TW200926273A - Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate - Google Patents

Description

200926273 九、發明說明： 【優先權主張】 年9月的部分連續案，並且主張2002 口與出口以使晶圓表面乾表面而翻定之多數入 參考。 ㈣田縣的方法與設備」，於此併入其全文作為 【相關申請案的交又參考】 ο 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於轉體基板處理，尤有 用之控制之彎月面的單相近接頭之半導有處理基板 【先前技術】 理步件的製造中’藉由將基板透過任何次數的處 圖案化步驟(如光微影)及摻雜。在很多情況下， ΐ ΐίΐΐ 學物一段時間來移除、添加或修改材料。此 若殘“損步驟以移除遺留在基板上的化學殘餘物(假 化興件特徵在尺寸上繼續縮小，現有將晶圓暴露至液體 化予物以處理晶_方法變得不適#。例如，傳統浸人方法中將 5 200926273 ίίίΐϊί 物(如#機溶紙學物或濕式_化學物)並無 間的接觸時間上提供足夠的控制。例如，“ ί 2Ϊ化學物卻最早被娜化學物。又，抬離化ί2 移到洗、爭及附著在基板表面—段時間’直到基板能 ^洗淨及乾_。吾人所欲者為更精確㈣接觸時·洗淨時 絲:iLi板ϊ入無法提供辦物的有效使用。例如，浸入需 ❹ Ο 行所欲化學反應或處理的化學液體要多很多。 用、ξ r #、’這些液體無法再使用或只可在有限的時間内再使 。fi f欲者為減少用於給定製程中的化學物使用量。 杯技術經得起批次處理，其中在相同時間將眾多基 ίΐϋ 雖然如此改善浸入技術的效率，然而需要額ί -及隨後將其卸載。基板每處理 間。此外Si下—處理站)就延緩下—處理步驟的時 ====== ii板處it所欲者核理基板更少次，並在基板巾提供更一致 機構為了獲得上述優點’需要有姻液體化學物處理基板的改善 【發明内容】 技淋ΐίίϊ ’本發明11由提供各觀術來滿足上輕求，各種 ϊί、严板㈣式處理(包含侧、清理、祕、洗淨、沖洗及 心：理步驟中遺留於表面上的非所欲之層、殘 ，了解本發明可以各種方式加以實施，包含製程、設備 、、裝置或方法。以下說明本發明之數個創造性實施例。 、 在實施例中’ k供一種基板的處理系統。該系統包含：一 6 200926273 近接頭；一機構，相對於一基板移動該近接頭(或相對於該近接頭 移祕板’或兩獅有）n體管理祕，提供與該近接頭的 流體連通。該近接頭係用以在一基板之一表面上產生一控制之彎 月面。具體而言，該近接頭具有形成於該近接頭之一面丄的複數 之分離的分配喷嘴，該分配喷嘴係用以提供一液體至該彎月面， 且形成複數之分離的取回喷嘴以在接觸基板後移除來自彎月面的 液體。該機構相對於彼此而移動近接頭或基板或兩者，維持可控 制接觸於f月面與基板之表_，並在與_月面接觸後造成液^ 之薄層遺留在表面上。該液體供應部係用以平衡傳送至★亥彎月面 β ΐΐΐ體的量與自該彎月面移除之該液體的4，所移除液體包含 遺留在S亥基板上之該液體的至少該薄層。 在另實施例中，·^供一種基板的處理方法β該方法包含利 用一近接頭產生控制之彎月面，該近接頭具有貼近於該基板之表 面的一，。經由形成於該近接頭之該面中的分離的喷嘴，傳送化 學物至彎月面而產生控制之彎月面。移動近接頭於基板上方使得 彎月面與基板間的接觸區自基板上的一位置移動到另一位置。該 近接頭的移動造成化學殘餘物被遺留在第一位置處之基板的表^ 化予殘餘物為來自附著於基板之表面之弯月面的化學物層。 平衡傳送至該近接頭之該化學物的量與自該彎月面移除之該化學 © 物的量，使得該彎月面維持一實質上固定的該化學物之容積。 從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解 說，本發明之優點當可更加清楚。 【實施方式】 ，以下說明中，為了提供本發明之徹底瞭解而提出各種特定 節。然而，對於熟悉此項技藝者將顯而易見的是：在缺少部 分迫些特定細節的情況下，仍可實施本發明。在其他情況中，為 工避免不必要地混淆本發明，故不再詳細說明熟知的處理操作^ 實施細節。在此所使用之「彎液面」一詞，意指在某種程度上由 7 200926273 液體之表面張力所限制及容納之液_容積。該f液面亦為可控 ，的且可在一表面上以該容納的形狀移動。在特定的實施例中， 藉由在移除流體時也輸送流體至表面來維持該彎液面，以使該彎 液面保持可控制的。此外，藉由精確流體輸送及移除系統可控制 該彎液面形狀，該精確流體輸送及移除系統在某種程度上與可為 網絡之電腦系統的控制器做聯繫。在部分實施例中，如以下更詳 細說明的’設有流體輸送系統而未設有流體移除系統。

圖1為基板處理系統100之例示性實施的立體圖。在此例中， 將基板160定位在載具150内，載具15〇沿箭頭166的方向通過 上部近接頭110與下部近接頭120之間。在一實施例中，基板16〇 包含一半導體晶圓，例如單晶矽晶圓。在上部及下部近接頭11()、 120之間形成流體之、彎月面。可將載具15〇連接到軌道機構152， 八概要地由載具150之任一測上的雙箭頭來表示。在一實施例中， 轨道機構152包含在載具之任一侧上的雙槽軌道並具有囈合載具 150的裝置，使载具15〇沿箭頭166的方向在上部及下部近接頭 11 〇、12〇之間移動。在一實施例中，基板丨60係沉積在近接頭丨ι 〇、 =之一侧上之第一位置的載具W上，而當載具ls〇到達近接頭 120之對側上之第二位置時，將基板移除。載具I%可 ，著回頭通過近接頭、120，或其上方、下方，或繞過近接頭 =、m回到第-位置，在第一位置上沉積新的基板並重複上述 過程。 雖然只顯示一對上部及下部近接頭110、120，然而可使用任 何數量的近接頭來產生相連在一起的複數之彎月面而載具 依J穿過每—辦月面。例如，可使用複數之_面以施g複數 ^處理步驟，例如侧、清理及接著沖洗及乾燥。又，由於利用 :二近接頭可於基板之-侧上產生控制之幫月面，故不需要 /、有上部及下部近接頭。 應更注意的是：雖然在圖！中所示範例裡，基板沿箭頭152 的方向移動穿過近接頭110、12G，然而也可能是基板保持靜止而 8 200926273 ，近接頭110、120通過基板之上方及下方。此外，當基板通過該 專近接頭之間時，基板之配向係不定的。亦即基板不需要是水平 配向，相反的其可為垂直配向或為任何角度。 在某些實施例中，控制器130可為由邏輯電路或軟體或上述 兩者來決定功能之通用目的或特定目的電腦系統，其控制載具15〇 的移動與流動到上部及下部近接頭110、12〇的流體。將來回於近 接頭110、1+20之流體的流動加以控制以維持彎月面於穩定狀態中。 ❹ ❹ 圖2，由實例，顯示利用控制之彎月面提供化學物至基板用 之系統的不^意圖。如圖2所示，近接頭110移至左及/或基板16〇 移至右(如箭頭105所示），使得近接頭11〇與基板16〇之間存在有 相對運動。由於此相對運動，控制之彎月面2〇〇、及基板之親水性 及/或化學物的表面内容物、化學殘餘物2〇2之薄層或薄 基;，如此近接頭110絲板16〇有效弄濕。應注意圖 不思圖，其並非正確代表所示各種特徵之相對尺寸。 近接頭110包含形成於近接頭110之面lu中的至少一分配 喷嘴116(圖2顯不兩個），經由此喷嘴提供液體以形成臀月面遍。 面111包含近接並實質平行於基板16〇之表面而配置的至少一平 f區域，雖然具林同高度及/或形㈣辨坦區域可被實施。液 體可為去離子水、RCA、清理化學滅設計來處縣板之其 他液體此外’近接頭110包含施力口控制之抽吸力於彎月面獅 =或更多抽吸口 1U(只顯示一個）。在一實施例中，抽吸口 114 上部的液體’而不抽吸周圍氣體。可如 V、接頭之鏡像§又置下部近接頭120(未顯*於圖2中），並以相 t式操作。有關於近接頭結構及操作的更多細節，於上述相關 併參考。尤制概接賴構=: * 1〇/261>839 iO/330,843 =纽纽ΙΟΟ亦包含化學物健祕18G及化學物移除 …’可將化學物供應系統180及化學物移除系統19〇連接於 9 200926273 彼此以容許化學物的回收利用。舉例來說，第三回收系統(未顯示) 可接收來自化學物移除系統190之使用過的化學物，並且在將使 =過的化學物送回化學物供應系統之前處理(如過濾、蒸餾或其他 操作)使用過的化學物。化學物供應系統18〇可包含加熱裝置(未顯 示)來加熱化學物以增強化學物的反應強度。控制單元13〇調節化 學物供應及取回系統180、190的操作以確保化學物流動是以控制 之速率來回於彎月面200’如此彎月面2〇〇維持於穩定狀態中。「穩 定狀態」絲彎β φ具有實質上岐容積，將賴在基^之邊缘“ 處從彎月面的溢出加以控制及補償。因此，實質上將來回於彎月 面200之流體流動加以平衡，只需足夠的流體流向彎月面，以補 償留在基板上的化學殘餘物202及預計任何可能溢出的流體。 在一實施例中，近接頭110包含圍繞複數之抽吸口 114的複 數之分配喷嘴116，如以下參考圖4更詳細顯示及說明者。然而， 喷嘴的其他結構是可行的。例如，可沿近接頭110之前緣112設 置分配喷嘴116，而沿近接頭110之後緣118設置抽吸口 114。在 其他實施例中(以下參考圖7更詳細說明），只設置分配喷嘴116而 =需要抽吸喷嘴。雖然喷嘴的各種結構是可行的，在一實施例中， 每一結構包含分配噴嘴116形成為獨立且分離的穿孔，自近接頭 1_1〇之面111延伸至使喷嘴内之流體壓力均等的内部歧管(未顯 ❹ 不)，因而確保每一喷嘴在與其他喷嘴相符壓力下接收流體或真空。 圖3藉由實例顯示近接頭110,的示意圖。近接頭110,包含具 有角度之为配嘴嘴116’以促進化學物沿箭頭η9流動。取決於化 學物的流速及黏性與其他因子(如基板160之疏水性），具有角度之 分配喷嘴116’可改善彎月面200内的流體動力。 3圖4顯示，示性近接頭110的底圖，其中晶圓160及載具150 由假想線來表示。近接頭110之面111包含實質上平行於基板160 而配置的實質上平坦表面。面ιη亦包含圍繞複數之分離的抽吸 口 114的複數之分離的分配喷嘴116。此結構只為了例示性目的而 呈現且其他結構是可行的。例如，在一實施例中，未設有抽吸口 200926273 114或由额外分配噴嘴116所取代。在其他實施例中抽吸口 ιΐ4 喷嘴116 °在其他實施例中，在近接頭m之前緣處配置 一列的^配噴嘴116，而沿近接頭110之後緣配置一列抽吸口 前緣」意味著當相對於基板移動時先遭遇到基板之近接頭 的刖緣。在又一實施例中，散佈分配噴嘴116於抽吸口 114，如以 棋盤圖案。 ❹ ❹ 圖5顯示具有化學物回收之例示性彎月面控制系統跡 Ϊ 255(如處理或清理基板160用的化學組成物)容納於化學物供應 1 260舌2:0’。當閥％及v纖制單元27〇開啟時，容許化學物 H影響下經由流體管線264、264，流_分时嘴116以 ^成。化學物收回槽由真空栗282保持真空而控制 ϋ 於壓力計284及流量計286。由於化學物收回槽28〇 係渥由k體皆線266與抽吸口 114呈流體連通，彎月面2〇〇中

Hi學Ϊ 255被抽吸至化學物收回槽280。在一實施例中，調整 子，回槽280内的真空，直到預定流量被流量計286所紀錄。 >匕學〇^應槽⑽、，中的液體位準變的太高或太低時，感 ^ ϋ發出信號給控制單元27G。因應於表示液體太低的 Ϊίΐ制衫270操作泵275以經由流體管線⑽韻及276,， ϊί ί化學物收回槽280之使用過的化學物257回收至化學物供 f ΪΓΓχ25/。控制單元270操縱間Vi、Vi，以確保提供回收的 化學物至正確的化學物供應槽。 ,圖6顯不例示性彎月面控制系統300，其中計量泵308、310 面200。具體言之，控制單元302操縱計量粟310 Λ 予物供應部306的化學物，並經由分配喷嘴116以 之的流速將其提供至彎月面200。同樣地，驅動計量泵 的吸丨〇 114移除來自f月面200的化學物，並將使用過 禮户ί的、*5化學物移除系統3〇4。計量果31 〇、308皆能以精 出口之間的壓力差範圍下，將來自各個人 '干專送到/、各個出口。雖然由葉輪片概略表示，可使用 200926273 類型的計量泵。在一實施例中，當形成彎月面2〇〇時，控制 單兀302驅動計量泵310以較高流速傳送化學物至彎月面200,而 旦形成彎月面200接著以較低的流速。在另一實施例中，並非 相互，除其他所述的實施例，控制單元3〇2以稍低於驅動計量泵 31〇提供化學物至彎月面的流速來驅動計量泵3〇8移除來自彎月 ^ 200的化學物。依此方式，近接頭11〇分配的流體比移除的稍 夕，容許小量的流體殘留於基板16〇上作為化學殘餘物2〇2 ^ ❹ 圖7顯示例示性彎月面控制系統35〇，其中近接頭n〇包含分 m,116而不含抽吸口m。因此，在此實施例中，來自彎月面 :學物並未被近接頭積極地移除。控制單元352驅動計量泵354 以拉引來自化學物供應部356的化學物，並經由分配喷嘴116提 =學物至f月面2〇〇。-旦形麟月面綱，控制單元352提供 1+ #充ί的化學物至彎月面2〇0以彌補附著至基板160及亦潛在 恩15〇(圖1、4)的化學殘餘物202。應了解可忽視量的化 學物可同時，蒸發移除及/或逸失至載具150(圖1、4)。 条祕ϋ顯示具有第一近接頭U〇及第二近接頭410之基板處理 ί 接頭⑽係實f上如同以上參考圖2所述者，並產生 ❹ Ϊ番Ιί物202附著至基板⑽的彎月面。近接頭41〇包含 配喷嘴116，由抽吸來自彎月面412及周圍氣體之液 口生Q ^吸口所圍繞。可依美國專利申請案* 1〇/261，839號 ^】30日提出申請)或美國專利申請案第10/404,692號 此作‘考施:中容將严，加以建構及操作’其併入於 供實施例_，氣體嘴嘴113圍繞抽吸口114並提 ϋ 混ί物’其作為改善彎月面之液-氣界線的完 例中’f月面412由去離子水構成，並有效洗淨 二餘物2时在·f月面412後(如位置例使基_ ⑼ΐ由實例顯示產生f月面200、452、454及456的多弯 450。應注意可產生任何數量的彎月面。可使用多弯月 12 200926273 =接^ 450執行基板上的多步驟處理。例如，晶圓用的標準 >月理製程需要先移除有機污染物，第二步驟移除 後步驟移除金屬痕跡(離子）。 移除乳化物而最 理李==程皮圖5〇0，藉由實例說明利用在此所述之基板處 極程序。程序開始於開始方塊5〇2並繼續下去到 而產生控制之t细近耐的分时嘴傳送化學物至彎月面 其板移動近接頭於基板上方，留下化學殘餘物於 ❾ 。在，„物可為附著至基板表面的化學 ^實施例中’加入表面活性劑至化學物以盘 表面的附耆，基板表面可為親水性或非親水性。/、土板 來自用形成於近接頭中的抽吸口可選擇性移除 會分解並需要藉由移除使用過的化學物物 Ξ的=來ϊ;如果化學物被使用於氧化物移除且化;物ίί炉 ❿ 需要化學物£換， ===，餘物的量可=: π此^你’、、’思'雖然圖ι〇所示操作以連續方式呈現，姨二 ====糊輸 細說明，_报明本發明已經在某些細節中詳 明不限於在此例舉例性而非限制性，且本發 等效物内做出修改。 w附加申清專利範圍之範疇及 200926273 【圖式簡單說明】 類似SC:::::么將可輕易地瞭解本發明’且 =ίίί處理系統之例示性實施的立體圖。 之系I^圖實例’ __之彎月面提供化學物至基板用 ❹ 而不口示例示性彎月面控制系統，其中近接頭包含分配喷嘴 圖8顯示具有第—近接頭及第二 圖9藉由實例顯示多彎月面近^頭基板處理系統。 程序圖1〇為一流程圖，藉由實例說明利用基板處理系、統所執行的 Q 【主要元件符號說明】 100 基板處理系統 105 箭頭 110、110’ 上部近接頭 111 面 112 前緣 113 氣體噴嘴 114 抽吸口 116、116’ 分配喷嘴 118 後緣 14 200926273

119 箭頭 120 下部近接頭 130 控制單元 150 載具 152 執道機構 160 基板 166 箭頭 180 化學物供應系統 190 化學物移除系統 200 彎月面 202 化學殘餘物 250 彎月面控制系統 255 化學物 257 使用過的化學物 260 化學物供應槽 260, 化學物供應槽 262、 262’ 感測器 264、 264’ 流體管線 266 流體管線 268 流體管線 270 控制單元 275 泵 276 流體管線 276, 流體管線 280 化學物收回槽 282 真空泵 284 壓力計 286 流量計 300 彎月面控制系統 15 200926273 302 控制單元 304 化學物移除系統 306 化學物供應部 308 計量泵 310 計量泵 350 彎月面控制系統 352 控制單元 354 計量泵 356 化學物供應部 400 基板處理系統

410 近接頭 412 彎月面 414 位置 450 多彎月面近接頭 452 彎月面 454 彎月面 456 彎月面 500 流程圖 502 操作 504 操作 506 操作 508 操作 510 操作 512 操作 16

Claims (1)

1. 200926273 十、申請專利範圍： 一種基板的處理系統，該系統包含： 一近接頭，具有形成於該近接頭之一面中的複數之分配喷 嘴，該面具有至少-實f上平坦之表面，該近接頭伽以在一基 板之一表面上產生一控制之液體彎月面； 土 一液體供應系統，與該分配噴嘴呈流體連通，該液 統係用，平衡傳送至該·彎月面之液體量與自該彎月面移除 量，自該彎月面移除之液體量包含當該近接頭通過該基板之該表 面時殘留在該基板之該表面上的該液體之至少一薄層；

   Ο 一移動機構，用以在保持該基板與該彎月面間的接觸下 於該基板之表面移動該近接頭。 2.如申請專利範圍第1項之基板的處理系統，更包含： 複數之分離的抽吸口，形成於該近接頭之該面中；及 一液體移除系統’包含與該抽吸口呈流體連通的一真空源，咳 控制之抽吸力至該抽吸口，俾於實質上無抽吸氣體 體之流動自該f月面移除，該液體供應系統用足 液體移除系統所移除之該液體之流動的流速將該液體 得送至該彎月面。 3· ΐΓί專利範圍第2項之基板的處理系統，其中該複數之分配喷 吸口配置於在該近接頭之該面上，其配置方式係使得該複 數之抽吸口位於中央且由該複數之分配喷嘴所圍繞。 4· 第1項之基板的處理祕，其中，該液體係在重 力衫響下被饋入該近接頭。 17 200926273 速之信號’而該控制單元係因應於該流速而控制該抽吸量。 6·如申請專利範圍第5項之基板的處理系統，其中，該近接頭為一 第一近接頭而該彎月面為一第一彎月面，該系統更包含：… 一第一近接頭，產生一第一彎月面，在該第一近接頭後方配 置該第二近接頭，使得該第二彎月面接觸先前由該第一彎月面所 接觸之該表面的一部分，該第二近接頭係用以提供殘留於該表面 上之該液體的進一步處理或移除與乾燥該表面至少其中一種。 7. 如申請專利範圍帛6項之基板的處理系統，其中，該機構將該基 〇 板從該近接頭傳送至該第二近接頭。 8. 如申請專利麵第1項之基板的處理祕，其中，自該彎月 除的該液體的量僅包含該液體之薄層。 9. 一種基板的處理方法，包含： 其把頭產生—控制之彎月面’該近接頭具有貼近於該 通ΐίΐ:面，該面包含一實質上平坦表面，透過形成於 ❹ 離的噴嘴傳送—化學物至該f月面而產生 面間錄板上方，使得該彎月面與該基板之該表 接i的移動:二：ϊ上的一第一位置移動至一第二位置，近 nnr物為來自附著於該基板之該表面的幫月面之 之該月:化學物的量來平衡傳送至該近接頭 容積；自錢㈣面轉—實質上©定賊化學物之 該表面上_化學殘=該解_量包含至少遺留在該基板之 18 200926273 10. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中該近接頭更包 含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更包含： 藉由施加一控制之抽吸力至該等抽吸口而自該彎月面移除該 化學物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周圍 氣體即可自該彎月面移除液體化學物。 11. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中傳送該化學物 至該彎月面包含在重力的影響下將該化學物饋又至該彎月面。 © 12.如申請專利範圍第u項之基板的處理方法，其中該近接頭更包 含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更包含： 藉由施加一控制之抽吸力至該等抽吸口而自該彎月面移除該 化學物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周圍 氣體即可自該彎月面移除液體化學物； 量測被移除之該化學物的流速；及 因應於該流速控制-真空源，該真空源施加該抽吸力至該抽 ❹ 13.如申請專利範圍第9項之基板的處理方 第-近接頭，而該彎月面為-第月面，該系、頭為 利用-第二近接頭產生一第二-月面；：‘ 該第二彎月面接觸該表面的-部分；及細該表面的部分後 面 利用該第二近接娜除該化學殘餘物並乾燥該表 如申請專利範圍第9項之基板的處理方 藉由該近接頭主動地自該彎月面移除„ 、千以化學物並非 200926273 15. —種利用近接頭弄濕基板的方法，該方法包含： ，，近接頭產生由一化學物形成的控制之彎月面，該近接頭 具有形成於該近接頭之該面中之分離的分配喷嘴. 板並贱料配置，錢扣接觸該基 面近細，使得料月面與職板之該表 的接觸區，從基板上的—第—位置移動至—第二位置，該近 移動造成-化學殘餘物遺留在該第—位置處之該基板的該 面之 Ο j面上，该化學殘餘物為來自附著於該基板之該表面的彎月 一層該化學物；及 藉，為該化學殘餘物而自該f月面被移除之該化學物的量 至該近接頭之該化學物的量’使得該彎月面維持一實 質上固定容積之該化學物。 & τ胃 16.、“如申清專”範圍第、15項之利用近接頭弄濕基板的方法，其中該 近接頭包含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更 包含： ίί施ί控制之抽吸力至該抽吸口而自該彎月面移除使用過 的，子物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周 圍氣體=可自該弯月面移除使用過的化學物，該化學物的傳送提 供充分容積之該化學物，以彌補被移除之該使用過之化學物的量。 利範圍第I6項之利用近接頭弄濕基板的方法，其中該 減之分配噴魏制在瓶_之該面上， 使付該減之減Π位辦纽由職數之分时嘴所圍繞。 18.如中請專機㈣15奴_近_弄減板的方法，更包 含： 加入-表面活性酿該化學物，使_化學_著於該基板 20 200926273 之一表面 19化項之利用近細弄濕基板的方法，其中該 化予物並非藉由该近接頭主動地自該彎月面移除。 20. —種處理基板的系統，包含： 兮‘ΐϊί ’用以產生由一化學物所形成的一控制之㈣面， ===::近接頭之一面上的複數之分離的分配喷嘴 ❹ ❹ 分配;供物之供給源的-容器’該 一真空源，該等抽吸口係與該真空源呈流體連通； 保姓分ί構’用來相對於-基板之—表面而移動該近接頭，同時 與該基板之該表關的接觸，該移動在該表面與該 萼月面接觸後使該液體之一薄層遺留在該表面上；及 直“?,ί元’該控制單元有效地連接至該化學物供應部、該 ΐ構，該控制單元使進出該彎月面之該化學物的流動 違於千衡，俾將該彎月面保持於一穩定狀態。 一 明專利知*圍第項之處理基板的系統，其中該真空源包含 具空果。 部專讎圍第2G項之處理基板的系統，其巾該化學物供應 燮向下延伸的供應管線及—控制閥，該化學物在重力影 丄。送至該近接頭，該閥控制經由該供應管線之該化學物的流 23邱it i’專利範圍第2g項之處理基板的系統’其中該化學物供庳 邛更包含一計量泵，該計量泵由該控制單元所操縱而以一控制之‘ 21 200926273 SlL速供應該化學物至該近接頭。 24. 如申請專利範圍第2〇項之處理基板的系統，其中該真空源更包 含一排空槽及一壓力計，該排空槽與該抽吸口呈流體連通，而^ 壓力計用以產生代表該排空槽内之壓力的一信號，該真空源與g 排空槽呈流體連通，該控制單元因應該信號而操控該真空源，、^ 將該排空槽内的壓力維持在一所欲位準上，藉以控制由該抽'吸口 自該彎月面移除之該化學物的量。 25. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該分配 〇 抽吸口係配置於該近接頭之該面上，使得該複數之柚踢^賈及 央並由該複數之分配噴嘴所圍繞。 於中 26. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該彎月 _ 穩定狀態包含具有一實質上固定容積的一彎月面。Λ 之該 Η"一、囷式： ❹ 22