TW200921304A - Optical position assessment apparatus and method - Google Patents

Description

200921304 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _ 本發明係關於一種微影裝置及設備製造方法。 【先前技術】 種被影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之 機器。微影裝置可用於（例如）積體電路（IC)、平板顯示器 及涉及精雄、結構之其它設備之製造中。在習知之微影裝置 中’圖案化構件（或者被稱作光罩或主光罩）可用於產生對 f' 應於1c(或其它設備）之個別層的電路圖案，且此圖案可成 像於具有輻射敏感材料層（例如抗蝕劑）之基板（例如矽晶圓 或玻璃板）上之目標部分（例如包含一或若干晶粒之部分） 上。作為光罩之替代，圖案化構件可包含產生電路圖案之 個別可控元件之陣列。 一般而言，單一基板包括連續曝露之相鄰目標部分之 網。已知之微影裝置包括步進器’其中藉由一次性將整個 圖案曝露至目標部分上而照射每一目標部分；及掃描儀， 、 其中藉由以特定方向（"掃描，'方向）之光束掃描圖案，同時 同步以平行於或反平行於此方向之方向掃描基板而照射每 一目標部分。 應瞭解，微影裝置是否運作於步進或掃描模式下，需要 圖案化之光束被導向基板表面之適當之目標部分上。在 許多情況下，在一序列之微影處理步驟後，多層結構經建 置於基板之表面上。當然，需要形成於基板中之連續層彼 此正確對準。因此，非常小心地確保精確地瞭解基板相對 137962.doc 200921304 於光束投影系統之位置。 各種技術用於判定基板相對於光束投影系統之位置。通 常此等技術依賴其上已形成對準標記之基板，該等對準標 ^ 、 /A上待形成有主動式電路組件等之基板之周邊 區域的周圍。此等標記經定位以提供參考點，相對於該等 參考點而判定基板上之目標部分之位置^可以光學方式使 1亦用於將圖案投影至基板上之光束投影系統來價測對準 私。己疋位對準標記之問題之此"藉由鏡頭，，或TTL方法允 、午位置量;貝j位置與影像形成位置相同。因此，最小化”像 差誤差。在其它系統中，對準標記伯測器及主光束投影 系、·先八有不同光軸，在其情況下，可提供一些構件來補償 此等軸之相對移動。 在基於掃描之“之實财，由於藉由㈣基板而越過 基板之表面來掃描支撐光束投影系統及對準標記偵測器之 框架，故在垂直於掃描方向之方向上的基板之位置及掃描 速度係依據對準標記之經量測之位置來調節的。或者或另 外可调即待被投影之數位影像。在圖案化構件包含個別 可控之7L件之列之情況下，此可涉及平移或另外調節施 加至陣列之數位圖案。亦可使用某些類型之水平感測器配 置來控制基板之高度。 通常，設計（或以相對不可撓之方式組態）特定生產㈣ 之微影裝置以與固定尺寸之基板一起使用。在平板顯示器 或彩色遽光板之情況下’基板大小可為若干米等級，且多 個面板形成於每-基板上。對準標記提供於基板之周邊周 137962.doc 200921304 圍，以及面板之間。然而’需要在基板上之面板之布局中 引可撓H，使得特定之生產設備可用於產生具有不同大 小之面板。此意謂對於非標準面板布局而言，僅可使用在 基板之周邊周圍的對準標記（由於周邊為與所有基板部件 共用之唯- ”空白”區)或必須執行偵測器之某些手動再對 準。雖然可需要越過基板而安置之對準標記㈣器之連續 陣列以偵測在各種中間位置處之對準標記，但此並非實 際’因為需要非常高的解析度且將需要許多伯測器。 許多因素（例如熱效應）可導致基板之形狀發生局部變 化。因此’需要以相對小的時間間隔越過基板之表面提供 對準標記。然而，由於基板之整個中央區域實際不能用於 置放對準標記，故上述段落中所描述之方法與此相悖。 因此&要—種微影裝置及方法’其允許在待被圖案化 之基板之中央區域内之對準標記的可撓性定位。 【發明内容】 κ 根據本發明之第—態樣，提供—種微影裝置，其包含一 基板台、一框架、一或多個投影系統、 她及-位置感測器。該基板台支樓—基板，該= 有提供於其-表面上之對準標記。該框架可相對於基板移 動。該或該等投影系統將圖案化光束投影至基板之目標部 分上。每一投影系統皆附接至枢架。該或該等對準標記谓 測器附接至框架且可相對於該框架移動。該位置感測器與 每-對準標記_器相關聯且判定偵測器相對於框架或投 影系統的位置。 137962.doc 200921304 y在實施例中’本發明使得在穩定操作組態t使用單-微影裝置而用於生產具. 〇 座具有可變大小之面板之其它設備成為 可能。對準標記谓測器可相對於支撐積測器及投影系統之 Γ t移動以谷納在其中央區域内之不同位置處置放有對 ' 的基板不再僅依賴周邊對準標記將投影系統對準 :土板因此，可達成改良之生產精確度及可撓性。 應瞭解，藉由移動框架、基板或其兩者，框架可相對於 基板而移動。

V 在，實例中，框架可沿著第一線性移動軸線、"掃描方向 、平订於基板之平面而相對於基板移動。每一對準標圮 須測器接著可沿著大體上垂直於第一軸線之第二線：軸 線，在亦平行於基板之平面的平面中而相對於框架移動。 在一實例中，每一對準標記偵測器具有足以在第二軸線 之方向上知_供大體上覆蓋基板之全部大小的移動範圍。在 具有多個偵測器之情況下，偵測器之移動為非重疊的。每 一偵測器經配置以提供指示所偵測之對準標記之位置的輸 出訊號。 在一實例中，每一對準標記偵測器可包含用於供應輻射 之對準光束之照明系統、用於將對準光束投影至基板之目 標部分的投影系統及用於偵測自基板反射之輻射的感測 器。 ’、 在一實例中，每一位置感測器可包含雷射干涉儀。在一 實例中，雷射干涉儀包含相對於關聯之對準標記偵測器而 固定之反射器或鏡面及相對於框架而固定之雷射及輕射债 137962.doc 200921304 測器。 在一實例中，微影裝置可 關聯之線性馬達，其提供偵 及控制構件，其耦接至每一 輸入而定之馬達的位置。 包含與每一對準標記偵測器相 測益相對於框架之線性移動； 線性馬達以用於控制視操作員

一在—實例巾，微影裝置可包含用於接收位置感測器或每 -位置感測器及對準標記偵測器或每一對準標記偵測器之 輸出的對準控制器。視所接收之訊號而定，控制器經配置 以調節基板相對於框架的位置及/或基板之掃描速度及/或 由投影系、统或每一投影系統纟纟之圖案化光束。 根據本發明之另—態樣，提供—種對準基板與微影裝置 之一或多個投影系統之方法。每-投影系統經固定至可相 對於基板移動之框架。該方法包含以下步驟。判定提供於 基板之表面上之對準標記之位置。將—或多個對準標記偵 測益相對於框架或投影系統移至可偵測對準標記之位置 處。 在一實例中，移動-或多個對準標記债測器之步驟包 含：監控-或多個偵測器位置感測器之輸出以提供债測器 位置反饋，&置感測器，經固定至框架及/或對準標記摘測 器。 在一實例中，移動一或多個對準標記偵測器之步驟包 含：將驅動訊號施加至與每—對準標記偵測器相關聯之線 性驅動機構。每一線性驅動機構可包含一線性馬達。 在各種實例中，本發明可應用於依賴遮罩或個別可控之 137962.doc 200921304 元件之陣列以將圖案給予投影光束之微影裝置。 下文參考隨附圖式詳細描述本發明之其它實施例、特徵 及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。 【實施方式】 概述及術語

ι.. 雖然本文中特定參考微影裝置在積體電路（IC)製造中之 用途，但應瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其它應 用，諸如製造整合之光學系統、用於磁域記憶體之導引及 谓測圖案、平板顯示器、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將 瞭解’在此等替代應用之情形下，可認為本文之術語"晶 圓"或"晶粒"之任何使用分別與更一般之術語"基板”或，•目 標部分’’之使用係同義的。本文所參考之基板可在曝露之 前或之後以(例如)一軌道(例如，通常將一抗触層施加至基 板並顯影該曝露之抗轴劑的工具)或一計量或檢測工具來 處理°於可應用處’可將本文之揭示内容應用至此等及其 匕基板處理工具。此夕卜 w夕 此外可多次處理該基板（例如）以產生 =層IC，使得本文所使用之術語基板亦可涉及已 處理層之基板。 本文所使用之猫 ϋ"加σ, 為涉及可詩以nr之元件之陣職廣泛理解 備，使得可在基板之目射光束圖案化橫截面

及m [。標分中產生所要圖案。術語"光閥” 及空間先調變器"（STM 圖宰化設備之眘 亦可用於此内容中。下文對此等 圖莱化&備之實例進行論述。 可程式化之鏡面陣列可 3 具有—黏彈性控制層之矩 137962.doc 200921304 陣可定址表面及一反射表面。此裝置後之基本原理為（例 士）反射表面之定址區將入射光反射為繞射光，而未定址 區將入射光反射為非繞射光。使用適當之空間濾光器，非 繞射光可被過濾出反射光束，僅留下繞射光到達基板。以 此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案 化。 /、 應瞭解，作為替代，遽光器可過渡出繞射光，留下非繞

射光到達基板。繞射光學微機電系統（MEMS)設備之陣列 亦可以相應方式使用。每一繞射光學mems設備可包括相 對於彼此而變形以形成將人射光反射為繞射光之光拇的複 數個反射帶。 替代實％例可包括使用微小鏡面之矩陣配置之可与 式化鏡面陣列’可藉由施加適合之區域化電場或藉由们 壓電致動構件而使每—微小鏡面關於―軸線個別傾斜。^ 次，鏡面㈣陣可定址的，使得定址鏡面料同方向I 射轄射光束反射至衫址鏡面；以此方式，根據矩陣可系 式化鏡面之定址圖案而圖案化反射光束。可使用適合之, 子構件來執行所要的矩陣定址。 在本文之上述兩種情況下，個別可控之元件之陣列可自 含一或多個程式化鏡面陣列。例如可自美國專利5,296 89 及5,523，193，及PCT專利巾請案觸98/3⑽及饥 98/33096搜集更多關於本文 文所及之鏡面陣列的資訊，該 專專利之全文以引用方式倂入本文。 亦可使用可程式化之LCD陣列。美國專利5,229,872中給 137962.doc 200921304 出此構造之實例，其全文以引用方式倂入本文。 應瞭解，使用（例如）預偏壓特徵、光學近程校正特徵、 相位變化技術及多次曝露技術時，"顯示”於個別可控之元 件之陣列上之圖案可大體上不同於最終轉移至在基板上之 一層上基板上之圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案 可不對應於在個別可控之元件之陣列上於任一時刻形成的 圖案。此可為如下配置中的情形：其中經由一特定之時間 週期或特定之曝露量而建立形成於基板每一部分上之最終 圖案，在該時間週期或曝露期間，個別可控之元件之陣列 上及/或基板之相對位置處的圖案發生改變。 雖然本文中特定參考微影裝置在IC製造中之用途，但應 瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其它應用，諸如製造 DNA晶片、MEMS、MOEMS、整合之光學系、统、用於磁域 記憶體之導引及偵測圖f、平板顯示器、薄膜磁頭等。熟 習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之内容中，可認為 本文之術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更一般之術 語”基板”或”目標部分”之使用係同義的。本文所涉及之基 板可在曝露之前或之後以（例如）一軌道（例如，通常將一抗 蝕層施加至基板並顯影該曝露之抗蝕劑的工具）或一計量 或檢測工具來處理。於可應用處，可將本文之揭示内容施 加至此等及其它基板處理工具。此外，可多次處理該基板 (例如）以產生多層IC，因此本文所使用之術語基板亦可涉 及已含有多個處理層之基板。 本文所使用之術語”輻射”及”光束”包括涵蓋任何類型之 137962.doc 200921304 電磁輻射，包括紫外線（uv)輻射（例如，波長為365、 248、193、157或126 nm)及極端紫外線（EUV)輻射（例如， 波長在5-20 nm之範圍内）’以及諸如離子束或電子束之粒 子束。 本文所使用之術語”投影系統"應廣泛理解為包括涵蓋各 種類型之投影系統，包括（例如）適合用於曝露輕射或用於 諸如浸沒流體之使用或真空之使用的其它因素之折射光學 系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文之 術語”透鏡"之任何使用與更一般之術語"投影系統’’係同義 的0 照明系統亦可包括涵蓋各種類型之光學組件包括用於 導向、成形或控制輕射之光束的折射、反射及反射折射光 學組件’ 1此等組件在下文中亦可共同地或單獨地稱為,， 透鏡"。 微影裝置可為具有兩個（例如，雙級）或兩個以上基板台 (及/或兩個或兩個以上遮罩台)之類型。在此"多級”機二 中可並仃使用額外之台，或可在一或多個臺上執行預備 步驟的同時-或多個其它台用於曝露。 微影裝置亦可為以下類型：其中基板浸沒於具有相對高 之=率之液體(例如’水)中，從而填充投影系統之最終 兀*件與基板之間的*門。、Λ ^ 的間次、，又液體亦可施加至微影裝置中 它空間，例如遮罩與投影系統之第一元件之間的空 。浸沒技術在用於增加投影系統之數值孔徑之技 熟知。 137962.doc 200921304 此外，該裝置可具有流體處理單元以允許流體與基板之 照射部分之間的交互（例如，選擇性地將化學物品附著至 基板或選擇性地修改基板之表面結構）。 微影投影裝置 圖1不意性描述根據本發明之一實施例之微影投影裝置 1 〇〇。裝置100包括至少一輻射系統丨02、個別可控之元件 104之一陣列、一物件台1〇6(例如，基板台）及一投影系統 (”透鏡"）108。 輻射系統1 02可用於供應輻射（例如，uv輻射）之光束 110，其在此特定情況下亦包含輻射源112。 個別可控之元件104之一陣列（例如，可程式化之鏡面陣 列）可用於將一圖案施加至光束11〇。一般而言，可相對於 投影系統108而固定個別可控之元件1〇4之陣列之位置。然 而，在替代配置中，個別可控之元件104之陣列可連接至 定位設備（未圖示）以相對於投影系統10 8而對其精確定位。 如本文所描述，個別可控之元件1〇4為反射類型（例如，具 有個別可控之元件之反射陣列）。 物件台106可具有用於固持基板114(例如，塗覆有抗蝕 劑之石夕晶®或玻璃基板）之基板固持器（未特定圖示），且物 可連接至疋位设備11 6以相對於投影系統丨〇8精確 定位基板114。 投影系統1〇8(例如，石英及/或⑽〗透鏡系統或包含由此 等材料製成之透鏡元件之反射折射混合系統，或鏡面系 統）可用㈣自分光器118接收之圖案化光束投影至基板 137962.doc 13 200921304 H4之目標部分12〇(例如_或多個晶粒)上。投影系統⑽可 將個別可控之％件1(Η之陣列之影像投影至基板丨14上。或 者，投影系統1〇8可投影次級源之影像，其中個別可控之 元件1〇4之陣列之元件充當擋板。投影系統1G8亦可包含微 透鏡陣列(MLA)以形成次級源並將微黑子投影至基板i i 4 上。 源112(例如’準分子雷射）可產生輕射之光束⑵。光束 122可直接地或在橫穿諸如射束放大器之調節設備us之後 回饋入照明系統（照明器）124。照明器124可包含調節設備 28以用於定光束122中之亮度分佈之外部及/或内部徑 向範圍（刀別共同被稱作σ外及σ内）。另外，照明器1Μ通 常包括各種其它組件，諸如積光器13〇及聚光器132。以此 方式’撞擊個別可控之元件1〇4之陣列的光束i 1〇在其橫截 面處具有所要的均衡度及亮度分佈。 關於圖1，應注意，源112可位於微影投射裝置1〇〇之外 罩中（其通常為當源112為（例如）汞燈時之狀況）^在替代實 施例中’源112亦可遠離微影投射裝置1〇〇。在此情況下， 輻射光束122經導入裝置1〇〇中（例如，借助於適合之導引 鏡面）。此後者情況通常為當源112為準分子雷射之情況。 應瞭解，此等兩種情況均涵蓋於本發明之範疇中。 在使用分光器118將光束110導入裝置之後，光束11〇隨 後戴取個別可控之元件1〇4之陣列。被個別可控之元件1〇4 之陣列反射後，光束11〇通過投影系統1〇8，其將光束ιι〇 t焦於基板114之目標部分12〇上。 137962.doc -14- 200921304 借助於定位设備11 6(及經由分光器i 40而接收干涉量測 光束138之底板136上的可選之干涉量測設備134)，可精確 地移動基板台106，從而在光束丨丨〇之路徑中定位不同的目 標部分120。在使用處，用於個別可控之元件1〇4之陣列之 定位设備可用於（例如）在掃描期間精確地校正個別可控之 tl件104之陣列相對於光束11〇之路徑的位置。一般而言， 可借助於長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（細定位X其在 圖1中未明確描繪）來實現物件台106之移動。類似之系統 亦可用於定位個別可控之元件丨〇4之陣列。應瞭解，或者/ 另外，光束110可為可移動的，而物件台1〇6及/或個別可 控之το件104之陣列可具有固定的位置以提供所需的相對 移動。 在實施例之替代組態中，可固定基板台1〇6 ,且基板114 可在基板台106上移動。此完成處，基板台1〇6在平坦之最 上層表面上具有眾多開口，氣體回饋穿過開口以提供能支 撐基板114之氣墊。此以習知方式被稱作空氣承載配置。 可使用一或多個致動器（未圖示）在基板台106上移動基板 114，其能夠相對於光束11〇之路徑而精確定位基板n4。 或者可藉由選擇性地啟動及終止穿過開口之氣體的通道 而在基板台106上移動基板114。 雖然根據本發明之微影裝置1〇〇在本文被描述為用於在 基板上曝露一抗蝕劑，但應瞭解，本發明並不限於此使用 妒置1 〇 〇可用於投影圖案化光束1 1 〇以用於無抗姓劑之微 影中。 137962.doc -15- 200921304 所描繪之裝置100可用於m + J用於四個較佳模式中： 1 ·步進模式：將個別可批 工之70件1〇4之陣列上之整個圖 案一次性（意即，單一"快卩v 平陝閃）投影至目標部分120上。基板 台106接著以X及/或丫方向 砂主不冋位置’以用於待由圖 案化光束110照射之不同目標部分丨2〇。 2 ·掃描模式：實皙（·血丰a 頁上/、步進杈式相同，除了特定目標

V.. 部分120在單―”快閃"中未經曝露。實情為，個別可控之 το件104之陣列可以特定方向（所謂的，，掃描方向"，例如y方 向）以速度v移冑，使得圖案化光束11〇在個別可控之元件 104之陣列上掃描。同時，基板台1〇6同時以速度在 相同或相反方向上移動，其中M為投影系統1〇8之放大 率。以此方式’可曝露相對較大之目標部分12〇，而不會 以減小解析度為代價。 3. 脈衝模式：㈤別可控之元件1〇4之陣列實質上保持靜 止且使用脈衝輻射系統102將整個圖案投影至基板ιΐ4之目 標部分120上。基板台1〇6以實質上恆定之速度移動，使得 圖案化光束110越過基板106而掃描一行。視需要在輻射系 統102之脈衝之間更新個別可控之元件1〇4之陣列上的圖 案，且該等脈衝經定時以使得於基板114上之所需位置處 曝露連續之目標部分120。因此，圖案化光束11〇可掃描越 過基板114以曝露基板ι14之一帶之整個圖案。重複該過程 直至逐行曝露整個基板114。 4. 持績知描模式：基本上與脈衝模式相同，除了使用 大體上恆定之輻射系統102且當圖案化光束u〇掃描越過基 137962.doc -16· 200921304 板114並曝露其時更新個別可控之元件1 〇4之陣列上的圖 案。 亦可使用所使用之上述模式或所使用之完全不同模式的 組合及/或變化。 例示性掃描及偵測系統 圖2說明根據本發明之一實施例之掃描微影裝置的平面 圖。圖3說明在圖2之箭頭A方向檢視之裝置的側視圖。此 等圖式針對於基於掃描之操作模式。 在圖2中，微影裝置經配置以在一個方向（"x”方向）上越 過基板2之表面而掃描二維圖案。該裝置包含一基板台！， 其上安裝有基板2。基板台1可在掃描方向（意即X方向及 y(以及z)方向上）藉由在控制系統3之控制下操作之驅動設 備而移動。

板2之完全覆蓋。 經安裝於基板2及基板台丨上方的為相對於基板台丨而固 定之車架4。如圖3中所說明，框架4包括支撐聊

137962.doc 17 200921304 可控之7L件之陣列的數位圖案而達成。由控制系統3產生 施加至投影系統7之數位訊號。 組對準標記偵測器9朝著支架6之前邊緣而定位。應瞭 解雖然圖2及圖3說明五個此等偵測器，但此數目可變 化每偵測益9經配置以偵測基板2之表面上之對準標記 10的位置。同樣’每一偵測器9相對於車架4之位置而偵測 哪個對準標記H)通過㈣器9之視場，從而允許判定投影 系統7之位置。

圖4不思性說明根據本發明之一實施例之對準標記偵測 器4〇9。❹J器409為债測器9之實例酉己置。每_對準標記 4貞測益 4 0 9 包含 一 ¢3 CIS 1 1 Jj- 如射源11，其以不會導致在基板2之表面 上之光阻曝光的波長操作。舉例而言，源u可產生相對於 提供由投影系統7使用之曝露光束(例如，35〇抓至45〇 的光而轉移的紅光。使用投影光學元件13經由分光器 而將輻射技衫至基板2之表面上。提供輻射感測器Μ以 4貞測自基板2之表面而及扭沾伞 夂射的先。通常，藉由曝露及顯影 基板2上^之光阻區而提供對準標記ι〇(圖4中未示），且將導 致發生高位準反射。感測器14藉由尋找自低位準反射至高 位準反射並返回至低位進的扑_ 位準的改變而偵測對準標記10。感測 器14將輸出訊號提供至控制夺 lt 糸、死3( w即，控制系統經配置 以判疋所偵測之對準標記1〇相對 的,m 、皁木4的位置）及來自期 望位置之位置處的任何偏差。 應瞭解，可使用其它摘測器配置， 0 ★叫λα “《 再包括此等在偵測器 9之間的共用組件，例如輻射源。 137962.doc -18- 200921304 再次參考圖3,在此實例中，每—對準標記偵測器9經安 裝於包含線性馬達之線性驅動機構15上。驅動機構Μ能驅 動债測器9在y方向上越過支架6，越過某些移動範圍。通 常，此允許每一制器9移動越過每-偵測器9之間的間距 之一半距離’使得㈣器9之組合給予在W向上越過基板 2之完全覆蓋。

\ 每-驅動機構15耦接至控制偵測器9之位置的控制系統 3。在此實例中，控制系統3接收來自一組雷射干涉量測系 統16之偵測器位置資訊。對於每一對準標記偵測器9而 言，干涉量測系統16包含固定至债測器9之鏡面及固定至 框架4之雷射及感測器配置。當偵測器9移動時，控制系統 3監控個別感測器之輸出，以計算干涉邊緣並判定偵測器9 之位置。為清晰起見，圖2及圖3中僅說明一單一干涉量測 系統16，儘管應瞭解可為每一偵測器9提供此一系統。 在另實例中，控制系統3接收來自操作員輸入之位置 資訊。 例示性基板 圖5及圖6分別說明根據本發明之各種實施例之具有各種 面板布局的基板17及18的平面圖。基板17、18具有相同的 總大小’但經設計以容納不同的平板顯示器尺寸。圖5之 基板17經設計以容納四個相同尺寸之面板19，而圖6之基 板1 8經没計以容納九個相同尺寸之面板2〇。每一面板上之 對準標記10經配置以符合面板布局並最大化使基板17、18 在曝光期間可對準之精確度。 137962.doc -19- 200921304 例示性操作 參考圖2、圖3及圖5，在為曝光做準備期間，基板丨人經 載於基板台1上。通常以數毫米之精確度來完成此過程。 在一實例中，操作員將基板17之特徵（例如，對準標記1〇 之列之數目及列之位置（在y方向上））之程式化於控制系統3 中。在另一實例中，操作員輸入基板類型碼，其中用於每 一基板類型之對準標記資料已被預先程式化於控制系統3 中。在任-實例中’在此情況下，此操作使得啟動適當數 目之對準標記偵測器9，且藉由個別線性驅動機構15而移 至在對準標記10之列上方的適當位置。在一實财，偵測 器9之視場足以將基板台i上之基板17之定位誤差調節在約 數毫米之範圍内。或者’可執行某些掃描程序以使相應對 準標記列上之每一偵測器9置於中央處。 在此實例中，在偵測器9之定位期間，可使用雷射干涉 量測系統16精確記錄其位置。最終位置資訊回饋至控制系 統3。通常，在掃描之前控制系統3使用此資訊以在丫方向 轉移基板σ 1而正確對準投影系統與基板。憤測器9之視場 足以調即基板17之此輕微轉移。接著開始曝光，以X方向 在車木4之下方掃描基板17。當每一偵測器9偵測對準標記 1〇之通過時，位置資訊回饋至控制系統3。如所描述，控 作用於所接收之對準標記位置資料上，以藉由調 即才又衫系統之光學元件、調節施加至個別可控之元件之陣 案、調節基板台位置或此等調節之任-組合而 確對準投影系統7及基板丨7。 137962.doc -20- 200921304 再-人參考圖2、圖3及圖6,由操作員輸入之資料促使啟 動支架6上之四個偵測器9並移至位置處。藉由面板2〇之配 置=數目而促進在基板18上之四列對準標記1〇之使用，且 通常在曝光程序期間增加對準精確度。 圖7為說明根據本發明之一實施例之操作之方法的流 程圖。在步驟702處，基板較位於基板臺上。在步驟7〇4 處，選擇適當數目之對準標記债測器並移至使用位置處。 在步驟706處，執行掃描曝光。 結論 雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應瞭解，其僅 、實例呈現且並非限制性的。熟習相關技術者將瞭解，在 不偏離本發明之精神及範疇的情況下可在其中作形式上及 細即上的各種改變。因11匕’本發明之廣度及範疇不應限於 ^述例示性實施例中之任一者，而應僅根據以下申請專利 範圍及其均等物來作界定。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。 圖2說明根據本發明之一實施例之掃描微影裝置的平面 圖0 圖3說明在圖2之箭頭A方向檢視之裝置的側視圖。 圖4示忍性說明根據本發明之一實施例之一對準標記。 圖5及圖6說明根據本發明之各種實施例之具有各種面板 布局之基板的平面圖。 圖7為根據本發明之一實施例之操作方法的流程圖。 137962.doc 21 200921304 現將參考隨附圖式描述本發明。在諸圖式中，相同的參 考數字可指示相同或功能上相似的元件。 【主要元件符號說明】 1 基板台 2 基板 3 控制系統 4 車架 5a、5b 支撐腳 6 支架 7 投影系統 9 對準標記偵測器 10 對準標記 11 輻射源 12 分光器 13 投影光學元件 14 韓射感測器 15 驅動機構 16 雷射干涉量測系統 17 基板 18 基板 19 面板 20 面板 100 投影裝置 102 輕射系統 137962.doc -22- 200921304 104 106 108 110 112 114 120 122 f124 126 128 130 132 134 136 138 、 140 409 個別可控之元件 物件台 投影系統 光束 輻射源 基板 目標部分 光束 照明器 調節設備 調節設備 積光器 聚光器 干涉量測設備 底板 干涉量測光束 分光器 對準標記偵測器 137962.doc -23 -

Claims (1)

1. 200921304 七、申請專利範圍： 1. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其產生一輻射光束； 一圖案產生設備，其圖案化該光束； 基板口，纟支撐一基板，冑基板具有提供於其一表 面上之多個對準標記； 一框架，其可相對於該基板而移動； 7或多個投影系統’其耗接至該框架，其中該或該等 投影系統能將該圖案化光束投影至該基板之—目標部分 叫夕1固對準標 於該框架而移動；及 、與該或該等對準標記情測器中之每-者關聯的-位置 感測器其中該位置感測器判定該或該等對準標記伯測 器相對於該⑽錢該或料投㈣統巾之至少-者的位 置。 2 ·如請求項1之裝置，其中： 該框架可沿著在一大體上平行於該基板之一平面的平 面令之帛一軸線相對於該基板而移動；及 該或該等對準標記偵測器 一軸大體上垂直於該第 、，敦並在平行於該基板之該平面之— 線相對於該框架而移動。 ，一 :::=之裝置，、其中該或該等對準標記伯測器具有 &其足以在該第二軸線之該方向上提供該基 137962.doc 200921304 板之一 4.如請求 含： 大體全部大小的覆蓋。 項J之裝置，其尹該或該等對準 標記偵測器包 一照明系統， 一投影系統， 目標部分上；及 其供應一輻射之對準光束； '、將該對準光束投影至該基板之-對準 5. 6. 欺測器，其價測自該基板反射之輕射。 如請求項】之裝 -雷射干涉儀。中母㈣位置感測器包含： 如：求項5之裝置，其甲該雷射干涉儀包含·· 而：Ϊ射：或鏡面’其相對於該關聯之對準標記制器 7. 8. 二雷射及-㈣偵測器’其相對於該框架而固定 如靖求们之裝置’其中每一該等位置感測器包含: —線性光柵系統。 如請求項1之裝置，其進一步包含： 9. 線1~生馬達，其與該或該等對準標記積測器中之每一 者關聯，該線性馬達提供該等對準標記偵測器中之一^ 別對準標記偵測器相對於該框架之線性移動。 如請求項1之裝置，其進一步包含： 10. 控制器，其基於操作員輸入及來自該 中之個別位置感測器之反饋中之至少一者 °亥等對準標記偵測器之位置。 如請求項1之裝置，其進一步包含： 等位置感測器 ，而控制該或 137962.doc 200921304 一對準控制器，其接收來自該或該等對準標記憤測器 之輸出，且基於該等所接收之訊號而調節以下至少一 者.⑴該基板相對於該框架的位置，（ii)該基板之一掃描 速度及（iii)由該或該等投影系統中之每一者產生的該圖 案化光束。 θ求項1之裝置’其中使用該或該等對準標記偵測器 中之至少五者及個別位置感測器。 12· 一種用於決定一基板的一位置的方法，該方法包含： 判定提供於一基板之一表面上之對準標記的大致位 置；及 。相對於以下至少一者而移動一或多個對準標記偵測 =:(0—可相對於該基板而移動之框架及（ii)一或多個投 影系統，該或該等對準標記偵測器被移至可偵測該等對 準標記處。 13.如吻求項12之方法，其中移動一或多個對準標記偵測器 之該步驟包含： 。監控一或多個偵測器位置感測器之一輸出以提供偵測 器位置反饋，該或該等位置感測器經固定至該框架及該 等對準標記偵測器中之至少一者。 如哨求項12之方法，其中移動一或多個對準標記偵測器 之該步驟包含： 口 將驅動訊號施加至一與該或該等對準標記偵測器中之 每—者關聯的線性驅動機構。 1 5·如明求項14之方法，其中該或該等線性驅動機構中之每 一者利用一線性馬達。 137962.doc