TWI417950B - 具有處理基板用之控制之彎月面的單相近接頭 - Google Patents

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TWI417950B
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Description

具有處理基板用之控制之彎月面的單相近接頭 【優先權主張】
本申請案是根據35 U.S.C § 120的部分連續案，並且主張2002年9月30日提出申請之美國專利申請案第10/261,839號的優先權，發明名稱為「利用貼近於半導體晶圓表面而被固定之多數入口與出口以使晶圓表面乾燥的方法與設備」，於此併入其全文作為參考。
【相關申請案的交叉參考】
本申請案係關於下列美國專利及美國專利申請案，其全文皆併入於此作為參考：2005年6月30日提出申請之美國專利申請案第11/173,729號，發明名稱為「近接系統中原子層沉積用的方法及設備」；及2006年10月6日提出申請之美國專利申請案第11/539,611號，發明名稱為「使用具有整合近接頭之受限批次容積的近接處理」。
本發明係關於半導體基板處理，尤有關於利用具有處理基板用之控制之彎月面的單相近接頭之半導體基板處理。
在積體電路(IC)元件的製造中，藉由將基板透過任何次數的處理步驟而對半導體基板(如矽晶圓)進行處理。諸如此類步驟包含沉積步驟、移除步驟、圖案化步驟(如光微影)及摻雜。在很多情況下，藉由將基板暴露至化學物一段時間來移除、添加或修改材料。此外，存在有清理及洗淨步驟以移除遺留在基板上的化學殘餘物(假若殘留會損害元件)。
隨著IC元件特徵在尺寸上繼續縮小，現有將晶圓暴露至液體化學物以處理晶圓的方法變得不適當。例如，傳統浸入方法中將 基板浸入液體化學物(如有機溶劑化學物或濕式蝕刻化學物)並無法在基板與化學物間的接觸時間上提供足夠的控制。例如，基板的上部是最晚下到化學物卻最早被抬離化學物。又，抬離化學物後，基板仍有一層化學物附著在基板表面一段時間，直到基板能移到洗淨及乾燥站。吾人所欲者為更精確控制接觸時間及洗淨時間。
此外，基板浸入無法提供化學物的有效使用。例如，浸入需要的化學液體比執行所欲化學反應或處理的化學液體要多很多。在某些情況下，這些液體無法再使用或只可在有限的時間內再使用。因此，所欲者為減少用於給定製程中的化學物使用量。
最後，浸入技術經得起批次處理，其中在相同時間將眾多基板下到化學物中。雖然如此改善浸入技術的效率，然而需要額外的基板處理以裝載眾多基板至托盤及隨後將其卸載。基板每處理一次(亦即，自一處理站移到下一處理站)就延緩下一處理步驟的時間。此外，當一次移除眾多基板時，基板自化學物移除與沖洗間的時間延緩、洗淨及乾燥操作會不同，但隨後只能一次一個進一步處理。吾人所欲者為處理基板更少次，並在基板中提供更一致的基板處理。
為了獲得上述優點，需要有利用液體化學物處理基板的改善機構。
廣義地說，本發明藉由提供各種技術來滿足上述需求，各種技術用於基板的濕式處理(包含蝕刻、清理、弄濕、洗淨、沖洗及乾燥)而導致移除先前處理步驟中遺留於表面上的非所欲之層、殘餘物、污染物、水漬等。
應了解本發明可以各種方式加以實施，包含製程、設備、系統、裝置或方法。以下說明本發明之數個創造性實施例。
在一實施例中，提供一種基板的處理系統。該系統包含：一 近接頭；一機構，相對於一基板移動該近接頭(或相對於該近接頭移動基板，或兩種都有)；及一液體管理系統，提供與該近接頭的流體連通。該近接頭係用以在一基板之一表面上產生一控制之彎月面。具體而言，該近接頭具有形成於該近接頭之一面上的複數之分離的分配噴嘴，該分配噴嘴係用以提供一液體至該彎月面，且形成複數之分離的取回噴嘴以在接觸基板後移除來自彎月面的液體。該機構相對於彼此而移動近接頭或基板或兩者，維持可控制接觸於彎月面與基板之表面間，並在與彎月面接觸後造成液體之薄層遺留在表面上。該液體供應部係用以平衡傳送至該彎月面之該液體的量與自該彎月面移除之該液體的量，所移除液體包含遺留在該基板上之該液體的至少該薄層。
在另一實施例中，提供一種基板的處理方法。該方法包含利用一近接頭產生控制之彎月面，該近接頭具有貼近於該基板之表面的一面。經由形成於該近接頭之該面中的分離的噴嘴，傳送化學物至彎月面而產生控制之彎月面。移動近接頭於基板上方使得彎月面與基板間的接觸區自基板上的一位置移動到另一位置。該近接頭的移動造成化學殘餘物被遺留在第一位置處之基板的表面上，化學殘餘物為來自附著於基板之表面之彎月面的化學物層。平衡傳送至該近接頭之該化學物的量與自該彎月面移除之該化學物的量，使得該彎月面維持一實質上固定的該化學物之容積。
從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解說，本發明之優點當可更加清楚。
在以下說明中，為了提供本發明之徹底瞭解而提出各種特定的細節。然而，對於熟悉此項技藝者將顯而易見的是：在缺少部分這些特定細節的情況下，仍可實施本發明。在其他情況中，為了避免不必要地混淆本發明，故不再詳細說明熟知的處理操作及實施細節。在此所使用之「彎液面」一詞，意指在某種程度上由 液體之表面張力所限制及容納之液體的容積。該彎液面亦為可控制的且可在一表面上以該容納的形狀移動。在特定的實施例中，藉由在移除流體時也輸送流體至表面來維持該彎液面，以使該彎液面保持可控制的。此外，藉由精確流體輸送及移除系統可控制該彎液面形狀，該精確流體輸送及移除系統在某種程度上與可為網絡之電腦系統的控制器做聯繫。在部分實施例中，如以下更詳細說明的，設有流體輸送系統而未設有流體移除系統。
圖1為基板處理系統100之例示性實施的立體圖。在此例中，將基板160定位在載具150內，載具150沿箭頭166的方向通過上部近接頭110與下部近接頭120之間。在一實施例中，基板160包含一半導體晶圓，例如單晶矽晶圓。在上部及下部近接頭110、120之間形成流體之彎月面。可將載具150連接到軌道機構152，其概要地由載具150之任一測上的雙箭頭來表示。在一實施例中，軌道機構152包含在載具之任一側上的雙槽軌道並具有囓合載具150的裝置，使載具150沿箭頭166的方向在上部及下部近接頭110、120之間移動。在一實施例中，基板160係沉積在近接頭110、120之一側上之第一位置的載具150上，而當載具150到達近接頭110、120之對側上之第二位置時，將基板160移除。載具150可接著回頭通過近接頭110、120，或其上方、下方，或繞過近接頭110、120回到第一位置，在第一位置上沉積新的基板並重複上述過程。
雖然只顯示一對上部及下部近接頭110、120，然而可使用任何數量的近接頭來產生相連在一起的複數之彎月面，而載具150依序穿過每一個彎月面。例如，可使用複數之彎月面以施行複數之處理步驟，例如蝕刻、清理及接著沖洗及乾燥。又，由於利用單一近接頭可於基板之一側上產生控制之彎月面，故不需要同時具有上部及下部近接頭。
應更注意的是：雖然在圖1中所示範例裡，基板沿箭頭152的方向移動穿過近接頭110、120，然而也可能是基板保持靜止而 使近接頭110、120通過基板之上方及下方。此外，當基板通過該等近接頭之間時，基板之配向係不定的。亦即基板不需要是水平配向，相反的其可為垂直配向或為任何角度。
在某些實施例中，控制器130可為由邏輯電路或軟體或上述兩者來決定功能之通用目的或特定目的電腦系統，其控制載具150的移動與流動到上部及下部近接頭110、120的流體。將來回於近接頭110、120之流體的流動加以控制以維持彎月面於穩定狀態中。
圖2藉由實例，顯示利用控制之彎月面提供化學物至基板用之系統的示意圖。如圖2所示，近接頭110移至左及/或基板160移至右(如箭頭105所示)，使得近接頭110與基板160之間存在有相對運動。由於此相對運動，控制之彎月面200、及基板之親水性及/或化學物的表面內容物、化學殘餘物202之薄層或薄膜附著至基板160，如此近接頭110將基板160有效弄濕。應注意圖2為一示意圖，其並非正確代表所示各種特徵之相對尺寸。
近接頭110包含形成於近接頭110之面111中的至少一分配噴嘴116(圖2顯示兩個)，經由此噴嘴提供液體以形成彎月面200。面111包含近接並實質平行於基板160之表面而配置的至少一平坦區域，雖然具有不同高度及/或形狀的多平坦區域可被實施。液體可為去離子水、RCA、清理化學物或設計來處理基板160之其他液體。此外，近接頭110包含施加控制之抽吸力於彎月面200的一或更多抽吸口114(只顯示一個)。在一實施例中，抽吸口114實質上只抽吸來自彎月面200的液體，而不抽吸周圍氣體。可如上部近接頭之鏡像設置下部近接頭120(未顯示於圖2中)，並以相似方式操作。有關於近接頭結構及操作的更多細節，於上述相關技術之交互參考段中併入作為參考。尤其關於近接頭結構及操作的額外細節，參考美國專利申請案第10/261,839號、第10/330,843號及第10/330,897號。
基板處理系統100亦包含化學物供應系統180及化學物移除系統190。可將化學物供應系統180及化學物移除系統190連接於 彼此以容許化學物的回收利用。舉例來說，第三回收系統(未顯示)可接收來自化學物移除系統190之使用過的化學物，並且在將使用過的化學物送回化學物供應系統之前處理(如過濾、蒸餾或其他操作)使用過的化學物。化學物供應系統180可包含加熱裝置(未顯示)來加熱化學物以增強化學物的反應強度。控制單元130調節化學物供應及取回系統180、190的操作以確保化學物流動是以控制之速率來回於彎月面200，如此彎月面200維持於穩定狀態中。「穩定狀態」表示彎月面具有實質上固定容積，將預期在基板之邊緣處從彎月面的溢出加以控制及補償。因此，實質上將來回於彎月面200之流體流動加以平衡，只需足夠的流體流向彎月面，以補償留在基板上的化學殘餘物202及預計任何可能溢出的流體。
在一實施例中，近接頭110包含圍繞複數之抽吸口114的複數之分配噴嘴116，如以下參考圖4更詳細顯示及說明者。然而，噴嘴的其他結構是可行的。例如，可沿近接頭110之前緣112設置分配噴嘴116，而沿近接頭110之後緣118設置抽吸口114。在其他實施例中(以下參考圖7更詳細說明)，只設置分配噴嘴116而不需要抽吸噴嘴。雖然噴嘴的各種結構是可行的，在一實施例中，每一結構包含分配噴嘴116形成為獨立且分離的穿孔，自近接頭110之面111延伸至使噴嘴內之流體壓力均等的內部歧管(未顯示)，因而確保每一噴嘴在與其他噴嘴相符壓力下接收流體或真空。
圖3藉由實例顯示近接頭110’的示意圖。近接頭110’包含具有角度之分配噴嘴116’以促進化學物沿箭頭119流動。取決於化學物的流速及黏性與其他因子(如基板160之疏水性)，具有角度之分配噴嘴116’可改善彎月面200內的流體動力。
圖4顯示例示性近接頭110的底圖，其中晶圓160及載具150由假想線來表示。近接頭110之面111包含實質上平行於基板160而配置的實質上平坦表面。面111亦包含圍繞複數之分離的抽吸口114的複數之分離的分配噴嘴116。此結構只為了例示性目的而呈現且其他結構是可行的。例如，在一實施例中，未設有抽吸口 114或由額外分配噴嘴116所取代。在其他實施例中，抽吸口114圍繞分配噴嘴116。在其他實施例中，在近接頭110之前緣處配置一列的分配噴嘴116，而沿近接頭110之後緣配置一列抽吸口114。「前緣」意味著當相對於基板移動時先遭遇到基板之近接頭的前緣。在又一實施例中，散佈分配噴嘴116於抽吸口114，如以棋盤圖案。
圖5顯示具有化學物回收之例示性彎月面控制系統250。化學物255(如處理或清理基板160用的化學組成物)容納於化學物供應槽260、260’。當閥V2 及V2 ’由控制單元270開啟時，容許化學物255在重力影響下經由流體管線264、264’流動到分配噴嘴116以形成彎月面。化學物收回槽280由真空泵282保持真空，而控制單元270因應於壓力計284及流量計286。由於化學物收回槽280係經由流體管線266與抽吸口114呈流體連通，彎月面200中的部分化學物255被抽吸至化學物收回槽280。在一實施例中，調整化學收回槽280內的真空，直到預定流量被流量計286所紀錄。
當化學供應槽260、260’中的液體位準變的太高或太低時，感測器262、262’發出信號給控制單元270。因應於表示液體太低的信號，控制單元270操作泵275以經由流體管線268、276及276’，將來自化學物收回槽280之使用過的化學物257回收至化學物供應槽255、255’。控制單元270操縱閥V1 、V1 ’以確保提供回收的化學物至正確的化學物供應槽。
圖6顯示例示性彎月面控制系統300，其中計量泵308、310係用以控制彎月面200。具體言之，控制單元302操縱計量泵310以抽吸來自化學物供應部306的化學物，並經由分配噴嘴116以控制之容積的流速將其提供至彎月面200。同樣地，驅動計量泵308以經由抽吸口114移除來自彎月面200的化學物，並將使用過的化學物傳送到化學物移除系統304。計量泵310、308皆能以精確容積的流速在入口與出口之間的壓力差範圍下，將來自各個入口的化學物傳送到其各個出口。雖然由葉輪片概略表示，可使用 任何類型的計量泵。在一實施例中，當形成彎月面200時，控制單元302驅動計量泵310以較高流速傳送化學物至彎月面200，而一旦形成彎月面200接著以較低的流速。在另一實施例中，並非相互排除其他所述的實施例，控制單元302以稍低於驅動計量泵310提供化學物至彎月面的流速來驅動計量泵308移除來自彎月面200的化學物。依此方式，近接頭110分配的流體比移除的稍多，容許小量的流體殘留於基板160上作為化學殘餘物202。
圖7顯示例示性彎月面控制系統350，其中近接頭110包含分配噴嘴116而不含抽吸口114。因此，在此實施例中，來自彎月面的化學物並未被近接頭積極地移除。控制單元352驅動計量泵354以拉引來自化學物供應部356的化學物，並經由分配噴嘴116提供化學物至彎月面200。一旦形成彎月面200，控制單元352提供剛好充分的化學物至彎月面200以彌補附著至基板160及亦潛在附著至載具150(圖1、4)的化學殘餘物202。應了解可忽視量的化學物可同時被蒸發移除及/或逸失至載具150(圖1、4)。
圖8顯示具有第一近接頭110及第二近接頭410之基板處理系統400。近接頭110係實質上如同以上參考圖2所述者，並產生讓化學殘餘物202附著至基板160的彎月面200。近接頭410包含配置於中的分配噴嘴116，由抽吸來自彎月面412及周圍氣體之液體混合物的抽吸口所圍繞。可依美國專利申請案第10/261,839號(2002年9月30日提出申請)或美國專利申請案第10/404,692號(2003年3月31日)所載內容將近接頭加以建構及操作，其併入於此作為參考。在一實施例中，氣體噴嘴113圍繞抽吸口114並提供氮及異丙醇氣體的混合物，其作為改善彎月面之液－氣界線的完整性。在一實施例中，彎月面412由去離子水構成，並有效洗淨並移除化學殘餘物202，且在彎月面412後(如位置414)使基板160乾燥及無汚漬。
圖9藉由實例顯示產生彎月面200、452、454及456的多彎月面近接頭450。應注意可產生任何數量的彎月面。可使用多彎月 面近接頭450執行基板上的多步驟處理。例如，矽晶圓用的標準RCA清理製程需要先移除有機污染物，第二步驟移除氧化物而最後步驟移除金屬痕跡(離子)。
圖10為一流程圖500，藉由實例說明利用在此所述之基板處理系統所執行的程序。此程序開始於開始方塊502並繼續下去到操作504，其中藉由利用近接頭中的分配噴嘴傳送化學物至彎月面而產生控制之彎月面。
在操作506中，移動近接頭於基板上方，留下化學殘餘物於基板表面上。舉例來說，化學殘餘物可為附著至基板表面的化學物薄膜。在一實施例中，加入表面活性劑至化學物以確保與基板表面的附著，基板表面可為親水性或非親水性。
在操作508中，利用形成於近接頭中的抽吸口可選擇性移除來自彎月面之使用過的化學物。應注意取決於化學製程，化學物會分解並需要藉由移除使用過的化學物及提供新的化學物來更新。舉例來說，如果化學物被使用於氧化物移除且化學物包含硫酸的溶液，溶液的酸度會隨著與基板表面反應而減少。在一實施例中，為了維持化學物所欲特性，因而不斷由未使用的化學物取代化學物。化學物移除的流速取決於化學物及所涉及的製程。在另一實施例中，不需要化學物置換，因此移除是不必要的。
在操作510中，藉由平衡傳送至彎月面之化學物的量與被移除之化學物的量及化學殘餘物的量可加以控制彎月面。此程序結束於操作512。應注意雖然圖10所示操作以連續方式呈現，然而這些操作可同時執行，使得所有操作同時發生。
雖然在為了清楚瞭解的目的下，本發明已經在某些細節中詳細說明，然而很明顯的在附加申請專利範圍之範疇內可實現某種改變及修改。因此，本實施例係視為舉例性而非限制性，且本發明不限於在此給定的細節中，且可在附加申請專利範圍之範疇及等效物內做出修改。
100‧‧‧基板處理系統
105‧‧‧箭頭
110、110’‧‧‧上部近接頭
111‧‧‧面
112‧‧‧前緣
113‧‧‧氣體噴嘴
114‧‧‧抽吸口
116、116’‧‧‧分配噴嘴
118‧‧‧後緣
119‧‧‧箭頭
120‧‧‧下部近接頭
130‧‧‧控制單元
150‧‧‧載具
152‧‧‧軌道機構
160‧‧‧基板
166‧‧‧箭頭
180‧‧‧化學物供應系統
190‧‧‧化學物移除系統
200‧‧‧彎月面
202‧‧‧化學殘餘物
250‧‧‧彎月面控制系統
255‧‧‧化學物
257‧‧‧使用過的化學物
260‧‧‧化學物供應槽
260’‧‧‧化學物供應槽
262、262’‧‧‧感測器
264、264’‧‧‧流體管線
266‧‧‧流體管線
268‧‧‧流體管線
270‧‧‧控制單元
275‧‧‧泵
276‧‧‧流體管線
276’‧‧‧流體管線
280‧‧‧化學物收回槽
282‧‧‧真空泵
284‧‧‧壓力計
286‧‧‧流量計
300‧‧‧彎月面控制系統
302‧‧‧控制單元
304‧‧‧化學物移除系統
306‧‧‧化學物供應部
308‧‧‧計量泵
310‧‧‧計量泵
350‧‧‧彎月面控制系統
352‧‧‧控制單元
354‧‧‧計量泵
356‧‧‧化學物供應部
400‧‧‧基板處理系統
410‧‧‧近接頭
412‧‧‧彎月面
414‧‧‧位置
450‧‧‧多彎月面近接頭
452‧‧‧彎月面
454‧‧‧彎月面
456‧‧‧彎月面
500‧‧‧流程圖
502‧‧‧操作
504‧‧‧操作
506‧‧‧操作
508‧‧‧操作
510‧‧‧操作
512‧‧‧操作
藉由下面詳細說明及隨附圖式，將可輕易地瞭解本發明，且類似的參考數字表示類似的構造元件。
圖1為基板處理系統之例示性實施的立體圖。
圖2藉由實例，顯示利用控制之彎月面提供化學物至基板用之系統的示意圖。
圖3藉由實例，顯示具有角度之分配噴嘴之近接頭的示意圖。
圖4顯示例示性近接頭的底圖，其中晶圓及載具由假想線來表示。
圖5顯示具有化學物回收之例示性彎月面控制系統。
圖6顯示例示性彎月面控制系統，其中計量泵係用以控制彎月面。
圖7顯示例示性彎月面控制系統，其中近接頭包含分配噴嘴而不含抽吸口。
圖8顯示具有第一近接頭及第二近接頭之基板處理系統。
圖9藉由實例顯示多彎月面近接頭。
圖10為一流程圖，藉由實例說明利用基板處理系統所執行的程序。
110’‧‧‧上部近接頭
116’‧‧‧分配噴嘴
119‧‧‧箭頭
160‧‧‧基板
200‧‧‧彎月面
202‧‧‧化學殘餘物

Claims (26)

  1. 一種基板的處理系統，該系統包含：一近接頭，具有形成於該近接頭之一面中的複數之分配噴嘴，該面具有至少一實質上平坦之表面，該近接頭係用以在一基板之一表面上產生一控制之液體彎月面；一液體供應系統，與該分配噴嘴呈流體連通，該液體供應系統係用以平衡傳送至該彎月面之液體量與自該彎月面移除之液體量，自該彎月面移除之液體量包含當該近接頭通過該基板之該表面時殘留在該基板之該表面上的該液體之至少一薄層；一移動機構，用以在保持該基板與該彎月面間的接觸下相對於該基板之表面移動該近接頭。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板的處理系統，更包含：複數之分離的抽吸口，形成於該近接頭之該面中；及一液體移除系統，包含與該抽吸口呈流體連通的一真空源，該真空源施加一控制之抽吸力至該抽吸口，俾於實質上無抽吸氣體的情形下將該液體之流動自該彎月面移除，該液體供應系統用足以彌補由該液體移除系統所移除之該液體之流動的流速將該液體傳送至該彎月面。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板的處理系統，其中該複數之分配噴嘴及抽吸口配置於在該近接頭之該面上，其配置方式係使得該複數之抽吸口位於中央且由該複數之分配噴嘴所圍繞。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板的處理系統，其中，該液體係在重力影響下被饋入該近接頭。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板的處理系統，更包含一流量計及一控制單元，該流量計用以產生表示自該彎月面移除之該液體的流 速之信號，而該控制單元係因應於該流速而控制該抽吸量。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板的處理系統，其中，該近接頭為一第一近接頭而該彎月面為一第一彎月面，該系統更包含：一第二近接頭，產生一第二彎月面，在該第一近接頭後方配置該第二近接頭，使得該第二彎月面接觸先前由該第一彎月面所接觸之該表面的一部分，該第二近接頭係用以提供殘留於該表面上之該液體的進一步處理或移除與乾燥該表面至少其中一種。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板的處理系統，其中，該機構將該基板從該近接頭傳送至該第二近接頭。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板的處理系統，其中，自該彎月面移除的該液體的量僅包含該液體之薄層。
  9. 一種基板的處理方法，包含：利用一近接頭產生一控制之彎月面，該近接頭具有貼近於該基板之一表面的一面，該面包含一實質上平坦表面，透過形成於該近接頭之該面中的分離的噴嘴傳送一化學物至該彎月面而產生該控制之彎月面；移動該近接頭至該基板上方，使得該彎月面與該基板之該表面間的接觸區，從基板上的一第一位置移動至一第二位置，該近接頭的移動造成一化學殘餘物遺留在該第一位置處之該基板的該表面上，該化學殘餘物為來自附著於該基板之該表面的彎月面之一層該化學物；及藉由自該彎月面移除之該化學物的量來平衡傳送至該近接頭之該化學物的量，使得該彎月面維持一實質上固定的該化學物之容積；自該彎月面移除之該化學物的量包含至少遺留在該基板之該表面上的該化學殘餘物。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中該近接頭更包含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更包含：藉由施加一控制之抽吸力至該等抽吸口而自該彎月面移除該化學物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周圍氣體即可自該彎月面移除液體化學物。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中傳送該化學物至該彎月面包含在重力的影響下將該化學物饋入至該彎月面。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板的處理方法，其中該近接頭更包含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更包含：藉由施加一控制之抽吸力至該等抽吸口而自該彎月面移除該化學物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周圍氣體即可自該彎月面移除液體化學物；量測被移除之該化學物的流速；及因應於該流速控制一真空源，該真空源施加該抽吸力至該抽吸口。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中該近接頭為一第一近接頭，而該彎月面為一第一彎月面，該系統更包含：利用一第二近接頭產生一第二彎月面，該第二近接頭係配置於該第一近接頭後方，使得在該第一彎月面接觸該表面的部分後該第二彎月面接觸該表面的一部分；及利用該第二近接頭移除該化學殘餘物並乾燥該表面。
  14. 如申請專利範圍第9項之基板的處理方法，其中該化學物並非藉由該近接頭主動地自該彎月面移除。
  15. 一種利用近接頭弄濕基板的方法，該方法包含：讓該近接頭產生由一化學物形成的控制之彎月面，該近接頭具有形成於該近接頭之該面中之分離的分配噴嘴；使該基板與該近接頭彼此貼近配置，以使該彎月面接觸該基板並部分由該基板所束縛；相對於該基板移動該近接頭，使得該彎月面與該基板之該表面間的接觸區，從基板上的一第一位置移動至一第二位置，該近接頭的移動造成一化學殘餘物遺留在該第一位置處之該基板的該表面上，該化學殘餘物為來自附著於該基板之該表面的彎月面之一層該化學物；及藉由因為該化學殘餘物而自該彎月面被移除之該化學物的量來平衡傳送至該近接頭之該化學物的量，使得該彎月面維持一實質上固定容積之該化學物。
  16. 如申請專利範圍第15項之利用近接頭弄濕基板的方法，其中該近接頭包含形成於該近接頭之該面中的複數之抽吸口，該方法更包含：藉由施加控制之抽吸力至該抽吸口而自該彎月面移除使用過的化學物，執行該移除不太需要經由該抽吸口抽吸多少容積之周圍氣體即可自該彎月面移除使用過的化學物，該化學物的傳送提供充分容積之該化學物，以彌補被移除之該使用過之化學物的量。
  17. 如申請專利範圍第16項之利用近接頭弄濕基板的方法，其中該複數之抽吸口及該複數之分配噴嘴係排列在該近接頭之該面上，使得該複數之抽吸口位於中央且由該複數之分配噴嘴所圍繞。
  18. 如申請專利範圍第15項之利用近接頭弄濕基板的方法，更包含：加入一表面活性劑至該化學物，使得該化學物附著於該基板 之一表面。
  19. 如申請專利範圍第15項之利用近接頭弄濕基板的方法，其中該化學物並非藉由該近接頭主動地自該彎月面移除。
  20. 一種處理基板的系統，包含：一近接頭，用以產生由一化學物所形成的一控制之彎月面，該近接頭具有形成於該近接頭之一面上的複數之分離的分配噴嘴及複數之分離的抽吸口；一化學物供應部，包含具有該化學物之供給源的一容器，該分配噴嘴與該化學物供應部呈流體連通；一真空源，該等抽吸口係與該真空源呈流體連通；一機構，用來相對於一基板之一表面而移動該近接頭，同時保持該彎月面與該基板之該表面間的接觸，該移動在該表面與該彎月面接觸後使該液體之一薄層遺留在該表面上；及一控制單元，該控制單元有效地連接至該化學物供應部、該真空源及該機構，該控制單元使進出該彎月面之該化學物的流動達於平衡，俾將該彎月面保持於一穩定狀態。
  21. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該真空源包含一真空泵。
  22. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該化學物供應部更包含一向下延伸的供應管線及一控制閥，該化學物在重力影響下傳送至該近接頭，該閥控制經由該供應管線之該化學物的流速。
  23. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該化學物供應部更包含一計量泵，該計量泵由該控制單元所操縱而以一控制之 流速供應該化學物至該近接頭。
  24. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該真空源更包含一排空槽及一壓力計，該排空槽與該抽吸口呈流體連通，而該壓力計用以產生代表該排空槽內之壓力的一信號，該真空源與該排空槽呈流體連通，該控制單元因應該信號而操控該真空源，俾將該排空槽內的壓力維持在一所欲位準上，藉以控制由該抽吸口自該彎月面移除之該化學物的量。
  25. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該分配噴嘴及抽吸口係配置於該近接頭之該面上，使得該複數之抽吸口位於中央並由該複數之分配噴嘴所圍繞。
  26. 如申請專利範圍第20項之處理基板的系統，其中該彎月面之該穩定狀態包含具有一實質上固定容積的一彎月面。
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