、光罩基底、光罩、光罩基板之製造方法、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法
JP7220980B2 (ja) * 2016-12-22 2023-02-13 Hoya株式会社 表示装置製造用のマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法
JP2018076230A (ja) * 2018-01-25 2018-05-17 旭硝子株式会社 ガラス基板およびガラス基板の製造方法
JP6948988B2 (ja) * 2018-06-26 2021-10-13 クアーズテック株式会社 フォトマスク用基板およびその製造方法
JP7253373B2 (ja) * 2018-12-28 2023-04-06 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7320378B2 (ja) * 2019-06-05 2023-08-03 株式会社ファインサーフェス技術 マスク基板およびその製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6029747A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Hoya Corp 電子デバイス用マスク基板
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
CN1532631A (zh) * 2003-03-26 2004-09-29 Hoya��ʽ���� 光掩模用基板、光掩模坯料及光掩模
CN1577029A (zh) * 2003-07-18 2005-02-09 信越化学工业株式会社 大尺寸基板
JP2005300566A (ja) * 2003-03-26 2005-10-27 Hoya Corp フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク
CN1692312A (zh) * 2002-12-03 2005-11-02 Hoya株式会社 光掩模坯料和光掩膜
JP2005316448A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Hoya Corp マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置。
JP2005333124A (ja) * 2004-04-22 2005-12-02 Asahi Glass Co Ltd 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク
CN1761914A (zh) * 2003-03-20 2006-04-19 Hoya株式会社 中间掩模用基板及其制造方法,以及光刻掩模板及其制造方法
JP2008257132A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Hoya Corp フォトマスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、並びにフォトマスク

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4163038B2 (ja) * 2002-04-15 2008-10-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体の製造方法
JP5018787B2 (ja) * 2006-12-27 2012-09-05 旭硝子株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク
EP2028681B1 (en) * 2007-01-31 2014-04-23 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for euv lithography

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6029747A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Hoya Corp 電子デバイス用マスク基板
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
CN1692312A (zh) * 2002-12-03 2005-11-02 Hoya株式会社 光掩模坯料和光掩膜
CN1761914A (zh) * 2003-03-20 2006-04-19 Hoya株式会社 中间掩模用基板及其制造方法,以及光刻掩模板及其制造方法
CN1532631A (zh) * 2003-03-26 2004-09-29 Hoya��ʽ���� 光掩模用基板、光掩模坯料及光掩模
JP2005300566A (ja) * 2003-03-26 2005-10-27 Hoya Corp フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク
CN1577029A (zh) * 2003-07-18 2005-02-09 信越化学工业株式会社 大尺寸基板
JP2005316448A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Hoya Corp マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置。
JP2005333124A (ja) * 2004-04-22 2005-12-02 Asahi Glass Co Ltd 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク
JP2008257132A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Hoya Corp フォトマスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、並びにフォトマスク

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108133714A (zh) * 2014-03-31 2018-06-08 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板
CN108133714B (zh) * 2014-03-31 2019-08-23 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板
US11024335B2 (en) 2014-03-31 2021-06-01 Hoya Corporation Magnetic-disk glass substrate
CN109590817A (zh) * 2016-08-12 2019-04-09 Agc株式会社 玻璃基板

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Publication number Publication date
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