JP3934115B2 - フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 27
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Description
半導体製造用のフォトマスクでは、特許文献1に記載されているように、基板の側面部が鏡面研磨されていることは実用化されている。しかしながら、表示装置用の大型なフォトマスクにおいては、特に側面部を鏡面にする要求はなく、側面部は粗面のままであるのが実情であった。さらに、マスクアライナにおけるフォトマスクの検出を基板の側面部で行うことをしている例もあり、その場合基板の側面部が鏡面であると反射光が検出できないという問題もあり、むしろ粗面とすることが望まれていた。
例えば、従来は、図2に示されるように、適当な粗さのダイヤツールを回転させることにより端面(T面)及び面取り面(C面)が研磨されていたが、その仕上がりは研磨方向に研磨溝が入っている。この研磨溝1にパーティクル2が潜在的に溜めこまれ、それが洗浄により除々に吐き出され、フォトマスク表面にパーティクル2’が付着し、何度も洗浄を行っても近年要求される欠陥レベルのフォトマスクが得られないという状況となる(図3参照)。
さらに、フォトマスクの保管冶具や洗浄装置等の保持冶具等においては、基板の側面部を支持するものがほとんどであるため、表面の粗い側面部と前記冶具とが接触することにより、前記冶具が削られて発塵するという問題もある。
そこで、上記の大型のフォトマスクにおいても、基板の側面部を鏡面にすることが考えられる。しかしながら、フォトマスクは、その製造時及び使用時において、通常、人手によって基板の側面部を持ち取り扱われることが多いが、大型化が進む中、基板の重量も増加し(約1kg〜15kg)、ハンドリングを非常に慎重に行う必要がある。このような状況の下、側面部を鏡面にすると、側面部が非常に滑りやすく、ハンドリングする際にフォトマスクを落下する危険性が増してしまい、フォトマスクを安全に取り扱う事ができなくなるいう大きな問題点があった。
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、側面部からのパーティクルの発生を低減し、かつ側面部をハンドリングする際に滑り難い大型なフォトマスク用基板を得ることを目的とする。
(構成1) 表面及び裏面からなる主表面と、板厚方向に形成される端面と、前記端面と表面及び裏面との間に形成される面取り面とを有する、透光性のフォトマスク用基板において、
前記基板は、主表面のサイズが一辺が300ミリメートル以上であり、
前記端面及び前記面取り面は、表面粗さ(Ra)が0.03〜0.3μmの粗面であることを特徴とするフォトマスク用基板。
(構成2) 前記端面及び前記面取り面は、表面粗さ(Ra)が0.05〜0.3μmの粗面であることを特徴とする構成2に記載のフォトマスク用基板。
(構成3) 表面及び裏面からなる主表面と、板厚方向に形成される端面と、前記端面と表面及び裏面との間に形成される面取り面とを有する、透光性のフォトマスク用基板において、
前記基板は、主表面のサイズが一辺が300ミリメートル以上であり、 前記端面及び前記面取り面は、粒度が#700〜#2400の研磨冶具を用いて研磨された粗面であることを特徴とするフォトマスク用基板。
(構成4) 表面及び裏面からなる主表面と、板厚方向に形成される端面と、前記端面と表面及び裏面との間に形成される面取り面とを有する、透光性のフォトマスク用基板において、
前記基板は、主表面のサイズが一辺が300ミリメートル以上であり、
前記端面を粗面とし、面取り面を前記端面より表面粗さの小さい面としたことを特徴とするフォトマスク用基板。
(構成5) 前記端面は、表面粗さ(Ra)が0.05μm以上であることを特徴とする構成4に記載のフォトマスク用基板。
(構成6) 構成1〜5から選ばれる一項に記載のフォトマスク用基板の表面に、遮光性膜を有することを特徴とするフォトマスクブランク。
(構成7) 構成1〜5から選ばれる一項に記載のフォトマスク用基板の表面に、遮光性膜パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
本発明において、大型フォトマスクとは、矩形基板又は正方形基板の一辺(L)が(好ましくは各辺が)300mm以上のものをいう。矩形基板の場合は、短辺が300mm以上である。具体的には、330×450mm、390×610mm、500×750mm、520×800mm、又はそれ以上のものがある。
尚、四辺全てが300mm以上の、より大型のフォトマスクについて、本発明はより効果的である。
大型フォトマスクにおいて、その厚さbは、おおよそ5〜15mmであり、面取り面(C面)の幅aは0.3〜1.3mmとなっている。
実施の形態1は、大型フォトマスク用基板の側面部を構成する面取り面(C面)及び端面(T面)を、基板全周に亘り、表面粗さ(Ra)が0.03〜0.3μmの粗面とした大型フォトマスク用基板の例である。
ここで、C面及びT面の表面粗さ(Ra)が、0.03より小さいと、滑りやすく、人手で持つときに非常に危険が伴う。また、C面及びT面の表面粗さ(Ra)が、0.3より大きいと、側面部によるパーティクルの発生が著しい。
C面及びT面の表面粗さ(Ra)の好ましい下限は、0.05μm以上が好ましく、さらには0.1μm以上であり、0.15μm以上がさらに好ましい。C面及びT面の表面粗さ(Ra)の好ましい上限は、0.25μm以下であり、0.2μm以下がさらに好ましい。
つまり、本発明において、側面部の「表面粗さ(Ra)が0.03〜0.3μmの粗面」とは、側面部からのパーティクルの発生を低減し、かつ側面部をハンドリングする際に滑り難くできるという双方の作用効果を効果的に発揮し得る所定の表面粗さを有する粗面をいう。尚、ここで言う粗面とは、通常0.01μm以下の鏡面よりも粗い面であり、準鏡面(0.03〜0.1μm位)のものも含まれる。ハンドリングの観点からは、0.1μmより大きい、すりガラス状(半透明)の表面の方が好ましいが、パーティクルの発生の観点からは準鏡面の表面が好ましい。
上記所定範囲の粗面を得るには、粒度が#700〜#2400の研磨冶具を用い、粒度等の条件を適宜調整して研磨を行う方法が適用できる。このような研磨冶具としては、例えば、ダイヤツール(所定の粗度のダイヤモンド粒子が埋めこまれたホイール状の研磨砥石)が挙げられる。
粒度が#700以上の研磨冶具を用いると、Ra≦0.3μmとすることができる。
粒度が#2400以下の研磨冶具を用いると、Ra≧0.03μmとすることができる。
尚、#800〜#1000の粒度の研磨冶具を用いるとさらに好ましい。
尚、上記所定範囲の粗面を得るための研磨方法については、研磨剤を用いて、研磨パッドや研磨ブラシを用いた研磨方法でもよい。この研磨方法を用いると、ダイヤツールを用いた場合と比べ、同じ表面粗さであっても、研磨溝を構成する曲面が緩やかとなり、研磨溝に溜めこまれるパーティクルを低減できるので好ましい。
フォトマスク用基板の側面部(C面及びT面)を、基板全周に亘り、粒度が#800のダイヤツールで研磨した。その結果、側面部(C面及びT面)は、Raが0.2μmの粗面に仕上がった。この表面は、目視では、透き通りのない半透明の表面である。ここで、表面粗さRaは、側面部における任意の場所の約10mmの線上で測定を行った。
この基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクにディップ洗浄を施した。その後、この洗浄後のフォトマスクブランク表面の異物検査を行ったところ、基板の側面部から発生したと思われるパーティクルはほとんど検出されなかった。
また、この基板は、人手によるハンドリングを特に問題なく行うことができた。
実施の形態2は、大型フォトマスク用基板の側面部を構成する面取り面(C面)及び端面(T面)を、基板全周に亘り、前記端面Tを粗面とし、面取り面Cを前記端面よりも表面粗さの小さい面とした大型フォトマスク用基板の例である。
ここで、面取り面Cを前記端面よりも表面粗さの小さい面とすることにより、次のような利点がある。
第1に、基板やフォトマスクブランク、フォトマスクの洗浄においては、(1)基板を洗浄液に浸漬する、所謂ディップ洗浄や(2)洗浄液を供給しながら基板を回転させる、所謂スピン洗浄の他に、(3)基板の表面をスポンジやブラシ等の洗浄冶具を接触させながら擦る、所謂スクラブ洗浄等がある。スクラブ洗浄においては、基板及び/又は洗浄冶具を移動させながら基板表面全面を擦るが、その際にC面に洗浄冶具が接触してしまうため、C面に潜在的に存在する異物が特に問題となる(図4参照)。従って、C面を前記端面よりも表面粗さの小さい面とすることによりC面の研磨溝をT面よりも少なくすことにより、スクラブ洗浄においてC面から発生するパーティクルを著しく低減し、その結果、側面部から発生するパーティクルを低減することが可能となる。
第2に、フォトマスクの保管冶具や洗浄装置等の保持冶具等に基板を支持させるときに基板の側面部で支持させる場合においては、主にC面が接触することが多く(図5参照)、特に基板をセットするときに、C面をガイドに滑らせることが多いため、C面により冶具を擦ってしまうことが多かった。従って、C面を前記端面よりも表面粗さの小さい面とすることにより、側面部から発生する発塵を著しく低下することが可能となる。
ここで端面よりも表面粗さの小さい面は、実質的に研磨溝がなくなる程度であることが望ましい。具体的には、面取り面(C面)の表面粗さ(Ra)は、0.1μm、さらには0.05μmより小さい鏡面又は準鏡面であることが好ましい。
実施の形態2では、端面Tを粗面とすることにより、滑り難くなり、安全にハンドリングが可能となる。また、端面Tは、スクラブ洗浄において、洗浄冶具(スポンジ、ブラシ等)との接触が少ないため、パーティクルの原因となるゴミが研磨溝から掃き出される危険性が少ないため、粗面であってもさほど問題とならない。
ここで、端面Tの粗面の程度(下限)は、表面粗さ(Ra)が0.05μmより大きいことが好ましく、0.1μm以上のすりガラス状(半透明)の表面がさらに好ましく、0.15μm以上がさらに好ましい。
尚、端面Tの粗面の程度(上限)は、表面粗さ(Ra)が、0.3μmより大きくてもよいが、好ましくは、0.3μm以下とすることにより、ディップ洗浄等でも端面からのパーティクルの発生を防止することができる。端面Tの粗面の程度(上限)は、表面粗さ(Ra)が、0.25μm以下が好ましく、0.2μm以下がさらに好ましい。
製法例としては、C面とT面が異なる粗さになるように、別々、又は一緒にダイヤツールなどを用いて研磨する方法が適用できる。
尚、C面の鏡面研磨のみを研磨剤と研磨冶具(研磨パッド又は研磨ブラシ等)を用いた研磨方法としてもよい。この研磨方法を用いると、ダイヤツールを用いた場合と比べ、同じ表面粗さであっても、研磨溝を構成する曲面が緩やかとなり、研磨溝に溜めこまれるパーティクルを低減できるので好ましい。
フォトマスク用基板の側面部(C面及びT面)を、#400の粗さのダイヤツールで研磨した。その結果、側面部(C面及びT面)は、それぞれ、Raが0.4μmの粗面に仕上がった。この表面は、目視では、透き通りのない半透明の表面である。
次に、C面のみが研磨される#2400のダイヤツールを用いて、C面を鏡面仕上げした。C面は、目視では透き通った表面となる。C面の表面粗さ(Ra)は、0.05μmより小さい鏡面であった。尚、表面粗さRaの測定は、実施の形態1に係る実施例1と同様に行った。
この基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクにスクラブ洗浄を施した。その後、この洗浄後のフォトマスクブランク表面の異物検査を行ったところ、基板の側面部から発生したと思われるパーティクルはほとんど検出されなかった。
また、この基板は、T面が粗面となっているので、人手によるハンドリングを特に問題なく行うことができた。
フォトマスク用基板の側面部(C面及びT面)を、#400の粗さのダイヤツールで研磨した。その結果、側面部(C面及びT面)は、それぞれ、Raが0.4μmの粗面に仕上がった。
この基板にディップ洗浄を施した。その後、この洗浄後のフォトマスクブランク表面の異物検査を行ったところ、基板の側面部から発生したと思われるパーティクルが多数存在した。そして、洗浄を8回以上繰り返しても、パーティクルの数が所定の範囲に減少しなかった。また、この基板にスクラブ洗浄を施した結果も同様で、多数回洗浄しても、パーティクル数が所定の範囲に減少しなかった。
2 パーティクル
2’パーティクル
T面 端面
C面 面取り面
Claims (5)
- 表面及び裏面からなる主表面と、板厚方向に形成される端面と、前記端面と表面及び裏面との間に形成される面取り面とを有する、透光性のフォトマスク用基板において、
前記基板は、主表面のサイズが一辺が300ミリメートル以上であり、
前記端面を粗面とし、面取り面を前記端面より表面粗さの小さい面としたことを特徴とするフォトマスク用基板。 - 前記端面は、表面粗さRaが0.05μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用基板。
- 前記端面の表面粗さRaが0.03〜0.3μmであり、前記面取り面の表面粗さRaが0.1μmより小さいことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用基板。
- 請求項1〜3から選ばれるいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の表面に、遮光性膜を有することを特徴とするフォトマスクブランク。
- 請求項1〜3から選ばれるいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の表面に、遮光性膜パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004086919A JP3934115B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003084992 | 2003-03-26 | ||
JP2004073763 | 2004-03-16 | ||
JP2004086919A JP3934115B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005300566A JP2005300566A (ja) | 2005-10-27 |
JP3934115B2 true JP3934115B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=35332212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004086919A Expired - Lifetime JP3934115B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3934115B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4206850B2 (ja) | 2003-07-18 | 2009-01-14 | 信越化学工業株式会社 | 露光用大型合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP5412107B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2014-02-12 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
JP4839411B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2011-12-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランクおよびフォトマスク |
JP2012027176A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Tosoh Corp | フォトマスク用基板 |
JPWO2016067926A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2017-10-12 | 旭硝子株式会社 | ガラス板及びガラス板の製造方法 |
JP2016212131A (ja) * | 2015-04-29 | 2016-12-15 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスク基板の製造方法、表示装置の製造方法、及びフォトマスクのハンドリング方法 |
JP2018145015A (ja) * | 2015-07-28 | 2018-09-20 | Agc株式会社 | ガラス板の製造方法及びガラス板 |
WO2017018421A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 旭硝子株式会社 | ガラス板 |
TWI680347B (zh) | 2015-12-29 | 2019-12-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩基板、光罩基底、光罩、光罩基板之製造方法、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 |
JP7253373B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-04-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
JP7320378B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2023-08-03 | 株式会社ファインサーフェス技術 | マスク基板およびその製造方法 |
CN114728832A (zh) * | 2019-11-21 | 2022-07-08 | Agc株式会社 | 玻璃板的加工方法、玻璃板 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004086919A patent/JP3934115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005300566A (ja) | 2005-10-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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