WO2017130277A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017130277A1
WO2017130277A1 PCT/JP2016/052044 JP2016052044W WO2017130277A1 WO 2017130277 A1 WO2017130277 A1 WO 2017130277A1 JP 2016052044 W JP2016052044 W JP 2016052044W WO 2017130277 A1 WO2017130277 A1 WO 2017130277A1
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light
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light emitting
substrate
layer
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PCT/JP2016/052044
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Inventor
安伸 東家
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パイオニア株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • An organic EL element is one of light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between the first electrode and the second electrode.
  • One of the problems in the organic EL element is to improve the light extraction efficiency.
  • Patent Document 1 describes that a light scattering layer is provided between an organic EL element and a substrate in order to improve the light extraction efficiency of the organic EL element.
  • This light scattering layer has a configuration in which a layer containing inorganic particles, a high refractive index resin layer, and a titanium oxide layer are laminated in this order from the substrate side.
  • Patent Document 2 also describes that a light scattering layer is provided between the organic EL element and the substrate.
  • Patent Document 2 describes a layer having an inorganic filler as an example of a light scattering layer.
  • irregularities are formed on the surface of the substrate on which the organic EL element is formed, and a light scattering layer having a refractive index of 1.75 or more is formed so as to fill the irregularities. It is described to do.
  • an inorganic material layer is formed on the light scattering layer.
  • Substances constituting the inorganic material layer are, for example, silica, silicon nitride, and silicon oxynitride.
  • the present inventor has studied a novel structure for improving the light extraction efficiency from the light emitting part in the light emitting device having a light emitting part such as an organic EL element.
  • a problem to be solved by the present invention in a light emitting device having a light emitting portion, for example, improving light extraction efficiency from the light emitting portion can be cited as an example.
  • the invention according to claim 1 is a substrate; A light scattering layer formed on the first surface of the substrate and containing particles; A light emitting portion formed on the first surface of the substrate and facing the substrate with the light scattering layer interposed therebetween; With The first surface of the substrate has concave portions or convex portions that are repeated at intervals of 1/2 or more of the peak wavelength of light emitted by the light emitting portion, The average particle size of the particles is a light emitting device smaller than the average value of the intervals.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification Example 1.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification 2.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1.
  • FIG. It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. It is the figure which removed the organic layer and the insulating layer from FIG.
  • AA sectional drawing of FIG. 6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. It is BB sectional drawing of FIG. It is CC sectional drawing of FIG. It is DD sectional drawing of FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a light scattering layer 200, and a light emitting unit 140.
  • the light scattering layer 200 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 and includes a plurality of particles 202.
  • the light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 and faces the substrate 100 with the light scattering layer 200 interposed therebetween.
  • the first surface 102 of the substrate 100 has irregularities 106.
  • the unevenness 106 is a region where at least one of a concave portion or a convex portion is repeatedly formed.
  • interval of an adjacent convex part is 1/2 or more of the peak wavelength of the light which the light emission part 140 light-emits.
  • the average particle diameter of the particles 202 is smaller than the average value of the intervals between the concave portions (or the average value of the intervals between the convex portions). Therefore, the unevenness 106 can be flattened. In FIG. 1 and FIGS. 2, 7, and 8, which will be described later, in order to make the particles 202 easier to see, the average particle diameter of the particles 202 is made larger than the average value of the interval between the irregularities 106.
  • the interval between the concave portions can be defined by the interval between the deepest portions of the concave portion in the cross section of the substrate 100, for example.
  • the interval between the convex portions is, for example, the interval between the apexes of the convex portions in the cross section of the substrate 100.
  • the average particle diameter of the particles 202 can be defined by, for example, an average value of equivalent circle diameters of the particles 202 in the cross section of the light emitting device 10.
  • the light emitting device 10 will be described in detail.
  • the light emitting device 10 is, for example, a lighting device or a display.
  • the light emitting unit 140 included in the light emitting device 10 may be a bottom emission type light emitting unit, a top emission type light emitting unit, or a dual emission type light emitting unit.
  • the substrate 100 is formed of a light-transmitting material such as glass or a light-transmitting resin, and the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode 110 is used. Is the light extraction surface of the light emitting device 10.
  • the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material or may be formed of a material that does not have light-transmitting properties.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.
  • An unevenness 106 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the unevenness 106 is a region where at least one of a concave portion or a convex portion is repeatedly formed.
  • interval of an adjacent convex part is 1/2 or more of the peak wavelength of the light which the light emission part 140 light-emits.
  • the interval between adjacent concave portions or the interval between adjacent convex portions is preferably at least 1 ⁇ 2 times the longest wavelength.
  • interval of an adjacent convex part is below the shortest wavelength. If it does in these ways, the scattering effect mentioned below is acquired to all the peak wavelengths which light emitting part 140 has.
  • the interval between adjacent concave portions or the interval between adjacent convex portions is not less than 1 ⁇ 2 times the longest wavelength and not longer than the shortest wavelength.
  • the concave or convex portions of the concave and convex portions 106 are randomly arranged.
  • the unevenness 106 is formed using, for example, wet etching, dry etching, or sand blasting. For this reason, the depth of the concave portion (or the height of the convex portion) has some variation.
  • corrugation 106 may be arrange
  • the unevenness 106 is formed by etching using a mask pattern, for example, and may have an arrangement on a microlens array, a pyramid array, a diffraction grating, or a moth eye.
  • the average value of the interval between the concave portions (or the convex portions) is preferably not less than 1 ⁇ 2 of the peak wavelength of the light emitted from the light emitting portion 140.
  • the light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 and includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.
  • At least one of the first electrode 110 and the second electrode 130 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode.
  • the second electrode 130 is a transparent electrode.
  • both the 1st electrode 110 and the 2nd electrode 130 are transparent electrodes.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) or the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube, a conductive organic material such as PEDOT / PSS, or a thin metal electrode.
  • the second electrode 130 is selected from the first group consisting of, for example, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. It includes a metal layer made of metal or an alloy of metals selected from this first group. This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are laminated in this order. In this case, the plasmon loss is reduced by the unevenness of the first electrode 110 caused by the light scattering layer 200, and as a result, the light extraction efficiency is improved.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130 and has a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. However, one of the hole injection layer and the hole transport layer may not be formed. One of the electron transport layer and the electron injection layer may not be formed.
  • the organic layer 120 may further include other layers.
  • a light scattering layer 200 is formed between the substrate 100 and the first electrode 110.
  • the light scattering layer 200 is obtained by mixing a plurality of particles 202 with a binder (base material) made of an organic material or an inorganic material.
  • the light scattering layer 200 scatters the light emitted from the light emitting unit 140 and flattens the unevenness 106 of the first surface 102 of the substrate 100.
  • the binder of the light scattering layer 200 may be, for example, an imide, acrylic, ether, silane, or siloxane organic material, or an inorganic material such as glass paste, glass frit, or SiO 2 sol. May be.
  • the refractive index of the binder of the light scattering layer 200 is, for example, 1.2 or more and 2.2 or less, preferably 1.6 or more and 1.9 or less.
  • the particles 202 of the light scattering layer 200 are made of, for example, an inorganic material.
  • the material constituting the particle 202 is an oxide such as titanium oxide, zirconium oxide, or silicon oxide.
  • the average particle diameter of the particles 202 for example, the average value of the equivalent sphere diameter (diameter) is, for example, 100 nm or more and 5 ⁇ m or less. More specifically, the average value is preferably smaller than the peak wavelength of the light emitted from the light emitting unit 140, and particularly preferably not less than 1/2 times and not more than 1 time of the peak wavelength.
  • the average value of the sphere equivalent diameters (diameters) of the particles 202 is 300 nm or more and 600 nm or less. Further, the average particle diameter of the particles 202 is preferably smaller than the average value of the intervals between the concave portions of the unevenness 106 (or the average value of the intervals between the convex portions).
  • the volume ratio of the particles 202 to the entire light scattering layer 200 is, for example, 20% or more and 50% or less. This volume ratio can be defined by, for example, the area occupation ratio of the particles 202 with respect to the light scattering layer 200 in the cross section in the thickness direction of the substrate 100.
  • the refractive index of the light scattering layer 200 can be adjusted by adjusting the material of the particles 202 and the volume ratio.
  • an insulating layer 210 is formed between the light scattering layer 200 and the first electrode 110.
  • the insulating layer 210 suppresses a component that deteriorates the light emitting unit 140 (for example, an alkali component when the substrate 100 is alkali-containing glass) from reaching the light emitting unit 140 through the substrate 100.
  • the insulating layer 210 is in contact with the first electrode 110.
  • the material for forming the insulating layer 210 is an inorganic material such as SiO 2 , SiN x , or SiON.
  • the insulating layer 210 is preferably thicker than the average particle diameter of the particles 202. In this case, the insulating layer 210 functions as a planarization layer of the light scattering layer 200. Note that the insulating layer 210 is not necessarily formed. In this case, the first electrode 110 is in contact with the light scattering layer 200.
  • the unevenness 106 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the light scattering layer 200 and the insulating layer 210 are formed in this order on the first surface 102.
  • the light scattering layer 200 can be formed using, for example, a coating method.
  • the insulating layer 210 can be formed using, for example, sputtering or chemical vapor deposition (CVD).
  • the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are formed in this order.
  • the light emitted from the light emitting unit 140 is scattered by the particles 202 when passing through the light scattering layer 200. Further, the light transmitted through the light scattering layer 200 is scattered by the unevenness 106 when entering the substrate 100. As will be described later with reference to FIG. 3, the main mechanism of light scattering in the light scattering layer 200 is different from the main mechanism of light scattering in the unevenness 106. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is improved.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the ratio of the size of particles (or irregularities) to the wavelength ( ⁇ ) of light and the light scattering mechanism.
  • the size of the particle (or unevenness) is sufficiently small ( ⁇ ⁇ / 2) with respect to the wavelength ( ⁇ ) of the light, the light is not scattered much.
  • the size of the particles (or irregularities) is close to 1 ⁇ 2 of the wavelength ( ⁇ ) of light, the light scattering is mainly Mie scattering, and the scattering effect is maximized.
  • the size of the particles (or irregularities) is greater than or equal to the wavelength of light ( ⁇ ), the light scattering is mainly geometrical optical scattering.
  • the interval between the concave portions (or convex portions) of the concave and convex portions 106 is repeated at intervals of 1/2 or more of the peak wavelength.
  • the average value of the particle diameters of the particles 202 is smaller than this interval.
  • light scattering in the light scattering layer 200 has a greater effect due to Mie scattering than light scattering in the unevenness 106.
  • the main mechanism of light scattering in the light scattering layer 200 is different from the main mechanism of light scattering in the unevenness 106. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is improved.
  • FIG. 4 is a diagram showing the result of simulating the relationship between the volume content of the particles 202 in the light scattering layer 200 and the intensity of the light emitted from the light emitting device 10.
  • the light emitted from the light emitting device 10 since the light emitted from the light emitting device 10 is white, it has a plurality of peak wavelengths (470 nm and 610 nm).
  • the volume content of the particles 202 is 20% or more and 50% or less (particularly when the volume content is 25% or more and 45% or less), the light emitted from the light emitting device 10 becomes strong.
  • FIG. 5 is a diagram showing the result of simulating the relationship between the refractive index of the binder of the light scattering layer 200 and the intensity of the light emitted from the light emitting device 10.
  • the wavelength of light emitted from the light emitting device 10 is the same as that in FIG.
  • the average particle diameter of the particles 202 of the light scattering layer 200 was 300 nm.
  • the refractive index of the binder is 1.6 or more and 1.9 or less, the light emitted from the light emitting device 10 becomes strong.
  • FIG. 6 is a diagram showing the result of simulating the relationship between the particle diameter of the particle 202 and the intensity of light emitted from the light emitting device 10.
  • the wavelength of light emitted from the light emitting device 10 is the same as that in FIG.
  • the average particle diameter of the particles 202 is 300 nm or more and 700 nm or less (particularly when it is 600 nm or less)
  • the light emitted from the light emitting device 10 becomes strong.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the first modification.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment, except that an insulating layer 220 is provided between the light scattering layer 200 and the insulating layer 210.
  • the insulating layer 220 is made of the same material as the binder of the light scattering layer 200 and has a thickness of 300 nm to 3 ⁇ m.
  • the material of the insulating layer 220 may be, for example, an imide-based, acrylic-based, ether-based, silane-based, or siloxane-based organic material, or an inorganic material such as glass paste, glass frit, or SiO 2 sol. There may be.
  • the insulating layer 220 is preferably thicker than the average particle diameter of the particles 202.
  • the insulating layer 220 is formed by a coating method using a coating material that does not contain the particles 202, for example.
  • the step of curing the insulating layer 220 and the step of curing the light scattering layer 200 may be performed in the same step. In this case, after applying the light scattering layer 200 and the insulating layer 220 in this order, a process for curing these layers is performed.
  • the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is improved as in the embodiment.
  • an insulating layer 220 is provided between the light scattering layer 200 and the insulating layer 210.
  • the insulating layer 220 is made of the same material as the binder of the light scattering layer 200. Further, since the insulating layer 220 is provided, unevenness caused by the light scattering layer 200 is reduced (flattened).
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the second modification.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment, except that the optical functional layer 230 is provided on the second surface 104 of the substrate 100.
  • the optical functional layer 230 is an optical functional film such as a light extraction film or a microlens, for example, and repeatedly has convex portions (or concave portions) on the surface opposite to the substrate 100.
  • this convex part is hemispherical, for example.
  • the concave portion or the convex portion is arranged, for example, at a lattice point of a square lattice or a hexagonal lattice.
  • the height / width (or diameter) of the convex portion is, for example, not less than 0.4 and not more than 0.8.
  • the width (or diameter) of the convex portion is, for example, 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is improved as in the embodiment.
  • an optical functional layer 230 is provided on the second surface 104, which is a surface from which light is emitted, of the substrate 100. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is further improved.
  • the light functional layer 230 may be provided in the light emitting device 10 shown in the first modification.
  • FIG. 9 is a table showing the light extraction efficiency of the light emitting device 10 according to the embodiment and the light extraction efficiency of the light emitting device 10 according to Modification 2 together with a comparative example.
  • the light extraction efficiency (the intensity of the emitted light) is shown as a ratio to Comparative Example 1.
  • the light emitting device 10 according to Comparative Example 1 has a structure in which the unevenness 106 and the light scattering layer 200 are removed from the light emitting device 10 illustrated in FIG.
  • the light emitting device 10 according to Comparative Example 2 has a structure in which the light functional layer 230 is provided in the light emitting device 10 according to Comparative Example 1.
  • the light emitting device 10 according to Comparative Example 3 has a structure in which regular irregularities 106 are provided on the light emitting device 10 according to Comparative Example 1.
  • the light-emitting device 10 according to Comparative Example 4 has a structure in which random irregularities 106 are provided on the light-emitting device 10 according to Comparative Example 1.
  • the light emitting device 10 according to Comparative Example 5 has a configuration in which the light scattering layer 200 is provided in the light emitting device 10 according to Comparative Example 1.
  • Comparative Example 2 Comparative Example 3, Comparative Example 4, and Comparative Example 5
  • the light extraction efficiency of the light-emitting device 10 was 1.6, 1.5, 1.1, and 1.7, respectively.
  • the light extraction efficiency was 1.8 and 1.9, respectively.
  • the light extraction efficiency of the light emitting device 10 according to the embodiment is high.
  • FIG. 10 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a view in which the second electrode 130 is removed from FIG.
  • FIG. 12 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment is a lighting device, and a light emitting unit 140 is formed on almost the entire surface of the substrate 100.
  • the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132 are formed on one surface of the substrate 100.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 have a layer formed using the same material as the first electrode 110. This layer is formed in the same process as the first electrode 110.
  • a layer formed of the same material as the first electrode 110 in the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110.
  • the second terminal 132 is separated from the first electrode 110.
  • first terminal 112 and the second terminal 132 are located on opposite sides of the first electrode 110.
  • the substrate 100 is rectangular.
  • the first terminal 112 is formed along one side of the substrate 100
  • the second terminal 132 is formed along the side opposite to the first terminal 112 among the four sides of the substrate 100.
  • the layout of the first terminal 112 and the second terminal 132 is not limited to the example shown in this figure.
  • the region where the organic layer 120 is to be formed in the substrate 100 is surrounded by the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed using a photosensitive material such as polyimide, and is formed in a predetermined shape through exposure and development processes.
  • the insulating layer 150 is formed after the first electrode 110 is formed and before the organic layer 120 is formed. However, the insulating layer 150 may not be formed.
  • the organic layer 120 is formed inside a region surrounded by the insulating layer 150.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the embodiment.
  • a second electrode 130 is formed on the organic layer 120. A part of the second electrode 130 extends over the second terminal 132 across the insulating layer 150.
  • the first surface 102 of the substrate 100 is provided with the unevenness 106, the light scattering layer 200, and the insulating layer 210.
  • an insulating layer 220 may be formed between the insulating layer 210 and the light diffusion layer 200.
  • the optical functional layer 230 may be formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • FIG. 14 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • 15 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 16 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 14,
  • FIG. 17 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 14, and
  • FIG. 18 is a sectional view taken along the line DD in FIG.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, a first layer. It has two electrodes 130, a plurality of lead wires 134, and a plurality of partition walls 170.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 14). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114.
  • the conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 14).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view.
  • the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 14, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • the organic layer 120 is formed in the region overlapping with the opening 152.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the embodiment.
  • the light emitting unit 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • the layers constituting the organic layer 120 are shown to protrude to the outside of the opening 152. And as shown in FIG. 14, the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 18, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 14) intersecting the first direction, as shown in FIGS. 14 and 16 to 18.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • the light scattering layer 200 and the insulating layer 210 are formed on the first surface 102 of the substrate 100. Note that an insulating layer 220 may be formed between the insulating layer 210 and the light diffusion layer 200. In addition, the optical functional layer 230 may be formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • the unevenness 106 is formed on the first surface 102 of the substrate 100, and the light scattering layer 200 and the insulating layer 210 are further formed on the first surface 102.
  • the insulating layer 220 may be formed between the insulating layer 210 and the light scattering layer 200.
  • the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment.
  • the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.
  • the insulating layer 150 is formed, and further the partition 170 is formed.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed.

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Abstract

光散乱層（２００）は基板（１００）の第１面（１０２）に形成されており、複数の粒子（２０２）を含んでいる。発光部（１４０）は基板（１００）の第１面（１０２）に形成されており、光散乱層（２００）を挟んで基板（１００）に対向している。基板（１００）の第１面（１０２）は凹凸（１０６）を有している。凹凸（１０６）は、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部（１４０）が発光する光のピーク波長の１／２以上である。また、粒子（２０２）の平均粒径は、凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さい。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子における課題の一つに、光取出効率を向上させることがある。
　特許文献１には、有機ＥＬ素子の光取出効率を向上させるために、有機ＥＬ素子と基板の間に光散乱層を設けることが記載されている。この光散乱層は、基板側から順に、無機系粒子を含む層、高屈折率の樹脂層、及び酸化チタン層を積層させた構成を有している。
　特許文献２にも、有機ＥＬ素子と基板の間に光散乱層を設けることが記載されている。特許文献２において、光散乱層の一例として、無機フィラーを有している層が記載されている。また特許文献２には、他の例として、基板のうち有機ＥＬ素子が形成される側の面に凹凸を形成し、この凹凸を埋めるように屈折率が１．７５以上の光散乱層を形成することが記載されている。なお、特許文献２のいずれの例においても、光散乱層の上には無機材料層が形成されている。この無機材料層を構成する物質は、例えばシリカ、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンである。
特開２０１４－２３５９６１号公報 特開２０１４－１９７４７５号公報
　本発明者は、有機ＥＬ素子などの発光部を有する発光装置において、発光部からの光取出効率を向上させるための新規な構造を検討した。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光部を有する発光装置において、発光部からの光取出効率を向上させることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板の第１面に形成され、粒子を含む光散乱層と、
　前記基板の前記第１面に形成され、前記光散乱層を挟んで前記基板に対向する発光部と、
を備え、
　前記基板の前記第１面は、前記発光部が発光する光のピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される凹部又は凸部を有し、
　前記粒子の平均の粒径は前記間隔の平均値よりも小さい発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図１の変形例を示す断面図である。 光の波長（λ）に対する粒子（又は凹凸）の大きさの比と、光の散乱のメカニズムの関係を説明するための図である。 光散乱層における粒子の体積含有率と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。 光散乱層のバインダーの屈折率と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。 粒子の粒子径と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。 変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。 変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施形態に係る発光装置の光取出効率及び変形例２に係る発光装置の光取出効率を、比較例とともに示した表である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図１０から第２電極を取り除いた図である。 図１１から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図１０のＡ－Ａ断面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図１４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図１４のＢ－Ｂ断面図である。 図１４のＣ－Ｃ断面図である。 図１４のＤ－Ｄ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（実施形態）
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、光散乱層２００、及び発光部１４０を有している。光散乱層２００は基板１００の第１面１０２に形成されており、複数の粒子２０２を含んでいる。発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されており、光散乱層２００を挟んで基板１００に対向している。基板１００の第１面１０２は凹凸１０６を有している。凹凸１０６は、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上である。また、粒子２０２の平均粒径は、凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さい。そのため凹凸１０６を平坦化することができる。なお、図１、及び後述する図２、図７、及び図８において、粒子２０２を見やすくするために、粒子２０２の平均粒径を凹凸１０６の間隔の平均値よりも大きくしている。
　凹凸１０６において、凹部の間隔は、例えば基板１００の断面における、凹部の最深部の間隔で定義することができ、また、凸部の間隔は、例えば基板１００の断面における凸部の頂点の間隔で定義することができる。また、粒子２０２の平均粒径は、例えば、発光装置１０の断面における粒子２０２の円相当径の平均値で定義することができる。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
　発光装置１０は、例えば照明装置やディスプレイである。発光装置１０が有する発光部１４０は、ボトムエミッション型の発光部であってもよいし、トップエミッション型の発光部であってもよいし、両面発光型の発光部であってもよい。
　発光部１４０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光部１４０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　基板１００の第１面１０２には、凹凸１０６が形成されている。凹凸１０６は、上記したように、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上である。
　ここで、発光部１４０が複数のピーク波長（発光スペクトルにおいて極大値を示す波長）を有している場合（例えば白色の光を発光する場合）、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も長い波長の１／２倍以上であるのが好ましい。また、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も短い波長以下であるのが好ましい。これらのようにすると、発光部１４０が有するすべてのピーク波長に対して、後述する散乱効果が得られる。特に好ましくは、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も長い波長の１／２倍以上かつ最も短い波長以下である。
　図１に示す例において、凹凸１０６の凹部または凸部は、ランダムに配置されている。この場合、凹凸１０６は、例えばウェットエッチング、ドライエッチング、又はサンドブラストなどを用いて形成される。このため、凹部の深さ（または凸部の高さ）はある程度のばらつきを有している。
　なお、図２に示すように、凹凸１０６の凹部または凸部は規則的に配置されていてもよい。この場合、凹凸１０６は、例えばマスクパターンを用いたエッチングにより形成され、また、マイクロレンズアレイ、ピラミッドアレイ、回折格子、又はモスアイ上の配置を有していてもよい。
　また、凹部(または凸部)の間隔の平均値は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上であるのが好ましい。
　発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。
　第１電極１１０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光透過性を有する透明電極である。例えば発光部１４０がボトムエミッション型の発光装置である場合、少なくとも第１電極１１０は透明電極である。一方、発光部１４０がトップエミッション型の発光装置である場合、第２電極１３０は透明電極である。また、発光部１４０が両面発光型である場合、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極である。
　透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
　第２電極１３０が透光性を有していない場合、第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、第１電極１１０は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。この場合、光散乱層２００に起因した第１電極１１０の凸凹によりプラズモン損失が低減し、その結果、光取出し効率は向上する。
　有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置しており、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。ただし、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方は形成されていなくてもよい。有機層１２０は、さらに他の層を有していてもよい。
　基板１００と第１電極１１０の間には、光散乱層２００が形成されている。光散乱層２００は、有機材料又は無機材料からなるバインダー（ベース材）に複数の粒子２０２を混ぜたものである。光散乱層２００は、発光部１４０が発光した光を散乱し、また、基板１００の第１面１０２の凹凸１０６を平坦化する。
　光散乱層２００のバインダーは、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。光散乱層２００のバインダーの屈折率は、例えば１．２以上２．２以下、好ましくは１．６以上１．９以下である。
　光散乱層２００の粒子２０２は、例えば無機材料からなる。粒子２０２を構成する材料は、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンなどの酸化物である。粒子２０２の平均粒径、例えば球相当径（直径）の平均値は、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下である。さらに詳細には、この平均値は、発光部１４０が発光する光のピーク波長よりも小さいのが好ましく、特にこのピーク波長の１／２倍以上１倍以下であるのが好ましい。例えば上記したピーク波長が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である場合、粒子２０２の球相当径（直径）の平均値は、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、粒子２０２の平均粒径は、凹凸１０６の凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さいのが好ましい。
　光散乱層２００の全体に対する粒子２０２の体積比率は、例えば２０％以上５０％以下である。この体積比率は、例えば基板１００の厚さ方向の断面において、光散乱層２００に対する粒子２０２の面積占有率で定義することができる。そして、粒子２０２の材料及びこの体積比率を調整することにより、光散乱層２００の屈折率を調整することができる。
　また、光散乱層２００と第１電極１１０の間には、絶縁層２１０が形成されている。絶縁層２１０は、発光部１４０を劣化させる成分（例えば基板１００がアルカリ含有ガラスの場合はアルカリ成分）が基板１００を介して発光部１４０に到達することを抑制する。絶縁層２１０は第１電極１１０に接している。絶縁層２１０を形成する材料は、例えばＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮなどの無機材料である。また絶縁層２１０の厚さは、粒子２０２の平均粒径よりも厚いのが好ましい。この場合、絶縁層２１０は光散乱層２００の平坦化層として機能する。なお、絶縁層２１０は形成されていなくてもよい。この場合、第１電極１１０は光散乱層２００と接している。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２に凹凸１０６を形成する。次いで、第１面１０２の上に光散乱層２００及び絶縁層２１０をこの順に形成する。光散乱層２００は、例えば塗布法を用いて形成することができる。絶縁層２１０は、例えばスパッタリング、又は化学気相蒸着（ＣＶＤ）を用いて形成することができる。次いで、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。
　本実施形態において、発光部１４０から発光した光は、光散乱層２００を透過する際に粒子２０２によって散乱する。また、光散乱層２００を透過した光は、基板１００に入射するときに、凹凸１０６によって散乱する。そして、図３を用いて後述するように、光散乱層２００における光の散乱の主要なメカニズムは、凹凸１０６における光の散乱の主要なメカニズムと異なる。このため、発光装置１０の光取り出し効率は向上する。
　図３は、光の波長（λ）に対する粒子（又は凹凸）の大きさの比と、光の散乱のメカニズムの関係を説明するための図である。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）に対して十分小さい（＜＜λ／２）とき、光はあまり散乱しない。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）の１／２の近くにあるとき、光の散乱はミー散乱が主体となり、散乱効果は最大になる。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）以上になると、光の散乱は幾何光学的な散乱が主体となる。
　ここで、凹凸１０６の凹部（又は凸部）の間隔はピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される。一方、粒子２０２の粒径の平均値はこの間隔よりも小さい。このため、光散乱層２００における光の散乱は、凹凸１０６における光の散乱よりも、ミー散乱による効果が大きくなる。言い換えると、光散乱層２００における光の散乱の主要なメカニズムは、凹凸１０６における光の散乱の主要なメカニズムと異なる。このため、発光装置１０の光取り出し効率は向上する。
　図４は、光散乱層２００における粒子２０２の体積含有率と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光は白色であるため、複数のピーク波長（４７０ｎｍ及び６１０ｎｍ）を有している。本図に示すように、粒子２０２の体積含有率が２０％以上５０％以下のとき（特に２５％以上４５％以下のとき）に、発光装置１０から出射する光は強くなる。
　図５は、光散乱層２００のバインダーの屈折率と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光の波長は図４と同様である。また、このシミュレーションにおいて、光散乱層２００の粒子２０２の平均粒径は３００ｎｍであった。本図に示すように、バインダーの屈折率が１．６以上１．９以下のときに、発光装置１０から出射する光は強くなる。
　図６は、粒子２０２の粒子径と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光の波長は図４と同様である。本図に示すように、粒子２０２の平均粒径が３００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のとき（特に６００ｎｍ以下のとき）に、発光装置１０から出射する光は強くなる。
（変形例１）
　図７は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置１０は、光散乱層２００と絶縁層２１０の間に絶縁層２２０を備えている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。絶縁層２２０は、光散乱層２００のバインダーと同じ材料によって形成されており、またその厚さは、３００ｎｍ以上３μｍ以下である。なお、絶縁層２２０の材料は、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。絶縁層２２０の厚さは、粒子２０２の平均粒径よりも厚いのが好ましい。絶縁層２２０は、例えば粒子２０２を含まない塗布材料を用いて、塗布法により形成される。絶縁層２２０を硬化させる工程と光散乱層２００を硬化させる工程は、同一工程で行われてもよい。この場合、光散乱層２００及び絶縁層２２０をこの順に塗布した後、これらの層を硬化する処理が行われる。
　本変形例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光の取出効率は向上する。また、光散乱層２００と絶縁層２１０の間に絶縁層２２０を有している。絶縁層２２０は光散乱層２００のバインダーと同じ材料によって形成されている。また、絶縁層２２０を設けたため、光散乱層２００に起因した凹凸は小さくなる（平坦化）。
（変形例２）
　図８は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置１０は、基板１００の第２面１０４に光機能層２３０を備える点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
　光機能層２３０は、例えば光取出フィルムやマイクロレンズなどの光機能フィルムであり、基板１００とは逆側の面に凸部（または凹部）を繰り返し有している。凸部の場合、この凸部は、例えば半球状である。凹部または凸部は、例えば正方格子または六方格子の格子点に配置されている。また、凸部の高さ／幅（又は直径）は、例えば０．４以上０．８以下である。凸部の幅（又は直径）は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。
　本変形例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光の取出効率は向上する。また、基板１００のうち光が射出する面である第２面１０４には光機能層２３０が設けられている。このため、発光装置１０の光の取出効率はさらに向上する。
　なお、変形例１に示した発光装置１０に光機能層２３０を設けてもよい。
　図９は、実施形態に係る発光装置１０の光取出効率及び変形例２に係る発光装置１０の光取出効率を、比較例とともに示した表である。この表において、光取出効率（出射する光の強度）は、比較例１に対する比で示されている。
　比較例１に係る発光装置１０は、図１に示した発光装置１０から、凹凸１０６及び光散乱層２００を取り除いた構造を有している。比較例２に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に光機能層２３０を設けた構造を有している。比較例３に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に規則的な凹凸１０６を設けた構造を有している。比較例４に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０にランダムな凹凸１０６を設けた構造を有している。比較例５に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に光散乱層２００を設けた構成を有している。
　比較例２、比較例３、比較例４、及び比較例５において、発光装置１０の光取出効率は、それぞれ、１．６、１．５、１．１、及び１．７であった。これに対し、実施形態及び変形例２において、光の取出効率はそれぞれ１．８、１．９であった。このように、実施形態に係る発光装置１０の光の取出効率は高いことが示された。
（実施例１）
　図１０は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図１１は図１０から第２電極１３０を取り除いた図である。図１２は図１１から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は、図１０のＡ－Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。
　詳細には、基板１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
　また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２のレイアウトは、本図に示す例に限定されない。
　基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
　有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
　そして、基板１００の第１面１０２には、凹凸１０６、光散乱層２００、及び絶縁層２１０が形成されている。なお、絶縁層２１０と光拡散層２００の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。また、基板１００の第２面１０４には、光機能層２３０が形成されていてもよい。
（実施例２）
　図１４は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１５は、図１４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１６は図１４のＢ－Ｂ断面図であり、図１７は図１４のＣ－Ｃ断面図であり、図１８は図１４のＤ－Ｄ断面図である。
　実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図１４におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図１４、及び図１６～図１８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示したとおりである。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　なお、図１６及び図１７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図１４、図１６～図１８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　そして、基板１００の第１面１０２には、光散乱層２００及び絶縁層２１０が形成されている。なお、絶縁層２１０と光拡散層２００の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。また、基板１００の第２面１０４には、光機能層２３０が形成されていてもよい。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００の第１面１０２に凹凸１０６を形成し、さらに第１面１０２に光散乱層２００及び絶縁層２１０を形成する。この際、絶縁層２１０と光散乱層２００の間に絶縁層２２０を形成してもよい。次いで、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
　次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (10)

  1. 　基板と、
    　前記基板の第１面に形成され、粒子を含む光散乱層と、
    　前記基板の前記第１面に形成され、前記光散乱層を挟んで前記基板に対向する発光部と、
    を備え、
    　前記基板の前記第１面は、前記発光部が発光する光のピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される凹部又は凸部を有し、
    　前記粒子の平均の粒径は前記間隔の平均値よりも小さい発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記粒子の平均の粒径は、前記ピーク波長の１／２倍以上１倍以下である発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記発光部が発光する光は複数のピーク波長を備え、
    　前記間隔は、前記複数のピーク波長の中で最も大きい波長の１／２以上である発光装置。
  4. 　請求項２又は３に記載の発光装置において、
    　前記粒子の平均の粒径は、前記複数のピーク波長の中で最も大きい波長の１／２倍以上であり、且つ、前記複数のピーク波長の中で最も小さい波長以下である発光装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記ピーク波長は４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下であり、
    　前記粒子の平均の粒径は３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である発光装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記発光部は、前記光散乱層側から順に、第１電極、有機層、及び第２電極を有し、
    　前記光散乱層と前記第１電極の間に、前記粒子の平均の粒径よりも厚い絶縁層を有する発光装置。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板の厚さ方向の断面において、前記光散乱層における前記粒子の面積占有率は２０％以上５０％以下である発光装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記光散乱層のバインダーを構成する物質の屈折率は１．６以上１．９以下である発光装置。
  9. 　請求項８に記載の発光装置において、
    　前記粒子を構成する物質は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンである発光装置。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板の前記第１面とは逆側の面である第２面に設けられた光機能層を備え、
    　前記光機能層は、前記基板とは逆側の面に凹部又は凸部を繰り返し有する発光装置。
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