JP2006186124A - 化学的機械的研磨方法および半導体ウエハの処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 次工程以降に影響を与える処理不良を、処理後に速やかに確認できるようにする。
【解決手段】 化学的機械的研磨装置１０内のフロントエンドモジュール３０に、研磨欠陥検査手段４０を設ける。化学的機械的研磨処理、洗浄処理、乾燥処理の一連の処理が終了した半導体ウエハを、移載ロボット１６により、乾燥室１５から研磨欠陥検査手段４０に移し、スクラッチ等の研磨欠陥の有無を、次工程の搬送を行う前に検査する。良品のみ、ポート１２のフープ２０ｂに送り、所要枚数収納した時点で、次工程に搬送する。このように化学的機械的研磨処理終了後に、研磨欠陥の全数検査が行えるため、次工程への毛間ハンド体ウエハの搬送を確実に防止することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、化学的機械的研磨等の半導体ウエハの処理技術に関し、特に、ウエハ処理後の傷、異物等を次工程に搬送する前に事前チェックし、次工程以降での欠陥品の作り込みの防止、早急な欠陥発生原因の究明等に適用して有効な技術である。

以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。

半導体装置の製造分野では、その製造工程の効率化が求められ、その対策の一つとして、前工程での処理が不十分であったり、あるいは前工程の処理で欠陥が発生したりした場合に、次工程以降での使用が不可能と判断されるものは、次工程に送らないようにすることが挙げられる。

そのため、次工程に影響を与えると想定される重要な欠陥の発生がある程度予想される工程処理では、その工程の後に、工程処理後の半導体ウエハの検査工程を設けて抜き取り検査を行い、前工程処理の欠陥の有無をチェックしている。

かかる検査技術に関しては、次のような技術が提案されている。すなわち、工程処理の結果良否が最終製品に近い形態においての電気的試験で初めて確認される場合があり、不良確認までこのように長い時間がかかると、判定結果が出るまでに大量のバッチが当該工程を通過してしまい、大量の不良を発生させることとなるため、かかる事態を防ぐべく、検査装置と製造装置、およびウエハ仕分け機能、ウエハ搬送装置を一体にして、直前に処理したウエハの処理情報を直後のウエハ処理にフィードバックさせるように情報処理することで、目的にあったプロセスが完了するまで自動的に一連の操作を行うシステム構成が、特許文献１には開示されている。
特開２００１−１９６２８３号公報

本発明者は化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）工程に従事するなか、化学的機械的研磨工程で発生したスクラッチが原因の不良が、後の全数検査の工程で発見され、それまでに種々工程の処理が作り込まれるという苦い体験をした。

化学的機械的研磨工程終了後には、全数検査工程に至るまで、幾つかの検査工程は設定されている筈ではあるが、そこを抜けて、全数検査工程で発見されたのである。通常半導体装置の製造分野では、全数検査工程は、かなり後に設けられており、それまでの検査工程では抜き取り検査が行われている。検査工程毎に全数検査を行うと、かなりの検査工数がかかり、製造ラインの効率化を大きく脅かすこととなる。

抜き取り検査を実施している以上、現実には、ある程度の確率で、抜き取り検査をすり抜ける場合が当然に考慮されてはいる。しかし、現実にかかる事態が発生すると、その被害は大きなものとなる。また、不良品が抜き取り検査で見つけられないのは、抜き取り率だけの問題ではなく、途中の抜き取り検査工程で実施される検査種目が、当該不良を検出する検査項目か否かという問題もある。

生産効率の面からかかる抜き取り検査を導入することは必然的対策として求められる手法ではあるが、しかし、抜き取り検査をパスして全数検査で初めて発見されるまでに大量の不良品の作り込みが行われる異常事態は、どうしても避けたいものと本発明者は考えた。

かかる事態を避けるためには、抜き取り検査ではなく、当該不良についての検査項目を有した全数検査が必要とされる。しかし、かかる全数検査を、プロセス処理の工程間に新たに設置することは、前述の如く、生産効率の低下を招き採用し難い対策である。そこで、極力、生産効率に影響を与えないようにして、全数検査を導入する技術の開発が必要と考えた。

また、本発明者は、検査対象によっては、抜き取り検査に必ずしも馴染まないものある筈と考えた。一律に抜き取り検査の対象とするのは、問題があると考えた。さらには、全数検査まではいかなくても抜き取り率を上げることで全数検査に略匹敵する程に検査の質を向上させることもできる筈であるとも考えた。

すなわち、検査に関しては、検査対象を固定して、且つ所定の抜き取り率を設定してその抜き取り率で固定して検査を行うのではなく、品質管理における最低限度の品質が保証されることを前提に、抜き取り率を変化させたり、場合によっては全数検査から抜き取り検査に、あるいは抜き取り検査から全数検査に変更する等フレキシブルな対応があっても良いのではないかと考えた。

さらに、検査のあり方を原因追求という視点から考えると、当該処理の良否を判断する検査工程を当該処理工程より時間的に離して行う場合には、当該工程での消耗材等が交換される等して、検査工程で不良が発見されても原因究明ができなくなる事態も十分に想定される。

本発明の目的は、次工程以降に影響を与える処理不良を、処理後に速やかに確認できるようにすることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

化学的機械的研磨等の半導体ウエハに処理を施す装置内に、処理後の半導体ウエハの処理内容に合わせた異常を見出す全数検査が、半導体ウエハ一枚当たりの当該処理時間以下の時間で行えるようにする手段を設けた。検査時間が当該処理時間より長くかかる場合には、全数検査を抜き取り検査に適宜に変更するようにしても構わない。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

処理終了後の半導体ウエハが、一枚当たりの処理時間以下の時間で速やかに全数検査にかけられるので、当該処理装置のスループットに大きな影響を与えることなく、次工程以降に悪影響を及ぼす欠陥を有した半導体ウエハの搬出を避けることができる。

一枚当たり、検査時間が処理時間より長い場合には、全数検査を抜き取り検査にかけて、検査時間が処理時間以下で行えるようにすれば、全数検査に匹敵する程の検査品質で検査を維持しながら、次工程に悪影響を及ぼす欠陥を有した半導体ウエハの次工程への搬出を避けることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

（実施の形態１）
図１は、本発明に係る化学的機械的研磨方法の実施に際して使用する化学的機械的研磨装置の全体構成を模式的に示す説明図である。

化学的機械的研磨装置１０は、図１に示すように、化学的機械的研磨装置１０との直前工程、次工程との間の半導体ウエハの受け渡しを行うポート１１、１２が設けられている。例えば、ポート１１は化学的機械的研磨装置１０への搬入用に設けられ、直前工程での処理が終了した半導体ウエハが、フープ（Foup：Front Opening Unified Pod）２０ａ等の収納容器２０に収容された状態で、搬送ロボットによりポート１１に自動搬送されてくる。

一方、ポート１２は、化学的機械的研磨装置１０から次工程への搬出用に設けられ、化学的機械的研磨が終了した半導体ウエハを、フープ２０ｂ等の収納容器２０に収納し、ポート１２から搬送ロボット等により次工程に自動搬送されて行く。

化学的機械的研磨装置１０には、図１に示すように、実際に化学的機械的研磨を行う化学的機械的研磨装置本体１３ａが設けられた研磨室１３と、化学的機械的研磨が終了した半導体ウエハを洗浄する洗浄装置１４ａが設けられた洗浄室１４と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥する乾燥機１５ａが設けられた乾燥室１５とが設けられている。

ポート１１、１２側と研磨室１３側等の間のフロントエンドモジュール３０内には、アーム１６ａ等に構成した移載ロボット１６が設けられている。併せて、フロントエンドモジュール３０内には、乾燥終了後の半導体ウエハにおける研磨欠陥の有無を検査する研磨欠陥検査手段４０も設けられている。

研磨欠陥検査手段４０は光学式に構成され、半導体ウエハ上にレーザ光を照射し、その散乱光を検出することで、半導体ウエハ上のスクラッチ等の研磨欠陥を検出することができるように構成されている。

かかる構成の化学的機械的研磨装置１０を用いることで、本発明に係る化学的機械的研磨方法を実施することができる。すなわち、直前工程の処理が終了した半導体ウエハが、化学的機械的研磨装置１０のポート１１に搬送ロボットにより自動搬送されてきたとする。

ポート１１では、所定枚数の半導体ウエハが収納されたフープ２０ａの扉が自動的に開けられる。予め設定されたレシピに従い、フープ２０ａ内に収納された半導体ウエハが、移載ロボット１６により、フープ２０ａ内から一枚ずつ枚葉毎に取り出され、研磨室１３内に設置した化学的機械的研磨装置本体１３ａに移載される。

移載ロボット１６により移載された半導体ウエハをセットした化学的機械的研磨装置本体１３ａは、レシピに合わせて、所定のスラリー等の薬液で、所定の研磨レートで化学的機械的研磨を半導体ウエハに施す。

化学的機械的研磨が終了した半導体ウエハは、自動的に搬送ロボット等により洗浄室１４内に設置した洗浄装置１４ａに送られる。洗浄装置１４ａにより純水の吹きつけ、あるいはスクラバ等の処理が施されて洗浄が行われる。

かかる洗浄が終了した半導体ウエハは、乾燥室１５内に設置された乾燥機１５ａに送られ、洗浄に際して濡れた半導体ウエハ面を、所定温度の熱風にさらして乾燥させる。

このようにして、化学的機械的研磨、洗浄、乾燥の一連の化学的機械的研磨処理が終了した半導体ウエハは、フロントエンドモジュール３０内に設置した移載ロボット１６により、乾燥室１５内から研磨欠陥検査手段４０に送られる。

尚、本明細書では、化学的機械的研磨と化学的機械的研磨処理とはその意味する内容が異なるものとして扱う。化学的機械的研磨とは、半導体ウエハに化学的機械的研磨を施すことを言うものとする。化学的機械的研磨処理とは、化学的機械的研磨を含めて、化学的機械的研磨後の洗浄、乾燥等の一連の処理を包括して言うものとする。

本発明における研磨欠陥検査手段４０に基づく検査は、化学的機械的研磨処理後の半導体ウエハに対して行われるものである。洗浄前の化学的機械的研磨が終了した時点の半導体ウエハに行われる検査ではない。

研磨欠陥検査手段４０では、例えば、乾燥終了後の半導体ウエハを回転する支持台上に載せて半導体ウエハを回転させながら、所定波長のレーザ光を半導体ウエハ面に照射し、その散乱光を検知する。散乱光が検知された場合には、半導体ウエハ上に、化学的機械的研磨により付いたと想定されるスクラッチがあることが確認される。スクラッチが確認された場合には、散乱光の状況等から、スクラッチの大きさが評価される。

研磨欠陥検査手段４０で、規格外のスクラッチ等の研磨欠陥が発見された場合には、移載ロボット１６により、ポート１２に設けた不良収納用のフープ２０ｃ内に、収納され、次工程に搬送されないように処置される。

一方、研磨欠陥検査手段４０におけるレーザ光照射により、散乱光が検出されない場合には、乾燥終了後の半導体ウエハには、研磨欠陥であるスクラッチが付いていないと判断される。かかる良品の半導体ウエハは、ポート１２に設けた次工程への搬出用のフープ２０ｂ内に収納される。

このようにして、ポート１１に、フープ２０ａに収納された状態で搬送されてきた半導体ウエハは、化学的機械的研磨、洗浄、乾燥からなる一連の化学的機械的研磨処理を終えた段階で、かかる一連の化学的機械的研磨処理の途中において発生する可能性のあるスクラッチ等の研磨欠陥の検査が、枚葉毎に、全数について行われる。検査の結果、良品と判断された半導体ウエハのみが、搬出用のフープ２０ｂ内に収容され、所定枚数の半導体ウエハが収納された状態で、フープ２０ｂの扉が自動的に閉められ、次工程に出される。

尚、図中、上記説明の半導体ウエハの一連の流れを矢印で示した。

上記説明のように、本発明にかかる化学的機械的研磨方法では、化学的機械的研磨処理が終了した時点で、すなわち、化学的機械的研磨、洗浄、乾燥からなる一連の化学的機械的研磨処理が終了した時点で、次工程への搬送が行われる前に、研磨欠陥検査手段４０で全数検査が行われて不良品が除かれるため、次工程への欠陥半導体ウエハの搬出が確実に阻止される。そのため、大きなスクラッチが付いた半導体ウエハ上に、以降の工程処理の積み上げが行われることがなく、不良品の作り込みに基づく大きな損害の発生を未然に防止することができる。

また、上記研磨欠陥の検査に要する時間、すなわち半導体ウエハ１枚当たりの検査に要する時間は、半導体ウエハ１枚当たりの化学的機械的研磨、洗浄、乾燥の一連の化学的機械的研磨処理に要する時間以下に設定され、実質的な化学的機械的研磨処理に要する時間の増大に繋がらないように設定されている。

上記説明では研磨欠陥検査手段４０で化学的機械的研磨処理によるスクラッチ等の傷を検査項目として検査する場合について説明したが、レーザ光の散乱光では、スクラッチの他にパーティクル等の異物付着も検査することができる。

上記スクラッチを検査対象とする場合には、全数検査を行っていたが、かかる異物付着の検査では、抜き取り検査でも構わない。ロット毎に、あるいは数ロット毎に、所定枚数の抜き取り率で、スクラッチ検査と同様の要領で異物検査を行えばよい。特に、異物検査には時間がかかる場合もあり、かかる異物検査を全数対象で行っていたのでは検査工数が大きくなり、化学的機械的研磨処理のスループットの低下を来す。そこで、異物検査は、全数検査には馴染まず、抜き取り検査に馴染む検査とも言える。

このように本発明においては、検査対象毎に検査方式を、全数検査から抜き取り検査に臨機応変に変更することができる。

また、上記抜き取り検査を行うに際しては、一枚当たりの化学的機械的研磨処理時間以下で、検査が行えるように、抜き取り率を変更すればよい。例えば、一枚当たりの検査時間と、一枚当たりの化学的機械的研磨、洗浄、乾燥からなる一連の化学的機械的研磨処理時間との比が、３：１の場合には、３枚に１枚以下の抜き取り率で検査を行えばよい。かかる抜き取り率での検査は、通常行われている抜き取り率より格段に大きく、極めて全数検査に近い検査品質を有した検査が行えることも言える。

また、研磨欠陥検査手段４０は、化学的機械的研磨装置１０内のフロントエンドモジュール３０に配置されているため、化学的機械的研磨処理後、早い時間で研磨欠陥の有無が判明するため、検査結果をフィードバックして原因究明を速やかに行うことができる。

（実施の形態２）
本発明者は、前記実施の形態１の化学的機械的研磨方法で採用した構成に倣えば、化学的機械的研磨とは異なる処理の場合でも、処理後の次工程への搬送開始前に、処理により発生が予想される不良項目に検査項目を絞った検査を処理後の半導体ウエハに施すことで、次工程への処理不良に基づく不良半導体ウエハの搬出を阻止して、不良の作り込みを効果的に防止し得ることに気がついた。

図２は、半導体ウエハに所要の処理を施す半導体製造装置内に、処理後の半導体ウエハの処理欠陥を検査し、処理欠陥のある不良品の次工程への搬送を阻止する手段を有する場合を示す説明図である。

図２に示す半導体製造装置１００は、例えば、半導体ウエハ上にエッチング処理を施すエッチャー１００ａ、あるいは半導体ウエハ上に成膜処理を施すＣＶＤ装置１００ｂ、あるいは半導体ウエハ上にスパッタ処理を施すスパッタ装置１００ｃ等に構成されている。

半導体製造装置１００内には、図２に示すように、処理を施す処理装置１１０ａを配置した処理室１１０が設けられている。処理装置１１０ａの施す処理は、上記の如く、エッチング処理、あるいはＣＶＤ成膜処理、あるいはスパッタ処理である。

半導体製造装置１００には、直前工程あるいは次工程との間の半導体ウエハの受け渡しを行うポート１２０、１３０が設けられている。例えば、ポート１２０は搬入用に設けられ、直前工程での処理が終了した半導体ウエハが、フープ２０ａ等の収納容器２０に収容された状態で、搬送ロボットによりポート１２０に自動搬送されてくる。

ポート１３０からは、処理装置１００ａで所要の処理が施されて良品の半導体ウエハがフープ２０ｂ等の収納容器２０に収納され、次工程に搬送ロボット等により自動搬送されて行く。

ポート１２０、１３０側と処理室１１０側との間のフロントエンドモジュール３０内には、アーム１６ａ等に構成した移載ロボット１６が設けられている。併せて、フロントエンドモジュール３０内には、ウエハ処理終了後の半導体ウエハにおける研磨欠陥の有無を検査する検査手段１４０も設けられている。

検査手段１４０は、例えば、光学式に構成され、半導体ウエハ上にレーザ光を照射し、その散乱光を検出することで、半導体ウエハ上の異物検査が行えるように構成されている。あるいは、処理装置１１０ａで成膜処理を行う場合には、光学式の膜厚検査が行えるように構成しても構わない。

かかる構成の半導体製造装置１００を用いることで、本発明に係る半導体ウエハの処理方法を効果的に実施することができる。すなわち、直前工程の処理が終了した半導体ウエハが、半導体製造装置１００のポート１２０に搬送ロボットにより自動搬送されてきたとする。

ポート１２０では、所定枚数の半導体ウエハが収納されたフープ２０ａの扉が自動的に開けられる。予め設定されたレシピに従い、フープ２０ａ内に収納された半導体ウエハが、移載ロボット１６により、フープ２０ａ内から一枚ずつ枚葉毎に取り出され、処理室１１０内に設置した処理装置１１０ａに移載される。

移載ロボット１６により移載された半導体ウエハをセットした処理装置１１０ａは、レシピに合わせて、半導体製造装置１００がエッチャー１００ａに構成された場合にはエッチング処理を、半導体製造装置１００がＣＶＤ装置１００ｂに構成された場合にはＣＶＤ成膜処理を、半導体製造装置１００がスパッタ装置１００ｃに構成された場合にはスパッタ処理を半導体ウエハに施す。

このようにして所要の処理が処理装置１１０ａで施された半導体ウエハは、フロントエンドモジュール３０内に設置した移載ロボット１６により、処理室１１０内から検査手段１４０に送られる。

検査手段１４０では、例えば、回転する支持台上に載せて半導体ウエハを回転させながら、所定波長のレーザ光を半導体ウエハ面に照射し、その散乱光により、異物の検査を行う。散乱光が検知された場合には、半導体ウエハ上に処理装置１１０ａでの処理に際して、異物付着があったものと判断され、移載ロボット１６により、ポート１３０に設けた不良収納用のフープ２０ｃ内に収納され、次工程に搬送されないように処置される。

一方、検査手段１４０におけるレーザ光照射により、散乱光が検出されない場合には、異物付着がないものと判断され、かかる良品の半導体ウエハは、ポート１３０に設けた次工程への搬出用のフープ２０ｂ内に収納され、次工程に搬出される。図中、上記説明の半導体ウエハの一連の流れを矢印で示した。

このように本発明に係る半導体ウエハの処理方法では、所要の処理が終了した時点で、すなわち、エッチング処理、あるいはＣＶＤ成膜処理、あるいはスパッタ処理が終了した時点で、次工程への搬送が開始される前に、検査手段１４０で全数検査が行われて不良品が除かれるため、次工程への欠陥半導体ウエハの搬出が確実に阻止される。そのため、欠陥として大きなスクラッチが付いた半導体ウエハ上に、以降の工程処理の積み上げが行われることはなく、不良品の作り込みに基づく大きな損害の発生を未然に防止することができる。

また、検査に要する時間、すなわち半導体ウエハ１枚当たりの検査に要する時間は、半導体ウエハ１枚当たりのウエハ処理に要する時間以下に設定され、実質的な半導体製造装置におけるスループットの時間増大に繋がらないように設定されている。

上記説明では、検査を全数としているが、場合によっては抜き取り検査でも構わない。ロット毎に、あるいは数ロット毎に、所定枚数の抜き取り率で、スクラッチ検査と同様の要領で異物検査を行えばよい。特に、異物検査には時間がかかる場合もあり、かかる異物検査を全数対象で行っていたのでは検査工数が大きくなり、化学的機械的研磨処理のスループットの低下を来す虞があり、適宜に抜き取り検査とすればよい。

このように本発明の半導体ウエハの処理方法においては、検査対象毎に検査方式を、全数検査から抜き取り検査に臨機応変に変更することができる。また、上記抜き取り検査を行うに際しては、一枚当たりのウエハ処理時間以下で、検査が行えるように、抜き取り率を変更しても構わない。例えば、一枚当たりの検査時間と、一枚当たりのウエハ処理時間との比が、３：１の場合には、３枚に１枚以下の抜き取り率で検査を行えばよく、かかる点は前記実施の形態１で述べたと同様の要領である。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

前記説明では、半導体ウエハに化学的機械的研磨処理、あるいはその他の処理を施す場合を例に挙げて説明したが、本発明の適用対象は、半導体ウエハに限定する必要はなく、化学的機械的研磨処理、エッチング処理、ＣＶＤ成膜処理、スパッタ処理を施す液晶用基板、記憶用ディスク等へ適用しても構わない。

本発明の適用により有効な効果を示す場合としては、前記説明の化学的機械的研磨処理を含めて例示の処理がプロセス中に多様される製品で、例えば、メモリー、システムＬＳＩ等が挙げられる。

本発明は半導体装置の製造技術の分野で、特に、当該処理工程の不良を次工程に回さないようにする分野で有効に利用することができる。

本発明の一実施の形態である化学的機械的研磨方法の実施に使用する化学的機械的研磨装置の全体構成を模式的に示す説明図である。 本発明の一実施の形態である半導体ウエハの処理方法の実施に使用する半導体製造装置の全体構成を示す説明図である。

符号の説明

１０ 化学的機械的研磨装置
１０ａ 化学的機械的研磨装置本体
１１ ポート
１２ ポート
１３ 研磨室
１３ａ 化学的機械的研磨装置本体
１４ 洗浄室
１４ａ 洗浄装置
１５ 乾燥室
１５ａ 乾燥機
１６ 移載ロボット
１６ａ アーム
２０ 収納容器
２０ａ フープ
２０ｂ フープ
３０ フロントエンドモジュール
４０ 研磨欠陥検査手段
１００ 半導体製造装置
１００ａ エッチャー
１００ｂ ＣＶＤ装置
１００ｃ スパッタ装置
１１０ 処理室
１１０ａ 処理装置
１２０ ポート
１３０ ポート
１４０ 検査手段

Claims (6)

1. 半導体ウエハを化学的機械的研磨する化学的機械的研磨方法であって、
   化学的機械的研磨を含めた一連の処理からなる化学的機械的研磨処理の終了後に、化学的機械的研磨処理が終了した前記半導体ウエハを、次工程への搬送開始前に、一枚当たりの化学的機械的研磨処理時間以下の検査時間で、全数検査を行うことを特徴とする化学的機械的研磨方法。
2. 請求項１記載の化学的機械的研磨方法において、
   前記全数検査の検査対象は、化学的機械的研磨処理終了後の研磨欠陥あるいは異物の少なくともいずれかであることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
3. 半導体ウエハを化学的機械的研磨する化学的機械的研磨方法であって、
   化学的機械的研磨を含めた一連の処理からなる化学的機械的研磨処理の終了後に、化学的機械的研磨処理が終了した前記半導体ウエハを、次工程への搬送開始前に検査し、
   前記半導体ウエハ一枚当たりの検査時間が、前記半導体ウエハ一枚当たりの化学的機械的研磨処理時間より大きい場合には、前記半導体ウエハ一枚当たりの検査時間が前記半導体ウエハ一枚当たりの化学的機械的研磨処理時間以下の時間となるように抜き取り検査を行うことを特徴とする化学的機械的研磨方法。
4. 請求項３記載の化学的機械的研磨方法において、
   前記抜き取り検査の検査対象は、化学的機械的研磨処理後の研磨欠陥あるいは異物の少なくともいずれかであることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
5. 半導体ウエハをウエハ処理する半導体ウエハの処理方法であって、
   ウエハ処理後に、ウエハ処理が終了した前記半導体ウエハを、次工程への搬送開始前に、前記半導体ウエハ一枚当たりのウエハ処理時間以下の検査時間で、枚葉で全数検査を行うことを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
6. 半導体ウエハをウエハ処理する半導体ウエハの処理方法であって、
   ウエハ処理終了後に、ウエハ処理が終了した前記半導体ウエハを、次工程への搬送開始前に検査し、
   前記半導体ウエハ一枚当たりの検査時間が前記半導体ウエハ一枚当たりのウエハ処理時間より大きい場合には、半導体ウエハ一枚当たりの検査時間が半導体ウエハ一枚当たりのウエハ処理時間以下となるように抜き取り検査を行うことを特徴とする半導体ウエハの処理方法。

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