WO2017212540A1 - 発光装置および基板 - Google Patents

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WO2017212540A1
WO2017212540A1 PCT/JP2016/066868 JP2016066868W WO2017212540A1 WO 2017212540 A1 WO2017212540 A1 WO 2017212540A1 JP 2016066868 W JP2016066868 W JP 2016066868W WO 2017212540 A1 WO2017212540 A1 WO 2017212540A1
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layer
intermediate layer
electrode
light emitting
inorganic
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PCT/JP2016/066868
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English (en)
French (fr)
Inventor
重則 村上
Original Assignee
パイオニア株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a substrate.
  • An organic EL element is one of the light sources of a light emitting device.
  • a barrier layer may be formed in order to suppress moisture permeation to the light emitting portion.
  • Patent Document 1 describes a display element in which an adhesion layer, a silver layer, and a barrier layer are stacked in this order on a substrate, and the material constituting the adhesion layer and the material constituting the barrier layer are both indium, It is described that at least one of tin and zinc contains the same element.
  • Patent Document 2 describes a light emitting device including a laminated structure of a first insulating film made of an organic resin material, a second insulating film made of an inorganic insulating material, and an anode made of a transparent conductive film, It is described that the coefficient of thermal expansion is increased in the order of the first insulating film, the second insulating film, and the anode.
  • the barrier layer has a dense film quality, but is poor in ductility, and there is a problem that peeling easily occurs between the barrier layer and other layers.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to improve the reliability of an organic EL light emitting device.
  • the invention described in claim 1 An insulating inorganic layer containing an inorganic material; A first electrode located on the first surface side of the inorganic layer and having optical transparency; A first intermediate layer that is located on a second surface side opposite to the first surface of the inorganic layer and includes an element included in the first electrode; And a second intermediate layer that includes an organic material and is located on a side opposite to the inorganic layer when viewed from the first intermediate layer.
  • the invention according to claim 14 An insulating inorganic layer containing an inorganic material; A first electrode located on the first surface side of the inorganic layer and having optical transparency; A first intermediate layer that is located on a second surface side opposite to the first surface of the inorganic layer and includes an element included in the first electrode; And a second intermediate layer that includes an organic material and is located on a side opposite to the inorganic layer as viewed from the first intermediate layer.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1.
  • FIG. It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 5.
  • FIG. 6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line BB in FIG. 9.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 9.
  • FIG. 10 is a DD sectional view of FIG. 9.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the embodiment includes an inorganic layer 108, a first electrode 110, a first intermediate layer 106, and a second intermediate layer 104.
  • the inorganic layer 108 includes an inorganic material and is insulative.
  • the 1st electrode 110 is located in the 1st surface 1081 side of the inorganic layer 108, and has a light transmittance.
  • the first intermediate layer 106 is located on the second surface 1082 side of the inorganic layer 108 and contains an element contained in the first electrode 110.
  • the second surface 1082 is a surface opposite to the first surface 1081.
  • the second intermediate layer 104 is located on the side opposite to the inorganic layer 108 when viewed from the first intermediate layer 106 and includes an organic material.
  • the light emitting device 10 further includes an organic layer 120, a light transmissive substrate 100, and a light scattering layer 102.
  • the organic layer 120 is located on the side opposite to the inorganic layer 108 when viewed from the first electrode 110 and includes a light emitting layer.
  • the substrate 100 is located on the side opposite to the organic layer 120 when viewed from the second intermediate layer 104.
  • the light scattering layer 102 is located on the opposite side to the first intermediate layer 106 when viewed from the second intermediate layer 104, and includes an inorganic material and an organic material. Details will be described below.
  • the light emitting device 10 includes a light emitting unit 140.
  • the light emitting unit 140 includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 described above.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the light emitting unit 140 is a so-called bottom emission type light emitting unit.
  • the light emitting device 10 includes a base layer 30 between the base material 100 and the light emitting unit 140.
  • the underlayer 30 includes a light scattering layer 102, a second intermediate layer 104, a first intermediate layer 106, and an inorganic layer 108.
  • the base material 100 is formed of a light-transmitting material such as glass or a light-transmitting resin, and the surface of the base material 100 opposite to the first electrode 110 is the light extraction surface of the light emitting device 10. It has become.
  • the substrate 100 is a polygon such as a rectangle.
  • the base material 100 may have flexibility.
  • the thickness of the base material 100 is 10 micrometers or more and 1000 micrometers or less, for example.
  • the thickness of the base material 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Not formed.
  • the light scattering layer 102 is provided on the first electrode 110 side of the substrate 100.
  • the light scattering layer 102 is, for example, a light diffusion layer.
  • the light scattering layer 102 is located between the base material 100 and the second intermediate layer 104, and the light scattering layer 102 is in contact with the base material 100 and the second intermediate layer 104 in the example of FIG.
  • the light scattering layer 102 is provided at least in a region overlapping with the light emitting portion 140 when viewed from the direction perpendicular to the base material 100.
  • the light scattering layer 102 includes an inorganic material and an organic material.
  • the light extraction efficiency toward the substrate 100 can be increased.
  • the inorganic material contained in the light scattering layer 102 include inorganic particles such as titanium oxide, zirconia, and silica.
  • the light incident on the light scattering layer 102 is changed in various directions by being reflected or refracted by the particles, and the light having an angle that can be output from the substrate 100 side to the outside of the light emitting device 10 is increased. And light extraction efficiency improves.
  • the particle size of the inorganic particles contained in the light scattering layer 102 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the light scattering layer 102 may include inorganic particles having a particle size of 100 nm or less.
  • the refractive index of the light scattering layer 102 can be adjusted by adjusting the content of inorganic particles of 100 nm or less.
  • Examples of the organic material contained in the light scattering layer 102 include imide-based, acrylic-based, ether-based, silane-based, and siloxane-based materials.
  • the organic material contained in the light scattering layer 102 is, for example, a translucent resin material.
  • the refractive index of the organic material contained in the light scattering layer 102 is not particularly limited, but is preferably 1.2 or more and 2.2 or less.
  • the content of the organic material relative to the entire light scattering layer 102 is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or more and 70% by mass or less from the viewpoint of improving light extraction efficiency.
  • the light scattering layer 102 may further contain a curing agent, a photosensitive agent, or the like as other additives.
  • the light scattering layer 102 can be formed, for example, by forming a film containing a mixture of an organic material and an inorganic material on the substrate 100 by a spin coating method, a spraying method, an ink jet method, a film laminating method, or the like. In addition, a solvent and other additives may be contained in the mixture as necessary.
  • the thickness of the light-scattering layer 102 is not specifically limited, It can be 300 nm or more and 2000 nm or less. Further, from the viewpoint of improving the light extraction efficiency, the haze (with respect to the wavelength of 550 nm) of the light scattering layer 102 is preferably 60% or more and 95% or less per 10 ⁇ m thickness of the light scattering layer 102, for example.
  • the second intermediate layer 104 is provided on the light-emitting portion 140 side of the light scattering layer 102.
  • the second intermediate layer 104 has translucency.
  • the second intermediate layer 104 is a planarization layer.
  • the second intermediate layer 104 is located between the light scattering layer 102 and the first intermediate layer 106, and the second intermediate layer 104 is in contact with the light scattering layer 102 and the first intermediate layer 106 in the example of FIG.
  • the second intermediate layer 104 covers and flattens (smooths) the surface of the light scattering layer 102 having relatively large unevenness.
  • the roughness of the interface between the second intermediate layer 104 and the first intermediate layer 106 is smaller than the roughness of the interface between the second intermediate layer 104 and the light scattering layer 102.
  • the roughness of each interface can be confirmed by observing the cross-sectional shape, for example.
  • the unevenness on the surface of the light scattering layer 102 is smoothed by covering with the second intermediate layer 104, and the first intermediate layer 106, the inorganic layer 108, the light emitting portion 140, and the like can be formed with good film quality.
  • the thickness of the second intermediate layer 104 is not particularly limited, and may be, for example, not less than 300 nm and not more than 3000 nm.
  • Examples of the organic material contained in the second intermediate layer 104 include imide-based, acrylic-based, ether-based, silane-based, and siloxane-based compounds.
  • the organic material contained in the second intermediate layer 104 is, for example, a resin material.
  • the second intermediate layer 104 may be formed including the organic material included in the light scattering layer 102. If it does so, the change of the refractive index in the interface of the 2nd intermediate
  • the refractive index of the second intermediate layer 104 is not particularly limited, but is preferably 1.5 or more and 2.2 or less.
  • the second intermediate layer 104 may further contain a curing agent, a photosensitive agent, etc. as other additives.
  • the second intermediate layer 104 can be formed, for example, by forming a forming material on the substrate light scattering layer 102 by a spin coating method, a spraying method, an ink jet method, a film laminating method, or the like.
  • the forming material may contain only the organic material described above, or may contain a solvent or other additives as necessary.
  • a first intermediate layer 106 is formed on the second electrode 104 side of the second intermediate layer 104.
  • the first intermediate layer 106 has translucency.
  • the first intermediate layer 106 is located between the second intermediate layer 104 and the inorganic layer 108 and is in contact with the second intermediate layer 104 and the inorganic layer 108.
  • the first intermediate layer 106 functions as an adhesion layer that suppresses peeling between the second intermediate layer 104 and the inorganic layer 108.
  • Examples of the material constituting the first intermediate layer 106 include materials containing metal elements such as indium, tin, zinc, and tungsten.
  • the first intermediate layer 106 preferably contains indium.
  • examples of the material forming the first intermediate layer 106 include inorganic oxides, and metal oxides are particularly preferable.
  • examples of the material forming the first intermediate layer 106 include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and indium oxide (for example, In 2 O 3 ).
  • transparent conductive materials such as tin oxide (for example, Sn 2 O 3 ).
  • the second intermediate layer 104, the first intermediate layer 106, and the inorganic layer 108 are all exposed at the end surface of the base material 100, and the base material 100, the second intermediate layer 104, the first intermediate layer 106, and the inorganic layer 108 are exposed.
  • the end faces of are on the same plane. Further, since the entire surface of the first intermediate layer 106 on the first electrode 110 side is covered with the inorganic layer 108, the first intermediate layer 106 is electrically floating.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110.
  • An element contained in common in the first intermediate layer 106 and the first electrode 110 is, for example, a metal element.
  • a metal element contained in common in the first intermediate layer 106 and the first electrode 110 is not particularly limited, and examples thereof include indium, tin, zinc, and tungsten.
  • middle layer 106 and the 1st electrode 110 is indium.
  • the adhesion between the inorganic layer 108 and the first intermediate layer 106 and the adhesion between the first intermediate layer 106 and the second intermediate layer 104 are obtained when the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 are directly adhered. It is particularly chemically higher than the adhesion of Therefore, the presence of the first intermediate layer 106 further suppresses the separation between the second intermediate layer 104 and the inorganic layer 108 and other layers, and further suppresses the interlayer separation within the underlayer 30. Is done.
  • the first intermediate layer 106 and the first electrode 110 both preferably contain an inorganic oxide, and the first intermediate layer 106 and the first electrode 110 more preferably contain a common metal element oxide. Further, the material of the first intermediate layer 106 is more preferably the same as the material of the first electrode 110. However, differences in impurity concentration and elemental composition ratios that are unavoidable in the process are allowed. Since the material of the first intermediate layer 106 is the same as the material of the first electrode 110, the burden for providing the first intermediate layer 106 is reduced in terms of manufacturing process and equipment.
  • the thickness of the first intermediate layer 106 is not particularly limited, in the present embodiment, for example, it is 1 nm to 100 nm, more preferably 1 nm to 30 nm, and further preferably 1 nm to 10 nm.
  • the refractive index of the first intermediate layer 106 is not particularly limited, but is preferably higher than the refractive index of the inorganic layer 108 and lower than the refractive index of the second intermediate layer 104. By doing so, total reflection of light at the interface between the second intermediate layer 104 and the first intermediate layer 106 and the interface between the first intermediate layer 106 and the inorganic layer 108 can be reduced. The light extraction efficiency to the material 100 side can be improved.
  • the first intermediate layer 106 can be formed by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a spin coating method, a spraying method, an ink jet method, a film laminating method, or the like.
  • An inorganic layer 108 is formed on the first electrode 110 side of the first intermediate layer 106.
  • the inorganic layer 108 is a barrier layer, for example, and suppresses moisture permeation to the light emitting unit 140.
  • the inorganic layer 108 is located between the first intermediate layer 106 and the first electrode 110 and is in contact with the first intermediate layer 106 and the first electrode 110.
  • Examples of the material constituting the inorganic layer 108 include silicon oxide (for example, SiO 2 ), silicon nitride (for example, Si 3 N 4 ), and SiON.
  • the thickness of the inorganic layer 108 is not specifically limited, For example, it is 20 nm or more and 200 nm or less, and the inorganic layer 108 has a light transmittance.
  • the refractive index of the inorganic layer 108 is not particularly limited, but is preferably 1.0 or more and 2.0 or less, for example.
  • the inorganic layer 108 can be formed by a sputtering method, a CVD method, or the like.
  • a light emitting section 140 is provided on the first surface 1081 side of the inorganic layer 108. Note that the first surface 1081 and the second surface 1082 of the inorganic layer 108 are surfaces opposite to each other, and the second surface 1082 is a surface on the substrate 100 side.
  • the light emitting unit 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The light emitting unit 140 will be described in detail below.
  • the transparent conductive material constituting the first electrode 110 is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO, IZO, IWZO, ZnO, or tin oxide.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a thin metal electrode. In the example of this figure, the first electrode 110 is formed between the inorganic layer 108 and the organic layer 120 and is in contact with the inorganic layer 108 and the organic layer 120.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the organic layer 120 includes a light emitting layer and has, for example, a configuration in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110 may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition.
  • all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the second group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the second group. Contains a metal layer. This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The second electrode 130 preferably has light reflectivity.
  • the light emitting unit 140 may be sealed with a sealing film or a sealing member (not shown).
  • the sealing film is formed on at least the surface of the substrate 100 on which the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140.
  • the sealing film is formed of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material such as aluminum oxide or titanium oxide.
  • the thickness of the sealing film is preferably 300 nm or less.
  • the thickness of the sealing film is, for example, 50 nm or more.
  • the sealing film is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method.
  • the sealing film may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked.
  • it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly stacked.
  • the lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer.
  • the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer.
  • the sealing film may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.
  • the sealing film may be formed using another film forming method, for example, a CVD method or a sputtering method.
  • the sealing film is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.
  • the sealing member is formed using, for example, a metal such as glass or aluminum, or a resin, and has a shape in which a recess is provided in the center. ing.
  • the edge of the sealing member is fixed to the substrate 100 with an adhesive.
  • the space surrounded by the sealing member and the substrate 100 is sealed.
  • the light emission part 140 is located in this sealed space.
  • the sealed space may be filled with an adhesive.
  • the sealing member is plate-shaped and may be fixed to the light emitting unit 140 via an adhesive.
  • a barrier layer may be further formed between the base material 100 and the light scattering layer 102.
  • This barrier layer is made of, for example, silicon oxide (for example, SiO 2 ), silicon nitride (for example, Si 3 N 4 ), or SiON, and can be formed by a sputtering method, a CVD method, or the like.
  • the light emitting device 10 can be manufactured by forming the organic layer 120 and the second electrode 130 on the substrate 20.
  • the substrate 20 includes the inorganic layer 108, the first electrode 110, the first intermediate layer 106, and the second intermediate layer 104 as described above.
  • the substrate 20 according to this embodiment further includes a base material 100 and a light scattering layer 102.
  • the light scattering layer 102 and the second intermediate layer 104 are sequentially formed on the substrate 100 by using, for example, a spin coating method.
  • the light scattering layer 102 may be formed in a predetermined pattern using a photolithography method.
  • the first intermediate layer 106 and the inorganic layer 108 are sequentially formed using, for example, a sputtering method.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method.
  • the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method.
  • the substrate 20 can be obtained.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order on the first electrode 110 of the substrate 20.
  • the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method
  • this layer is formed in a predetermined pattern using, for example, a mask.
  • the second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. Then, you may seal the light emission part 140 using a sealing member (not shown).
  • the manufacture of the light-emitting device 10 may include a step of performing a heat treatment, and the heating may cause peeling between the inorganic layer 108 and other layers. For example, when the organic layer 120 is applied and formed, high-temperature baking is performed. Although the cause of peeling is not necessarily clear, it can be estimated as follows. Each layer constituting the light emitting device 10 has different thermal expansion coefficient and elastic modulus depending on the material. If the difference in thermal expansion coefficient and elastic modulus between the layer in contact with the first surface 1081 and the layer in contact with the second surface 1082 of the inorganic layer 108 is large, the force applied to the upper and lower surfaces of the inorganic layer 108 in the heat treatment is not uniform. Thus, the deformation of the inorganic layer 108 is increased.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110. That is, the thermal expansion coefficient and elastic modulus of the material of the layer in contact with the first surface 1081 and the second surface 1082 of the inorganic layer 108 are close to each other. Therefore, the force applied to the upper and lower surfaces of the inorganic layer 108 becomes uniform, and as a result, peeling at the interface can be suppressed.
  • the adhesion between the inorganic layer 108 and the first intermediate layer 106 and the adhesion between the first intermediate layer 106 and the second intermediate layer 104 can be improved. It can be made chemically higher than the adhesion when the second intermediate layer 104 is directly adhered.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained. In addition, since the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment has the same structure as the light emitting device 10 according to the first embodiment except that the light scattering layer 102 is not provided.
  • the second intermediate layer 104 is located between the base material 100 and the first intermediate layer 106 and is in contact with the base material 100 and the first intermediate layer 106. Even in this case, the unevenness on the surface of the substrate 100 is covered with the second intermediate layer 104 to smooth the surface, and the first intermediate layer 106, the inorganic layer 108, the light emitting portion 140, and the like can be formed with good film quality.
  • the roughness of the interface between the second intermediate layer 104 and the first intermediate layer 106 is smaller than the roughness of the interface between the second intermediate layer 104 and the substrate 100.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained. In addition, since the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the third embodiment, and corresponds to FIG. 1 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment has the same structure as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment except that a third intermediate layer 103 made of an inorganic material is provided instead of the light scattering layer 102. .
  • the third intermediate layer 103 is, for example, a barrier layer.
  • the third intermediate layer 103 is located between the base material 100 and the second intermediate layer 104 and is in contact with the base material 100 and the second intermediate layer 104.
  • the third intermediate layer 103 is made of, for example, silicon oxide (for example, SiO 2 ), silicon nitride (for example, Si 3 N 4 ), or SiON, and can be formed by sputtering, CVD, or the like.
  • the base material 100 is made of resin
  • the moisture permeability of the base material 100 is higher than when the base material 100 is made of glass. Therefore, it is effective to reduce moisture permeability with the third intermediate layer 103.
  • the third intermediate layer 103 may be further provided on the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode 110 side.
  • the second intermediate layer 104 functions as an organic barrier layer and suppresses moisture permeation to the light emitting unit 140.
  • the second intermediate layer 104 can also function as a buffer layer that reduces the stress applied between the layers when the light emitting device 10 is bent.
  • middle layer 103 is not specifically limited, For example, they are 20 nm or more and 200 nm or less.
  • the third intermediate layer 103 is translucent.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained. In addition, since the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the fourth embodiment, and corresponds to FIG. 2 of the second embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment has the same structure as the light emitting device 10 according to the second embodiment except that the second intermediate layer 104 is a light scattering layer.
  • the first intermediate layer 106 also functions as a planarization layer.
  • the second intermediate layer 104 includes an inorganic material and an organic material.
  • the light emitting device 10 includes the second intermediate layer 104 that functions as such a light scattering layer, the light extraction efficiency toward the substrate 100 can be increased.
  • the inorganic material contained in the second intermediate layer 104 include inorganic particles such as titanium oxide, zirconia, and silica. Further, from the viewpoint of improving light extraction efficiency, the particle size of the inorganic particles contained in the second intermediate layer 104 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • Examples of the organic material contained in the second intermediate layer 104 include imide-based, acrylic-based, ether-based, silane-based, and siloxane-based materials.
  • the organic material contained in the second intermediate layer 104 is, for example, a resin material.
  • the refractive index of the organic material contained in the second intermediate layer 104 is not particularly limited, but is preferably 1.2 or more and 2.2 or less.
  • the content of the organic material in the entire second intermediate layer 104 is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or more and 70% by mass or less from the viewpoint of improving light extraction efficiency.
  • the second intermediate layer 104 may further contain a curing agent, a photosensitive agent, etc. as other additives.
  • the second intermediate layer 104 can be formed, for example, by depositing a mixture containing an organic material and an inorganic material on the substrate 100 by a spin coating method, a spraying method, an ink jet method, a film laminating method, or the like. In addition, a solvent and other additives may be contained in the mixture as necessary.
  • middle layer 104 is not specifically limited, It can be 300 nm or more and 2000 nm or less.
  • the first intermediate layer 106 also functions as a planarization layer.
  • the first intermediate layer 106 covers and flattens (smooths) the surface of the second intermediate layer 104 having relatively large irregularities. That is, the roughness of the interface between the first intermediate layer 106 and the inorganic layer 108 is smaller than the roughness of the interface between the first intermediate layer 106 and the second intermediate layer 104.
  • the unevenness on the surface of the second intermediate layer 104 is covered with the first intermediate layer 106 so that the inorganic layer 108, the light emitting portion 140, and the like can be formed with good film quality.
  • the thickness of the first intermediate layer 106 is not particularly limited, but may be, for example, 300 nm or more and 3 ⁇ m or less.
  • the first intermediate layer 106 can be formed by the same material and film formation method as described in the first embodiment.
  • the first intermediate layer 106 includes an element included in the first electrode 110. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained. In addition, since the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the manufacturing process of the light emitting device 10 can be simplified.
  • FIG. 5 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a view in which the second electrode 130 is removed from FIG.
  • FIG. 7 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment is a lighting device, and a light emitting portion 140 is formed on almost the entire surface of the base material 100. The entire surface of 100 is covered with the underlayer 30.
  • the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132 are formed on one surface of the base material 100 on which the base layer 30 is provided.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 have a layer formed using the same material as the first electrode 110. This layer is formed in the same process as the first electrode 110.
  • a layer formed of the same material as the first electrode 110 in the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110.
  • the second terminal 132 is separated from the first electrode 110.
  • first terminal 112 and the second terminal 132 are located on opposite sides of the first electrode 110.
  • the base material 100 is rectangular.
  • the first terminal 112 is formed along one side of the substrate 100
  • the second terminal 132 is formed along the side opposite to the first terminal 112 among the four sides of the substrate 100. Yes.
  • the region where the organic layer 120 is to be formed in the substrate 100 is surrounded by the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed using a photosensitive material such as polyimide, and is formed in a predetermined shape through exposure and development processes.
  • the insulating layer 150 is formed after the first electrode 110 is formed and before the organic layer 120 is formed. However, the insulating layer 150 may not be formed.
  • the organic layer 120 is formed inside a region surrounded by the insulating layer 150.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the first embodiment.
  • a second electrode 130 is formed on the organic layer 120. A part of the second electrode 130 extends over the second terminal 132 across the insulating layer 150.
  • the underlayer 30 has the configuration shown in at least one of the first to fourth embodiments.
  • the resin material applied in the forming process of the insulating layer 150 may be heat-treated.
  • the first intermediate layer 106 includes an element contained in the first electrode 110, and therefore, peeling between the inorganic layer 108 and another layer can be suppressed.
  • the organic layer 120 has the configuration shown in at least one of the first to fourth embodiments, and the first intermediate layer 106 is an element included in the first electrode 110. including. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained.
  • the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • FIG. 9 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 11 is a sectional view taken along line BB in FIG. 9,
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line CC in FIG. 9, and
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line DD in FIG.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a base material 100, a base layer 30, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, The organic layer 120, the second electrode 130, a plurality of lead wires 134, and a plurality of partition walls 170 are provided.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 9). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114.
  • the conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting with the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 9).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view.
  • the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 9, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • the organic layer 120 is formed in the region overlapping with the opening 152.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the first embodiment.
  • the light emitting unit 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude beyond the opening 152.
  • the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good.
  • the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 9) intersecting the first direction, as shown in FIGS. 9 and 11 to 13.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the base material 100 by using a vapor deposition method or a sputtering method, whereby a plurality of second electrodes are formed. 130 can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • the underlayer 30 has the configuration shown in at least one of the first to fourth embodiments.
  • the resin material applied in the forming process of the insulating layer 150 may be heat-treated.
  • the first intermediate layer 106 includes an element contained in the first electrode 110, and therefore, peeling between the inorganic layer 108 and another layer can be suppressed.
  • the light emitting device 10 includes a plurality of light emitting units 140.
  • the light scattering layer 102 may be provided only in a region overlapping with the light emitting unit 140 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100, or the light emitting unit 140. It may be further provided in the area between.
  • the second intermediate layer 104 functioning as a light diffusion layer is provided only in a region overlapping the light emitting unit 140 when viewed from the direction perpendicular to the base material 100. Or may be further provided in a region between the light emitting units 140.
  • the foundation layer 30 is formed on the substrate 100.
  • the first electrode 110, the lead wiring 114, and the lead wiring 134 are formed on the base layer 30. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the first embodiment.
  • the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.
  • the insulating layer 150 is formed, and further the partition 170 is formed.
  • the organic layer 120 is formed.
  • the second electrode 130 is formed.
  • the organic layer 120 has the configuration shown in at least one of the first to fourth embodiments, and the first intermediate layer 106 is an element included in the first electrode 110. including. Therefore, peeling between the inorganic layer 108 and the second intermediate layer 104 can be prevented, and the light emitting device 10 with high reliability can be obtained.
  • the light emitting device 10 includes the inorganic layer 108, moisture permeability to the light emitting unit 140 can be suppressed and durability of the light emitting device 10 can be improved.

Abstract

発光装置（１０）は、無機層（１０８）、第１電極（１１０）、第１中間層（１０６）、および第２中間層（１０４）を備える。無機層（１０８）は無機材料を含み、絶縁性である。第１電極（１１０）は無機層（１０８）の第１面（１０８１）側に位置し、光透過性を有する。第１中間層（１０６）は無機層（１０８）の第２面（１０８２）側に位置し、第１電極（１１０）に含まれる元素を含む。ここで、第２面（１０８２）は第１面（１０８１）とは反対側の面である。第２中間層（１０４）は第１中間層（１０６）から見て無機層（１０８）とは逆側に位置し、有機材料を含む。

Description

発光装置および基板
　本発明は、発光装置および基板に関する。
　発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子では発光部への透湿を抑制するためにバリア層を形成する場合がある。
　たとえば特許文献１には基板上に密着層、銀層、およびバリア層がこの順に積層された表示素子が記載され、密着層を構成する材料とバリア層を構成する材料とが、いずれもインジウム、スズ、および亜鉛のうち少なくとも一つ同じ元素を含むことが記載されている。
　また、たとえば特許文献２には、有機樹脂材料からなる第１の絶縁膜、無機絶縁材料からなる第２の絶縁膜、および透明性導電膜からなる陽極の積層構造を備える発光装置が記載され、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、陽極の順に熱膨張率を大きくすることが記載されている。
特開２００５－１１７９３号公報 特開２００９－３２６９９号公報
　バリア層は緻密な膜質を有する一方で延性に乏しく、バリア層と他の層との間で剥離が生じやすくなるという問題がある。
　本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬの発光装置において、信頼性を向上させることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　無機材料を含む絶縁性の無機層と、
　前記無機層の第１面側に位置し、光透過性を有する第１電極と、
　前記無機層の、前記第１面とは反対側の第２面側に位置し、前記第１電極に含まれる元素を含む第１中間層と、
　前記第１中間層から見て前記無機層とは逆側に位置し、有機材料を含む第２中間層と、を備える発光装置である。
　請求項１４に記載の発明は、
　無機材料を含む絶縁性の無機層と、
　前記無機層の第１面側に位置し、光透過性を有する第１電極と、
　前記無機層の、前記第１面とは反対側の第２面側に位置し、前記第１電極に含まれる元素を含む第１中間層と、
　前記第１中間層から見て前記無機層とは逆側に位置し、有機材料を含む第２中間層と、を備える基板である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第４の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図５から第２電極を取り除いた図である。 図６から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図５のＡ－Ａ断面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図９から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図９のＢ－Ｂ断面図である。 図９のＣ－Ｃ断面図である。 図９のＤ－Ｄ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、無機層１０８、第１電極１１０、第１中間層１０６、および第２中間層１０４を備える。無機層１０８は無機材料を含み、絶縁性である。第１電極１１０は無機層１０８の第１面１０８１側に位置し、光透過性を有する。第１中間層１０６は無機層１０８の第２面１０８２側に位置し、第１電極１１０に含まれる元素を含む。ここで、第２面１０８２は第１面１０８１とは反対側の面である。第２中間層１０４は第１中間層１０６から見て無機層１０８とは逆側に位置し、有機材料を含む。
　また、本実施形態に係る発光装置１０は、有機層１２０、光透過性の基材１００、および光散乱層１０２をさらに備える。有機層１２０は第１電極１１０から見て無機層１０８とは逆側に位置し、発光層を含む。基材１００は第２中間層１０４から見て有機層１２０とは逆側に位置する。光散乱層１０２は第２中間層１０４から見て第１中間層１０６と逆側に位置し、無機材料及び有機材料を含む。以下、詳細に説明する。
　発光装置１０は発光部１４０を備えている。発光部１４０は、上記した第１電極１１０と有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。発光部１４０は、いわゆるボトムエミッション型の発光部である。
　発光装置１０は基材１００と発光部１４０との間に下地層３０を備える。本実施形態において、下地層３０は、光散乱層１０２、第２中間層１０４、第１中間層１０６、および無機層１０８を含む。
　基材１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基材１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。基材１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基材１００は可撓性を有していてもよい。基材１００が可撓性を有している場合、基材１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基材１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基材１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基材１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基材１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。
　基材１００の第１電極１１０側には光散乱層１０２が設けられている。光散乱層１０２はたとえば光拡散層である。光散乱層１０２は基材１００と第２中間層１０４の間に位置しており、本図の例において光散乱層１０２は基材１００および第２中間層１０４と接している。また、光散乱層１０２は基材１００に垂直な方向から見て少なくとも発光部１４０と重なる領域に設けられている。
　上記した通り、光散乱層１０２は無機材料及び有機材料を含む。発光装置１０がそのような光散乱層１０２を備えることにより、基材１００側への光取り出し効率を高めることができる。光散乱層１０２に含まれる無機材料としては、たとえば酸化チタン、ジルコニア、シリカ等の無機粒子が挙げられる。光散乱層１０２に入射した光は粒子により反射や屈折がされることで様々に方向を変え、基材１００側から発光装置１０の外部へ出力可能な角度の光が増加する。そして、光取り出し効率が向上する。光散乱層１０２に含まれる無機粒子の粒径は０．１μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。また、光散乱層１０２は粒径が１００ｎｍ以下の無機粒子を含んでも良い。１００ｎｍ以下の無機粒子の含有量を調整することで、光散乱層１０２の屈折率を調整できる。
　光散乱層１０２に含まれる有機材料としては、たとえばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、シロキサン系等の材料が挙げられる。光散乱層１０２に含まれる有機材料はたとえば透光性の樹脂材料である。光散乱層１０２に含まれる有機材料の屈折率は特に限定されないが、１．２以上２．２以下であることが好ましい。
　光散乱層１０２の全体に対する有機材料の含有率は特に限定されないが、光取り出し効率向上の観点から２０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。なお、光散乱層１０２にはその他の添加剤として硬化剤、感光剤等がさらに含まれていても良い。
　光散乱層１０２は、たとえば有機材料と無機材料とを含む混合物を、スピンコート法、散布法、インクジェット法、フィルムラミネート法等で基材１００上に成膜することで形成できる。なお、混合物には必要に応じて溶媒やその他の添加剤が含まれていても良い。光散乱層１０２の厚さは特に限定されないが、３００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることができる。また、光取り出し効率向上の観点から、光散乱層１０２のヘーズ（波長５５０ｎｍについて）は、たとえば光散乱層１０２の厚さ１０μｍあたり６０％以上９５％以下であることが好ましい。
　光散乱層１０２の発光部１４０側には第２中間層１０４が設けられている。第２中間層１０４は透光性を有する。本実施形態において第２中間層１０４は平坦化層である。第２中間層１０４は光散乱層１０２と第１中間層１０６の間に位置しており、本図の例において第２中間層１０４は光散乱層１０２および第１中間層１０６に接している。第２中間層１０４は、比較的凹凸の大きい光散乱層１０２の表面を覆い、平坦化（平滑化）している。すなわち、第２中間層１０４と第１中間層１０６との界面の粗さは、第２中間層１０４と光散乱層１０２との界面の粗さよりも小さい。各界面の粗さは、たとえば断面形状を観察することにより確認できる。光散乱層１０２の表面の凹凸を第２中間層１０４でカバーすることにより平滑化し、第１中間層１０６、無機層１０８、発光部１４０等を膜質よく形成できる。本実施形態において、第２中間層１０４の厚さは特に限定されないが、たとえば３００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とすることができる。
　第２中間層１０４に含まれる有機材料としては、たとえばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、シロキサン系等の化合物が挙げられる。第２中間層１０４に含まれる有機材料はたとえば樹脂材料である。
　第２中間層１０４は、光散乱層１０２に含まれる有機材料を含んで形成されても良い。そうすれば、第２中間層１０４と光散乱層１０２との界面における屈折率の変化を低減することができ、その界面での光の全反射を低減することができる。よって、発光部１４０から基材１００側への光取り出し効率を向上させることができる。また、第２中間層１０４と光散乱層１０２との密着性向上や界面応力の低減にも有効である。
　第２中間層１０４の屈折率は特に限定されないが、１．５以上２．２以下であることが好ましい。なお、第２中間層１０４にはその他の添加剤として硬化剤、感光剤等がさらに含まれていても良い。
　第２中間層１０４は、たとえば形成材料をスピンコート法、散布法、インクジェット法、フィルムラミネート法等で基材光散乱層１０２上に成膜することで形成できる。形成材料は上記した有機材料のみが含まれても良いし、必要に応じて溶媒やその他の添加剤が含まれていてもよい。
　第２中間層１０４の第１電極１１０側には第１中間層１０６が形成されている。第１中間層１０６は透光性を有する。本図の例において、第１中間層１０６は第２中間層１０４と無機層１０８の間に位置しており、第２中間層１０４および無機層１０８と接している。第１中間層１０６は第２中間層１０４と無機層１０８の間の剥離を抑制する密着層として機能する。第１中間層１０６を構成する材料としては、インジウム、すず、亜鉛、タングステン等の金属元素を含む材料が挙げられる。なかでも第１中間層１０６はインジウムを含むことが好ましい。また、第１中間層１０６を構成する材料としては、無機酸化物が挙げられ、中でも金属元素の酸化物が好ましい。第１中間層１０６を構成する材料としては例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム（たとえばＩｎ２Ｏ３）、酸化錫（たとえばＳｎ２Ｏ３）等の透明導電材料が挙げられる。
　基材１００の端面において、第２中間層１０４、第１中間層１０６、無機層１０８はそろって露出しており、基材１００、第２中間層１０４、第１中間層１０６、および無機層１０８の端面は同一平面上にある。また、第１中間層１０６の第１電極１１０側の面は全体が無機層１０８に覆われているため、第１中間層１０６は電気的にフローティングである。
　上記した通り、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。第１中間層１０６および第１電極１１０に共通して含まれる元素はたとえば金属元素である。その場合、第１中間層１０６および第１電極１１０に共通して含まれる金属元素は特に限定されないが、たとえばインジウム、すず、亜鉛、およびタングステンが挙げられる。中でも、第１中間層１０６および第１電極１１０に共通して含まれる金属元素はインジウムであることが好ましい。そうすることにより、無機層１０８と第１中間層１０６の密着性および第１中間層１０６と第２中間層１０４の密着性は、無機層１０８と第２中間層１０４とを直接密着させた場合の密着性よりも、化学的に特に高くなる。したがって、第１中間層１０６が存在することにより、第２中間層１０４や無機層１０８と、他の層との間の剥離がより抑制され、ひいては下地層３０内での層間の剥離がより抑制される。なお、第１中間層１０６および第１電極１１０に共通して含まれる元素は複数種類あってもよい。たとえばインジウム、すず、亜鉛、およびタングステンからなる第１群から選択される一以上の元素が第１中間層１０６および第１電極１１０に共通して含まれてもよいし、他の元素がさらに共通して含まれても良い。
　また、第１中間層１０６および第１電極１１０は、いずれも無機酸化物を含むことが好ましく、第１中間層１０６および第１電極１１０は共通の金属元素の酸化物を含むことがより好ましい。また、第１中間層１０６の材料は第１電極１１０の材料と同じであることがさらに好ましい。ただし、プロセス上不可避に生じる不純物濃度の違いや、元素組成比の違いは許容する。第１中間層１０６の材料が第１電極１１０の材料と同じであることで、製造プロセスや設備上も第１中間層１０６を設けるための負担が少なくなる。
　第１中間層１０６の厚さは特に限定されないが、本実施形態においてたとえば１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、第１中間層１０６の屈折率は特に限定されないが、無機層１０８の屈折率より高く第２中間層１０４の屈折率より低いことが好ましい。そうすることにより、第２中間層１０４と第１中間層１０６との界面や第１中間層１０６と無機層１０８との界面での光の全反射を低減することができ、発光部１４０から基材１００側への光取り出し効率を向上させることができる。
　第１中間層１０６はスパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スピンコート法、散布法、インクジェット法、フィルムラミネート法等で形成できる。
　第１中間層１０６の第１電極１１０側には無機層１０８が形成されている。無機層１０８はたとえばバリア層であり、発光部１４０への透湿を抑制する。本図の例において、無機層１０８は第１中間層１０６と第１電極１１０の間に位置しており、第１中間層１０６および第１電極１１０と接している。無機層１０８を構成する材料としては酸化シリコン（たとえばＳｉＯ２）、窒化シリコン（たとえばＳｉ３Ｎ４）、ＳｉＯＮ等が挙げられる。無機層１０８の厚さは特に限定されないが、たとえば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、無機層１０８は光透過性を有する。また、無機層１０８の屈折率は特に限定されないが、たとえば１．０以上２．０以下であることが好ましい。
　無機層１０８はスパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成できる。
　無機層１０８の第１面１０８１側には発光部１４０が設けられている。なお、無機層１０８の第１面１０８１と第２面１０８２は互いに反対側の面であり、第２面１０８２は基材１００側の面である。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、および第２電極１３０を含む。発光部１４０について以下に詳しく説明する。
　第１電極１１０を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＷＺＯ、ＺｎＯ、酸化錫等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、薄い金属電極であってもよい。本図の例において、第１電極１１０は無機層１０８と有機層１２０との間に形成されており、無機層１０８および有機層１２０と接している。
　有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置している。有機層１２０は、発光層を含み、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
　第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第２群の中から選択される金属、又はこの第２群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。第２電極１３０は光反射性を有することが好ましい。
　発光部１４０は、図示しない封止膜または封止部材によって封止されていてもよい。発光部１４０が封止膜によって封止されている場合、封止膜は、基材１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成されている。また、封止膜の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
　封止膜は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
　ただし、封止膜は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　封止部材を用いて発光部１４０が封止されている場合、封止部材は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基材１００に固定されている。これにより、封止部材と基材１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置する。なお、封止された空間には接着剤が充填されていても良い。また、封止部材は板状であり、接着剤を介して発光部１４０に固定されていても良い。
　なお、基材１００と光散乱層１０２の間にはさらにバリア層が形成されていてもよい。このバリア層はたとえば酸化シリコン（たとえばＳｉＯ２）、窒化シリコン（たとえばＳｉ３Ｎ４）、ＳｉＯＮからなり、スパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成できる。
　本実施形態に係る発光装置１０の製造方法について以下に説明する。発光装置１０は、基板２０に対し有機層１２０および第２電極１３０を形成して製造できる。基板２０は、上記のような無機層１０８、第１電極１１０、第１中間層１０６、および第２中間層１０４を備える。また、本実施形態に係る基板２０は基材１００および光散乱層１０２をさらに備える。
　まず、基材１００に光散乱層１０２および第２中間層１０４を順に、たとえばスピンコート法を用いて形成する。ここで光散乱層１０２はフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンに形成してもよい。次いで、第１中間層１０６および無機層１０８を順に、たとえばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。こうして、基板２０を得られる。次いで、基板２０の第１電極１１０の上に有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止してもよい。
　発光装置１０の製造は、加熱処理を行う工程を含む場合があり、その加熱が無機層１０８と他の層との剥離の原因となり得る。たとえば、有機層１２０を塗布形成した後、高温焼成を行う場合等である。剥離の原因は必ずしも定かではないが、以下のように推測できる。発光装置１０を構成する各層は材料によって熱膨張率や弾性率が異なる。そして、無機層１０８の第１面１０８１に接する層と第２面１０８２に接する層とで熱膨張率や弾性率の違いが大きい場合、加熱処理において無機層１０８の上下面に加わる力が不均一となり、無機層１０８の変形が大きくなる。このとき無機層１０８と他の層の界面のうち、密着力が比較的小さい界面で剥離が生じ得る。それに対し、本実施形態に係る発光装置１０では、第１中間層１０６が第１電極１１０に含まれる元素を含む。すなわち、無機層１０８の第１面１０８１および第２面１０８２に接する層の材料の熱膨張率や弾性率が互いに近くなっている。したがって、無機層１０８の上下面に加わる力が均一となる結果、界面での剥離を抑制できる。また、第１中間層１０６の材料を適切に選択することにより、無機層１０８と第１中間層１０６の密着性および第１中間層１０６と第２中間層１０４の密着性を、無機層１０８と第２中間層１０４とを直接密着させた場合の密着性よりも、化学的に高くすることができる。
　このように、本実施形態によれば、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
（第２の実施形態）
　図２は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態の図１に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は光散乱層１０２が設けられていない点を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構造である。
　本実施形態において、第２中間層１０４は基材１００と第１中間層１０６の間に位置しており、基材１００および第１中間層１０６に接している。この場合においても、基材１００の表面の凹凸を第２中間層１０４でカバーすることにより平滑化し、第１中間層１０６、無機層１０８、発光部１４０等を膜質よく形成できる。第２中間層１０４と第１中間層１０６との界面の粗さは、第２中間層１０４と基材１００との界面の粗さよりも小さい。
　以上、本実施形態においても、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
（第３の実施形態）
　図３は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態の図１に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は光散乱層１０２の代わりに無機材料からなる第３中間層１０３が設けられている点を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構造である。本実施形態において第３中間層１０３はたとえばバリア層である。
　本図の例において、第３中間層１０３は基材１００と第２中間層１０４との間に位置し、基材１００および第２中間層１０４に接している。第３中間層１０３はたとえば酸化シリコン（たとえばＳｉＯ２）、窒化シリコン（たとえばＳｉ３Ｎ４）、ＳｉＯＮからなり、スパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成できる。特に基材１００が樹脂からなる場合に、ガラスからなる場合に比べて基材１００の透湿性が高くなる。よって、第３中間層１０３で透湿性を低減することが効果的である。第３中間層１０３はさらに、基材１００の第１電極１１０側とは反対側の面にも設けられていてもよい。
　この場合において、第２中間層１０４は、有機バリア層として機能し、発光部１４０への透湿を抑制する。また、第２中間層１０４は、発光装置１０が撓んだ場合に、各層間に加わる応力を低減する緩衝層としても機能しうる。第３中間層１０３の厚さは特に限定されないが、たとえば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、第３中間層１０３は透光性を有する。
　以上、本実施形態においても、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
（第４の実施形態）
　図４は、第４の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第２の実施形態の図２に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は第２中間層１０４が光散乱層である点を除いて第２の実施形態に係る発光装置１０と同様の構造である。本実施形態において、第１中間層１０６は平坦化層としても機能する。
　本実施形態において、第２中間層１０４は無機材料及び有機材料を含む。発光装置１０がそのような光散乱層として機能する第２中間層１０４を備えることにより、基材１００側への光取り出し効率を高めることができる。第２中間層１０４に含まれる無機材料としては、たとえば酸化チタン、ジルコニア、シリカ等の無機粒子が挙げられる。また、光取りだし効率向上の観点から、第２中間層１０４に含まれる無機粒子の粒径は０．１μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。
　第２中間層１０４に含まれる有機材料としては、たとえばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、シロキサン系等の材料が挙げられる。第２中間層１０４に含まれる有機材料はたとえば樹脂材料である。第２中間層１０４に含まれる有機材料の屈折率は特に限定されないが、１．２以上２．２以下であることが好ましい。
　第２中間層１０４の全体における有機材料の含有率は特に限定されないが、光取り出し効率向上の観点から２０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。なお、第２中間層１０４にはその他の添加剤として硬化剤、感光剤等がさらに含まれていても良い。
　第２中間層１０４は、たとえば有機材料と無機材料とを含む混合物を、スピンコート法、散布法、インクジェット法、フィルムラミネート法等で基材１００上に成膜することで形成できる。なお、混合物には必要に応じて溶媒やその他の添加剤が含まれていても良い。第２中間層１０４の厚さは特に限定されないが、３００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることができる。
　本実施形態に係る第１中間層１０６は、平坦化層としても機能する。第１中間層１０６は、比較的凹凸の大きい第２中間層１０４の表面を覆い、平坦化（平滑化）している。すなわち、第１中間層１０６と無機層１０８との界面の粗さは、第１中間層１０６と第２中間層１０４との界面の粗さよりも小さい。第２中間層１０４の表面の凹凸を第１中間層１０６でカバーすることにより平滑化し、無機層１０８、発光部１４０等を膜質よく形成できる。本実施形態において、第１中間層１０６の厚さは特に限定されないが、たとえば３００ｎｍ以上３μｍ以下とすることができる。
　第１中間層１０６は、第１の実施形態で説明したのと同様の材料、成膜方法で形成できる。
　以上、本実施形態においても、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　加えて、第２中間層１０４が光散乱層として機能し、第１中間層１０６が平滑層として機能することにより、発光装置１０の製造工程を簡易化することができる。
（実施例１）
　図５は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図６は図５から第２電極１３０を取り除いた図である。図７は図６から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図８は、図５のＡ－Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基材１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。１００の全面は下地層３０に覆われている。
　詳細には、下地層３０が設けられた基材１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
　また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基材１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基材１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基材１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。
　基材１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
　有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、第１の実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
　本実施例において下地層３０は第１の実施形態から第４の実施形態の少なくともいずれかに示した構成を有している。また、本実施例において、発光装置１０が絶縁層１５０を備える場合、絶縁層１５０の形成工程で塗布した樹脂材料を加熱処理する場合がある。その場合においても、本実施例では第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含むため、無機層１０８と他の層との間の剥離を抑制できる。
　本実施例によれば、有機層１２０は第１の実施形態から第４の実施形態の少なくともいずれかに示した構成を有しており、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
（実施例２）
　図９は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１０は、図９から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１１は図９のＢ－Ｂ断面図であり、図１２は図９のＣ－Ｃ断面図であり、図１３は図９のＤ－Ｄ断面図である。
　実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基材１００、下地層３０、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図９におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図９、及び図１１～図１３に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図９におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図９におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の構成は、第１の実施形態に示したとおりである。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　なお、図１１及び図１２に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図９に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１３に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図９、図１１～図１３に示すように、第１方向と交わる第２方向（図９におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基材１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　本実施例において下地層３０は第１の実施形態から第４の実施形態の少なくともいずれかに示した構成を有している。また、本実施例において、発光装置１０が絶縁層１５０を備える場合、絶縁層１５０の形成工程で塗布した樹脂材料を加熱処理する場合がある。その場合においても、本実施例では第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含むため、無機層１０８と他の層との間の剥離を抑制できる。
　また、本実施例において発光装置１０は複数の発光部１４０を備える。下地層３０が第１の実施形態に係る構造である場合、光散乱層１０２は基材１００に垂直な方向から見て発光部１４０と重なる領域のみに設けられていてもよいし、発光部１４０の間の領域にさらに設けられていても良い。また、下地層３０が第４の実施形態の構成である場合、光拡散層として機能する第２中間層１０４は、基材１００に垂直な方向から見て発光部１４０と重なる領域のみに設けられていてもよいし、発光部１４０の間の領域にさらに設けられていても良い。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基材１００上に下地層３０を形成する。次いで、下地層３０の上に第１電極１１０、引出配線１１４、および引出配線１３４を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
　次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０を形成する。次いで、第２電極１３０を形成する。
　本実施例によれば、有機層１２０は第１の実施形態から第４の実施形態の少なくともいずれかに示した構成を有しており、第１中間層１０６は第１電極１１０に含まれる元素を含む。したがって、無機層１０８と第２中間層１０４の間の剥離を防ぎ、信頼性の高い発光装置１０を得られる。また、発光装置１０は無機層１０８を備えるため発光部１４０への透湿を抑制し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (14)

  1. 　無機材料を含む絶縁性の無機層と、
    　前記無機層の第１面側に位置し、光透過性を有する第１電極と、
    　前記無機層の、前記第１面とは反対側の第２面側に位置し、前記第１電極に含まれる元素を含む第１中間層と、
    　前記第１中間層から見て前記無機層とは逆側に位置し、有機材料を含む第２中間層と、を備える発光装置。
  2. 　前記第１電極から見て前記無機層とは逆側に位置し、発光層を含む有機層をさらに備える、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第２中間層から見て前記有機層とは逆側に位置する光透過性の基材と、
    をさらに備える、請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記第２中間層から見て前記第１中間層と逆側に位置し、無機材料及び有機材料を含む光散乱層をさらに備える、請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記第２中間層は、前記光散乱層に含まれる有機材料を含む、請求項４に記載の発光装置。
  6. 　前記光散乱層は、粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下の無機粒子を含む、請求項４または５に記載の発光装置。
  7. 　前記元素は、金属元素である、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 　前記金属元素は、インジウムである、請求項７に記載の発光装置。
  9. 　前記第１中間層および前記第１電極は、いずれも前記金属元素の酸化物を含む、請求項７または８に記載の発光装置。
  10. 　前記第１中間層および前記第１電極は、いずれも無機酸化物を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 　前記第１中間層の材料は、前記第１電極の材料と同じである、請求項１～１０のいずれか一項に記載の発光装置。
  12. 　前記第１中間層の屈折率は、前記無機層の屈折率より高く前記第２中間層の屈折率より低い、請求項１～１１のいずれか一項に記載の発光装置。
  13. 　前記第１中間層の厚さは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 　無機材料を含む絶縁性の無機層と、
    　前記無機層の第１面側に位置し、光透過性を有する第１電極と、
    　前記無機層の、前記第１面とは反対側の第２面側に位置し、前記第１電極に含まれる元素を含む第１中間層と、
    　前記第１中間層から見て前記無機層とは逆側に位置し、有機材料を含む第２中間層と、を備える基板。
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