TWI478888B - 玻璃基板再生裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種玻璃基板再生裝置，其從在液晶顯示裝置等所使用之彩色濾光器的製程中所產生之不良基板(未滿足品質基準的基板)再生玻璃基板。
第15圖係表示彩色液晶顯示裝置所使用之彩色濾光器之一例的剖面圖。
彩色濾光器1具備有：玻璃基板2、形成於玻璃基板2之上的黑陣列(BM)3、紅色的著色像素(R像素)4R、綠色的著色像素(G像素)4G、藍色的著色像素(B像素)4B(以下將RGB各像素總稱為「著色像素4」)、ITO(Indium Tin Oxide)等的透明電極5、光間隔片(PS)以及粒子準位(VA)7。作為這種構造之彩色濾光器101的製造方法，已知光蝕刻法、印刷法以及噴墨法。
第16圖係表示光蝕刻法之各步驟的流程圖。
首先，將BM形成於玻璃基板上(S101)。接著，清潔玻璃基板(S102)，對玻璃基板上塗布RGB之任一種著色光阻劑，並進行預備乾燥後(S103)，為了使基板上的著色光阻劑變成乾燥、變硬，而進行預烘(S104)。然後，使用光罩將基板上的著色光阻劑進行曝光(S105)，在進行顯像處理後(S106)，使已圖型化的著色光阻劑變硬(S107)。至在玻璃基板上形成R、G、B之3色像素為止重複進行上述之S102~S107的處理(S108)。然後，在著色像素上將透明電極進行成膜後(S109)，在透明電極5上形成PS、VA(S110)。經由以上的步驟，而製造第15圖所示的彩色濾光器。
此外，關於對玻璃基板上之BM的形成，例如可採用如下的方法，將金屬薄膜形成於玻璃基板上，再對金屬薄膜上塗布光阻劑後，利用光蝕刻法進行曝光、顯像、蝕刻，而形成BM形狀的圖型。或者，採用如下的方法，將黑色的光阻劑塗布於玻璃基板上，再利用光蝕刻法將此黑色的光阻劑進行曝光及顯像，而形成具有BM形狀的圖型(所謂的樹脂BM)。
又，隨著彩色濾光器用玻璃基板的大型化，而有迴避採用由金屬薄膜所構成之BM的傾向。這是由於和使用鉻等金屬並利用真空裝置形成金屬薄膜相比，使用黑色的樹脂光阻劑進行光蝕刻法在價格及環境之雙方上比較有利。
雖然在上述的彩色濾光器需要高可靠性，但是如第16圖所示，其製造需要經過很多步驟，在其途中可能產生灰塵或樹脂渣等異物的附著或混入、針孔、圖型欠缺等缺陷。發生這種缺陷的基板是未滿足品質基準的不良基板，會降低良率。又，隨著近年來之大畫面液晶電視的普及，彩色濾光器用玻璃基板大型化，使用厚度1mm以下且一邊之長度長達1~2m的玻璃基板。因為這種玻璃基板易破損，所以不良基板之丟棄作業伴隨危險。
因此，要求可從未滿足品質基準的不良基板再生玻璃基板的玻璃基板再生裝置。由玻璃基板再生裝置所再生的玻璃基板可再投入製程。
第17圖係表示彩色濾光器用玻璃基板之再生處理的流程圖。
對在PS、VA形成步驟以後所產生之不良基板(具有和第15圖之彩色濾光器一樣的疊層構造)進行再生的情況，首先，依序進行第1鹼性液處理(S201)、刷洗(S202)以及沖水(S203)，並將位於玻璃基板之最上層的PS、VA膜剝離。接著，進行酸性液處理(S204)及沖水(S205)，並將是中間層的透明電極剝離。然後，依序進行第2鹼性液處理(S206)、刷洗(S207)以及沖水(S208)，並將玻璃基板表面的BM、R像素、G像素、B像素剝離。然後，利用刷洗(S209)除去微量地殘留於玻璃基板上的清潔殘渣，藉除去水分而使玻璃基板變成乾燥(S210)。
第18圖係表示以往之玻璃基板再生裝置的圖。
玻璃基板再生裝置90是進行用以剝離不良基板1表面之樹脂膜(PS、VA、BM以及著色像素)的鹼性液處理(第17圖的S201、S206)，並具備有：儲存槽91、泵92、噴嘴93、鹼性液補充槽94、剝離液補充槽95以及回收盤96。
在儲存槽91中，儲存已預先調整各自的成分及濃度的處理液，包含鹼性液及剝離液。儲存槽91內的處理液係藉由泵92經由配管97向噴嘴93供給，並從噴嘴93向不良基板1排出。利用未圖示的清潔刷，和處理液的排出平行地清潔不良基板的表面，並將PS、VA等的樹脂膜剝離。不良基板1係一面藉由未圖示的搬運裝置以固定速度在既定方向上搬運，一面被施加藉由處理液及清潔刷的剝離處理。
對不良基板1所排出的處理液及被剝離的樹脂(例如在PS、VA形成所使用的樹脂)係從回收盤96經由配管100而回收在儲存槽91中。所回收的樹脂在儲存槽91內沈澱後從配管102向外部排出。或者，亦可將過濾器設置於儲存槽91內並使樹脂分離。
每隔固定時間測量儲存槽91內的鹼性液濃度及剝離液濃度。在濃度不足的情況，從鹼性液補充槽94及剝離液補充槽95分別經由配管98及配管99而向儲存槽91補充鹼性液及剝離液。
除了上述之第17圖及第18圖所示的玻璃基板再生方法以外，提議幾種方法。例如，在專利文獻1，記載藉由將不良基板浸泡於包含有水溶性有機胺化合物和無機鹼性金屬化合物之水溶液而再生玻璃基板的方法。在專利文獻2，記載在將不良基板浸泡於濃度98%之濃硫酸後沖水，再浸泡於包含有加溫至55℃之烷基二醇和乙二醇酯的鹼性水溶液，並因應於需要而進行海綿摩擦。在專利文獻2，記載進行一次酸性液處理和二次酸性液處理，並將ITO膜、RGB像素以及BM剝離的方法。在專利文獻4，記載利用2階段之處理而將RGB像素及BM剝離的方法，而該處理由以包含有無機酸的前處理液將不良基板進行前處理的步驟、及以包含有鹼性液的剝離液將不良基板進行後處理的步驟所構成。
專利文獻1：特開2001-124916號公報
專利文獻2：特開平7-230081號公報
專利文獻3：特開2006-154752號公報
專利文獻4：特開2002-179438號公報
專利文獻5：特開2003-279915號公報
專利文獻6：特開2005-189679號公報
在上述的第17圖，雖然為了便於圖示，而連續地記載PS、VA剝離步驟(第1鹼性液處理)、透明電極剝離步驟、(酸性液處理)以及RGB像素、BM剝離步驟(第2鹼性液處理)，但是因為這些各步驟的處理時間相異，所以實際上，係以獨立的分批處理進行各步驟。因而，在玻璃基板的再生處理耗費很多時間。
又，在專利文獻1~4的處理方法，因為需要將不良基板浸泡於處理液10分鐘~2小時，所以具有玻璃基板受損的問題。又，因為最下層(玻璃基板表面)的樹脂膜殘渣殘留，所以一般在剝離後進行研磨處理，亦具有處理步驟數增加的問題。
因而，本發明之目的在於提供一種玻璃基板再生裝置，其不會損傷彩色濾光器用玻璃基板，並可在短時間內將其上的樹脂膜及金屬膜剝離。
本發明係有關於一種玻璃基板再生裝置，其一面搬運在玻璃基板上形成有由樹脂及金屬之任一個所構成之1層以上的層的不良基板，一面從不良基板再生玻璃基板。該玻璃基板再生裝置至少具備有：第1鹼性液處理部，係以鹼性液處理不良基板，並將位於不良基板之表面的第1樹脂層剝離；第1酸性液處理部，係設置於第1鹼性液處理部的下游，以酸性液處理不良基板，並將位於不良基板之表面的金屬膜剝離；以及第2鹼性液處理部，係設置於酸性液處理部的下游，以鹼性液處理不良基板，並將位於玻璃基板之表面的第2樹脂層剝離。
若依據本發明的玻璃基板再生裝置，因為一面搬運基板一面依序進行剝離處理，所以可在短時間內再生玻璃基板。又，藉由處理時間變短，而可防止玻璃基板的損傷。
第1A圖~第1E圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之例子的剖面圖。
在此，不良基板是在光蝕刻法之各步驟所產生之未滿足品質基準的基板，意指在玻璃基板上形成有樹脂膜(BM、R像素、G像素、B像素、PS、VA)及金屬膜(透明電極)的一方或雙方之狀態的基板。
第1A圖所示的不良基板1a是在PS、VA形成步驟後的檢查所發現者，是在玻璃基板2上形成有BM3、RGB之著色像素4、由ITO等之金屬膜所構成的透明電極5、PS6以及VA7者。
又，在彩色濾光器的製程，使用由檢查所發現的不良基板，提出透明電極用金屬膜的成膜條件。
第1B圖所示的不良基板1b是作為使用第1A圖所示的不良基板並提出金屬膜之成膜條件的結果所產生者，在PS6、VA7上還具有ITO等的金屬膜8。
第1C圖所示的不良基板1c是作為使用在金屬膜之形成步驟以後且在PS、VA形成步驟之前所發現的不良基板並提出金屬膜之成膜條件的結果所產生者，玻璃基板2的背面(和BM3及著色像素4之形成面反側的面)具有ITO等的金屬膜9。
第1D圖所示的不良基板1d具有形成於著色像素4上的過敷層33、和形成於玻璃基板2之背面的透明電極34。第1E圖所示的不良基板1e是在第1D圖所示之不良基板1d的過敷層33上還具有PS6及VA7。過敷層33是為了著色像素4上的平坦化、或防止著色像素4中之成分的流出、保護著色像素4的目的而設置。
此外，不良基板在光蝕刻法(第15圖)所示之任一步驟都可能產生。因此，除了第1A圖~第1E圖所示的不良基板以外，亦存在在玻璃基板2上形成有BM3及著色像素4(R像素、G像素、B像素)之至少一種的不良基板，或在玻璃基板2上僅形成BM3、著色像素4、以及透明電極5的不良基板。
以下，因應於需要，一面參照第1A圖~第1E圖，一面說明各實施形態的玻璃基板再生裝置。
(第1實施形態)
第2圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生方法的流程圖。
第2圖所示之玻璃基板再生方法適合從具有第1A圖之構造的不良基板1a再生玻璃基板。具體而言，本實施形態的玻璃基板再生方法，具備有：將最上層的樹脂層(PS6、VA7)剝離的第1鹼性液處理步驟(S11)、將中間層之金屬膜(透明電極5)剝離的酸性液處理步驟(S12)、以及將最下層的樹脂層(BM3、著色像素4)剝離的第2鹼性液處理步驟(S13)。這些各步驟S11~S13，不是作為獨立的分批處理來進行，而是對利用搬運裝置所搬運的不良基板連續地進行。此外，在第2鹼性液處理步驟(S13)以後，進行最終水洗處理步驟(S14)，而完成玻璃基板的再生。
第3圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生裝置的圖。
玻璃基板再生裝置10是對在大致水平地支持之狀態下由搬運裝置所搬運的基板進行再生處理的裝置，朝向不良基板的搬運方向依序具備有：第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16。
又，在第1鹼性液處理部12的上游，配置基板搬入部11。在第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16的正後，分別配置水沖洗部13、15以及17。此外，在水沖洗部17的下游，依序配置最終沖水處理部18和玻璃基板搬出部19。
第1鹼性液處理部12對從基板搬入部11所搬入的不良基板噴射鹼性液，並將最上層的樹脂層(第1A圖的PS6、VA7)剝離。水沖洗部13利用沖水而除去在第1鹼性液處理部12附著於不良基板表面的鹼性液。
酸性液處理部14對已利用水沖洗部13沖水的不良基板噴射酸性液，而將中間層的金屬膜(第1A圖的透明電極5)剝離。水沖洗部15利用沖水而除去在酸性液處理部附著於不良基板表面的酸性液。
第2鹼性液處理部16對已利用水沖洗部15沖水的不良基板噴射鹼性液，而將最下層的金屬膜(第1A圖的BM3、著色像素4)剝離。水沖洗部17利用沖水而除去在第2鹼性液處理部16附著於不良基板表面的鹼性液。
已由水沖洗部17沖水的玻璃基板2，再由最終沖水處理部18沖水後，從玻璃基板搬出部19排出。
在該第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16，可任意地設定處理液的排出壓力或液温、排出時間以及基板的搬運速度。藉由使可變更這些項目，而即使在已變更玻璃基板2上之各層(PS6、VA7、透明電極5、BM3、著色像素4)的材料或厚度的情況，亦可設定最適合各層之剝離的條件。又，在該第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16，因應於需要而設置用以剝離基板上之層的刷子或海綿輥等。此外，在酸性液處理部14，亦可對基板的雙面排出酸性液。
(第1實施例)
以下，作為第1實施例，表示使用第3圖所示之玻璃基板再生裝置10的情況之具體的處理條件。
在鹼性處理步驟所使用的鹼性液及在酸性液處理步驟所使用之酸性液的成分例是如以下所示。
(1)鹼性液(在第1鹼性液處理部12及第2鹼性液處理部16使用)：
氫氧化鉀 8重量%
單乙醇胺 12重量%
二乙醇單丁醚 15重量%
苯甲基乙醇 2重量%
水 63重量%
(2)酸性液(在酸性液處理部14使用)：
氯化亞鐵 35重量%
硝酸 3重量%
水 62重量%
第1表表示改變藥液的排出條件(溫度、排出時間)，並根據「○：無殘渣，×：有殘渣」而評估在剝離處理後各層有無殘渣的結果。此時，在第1及第2鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力都設為0.1MPa，而在酸性液處理部的排出壓力設為0.15MPa。此外，表中之向上的箭號「↑」表示值和上面的列相同。
如從條件9~13所掌握的所示，在第1鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力為0.1MPa的情況，最上層的樹脂層(PS、VA)在液溫40℃、排出時間60秒以上的條件、或液溫30℃、排出時間90秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。又，雖然鹼性液侵蝕玻璃基板，但是因為在本實施形態在短時間內進行剝離處理，所以在玻璃基板上未看到鹼性液的影響。
如從條件5~8所掌握的所示，在酸性液的排出壓力為0.15MPa的情況，中間層的金屬膜(透明電極)在液溫55℃、排出時間180秒以上的條件、或液溫65℃、排出時間150秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。
如從條件1~4所掌握的所示，在第2鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力為0.1MPa的情況，最下層的樹脂層(BM、著色像素)在液溫65℃、排出時間240秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。又，雖然鹼性液侵蝕玻璃基板，但是因為在本實施形態在短時間內進行剝離處理，所以在玻璃基板上未看到鹼性液的影響。
(第2實施形態)
第4圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生方法的流程圖。
第4圖所示之玻璃基板再生方法，不僅第1A圖所示之不良基板1a，亦可對第1B圖~第1E圖所示之不良基板1b~1e進行再生，是在第1實施形態的再生方法(第2圖)再附加第1酸性液處理步驟(S21)。
更具體而言，本實施形態的玻璃基板再生方法，具備有：用以將根據所提出之金屬膜的成膜條件所形成之金屬膜8剝離的第1酸性液處理步驟(S21)、將最上層的樹脂層(PS6、VA7)剝離的第1鹼性液處理步驟(S22)、將中間層之金屬膜(透明電極5)剝離的第2酸性液處理步驟(S23)、以及將最下層的樹脂層(BM3、著色像素4)剝離的第2鹼性液處理步驟(S24)。這些各步驟S21~S24，不是作為獨立的分批處理來進行，而對利用搬運裝置所搬運的不良基板連續地進行。此外，在第2鹼性液處理步驟(S24)以後，進行最終水洗處理步驟(S25)。
第5A圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置的示意構成圖。
玻璃基板再生裝置20a是對在大致水平地支持之狀態下由搬運裝置所搬運的基板進行再生處理的裝置，朝向不良基板的搬運方向依序具備有：第1酸性液處理部22a、第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28。玻璃基板再生裝置20a適合處理具有第1A圖及第1B圖所示之構造的不良基板1a及1b。
又，在第1酸性液處理部22a的上游，配置基板搬入部21。在第1酸性液處理部21、第1鹼性液處理部12、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部16的正後，分別配置水沖洗部23、25、27以及29。此外，在水沖洗部29的下游，依序配置最終沖水處理部30和玻璃基板搬出部31。
第1酸性液處理部22a對從基板搬入部21所搬入的不良基板噴射酸性液，並將根據所提出的成膜條件所形成之金屬膜8(第1B圖)剝離。水沖洗部23利用沖水而除去在第1酸性液處理部21附著於不良基板表面的酸性液。
第1鹼性液處理部24將最上層的樹脂層(PS6、VA7)剝離。水沖洗部25利用沖水而除去在第1鹼性液處理部24附著於不良基板表面的鹼性液。
第2酸性液處理部26對已利用水沖洗部25沖水之不良基板的雙面噴射酸性液，而將位於玻璃基板2之雙面的金屬膜(透明電極5及金屬膜9)剝離。水沖洗部27利用沖水而除去在第2酸性液處理部26附著於不良基板表面的酸性液。
第2鹼性液處理部28對已利用水沖洗部27沖水的不良基板噴射鹼性液，而將最下層的金屬膜(BM3、著色像素4)剝離。水沖洗部29利用沖水而除去在第2鹼性液處理部28附著於不良基板表面的鹼性液。
已由水沖洗部29沖水的玻璃基板2，再由最終沖水處理部30沖水後，從玻璃基板搬出部31排出。
在該第1酸性液處理部22a、第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28，可任意地設定處理液的排出壓力或液温、排出時間以及基板的搬運速度。藉由使可變更這些項目，而即使在已因設計變更等而變更玻璃基板2上之各層(PS6、VA7、透明電極5、BM3、著色像素4、金屬膜8及9)的材料或厚度的情況，亦可設定最適合各層之剝離的條件。又，在該第1酸性液處理部22a、第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28，因應於需要而設置用以剝離基板上之層的刷子或海綿輥等。
在本實施形態的玻璃基板再生裝置20處理第1A圖及第1B圖所示之不良基板1a及1b的情況，因應於不良基板之疊層構造而各層的剝離步驟相異。
在已投入第1A圖所示之不良基板1a的情況，在第1酸性液處理部22a，未將最上層的PS6及VA7剝離，而將所露出之透明電極5的一部分剝離。然後，和第1實施形態一樣，在第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28依序將各層剝離，而再生玻璃基板2。
在已投入第1B圖所示之不良基板1b的情況，在第1酸性液處理剖22a，將為了提出金屬膜的成膜條件所形成之金屬膜8剝離。然後，和第1實施形態一樣，在第1鹼性液處理部24、第2酸性液處理部26以及第2鹼性液處理部28依序將各層剝離，而再生玻璃基板2。
此外，在第2酸性液處理部26，雖然對不良基板的背面亦噴射藥液，但是因為其液性是酸性，所以對如第1A圖及第1B圖所示，對在背面玻璃基板未露出的不良基板無損害。
第5B圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置之其他的例子的圖。
玻璃基板再生裝置20b是替代玻璃基板再生裝置20a(第5A圖)的第1酸性液處理部22a，而設置第1酸性液處理部22b。第1酸性液處理部22b對從基板搬入部21所搬入之不良基板1的雙面噴射酸性液，並將金屬膜剝離。玻璃基板再生裝置20b不僅第1A圖及第1B圖所示之具有疊層構造的不良基板1a及1b，而且適合處理第1C圖~第1E圖。
在已投入第1C圖所示之不良基板1c的情況，在第1酸性液處理部22b，對不良基板1c的雙面噴射酸性液，而將表面之透明電極5和背面的金屬膜9之雙方剝離。然後，在第1鹼性液處理部28將最下層的樹脂層剝離，而再生玻璃基板2。
在已投入第1D圖及第1E圖所示之不良基板1d及1e的情況，在第1酸性液處理部22b，對不良基板1d的雙面噴射酸性液，而將背面之透明電極34剝離。然後，在第1鹼性液處理部28將玻璃基板2上的樹脂層(PS6、VA7、過敷層33、BM3、著色像素4)剝離，而再生玻璃基板2。
在第1C圖~第1E圖所示之構造，在玻璃基板2的背面上直接形成金屬膜(ITO膜)。在此狀態，最初進行鹼性處理時，鹼性處理液滲入金屬膜之多孔狀之結晶的間隙而侵蝕玻璃基板2。由於在玻璃基板2的背面上產生本來之玻璃表面部分和被侵蝕部分，玻璃基板2的表面成為毛玻璃狀，而無法將玻璃基板2再用作基材。因此，在第5B圖的裝置，首先，進行酸性液處理，並將在玻璃基板2的表面所直接形成之金屬膜剝離。在已將不良基板1c~1e投入第1酸性液處理部22a或22b的情況，雖然在第2鹼性液處理部28處理所再生的玻璃基板2(素玻璃之狀態)，但是因為該處理時間短，所以抑制對玻璃基板2的侵蝕。
又，在對第1C圖~第1E圖所示之構造的不良基板1c~1e進行再生的情況，能以1次的酸性液處理和1次的鹼性液處理再生玻璃基板2。因此，亦可替代將不良基板1c~1e投入第1酸性液處理部22a或22b，而從基板搬入部21投入第2酸性液處理部26。另一方面，在將不良基板1c~1e直接投入第2酸性液處理部26的情況，因為不進行不要的鹼性液處理，所以可將基本的侵蝕抑制成最小限度。
又，在第5A圖及第5B圖之構成例，雖然第2酸性液處理部26對不良基板的雙面噴射酸性液，但是亦可如以下所示構成第2酸性液處理部。
第6圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置之其他的例子的圖。
第6圖所示之玻璃基板再生裝置20c具備有：一對第2酸性液處理部26a及26b，係配置於第1鹼性液處理部24和第2鹼性液處理部28之間，並僅對不良基板的一個面噴出酸性液；及一對水沖洗部27a及27b，係配置於各個第2酸性液處理部26a及26b的正後。又，在水沖洗部27a與第2酸性液處理部26b之間、水沖洗部27b與第2鹼性液處理部28之間，設置用以使不良基板的表裡反轉之未圖示的反轉機構。即使如此地構成，亦和第4圖的裝置一樣，可將形成於玻璃基板之背面的金屬膜9剝離。此外，在第6圖的例子，亦可替代第1酸性液處理部22a，而採用向不良基板的雙面排出酸性液的第1酸性液處理部22b(第5B圖)。
如以上之說明所示，若依據本實施形態的玻璃基板再生裝置20a及20b，可和不良基板之疊層構造無關，從各種種類的不良基板再生玻璃基板。
(第2實施例)
以下，作為第2實施例，表示使用第5A圖之玻璃基板再生裝置20a的情況之具體的處理條件。此外，在第1及第2鹼性液處理步驟所使用的鹼性液及在第1及第2酸性液處理步驟所使用的酸性液係和該第1實施例一樣的。
第2表表示改變藥液的排出條件(溫度、排出時間)，並根據「○：無殘渣，×：有殘渣」而評估在剝離處理後各層有無殘渣的結果。此時，在第1及第2鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力都設為0.1MPa，而在第1及第2酸性液處理部的排出壓力設為0.15MPa。此外，表中之向上的箭號「↑」表示值和上面的列相同。
如從條件9~13可知，在第1鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力為0.1MPa的情況，最上層的樹脂層(PS、VA)在液溫40℃、排出時間60秒以上的條件、或液溫30℃、排出時間90秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。
如從條件5~8可知，在第1及第2酸性液處理部之酸性液的排出壓力為0.15MPa的情況，透明電極及提出成膜條件用的金屬膜，在液溫55℃、排出時間180秒以上的條件、或液溫65℃、排出時間150秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。
如從條件1~4可知，在第2鹼性液處理部之鹼性液的排出壓力為0.1MPa的情況，最下層的樹脂層(BM、著色像素)在液溫65℃、排出時間240秒以上的條件完全地被剝離，亦未產生殘渣。
(第3實施形態)
第7圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理單元的示意構成圖。
鹼性液處理單元40a是為了從不良基板再生玻璃基板，而用以將玻璃基板上的樹脂層(PS6、VA7、BM3、著色像素4)剝離的裝置。鹼性液處理單元40a可利用上述之第1及第2的各實施形態的玻璃基板再生裝置所具備之第1及第2鹼性液處理部的一方或雙方。
鹼性液處理單元40a具備有沿著不良基板之搬運方向串列地配置，並可對不良基板獨立地進行剝離處理之一對處理部41a與41b、鹼性液補充槽42、剝離液補充槽43以及回收盤44a與44b。
處理部41a包含有：儲存處理液的儲存槽45a、對不良基板排出處理液的噴嘴46a、經由配管47a而向噴嘴46a供給儲存槽45a內之處理液的泵48a以及刷並清潔基板表面的刷子(未圖示)。處理部41b包含有：配置於處理部41a的下游並和設置於處理部41a一樣的儲存槽45b、噴嘴46b、經由配管47b而向噴嘴46b供給處理液的泵48b以及清潔用刷子(未圖示)。
在處理部41a，由泵48a向噴嘴46a供給儲存槽45a內的處理液，而從噴嘴46a向不良基板1的表面如淋浴般排出。然後，利用未圖示的刷子刷不良基板1的表面，藉此將樹脂層的一部分剝離。從回收盤44a將不良基板1的清潔所使用的處理液及剝離樹脂經由配管49a而回收至儲存槽45a。使剝離樹脂在儲存槽45a內沈澱後，從配管50a向外部排出。或者，亦可將過濾機構設置於配管49a的途中或儲存槽45a內，除去處理液中的樹脂。
在處理部41b亦一樣，由泵48b向噴嘴46b供給儲存槽45b內的處理液，而從噴嘴46b向不良基板1的表面如淋浴般排出。利用未圖示的刷子刷不良基板1的表面，藉此將殘留的樹脂層剝離。從回收盤44b將清潔所使用的處理液及剝離樹脂經由配管49b而回收至儲存槽45b。使剝離樹脂在儲存槽45b內沈澱後，從配管50b向外部排出。或者，亦可將過濾機構設置於配管49b的途中或儲存槽45b內，除去處理液中的樹脂。
在儲存槽45a及45b，預先儲存被調整至既定濃度的處理液，利用未圖示的測量裝置每隔固定時間監視其內部的處理液濃度。在儲存槽45a內之處理液濃度降低的情況，從鹼性液補充槽42及剝離液補充槽43經由配管51a及52，向儲存槽45a補充鹼性液及剝離液，而調整儲存槽45a內之處理液濃度。另一方面，在儲存槽45b內之處理液濃度降低的情況，從鹼性液補充槽42經由配管51b，向儲存槽45b補充鹼性液，而調整儲存槽45b內之處理液濃度。
又，亦可替代第7圖所示的鹼性液處理單元40a，而採用如下所示之構成。
第8圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理單元之其他的例子的圖。
鹼性液處理單元40b是對和第7圖所示者一樣的處理部41a及41b，分別設置鹼性液補充槽42a及42b、剝離液補充槽43a及43b。
在第8圖所示之鹼性液處理單元41b，在儲存槽45a及45b內的處理液濃度降低的情況，從鹼性液補充槽42a及42b經由配管51a及51b而向儲存槽45a及45b供給鹼性液。又，從剝離液補充槽43a及43b經由配管52a及52b，而向儲存槽45a及45b供給剝離液。
在第7圖及第8圖所示的鹼性液處理單元40a及40b，在處理部41a和處理部41b，處理液之成分或濃度的至少一方相異。具體而言，在第7圖之構成，藉由將剝離液僅和在上游側的處理部41a所使用的處理液混合，而在處理部41a及41b所使用之處理液的成分相異。又，亦可使在下游側的處理部41b所使用的處理液所含之鹼性液濃度比處理部41a的低(第7圖及第8圖)，或在下游側的處理部所使用的處理液所含之剝離液濃度比處理部41a的低(第8圖)。
若如此隨著從上游往下游，使處理液的濃度(鹼性液濃度、剝離液濃度)變低，則可高效率地使用鹼性液或剝離液。即，在應剝離之樹脂量最多之鹼性液處理的起始階段，以濃度比較高的處理液強力地進行剝離處理，在隨著剝離處理進展而樹脂量減少後的階段，以低濃度的處理液進行剝離處理。結果，和使用固定濃度之處理液的情況相比，因為可減少鹼性液及剝離液的用量，所以可降低玻璃基板再生所需的費用。又，藉由使處理液濃度逐漸降低，而可縮短玻璃基板曝露於高濃度處理液的時間，結果，可防止鹼性成分對玻璃基板的損傷。
此外，在上述的說明，雖然表示藉由來自噴嘴46a及46之處理液的排出和清潔刷之刷掉的組合而處理不良基板的例子，但是作為在處理部41a及41b之樹脂層的剝離處理部，可採用任何的構成。例如，亦可以既定壓力對不良基板噴射處理液，在使樹脂膜剝離某程度後，以海綿刷表面而進行清潔。又，亦可替代清潔刷，而使用海綿輥。或者，在使不良基板浸泡於處理液中之狀態下搬運，然後，以高壓對不良基板噴射處理液，而將樹脂膜剝離、除去。
又，在第7圖及第8圖的例子，雖然說明使用2個處理部41a及41b構成鹼性液處理單元的例子，但是只要複數個處理部串列地配置即可，處理部的個數只要2個以上即可。
(第3~第6實施例)
以下，作為第3~第6實施例，表示使用第7圖之鹼性液處理單元40a的情況(更詳細說明之，將第7圖之鹼性液處理單元40a應用於第3圖所示之玻璃基板再生裝置的第1鹼性液處理部12及第2鹼性液處理部16的情況)之具體的處理條件。又，作為比較例，表示使用第18圖所示之構成的玻璃基板再生裝置之情況的處理條件。此外，第18圖所示的噴嘴是將第7圖所示的噴嘴串列地連接者。
作為處理對象的基板，使用將BM、著色像素、ITO透明電極、PS以及VA形成於由無鹼性玻璃所構成之玻璃基板(尺寸：2160mm×2460mm、厚度：0.7mm)者(第1A圖)。
鹼性液的成分如以下所示。又在第1鹼性液處理部12及第2鹼性液處理部16使用同一處理液。
無機鹼(氫氧化鉀) 11重量%
有機鹼(單乙醇胺、三乙醇胺) 20重量%
乙二醇醚 28重量%
苯甲基乙醇 8重量%
水 33重量%
無機鹼(氫氧化鉀) 11重量%
水 89重量%
在第1及第2鹼性液處理部之處理液的溫度如以下所示。
(1)第3實施例：55℃
(2)第4實施例：45℃
(3)第5實施例：60℃
(4)第6實施例：65℃
又，在第1鹼性液處理部及第2鹼性液處理部的處理是如以下所示進行。一面從噴嘴以排出壓力0.1MPa的淋浴排出，一面利用刷子將處理對象基板進行清潔，並將樹脂槽(PS、VA、BM、著色像素)剝離除去。將基板的搬運速度設為1000mm/分鐘，將上游側及下游側之處理部的處理時間都設為90秒(總處理時間為180秒)。
(比較例)
在比較例，使用成分和上述之處理液1相同的處理液。一面從噴嘴以排出壓力0.1MPa的淋浴排出55℃的處理液，一面利用刷子清潔處理對象基板，而將PS、VA剝離、除去。將基板的搬運速度設為1000mm/分鐘，將處理時間設為180秒。
此外，在酸性液處理步驟，使用周知的處理裝置或處理液將透明電極膜剝離、除去。
關於在第3~6實施例及比較例所再生的玻璃基板，利用目視檢查，確認殘渣的附著或有無斑點，並根據元素分析而進行銦的檢測、表面粗糙度測量。在第1~4實施例及比較例所再生的玻璃基板，都未看到殘渣的附著或斑點，並未檢測到銦。玻璃基板的表面粗糙度在第3~6實施例為0.501nm，而在比較例為0.544nm，都滿足玻璃基板的品質基準。如此，在第3~6實施例，將鹼性液處理部二分割成上游側的處理部及下游側的處理部，雖然在下游側的處理部使用鹼性液濃度低的處理液，但是已確認可無問題地再生玻璃基板。
(第4實施形態)
第9圖係表示本發明之第4實施形態之搬運裝置的一部分的立體圖，第10圖係從第9圖之Ⅸ-Ⅸ線所看到的圖。
搬運裝置60具備有：在各個上端部支持不良基板1之下面的複數個輥61、及使各個輥61繞中心軸轉動的驅動機構(未圖示)。各個輥61每隔固定間隔配置成中心軸彼此平行，藉由驅動機構轉動，而朝向各個中心軸相連的方向(第9圖及第10圖的左右方向)搬運不良基板1。
又，在輥61之上端部的下方，設置橡皮刮62，其用以刮取附著於輥61的液體62。橡皮刮62具有在輥61之軸向伸長之長板形，其一片在和輥61的外面抵接之狀態被固定。在橡皮刮62及輥61之接觸部分的下方，如第10圖所示，設置液承部63，其用以接受由橡皮刮62所刮取而掉下的液體67。由液承部63所接受的液體67被儲存於回收槽64。
為了處理在輥61上移動的不良基板1，而從噴嘴65向不良基板1排出處理液66。包含有所排出的處理液及所剝離之各層的材料的液體繞至不良基板1的下面，而附著於輥61。
亦如在上述之第1及第2實施形態的說明所示，在本發明的玻璃基板再生裝置，不是採用將複數片不良基板一起浸泡於處理液的浸泡方式，而是採用一面逐片搬運不良基板一面進行逐次處理的逐片搬運方式。在此逐片搬運方式，有在再生處理所剝離的光阻劑或ITO等附著於輥61後，再轉印並固接於再生基板並變成異物的問題。因此，以往除了在沖水步驟需要對基板的雙面噴射水並仔細地進行清潔以外，還需要在短間隔清潔搬運裝置，具有維修性不佳的問題。
在本實施形態的搬運裝置60，因為橡皮刮62接觸輥61的表面，所以隨著輥61的轉動而除去附著於輥61之表面的液體。結果，抑制除去物再附著於玻璃基板，而可防止在某步驟的除去物被帶入其他的步驟。在藉逐片搬運方式的玻璃基板再生處理，因為交互地進行酸處理及鹼處理，雖然因在某步驟的除去物和下一步驟之處理液的混合，而有引起剝離性能的降低或析出物之產生的情況，但是若依據本實施形態的搬運裝置60，可防止那種不良。又，因為可高效率地回收由輥61所刮取的液體67，所以亦可提高搬運裝置60的維修性或減輕對過濾器的負荷。此外，亦可大量地減少沖水時所使用的水量。
此外，橡皮刮62的材質只要和處理液不反應者即可，可利用彈性體或超高分子量聚乙烯、聚醛、聚四氯代乙烯等。尤其，因為橡皮刮62是以被壓在輥61之狀態固定，所以使用耐磨性優異的材料較佳。
又，雖然亦可對全部的輥61設置橡皮刮62，但是以常發生液體之繞入的部分為中心對一部分的輥61設置的效率高。
此外，在搬運裝置60，除了指示基板之下面的輥61以外，有還設置從上壓住所搬運之基板的上部輥的情況。對此上部輥，亦可一樣地安裝橡皮刮。如此構成時，因為可除去已附著於上部輥的液體，所以可更加提高在將橡皮刮62安裝於輥61的情況所得之效果。
(第5實施形態)
第11圖係表示本發明之第5實施形態之玻璃基板再生裝置的圖，第12圖係表示第11圖所示之透過型光感測器的示意構成圖。此外，在第11圖，箭號表示基板的搬運方向。
本實施形態的玻璃基板再生裝置還具備有：判定部70，係判定不良基板上是否有透明電極；及分配部71，係分配不良基板的搬運目的地。
判定部70包含有透光型感測器72。透光型感測器72具有射出第1波長之光的光源73a、射出和第1波長相異之第2波長之光的光源73b、檢測第1波長之光強度的光感測器74a以及檢測第2波長之光強度的光感測器74b。判定部70使用透光型感測器72，感測不良基板1中之素玻璃(未被BM及著色像素覆蓋的部分)部分上之複數個點的透過率並判定有無透明電極5。
具體而言，作為第1波長及第2波長，使用藍色區域的450nm及綠色區域的600nm。若將從言些波長的光源所射出並僅透過玻璃基板2之光的透過率設為100%，則透過透明電極5及玻璃基板2的雙方之光的透過率變成92~95%。因此，若在不良基板1上的複數個點檢測此2波長的透過率，可判定有無透明電極。
在判定部70判定在不良基板上有透明電極的情況，分配部71將不良基板投入第1鹼性液處理部12。因此，在此情況，所投入之不良基板經由第1鹼性液處理部12、酸性液處理部14以及第2鹼性液處理部16各層依序被剝離，再生玻璃基板。另一方面，在判定部70判定在不良基板上無透明電極的情況，分配部71將不良基板投入第2鹼性液處理部16。因此，在此情況，所投入之不良基板只在第2鹼性液處理部16而被進行剝離處理，再生玻璃基板。
如上述所示，在彩色濾光器的製程，產生具有各種疊層構造的不良基板。另一方面，玻璃基板再生處理的步驟大致分成將樹脂光阻劑剝離的鹼性液處理、和將金屬膜(透明電極)剝離的酸處理。雖然無金屬膜的不良基板，即在玻璃基板上形成有BM、著色像素之一部分或全部的不良基板，只進行第2鹼性液處理，就可再生玻璃基板，但是一樣地處理所有的種類的基板時，需要浪費地進行本來不必要的第1鹼性液處理或酸性液處理。
若依據本實施形態的玻璃基板再生裝置，可著眼於不良基板上有無透明電極，而高效率地進行不需要酸性液處理之不良基板的再生處理。又，藉由對無透明電板的不良基板不進行不必要的酸性液處理，而可抑制從酸性液處理部向第2鹼性液處理部不必要地帶入酸性液。因而，可延遲第2鹼性液處理部之處理液的劣化速度。
此外，在本實施形態，雖然說明對第1實施形態的玻璃基板再生裝置附加判定部70及分配部71的例子，但是亦可對第2實施形態的玻璃基板再生裝置亦一樣地附加判定部70及分配部71。
(第6實施形態)
第13圖係表示本發明之第6實施形態之玻璃基板再生裝置的圖。
本實施形態的玻璃基板再生裝置除了第1實施形態的玻璃基板再生裝置10以外，還具備有蝕刻液管理部75a、和蝕刻液供排部81。
蝕刻液管理部75a包含有：用以測量不良基板表面之透明電極的膜厚的接觸式表面形狀量測部76、和算出所測量之膜厚的累計值的累計計算/判定部77。
接觸式表面形狀量測部76以接觸式的針掃描處理對象基板上的透明電極膜表面，再根據玻璃基板和透明電極膜表面的段差，而測量透明電極膜的膜厚。此測量時的針壓是約3mg，掃描速度是約50μm/sec。
累計計算/判定部77將接觸式表面形狀量測部76所測量之各基板上之透明電極膜的膜厚累計，算出累計膜厚。累計計算/判定部77比較表示成為蝕刻液之補充或更換時期的基準之累計膜厚的基準值(是預設的值)、和所算出之累計膜厚，並判定所算出之累計膜厚是否超過基準值。在所算出之累計膜厚超過基準值的情況，累計計算/判定部77經由傳送線路80向酸性液處理部14及蝕刻液供排部81指示蝕刻液之補充或更換。
蝕刻液供排部81具備有經由配管並按照此順序所連接的過濾器82、泵83、中繼槽84、電磁閥85以及流量計86。過濾器82經由配管89而和酸性液處理部14內的儲存槽79連接。在流量計86，連接蝕刻液供排用的配管87，在中繼槽84，連接廢液排出用的配管88。
在對酸性液處理部14供給蝕刻液時，將經由配管87所供給的蝕刻液暫時儲存於中繼槽84後，使用泵83向儲存槽79送出中繼槽84內的蝕刻液。另一方面，在排出酸性液處理部14的蝕刻液時，將儲存槽79內的蝕刻液一度向中繼槽84排出後，經由配管88而從中繼槽84向外部排出。
作為用以剝離ITO等之透明電極的蝕刻液，例如使用鹽酸和硝酸的混合液、或氯化亞鐵和鹽酸的混合液、或稀鹽酸等的酸性液。因為蝕刻液每次進行剝離處理就逐漸疲勞，所以需要在適當的時期進行補充或更換。在彩色濾光器製程所產生之不良基板上之透明電極膜的膜厚一般是約140nm。因此，若所有的不良基板之透明電極膜的膜厚是大致定值，藉由計數對酸性液處理部所投入之不良基板的片數，而可計算此蝕刻液之補充或更換的時期。
可是，實際上，在處理對象基板中，存在透明電極膜的膜厚比在一般之製程所形成的厚度更厚者。
更詳細說明之，在因維修等而使用以形成透明電極膜的濺鍍裝置暫停後，要再運轉時，預先使用提出成膜條件用的玻璃基板(以下稱為「假基板」)來確認成膜條件。此假基板在為了提出成膜條件而重複利用後，被供給所疊層之透明電極的剝離處理，而再生玻璃基板。
假基板上之透明電極膜的膜厚是一般之膜厚的數倍~數十倍。因此，將假基板投入酸性液處理部時，不管投入片數，蝕刻液的疲勞極快地進展。結果，酸性液處理部的處理性能降低，具有產生透明電極膜之除去不良的可能性。
因此，本實施形態的玻璃基板再生裝置利用蝕刻液管理部75a，根據在被投入酸性液處理部的基板上所形成之透明電極膜之實際的厚度，而管理蝕刻液的疲勞程度，並在適當的時序進行蝕刻液之補充或更換。
以某固定量的蝕刻液(具有既定之成分)可剝離之透明電極膜的最大量(體積)是大致定值。因此，在處理對象基板及透明電極膜的面積是定值的情況，若已知透明電極膜的面積和蝕刻液的成分及量，就能以透明電極膜的厚度表達蝕刻液的蝕刻性能(基準值)。因此，藉由累計計算/判定部77累計使用表面形狀量測部76所測量之厚度，而可掌握適當之蝕刻液的補充、更換時期。
又，即使在玻璃基板的尺寸不是定值的情況，亦為了可管理蝕刻液，亦可採用如下之構成。
第14圖係表示本發明之第6實施形態之蝕刻液管理部之其他的例子的圖。
蝕刻液管理部75b除了第13圖所示之蝕刻液管理部75a之構成以外，還具備有面積測量部78。面積測量部78測量所投入之基板的面積，並向累計計算/判定部77輸出所測量的面積。此外，在藉面積測量部78之面積的測量，可利用分析以相機所拍攝之圖像並算出面積的方法等周知之各種方法。
累計計算/判定部77算出對接觸式表面形狀量測部76所測量之某基板上之透明電極膜的厚度乘以由面積測量部78所測量之該基板的面積的值。累計計算/判定部77將藉乘法所得之值(相當於體積)累計，而求得累計值。又，作為表示蝕刻液之補充或更換時期之基準的值，累計計算/判定部77使用可剝離之透明電極膜的最大量(對應於透明電極膜之膜厚和面積相乘的值)。累計計算/判定部77在判定所算出之累計值超過此基準值的情況，經由傳送線路80，向酸性液處理部14及蝕刻液供排部81指示蝕刻液之補充或更換。
若使用第14圖的蝕刻液管理部75b來構成玻璃基板再生裝置，即使在酸性液處理部14所投入的不良基板或假基板的尺寸變更的情況，亦可確實地判定蝕刻液之補充或更換的時期。
此外，除了上述之第13圖及第14圖之構成以外，如以下所示構成酸性液處理部14較佳。
一般，隨著蝕刻液的疲勞，而蝕刻所需的時間變長。另一方面，藉由提高蝕刻液的濃度而提高蝕刻的反應性。
因此，將昇溫裝置設置於酸性液處理部14的任一個位置，而因應於蝕刻液的疲勞程度使液溫分段地上昇。根據所剝離之透明電極膜的量(體積)而定義蝕刻液的疲勞程度，並設定分段之複數個臨限值和與各個臨限值對應的液溫。然後，累計計算/判定部77判定所求得之累計值是否超過所設定之臨限值，在所求得之累計值超過某臨限值的情況，累計計算/判定部77對酸性液處理部14下指示，使蝕刻液的溫度上昇至對該某臨限值所設定之液溫為止。
例如，如第13圖之構成所示，在根據累計膜厚而管理蝕刻液的情況，如以下的第3表所示，設定複數個累計膜厚值(臨限值)和與其對應的液溫。藉由每當由累計計算/判定部77所算出之累計膜厚超過各臨限值時使液溫上昇，而可將處理時間保持定值，同時可高效率地用完疲勞的蝕刻液。
此外，如第14圖之構成所示，在根據膜厚和基板面積的乘積的累計值而管理蝕刻液的情況，可替代累計膜厚，而將相當於所剝離之透明電極膜之量的值(對應於透明電極膜之膜厚和面積之乘積的值)設為臨限值。
又，蝕刻液管理部75a及75b在所算出之累計值超過既定之基準值的情況，使位於酸性液處理部14之上游及下游的各處理部停止動作較佳。在此情況，在更換儲存槽79內的蝕刻液時，可防止從上游的裝置搬來基板，或將未完成酸性液處理的基板搬至下游的裝置。
此外，上述之各實施形態的構成是可任意地組合。即，可將第3實施形態的鹼性液處理單元、第4實施形態的搬運裝置、第5實施形態的分配機構、第6實施形態的蝕刻液(酸性液)管理機構之任意的幾個和第1及第2實施形態的玻璃基板再生裝置自由地組合。
本發明可利用於玻璃基板再生裝置，其從在液晶顯示裝置等之彩色濾光器製程所產生的不良基板再生玻璃基板。
1．．．不良基板
2．．．玻璃基板
3．．．黑陣列(BM)
4．．．著色像素
5．．．透明電極
6．．．光間隔片(PS)
7．．．粒子對準
8．．．金屬膜
9．．．金屬膜
10．．．璃基板再生裝置
12．．．第1鹼性液處理部
14．．．酸性液處理部
16．．．第2鹼性液處理部
20．．．玻璃基板再生裝置
22．．．第1酸性液處理部
24．．．第1鹼性液處理部
26．．．第2酸性液處理部
28．．．第2鹼性液處理部
40．．．鹼性液處理單元
41．．．處理部
60．．．搬運裝置
61．．．輥
62．．．橡皮刮
70．．．判定部
71．．．分配部
75．．．蝕刻液管理部
76．．．表面形狀量測部
77．．．累計計算/判定部
81．．．蝕刻液供排部
第1A圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之一例的剖面圖。
第1B圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之其他的例子的剖面圖。
第1C圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之其他的例子的剖面圖。
第1D圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之其他的例子的剖面圖。
第1E圖係表示在彩色濾光器製程所產生之不良基板之其他的例子的剖面圖。
第2圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生方法的流程圖。
第3圖係表示本發明之第1實施形態之玻璃基板再生裝置的示意構成圖。
第4圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生方法的流程圖。
第5A圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置的示意構成圖。
第5B圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置之其他的例子的圖。
第6圖係表示本發明之第2實施形態之玻璃基板再生裝置之其他的例子的圖。
第7圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理部的示意構成圖。
第8圖係表示本發明之第3實施形態之鹼性液處理部之其他的例子的圖。
第9圖係表示本發明之第4實施形態之搬運裝置的圖。
第10圖係從第9圖之Ⅸ-Ⅸ線所看到的圖。
第11圖係表示本發明之第5實施形態之玻璃基板再生裝置的圖。
第12圖係表示第11圖所示之透過型光感測器的示意構成圖。
第13圖係表示本發明之第6實施形態之玻璃基板再生裝置的圖。
第14圖係表示本發明之第6實施形態之蝕刻液管理部之其他的例子的圖。
第15圖係表示彩色液晶顯示裝置所使用之彩色濾光器之一例的剖面圖。
第16圖係表示光蝕刻法之各步驟的流程圖。
第17圖係表示彩色濾光器用玻璃基板之再生處理的流程圖。
第18圖係表示以往之玻璃基板再生裝置的圖。
10．．．玻璃基板再生裝置
11．．．基板搬入部
12．．．第1鹼性液處理部
13．．．水沖洗部
14．．．酸性液處理部
15．．．水沖洗部
16．．．第2鹼性液處理部
17．．．水沖洗部
18．．．最終水洗處理部
19．．．基板搬出部
Claims (6)
- 一種玻璃基板再生裝置，其一面搬運在玻璃基板上形成有由樹脂及金屬之任一個所構成之1層以上的層的不良基板，一面從該不良基板再生該玻璃基板，該裝置至少具備有：第1鹼性液處理部，係以鹼性液處理該不良基板，並將位於該不良基板之表面的第1樹脂層剝離；第1酸性液處理部，係設置於該第1鹼性液處理部的下游，以酸性液處理該不良基板，並將位於該不良基板之表面的金屬膜剝離；以及第2鹼性液處理部，係設置於該酸性液處理部的下游，以鹼性液處理該不良基板，並將位於該玻璃基板之表面的第2樹脂層剝離。
- 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具備有第2酸性液處理部，其設置於該第1鹼性液處理部的上游，以酸性液處理該不良基板，並將位於該不良基板之表面的金屬層剝離。
- 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中在該第1及第2鹼性液處理部的至少一方，串列地設置以該鹼性液處理該基板的複數個處理手段。
- 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中具備有搬運機構，其包含有複數個輥，而該等輥以各個上端部支持該不良基板的下面，並藉由各自繞中心軸轉動而搬運該不良基板； 設置有橡皮刮，其配置於較該輥之該上端部還下方之處，並接觸該輥的表面，以除去該輥之表面的液體。
- 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具備有：判定部，係在將該不良基板投入該玻璃基板再生裝置之前，檢測在該不良基板上之複數個點之既定波長的光的透過率，並根據檢測結果，判定在該不良基板上是否有該金屬層；及分配部，係在該判定部判定該不良基板上有該金屬層的情況，將該不良基板投入該第1鹼性液處理部，而在該判定部判定該不良基板上無該金屬層的情況，將該不良基板投入該第2鹼性液處理部。
- 如申請專利範圍第1項之玻璃基板再生裝置，其中還具備有：接觸式表面形狀量測部，係對被投入該第1酸性液處理部之各個該不良基板，測量位於表面之該金屬層的厚度；及累計計算/判定部，係將由該接觸式表面形狀量測部所測量之金屬層的厚度累計，算出累計膜厚，並因應於所算出之累計膜厚，而控制該第1酸性液處理部的處理時間及處理溫度，在所算出之累計膜厚超過既定值的情況，使該第1酸性液處理部之上游側及下游側的處理部停止。
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