TW200541393A - Organic electroluminescence display device - Google Patents

Description

200541393 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種民生用及工業用之顯示器；具體而 言，係關於一種'適合作爲行動電話、PDA、汽車顯示儀表 1 、監視器、TV等之顯示器的有機EL (

Electroluminescence ;電激發光）顯示裝置。 【先前技術】 有機EL顯示裝置，係由在對向之電極間夾有發光層 的有機EL元件所構成。如在有機EL元件之兩電極間外 加電壓時，由一方電極所注入之電子與自他方之電極所注 入之電洞，會在發光層再結合。發光層中之有機發光分子 ，可因再結合能量而成爲更高的激發態，其後再由激發態 返回基態。此時所釋放出之能量就成爲光而釋放，從而造 成有機EL元件的發光。 由具有此種發光原理的有機EL元件構成之有機EL 顯示裝置，係完全固體元件，其具有高視認性（high visibility)、輕量化、薄膜化等特徵，而且只要幾伏特的 低電壓就可將其驅動。從而，有機EL顯示裝置，被期待 能利用於彩色顯示器上，現在硏究亦正在活絡地進行中。 然而，有機EL顯示裝置，在陰極上係使用高度活性 之合金材料，很容易因爲與水分及氧氣反應，而產生腐蝕 及氧化之現象。此種陰極之劣化，係造成所謂暗點即不發 光區域之產生原因。再者，有機EL元件亦會因爲由外部 -5- 200541393 (2) 侵入之水分、氧氣、其他零件產生之揮發成分等而受損， 並成爲產生暗點之原因。 因此，曾有人嘗試設置一遮蔽膜，以防止該暗點之產 生，惟，遮蔽膜上如有針孔存在時就會使遮蔽性降低。亦 即在針孔的中心，有從基板上突起或外部環境而混入，或 成膜時所造成之異物（〜1 // m )。 據上，爲排除針孔並確保遮蔽性起見，就必須增加遮 φ 蔽膜之厚度，並將異物包覆起來。 然而，欲形成一緻密的厚膜將花費許多時間，而造成 量產性不佳之問題。再者，欲形成一高遮蔽性且緻密的厚 膜（無機膜），因爲會提高膜的內部應力，從而就成爲遮 蔽性缺陷、膜層剝離、及裂縫之原因。 如上所述，因爲無法形成厚遮蔽膜之故，即無法賦予 完全的遮蔽性，而且，即使在色變換基板上形成遮蔽層， 亦無法表現充分的表面平坦性，從而在遮蔽層上所形成之 • 有機EL元件的電極平坦性就會變差，並成爲明亮線發生 之原因。 再者，如在遮蔽層上，濺鍍有機EL元件之電極時， 因使用藥液而必須具有藥液抗性，惟如膜厚度不足時，耐 藥品性就會不完全。 關於遮蔽膜的例子，如專利文獻1中，係以旋轉塗敷 或網版（screen )印刷將環氧樹脂以較厚膜之型態成膜， 並形成平坦化層。然而，即使可以平坦化，由於成膜係於 脫離真空系之大氣環境下進行之故，樹脂層本身會吸收水 -6- 200541393 (3) 分’並由於該水分導致元件劣化。 再者，專利文獻2揭示了可在真空蒸鍍中成膜的有機 材料（環烯烴聚合物、聚乙烯等）。專利文獻3則揭示了 電漿聚合膜（雜環化合物）。 然而，不論在上述任一膜中獲致平坦化之成果’由於 膜本身的遮蔽性很低，水分會從橫斷面侵入，都很難防止 由顯示端開始的元件劣化。 B 另一方面，專利文獻4、5，揭示了有機EL元件的封 合層，其係底部發光（Bottom Emission)型態之有機EL 顯示裝置，亦即，專利文獻4的封合層，係由Ag、A1、 Au等金屬、TiN、ZnO、Sn02、Ιη203等合金構成之導電 性無機層；專利文獻5的封合層，則係由六方晶層狀構造 之ln203 ( ZnO ) x所構成的保護層。再者，專利文獻6揭 示了色變換層之封合層，其係底部發光型態之有機EL顯 示裝置。專利文獻6的封合層係高抗氧化物層，其與相鄰 • 之有機EL元件的低抗氧化物層（下部電極），皆係由相 同之元素所構成，惟彼此之含氧量相異。 然而，如將專利文獻4、5之裝置以矩陣型驅動顯示 時，封合層與有機EL元件之電極間就無法分開。以單純 矩陣型驅動顯示時，有機EL元件電極必須事先加以分離 。如專利文獻4、5之裝置所示，如在分離之電極上覆蓋 導電性的封合層時，電極將會短路且無法驅動顯示。再者 ，專利文獻6的封合層係高抗氧化層且可電性分離，但因 其係相同元素組成，當下部電極進行化學濺鍍時，就可能 200541393 (4) 會使高抗氧化物層亦一同被潑鍍。 關於緩和遮蔽膜內部應力方面之技術，例如有形成應 力緩和層之方法。具體而言，應力緩和材料可選擇楊氏（

Young )率較小之有機系材料，例如矽樹脂（例如參照專 利文獻7 )等。 然而’由於水分會由橫斷面侵入，甚難防止由顯示端 開始之元件劣化。 • 再者，專利文獻8中，記載了一種發光裝置，其具有 以氧化矽或氧化氮化矽爲主成分之緩和層。 專利文獻9中，記載了一種有機EL元件，其保護層 係由原子層成長法所形成，且在構成保護層之成分中，含 有可緩和保護層所發生應力之應力緩和成分。 專利文獻1〇中，記載了一種有機電界發光元件，其 保護膜係由非晶（amorphous )氮化碳之單獨膜或無機膜 構成的積層膜。 φ 然而，關於插入有應力緩和層之有機EL元件的封合 ，專利文獻9、1 0係記載底部發光型之應力緩和層，而專 利文獻8則記載頂部發光型之應力緩和層；惟均未記載以 使用應力緩和層之厚膜封合，來提高封合功能之內容。 專利文獻1 :特開2002-25 765號公報 專利文獻2 :特開2003 - 1 7244號公報 ’專利文獻3 :特開2002- 1 1 7973號公報 專利文獻4 :特開平1 〇 - 2 4 7 5 8 7號公報 專利文獻5 :特開2 0 0 0 - 6 8 5 6 0號公報 200541393 (5) 專利文獻6:特開2004-31242號公報 專利文獻7:特開2000-182780號公報 專利文獻8 :特開2003 -25765 7號公報 專利文獻9 ··特開200 1 -284042號公報 專利文獻10:特開2003-282237號公報 【發明內容】 φ 發明之揭示 本發明有鑑於上述問題，目的係提供一種有機EL顯 示裝置’其上形成了具有充分膜厚度之遮蔽膜，且該遮蔽 膜仍繼續被賦予高度之遮蔽性、能抑制暗點之形成、並被 賦予表面平滑性及耐藥品性。 本發明者們，爲解決此課題而進行努力硏究，發現了 在導電膜形成遮蔽膜時，可以高成膜速度而成爲厚膜，又 同時可以具有高遮蔽性。 φ 進一步’本發明者們，並發現了所形成之遮蔽膜，其 含有由具高遮蔽性之無機材料構成的遮蔽層，以及含有可 緩和遮蔽層之內部應力的無機物所構成之應力緩和層，從 而可使用高遮蔽性之材料卻仍可減低該層之內部應力，使 得遮蔽膜之膜厚度可達到充分的厚度。 根據本發明，可提供下述之有機EL顯示裝置。 1· 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有有機 電激發光元件，以及可封合前述有機電激發光元件之含導 電膜的遮蔽膜。 200541393 (6) 2. 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有有機 電激發光元件，可調整及/或變換前述有機電激發光元件 之發光顏色的色變換層，以及可封合前述色變換層之含導 電膜的遮蔽膜。 3. —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有支持 基板，在前述支持基板上所形成之有機電激發光元件，以 及在前述有機電激發光元件之支持基板的相反方向，及/ φ 或前述有機電激發光元件與支持基板間所形成之含導電膜 的遮蔽膜。 4. 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲依下列順 序含有支持基板，可調整及/或變換前述有機電激發光元 件之發光顏色的色變換層，含導電膜之遮蔽膜，以及有機 電激發光元件。 5. 如1〜4中任一者之有機電激發光顯示裝置，其中 前述遮蔽膜之導電膜，與前述有機電激發光元件之遮蔽膜 φ 側之電極，係以分離方式構成。 6. 如5之有機電激發光顯示裝置，其中前述導電膜 ，與前述有機電激發光元件之遮蔽膜側的電極間，係以絕 緣膜將二者隔離。 7. 如6之有機電激發光顯示裝置，其中前述絕緣膜 係由至少一個選自氧化物、氮化物、氧氮化物及硫族化物 (chalcogenide)所形成者。 8. 如1〜7中任一者之有機電激發光顯示裝置，其中 前述導電膜係以與前述有機電激發光元件之遮蔽膜側之電 -10- 200541393 (7) 極，相異之物質所構成者。 9·如1〜8中任一者之有機電激發光顯示裝置，其中 前述導電膜係由非結晶性物質所構成者。 10·如1〜9中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 中前述導電膜係由至少一個選自氧化物、氮化物、氧氮化 物、碳化物、硼化物及硫族化物所形成者。 11·如1〜10中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 φ 中前述導電膜係由含有至少一個選自In、Zn、Sn、W、Zr 及T a元素之化合物所形成者。 1 2.如1〜1 1中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 中前述導電膜之比電阻係1〇8Ω · cm以下者。 13.如1〜12中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 中前述支持基板係塑膠基板。 14·如1〜13中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 中前述遮蔽膜係以氣相成長法形成者。 • 15·如14之有機電激發光顯示裝置，其中前述氣相 成長法係濺射法。 16·如1〜15中任一者之有機電激發光顯示裝置，其 中有機電激發光顯示裝置係主動（active )驅動型，且前 述導電膜與前述有機電激發光元件之遮蔽膜側之電極係電 性相連。 17. —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有有機 電激發光元件，以及可封合前述有機電激發光元件之含應 力緩和層的遮蔽膜。 -11 - 200541393 (8) 18· —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有有機 電激發光元件，可調整及/或變換前述有機電激發光元件 之發光顏色的色變換層，以及可封合前述色變換層之含應 力緩和膜的遮蔽膜。 19. 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有支持 基板，在前述支持基板上所形成之有機電激發光元件，以 及在前述有機電激發光元件之支持基板的相反方向，及/ φ 或前述有機電激發光元件與支持基板間所形成之含應力緩 和層的遮蔽膜。 20· —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲依下列順 序含有支持基板，可調整及/或變換有機電激發光元件之 發光顏色的色變換層，含應力緩和層之遮蔽膜，以及有機 電激發光元件。 21·如17〜20中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係以氣相成長法所形成者 •。 22.如21之有機電激發光顯示裝置，其中前述氣相 成長法係濺射法或化學氣相沉積（CVD )法。 23·如17〜20中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係含有無機金屬化合物者 〇 24.如23之有機電激發光顯示裝置，其中前述無機 金屬化合物係氧化物、氮化物、碳化物、氮化氧化物、碳 化氧化物、或碳化氮化物。 -12- 200541393 Ο) 25 ·如23之有機電激發光顯示裝置，其中前述無機 金屬化合物係由下述式（1 )表示之化合物所構成者。 Μ]υΜ2νΝχΟγΟζ ...... ( 1 ) 「式中，Μ 1、Μ2係彼此相異的金屬元素；當u、ν滿 足 OSu、v$l，u+v=l 時，X、y、ζ 係 OSx、y、ζ;前 述遮蔽層滿足x > 0 · 6，y + z < 0 · 2之關係；前述應力緩和 層則滿足x<0.2，y+z>0.6之關係。」 26·如23之有機電激發光顯示裝置，其中前述無機 金屬化合物係由下述式（2 )表示之化合物所構成者。 Μ 1 Μ2 ··· Μη Ο ...... ( 2 ) 「式中，Μ1 Μ2 · . Μη係彼此相異的金屬元素；前述 遮蔽層之η係2以上整數；前述應力緩和層之！！係1。」 27·如24〜26中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述無機金屬化合物之金屬係含有至少一個選自si 、A1、及Zn之元素者。 28·如17〜20中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係含碳之非晶性膜。 29·如17〜28中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述含應力緩和層之遮蔽膜，其內部應力之絕對値係 在200 MPa以下者。 3〇·如17〜29中任一者之有機電激發光顯示裝置， 其中前述支持基板係塑膠基板。 根據本發明，可製得具有以下效果之有機EL顯示裝 置。 -13- 200541393 (10) 1 ·可製得一種膜，其係使用導電性無機膜作爲遮蔽 膜，在厚膜化時可改善其阻氣（gas-barrier)性。 2·與傳統上作爲遮蔽膜使用之SiOx、SiON膜的濺鍍 成膜相比較時，導電性無機膜可提高成膜速度，更適於量 產。 3 ·可製得一種遮蔽性改善之膜，改善原因在於：由 高遮蔽性之無機材料構成的遮蔽層與應力緩和層組合而形 φ 成遮蔽層，經由遮蔽層的厚膜化，就可抑制針孔之發生、 遮蔽膜之剝離、裂縫等。 本發明中，關於形成以上遮蔽膜之有機EL顯示裝置 ’即使在連續顯示時，其發光顯示面積之縮小、或暗點之 擴大亦獲得改善。 再者’因爲遮蔽層的表面平滑性及耐藥品性提高之故 ，使得遮蔽層上所形成之有機EL元件的功能亦獲得提高 。從而，可製得一種具優良耐久性的有機EL顯示裝置。 φ 進一步，由於遮蔽膜具高度的透光性，因此亦適於用 在頂部發光型之有機EL顯示裝置。 實施發明之最佳型態 實施型態1 圖1 ( a ) 、（ b )係表示與本發明實施型態1有關之 有機EL顯示裝置。 圖1所示之有機EL顯示裝置中，有機EL元件2與 遮蔽膜3，係形成於支持基板1上。有機El元件2，係 -14- 200541393 (11) 由對向之第一個電極2a與第二個電極2b，以及位於其間 之發光層2c所構成。該有機EL顯示裝置，係頂部發光且 係主動（active )驅動型。基於其頂部發光之故，第一個 電極2a必須爲透光性，並使用透明電極。 藉由該遮蔽膜3將有機EL元件2與外部來的水、氧 氣等阻隔，即遮蔽膜3係扮演有機EL元件之封合材料的 功能。 p 在本實施型態中，遮蔽膜3係由導電膜所形成。導電 膜之比電阻，理想係1 Ο8 Ω · cm以下。 形成導電膜之導電性化合物，例如有金屬之氧化物。 具體而言，有In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、In-Sn 氧化物、In - Zn氧化物、In - Zn- Sn氧化物，甚至在這 些氧化物上添加摻雜物質之化合物。理想者，例如有 InxOy、InxZnyOz、ZnxOy(0<x<2.1，0<y<3.3，0 < z < 3.3 )，以及在其等上添加了 〇.2〜40&1%的311、八1、 φ Sb、Ga等之化合物。特別理想者，則例如有ITO (在In 氧化物上掺入（dope) 了 Sn) 、IZO(In— Zn混合氧化物 )、ΑΤΟ (在Sn氧化物上掺入了 Sb ) 、AZO (在Zn氧 化物上掺入了 Al ) 、GZO (在Zri氧化物上掺入了 Ga )。 進一步，在I η氧化物、S η氧化物、Ζ η氧化物、I η -Sn氧化物、In— Zn氧化物、In - Zn - Sn氧化物上，如添 力口 Al、Ta、Mg、稀土類金屬、Ti、Ni、Ir、Zr、W 等其 他金屬之化合物亦十分理想。 其他導電性化合物之例子，有氮化物、碳化物、硼化 -15- 200541393 (12) 物、硫族元素化合物（chalco genide )等。具體而言，有 TiN、ΖτΝ、LaB、ZnSe、ZnS (這些組成只要依據正規組 成者即可）等。 遮蔽膜3之導電性化合物，係以與有機£ l元件2之 第一個電極2a的相異物質爲理想。舉例來說，遮蔽膜3 的導電性化合物爲非結晶性物質，則有機E L元件2之第 一個電極2 a就爲結晶性物質。 Φ 本實施型態之遮蔽膜3，可以氣相成長法形成。氣相 成長法’例如有D C濺鑛法、D C磁控管（m a g n e t r ο η )濺 鍍法、RF濺鍍法、RF磁控管濺鍍法、對向靶濺鍍法、 E C R濺鍍法等濺鍍法、抵抗加熱法、電子波束加熱法等真 空蒸鑛法、離子噴鍍（ion plating)法、CVD ( Chemical Vapor* Deposition)法等。基於根據靶組成可容易地改變 所製造的膜並再製造之觀點，遮蔽膜係以濺鍍法形成者爲 理想。 φ 以濺鍍法製造時，因遮蔽膜3可由導電性化合物形成 之故，可使用導電性靶。而若爲導電性靶，就可使用DC 電源，其與外加高周波（RF )之情形相比，濺鑛將會連 續地產生（濺鍍係靶在陰極上發生）。再者，又因爲可投 入電流變大之緣故，成膜率提升，成膜速度亦提升。 再者，如圖1 ( b )所示，在支持基板1與有機EL元 件2間，亦可夾著同樣的第二遮蔽膜4。其中，支持基板 1如爲塑膠薄膜時，當支持基板1上有遮蔽膜4時，由薄 膜所發生之水分、氣體成分就會被密封在內部，而且，透 -16- 200541393 (13) 過薄膜過來的水分、酵素也可被隔離。 實施型態2 圖2係表示與本發明實施型態2有關之有機EL顯示 裝置。 圖2所示之有機EL顯示裝置係底部發光，並係被動 (pasive )驅動型。而被動驅動型須要電極圖案，且有機 φ EL元件2之第一個電極2a與與遮蔽膜3不能分離。此種 實施型態中，爲了與遮蔽膜側之有機EL電極2a分離起見 ，其結構上就隔離了一個絕緣膜5。再者，由於係底部發 光之故，第一個電極2a無須透光性，且可使用金屬電極 作爲電極。 此外，實施型態1之有機EL顯示裝置，由於係主動 驅動之故，其電極係共通電極且無須圖案化。因此，就不 須要該分離遮蔽膜3與遮蔽膜側之有機EL電極2a的介在 # 層（絕緣性材料）。惟，即使有介在層亦無影響。 構成絕緣膜5之絕緣性無機物，例如有金屬氧化物、 氮化物、氧氮化物、硫族元素化合物（chalcogenide )等 。具體而言，有 SiOx、SiOxNy、SiNx (0<χ<2·2，0< y < 2.2 ) 、A10x、A10xNy、AlNx (0<x<2.2，0<y< 2 · 2 )等。絕緣膜5之比電阻，理想係1 〇15 Ω · cm以下。 實施型態3 圖3係表示與本發明實施型態3有關之有機EL顯示 -17- 200541393 (14) 裝置。 圖3所示之有機EL顯示裝置中，色變換層6、由導 電層構成的遮蔽膜3、絕緣膜5、及有機EL元件2，係形 成於支持基板1上。 該有機EL顯不裝置係底部發光，並係被動驅動型。 從而’與實施型態2相同地，因須要電極圖案之故，有機 EL元件2之第二個電極2b與與遮蔽膜3就不能分離。因 φ 此，就須要隔離了一個絕緣膜5。再者，由於係底部發光 之故，第二個電極須要透光性，而使用透明電極。 由於遮蔽膜3之故，色變換層6所發生之水分、氣體 成分就會被密封在內部，而保護了有機E L元件2。 構成遮蔽膜3與絕緣膜5之材料及其製造方法，係如 實施型態1、2之說明所述。絕緣膜3 b之透過率，理想係 5 0 %以上。 此貫施型態中’遮蔽膜3係形成於色變換層6之上， 進一步’爲4合有機EL兀件2起見’遮蔽膜3亦可形成 於有機EL元件2之上。再者，亦可設置於支持基板1與 色變換層6之間。 再者，如上所述，此實施型態之有機EL顯示裝置， 雖係以色變換層6調整及/或變換由有機EL元件2發出 之光，並可將支持基板1方面來的光釋出之底部發光型態 ，但亦可爲在支持基板1上形成有機EL元件2及色變換 層6，並將由支持基板1的相反方向來的光釋出之頂部發 光型態。此時，爲保護有機EL元件2，可在支持基板與 •18- 200541393 (15) 有機EL元件間、有機EL元件與色變換層間、及色變換 層上等處，形成遮蔽膜3。 實施型態4 圖4(a) 、（b)係表示與本發明實施型態4有關之 有機EL顯示裝置。 圖4所示之有機EL顯示裝置中，有機EL元件2及 φ 遮蔽膜3係形成於支持基板1上。有機EL元件2，係與 上述各實施型態相同。該有機EL顯示裝置係頂部發光， 並係主動驅動型。基於其頂部發光之故，第一個電極2 a 必須爲透光性，並使用透明電極。 藉由該遮蔽膜3將有機EL元件2與外部來的水、氧 氣等阻隔，即遮蔽膜3係扮演有機EL元件2之封合材料 的功能。 本發明中，藉由具有遮蔽層3a及應力緩和層3b之積 φ 層構造，即使遮蔽層3 a使用高遮蔽性的緻密無機材料， 遮蔽膜3亦可緩和該層所具有之內部應力。從而，就可防 止內部應力所導致之遮蔽膜3的裂縫及剝離之發生。 再者，如圖4(b)所示，在支持基板1及有機EL元 件2間，亦可夾著同樣的第二遮蔽膜4。其中，特別是當 支持基板1爲塑膠薄膜時，支持基板1上如有遮蔽膜4時 由薄膜所發生之水分、氣體成分就會被密封在內部，而且 ，透過薄膜過來的水分、酵素也可被隔離。 此實施型態中，有機EL顯示裝置雖係將由支持基板 -19- 200541393 (16) 1相反方向來的光釋出之頂部發光型態，但如圖5所示， 亦可爲將由支持基板1方向來的光釋出之底部發光型態。 此時，爲保護有機EL元件2，可在有機EL元件上、支持 基板與有機EL元件間等處，形成遮蔽膜4。 再者，遮蔽層3a與應力緩和層3b之界面，並無明確 區別之必要。 圖6，係本發明之實施型態的另一有機EL顯示裝置 φ 之槪略斷面圖。 該有機EL顯示裝置之遮蔽膜，係由連接有機EL 元件2的一面朝上方，慢慢地、傾斜地形成一性質相異之 無機材料。亦即，在與遮蔽膜3 /的有機EL元件2相連 接面之附近，可形成主要含有功能爲應力緩和層之無機材 料，而隨著移到外部那一面時，則形成主要含有高遮蔽性 之無機材料。 _ 實施型態5 圖7，係本發明之實施型態5的有機EL顯示裝置之 槪略斷面圖。 有機EL顯示裝置係底部發光，並係被動驅動型。 有機EL顯示裝置係於支持基板1上形成色變換層6 ’並以與實施型態4相同之遮蔽膜3將色變換層6覆蓋。 然後，在該遮蔽膜3上就可形成有機EL元件2，同時， 可形成隔絕由外部侵入元件之水分等的封合遮蔽膜7。 該有機EL顯示裝置，可高度防止色變換層6所含有 -20- 200541393 (17) 之水分、氣體等成分洩漏到外部去。從而，製得了 一有機 EL顯示裝置，其有機EL元件之各零件劣化情形可被抑制 ，在有機EL元件連續顯示時所發生之發光顯示面積縮小 或暗點擴大情形可被改善，且耐久性優良， 再者，由於插入應力緩和層可改善遮蔽膜之故，遮蔽 層的表面平坦性亦被改善了。從而，在其上所形成之有機 EL元件的電極平坦性可提高，EL元件的明亮線產生情形 φ 等就可被抑制，顯示特性亦得到改善。 再者，該實施型態雖係於色變換層6上形成一遮蔽膜 ，惟，爲封合有機EL元件2起見，亦可於有機EL元件2 上形成一遮蔽膜3。此外，尙可設置於支持基板1與色變 換層6之間。 再者，如上所述，該實施型態之有機EL顯示裝置， 雖係以色變換層6調整及/或變換由有機EL元件2發出 之光，並可將支持基板1方面來的光釋出之底部發光型態 # ’但亦可爲在支持基板1上形成有機EL元件2及色變換 層6，並將由支持基板1的相反方向來的光釋出之頂部發 光型態。此時，爲保護有機EL元件2，可在支持基板與 有機EL元件間、有機EL元件與色變換層間、及色變換 層上等處，形成遮蔽膜3。 以下，茲說明本發明所使用之遮蔽膜。 關於形成遮蔽膜之遮蔽層及應力緩和層，構成其等之 無機材料，例如有金屬（合金）之氧化物、氮化物、碳化 物 '氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物。 -21 - 200541393 (18) 理想者，例如有 AOx、ANx、ACx、AOxNy、AOxCy 、ACxNy(式中，A係金屬或合金，且 0<χ<2·2，0<y < 2.2 )所表示之無機金屬化合物。 遮蔽層及應力緩和層，理想者係由下述式（1 )表示 之化合物。 Μ 1 uM2 vNxOy Cz ...... ( 1 ) 「式中，Μ 1、Μ2係彼此相異的金屬元素；當u、v滿 _ M〇Su、v$l，u+v=l 時，x、y、z 係 0$x、y、z;前 述遮蔽層滿足x>〇.6，y+z<0.2之關係；前述應力緩和 層則滿足x<〇.2，y+z>0.6之關係。」 式（1 )中，氮（N )比例高之化合物，係較容易形 成高密度之緻密膜者。因此，其成爲高阻水性、高阻氣性 之膜，即適於作爲遮蔽層之材料。 此外，式（1 )中，氮（N )比例低之化合物，其膜 之緻密性雖係較低，惟因爲容易形成內部應力較小之膜的 φ 緣故，即適於作爲應力緩和層之材料。 舉例而言，Si3N4密度爲3.1克/立方公分，即形成 高遮蔽性之膜。相對地，Si02密度爲2.2克/立方公分， 其雖遮蔽性低，惟形成內部應力較小之膜。SiOyNx係具 有這些的中間密度，而可藉由改變X、y來調整遮蔽性及 內部應力。 再者，該金屬氧化物係以由下述式（2)表示之化合 物構成者爲理想。 M】M2··· Mn〇 ...... ( 2 ) -22- 200541393 (19) 「式中，Μ1 Μ2··· Mn係彼此相異的金屬元素；前 蔽層之η係2以上整數；前述應力緩和層之η係1。_ 前述以A、Μ表示之金屬，理想者例如有s i、 Ζη、Τι、及B。再者，合金則例如有§丨及之合金 及A1之合金、以及Zll及乂之合金。 無機材料，有含碳之非晶性化合物，例如以使用 、氮化碳（CNx )爲理想。 φ 基於這些無機材料在製膜時所產生的內部應力之 性加以考慮後，係選定無機材料作爲遮蔽層及應力緩 來使用。 圖8係用以說明無機材料所具有內部應力之方向 判斷方法之說明圖。 在測定用基板3 1上，當無機材料層3 2形成時， 產生之彎曲方向，定義爲內部應力之發生方向。在形 機材料層3 2面的方向上，如產生凹型彎曲時，即係 # 性應力，紀錄爲+ (圖8 ( b ))。相對地，在形成 材料層3 2面的方向上，如產生凸型彎曲時，即係壓 應力，紀錄爲一（圖8 ( c ))。 再者，測定用基板3 1可使用Si基板等。 內部應力，可藉由光學性檢測該基板上，基板在 前後之彎曲變化來加以計算。具體而言，薄膜的內部 σ可以下述Stoney式來計算。 述遮 ! A1、 鑽碳 方向 和層 性的 以其 成無 拉伸 無機 縮性 成膜 應力 -23- 200541393 (20) [數1] E · h2 R · t (式中，E/ ( 1 - u )係測定用基板之二軸彈性係數 ，h爲測定用基板之厚度’ t爲成膜之薄膜厚度’ R爲測 定用基板的成膜導致之彎曲的曲率半徑。） 如以試驗片之長度爲L，彎曲度爲（5時，R在幾何學 上就成爲R= L2/ 2 δ，上式即可變形爲 •[數 2] Ε · h2· <5 一 3 (1 - v) I/· t 之算式。將彎曲度5進行光學檢測，即可計算出內部應力 σ 〇 再者，舉例而言，此測定方法係記載於「應力•應變 測定評價技術」（（股）總合技術中心發行）中。 本發明中，遮蔽膜亦即遮蔽層及應力緩和層，其總內 # 部應力之絕對値，理想爲200 MPa以下，特別理想則爲 5 0 MPa以下。絕對値如超過200 MPa時，很容易發生遮 蔽膜之剝離及裂縫。 絕對値如在2 0 0 Μ P a以下時，舉例而言，可將具壓縮 應力之膜與具拉伸應力之膜組合；或不論壓縮或拉伸而將 內部應力小之膜組合，都會使遮蔽膜整體之內部應力變小 〇 遮蔽膜之膜厚度爲3 00 nm〜2 # m，理想則爲5 00 nm 〜1 · 5 // m。未達3 0 nm時，因不能包埋異物之故，很可能 -24- 200541393 (21) 將無法充分抑制暗點之發生。相對地，如超過2 // m時， 成膜所需時間加長，將不利於生產面之所需。 再者’構成遮蔽膜之遮蔽層及應力緩和層，其各膜厚 度可根據內部應力之數値等而適當地加以調整。 遮蔽膜，可以氣相成長法形成。氣相成長法，例如有 D C灘鍍法、D C磁控管濺鍍法、R F濺鍍法、R F磁控管濃 鍍法、—向濺鍍法、E C R灑鍍法等濺鍍法、抵抗加熱法 φ 、電子波束加熱法等真空蒸鍍法、離子噴鍍法、電漿 CVD ( Chemical Vapor Deposition)法等。 以濺鍍法形成遮蔽膜時，非活性氣體可使用Ar、He 等，而靶則可使用上述之無機材料。 以反應性DC濺鍍法形成遮蔽膜時，非活性氣體可使 用Ar、He等，而反應性氣體可使用n2、〇2、NH3、H2、 CH4，而靶則可使用各種金屬（Si、Al、Si— A1等）。 如以電漿CVD法形成遮蔽膜時，其原料氣體，舉例 φ 而言，Si源有SiH4 (矽烷）、Si2H6 (二矽烷）、

Si ( OC2H5 ) 4(四乙氧基矽烷（TEOS) ) ; Ο源有〇2; N 源有 N2、NH3; C 源有 C02、CO; C— Ο 源有 C02、CO ;Ν— Ο 源有 NO、NO】、N2O。 上述第一及第二發明所使用之支持基板、有機EL元 件、色變換層，並無特別之限制，可使用一般習用者。茲 將這些材料說明如下。 支持基板之材料，舉例來說，有玻璃板、金屬板、陶 瓷板或塑膠板（例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯化乙 -25- 200541393 (22) 烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醯亞胺樹脂、聚脂樹 月旨、環氧樹脂、苯酚樹脂、矽樹脂、氟樹脂、聚醚亞胺樹 脂）等。 有機EL元件，係由發光層以及夾住該發光層之第一 電極與第二電極所構成。第一與第二電極可任意爲陰極或 陽極。 發光層之發光材料，舉例而言，有對聯四苯衍生物、 φ p —五苯衍生物、苯并二唑系化合物、苯并咪唑系化合物 、苯并噁唑系化合物、金屬螯合化、噁二唑系化合物、苯 乙烯基苯系化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、丁二烯系化 合物、萘二甲醯亞胺化合物、茈衍生物、醛連氮衍生物、 吡嗪啉衍生物、環戊二烯衍生物、吡咯并吡咯衍生物、苯 乙烯胺衍生物、氧染萘鄰酮系化合物、芳香族二甲川系化 合物、以8 -喹啉酚衍生物爲配位子之金屬錯體、聚苯基 系化合物等一種單獨或二種以上之組合。 • 再者，在發光層外，亦可形成電子注入層、電子輸送 層、正孔輸送層、正孔注入層等。 陽極材料，係以工作函數較大之材料爲理想，例如銦 錫氧化物（ITO )、銦鋅氧化物（IZO )、銦化銅（Culn )、氧化錫（Sn02 )、氧化鋅（ZnO )、氧化銻（Sb203 、sb2o4、sb2〇5)、氧化鋁（ai2o3 )等一種單獨或二種 以上之組合。 陰極材料，係以工作函數較小之材料爲理想，例如鈉 、鈉鉀合金、鉋、鎂、鋰、鎂銀合金、鋁、氧化鋁、鋁- -26- 200541393 (23) 鋰合金、銦、稀土類金屬、這些金屬與有機發光介質材料 之混合物、以及、這些金屬與電子注入層材料之混合物等 ，所構成之一種單獨或二種以上之組合。 可調整及/或變換有機EL元件之發光顏色的色變換 層，例如有（1 )彩色濾光片單獨之情形、（2 )螢光介質 單獨之情形、或（3 )彩色濾光片與螢光介質組合之情形 三種。 彩色濾光片，具有分解或阻斷光，並提升其顏色調整 或對比之功能。 彩色濾光片之材料，舉例而言，有下述色素、或將τ 述色素溶解或分散於黏合劑樹脂中之固體狀態者。 紅色（R )色素： 花系顏料、色激顏料、偶氮系顏料、喹吖酮系顔料、 蔥醌系顏料、蔥系顏料、異吲哚滿系顏料、異吲哚滿酮系 顏料、二氧代吡咯并吡咯系顏料帛〜種單獨或至少二種 以上之組合。 ~ 綠色（G)色素： 鹵素多取代酞菁系顏料、鹵素多取 ^似代銅酞菁系顏料 三苯甲烷系鹼性染料、偶氮系染料、 、 異吲哚滿系顏料、思 吲哚滿酮系顏料等，一種單獨或至少〜 - 〜種以上之混合物。 青色（Β )色素： -27- 200541393 (24) 銅酿菁系顏料、陰丹酮I (Indanthrone)系顏料、館酸 系顏料、賽安寧（Cyanine )系顏料、二噁嗪系顏料等， 一種單獨或至少二種以上之混合物。 彩色濾光片之黏合劑樹脂，係以使用透明的（在可見 光區透光率5 0 %以上）材料爲理想。舉例而言，聚甲基 甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙 烯吡咯烷酮、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等透明樹脂（ φ 高分子）等，這些可一種單獨使用或二種以上混合使用。 螢光介質，具有吸收有機EL元件所發出之光，然後 再發出更長波長之螢光的功能。 螢光介質之材料，舉例而言，可由螢光色素及樹脂、 或僅由螢光色素構成；而螢光色素及樹脂，則例如有將螢 光色素溶解或分散於顏料樹脂及/或黏合劑樹脂中之固體 形狀。 具體的螢光色素，例如有將有機E L元件上由近紫外 # 光至紫色光之發光，改變成青色發光的螢光色素，如1， 4 一雙（2 —甲基苯乙烯基）苯（以下簡稱Bis— MBS)、 反式一 4，4 ' 一二苯基芪（以下簡稱DPS )等芪系色素、 7—羥基一 4 一甲基氧染萘鄰酮（以下簡稱香豆素4)等氧 染萘鄰酮系色素。 將有機EL兀件上同色、青綠色或白色之發光，改變 成綠色發光的螢光色素，例如有2，3，5，6- 1H，4H — 四氫一8—三氟甲基並喹嗪（9，9a，1— gh)氧染萘鄰酮 (以下簡稱香豆素153) 、3—（2^ —苯并噻唑基）一7 -28- 200541393 (25) 一二甲胺基氧染萘鄰酮（以下簡稱香豆素6) 、3一（2 - 一苯并咪唑基）一 7—N，N—二乙胺基氧染萘鄰酮（以下 簡稱香豆素7)等氧染萘鄰酮系色素、其他氧染萘鄰酮系 色素系染料之鹼性黃5 1 ’另外，尙有溶劑黃1 1、溶劑黃 116等萘基亞胺色素。 將有機EL元件上由青色至綠色之發光、或白色之發 光’改變成橙色至紅色之發光的螢光色素，例如有4 一二 # 氰基甲撐一 2 -甲基一 6 -（p —二甲胺基芪基）—4H 一吡 喃（以下簡稱D CM)等賽安寧系色素、1 一乙基_2 一（4 一 （P —二甲胺苯基）一 1，3 —丁二烯基）—吡啶鎗鹽— 高氯化物（以下簡稱吡啶1 )等吡啶系色素、若丹明b、 右丹明6G等右丹明系色素’另外’尙有卩惡嗦系色素、驗 性紫1 1、香豆素6等。 關於黏合劑樹脂，可使用與彩色濾光片相同之黏合劑 樹脂。 • 此外，關於支持基板、有機EL元件、色變換層等構 成之零件材料，可使用國際公開第02/0 1 7689號公報、國 際公開第03/043 3 82號公報、國際公開第03 /06995 7號公 報、國際申請JP03/02798號、特願2002-3 0 1 852號公報 等所記載者。 【實施方式】 [實施例] 實施例1 -29- 200541393 (26) 本實施例中，係於支持基板1上依序形成TFT (圖上 未標示）、有機EL元件2及遮蔽膜3，而製作圖1 ( a ) 所示之層層構成的有機EL顯示裝置（頂部發光、TFT主 動型）。 圖9 ( a)〜（i )，係有關聚矽TFT之形成步驟的說 明圖。再者，圖10係表示含聚矽TFT之電開關連接構造 的迴路圖，而圖1 1則係表示含聚矽TFT之電開關連接構 φ 造的平面透視圖。 首先，在112 mm 143 mm 1·1 mm之玻璃基板1 ( OA2玻璃，日本電氣硝子（股）製）上，以減壓CVD ( Low pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)等方 法，壓合一 a— Si層40(圖9(a))。其次，以KrF雷 射（ 248 nm)等準分子雷射（Excimer Lasers)照射於α — Si層40上，進行退火處理（anneal)結晶化，而作爲 聚矽（圖9(b))。將該聚矽，以光微影技術（Photo-φ Lithography)形成島狀圖案（圖9(c))。在製得之島 狀聚矽41及基板1之表面上，以化學蒸鍍（CVD )等壓 合一絕緣閘極（gate )材料42，並作爲閘極氧化物絕緣膜 42 (圖9 ( d ))。然後，將閘極電極43以蒸鍍或濺鍍使 其成膜（圖9(e))，並於閘極電極43形成圖案之同時 ，進行陽極氧化（圖9(f)〜（h))。進一步，以離子 摻雜（ion doping，離子注入）形成摻雜區域，藉此形成 活性層，並作爲源極45及汲極47，而形成聚矽TFT (圖 9 ( i ))。此時’閘極電極43 (及圖1 0之掃描電極5 0， -30- 200541393 (27) 電容器57之底部電極）爲A1，而TFT的源極45及汲極 4 7貝丨J爲η +。 其次，在製得之活性層上，以CRCVD法形成膜厚度 爲5 00 nm之層間絕緣膜（Si02 )後，形成信號電極線5 1 及共通電極線52、形成電容器上部電極（A1 );連接第 二個電晶體（Tr2) 56的源極與共通電極；連接第一個電 晶體（Tr 1 ) 5 5的汲極與信號電極（圖10、圖11)。各 φ TFT與各電極之連接，係適當地以氫氟酸的濕式蝕刻將層 間絕緣膜Si02加以開口。 其次，依序將Cr及ITO以濺鍍各自成膜爲2000A、 1 3 00 A。在該基板上將正型阻蝕劑（HPR204 :富士 FILM Arch製）施以自旋式塗敷（spin coat)，再藉由可成爲 9 0 μ m X 3 2 0 // m點狀圖案之遮光罩，進行紫外線曝光，並 以TMAH (四甲銨氫氧化物）之顯影液顯影，再於130°C 下烘烤，而製得阻蝕劑圖案。 φ 其次，在47%溴化氫酸構成之IT0蝕刻液中，將露 出部分之IT0進行蝕刻，再於銷酸鈽銨/過氯酸水溶液（ HCE :長瀨產業製），將Cr進行蝕刻。然後，將阻蝕劑 以乙醇胺爲主成分之剝離液（N3 0 3 :長瀨產業製）加以 處理，而製得Cr/ITO圖案（陽極）。 此時，（Tr2 ) 56與陽極10，係透過開口部59而連 接（圖1 1 )。 然後，在第二個層間絕緣膜方面，係將負型阻蝕劑（ V2 5 98K :新日鐵化學公司製）施以自旋式塗敷，以紫外 •31 - 200541393 (28) 線曝光，再以TMAH (四甲銨氫氧化物）之顯影液顯影。 接著，於180°c下烘烤，而在Cr / ITO的邊緣形成包覆（ ITO之開口部爲70 // m x 2 0 0 // m)著有機膜之層間絕緣膜 (無圖示）。 (2 )有機EL元件之製作 將如此製得之附有層間絕緣膜之基板，在純水及異丙 φ 醇中以超音波洗淨，再於空氣流中乾燥後，UV洗淨。 其次，將TFT基板移到有機蒸鍍裝置（日本真空技 術製）中，並將基板固定於基板載台上。此外，事先並於 鉬製之加熱板上，各自裝入作爲正孔注入材料之4， ，4〃 一三[N— (3 —甲苯基）一 N —苯胺基]三苯胺（ MTDATA ) 、4，4^ —雙[N— (1—萘基）—N-苯胺基] 聯二苯基（NPD );作爲發光材料之主材料的4，4 — 一雙 (2，2 —二苯乙烯基）聯二苯基（NPVBi );作爲摻雜物 # 質之1，4 —雙[4-(N，N -二苯胺基苯乙烯基苯）]( DPAVB );以及作爲電子注入材料及陰極之三（8 - D奎啉 酚）鋁（Alq )及Li，再將IZO (前出）靶裝置於其他的 濺鍍槽中，以作爲陰極的取出電極。 其後，將真空槽減壓至5 1 〇 - 7 torr後，以下列順序 ，由正孔注入層至陰極爲止，在真空狀況不變且僅抽一次 真空的情形下，依序進行層壓。 首先，在作爲正孔注入層方面，MTDATA之蒸鍍速度 爲0.1〜0.3 nm /秒、膜厚度爲160 nm，以及NPD之蒸鍍 -32- 200541393 (29) 速度爲0.1〜〇·3 nm/秒、膜厚度爲2〇 nm ;在作爲有機 發光層方面，DPVBi及DPAVB之蒸鍍速度各爲0 nm/秒、〇.03〜〇.05 nm/秒，而進行共同蒸鍍，膜厚度 爲50 nm，在作爲電子注入層方面，Alq之蒸鍍速度爲〇」 〜〇.3nm/秒，膜厚度爲2〇lim;在作爲陰極方面，Aiq 及Li之蒸鍍速度各爲0.^0.3 nm /秒、〇〇〇5 nm /秒， 而進行共同蒸鍍，膜厚度並爲20 nm。 其次’將基板移動至濺鍍槽中，該作爲陰極之取出電 極ITO’則以成g旲速度〇1〜〇·3 nm /秒、0.005 nm /秒 ’膜厚度爲200 nm，製作了有機EL元件。 (3 )遮蔽膜之製作 然後，在有機EL元件之陰極上，以；[Z0爲靶、並以 DC鎂的方式，完成遮蔽膜之成膜。於濺鑛壓〇·2 Pa、濺 鍍輸出0.7 kW，製得500 nm之厚膜。成膜時間並爲50 # 分鐘。如在同一裝置中，欲以RF磁控管方式使Si02完成 同樣膜厚度之成膜時，需時250分鐘，從而確認本發明適 合於量產上之條件。如上所述地，在形成了作爲EL封合 膜之遮蔽膜以後，爲防止由外部來的物理接觸起見，在基 板上之玻璃蓋使用紫外線硬化接着劑，並以紫外線照射使 其黏合，以便有機EL元件可被完全地覆蓋住。 此外，該成膜之IZO膜組件，以X射線光電子分光 (XPS )法計算其原子組成時，得到In/ Ζη/ Ο ( 36/ 5/ 59) (5 10" 4 Ω · cm )。 -33- 200541393 (30) (4 )有機EL顯示裝置之信賴性評估 如上所述地，製作主動有機EL顯示裝置，在其陽極 (ITO/Cr)及陰極（IT0)上外加DC7V之電壓（陽極 :(+ )、陰極：（一））時，各電極之交叉部份（畫素 )均發光。此外，遮蔽膜爲IZO，其與陰極密接，並電性 相連。 B 其次，針對本裝置，如以8 5 °c實施5 0 0小時之保存 試驗，並以顯微鏡觀察其發光畫素區之縮小率而加以測定 時，縮小率爲2 %，從而確認製得了具有優良耐久性之有 機EL顯示裝置。 縮小率爲（％)=(試驗前之發光畫素面積-試驗後之發光 畫素面積）100/試驗前之發光畫素面積 再者，同時並就3 0 // m徑以上的暗點個數，以顯示 區的中央及四個角共計五處的4 mm正方形面積加以計算 •，得出平均數爲0.2個。 (5 )水蒸氣透過度之測定 以JIS K7 129爲基準測定水蒸氣透過度。具體而言， 係於聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET )薄膜上，以本實施例 所使用之遮蔽膜來成膜，並作爲試驗樣品。依據 JIS K7 129所示之方法加以測定，其結果在0.001 g / m2 · 2 4hr之測定界限以下。確認在有機EL顯示上，其係具有 充分的功能。 -34- 200541393 (31) 實施例2 除在實施例1中，所導入之氣體係使用氧氣濃度爲 1 0 %之Ar的混合氣體外，其他均以同一條件進行成膜。 其結果，膜之組成爲IZO ( In / Zn / 〇= 27 / 3 / 70 ) ( 1 x 1 0 8 Ω · cm )。信賴性評估之結果則示於表1中。 φ 實施例3〜8 除在實施例1中，遮蔽膜係以下述組成形成者外，其 他均以同一條件進行而製作有機EL顯示裝置，並實施信 賴性評估。其結果示於表1中。 實施例 3:ITO(In/Sn/O=37/3/60) (7x10- 4 Ω · cm ) 實施例 4: IZWO(In/Zn/W/O=34.4/6.6/0.2/ 58·8 ) ( 8x10— 4Ω · cm )

實施例 5:TiN(Ti/N=52/48) ( 6x 1 0 3 Q · cm ) 實施例 6 : ZrC ( Zr / C = 60 / 40 ) ( 8 x 1 0 3 Q - cm ) 實施例 7:LaB(La/B=55/45) (7x10- 2Q· cm ) 實施例 8:ZnS(Zn/S=60/40) ( 5 x 1 0 ~ 2 Ω - cm -35- 200541393 (32) 比較例1 : 除在實施例1中，遮蔽膜係以Si〇2爲靶、並以RF磁 控管方式完成濺鍍成膜，且於濺鍍壓〇·2 Pa、濺鍍輸出 0.7 kW，而製得5 00 nm厚度之成膜外，其他均以同一條 件進行而製作有機EL顯示裝置，並實施信賴性評估。成 膜時間需時25 0分鐘。遮蔽膜之原子組成爲Si / 0= 35/ 65 ° 其結果，發光畫素區之縮小率爲5 0 %，與實施例相 比，有機EL顯示裝置的耐久性顯著地較差。此外，DS在 信賴性評估後，有數十個發生。 實施例9 除在實施例1中，IZO構成之遮蔽膜（500 nm)上， 絕緣膜係於SiO靶上導入N2氣體、並以RF磁控管方式 完成濺鎪成膜，且於濺鍍壓0.2 Pa、濺鑛輸出0.2 kW，而 # 製得150 nm厚度之成膜外，其他均以同一條件進行而製 作有機EL顯示裝置，並實施信賴性評估。其結果示於表 1中。IZ0膜之原子組成爲In / Zn/0=36/5/59，且 Si〇N膜之原子組成爲Si/N/ 0 = 50/ 40/ 1 0。 實施例1 0 除在實施例9中，遮蔽膜與絕緣膜之構成，改成下述 所示以外，其他均以同一條件進行而製作有機EL顯示裝 置，並實施信賴性評估。其結果示於表1中。 -36- 200541393 (33) 此實施例中，係先形成絕緣膜（SiON ) ( 150 nm ) ，其後再形成導電膜（IZO) (500 nm) 。SiON膜之原子 組成爲Si/N/0=50/40/10，且IZO膜之原子組成爲 Ιη/Ζη/0 = 36 / 5/59。 實施例1 1 除在實施例9中，遮蔽膜與絕緣膜之構成，改成下述 φ 所示以外，其他均以同一條件進行而製作有機EL顯示裝 置，並實施信賴性評估。其結果示於表1中。 此實施例中，係以形成絕緣膜（SiON ) ( Si / Ν / Ο = 50/40/10) (150 nm)、導電膜（遮蔽膜）（In/ Zn /0=36/5/59) (IZO) (500 nm)、及絕緣膜（SiON )(Si/N/0=50/40/10) (150 nm)之三層結構。 如表1所示，實施例9〜1 1中，由於導電膜之厚膜化 及與絕緣膜之層壓化，而提升了遮蔽膜的功能。 實施例1 2 此實施例中，係製作圖2所示之層構成的有機EL顯 示裝置（底部發光、被動型）。 (1 )被動型有機EL元件之製作 在102 mm 13 3 mm 1.1 mm之支持基板（透明基板 )(〇A2玻璃，日本電氣硝子（股）製）上，將IZO (銦 鋅氧化物）以濺鍍完成200 nm膜厚度之成膜。 -37- 200541393 (34) 其次，在該基板上將正型阻蝕劑（HPR204 :富士 OLIN製）施以自旋式塗敷，再藉由可與陰極之取出部成 爲9 0 // m線、2 0 // m間隙之條帶狀圖案的遮光罩，進行 紫外線曝光，並以TM A Η (四甲銨氫氧化物）之顯影液顯 影，再於1 3 下烘烤，而製得阻蝕劑圖案。 其次，在5%草酸構成之IZO蝕刻液中，將露出部分 之IZO進行蝕刻。然後，將阻蝕劑以乙醇胺爲主成分之剝 • 離液（N3 03 :長瀨產業製）加以處理，而製得IZO圖案 (下部電極：陽極，9 6 0條線）。 其次，第一個層間絕緣膜方面，係將負型阻蝕劑（ V25 9PA ：日本ΖΕΟΝ製）施以自旋式塗敷，再藉由可成 爲2 0 // m線、3 1 0 // m間隙之條帶狀圖案的遮光罩，以紫 外線曝光後，進一步於曝光後進行烘烤。然後，再以 TMAH (四甲銨氫氧化物）之顯影液顯影。接著，於16〇 °C下烘烤，而形成與IZO條帶狀垂直交叉之有機膜的第二 φ 個層間絕緣膜（隔壁）。 將如此製得之基板，在純水及異丙醇中以超音波洗淨 ，再於空氣流中乾燥後，U V洗淨。 其次’將基板移到有機蒸鍍裝置（日本真空技術製） 中，並將基板固定於基板載台上。此外，事先並於鉬製之 加熱板上，各自裝入作爲正孔注入材料之4，4 >，4 〃 一 三[N — ( 3 —甲苯基）一 N—苯胺基]三苯胺（MTDATA ) 、4，I —雙[N— (1 -萘基）—N-苯胺基]聯二苯基（ NPD):作爲發光材料之4，一雙（2，2 —二苯乙烯基 -38- 200541393 (35) )聯二苯基（NPVBi );以及作爲電子注入材料之三（8 —D奎啉酸）鋁（Alq )，再於陰極方面，將AlLi合金（Li 濃度：10 atm%)，裝置於TUNGSTEN製電絲中。 其後’將真空槽減壓至5 1 〇— 7 torr後，以下列順序 ，由正孔注入層至陰極爲止，在真空狀況不變且僅抽一次 真空的情形下，依序進行層壓。 首先’在作爲正孔注入層方面，MTD ΑΤΑ之蒸鍍速度 φ 爲0·1〜0·3 nm〆秒、膜厚度爲60 nm，以及NPD之蒸鍍 速度爲〇· 1〜0.3 nm/秒、膜厚度爲20 nm ;在作爲有機 發光層方面，DPVBi之蒸鍍速度爲〇」〜〇·3 nm/秒，膜 厚度爲50 nm，在作爲電子注入層方面，Alq之蒸鑛速度 爲0.1〜0.3 nm/秒，膜厚度爲20 nm ;另外，在作爲陰 極方面，A1及Li之蒸鍍速度各爲〇.5〜1.0 nm/秒，膜厚 度並爲150 nm。再者，有機層（正孔注入層〜電子注入 層爲止）係以遮光罩蒸鑛，惟陰極則須連接至事先形成之 # IZ0取出電極上，再進行蒸鍍。陰極，則由先前在基板上 製作之隔壁，成爲自動分離之圖案（240條線）。 (2 )絕緣膜及遮蔽膜之製作 其次，在有機EL元件之陰極上，絕緣膜係在Si0靶 上導入N2氣體，並以RF磁控管方式完成濺鍍成膜，且 於濺鍍壓0.2 Pa、濺鍍輸出0·2 kW，而製得150 nm厚度 之成膜。然後，遮蔽膜則在IZ0爲靶、並以DC磁控管方 式完成濺鍍成膜，且於濺鍍壓0.2 Pa、濺鍍輸出〇.7 kW， -39- 200541393 (36) 再導入氣體爲氧氣濃度10%之Ar的混合氣體，而製得 5 00 nm厚度之成膜。進一步’在基板上之玻璃蓋使用紫 外線硬化接着劑，並以紫外線照射使其黏合，以便有機 EL元件可被完全地覆蓋住。SiON膜之原子組成爲Si/N /〇= 50/ 40/ 1 0，且IZ0膜之原子組成爲In/Zn/〇 = 27/ 3 / 70 (高電阻）。 如上所述，製作一陽極與陰極係形成矩陣所構成之全 φ 彩有機EL顯示裝置（開口率56%)，在其陽極及陰極上 外加DC7V之電壓（陽極：（+ )、陰極：（一））時， 各電極之交叉部份（畫素）就會發光。 其次，針對本裝置，如以851實施500小時之保存 試驗，並以顯微鏡觀察其發光畫素區之縮小率而加以測定 時，縮小率爲2 %，從而確認製得了具有優良耐久性之有 機EL顯示裝置。再者，同時並就暗點發生數進行評估後 ，得出數目爲〇·2個。 實施例1 3 除在實施例1 2中，絕緣膜與遮蔽膜之組成，改成下 述所示以外，其他均以同一條件進行而製作有機E L顯示 裝置，並實施信賴性評估。其結果示於表1中。 絕緣膜·（ SiON) ( si/N / 0 = 50/40/10) 遮蔽膜：TiN ( Ti/N= 52/ 48 ) 實施例1 4 -40- 200541393 (37) 除在實施例1 2中，支持基板，改成附有下述遮蔽膜 之支持基板以外，其他均以同一條件進行而製作有機EL 顯示裝置，並實施信賴性評估。其結果示於表1中。 在切成 102 mmxl33 mm之聚醚硕（住友BAKELITE 公司製）（厚3 00 // m)基板上，遮蔽膜係以IZO爲靶、 並以DC磁控管方式而成膜。於濺鍍壓0.2 Pa、濺鍍輸出 0-7 kW，再導入氣體爲氧氣濃度10%之Ar的混合氣體， φ 而製得500 nm厚度之成膜。其後，在同一裝置內，絕緣 膜係以Si〇2爲靶、並以RF磁控管方式而濺鍍成膜。於濺 鍍壓0·2 Pa、濺鍍輸出0.2 kW，而製得150 nm厚度之成 膜。從而，製得一附有遮蔽膜之支持基板。 遮蔽膜：IZO( In / Zn/0=27/3/70) 絕緣膜：（S i Ο ) ( S i / Ο = 3 5 / 6 5 )

-41 - 200541393 (38) [表1]

分類 構成 元件 遮蔽膜 畫素 縮小 (°/〇) DS發 生數 (個數） 實施例1 EL 頂部 IZ0(In/Zn/0=36/5/59) 2 0.2 實施例2 封合 發光 IZO(In/Zn/O=27/3/70)高電阻 3 0.3 實施例3 主動 IZO(In/Sn/O=37/3/60) 3 0.5 實施例4 型 IZWO(In/Zn/W/O=34.4/6.6/0.2/58.8) 2 0.2 實施例5 TiN(Ti/N=52/48) 2 0.3 實施例6 ZrC(Zr/C=60/40) 2 0.3 實施例7 LaB(La/B=55/45) 4 0.6 實施例8 ZnS(Zn/S=60/40) 4 0.5 比較例1 Si0(Si/0=35/65) 50 數十 實施例9 IZO(In/Zn/O=36/5/59)+SiON(Si/N/O=50/40/10) 1 0.1 實施例10 SiON(Si/N/O=50/40/10)+IZO(In/Zn/O=36/5/59) <1 0 實施例11 SiON(Si/N/O=50/40/10)+IZO(In/Zn/O=36/5/59) <1 0 +SiON(Si/N/0=50/40/10) 實施例12 底部 SiON(Si/N/0=50/40/10)+ 2 0.2 發光 IZO(In/Zn/O=27/3/70)高電阻 實施例13 被動 SiON(Si/N/O=50/40/10)+TiN(Ti/N=52/48) 3 0.3 實施例14 型 (EL元件） 10 20 SiON(Si/N/0=50/40/10)+ IZO(In/Zn/O=27/3/70)高電阻 (支持基板） IZO(In/Zn/O=27/3/70)高電阻+ Si0(Si/0=35/65) -42- 200541393 (39) 實施例1 5 此實施例中，係於支持基板1上，依次形成色變換層 6、遮蔽層3及有機EL元件2，而製作圖3所示之有機 EL顯示裝置（底部發光、被動型）。 (1 )色變換層之製作 在102 mm 13 3 mm 1·1 mm之玻璃基板（透明基板 Φ ) ( 〇A2玻璃，日本電氣硝子（股）製）上，黑色矩陣層 (BM，Black Matrix)之材料係將 V259BK (新日鐵化學 公司製）施以自旋式塗敷，再藉由可成爲格子狀圖案的遮 光罩，以紫外線曝光後，以2 %碳酸鈉水溶液之顯影液顯 影。接著，於200 °C下烘烤，而形成黑色矩陣層（膜厚度 1 .5 // m )之圖案。 其次，青色之彩色濾光片的材料，係將V259B (新日 鐵化學公司製）施以自旋式塗敷，再藉由可獲致3 2 〇條長 Φ 方形（90 μ m線、24〇 // m間隙）之條帶狀圖案的遮光罩 ，對好B Μ的位置後以紫外線曝光，再以2 %碳酸鈉水溶 液之顯影液顯影。接著，於2 0 〇 °c下烘烤，而形成青色之 彩色濾光片（膜厚度的圖案。 其次，綠色之彩色濾光片的材料，係將V259G (新日 鐵化學公司製）施以自旋式塗敷，再藉由可獲致3 2 0條長 方形（90 // m線、240 μ m間隙）之條帶狀圖案的遮光罩 ，對好B Μ的位置後以紫外線曝光，再以2 %碳酸鈉水溶 液之顯影液顯影。接著，於2 0 〇它下烘烤，而在青色之彩 - 43- 200541393 (40) 色濾光片旁邊形成綠色之彩色濾光片（膜厚度1.5/zm) 的圖案。 其次，紅色之彩色濾光片的材料，係將V 2 5 9 R (新日 鐵化學公司製）施以自旋式塗敷，再藉由可獲致3 2 0條長 方形（90 // m線、240 // m間隙）之條帶狀圖案的遮光罩 ，對好BM的位置後以紫外線曝光，再以2 %碳酸鈉水溶 液之顯影液顯影。接著，於2 0 〇 °C下烘烤，而在青色之彩 φ 色濾光片與綠色之彩色濾光片間，形成紅色之彩色濾光片 (膜厚度1.5//m)的圖案。 然後，綠色螢光介質，係將可成爲0.04 mol/kg (對 固體成份）份量的香豆素6，溶解於丙烯系負型光阻蝕劑 (V2 5 9PA，固體成份濃度50% :新日鐵化學公司製）， 而製作成油墨。 該油墨係於先前之基板上施以自旋式塗敷，將綠色之 彩色濾光片上以紫外線曝光，再以2 %碳酸鈉水溶液顯影 • 後，於200°C下烘烤，而在綠色之彩色濾光片上形成色變 換膜之圖案（膜厚度10//m)。 其次，紅色螢光介質之材料，係將香豆素6: 0.53克 、鹼性紫Π : 1 ·5克、若丹明6G : 1.5克、丙烯系負型光 阻蝕劑（V259PA，固體成份濃度50% :新日鐵化學公司 製）：1 〇〇克，加以溶解，而製作成油墨。 該油墨係於先前之基板上施以自旋式塗敷，將紅色之 彩色濾光片上以紫外線曝光，再以2 %碳酸鈉水溶液顯影 後，於180°C下烘烤，而在紅色之彩色濾光片上形成紅色 -44- 200541393 (41) 變換膜之圖案（膜厚度l〇//m)，而製得色變換基: 平坦化膜，係將丙烯系熱硬化樹脂（V259PH 鐵化學公司製）於先前之基板上施以自旋式塗敷 1 8 (ΓC下烘烤，而形成平坦化膜（膜厚度1 2 // m )。 (2 )絕緣膜及遮蔽膜之製作 其次，在平坦化膜上，遮蔽膜係以IZO爲靶 Φ DC磁控管方式完成遮蔽膜之成膜。於濺鍍壓0.2 鍍輸出0.7 kW，而製得5 00 nm之厚膜後，以氧氣; %之Ar的混合氣體作爲導入氣體，而在IZO高電 成150 nm之連續成膜。其後，在同一裝置內，絕 以Si02爲靶、並以RF磁控管方式而濺鍍成膜。於 0.2 Pa、濺鍍輸出〇·2 kW，而製得150 nm厚度之 從而，製得一色變換基板。膜之原子組成爲IZO膜 組成爲In/Zn/ 0 = 36/ 5/ 59; IZO高電阻層爲 φ /0=27/3/70; SiO 膜爲 Si/0=35/65。 (3 )被動型有機EL元件之製作 以與實施例1 2相同之方法’在色變換基板上 機EL元件。 其次，針對本裝置，如以85 °C實施5 00小時 試驗，並以顯微鏡觀察其發光畫素區之縮小率而加 時，縮小率爲2 %，從而確認製得了具有優良耐久 機EL顯示裝置。 ，新曰 ，再於 ，並以 Pa、濺 農度1〇 阻層製 緣膜係 濺鍍壓 成膜。 之原子 In/ Zn 製作有 之保存 以測定 性之有 -45- 200541393 (42) 再者，暗點發生數在進行信賴性評估後，得出數目爲 0.2 個。 實施例1 6〜1 8 除在實施例1 5中，遮蔽膜與絕緣膜之組成，改成下 述所示以外，其他均以同一條件進行而製作有機EL顯示 裝置，並實施信賴性評估。其結果示於表2中。 實施例 16 : IZWO ( In/Zn/W/0 = 34.4/6.6/0.2 /58.8) 、SiON(Si/N/0= 50/ 40/ 1 0 ) 實施例17 : TiN ( Ti / N= 52 / 48 )、鋁硼矽酸玻璃 實施例 18:LaB(La/B=55/45) 、SiON(Si/N /0= 50/ 40/ 10) 實施例1 4 除在實施例15中，未形成遮蔽膜外，其他均以同_ # 條件進行而製作有機EL顯示裝置，並實施信賴性評估。 其結果，發光畫素區之縮小率爲100%，與實施例年目 比，有機EL顯示裝置的耐久性顯著地較差。 -46 - 200541393 (43) [表2] 分類 構成 元件 遮蔽膜 畫素 縮小 (%) DS發 生數 (個數） 實施例15 色變 底部 IZ0(In/Zn/0=36/5/59)+ 2 0.2 換層 發光 IZO(In/Zn/O=27/3/70)高電阻 遮蔽 被動 Si0(Si/0=35/65) 實施例16 膜 型 IZWO(In/Zn/W/O=34.4/6.6/0.2/58.8)+ 4 0.5 SiON(Si/N/0=50/40/10) 實施例17 TiN(Ti/N=52/48)+鋁硼矽酸玻璃 5 0.6 實施例18 LaB(La/B=55/45)+SiON(Si/N/O=50/40/10) 5 0.6 比較例2 Μ 100

實施例1 9 此實施例中，係於支持基板1上，依次形成TFT (未 ® 圖示）、有機EL元件2、及遮蔽層3，而製作圖4及圖5 所示之層構成的有機EL顯示裝置（頂部發光、TFT主動 型）。 此外，TFT之製作與有機EL元件之製作，係與實施 例1之（1 )及（2 )相同。 遮蔽膜之製作 在有機EL元件上，遮蔽膜係以Si爲靶，Ar中混合 有氧氣及氮氣之混合氣體的流動環境下，並以D C磁控管 -47- 200541393 (44) 的反應性濺鍍方式，完成遮蔽膜之成膜。於濺鍍壓0.2 Pa 、濺鍍輸出1 . 〇 kW保持一定之情形下，藉由改變氧氣與 氮氣之混合比例，來控制內部應力。開始時之條件爲氧氣 20%、氮氣5%，而以600 nm成膜。其後，再以氧氣5% 、氮氣20%，並以200nm成膜。 以X射線光電子分光（XPS )法計算其深度方向上之 元素分析時，得到原子成份比率爲基板側6 0 0 n m層之S i _ : Ο : N 係 1 ·· 1 · 5 : 0 · 3，其外側 2 0 0 nm 層爲 1 ·· 0 · 2 ·· 0 · 7 。以富含氧氣之基板側的層，作爲應力緩和層。 如上所述地，EL封合膜係於形成遮蔽膜以後，爲防 止由外部來的物理接觸起見，在基板上之玻璃蓋使用紫外 線硬化接着劑，並以紫外線照射使其黏合，以便有機EL 元件可被完全地覆蓋住。 如上所述地，製作主動有機EL顯示裝置，在其陽極 (ITO/Cr)及陰極（ITO)上外加DC7V之電壓（陽極 # : ( + )、陰極：（一））時，各電極之交叉部份（畫素 )均發光。 針對本主動有機EL顯示裝置，與實施例1相同地， 測定其畫素縮小率及暗點之發生狀況。進一步，並以下述 方法測定遮蔽膜之內部應力。 遮蔽膜之內部應力的測定方法 依據圖8說明之測定方法，測定遮蔽膜之內部應力。 該測定樣品，係於色變換基板之遮蔽膜在形成時，同時置 -48- 200541393 (45) 放一作爲內部應力測定用基板的Si基板’同時成膜’而 在S i基板上形成遮蔽膜並製得了樣品。 該S i基板上所生之彎曲，係將試驗片之彎曲度（5以 光學性檢測，而計算出內部應力。 再者 ’上述評價之結果係示於表4 實施例1 9及後述之實施例2〇 — 28及比較例3、4， 其遮蔽膜之組成、成膜方法及成膜條件均示於表3

-49- 200541393 (46) [表3] 遮蔽膜 成膜方 式 條件 基板側:應力緩和層 外側:遮蔽層 實施例19 Si/0/N=l/l.5/0.3 600nm Si/0/N=l/0.2/0.7 200nm 反應性 DC濺鍍 靶Si、混合氣體 (〇2，N2)比之變更 實施例20 Si/0/N=l/l.5/0.3 600nm Si/N=l/0.8 200nm 比較例3 Si/N=l/0.8 800nm單層 靶Si、N2氣體 實施例21 Si/0=1/1.7 600nm Si/Al/B/0=0.7/0.2/0.1/1.9 200nm RF濺鍍 靶 Si02、 Coming 1737 實施例22 Si/Al//0/N=0.6/0.4/0.3/0.4 200nm 靶 Si02、 SiAlON 實施例23 Si/0=1/1.5 800nm Si/N=l/0.7 200nm CVD 氣體(SiH4,02) —(SiH4，N2) 實施例24 Si/0/N=l/l.4/0.3 500nm Si/0/N=l/0.2/0.6 200nm 混合氣體 (SiH4，N2，N20)比 之變更 實施例25 Si/0/N/C=l/l.5/0.3/0.8 800nm Si/O/N/C=l/0.1/0.6/0.1 200nm TEOS+NH3 混合 比之變更 實施例26 類鑽碳 lOOOnm Si/N=l/0.7 200nm 實施例27 C/N-1/0.8 600nm Si/N=l/0.7 200nm (ch4+n2)— (SiH4?N2) 比較例4 Si/N=l/0.8 800nm 單層 (SiH4，N2) 實施例28 Si/0/N=l/l ,4/0.3 300nm Si/0/N=l/0,2/0.6 lOOnm 混合氣體 (SiH4，N2，N20)比 之變更 表中，各原子之比率，係將Si或C作爲1時之原子 比率。 TEOS ：四乙氧基矽烷Si(OC2H5) 4 -50- 200541393 (47) [表4] 遮蔽膜之內部內應 畫素縮小率 DS發生狀況 實施例19 20MPa 1% 〇·2個 實施例20 30MPa 1%以下 0個 比較例3 300MPa 60% 數十個以上 實施例2 1 40MPa 2% 0.2個 實施例22 30MPa 2% 〇·2個 實施例23 30MPa 1%以下 〇個 實施例24 40MPa 1%以下 0個 實施例25 20MPa 1% 0.2個 實施例26 50MPa 4% 〇·5個 實施例27 50MPa 2% 〇·3個 比較例4 400MPa 80% 數十個 實施例28. 30MPa 10% 20個

實施例20 除在實施例19中’遮蔽層之成膜係以氮氣氣體20% 、氧氣氣體〇%，而完成200 nm之成膜外，其他均以同 一條件製作有機EL顯示裝置並評估。如表4所示，其評 價結果良好。 比較例3 除在實施例1 9中，混合氣體係使用A r爲主、且氧氣 爲5 %而氮氣爲2 0 %之流動的混合氣體’而完成膜厚度 -51 - 200541393 (48) 8 00 nm之成膜外，其他均以同一條件製作有機EL顯示裝 置並評估。 其結果，發光畫素區之縮小率爲60% ’與實施例19 所製作之膜相比，顯著地較差。以顯微鏡觀察時’確認有 部分發生了微小的裂縫。 使用同時成膜之Si基板的膜樣品來測定內部應力時 ，得到結果爲3 0 0 Μ P a。 實施例2 1 除在實施例19中，遮蔽膜係以下述之RF濺鍍法成 膜外，其他均以同一條件製作有機EL顯示裝置並評估。 遮蔽膜之製作 在有機EL元件上，遮蔽膜係以Si02爲靶，導入Αι· 氣體，並使用RF磁控管的方式，於濺鍍壓〇·2 Pa、濺鍍 Φ 輸出〇.5kW下，完成600 nm之成膜。其後，在於同〜裝 置內’以Corning 1 7 3 7爲靶，於濺鍍壓0.2 Pa、濺鍍輸出 0.5kW下，完成200 nm之成膜。 再者，以XPS計算其深度方向上之元素分析時，得 到原子成份比率爲基板側6 0 0 nm層之S i : 0係1 : 1.7， 其外側 200 nm 層之 Si: Al: Β: Ο 爲 0.7: 0.2: 0.1: 1.9 。以僅含一種元素之金屬的層，作爲應力緩和層。 如表4所示，其評價結果良好。 -52- 200541393 (49) 實施例2 2 除在實施例2 1中，遮蔽層係以S i A1 Ο N爲靶，進行 RF濺鍍以外，其他均以同一條件製作有機EL顯示裝置並 評估。 如表4所示，其評價結果良好。 實施例2 3 • 除在實施例1 9中，應力緩和層係以下述方法成膜以 外，其他均以同一條件製作有機EL顯示裝置並評估。 遮蔽膜之製作 在有機EL元件上，遮蔽膜係以電漿CVD法而成膜。 原料氣體則爲SiH4氣體、氮氣氣體、N20氣體之混合的 流動氣體，在成膜輸出l〇〇W保持一定之情形下，藉由改 變氮氣氣體與N20氣體之混合比例，來控制內部應力。 # 開始時之條件爲SiH4氣體30%、氧氣氣體70% ’而以 800 nm成膜。其後，再以SiH4氣體15%、氮氣氣體85 %，而以200nm成膜。 再者，以XPS法計算其深度方向上之元素分析時， 得到原子成份比率爲基板側800 nm層之Si : 〇係1 : 1 ·5 ，其外側200 nm層之Si: Ν爲1: 0.7。以富含氧氣之基 板側的層，作爲應力緩和層。 如表4所示，其評價結果良好。 •53- 200541393 (50) 實施例2 4〜2 7 實施例2 3中，原料氣體、及應力緩和層之膜厚度， 係改成表5中所示者後而成膜。 如表4所示，其評價結果良好。 [表5] 成膜氣體之內容 基板側（應力緩和層） 外側（遮蔽層） 實施例24 SiH4 : 15%， SiH4 : 1 5%， N2 : 30%， N2 : 80%， N20 : 55 % N20 : 5% 實施例2 5 TEOS TEOS ： 80%， NH3 : 20% 實施例26 ch4 SiH4 : 1 5%， N2 ·· 85% 實施例27 CH4 : 50%， S i Η ： 15%, N2 : 50% N2 : 85% TEOS ：四乙氧基矽烷Si(OC2H5) 4

比較例4 除在實施例23中，係使用SiH4氣體15%、氮氣氣體 爲85%，而完成800 nm之成膜外，其他均以同一條件製 作有機EL顯示裝置並評估。 其結果，發光畫素區之縮小率爲80% ’與實施例23 •54- 200541393 (51) 所製作之膜相比，顯著地較差。以顯微鏡觀察時，確認有 部分發生了微小的裂縫。 使用同時成膜之Si基板的膜樣品來測定內部應力時 ，得到結果爲400 MPa。 實施例2 8 在實施例24中，使用作爲支持基板之塑膠薄膜基板 φ 的聚醚颯（住友BAKELITE公司製），而改變遮蔽膜之膜 厚度以外，其他均以同一條件製作有機EL顯示裝置並評 估。 如表4所示，其評價結果良好。 實施例29 (1 )色變換層之製作 與實施例1 5相同條件而進行。 • (2 )遮蔽膜之製作 在平坦化膜上，遮蔽膜係以Si爲靶，並以Ar氣體中 有氧氣及氮氣之流動的混合氣體，而以DC磁控管的反應 性濺鍍完成遮蔽膜之成膜。於濺鍍壓0.2 Pa、濺鍍輸出 1 .0 kW保持一定之情形下，藉由改變氧氣與氮氣之混合 比例，來控制內部應力。開始時之條件爲氧氣2 0 %、氮 氣5%，而以600 nm成膜。其後，再以氧氣5%、氮氣 20%，並以200nm成膜。從而，製得一色變換基板。 -55- 200541393 (52) 以X射線光電子分光（x P s )法計算其深度] 元素分析時，得到原子成份比率爲基板側5 0 0 n m :Ο ·· N 係 1 ·· 1 .5 : 0.3，其外側 1 5 0 nm 層爲 1 : 。以富含氧氣之基板側的層，作爲應力緩和層。 (3)被動型有機EL顯示裝置之製作 在（2 )所製作之色變換基板上，以與實施例 # )相同之方法製作有機EL元件。其後，與實施例 地，測定畫素縮小率及暗點發生狀況。 (4 )水蒸氣透過度之測定 與實施例19相同地，測定水蒸氣透過度時， 在0.001g/m2 24hr之測定界限以下。確認了在 顯不中’其具有充分之功能。 實施例29及後述之實施例3〇〜 、成膜方法及成膜條件均示於表6。 示於表7。 向上之 層之Si • 2:0.7 12(1 1相同 其結果 穿機EL 之組成 結果係 32，其遮蔽膜 挎者，評價之

-56、 200541393 (53) [表6] 遮蔽膜 成膜 條件 基板側(應力緩和層） 外側(遮蔽層） 方式 實施例29 Si/0/N=l/l.5/0.3 Si/0/N=l/0.2/0.7 反應性 靶Si、混合氣體 600nm 200nm 濺渡 (〇2、N2)比之變更 實施例30 Si/0=1/1.7 Si/Al/B/0=0.7/0.2/0.1/1.9 RF濺鍍 靶 Si〇2、 600nm 200nm Coming 1737 實施例31 Si/0=1/1.5 Si/N=l/0.7 CVD 氣體(SiH4,02) lOOOnm 200nm —(SiH4，N2) 實施例32 Si/0/N/C=l/l.5/0.3/ Si/O/N/C=l/0.1/0.6/0.1 TEOS+NH3混合比 0.8 800nm 200nm 之變更 表中，各原子之比率，係將S i或C作爲1時之原子 比率。 TEOS ：四乙氧基矽烷Si(OC2H5) 4 [表7] 畫素縮小率 DS發生狀況 實施例29 2% 〇·4個 實施例30 3% 〇·5個 實施例3 1 1% 〇·2個 實施例32 2% 〇·4個 實施例29所製作之有機EL顯示裝置，其即使在用 -57- 200541393 (54) 於有機E L元件製作之步驟上的陽極成膜、丨 亦不會在遮蔽膜上產生裂縫、剝離。 實施例3 0 除在實施例2 9中，遮蔽層係以與實施例 件，在平坦化膜上而完成成膜外，其他均以p 有機EL顯示裝置並評估。 如表7所示，其評價結果良好。 實施例3 1 除在實施例2 9中，遮蔽膜係以與實施例 件’在平坦化膜上而完成成膜，且應力緩和層 1 000 nm外，其他均以同一條件製作有機EL 評估。 如表7所示，其評價結果良好。 實施例3 2 除在實施例2 9中，遮蔽膜係以與實施例 件，在平坦化膜上而完成成膜外，其他均以同 有機EL顯示裝置並評估。 如表7所示，其評價結果良好。 實施例3 0 - 3 2所製作之有機EL顯示裝 在用於有機EL元件製作之步驟上的陽極成膜 中，亦不會在遮蔽膜上產生裂縫、剝離。 鍍步驟中， 2 1相同之條 一條件製作 23相同之條 之膜厚度爲 顯不裝置並 25相同之條 一條件製作 置，其即使 、濺鍍步驟 -58- 200541393 (55) 產業上之可利用性 本發明之有機EL顯示裝置，係民生用及工業用之顯 示器，·具體而言，係適合作爲行動電話、PDA、汽車顯示 儀表、監視器、及TV等之使用。 【圖式簡單說明】 [圖1]與本發明之實施型態1相關的有機EL顯示裝 置之表示圖。 [圖2]與本發明之實施型態2相關的有機EL顯示裝 置之表示圖。 [圖3]與本發明之實施型態3相關的有機EL顯示裝 置之表示圖。 [圖4]與本發明之實施型態4相關的有機EL顯示裝 置之表示圖。 [圖5]與本發明之實施型態4相關的另一有機EL顯 示裝置之表示圖。 [圖6]與本發明之實施型態4相關的另一有機EL顯 示裝置之表示圖。 [圖7]與本發明之實施型態5相關的有機EL顯示裝 置之表示圖。 [圖8]用以說明無機材料膜內部應力之方向性的判斷 方法之說明圖。 [圖9]聚矽TFT之形成步驟的表示圖。 -59- 200541393 (56) [圖10]含聚矽 圖。 [圖 π ]含聚矽 透視圖。 TFT之電開關連接構造的標示之迴路 TFT之電開關連接構造的標示之平面 【主要元件符號說 1 :支持基板

2 :有機EL元 2a :第一電極 2 b :第二電極 2c :發光層 3 :遮蔽膜 3a :遮蔽膜 3b :應力緩和 4 :遮蔽膜

5 :絕緣膜 6 :色變換層 3 1 :測定用基 3 2 :無機材料 40 : α — Si 層 4 1 :島狀聚矽 43 :閘極電極 4 5 :源極 47 :汲極 -60- 200541393

(57) 50 :掃描電極 5 1 :信號電極線 52 :共通電極線 57 :電容器

Claims (1)

1. 200541393 (1) 十、申請專利範圍 1· 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有 有機電激發光元件，以及 封合前述有機電激發光元件之含導電膜的遮蔽膜。 2. —種有機電激發光顯示裝置’其特徵爲含有 有機電激發光元件， 調整及/或變換前述有機電激發光元件之發光顏色的 φ 色變換層，以及 封合前述色變換層之含導電膜的遮蔽膜。 3. 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有 支持基板， 在前述支持基板上所形成之有機電激發光元件，以及 在前述有機電激發光元件之支持基板的相反方向，及 /或前述有機電激發光元件與支持基板間所形成之含導電 膜的遮蔽膜。 φ 4· 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲依下列順 序含有 支持基板， 調整及/或變換前述有機電激發光元件之發光顏色的 色變換層， 含導電膜之遮蔽膜，以及 有機電激發光元件。 5 .如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激發 光顯示裝置，其中前述遮蔽膜之導電膜，與前述有機電激 -62- 200541393 (2) 發光元件之遮蔽膜側之電極’係以分離方式構成。 6.如申請專利範圍第5項之有機電激發光顯示裝置 ，其中前述導電膜，與前述有機電激發光元件之遮蔽膜側 的電極間，係以絕緣膜將二者隔離。 7 ·如申請專利範圍第6項之有機電激發光顯示裝置 ，其中前述絕緣膜係由至少一個選自氧化物、氮化物、氧 氮化物及硫族化物（c h a 1 c 〇 g e n i d e )所形成者。 瞻 8 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激發 光顯示裝置，其中前述導電膜係以與前述有機電激發光元 件之遮蔽膜側之電極，相異之物質所構成者。 9 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激發 光顯示裝置，其中前述導電膜係由非結晶性物質所構成者 〇 1 0 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 發光顯示裝置，其中前述導電膜係由至少一個選自氧化物 ® 、氮化物、氧氮化物、碳化物、硼化物及硫族化物所形成 者。 1 1 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 發光顯示裝置，其中前述導電膜係由含有至少一個選自 In、Zii、Sn、w、Zr及Ta元素之化合物所形成者。 1 2 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 發光顯示裝竈，其中前述導電膜之比電阻係1〇8Ω · 下者。 1 3 .如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 -63- 200541393 (3) 發光顯示裝置，其中前述支持基板係塑膠基板。 14·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 發光顯示裝置，其中前述遮蔽膜係以氣相成長法形成者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項中任一項之有機電激發 光顯示裝置，其中前述氣相成長法係濺射法。 1 6 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之有機電激 發光顯示裝置，其中有機電激發光顯示裝置係主動（ Φ active )驅動型，且前述導電膜與前述有機電激發光元件 之遮蔽膜側之電極係電性相連。 17· —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有 有機電激發光元件，以及 可封合前述有機電激發光元件之含應力緩和層的遮蔽 膜。 18. —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有 有機電激發光元件， ® 調整及/或變換前述有機電激發光元件之發光顏色的 色變換層，以及 封合前述色變換層之含應力緩和層的遮蔽膜。 19. 一種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲含有 支持基板， 在前述支持基板上所形成之有機電激發光元件，以及 在前述有機電激發光元件之支持基板的相反方向，及 /或前述有機電激發光元件與支持基板間所形成之含應力 緩和層的遮蔽膜。 -64 - 200541393 (4) 20· —種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲依下列川員 序含有 支持基板， 調整及/或變換有機電激發光元件之發光顏色的色變 換層， 含應力緩和層之遮蔽膜，以及 有機電激發光元件。 • 2 1 .如申請專利範圍第1 7〜2 0項中任一項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係以氣 相成長法所形成者。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之有機電激發光顯示裝 置，其中前述氣相成長法係濺射法或化學氣相沉積（C V D )法。 23·如申g靑專利範圍第17〜20項中任一*項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係含有 • 無機金屬化合物者。 24·如申請專利範圍第23項之有機電激發光顯示裝 置，其中前述無機金屬化合物係氧化物、氮化物、碳化物 、氮化氧化物、碳化氧化物、或碳化氮化物。 25 ·如申請專利範圍第23項之有機電激發光顯示裝 置，其中前述無機金屬化合物係由下述式（1)表示之化 合物所構成者。 Μ 1 uM2 vNxOy Cz ...... ( 1 ) 「式中’ Μ1、M2係彼此相異的金屬元素；當u、v滿 -65- 200541393 (5) 足 OSi!、ν$1，U+V二 1 時，X、y、z 係 OSx、y、Z;前 述遮蔽層滿足x>0.6，y+z<0.2之關係；前述應力緩和 層則滿足X < 0.2，y + z > 0.6之關係。」 26·如申請專利範圍第23項之有機電激發光顯示裝 置，其中前述無機金屬化合物係由下述式（2)表示之化 合物所構成者。 MIm2..· Mn〇 ...... ( 2 ) # 「式中，Μ1 Μ2··· Mn係彼此相異的金屬元素；前述遮 蔽層之η係2以上整數；前述應力緩和層之n係1。」 27·如申請專利範圍第24〜26項中任一項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述無機金屬化合物之金屬係含有 至少一個選自Si、Α1、及Ζη之元素者。 28.如申請專利範圍第17〜20項中任一項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述含應力緩和層之遮蔽膜係含碳 之非晶性膜。 # 29.如申請專利範圍第17〜20項中任一項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述含應力緩和層之遮蔽膜’其內 部應力之絕對値係在200 MPa以下者。 3 0 .如申請專利範圍第1 7〜20項中任一項之有機電 激發光顯示裝置，其中前述支持基板係塑膠基板。 -66-