JP5124436B2 - 有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイスの製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイスの製造装置に関する。

近年、有機化合物を用いて発光させる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｏｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を利用した有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬ素子は、自発光し、反応速度が速く、消費電力が低い等の特徴を有しているため、バックライトを必要とせず、例えば、携帯電話器の表示部等への応用が期待されている。

有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に形成され、有機層を陽極層（アノード）および陰極層（カソード）にてサンドイッチした構造をしていて、このうち有機層は、水分や酸素に弱く、水分や酸素が混入すると、特性が変化して非発光点（ダークスポット）が発生し、有機ＥＬ素子の寿命を縮める一因となる。このため、有機電子デバイスの製造において、外部の水分や酸素をデバイス内に透過させないように有機素子を封止することは非常に重要である。

そこで、特許文献１には、基板表面に組成傾斜を有するコーティング層を具備する発光デバイスが記載されている。これによれば、外部の環境要因に基づく劣化に対して頑強である可撓性の有機ＥＬデバイスを製造することが可能になる。

また、特許文献２には、外部からの水分や酸素の侵入を防止するためのガスバリア層を有する有機ＥＬカラー発光装置が記載されている。これによれば、有機発光層内部への水分や酸素の侵入が防止された有機ＥＬカラー発光装置が提供されることとなる。

従来より、上記特許文献１および２に代表されるように、有機ＥＬデバイスの有機層に対する封止技術として、ＣＶＤ法やスパッタ法によるシリコンナイトライド（ＳｉＮ）膜や炭素を含むＳｉＣＮ膜の適用が進められている。

特表２００５−５３７９６３号公報 ＷＯ２００６／００９０３９Ａ１

しかし、ＳｉＮ膜は、非常に緻密であり、耐透湿性や耐酸素性（以下、バリアー性とする）の面においては優れているものの、可視光領域での吸収が大きく、透明性に難があるため、厚膜化が困難であるという問題点があった。さらに、ＳｉＮ膜は、非常に緻密であるが故に、耐透湿性はＳｉＮ膜に劣るものの封止膜に用いられているＳｉＯ_２膜より応力が大きく、有機素子に密着させると有機素子に大きなストレスを与え、歪みや剥離の原因となる可能性があった。一方で、ＳｉＣＮ膜は、ＳｉＮ膜ほど可視光の吸収が大きくはないが、バリアー性の面でＳｉＮ膜に劣るという問題点があった。

そこで、本発明の目的は、バリアー性および透明性に優れた有機素子の封止膜を備える有機電子デバイスを提供するとともに、該有機電子デバイスの製造方法および製造装置を提供することにある。

本発明者は、種々の物質を薄膜化させ、そのバリアー性および透明性に基づきＳｉＮとＸＯをＸ−Ｏ結合を含む状態で混合させることで、十分なバリアー性と透明性を有する有機素子を覆う封止膜が得られることを知見した。（但し、Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属）

本発明によれば、被処理体上に形成された有機素子と、前記有機素子を覆う封止膜と、を備える有機電子デバイスであって、前記封止膜は、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜である、有機電子デバイスが提供される。但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。ここで、前記ＸはＡｌまたはＭｇであることが好ましい。かかる本発明では、ＳｉＮ膜の有するバリアー性（ガラス性）と、ＸＯ（例えばＡｌＯ）の有する透明性を兼ね備えた封止膜を有する有機電子デバイスが得られ、この有機電子デバイスは有機層への水分や酸素の混入が防止され、有機素子の特性変化による非発光点の発生および寿命の短縮が防止される。

また、前記有機素子および前記被処理体の露出部分と前記封止膜との間にカップリング剤による密着層が形成されていてもよい。これによれば、有機素子および被処理体の露出部分上に形成された密着層が接着剤となって、有機素子と封止膜との密着性を強化することができる。これにより、封止膜が有機素子から剥がれることを回避することができる。

また、前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成であり、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっていてもよい。かかる構成の本発明によれば、封止膜と密着層の接着におけるストレスの制御や、封止膜の熱伝導や表面荒さ等の特性の制御が可能となる。

また、前記有機素子は、複数の有機層が連続成膜された有機ＥＬ素子であってもよい。

別の観点からの本発明によれば、有機電子デバイスの製造方法であって、有機素子を被処理体上に形成し、前記有機素子を保護するための封止膜として、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜を形成する、有機素子デバイスの製造方法が提供される。但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。ここで、前記ＸはＡｌまたはＭｇであることが好ましい。また、前記有機素子および前記被処理体の露出部分と前記封止膜との間にカップリング剤による密着層を形成することとしてもよい。

また、前記ＳｉＸＯＮ膜は、Ｘ−Ｏ結合を有するガスとＳｉを有するガスとＮを有するガスとをマイクロ波のパワーにより励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて成膜されてもよく、また、前記ＳｉＸＯＮ膜は、Ｘ−Ｏ結合を有するガスとＳｉ−Ｎ結合を有するガスとをマイクロ波のパワーにより励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて成膜されてもよい。

前記ＳｉＸＯＮ膜は、マイクロ波プラズマ処理装置の処理室内の圧力が５０ｍＴｏｒｒ以下、同処理室内に供給されるマイクロ波のパワーが４ｗ／ｃｍ^２以上、同処理室内に載置される被処理体近傍の温度が１００℃以下の条件下で形成されてもよい。有機素子（例えば、有機ＥＬ素子）は温度に弱く、プロセス中の最高温度が１００℃以下でないと、有機ＥＬ素子にダメージを与えるからである。

また、前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成であり、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっていてもよい。

さらに、別の観点からの本発明によれば、有機電子デバイスの製造装置であって、有機素子を被処理体上に形成し、前記有機素子を保護するための封止膜として、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜を形成する、有機電子デバイスの製造装置が提供される。但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。

前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成であり、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっていてもよく、また、前記有機素子は、複数の有機層が連続成膜された有機ＥＬ素子であってもよい。

本発明によれば、バリアー性および透明性に優れた有機素子の封止膜を備える有機電子デバイス、該有機電子デバイスの製造方法および製造装置が提供される。特に該有機電子デバイスは、素子の上部から光を取り出すトップエミッション型の有機電子デバイスとして好適に用いられ、例えば、携帯電話器の表示部等への応用が可能となる。

以下、本発明の実施の形態の一例を、図面を参照にして説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、本明細書中１ｍＴｏｒｒは（１０^−３×１０１３２５／７６０）Ｐａ、１ｓｃｃｍは（１０^−６／６０）ｍ^３／ｓｅｃ、１Åは１０^−１０ｍとする。なお、以下に説明する本発明の実施の形態においては、Ａｌ−Ｏ結合を含むＳｉＡｌＯＮ膜を形成する場合について説明するが、例えば、Ｍｇ−Ｏ結合を含むＳｉＭｇＯＮ膜を形成するような、ＳｉＸＯＮ膜を形成する場合についても本発明は同様に実施される。但し、ここでＸは周期律表の第３周期に含まれる金属である。

まず、本発明の実施形態にかかる有機電子デバイスの製造方法について、その概略構成を示した図１を参照しながら説明する。なお、本実施の形態では、有機ＥＬ素子のデバイスについて、有機ＥＬ素子を封止する工程も含めて説明する。

（有機ＥＬ素子デバイスの製造方法）
図１（ａ）に示したように、ガラス基板Ｇ上には予め陽極層としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）１０が形成されていて、その表面をクリーニングした後、スパッタリングによりＩＴＯ（陽極）１０上に有機層１１が成膜される。

ついで、図１（ｂ）に示したように、スパッタリングによりパターンマスクを介して有機層１１上にターゲット原子（たとえば、ＡｇやＡｌ）が堆積することにより、メタル電極（陰極）１２が形成される。以下では、有機層１１およびメタル電極（陰極）１２を含めて有機ＥＬ素子という。

次に、図１（ｃ）に示したように、メタル電極１２をマスクとして、有機層１１がエッチングされる。その後、図１（ｄ）に示したように、有機ＥＬ素子およびガラス基板Ｇ（ＩＴＯ１０）の露出部分をクリーニングして、有機ＥＬ素子に吸着した物質（例えば有機物など）を取り除く（プリクリーニング）。

クリーニング後、図１（ｅ）に示したように、カップリング剤を用いてシリル化処理により極薄い密着層１３を形成する。カップリング剤としては、たとえば、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＴＭＳＰｙｒｏｌｅ（１−Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｐｙｒｏｌｅ）、ＢＳＴＦＡ（Ｎ，Ｏ−Ｂｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔａｍｉｄｅ）、ＢＤＭＡＤＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）が挙げられる。これらカップリング剤の化学構造を以下に示す。

密着層１３では、上記組成のカップリング剤ＨＭＤＳに含まれるＮＨ成分は反応性に富むため、何らかのエネルギーを与えることによってＮＨとＳｉとの結合が切れ、結合の切れたＳｉが下地の有機ＥＬ素子と化学結合することにより、有機ＥＬ素子と密着層１３とが強固に密着する。また、同様に密着層１３上に堆積させるＳｉＡｌＯＮ膜１４と密着層１３内の結合の切れたＳｉが化学結合することにより、ＳｉＡｌＯＮ膜１４と密着層１３とは強固に密着する。

以上から、有機ＥＬ素子とＳｉＡｌＯＮ膜１４と間に密着層１３を設け、密着層１３上にＳｉＡｌＯＮ膜１４を成長させることにより、密着層１３に含まれるＳｉの上記接着効果から有機ＥＬ素子とＳｉＡｌＯＮ膜１４との間の密着性を高め、これにより有機素子を保護することができる。なお、密着層１３は非常に薄い膜（モノレイヤー）であるため、たとえ、密着層１３に窒素が含有されていても有機ＥＬ素子１１の特性を変化させるほどには至らない。

次に、図１（ｆ）に示したように、封止膜であるＳｉＡｌＯＮ膜１４が形成される。ＳｉＡｌＯＮ膜１４は、マイクロ波プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。具体的には、マイクロ波のパワーにより例えばＡｌ（ｓｅｃ−ＯＣ_４Ｈ_９）_３等のＡｌ−Ｏ結合を含むガスと、ＳｉＨ_４等のＳｉを持ったガスおよびＮ_２やＮ_２Ｏ等のＮを有するガス（あるいは、例えばトリシリルアミン等のＳｉ−Ｎ結合を持ったガス）を励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて１００℃以下の低温で良質なＳｉＡｌＯＮ膜１４を形成する。有機ＥＬ素子は１００℃以上の高温になるとダメージを受けるので、ＳｉＡｌＯＮ膜１４は１００℃以下の低温プロセスで形成されることが望ましい。また、Ａｌを含むガスとしてＡｌ（ＣＨ_３）_３、Ｏを含むガスとしてＯ_２を用いることもできる。

以上に説明したように、本実施の形態では、ＳｉＡｌＯＮ膜１４からなる封止膜が有機素子（有機層１１およびメタル電極１２）に密着して有機素子を覆うように設けられる。これによれば、有機ＥＬ素子における封止膜として十分に優れた光学的透明性とバリアー性を有するＳｉＡｌＯＮ膜が封止膜として有機層を封止し、有機素子への水分や酸素の侵入を防止する。また、自発光する有機素子として十分な透明性が確保され、製品化等について十分な有用性が確保される。

本実施の形態では、ＳｉＡｌＯＮ膜１４を封止膜として用いているが、これは次のような理由による。即ち、従来用いられてきたＳｉＮ膜は非常に緻密であり封止性が高い。例えば、ＳｉＯ_２膜は水を通すのに対してＳｉＮ膜は水を通さないため、耐透湿性に優れている。しかしながら、ＳｉＮ膜は目視で薄黄色であるように、有機ＥＬに用いるには透明性の面で十分ではない。一方で、例えばＡｌ_２Ｏ_３等のＡｌＯ膜は、光学的に透明であるものの、薄膜化の際に結晶粒界が生じるため、有機ＥＬに用いるにはバリアー性の面で十分ではない。そこで、本発明者は、以下の表１に示される知見に基づき、このＡｌ膜の有する透明性の要因であるＡｌ−Ｏ結合を上記ＳｉＮ膜に導入することにより、透明性およびバリアー性に優れた薄膜を提供することとした。

また、本実施の形態において、より好ましくは、図１（ｆ）に示したＳｉＡｌＯＮ膜の形成時に、ＳｉＡｌＯＮ膜中のＡｌおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成となるように形成されることが望ましく、ＳｉＡｌＯＮ膜中のＡｌおよびＳｉの組成は、前記ＳｉＡｌＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＡｌＯＮ膜内部よりＳｉが多くＡｌが少ない組成となっていることがより望ましい。これは、膜中において、Ａｌの量が多いとＡｌ_２Ｏ_３の結晶が生じやすくなることから、封止膜表面においてＡｌの量を有機層側よりも相対的に減少させ、より結晶化しにくくすることで、封止膜表面の結晶化が抑制され、水分や酸素の侵入をより効果的に防止することが可能となるからである。さらに、膜中のＡｌとＳｉの組成を変化させることにより、封止膜のストレス制御や熱伝導、表面粗さの制御等が可能となる。

（基板処理システム）
次に、図１に示した一連のプロセスを実施するための基板処理システムについて、図２を参照しながら説明する。本実施形態にかかる基板処理システムＳｙｓは、複数の処理装置を有するクラスタ型の基板処理装置１および基板処理装置１を制御する制御装置２０を有している。

（基板処理装置１）
基板処理装置１０は、ロードロック室ＬＬＭ、搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）、クリーニング室ＣＭ（Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｍｏｄｕｌｅ）および５つのプロセスモジュールＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）１〜５から構成されている。

ロードロック室ＬＬＭは、大気系から搬送されたガラス基板Ｇを、減圧状態にある搬送室ＴＭに搬送するために内部を所定の減圧状態に保持した真空搬送室である。搬送室ＴＭには、その内部に屈伸および旋回可能な多関節状の搬送アームＡｒｍが配設されている。ガラス基板Ｇは、最初に、搬送アームＡｒｍを用いてロードロック室ＬＬＭからクリーニング室ＣＭに搬送され、ＩＴＯ表面をクリーニングした後、プロセスモジュールＰＭ１に搬送され、さらに、他のプロセスモジュールＰＭ２〜ＰＭ５に搬送される。クリーニング室ＣＭでは、ガラス基板Ｇに形成されたＩＴＯ（陽極層）の表面に付着した汚染物（主に有機物）を除去する。

５つのプロセスモジュールＰＭ１〜５では、まず、ＰＭ１にて蒸着によりガラス基板ＧのＩＴＯ表面に６層の有機層１１が連続成膜される。次に、ガラス基板ＧはＰＭ４に搬送され、スパッタリングによりメタル電極１２が形成される。

次に、ガラス基板ＧはＰＭ２に搬送され、有機層１１の一部がエッチングにより除去される。次に、ガラス基板Ｇはクリーニング室ＣＭまたはＰＭ３に搬送され、プロセス中にメタル電極１２や有機層１１の露出部分に付着した有機物を除去する。ついで、ガラス基板ＧはＰＭ５に搬送され、たとえば、ＨＭＤＳなどのシランカップリング剤を有機ＥＬ素子に蒸着させることにより密着層１３が形成される。

その後、ガラス基板ＧはＰＭ３にてマイクロ波プラズマＣＶＤによりＳｉＡｌＯＮ膜１４が形成される。

（制御装置２０）
制御装置２０は、基板処理システムＳｙｓの全体を制御するコンピュータである。具体的には、制御装置２０は、基板処理システムＳｙｓ内のガラス基板Ｇの搬送および基板処理装置１内部での実際のプロセスを制御する。制御装置２０は、ＲＯＭ２２ａ、ＲＡＭ２２ｂ、ＣＰＵ２４、バス２６、外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２８ａおよび内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２８ｂを有している。

ＲＯＭ２２ａには、制御装置２０にて実行される基本プログラムや、異常時に起動するプログラムや各ＰＭのプロセス手順が示されたレシピ等が記録されている。ＲＡＭ２２ｂには、各ＰＭでのプロセス条件を示すデータやプロセスを実行するための制御プログラムが蓄積されている。ＲＯＭ２２ａおよびＲＡＭ２２ｂは、記憶媒体の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスクなどであってもよい。

ＣＰＵ２４は、各種レシピにしたがって制御プログラムを実行することにより、ガラス基板Ｇ上に有機電子デバイスを製造するプロセスを制御する。バス２６は、各デバイス間でデータをやりとりする経路である。内部インタフェース２８ａは、データを入力し、必要なデータを図示しないモニタやスピーカ等に出力する。外部インタフェース２８ｂは、ネットワークを介して基板処理装置１との間でデータを送受信する。

たとえば、制御装置２０から駆動信号が送信されると、基板処理装置１では、指示されたガラス基板Ｇを搬送し、指示されたＰＭを駆動させ、必要なプロセスを制御するとともに、制御結果（応答信号）を制御装置２０に通知する。このようにして、制御装置２０（コンピュータ）は、ＲＯＭ２２ａやＲＡＭ２２ｂに記憶された制御プログラムを実行することにより、図１に示した有機ＥＬ素子（デバイス）の製造プロセスが遂行されるように基板処理システムＳｙｓを制御する。

次に、各ＰＭの内部構成および各ＰＭで実行される具体的処理について順に説明する。なお、エッチングおよびスパッタリングの各処理を実行するＰＭ２およびＰＭ４については、一般的な装置を用いればよく、その内部構成の説明は省略する。

（ＰＭ１：有機膜１１の蒸着処理）
図３にＰＭ１の縦断面を模式的に示したように、蒸着装置ＰＭ１は、第１の処理容器３０および第２の処理容器４０を有していて、第１の処理容器３０内にて６層の有機膜を連続成膜する。

第１の処理容器３０は直方体の形状であり、その内部に摺動機構３１、６つの吹き出し機構３２ａ〜３２ｆおよび７つの隔壁３３を有している。第１の処理容器３０の側壁には、開閉により室内の機密を保持しながらガラス基板Ｇを搬入、搬出可能なゲートバルブ３４が設けられている。

摺動機構３１は、ステージ３１ａ、支持体３１ｂおよびスライド機構３１ｃを有している。ステージ３１ａは、支持体３１ｂにより支持され、ゲートバルブ３４から搬入された基板Ｇを、図示しない高電圧電源から印加された高電圧により静電吸着する。スライド機構３１ｃは、第１の処理容器３０の天井部に装着されるとともに接地されていて、基板Ｇをステージ３１ａおよび支持体３１ｂとともに第１の処理容器３０の長手方向にスライドさせ、これにより、各吹き出し機構３２のわずか上空にて基板Ｇを平行移動させるようになっている。

６つの吹き出し機構３２ａ〜３２ｆは、形状および構造がすべて同一であって、互いに平行して等間隔に配置されている。吹き出し機構３２ａ〜３２ｆは、その内部が中空の矩形形状をしていて、その上部中央に設けられた開口から有機分子を吹き出すようになっている。吹き出し機構３２ａ〜３２ｆの下部は、第１の処理容器３０の底壁を貫通する連結管３５ａ〜３５ｆにそれぞれ連結されている。

各吹き出し機構３２の間には隔壁３３がそれぞれ設けられている。隔壁３３は、各吹き出し機構３２を仕切ることにより、各吹き出し機構３２の開口から吹き出される有機分子が混ざり合うことを防止する。

第２の処理容器４０には、形状および構造が同一の６つの蒸着源４１ａ〜４１ｆが内蔵されている。蒸着源４１ａ〜４１ｆは、収納部４１ａ１〜４１ｆ１に有機材料をそれぞれ収納していて、各収納部を２００〜５００℃程度の高温にすることにより各有機材料を気化させるようになっている。なお、気化とは、液体が気体に変わる現象だけでなく、固体が液体の状態を経ずに直接気体に変わる現象（すなわち、昇華）も含んでいる。

蒸着源４１ａ〜４１ｆは、その上部にて連結管３５ａ〜３５ｆにそれぞれ連結されている。各蒸着源４１にて気化された有機分子は、各連結管３５を高温に保つことにより、各連結管３５に付着することなく各連結管３５を通って各吹き出し機構１の開口から第１の処理容器３０の内部に放出される。なお、第１および第２の処理容器３０、４０は、その内部を所定の真空度に保持するために、図示しない排気機構により所望の真空度まで減圧されている。各連結管３５には、大気中にてバルブ４２ａ〜４２ｆがそれぞれ取り付けられていて、蒸着源４１内の空間と第１の処理容器の内部空間との遮断および連通を制御する。

ＣＭにて予めクリーニングされたガラス基板Ｇは、以上のように構成されたＰＭ１のゲートバルブ３４から搬入され、制御装置２０の制御に基づき吹き出し機構３２ａから吹き出し機構３２ｆに向かって各吹き出し口の上方を順に所定速度で進行する。ガラス基板Ｇには、各吹き出し口から順に吹き出された有機分子が蒸着し、これにより、たとえば、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層（ＲＧＢ）、電子輸送層からなる６層の有機層が順に形成される。ただし、図１（ａ）に示した有機層１１は６層でなくてもよい。

（ＰＭ４：メタル電極１２のスパッタリング処理）
次に、基板ＧはＰＭ４に搬送され、制御装置２０の制御に基づき処理容器内に供給されたガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマ中のイオンをターゲットに衝突させ（スパッタリング）、ターゲットから飛び出したターゲット原子Ａｇを有機層１１上に堆積させることにより、図１（ｂ）に示したメタル電極（陰極）１２を形成する。

（ＰＭ２：有機膜１１のエッチング処理）
次に、基板ＧはＰＭ２に搬送され、制御装置２０の制御に基づきエッチングガスを励起させることにより生成されたプラズマによりメタル電極１２をマスクとして有機層１１をドライエッチングする。これにより、図１（ｃ）に示したように有機層１１が形成される。

（ＰＭ３：プリクリーニング）
次に、ガラス基板Ｇは、制御装置２０の制御に基づきＣＭ又はＰＭ３に搬送され、アルゴンガスを励起させて生成したプラズマを用いて有機層１１の界面に付着した有機物を取り除く。

プリクリーニング時、マイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３の処理室内の圧力が１００〜８００ｍＴｏｒｒ以下、ガラス基板Ｇ近傍の温度（たとえば基板の表面温度）が１００℃以下の条件下において、所定量のアルゴンガス（不活性ガス）を供給しながら２〜４ｗ／ｃｍ^２のパワーのマイクロ波を１〜６０秒間投入することにより、ガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマにより有機層１１の界面に吸着した有機物を除去する。これにより、有機層１１の界面と保護膜との密着を良くすることができる。なお、アルゴンガスに対してその１〜１０％の水素を混合させた混合ガスを供給してもよい。

（ＰＭ６：密着層１３の形成）
次に、ガラス基板Ｇは制御装置２０の制御に基づきシリル化処理装置ＰＭ５に搬送され、シリル化処理が施される。図４にシリル化処理を実行するシリル化処理装置ＰＭ５の縦断面を模式的に示す。

シリル化処理装置ＰＭ５は、容器５０および蓋体５１を有している。容器５０の上部外周面には、内周側および外周側に第１のシールドリング５２がそれぞれ設けられている。また、蓋体５１の下部外周面には、内周側および外周側に第２のシールドリング５３がそれぞれ設けられている。蓋体５１により上部から容器５０に蓋をすると、第１のシールドリング５２と第２のシールドリング５３とが内周側および外周側にて密着し、さらに、第１のシールドリング５２と第２のシールドリング５３の間の空間を減圧することにより、気密に保持された処理室Ｕが形成される。

容器５０にはホットプレート５４が設けられている。ホットプレート５４の内部にはヒータ５４ａが埋設されていて、ヒータ５４ａにより処理室Ｕ内の温度は室温〜２００℃の範囲で調節される。ホットプレート５４の上面にはガラス基板Ｇを支持するピン５４ｂが昇降可能に設けられていて、基板の搬送を容易にするとともに基板の裏面の汚染を防止するようになっている。

ＨＭＤＳなどのシランカップリング剤は、気化器５５によって気化され、気化分子となりＮ_２ガスをキャリアガスとしてガス流路５６を通過し、ホットプレート５４の周囲から処理室Ｕ内の上方に供給される。シランカップリング剤の供給は電磁弁５７の開閉により制御される。蓋体５１の略中央には排気口５８が設けられていて、処理室Ｕに供給されたシランカップリング剤およびＮ_２ガスは、圧力調整装置５９および真空ポンプＰを用いて外部に排気される。なお、本装置の上下を逆にした状態で、シランカップリング剤を、Ｎ_２ガスをキャリアガスとしてホットプレート５４の周囲から処理室Ｕ内の下方に供給し、装置の底面に設けられた排気口５８から圧力調整装置５９および真空ポンプＰを用いて外部に排気するようにしてもよい。

このように構成されたシリル化処理装置ＰＭ５では、制御装置２０の制御に基づき、ホットプレート５４は５０〜９５℃の範囲の所定温度に制御され、気化器５５の温度が室温〜５０℃の範囲の所定温度に制御され、真空ポンプＰにより処理室内の圧力が０．５〜５Ｔｏｒｒになるように真空引きされる。この状態で、ホットプレート５４のピン５４ｂ上にガラス基板Ｇが載置され、シランカップリング剤の流量をたとえば０．１〜１．０（ｇ／ｍｉｎ）、Ｎ_２ガスの流量をたとえば１〜１０（ｌ／ｍｉｎ）に制御して供給しながら、クリーニング直後の有機ＥＬ素子上に３０〜１８０秒間シリル化処理を施す。これにより、ｉｎ−ｓｉｔｕｅで有機ＥＬ素子表面にカップリング剤によるモノレイヤーの密着層１３が形成される。なお、シリル化処理後、処理室内の残留ガス（たとえば、シランカップリング剤ＨＭＤＳから脱離したＮＨ）は真空ポンプＰにより外部に排気される。

（ＰＭ３：ＳｉＡｌＯＮ膜１４の成膜処理）
次に、ガラス基板Ｇは制御装置２０の制御に基づきマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３に搬送され、図１（ｆ）に示したように、密着層１３を挟んで有機ＥＬ素子を覆うようにＳｉＡｌＯＮ膜１４が成膜される。図５に成膜処理を実行するマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３の断面図を模式的に示す。

マイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３は、天井部が開口した有底直方形状の処理容器６０を有している。処理容器６０は、たとえばアルミニウム合金により形成され、接地されている。処理容器６０の底部中央にはガラス基板Ｇを載置する載置台６１が設けられている。載置台６１には、整合器６２を介して高周波電源６３が接続されていて、高周波電源６３から出力された高周波電力により処理容器６０の内部に所定のバイアス電圧を印加するようになっている。また、載置台６１には、コイル６４を介して高圧直流電源６５が接続されていて、高圧直流電源６５から出力された直流電圧によりガラス基板Ｇを静電吸着するようになっている。さらに、載置台６１の内部にはヒータ６６が埋設されている。ヒータ６６は交流電源６７に接続されていて，交流電源６７から出力された交流電圧によりガラス基板Ｇを所定の温度に保持する。

処理容器６０の天井部の開口は、石英などから形成された誘電体プレート６８により閉塞され、さらに、処理容器６０と誘電体プレート６８との間に設けられたＯリング６９により処理室内の気密性が保持されている。

誘電体プレート６８の上部にはラジアルラインスロットアンテナ７０（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ）が配設されている。ＲＬＳＡ７０は、下面が開口したアンテナ本体７０ａを有していて、そのアンテナ本体７０ａの下面開口には、低損失誘電体材料により形成された遅相板７０ｂを介して多数のスロットが形成されたスロット板７０ｃが設けられている。

ＲＬＳＡ７０は、同軸導波管７１を介して外部のマイクロ波発生器７２に接続されている。マイクロ波発生器７２から出力された、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、同軸導波管７１を介してＲＬＳＡ７０のアンテナ本体７０ａを伝搬し、遅相板７０ｂにて短波長化された後、スロット板７０ｃの各スロットに通され、円偏波しながら処理容器６０内部に供給される。

処理容器６０の上部側壁にはガスを供給するためのガス供給口７３が多数形成され、各ガス供給口７３は、ガスライン７４を介してアルゴンガス供給源７５に連通している。処理室の略中央には略平板状のガスシャワープレート７６が設けられている。ガスシャワープレート７６は、ガス管が互いに直交するように格子状に形成されている。各ガス管には載置台６１側にガス孔７６ａが等間隔に多数設けられている。ガスシャワープレート７６に連通されたＡｌ（ＣＨ_３）_３ガス、ＳｉＨ_４ガス、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガスを供給するガス供給源７７から供給された各ガスは、ガスシャワープレート７６のガス孔７６ａから均等にガラス基板Ｇに向けて放出される。

処理容器６０には、ガス排出管７８を介して排気装置７９が取り付けられていて、処理容器６０内のガスを排出することにより、処理室を所望の真空度まで減圧するようになっている。

このように構成されたマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３では、制御装置２０の制御に基づき、真空装置７９により処理室内の圧力が５０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波発生器７２から処理室内に供給されるマイクロ波のパワーが４ｗ／ｃｍ^２以上、同処理室内に載置されるガラス基板Ｇ近傍の温度（たとえば、基板表面温度）が１００℃以下に制御され、この状態で、上部からアルゴンガスを５〜５００ｓｃｃｍ供給し、ガスシャワープレート７６からシラン（ＳｉＨ_４）ガスを０．１〜１００ｓｃｃｍ供給する。ここで、窒素（Ｎ_２）ガスは、シランガスと窒素ガスの流量比を１：１００にして供給する。さらに、供給開始時においてＡｌ換算で１０ａｔｍ％のＡｌ（ＣＨ_３）_３ガスを供給する。ここで、Ｏ供給源として、Ｏ_２ガスを上記シランガスと窒素ガスの流量比１：１００に対して０．１〜１０として供給する（即ち、シランガス：窒素ガス：Ｏ_２ガスの流量比を１：１００：０．１〜１０として供給する）。これによれば、マイクロ波のパワーにより上記混合ガスが励起してプラズマが生成され、生成されたプラズマを用いて低温にてＳｉＡｌＯＮ膜１４が成膜される。なお、有機ＥＬ素子への影響を考慮すると、ガラス基板Ｇの表面温度は７０℃以下に制御する方がより好ましい。

また、成膜されるＳｉＡｌＯＮ膜１４の膜厚は生産性の観点および封止性の観点から１μｍ〜５μｍとすることが望ましい。ＳｉＡｌＯＮ膜１４の膜厚が５μｍ以上であると、成膜に時間がかかりすぎ、生産性が低下してしまう。一方、ＳｉＡｌＯＮ膜１４の膜厚が１μｍ未満であると、封止性が十分に確保されないためである。

なお、本実施の形態では、ＳｉＡｌＯＮ膜の成膜をＡｌ（ＣＨ_３）_３ガス、ＳｉＨ_４ガス、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガスをＰＭ３内に導入することで行うこととしているが、原料ガスはこれに限られるものではなく、例えば、Ａｌ供給源としてはＡｌ（ｓｅｃ−ＯＣ_４Ｈ_９）_３等を用いることが考えられ、また、Ｎ供給源としてはＮ_２ＯやＮＨ_３を用いることが考えられる。Ｎ供給源としてＮＨ_３を用いる場合には、シランガスとアンモニアガスの流量比を１：１〜２として供給し、さらにＯ供給源としてＯ_２ガスを用いる場合には、シランガスとアンモニアガスの流量比１：１〜２に対して０．１〜０．２として供給する（即ち、シランガス：アンモニアガス：Ｏ_２ガスの流量比を１：１〜２：０．１〜０．２として供給する）。ここで、以下に上記挙げた原料ガスの化学構造を示す。

また、Ａｌ（ＣＨ_３）_３ガスの供給およびＳｉＨ_４ガスの供給において、両者の供給量を供給開始時から変化させることで、成膜されるＳｉＡｌＯＮ膜１４における膜厚方向の組成を連続的に変化させることができる。以下に図６を参照して、各ガスの供給について説明する。

図６には、処理時間の経過に伴うＡｌ（ＣＨ_３）_３ガスの供給およびＳｉＨ_４ガスの供給量の推移をグラフ化したものである。本実施の形態においては、図６に示すようにＳｉＡｌＯＮ膜１４の成膜工程の初期においてはＡｌ（ＣＨ_３）_３ガスの供給量をＡｌ換算で１０ａｔｍ％とし、処理時間の経過と共にその供給量を連続的に減少させる。一方、ＳｉＨ_４ガスの供給量は成膜処理初期にはほとんど供給せず、処理時間の経過と共にその供給量を連続的に増加させる。ＳｉＡｌＯＮ膜１４の形成は有機層１１に近い側（密着層１３に接する側）から実行されていくため、上記供給方法でもって各ガスを供給すると、有機層１１側より封止膜表面側に対し、膜厚方向に組成傾斜が発現する事となる。この組成傾斜は封止膜表面方向にいくに連れＡｌが少なくＳｉが多い組成傾斜となる。なお、ここでＯ_２ガス供給量（図示せず）は、流量を変化させてもよく、一定としてもよい。

Ａｌは、結晶化しやすい傾向にあり、封止膜表面にＡｌが多く存在すると、封止膜表面に結晶粒界が生じるため、水分や酸素の防止ができず、有機層のバリアーとしての封止膜の役割が果たせなくなる可能性がある。そこで、ＳｉＡｌＯＮ膜内に上記組成傾斜を発現させることで封止膜を表面に結晶粒界の生じないアモルファス状の膜とすることが可能となる。

このように、本実施の形態にかかる有機電子デバイスの製造方法によれば、有機ＥＬ素子を保護するために必要な（１）物理的衝撃から素子を充分に保護すること、（２）成膜温度が低いこと、（３）水分や酸素を透過させないこと、（４）膜のストレス制御、熱伝導の制御、表面荒さの制御が可能であること、（５）光学的に透明であること、のすべての要求を満たしたバランスの良い封止膜を形成することができる。この結果、本実施の形態の封止膜によって、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護し水分や酸素の透過によって有機ＥＬ素子の発光強度や寿命などを劣化させることなく、また、光学的に透明であり自発光する有機ＥＬ素子の発光を妨げないような有機電子デバイスが得られることとなる。

なお、上記表１に示したように、スパッタリングを用いて成膜した各種の膜の耐透湿性と透明性を比較すると、Ａｌ−Ｏ結合を持つＳｉＡｌＯ膜は透明であり、かつその耐透湿性はかなり高いことが分かる。例えば、封止対象が有機ＥＬ素子である場合、その封止膜に求められる耐透湿性は１０^−５ｇ／ｍ^２ｄａｙ程度が好ましいとされる。

スパッタリングを用いて例えばＳｉＡｌＯＮ膜１４を成膜する場合、高い電子温度のプラズマを用いて成膜を行うため、膜へのダメージが大きいことや、スパッタリングではドライクリーニングを行うことができないため、パーティクルが多くなり、欠陥の多い膜となってしまうことなどから、例えば有機ＥＬ素子の封止膜として求められるだけの封止性を備えたＳｉＡｌＯＮ膜１４を成膜することは困難である。

また、従来の平行平板型プラズマＣＶＤ処理装置のプラズマ電子温度は、最大で１０ｅＶもの高い電子温度となる。このような強いエネルギーを与えてＳｉＡｌＯＮ膜１４の成膜を行う場合、ＳｉＡｌＯＮ膜１４内においてＡｌとＯとが結晶化し、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）の粒となり、ＳｉＡｌＯＮ膜１４の耐透湿性および透明性に影響を与える恐れがある。また、高い電子温度のプラズマは封止膜（ＳｉＡｌＯＮ膜１４）下層の有機層へダメージを与えるため、有機ＥＬ素子の発光性能等に影響を及ぼす可能性が高い。さらに、高いプラズマ電子温度のもとでは、成膜に使用されるガスが過剰に解離されてしまうため、Ａｌ−Ｏ結合を１０atm％程度含有した封止膜を成膜することは困難である。

そこで、本実施の形態においては、マイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３として、低電子温度を１つの特徴とするＲＬＳＡ型マイクロ波プラズマＣＶＤ処理装置を用いてＳｉＡｌＯＮ膜１４を成膜することとしている。ＲＬＳＡ型マイクロ波プラズマＣＶＤ処理装置の処理空間は、プラズマを生成するプラズマ励起領域と基板を処理する拡散プラズマ領域に分けられ、拡散プラズマ領域でのプラズマの電子温度は、１ｅＶ程度と低い。このため、封止膜下層の有機層へのダメージに起因する欠陥や主に処理容器内壁から発生する不純物を抑制し、より良質な膜を成膜することができる。特に、成膜に用いるガスとしてＡｌ（ｓｅｃ−ＯＣ_４Ｈ_９）_３を用いる場合、低い電子温度のプラズマを用いるため、Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ_４Ｈ_９）_３ガス中のＡｌ−Ｏ結合を過剰解離させることなく、基板上に堆積させることができ、Ａｌ−Ｏ結合を１０atm％程度含有し、透明性と耐透湿性（封止性）を兼備したＳｉＡｌＯＮ膜１４を成膜することができる。

以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

上記実施の形態においては、Ａｌ−Ｏ結合を含むＳｉＡｌＯＮ膜を封止膜として形成させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、周期律表の第３周期に含まれる金属であるＸとＯの結合であるＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜を封止膜として形成することとしている。例えば、成膜に用いるガスとして、ＭｇＥｔＣｐ_２やＭｇＭｅＣｐ_２といったＭｇ（マグネシウム）を含む有機金属化合物ガスとＳｉＨ_４ガス、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガスを用いることによってＳｉＭｇＯＮ膜を封止膜として形成することとしてもよい。このＳｉＭｇＯＮ膜は上記実施の形態にかかるＳｉＡｌＯＮ膜と同様の耐透湿性・透明性を有するため、例えば有機ＥＬ素子の封止膜としてＳｉＡｌＯＮ膜と同様の効果が期待できる。また、ＭｇはＡｌよりも酸化されやすい性質であるため、Ｍｇ−Ｏ結合はＡｌ−Ｏ結合よりも容易に作ることができるという利点もある。なお、ここでＥｔはエトキシ基、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、Ｍｅはメチル基である。

また、例えば、本発明にかかる封止膜は、有機ＥＬ素子の封止膜に限られず、たとえば、成膜材料に主に液体の有機金属を用い、気化させた成膜材料を５００〜７００℃に加熱された被処理体上で分解させることにより、被処理体上に薄膜を成長させるＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）により形成された有機金属素子を封止するために使用することもできる。さらに、本発明にかかる封止膜は、有機トランジスタ、有機ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機太陽電池などの有機素子や、液晶ディスプレイの駆動系に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の有機電子デバイスを封止するために使用することもできる。

また、本発明にかかる保護膜の成膜装置としては、上述した複数のスロットを備えた平面アンテナを有するＲＬＳＡ型マイクロ波プラズマＣＶＤ処理装置であってもよいが、これに限られることはない。例えば、複数の誘電体板が処理容器の天井面にタイル状に形成され、各誘電体板上に設けられたスロットを介して各誘電体板を透過したマイクロ波のパワーにより処理室内にてガスをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理するＣＭＥＰ（Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｍｉｃｒｏ−ｗａｖｅ Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ Ｐｌａｓｍａ）装置を使用することもできる。また、複数の誘電体板が処理容器の天井面にタイル状に形成され、各誘電体の処理容器に面する側に設けられた金属板と処理容器内のプラズマ間を伝播するようにマイクロ波を導入し、基板を処理するＭＳＥＰ（Ｍｅｔａｌ Ｓｕｒｆａｃｅｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）装置を使用することもできる。

本発明は、有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイスの製造装置に適用できる。

本発明の実施の形態にかかるデバイスの製造工程を示した図である。 本発明の実施の形態にかかる基板処理システムを示した図である。 実施の形態にかかる蒸着装置の縦断面図である。 実施の形態にかかるシリル化処理装置の縦断面図である。 実施の形態にかかるＲＬＳＡ型マイクロ波プラズマ処理装置の縦断面図である。 処理時間の経過に伴うＡｌ（ＣＨ_３）_３ガスの供給およびＳｉＨ_４ガスの供給量の推移をグラフ化したものである。

符号の説明

１…基板処理装置
１０…ＩＴＯ
１１…有機層
１２…メタル電極
１３…密着層
１４…ＳｉＡｌＯＮ膜
２０…制御装置
Ｇ…ガラス基板
Ｓｙｓ…基板処理システム

Claims (19)

1. 被処理体上に形成された有機素子と、
   前記有機素子を覆う封止膜と、を備える有機電子デバイスであって、
   前記封止膜は、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜である、有機電子デバイス。
   但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。
2. 前記ＸはＡｌまたはＭｇである、請求項１に記載の有機電子デバイス。
3. 前記有機素子および前記被処理体の露出部分と前記封止膜との間にカップリング剤による密着層が形成される、請求項１または２に記載の有機電子デバイス。
4. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成である、請求項１〜３のいずれかに記載の有機電子デバイス。
5. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっている、請求項４に記載の有機電子デバイス。
6. 前記有機素子は、複数の有機層が連続成膜された有機ＥＬ素子である、請求項１〜５のいずれかに記載の有機電子デバイス。
7. 有機電子デバイスの製造方法であって、
   有機素子を被処理体上に形成し、
   前記有機素子を保護するための封止膜として、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜を形成する、有機素子デバイスの製造方法。
   但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。
8. 前記ＸはＡｌまたはＭｇである、請求項７に記載の有機デバイスの製造方法。
9. 前記有機素子および前記被処理体の露出部分と前記封止膜との間にカップリング剤による密着層を形成する、請求項７または８に記載の有機素子デバイスの製造方法。
10. 前記ＳｉＸＯＮ膜は、
    Ｘ−Ｏ結合を有するガスとＳｉを有するガスとＮを有するガスとをマイクロ波のパワーにより励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて成膜される、請求項７〜９のいずれかに記載の有機素子デバイスの製造方法。
11. 前記ＳｉＸＯＮ膜は、
    Ｘ−Ｏ結合を有するガスとＳｉ−Ｎ結合を有するガスとをマイクロ波のパワーにより励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて成膜される、請求項７〜９のいずれかに記載の有機素子デバイスの製造方法。
12. 前記ＳｉＸＯＮ膜は、
    マイクロ波プラズマ処理装置の処理室内の圧力が５０ｍＴｏｒｒ以下、同処理室内に供給されるマイクロ波のパワーが４ｗ／ｃｍ^２以上、同処理室内に載置される被処理体近傍の温度が１００℃以下の条件下で形成される、請求項１０または１１に記載の有機素子デバイスの製造方法。
13. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的に変化する傾斜組成である、請求項７〜１２のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
14. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっている、請求項１３に記載の有機電子デバイスの製造方法。
15. 有機電子デバイスの製造装置であって、
    有機素子を被処理体上に形成し、
    前記有機素子を保護するための封止膜として、Ｘ換算で１０atm％以下のＸ−Ｏ結合を含むＳｉＸＯＮ膜を形成する、有機電子デバイスの製造装置。
    但し、前記Ｘは周期律表の第３周期に含まれる金属である。
16. 前記ＸはＡｌまたはＭｇである、請求項１５に記載の有機デバイスの製造装置。
17. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＸおよびＳｉの組成は、膜厚方向において連続的な傾斜組成である、請求項１５または１６に記載の有機電子デバイスの製造装置。
18. 前記ＳｉＸＯＮ膜中のＡｌおよびＳｉの組成は、前記ＳｉＸＯＮ膜表面のほうが、前記ＳｉＸＯＮ膜内部よりＳｉが多くＸが少ない組成となっている、請求項１７に記載の有機電子デバイスの製造装置。
19. 前記有機素子は、複数の有機層が連続成膜された有機ＥＬ素子である、請求項１５〜１８のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造装置。
    

Images