JP2023060173A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光装置の光透過性が低下しないようにする。【解決手段】基板１００は透光性を有しており、発光部１４０は基板１００に形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。第２電極１３０は発光部１４０の外側まで延在している。そして、第２電極１３０のうち発光部１４０の外側に位置する部分の少なくとも端部は、酸化している。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び発光システムに関する。
近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。
有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。なお、特許文献１に記載の技術において、複数の第２電極の間には、画素を画定するために、透光性の絶縁膜が形成されている。特許文献１において、この絶縁膜の材料として、酸化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂などの樹脂材料が例示されている。
また、特許文献２には、第２電極を網目状にし、かつ、網目のピッチを規定することにより、発光装置を透過した像の視認性を向上させることが記載されている。
特開２０１１－２３３３６号公報 特開２０１４－１５４４０４号公報
発光装置に光透過性を持たせるためには、発光装置に第２電極を設けない領域を設定する必要がある。このためには、第２電極にパターンを持たせる必要がある。このパターンを形成する方法としては、例えば蒸着時にマスクを用いる方法などがある。しかし、第２電極のパターンを形成する際に、マスクと基板の隙間より蒸着材料が回り込み第２電極の端部が第２電極の外側に向けて広がり、その結果、第２電極を設けない領域が狭くなって発光装置の光透過性が低下する恐れが出てくる。
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の光透過性が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
第１の発明は、透光性の基板と、
前記基板の第１面に形成された発光部と、
を備え、
前記発光部は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記第２電極は前記発光部の外側まで延在し、かつ前記第２電極のうち前記発光部の外側に位置する部分の少なくとも端部は酸化している発光装置である。
第２の発明は、透光性の基板の上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の縁を覆い、発光部を画定する絶縁層を形成する工程と、
前記第１電極の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程と、
前記第２電極のうち前記発光部の外側に位置する部分の端部を酸化する工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
第３の発明は、空間を外部から仕切る透光性の仕切部材と、
前記仕切部材の前記空間側の面に配置された透光性の基板と、
前記基板に配置された発光部と、
を備え、
前記発光部は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記第２電極は前記発光部の外側まで延在し、かつ前記第２電極のうち前記発光部の外側に位置する部分の少なくとも端部は酸化している発光システムである。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図１の要部を拡大した図である。 発光装置の平面図である。 図２の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。 変形例１に係る発光装置の要部を説明するための断面図である。 変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。 変形例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。 図８から第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図８のＢ－Ｂ断面図である。 図８のＣ－Ｃ断面図である。 図８のＤ－Ｄ断面図である。 第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図１３の変形例を示す断面図である。 実施例１に係る発光システムの構成を示す断面図である。 実施例２に係る発光システムの構成を示す断面図である。 実施例３に係る発光システムの構成を示す断面図である。 図１７の変形例を示す断面図である。 実施例４に係る発光システムの構成を示す断面図である。 実施例５に係る発光システムの構成を示す断面図である。 実施例６に係る発光システムの構成を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図２は、図１の要部を拡大した図である。第１の実施形態に係る発光装置１０は、基板１００及び発光部１４０を備えている。基板１００は透光性を有しており、発光部１４０は基板１００の第１面１００ａに形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。第２電極１３０は発光部１４０の外側まで延在している。そして、第２電極１３０のうち発光部１４０の外側に位置する部分の少なくとも端部は、酸化している。以下、詳細に説明する。
発光装置１０はボトムエミッション型の照明装置であり、基板１００の第２面１００ｂから光が放射される。基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの可視光を透過する基板である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００が湾曲した状態で発光装置１０を使用することができる。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。なお、この無機バリア膜と基板１００の間に、平坦化層（例えば有機層）が設けられていてもよい。
基板１００の第１面１００ａには、発光部１４０が、第１の方向に沿って繰り返し設けられている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
第２電極１３０は、可視光を透過しない材料、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
また、第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。言い換えると、発光部１４０は、絶縁層１５０によって画定されている。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。絶縁層１５０は、例えば、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。
そして、第２電極１３０は発光部１４０の外側まで延在している。言い換えると、第２電極１３０の一部の下方には、第１電極１１０及び有機層１２０の積層構造が存在しない。本図に示す例において、第２電極１３０の端部は、絶縁層１５０の上に位置している。また、第２電極１３０の幅は第１電極１１０の幅よりも広くなっている。このため、第２電極１３０の端部は第１電極１１０と重なっていない。ただし、第２電極１３０の幅は第１電極１１０の幅よりも狭くてもよい。また、有機層１２０は、絶縁層１５０の側面及び上面を経由して、発光部１４０の外側まで延在している。
また、発光部１４０の隣には、透光領域１０４が設けられている。透光領域１０４は可視光を透過する領域である。詳細には、発光装置１０のうち第２電極１３０が形成されている領域は、遮光領域１０２となっている。そして透光領域１０４は、隣り合う遮光領域１０２の間（すなわち隣り合う発光部１４０の間）に設けられている。透光領域１０４は、第２電極１３０が設けられていない領域である。ただし、有機層１２０が透光性である場合は透光領域１０４に有機層１２０が設けられていてもよい。
そして、第２電極１３０のうち発光部１４０の外側に位置する部分の端部、例えば第２電極１３０のうち絶縁層１５０の上に位置する部分の端部は、酸化部１３６となっている。酸化部１３６は第２電極１３０が酸化した部分である。例えば第２電極１３０がアルミニウム又はアルミニウム合金によって形成されている場合、酸化部１３６は酸化アルミニウムを含んでいる。そして、酸化部１３６における可視光の透過率は、第２電極１３０の他の部分における可視光の透過率よりも高い。
図３は、発光装置１０の平面図である。なお、図１は図３のＡ－Ａ断面に対応している。本図に示す例において、遮光領域１０２、発光部１４０、及び透光領域１０４は、直線状（図３におけるｙ方向）に延在している。そして、発光部１４０が延在する方向に直交する方向（図３におけるｘ方向）に、遮光領域１０２及び透光領域１０４は交互に繰り返し設けられている。
なお、隣り合う発光部１４０の間の領域には、いずれも透光領域１０４が設けられているのが好ましい。ただし、いずれかの発光部１４０の間の領域において、透光領域１０４は設けられていなくてもよい。
図４は、図２の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示すように、絶縁層１５０の側面はなだらかに傾斜しており、有機層１２０もこの斜面に沿って形成されている。そして、絶縁層１５０の上面には、第２電極１３０及び酸化部１３６が位置している。酸化部１３６（すなわち第２電極１３０の端部）は第２電極１３０の他の部分よりも薄く、また、端に近づくにつれて徐々に薄くなっている。
なお、第２電極１３０の厚さ方向において、酸化部１３６の下方に酸化されていない第２電極１３０が残っていてもよい。例えば、図４に示す例において、酸化部１３６のうち第２電極１３０の中央側の端部は、厚さ方向において第２電極１３０の表層にのみ位置している。
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁層１５０を形成する。例えば絶縁層１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁層１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０を形成する。有機層１２０の各層は、蒸着法を用いて形成されてもよいし、塗布法を用いて形成されてもよい。
次いで、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えばマスクを用いた蒸着法を用いて形成される。この際、基板１００とマスクの隙間より蒸着材料が回り込み、第２電極１３０の端部が第２電極１３０の外側に向けて広がり、第２電極１３０が設計値よりも広くなることがある。そして、第２電極１３０の端部は第２電極１３０の他の部分と比べて薄くなる。
次いで、第２電極１３０のうち発光部１４０の外側に位置する部分の端部を酸化させる。これにより、酸化部１３６が形成される。この酸化処理は、例えば、酸素を含む雰囲気などの酸化雰囲気化で第２電極１３０の端部にレーザを照射することにより、行われる。
その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。
以上、第１の実施形態によれば、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。酸化部１３６は第２電極１３０と比較して可視光の透過率は高い。このため、第２電極１３０の端部が第２電極１３０の外側に向けて広がり、第２電極１３０が設計値よりも広くなっても、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
（変形例１）
図５は、変形例１に係る発光装置１０の要部を説明するための断面図であり、第１の実施形態における図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、酸化部１３６が第２電極１３０の表面の全体にわたって形成されている点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
詳細には、酸化部１３６は、第２電極１３０の表層を酸化雰囲気で処理することにより、形成されている。この際、第２電極１３０のうち表面から一定の深さまでの領域は酸化される。ここで、第２電極１３０の端部は、第２電極１３０の他の領域と比較して薄い。このため、厚さ方向で見た場合、第２電極１３０の端部の全体は、酸化部１３６となる。一方、第２電極１３０の他の部分は表層のみが酸化部１３６となり、少なくとも下層は金属層のままである。このため、第２電極１３０は高抵抗化しない。又、酸化部１３６の酸化を一括処理できるため工程の簡易化に寄与することができる。
なお、上記した酸化雰囲気は、例えばＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、及びＯ３の少なくとも一つを含んでいる。
本変形例によっても、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。このため、第１の実施形態と同様に、第２電極１３０の端部が第２電極１３０の外側に向けて広がり、第２電極１３０が設計値よりも広くなっても、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
また、第２電極１３０を酸化雰囲気中で処理する代わりに、第２電極１３０の全面にレーザを照射しても、図５に示した構造が得られる。またこの場合、実施形態と比較してレーザの照射位置を厳密に制御する必要がなくなるため、発光装置１０の製造工程を簡略化できる。
（変形例２）
図６は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、透光領域１０４にも有機層１２０が形成されている点を除いて、第１の実施形態又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。
本変形例においても、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。このため、第１の実施形態と同様に、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。また、透光領域１０４にも有機層１２０が形成されているため、複数の遮光領域１０２及び複数の透光領域１０４に有機層１２０を連続して形成することができる。このため、有機層１２０をパターンにする必要がなくなり、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。
（変形例３）
図７は、変形例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、導電部１７０を備える点を除いて、第１の実施形態又は変形例１，２に係る発光装置１０と同様の構成である。
導電部１７０は例えば第１電極１１０の補助電極であり、第１電極１１０に接触している。本図に示す例では、導電部１７０は第１電極１１０の上に形成されている。導電部１７０は第１電極１１０よりも抵抗値が低い材料によって形成されており、例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成されている。導電部１７０は、例えばＭｏ又はＭｏ合金などの第１金属層、Ａｌ又はＡｌ合金などの第２金属層、及びＭｏ又はＭｏ合金などの第３金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら３つの金属層のうち第２金属層が最も厚い。そして導電部１７０は、絶縁層１５０によって覆われている。このため、導電部１７０は有機層１２０及び第２電極１３０のいずれにも直接接続していない。
本変形例に係る発光装置１０の製造方法は、第１電極１１０を形成した後かつ絶縁層１５０を形成する前に、導電部１７０を形成する点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。導電部１７０は、例えば導電部１７０となる膜をスパッタリング法や蒸着法で形成した後、この膜をリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、形成される。ただし、導電部１７０は、マスクを用いたスパッタリング法を用いて形成されてもよい。
本変形例によっても、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。このため、第１の実施形態と同様に、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。また、導電部１７０が形成されているため、第１電極１１０の見かけ上の抵抗を低くすることができる。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図９は、図８から第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１０は図８のＢ－Ｂ断面図であり、図１１は図８のＣ－Ｃ断面図であり、図１２は図８のＤ－Ｄ断面図である。
本実施形態に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、複数の第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、複数の第２電極１３０、及び複数の引出配線１３４を有している。
第１電極１１０は、第１方向（図９におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導電部１７０が形成されている。導電部１７０の構成は、変形例３と同様である。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
絶縁層１５０は、図８、及び図１０～図１２に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図８におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図８におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図８におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図８におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導電部１７０が形成されている。導電部１７０の構成は、変形例３と同様である。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
第２電極１３０の縁は酸化されており、酸化部１３６となっている。酸化部１３６の詳細は、実施形態に示した通りである。そして、実施形態と同様に、隣り合う第２電極１３０の間が透光領域１０４となっており、かつ第２電極１３０と重なる領域が遮光領域１０２となっている。
本実施形態に係る発光装置１０の製造方法は、変形例３に係る発光装置１０の製造方法と同様である。
本実施形態によっても、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。このため、第１の実施形態と同様に、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
（第３の実施形態）
図１３は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図１に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、光散乱層１８０を有している点を除いて、上述した各実施形態及び各変形例のいずれかと同様の構成を有している。本図は、変形例３と同様の場合を示している。
光散乱層１８０は、基板１００の第２面１００ｂに設けられている。光散乱層１８０は、第２電極１３０の少なくとも端部（酸化部１３６）と重なっている。本図に示す例において、第２電極１３０の全体と重なっている。光散乱層１８０の端部は、第２電極１３０のうち絶縁層１５０の上に位置する部分と重なっている。すなわち、光散乱層１８０の大部分は透光領域１０４と重なっていない。なお、光散乱層１８０のすべてが透光領域１０４と重なっていなくてもよい。本図に示す例では、光散乱層１８０は発光部１４０にも重なっている。ただし、光散乱層１８０は発光部１４０と重なっていなくてもよい。
なお、図１４に示すように、光散乱層１８０の端部は、透光領域１０４のうち遮光領域１０２に近い部分に位置していてもよい。この場合、光散乱層１８０の端部から第２電極１３０の端までの距離ｗは、例えば透光領域１０４の１０％以下であるのが好ましい。
光散乱層１８０は、有機材料又は無機材料からなるバインダー（ベース材）に複数の粒子を混ぜたものである。ただし、光散乱層１８０の構成はこれに限定されない。
光散乱層１８０のバインダー（ベース材）は、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。光散乱層１８０のバインダーの屈折率は、例えば１．２以上２．２以下、好ましくは１．６以上１．９以下である。
光散乱層１８０の粒子は、例えば無機材料からなる。粒子を構成する材料は、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンなどの酸化物である。粒子の粒径、例えば球相当径（直径）の平均値は、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。粒子は、透光性又は光反射性の一方を有している。粒子が透光性を有している場合、粒子の屈折率は後述する接着層２００のバインダーの屈折率と異なる。
光散乱層１８０の全体に対する粒子の体積比率は、例えば２０％以上５０％以下である。この体積比率は、例えば基板１００の厚さ方向の断面において、光散乱層１８０に対する粒子の面積占有率で定義することができる。そして、粒子の材料及びこの体積比率（すなわち光散乱層１８０の粒子の含有率）を調整することにより、光散乱層１８０の屈折率を調整することができる。
本実施形態によっても、第２電極１３０の端部は酸化されて酸化部１３６になっている。このため、第１の実施形態と同様に、透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。また、光散乱層１８０は第２電極１３０の酸化部１３６と重なっている。従って、第２電極１３０の酸化部１３６を目立ちにくくすることができる。また、光散乱層１８０は発光部１４０と重なっている場合、発光装置１０の光取出効率は向上する。
（実施例１）
図１５は、実施例１に係る発光システムの構成を示す断面図である。この発光システムは、発光装置１０及び仕切部材２０を有している。仕切部材２０は透光性を有しており、空間を外部から仕切っている。この空間は、例えば人が滞在する空間、又は商品等のものが配置されている空間である。発光装置１０は、上記した実施形態及び変形例のいずれかと同様の構成を有している。本図に示す例において、基板１００のうち発光部１４０が設けられている側の面（第１面１００ａ）は、人が滞在する空間を向いている。
仕切部材２０は、例えば人が移動するための移動体３０の窓、又はショーケースの窓であり、ガラス又は透光性の樹脂を用いて形成されている。移動体３０は、例えば自動車、列車、又は飛行機である。移動体３０が自動車の場合、仕切部材２０はフロントガラス、リアガラス、又は座席の横に取り付けられた窓ガラス（例えばドアガラス）である。仕切部材２０がリアガラスの場合、複数の発光部１４０は例えばブレーキランプとして機能する。また、仕切部材２０がフロントガラス又はリアガラスの場合、複数の発光部１４０はターンランプであってもよい。また、仕切部材２０は、会議室などの部屋の内部と外部を仕切る窓であってもよい。発光部１４０の点灯／非点灯により、会議室を利用しているか否かを識別できる発光システムでも良い。
そして、発光装置１０の第２面１００ｂ、すなわち光取出側の面は、接着層２００を介して仕切部材２０の内面（第１面２２）に固定されている。このため、発光装置１０の発光部１４０から放射された光は、仕切部材２０を介して上記した空間（例えば移動体３０）の外部に放射される。一方、発光装置１０は光透過性を有している。このため、人は、仕切部材２０を介して空間の外部や内部を視認することができる。例えば移動体３０の内側に位置する人は、仕切部材２０を介して移動体３０の外部を視認することができる。なお、基板１００の第２面１００ｂの全面が接着層２００を介して仕切部材２０の第１面２２に固定されていてもよいし、第２面１００ｂの一部（例えば互いに対向する２辺）が仕切部材２０の第１面２２に固定されていてもよい。
接着層２００は発光装置１０を仕切部材２０に固定している。このような機能を果たす材料であれば、接着層２００の材料はとくに限定はされない。また、例えば仕切部材２０と基板１００がともにガラスで形成された場合など、仕切部材２０の屈折率と発光装置１０の基板１００の屈折率がほぼ同じ場合は、接着層２００には、両者と同じか近い屈折率を有する材料を用いる。また、仕切部材２０と基板１００とで屈折率とが異なる（例えば、仕切部材２０がプラスチックで形成され、基板１００がガラスで形成される）場合は、接着層２００の屈折率は仕切部材２０の屈折率と基板１００の屈折率の間の数値が好ましい。このようにすると、発光装置１０の発光を、仕切部材２０を介して外部へ効率よく光取り出しができる。また、発光装置１０と仕切部材２０とは隙間なく接着されるのが好ましい。隙間があると発光装置１０からの発光が仕切部材２０で反射され、その反射光が発光装置１０の透光領域１０４を介して内部に伝わるからである。
発光装置１０は、実施形態及び各変形例のいずれかに示した構成を有している。従って、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。また、第２電極１３０の酸化部１３６の可視光の透過率が９０％以下の場合、発光部１４０の光の一部が散乱又は反射した場合でも、散乱光や反射光が基板１００とは逆側（例えば移動体３０の内側）に放射されることを抑制できる。
（実施例２）
図１６は、実施例２に係る発光システムの構成を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、発光装置１０が仕切部材２０のうち移動体３０の外側の面（第２面２４）に取り付けられている点を除いて、実施例１に係る発光システムと同様の構成である。
本実施例に係る発光装置１０は、上記した実施形態及び各変形例のいずれかと同じ構成を有している。ただし、発光装置１０は、仕切部材２０とは逆側の面が光取出面となっている。このようにするためには、発光装置１０の第１面１００ａ側の面を仕切部材２０に対向させればよい。
本実施例によっても、実施例１と同様に、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
また、発光装置１０からの光は仕切部材２０を介さずに直接移動体３０の外部に放射される。このため、実施例１と比較して、移動体３０の外部にいる人は発光装置１０からの光を認識しやすい。また、移動体３０の外部すなわち仕切部材２０の第２面２４側に発光装置１０を取り付けているので、発光装置１０の発光が仕切部材２０で反射して移動体３０の内部へ入ることを抑制できる。
（実施例３）
図１７は、実施例３に係る発光システムの構成を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、固定部材２１０を用いて発光装置１０を仕切部材２０に固定している点を除いて、実施例１に係る発光システムと同様の構成である。
固定部材２１０は枠状の部材であり、下面が接着層２００を用いて仕切部材２０に固定されている。固定部材２１０の上部は固定部材２１０の内側に向けて折れ曲がっており、この折れ曲がっている部分で発光装置１０の縁を押さえている。ただし、固定部材２１０の形状は本図に示す例に限定されない。
本実施例によっても、実施例１と同様に、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
また、図１８に示すように、移動体３０の外側に向けて凸になる方向に仕切部材２０が湾曲している場合がある。このような場合において、平板上の発光装置１０を仕切部材２０の内面（第１面２２）に直接固定することは難しい。しかし、固定部材２１０を用いると、このような場合でも発光装置１０を仕切部材２０の第１面２２に固定することができる。
このような方法で湾曲する仕切部材２０と平板上の発光装置１０とを固定した場合、仕切部材２０と発光装置１０との間の隙間に充填剤を充填してもよい。前述の通り、隙間があると発光装置１０からの発光が仕切部材２０で反射され、その反射光が発光装置１０の透光領域１０４を介して内部に伝わるからである。仕切部材２０の屈折率と発光装置１０の基板１００の屈折率とが互いにほぼ同じ場合（例えば両者ともにガラスで形成されている場合）は、充填部材の屈折率は、これらの屈折率と同じか近い値であることが好ましい。また、仕切部材２０と基板１００とで屈折率とが異なる（例えば、仕切部材２０がプラスチックで形成され、基板１００がガラスで形成される）場合は、充填剤の屈折率は仕切部材２０の屈折率と発光装置１０の基板１００の屈折率の間の数値が好ましい。
（実施例４）
図１９は、実施例４に係る発光システムの構成を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、発光部１４０が仕切部材２０の第１面２２又は第２面２４に形成されている点を除いて、実施例１に係る発光システムと同様の構成である。言い換えると、本実施例において、仕切部材２０は実施例１における基板１００を兼ねている。
なお、本実施例において、仕切部材２０のうち発光部１４０が形成される面に凹部を形成し、この凹部内に発光部１４０を形成してもよい。例えば、複数の発光部１４０が形成される領域に一つの凹部を形成し、この凹部の底面に複数の発光部１４０を形成してもよいし、複数の発光部１４０のそれぞれに個別に凹部を形成してもよい。この場合、発光部１４０の封止は透過性の高い構成、例えば膜封止などによって、複数の凹部を一度に封止する構成であってもよい。凹部が発光部１４０に対して個別、または複数のいずれの場合においても、仕切部材２０から発光部１４０が突出することを抑制できる。なお、仕切部材２０の凹部に発光部１４０を形成する場合において、発光部１４０の上部は仕切部材２０の第１面２２（又は第２面２４）から突出していてもよいし、発光部１４０の全体が第１面２２（又は第２面２４）の下方に位置していてもよい。
本実施例によっても、実施例１と同様に、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
（実施例５）
図２０は、実施例５に係る発光システムの構成を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、仕切部材２０に複数の発光装置１０が取り付けられている点を除いて、上記した実施形態及び各変形例並びに実施例１～４のいずれかと同様の構成である。複数の発光装置１０は、互いに同一の制御信号に従って発光及び消灯が制御されていてもよいし、互いに異なる制御信号に従って発光及び消灯が制御されていてもよい。
本実施例によっても、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
（実施例６）
図２１は、実施例６に係る発光システムの構成を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、仕切部材２０の構成及び発光装置１０の位置を除いて、実施例１に係る発光システムと同様の構成である。
本実施例において、仕切部材２０は、複数枚の透光部材２１（例えばガラス板や樹脂板）を重ねた構成を有している。そして、発光装置１０は、隣り合う透光部材２１の間に挟まれることにより、仕切部材２０に取り付けられている。
本実施例によっても、発光装置１０の透光領域１０４が狭くなることを抑制できる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
この出願は、２０１５年２月２５日に出願された日本出願特願２０１５－０３５８２２号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (1)

  1. 透光性の基板と、
    前記基板の第１面に形成された発光部と、
    を備え、
    前記発光部は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
    前記第２電極は前記発光部の外側まで延在し、かつ前記第２電極のうち前記発光部の外側に位置する部分の少なくとも端部は酸化している発光装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018061117A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 パイオニア株式会社 発光システム
JP2018060600A (ja) 2016-09-30 2018-04-12 パイオニア株式会社 発光装置
JP6938131B2 (ja) * 2016-11-01 2021-09-22 パイオニア株式会社 発光素子及び発光システム
JP6847642B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-24 パイオニア株式会社 発光装置
KR20180061467A (ko) * 2016-11-28 2018-06-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 헤드 장착 전자 장치
US11335890B2 (en) * 2016-12-19 2022-05-17 Pioneer Corporation Light-emitting device and light-emitting system
WO2018143161A1 (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 パイオニア株式会社 光装置
JP6924589B2 (ja) * 2017-03-03 2021-08-25 パイオニア株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2018147802A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 パイオニア株式会社 発光装置
JP6947514B2 (ja) * 2017-03-08 2021-10-13 パイオニア株式会社 発光システム
JP7280985B2 (ja) * 2017-03-08 2023-05-24 パイオニア株式会社 発光装置
JP2019102147A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置と表示装置の製造方法
JP7428231B2 (ja) 2020-02-12 2024-02-06 株式会社デンソー レーダ装置
US20220045274A1 (en) * 2020-08-06 2022-02-10 Facebook Technologies Llc Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
TWI287312B (en) * 2003-05-28 2007-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
JP2005063839A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
JP2005183352A (ja) * 2003-11-24 2005-07-07 Toyota Industries Corp 照明装置
KR100624307B1 (ko) * 2005-02-23 2006-09-19 제일모직주식회사 표시장치용 저반사율의 휘도 향상 다층 광학필름 및 이를이용한 유기발광다이오드 표시장치
JP4816985B2 (ja) 2009-06-16 2011-11-16 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2011154795A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
KR20110101980A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP2012084371A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP5659677B2 (ja) * 2010-10-12 2015-01-28 大日本印刷株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ照明装置
KR101397110B1 (ko) * 2010-10-28 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
WO2013073301A1 (ja) * 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
CN102593149A (zh) * 2012-02-29 2012-07-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种双面oled显示器及其制造方法
JP2014150197A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
JP5584319B2 (ja) 2013-02-08 2014-09-03 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
KR102054819B1 (ko) * 2013-05-22 2019-12-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2015012155A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 東芝ライテック株式会社 発光パネル及び照明器具
KR101552768B1 (ko) * 2013-08-22 2015-09-14 한국과학기술원 사물 정보의 가상객체 생성을 위한 인스턴스 프로파일 스키마를 이용한 서비스 방법 및 시스템
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR102337889B1 (ko) * 2015-02-16 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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