TW200524046A - Vaporizer for CVD, solution voporizing CVD system and voporization method for CVD - Google Patents

Description

200524046 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於CVD用氣化器、溶液氣化式CVD裝置以 及CVD用氣化方法，特別是有關於抑制溶液配管等阻塞而長 時間連續使用的CVD用氣化器、CVD用氣化方法以及使用上 述CVD用氣化器的溶液氣化式CVD裝置。 【先前技術】 從19 70年左右，半導體產業導入化學氣相沈積 CVD(chemical vapor deposition)的技術，此技術在形成薄 膜材料時，將氣體狀態的反應材料流入反應器，而引起化學 反f，並且在矽等半導體基底上形成各種組成的薄膜材料。 但，，如果無法製備氣體狀的反應材料，則無法以cVD法形 成薄膜，而成為CVD技術上門檻。 1 987年IEDMW.I. KINNEY等人發表利用強介電常數材料 (等）的分極現象，以製作高速非揮發性記憶體的技 ί。ΐ時ί於無法製造出含有Zr、Sr、Bi #氣體狀化學原 料，所以無法利用CVD法製作高介電常數材料PZT、sbt等 ί = 採用與形成光阻薄膜相同的製程之溶液塗 薄膜(4。。，-)對於高度落差的塗覆性不：=J = ( 1 50-40nm)穿孔增加而電性絕緣性降低的 化U00-5-)的高介電常數材料FeRA 吏薄： 須使用CVD法製作高品質高介電常數體薄膜的用化乂 =92年京都大學工學部的鹽崎助教授向學會發 界上第-次利帛CVD法製作冑介電常數體薄 此時，鹽崎助教授採用的CVD裝m= ^ 以氣體化的方法。 屐置使用將固體化學原料昇華 然，’使固體化學原料昇華而氣體化的方法 問題。由：使固體化學原料昇華時的昇華速；有2 :增加反f物質的流量，再者，反應物質的流量控 、’所以薄膜的沈積速度小，且再現性不佳。再者：使用加 2170-6766-PF;Jessica 5 200524046 熱至25 0°C的配管以昇華化學原料，反應爐的運作上有困難。 本發明者由於進一步研究鹽崎助教授發表的技術，受到 鹽崎助教授的支援，且購入與鹽崎助教授同樣的裝置，進行 沈積試驗二然而，開始運轉後不久高溫配管立即阻塞。修理 後不久，高溫配管部又立即出現異常的過熱。如上所述^經 驗得到的結論為，想在中間設置有複數個閥的細長（1/4吋外 形、長度lmx數根）不鏽鋼配管，平均地加熱至25〇± 5艺左 右的高溫，是極為困難的技術。 本發明者由上述經驗得到昇華式CVD裝置難以實用化的 結論。因此，利用溶液氣化式（所謂flash CVD法），沈積高 介電常數材料SBT的高品質薄膜是世界上第一次成功。此發 表於國際學會 ISIF’ 96,(Performance of SrBi2Ta2〇9 thin films Grown by chemical vapor deposition for nonvolatile memory Application” · C· Isobe， H· Yam〇t〇, H yagi et al, 9thlnternational Symposium on Integrated Ferroelectrics· Mar_ 1 996)，證實了世界上第一攻萬读非 揮發性記憶FeRAM-LSI商品化的可能性。第 间速非 將固體材料溶解於溶媒以製作溶液，然後在高溫將此溶 液氣體化，而製作SBT薄膜合成反應必要氣體的氣化器，當 時是採用美國製的ATMI製。然而，此氣化器在十個多小時 内就發生阻塞，所以無法用在量產用的CVD裝置氣化器。因 此，為了安定地沈積高品質SBT薄膜，在1996年本發明者 向島津製作所-吉岡氏或山形大學—工學部-物質工學科一都 田教授委託南性此〉谷液供給控制系統與高性能氣化器的開 發與製造。然而，開發的供給裝置（溶液供給控制裝置）具有 以下的問題，而無法安定地沈積SBT薄膜。再者，此裝置、(溶 液供給控制裝置與氣化器）己揭露於專利文獻1 (特開 2000-216150號）以及專利文獻2(特開2002-105646)。 合成SBT薄膜的反應物質可採用Sr(DPM)2、BiPhs、

Ta(0Et)s、Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2、Bi(〇tAm)3、Bi(MMP)3 等’特別是使用 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 + Bi(MMP)3 的話， 可以在32(TC至42(TC的低溫下高速沈積（5 —1〇〇nm/Dlin)，形 成表現良好高度落差塗覆性與良好電性特性的高品質SBT薄 2170-6766-PF；Jessica 6 200524046 膜。但是，上述裝置使用 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)；[2 + Bi(MMP)3 當作反應氣體，裝置短時間内就會阻塞。考究其原因在於， Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 + Bi(MMP)3 的溶液在室溫下混合的 話 ’ Sr [Ta(OEt)5(OC2H4〇Me) ]2 與 Bi (MMP)3 會反應而溶解度變 小且被合成為難以昇華的物質，所以阻塞流過溶液的流動路 徑或氣化管的前端。以下詳細地說明這些現象。 第 11 圖為 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 的 TG CHART(Ar 760/1 0Torr，〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為 760Torr 、流量為1 〇〇ml/分的氬氣環境下，將

Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 試料以 l〇°C/分的昇溫速度從 30°C 加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線ι〇1;壓力為 lOTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上述試料以1(rc /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的 變化曲線102 ;以及壓力為760T〇rr、流量為100ml/分的氧 氣環境下’將上述試料以1 〇。〇 /分的昇溫速度從3 〇 °c加熱到 6 0 0 C進行昇溫時試料重量的變化曲線1 〇 3。從此圖顯示， Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2在氬氣環境、壓力為 1〇T〇rr、及大 約220°C時完全地昇華。 第 12 圖為 Bi(0tAm)3 的 TG CHART(Ar 760/10Torr，〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為76〇T〇rr、流量為 100ml /分的氬氣環境下，將Bi(〇tAm)3試料以i〇°c/分的^ 溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線 111 ;壓力為lOTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上 述试料以1 0 C /分的幵溫速度從3 〇 °c加熱到6 0 0 °C進行昇溫 時試料重量的變化曲線112 ;以及壓力為760T〇rr、流量為 100ml/分的氧氣環境下，將上述試料以1(rc/分的昇溫速度 從30°C加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線113。 從此圖顯示，Bi(OtAm)3在氬氣環境、壓力為1〇T〇r]f、及大 約130°C時昇華了 98%。 第 13 圖為 Bi(MMP)3 的 TG CHART(Ar 760/10Torr，〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為76〇T〇rr、流量為 1 00m 1 /分的氬氣環境下，將Bi (ΜΜΡ)3試料以1 〇。〇 /分的昇溫 速度從30°C加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線 2170-6766-PF;Jessica 7 200524046 121 ,壓力為i〇T〇rr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上 述試料以10°C/分的昇溫速度從3〇〇c加熱到6〇〇它進行昇溫 時试料重篁的變化曲線122 ;以及壓力為76OTorr、流量為 100ml。/分的氧氣環境下，將上述試料以1〇〇c/分的昇溫速度 從30 C加熱到60(TC進行昇溫時試料重量的變化曲線I”。 從此圖顯示，Bi(MMP)3在氬氣環境、壓力為1〇T〇rr、及大約 150C時完全昇華。 第 14 圖為 Bi(0tAm)3/Sr[Ta(0Et)6]2 混合體的 TG CHAIiTUr 76 0/1 OTorr，〇2 76 0Torr)的示意圖。此圖顯示在壓 力為760Torr、流量為i〇0ml/分的氬氣環境下，將 Bi (Otjmh/Sr [Ta(OEt)6]2混合體試料以丨〇它/分的昇溫速度 從3 0、°C加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線ι31 ; ，；^為lOTorr、以及壓力為760Torr、流量為100ml/分的氧 氣气境下’將上述試料以1 〇 °c /分的昇溫速度從3 〇 t加熱到 6 0 0 C進行昇溫時試料重量的變化曲線1 3 3。從此圖顯示， Bi(0tAm)3/Sr[Ta(0Et)6]2混合體在氬氣環境、壓力為 lOTorr，而加熱至300°C以上時僅昇華了 go%。 •以上的數據可得知，Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2在與 Bi (OtAm)3單獨存在時，昇華了大約ι〇〇%，但是如果混合在 一起，即使在氬氣的環境下加熱至3〇 〇t：以上，也僅昇華了 大約80%左右。此不良的昇華特性是造成氣化器阻塞的原因。 、昇華特性不良的原因可以從第15圖所示的NMR(H的核 磁共振）特性得知。如果Bi(0tAm)3與Sr[Ta(〇Et)6]2混合的 話’可觀察到新的NMR特性，此表示有新的化合物被形成。 第 16 圖為 Bi(MMP)3/Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 混合體的 TG CHARTUr 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為 760Torr 、流量為100ml/分的氬氣環境下，將 Bi (MMP)3/Sr [Ta(OEt)5(OC2H4〇Me) ]2 混合體試料以 1 〇。〇 / 分的 昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0。(：進行昇溫時試料重量的變化曲 線三從此圖顯示，Bi(MMP)3/Sr[Ta(0Et)5(0C2H40Me)]2 混合體 在氬氣環境也僅昇華了 80%。 ^ 17 圖為 BiPh3 的 TG CHART(Ar 760/1 0Torr，〇2 76 0Torr) 的不意圖。此圖顯示在壓力為76 〇Torr、流量為l〇〇ml/分的 2170-6766-PF；Jessica 〇 2Θ0524046 孰&ι 'η兄nrt tlPh3試料以1〇°C /分的昇溫速度從30°c加 ^ 、味旦订昇溫時試料重量的變化曲線141 ;壓力為 /、里為5 〇m 1 /分的氬氣環境下，將上述試料以1 〇°C ^度從3〇°C加熱到^⑽艺進行昇溫時試料重量的 # s 、、’ ，以及壓力為760T〇rr、流量為i〇〇mi/分的氧 將上述試料以1〇°C/分的昇溫速度從30〇c加熱到 6 0 0 C進仃幵溫時試料重量的變化曲線143。從此圖顯示， BiPhs在大約200°c時1〇〇%昇華。 第 18 圖為 BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2 混合體的 TG CHART(Ar 7胃6 0, 〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為760T〇rr、流 量為」00ml/分的氬氣環境下，將BiPh3/Sr[Ta(〇Et)6]2混合 體的试料以1 〇 °c /分的昇溫速度從3 〇加熱到6 〇 〇 〇c進行昇 溫時試料重量的變化曲線151，·以及壓力為76〇T〇rr、流量 為10 0ml/分的氧氣環境下，將上述試料以1〇〇c/分的昇溫速 度從3 0 C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線 153。從此圖顯示，BiPh3/sr[Ta(OEt)6]2混合體在大約280 °C時100%昇華。 第1 9圖為BiPhs/Sr [Ta(OEt)6]2(NMR)的混合安定特性示 意圖。由此圖可得知BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2的混合體之中沒有 發現新的物質合成。 第 20 圖為 BiPh3 的 TG-DTA CHART(〇2 760Torr)的示意 圖。如圖所示，465°C會引起BiPh3的氧化反應。由此可得知， 氧化溫度高於31'[丁&(0£1:)6]2(題1〇的 259。(：、61(10?)3的20 9 °C、以及Bi(0tAm)3的205°C，所以難以採用。 在只存在180ppm的水分的情況下，Bi(OtAm)3就會引起 加水分解反應。比起 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 對於 1650ppm 的水份、Bi (MMP)3對於11 70ppm的水份會引起加水分解反 應，Bi(OtAm)3對於水份異常地敏感，此表示Bi(OtAm)3在處 理上有困難。由於水份必然會存在，水份與Bi(0tAm)3反應 而形成B i氧化物將阻塞配管或流量計的阻塞的可能會變高。 專利文獻1 ··特開2000-21 6 1 50號公報（第76-78段落、 第145〜167段落，第3圖、第8圖） 專利文獻2 :特開2002-1 0 5646號公報（第13-14段落， 2170-6766-PF;Jessica 9 200524046

【發明内容】 關於先前技術的問題點，如下所述。 使在室溫下為固體的化學原料昇華氣體化，然後I CVD用反應氣體的技術的薄膜沈積速度緩慢，且具有品^作 平均的問題，因此，實用化有困難。 ° 不 使室溫下為固體的化學原料溶解於溶媒，然後霧化， 次在高溫下氣化的溶液氣化式CVD裝置，雖然沈積速度快^ 但是在溶液狀態下會產生化學反應，而產生溶液配管f卩且夷 的問題。如果溶液配管等阻塞，即使在短時間内也無法二 地使用CVD裝置。因此，有需要設置溶液供給系統。 ^ 有鑑於上述問題，本發明的目的在於提供一種CVD用$ 化器、溶液氣化式CVD裝置以及CVD用氣化方法，能夠抑$ 溶液配管等的阻塞，而長時間連續地使用。 根據上述之目的，本發明提供一種CVD氣化器，盆 在於包括： /、付谡 一分散部，使複數個原料溶液分散於载氣（carr i er 中而成為微粒子狀或霧狀； 個原料溶液通路，以相互隔離的方式分別供給該複 數個原料溶液於上述分散部； s M f Ϊ路，將該載氣與上述複數個原料溶液各自以相 互隔離的方式供給於上述分散部； 化；-氣化部’將分散於該分散部的上述原料溶液加以氣 嗲分氣化部與該分散部，並且用以將分散於 該刀政部的上述原料溶液導入該氣化部：以及 之中構1來洗淨該分散部、該細孔以及該氣化部 洗淨3雙，用乳化益’因為具有洗淨機構，所以可以 :先淨該分散部、該細孔以及該氣化部 ：： 行原料溶液的氣化，則原料容 少 " ^ ^ ^ μ a -^ ^ ^# f ί f I < r主少一者，接著阻塞住細 2170-6766-PF；Jessica 1〇 200524046 孔’但是藉由洗淨機構，所八 及該氣化部之令至+ ^ 了以冼妒該刀散部、該細孔以 ..+ ^主夕一者，可以消除阻塞的問題。 力的機構，使用此機構，測上述載氣壓 塞的狀態。因此，可以ί/二測載風、的壓力，而得知細孔阻 點，來洗淨該分散邻于〇利用洗淨機構洗淨的適當時機 本發：亦;；:\=，以及該氣化部之中至少-者。 -分，氣化器，其特徵在於包括： 子狀或霧狀； 計，合液刀放於载乳中而成為微粒 複數個原料溶液通路， 數個原料溶液於上述分散部； 隔離的方式分別供給該複 互隔將該載氣與上述複數個原料溶液各自以相 互隔離的方式供給於上述分散部，· 盯，合狀谷自以相 一，測上述載氣麼力的機構: 一氣化部’將分散於該分散 化；以及 刀政⑷的上述原料溶液加以氣 細孔’連接該氣化部與該， 該分散部的上述原料溶液導入該氣化=卩。、用以將分散於 再者’本發明的CVD用氣化器， 八 細孔與上述複數個原料溶液通路各自的置於上述 孔的口徑最好小於上述複數個 b ’且上述細 路。 履通路與上述載氣通 再者，本發明之CVD用氣化器，在卜，店w 上述氣化部最好為減壓狀態， 料溶液氣化時， 態。 而上述分散部最好為加壓狀. 另外，本發明提供一種CVj)用氣 複數個原料溶液用配管，以相互° ’ 徵在於包括·· 原料溶液； &離的方式供給複數個 一載氣用配管，以包覆著上沭 方式設置著，並且用來使加壓的载 i、料溶液用配管的 溶液用配管各自的外側流動； 、刀，在上述複數個原料 、一細孔，設置於上述載氣用配管的 料溶液用配管的前端被隔開； 由上述第1原 2170-6766-PF；Jessica 11 200524046 細孔 管，連接上述載氣用配管的前端，並且藉由上 連繫著該載氣用配管的内部；以及 好兮Γίϊ機構，用來洗淨該載氣用配管的前端、該細孔以 及該虱化管之中至少一者；以及 一加熱裝置，加熱上述氣化管。 根據上述CVD用氣化器，因為具有洗淨機構，所以 洗淨該分散部、該細孔以及該氣化部之中至少一者。連 料溶液的氣化，則原料溶液中的溶質會慢慢地至 散部孔以及該氣化部之中至少一者，接著阻塞住： 孔，但疋藉由洗淨機構，所以可以洗淨該分散部、該細 及該氣化部之中至少一者，可以消除阻塞的問題。 ，者，本發明的CVD用氣化器最好具有監 ^構，使用此機構可以監測載氣的壓力，而得 點，來洗淨該分散部、該細孔以及該氣化部之中至機 再者，本發明的CVD用氣化器，上述洗淨機構也可以 由供給溶劑於載氣用配管的前端以及細孔來進行洗淨。9 n，本發明的CVD用氣化器，是在上述載氣用配管内 之上述、、、田孔與上述複數個原料溶液用配管各自的前 ί於ίίΐ氣與複數個原料溶液，然後使複數個原料溶液分 成為微粒子狀或霧狀，接著將分散後的微粒子 5„溶液經由細孔導入上述氣化管，藉由上述加埶 ^置加…、乳化。藉此，可抑制細孔或細孔附近的氣化、 原料溶液之中的溶劑氣化，而可抑制原料溶液之中 51起化子反應，所以可以抑制阻塞的產生。 再者，本發明的CVD用氣化器，上述細孔的口徑最好 於上述複數個原料溶液用配管與上述載氣用配管。 c「τ再=，、本發明的CVD用氣化器，上述複數個原料溶液為 J曰l(iEt)5(OC2H4〇Me)]2與溶劑的混合物與Bi(MMp)3與溶士 的Μ合物’而載氣可以是氬氣或是氮氣。 ^ 器之液氣化sCVD裝置，係、包括上述CVD用氣化 本發明之溶液氣化式CVD裝置，包含上述CVD用氣化器 2170-6766-PF；Jessica 12 200524046 複數個，且上述洗淨機構在洗淨該cv =下與在其他該CVD用氣化器於使用狀態= 此，I以更長時間地連續運轉溶液氣 g應至藉 本發明之CVD用氣化方法，包括下列步驟裝置 以相互隔離的方式將複數個届々 於分散部，然後在分散部分散上μ/ :、一载氣分別供給 ;=t;r之中，之後隨；熱==== 一者洗淨上述分散部以及上述原料溶液的氣化區域的至少 再者，本發明之CVD用氣化方法，白杯^止 以相互隔離的方式將複數個〜1步驟· 於分散部，然後在分散部分散J述藉與載氣分別供給 或霧狀於上述載氣之中，之後隨= =微粒子狀 進行氣化；以及 丨聊熱膨服上述原料溶液而 過既定的壓'二步的麼力，當上述載氣超 並且洗淨上述分散料溶液於分散部， 一者。 眾科，备液的氣化區域的至少 再者，本發明之CVD用氣化方法夕由l χ 流入溶劑以及載氣於上述分散中、，上述洗淨步驟係 區域的至少一者，且在上述洗 上述原料溶液的氣化 2 ’當上述載氣的壓力成為既定的壓時監二个f載氣的壓 劑而完成洗淨步驟。 娶力時，停止流入上述溶 再者，本發明之CVD用氣化方法 料溶液所含的溶劑為相同的物質。去之中，該溶劑與上述原 ，再者，本發明之CVD用氣化方法 至少一種由乙基環己烷、正己燒、之中，上述溶劑係選自 烷組成的族群或其複數個混合物。、甲苯、辛烷、以及癸 發明效果 2170-6766~pp;Jessica 13 200524046 如上所說明，根據本發明， 氣化式CVD裝置以及CVD用潜^ ^么、C\D用乳化器、溶液 間地連續使用。 ^化方法’能夠抑制阻塞而長時 【實施方式】 以下參照圖式以說明本發 (實施形態1) Λ y ^ 液供給系統的‘造示C，月第實二，圖態1 fVDCVD，氣化器的溶 供給系統、分散部以及氣化部的剖；；音圖。乳化器的溶液 ^11 f (；ϊ ； ί® I % ^ ^ 1 ' 2 行於第2原料溶液用配管2 : e丄鄰接且平 於第1原料溶液用配管i的外护t用7 2形成内徑大 巧的’第卜2以/二原二 氣用配管3的内部，且載氣用配管 土被巧入載 第1、2原料溶液用配管j、2。楚]盾 工為，匕覆著 的-端連接著用來供給化學片2料第丄液：配管1主要 4，此第i •給機# 4m:;，1供給機構

Sr[Ta(OEt)5(〇C2H4〇Me)]2)i 的供认源；(例如 源。化學原料Α的供給源與第;、；料供給 有"及質量流率控制器(圖第未 1原料溶液用配管i之間i圖是未//有^ ^ ^ ^ ^ ^ ΛI 述洛劑與化學原料α能夠在上述溶劑 原料溶液用配管1之間合併（混合）。 第2原料溶液用配管2主 一 原料Β與溶劑的第2供认隸气的連接者用來供給化學 來供认化與盾斗上么…機構5，此第2供給機構5具有用 的；：界:f =』如Bi (MMP)3)B的供給源與用來供給溶劑 =:ί 2原料B的供給源與第2原料溶液用配管2 i 以及質量流率控制器（圖未顯示）。上述溶劑供 給源與第2原料溶液用配管2之間 之:【丨: 率控制斋(圖未顯示)。再者，上述溶劑S化學原料Β、能ί二 2170-6766-pF;Jessica ^ 200524046 上述溶劑供給源與第2原料溶液用配管 載氣用配管3主要的一端連接莫田j =間合併（混合）。 第3供給機構丨2。此第3供給機構丨2且用、==氣與氮氣的 的供給源與用來供給氮氣（N2)的供仏；；有，，供給氬氣（紅） 用配管3之間裝設有闕(^:::^供給源與載氣 示）。氮氣供給源與載氣用間f步j态（圖未顯 質量流率控制器（圖未顯示再3者之間第則3疋=f間11以及 盔田抑々々。 j ^ ^ 弟3供給機構12盘截 ；； T 之間設置著高精度壓力計Π，此@ ® 呌 力汁1 7可以送出輸出訊號於圖未顯示的控此 夠將監視的載氣的壓力顯示於控制晝面。 σ 9 此 ，氣用配管3的前端連接著氣化管13的一端。用 右i、埶π $茲士、"卩靶夠連接。再者，氣化管1 3的周圍設 Ϊ f ί加熱器將氣化管13加熱至例如270T：左 。笛1、，ϋν、3的另一端連接著圖未顯示的反應室。 被分隔開、。亦、即，溶^用配管尸1、2各自的前端從上述細孔處 ^ 幵狄亦Ρ ’ 5又置於載氣用配管3之中的第1、2原料 二、用配官1、2各自的前端與上述細孔之間裝設著分散部 ^ 政部14混合由第1原料溶液用配管I的前端流出 =第1原，溶液（化學原料△與溶劑的混合物）、由第2原料 ^液用配笞2々,L出的第2原料溶液（化學原料β與溶劍的混 曰物）以及從載氣用配管3流出的氬氣或氮氣，使得第丨以 及第2原料溶液分別被分散於氬氣之中或是氮氣之中成為微 粒子狀或霧狀。 其次，說明上述CVD用氣化器的動作。 首先’打開閥6，在既定的流量以及既定的壓力下，從 第1供給機構4供給第丨原料溶液於第1原料溶液用配管lc> 第1原料溶液例如為Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2與溶劑的混合 物。並且’打開閥8，在既定的流量以及既定的壓力下，從 第2供給機構5供給第2原料溶液於第2原料溶液用配管2。 第2原料溶液例如為“（〇1^)3與溶劑的混合物。再者，打開 閥1 0、11 ’在既定的流量以及既定的壓力下，從第3供給機 2170-6766~PF；Jessica 15 200524046 構12其供大給載第氣々Λ'配管3。载氣例如為氯氣或是氮氣。 分散部14,第2眉液經由第1原料溶液用配管1供給於 分散部14, =液經由第2原料溶液用配管2供給於 被混合，並且使得第！及篦9 及第2原料溶液與載氣 而成為微粒狀子狀或是霧狀7第於載氣之中 部14之中浪入古從第1及第2原料溶液在分散 秒以内。此口 1为政成為微粒子狀或霧狀的時間最好在1 /s ^其次，在分散部14之中分散於載氣之中的第1及第2 原料溶，巧由細孔被導入氣化管13。在氣化管13之中，利 用加熱器瞬間將分散且霧化之後的第 至大約270°C左右。 说π弟1及第2原枓浴液加熱 此時，分散部14之内的壓力與氣化管13之内的壓 大的差異。氣化管13之内為減壓狀態，而分散部心 义於氣化管13内的壓力例如為5〜30T〇rr， ;差_之氣以超如 氣膨脹(例如斷熱膨脹 1=力及 溶液(亦含有化學原料化所：i加熱會使原料 動，^ μ 9盾再者’藉由高速的載氣的流 的露狀，所&六县、1，液在分散部14分散後隨即變成微細 的霧狀，所以令易在瞬間於氣化管丨3氣化。 、如上所述，藉由使用CVD用氣化器氣化第】及 溶液以形成原料氣體。此原料氣體經由氣化管13 沒、雍 :二然後以CVD法在此反應室内形成薄膜而沈積在被處理的、 如上所述，氣化原料溶液時，藉由高精度壓力 7 時地（real time)監控載氣的壓力。連續地使用上述十cvd用 氣化器的話，原料溶液中的溶質會慢慢地析出於分散 與=孔之中至少一個，進而阻塞細孔（噴霧口）。以下描述此 現象。 雖然 Sr[Ta(OEtM〇C2H4〇Me)]2 與 Bi(MMp)3 以及溶劑（例 2170-6766-PF;Jessica 16 200524046 下的高溫氣：c)3與的、氮氣等)在減壓的環境 與高溫狀態下氣化管化。接者，由於減愿環境 该，彳κ政丄51 3的輪射熱，使附著於此喷霧口的溶 得溶質析出而阻塞住嗔霧^⑷如乙基％己貌而使 接荖由ίίΪΓ塞，載氣用配管3内的載氣的壓力會變高。 接者’載虱壓力超過既定壓〇 卜Sr「T ^送出的輸出訊號後，關閉閥6、8而停 ^ )5(〇C2H4〇Me)]2 的溶液及 Bi(MMP)3 溶液的 # 給，然後打開閥7、9,僅流入溶劑。缺德，蔣"：：：供 管的出口從反應器切換至排氣側Γ夫、，二冋，皿虱化 分炎丨”也— 研乳傾K圖未顯不），接著，僅供仏 :ϊϋί於Li、2原料溶液用配管卜2及載氣用配管、： f〇t?V VI劑的流量增加到化學原料溶液流 溶劑，然後利用溶劑將原料溶匕噴霧化 因此能夠洗淨去除之。本實谷5再度溶解， ϊ!Πΐ第；、κ第2供給機構4、5供給，然而本發‘ 供給機構供給洗淨用的溶劑。再者劑==除： 月SJ L最好取出反應室内的被處理基底，待洗淨去除完成後， =入^的被處理基底。原料溶液中溶質析出 :14的話’可輯CVD薄膜的沈積速度降低或是组成= ，而觀測侍到，並且此意謂著CVD薄膜沈 性 ，品質降低、良率降低。為了避免此現象，： = = : G造氣阻塞之前先進行洗淨步驟，例 ^ ^片日日®之後如果在下一片晶圓進入反應官而Ρ弓从 CVD薄膜沈積之數分鐘的等待時間當中， γ匕 二^ 淨處理的話，能夠提昇再現性。 丁礼化s 4的冼 上述洗淨步驟之中，可利用高精度壓力 氣用配管3内載氣的壓力。藉此，可監測細 载 進行上述洗淨步驟之後，析出的溶質會溶解，所以细 孔（喷霧口）阻塞的問題。因此，載氣的壓力會降低。接著、， 2170-6766-PF；Jessica 17 200524046 載氣壓力變成既定壓力（例如7 ηηι?、 高精度麼力計π送出的t 下’控制部接收到從 始供給溶液以進行原出料^出的訊氣t後，重新打開間6、8,開 直到ϊΐ、’2當二時Λ過的溶液流量為Xcc/分時，從閥6~9 直到弟1、2原枓溶液用配管卜2 8Xcc以下，2Xcc以下更佳，—以下最佳W μ里最好為 機點再=

ίΪ;::也可以經過既定的時間之彳A:溶SI 若根據上述實施形態，利用溶劑 J塞之，淨喷霧口，可以再恢復喷霧口原赁來霧的狀二 $化=極長的時間。比起分解、洗淨阻塞的上：用匕 ^數又於又組合需要花費1 〇小時左右，上述洗淨步驟只需 ，數:鐘即可完成’所以能夠使裝置的操作時間大幅地辦 加，而且可大幅地降低製造成本。 θ •万Ϊί拉本實施形態之中的第丨、2原料溶液用配管1、2 =互為鄰接且平行地設置著，並且藉由 侧設置載氣用配管3 ’可以使第〗%斜J : =1〇=5(=)]2)與第 2 原 散部“。藉此’可以防止第1原料溶液與第2原料 ί ^ ® ^液狀態引起化學反應’並且可以防止配管内部的阻 土 ’可以延長CVD用氣化器連續的使用時間。 管卜再Λ外tVt形態之中別在第1、2原料溶液用配 Λ料溶液用配管卜2與載氣用配管3的空隙之間 二二而且在這些管的下游處裝設使氣體斷熱膨脹用 Ϊ:空二ίΓ在？ :、2原料溶液用配管^2的外侧的 配管卜2、載氣用配管3以及分散部的2 亡I。因此，可以抑制分散部14内僅有原料溶液中的 /合^乳化，而抑制原料溶液在分散部1 4引起化學反應，而 2170-6766-Pp；jessica 18 200524046 所以可以延長

CVD 可，制分散部1 4或細孔產生阻塞現象 用氣化器的連續使用時間。 再者’本實施形態中，藉由使笫〗 14丨合於載氣之後隨即(1秒以内)分散成為 而抑制原料溶液在分散部14引起化^反中化， 部或細孔產生阻塞現象。所以可：以 連續使用的時間。 用氣化器的 再者，本實施形態中，使第丨及第2屌粗w — =散，此分散後的微粒子狀或= = 軋化f 13 β瞬間地加熱而氣化（氣體 細孔或細孔附近的氣化管13之中僅有可以抑制 化，而抑制細孔或細孔附近的氣化管產生J液：溶$氣 延長㈣用氣化器的連續使用的時間，塞目此，可以 部"並ί :本實施形態之中’不但可以抑制配管"、分散 Ρ 14 、、、田孔以及氣化管的阻塞，而且葬由絲以、、杰座κ # 驟而恢復到原來的狀態，而使CVD用‘二T : f的步 間連續地使用。因此，可以沈積再；=長時 高介電當數妯祖P7T QRT结Γ 及薄膜特性良好的 =，吊數材枓PZT、SBT等薄膜。而實現高性 乳化态以及溶液CVD用氣化器。 用 17, Ϊ 述，即使設置用來當作監測器的高精度壓力計 、查# ^ Μ控阻塞的程度，必須進行洗淨步驟，所以盔法完入 用氣化器。因此，如果-台反“ 夠用氣化器的話，則能夠實現能 _縯沈積數百小時以上的溶液氣化式CVD裝置。且f而 置t有例如12台洗淨機構的㈣用氣化器，Ξ 士 '中2 口經吊地處於洗淨狀態下，其他1〇台cvd用氣化 是經常地連續地使用。如此，溶液氣化式CVD裝置可以 了^轉數百個小時以上’可以顯著地提昇薄膜的沈積速 ς L如上所述依序洗淨複數個CVD用氣化器以進行長時間連 =積的溶液氣化式CVD裝置，用在非常長的帶狀基底上沈 ，10//1Π左右厚度的超傳導氧化物薄膜的YBC〇時，特別地 有效。 2170-6766-PF；Jessica 19 200524046 (實施形態2) 第2(c)圖為根據本發明實施形態2之CVD用氣化器 液供給系統的構造示意圖，與第1(a)圖相同的部分，具有相 同的符號，以下僅說明不同的部分。 如第2(c)圖所示的CVD用氣化器，具有3個用來供給3 個原料溶液至分散部的3個配管^ 2、15。亦即， 焉 溶液用配管1、第2原料溶液用配管2以及第3原料溶^ 配=15相互鄰接且平行地設置著。第i至第3原料溶液用 配官卜2、15的外側設一置有載氣用配管3。也就是說，將第 1至第3原料溶液用配管卜2、15被插入載氣用配管3的内 :用ΐϊίΊ3的形成方式為，包覆著第1至3原料溶 液用配管1、2、1 5。 第3原料溶液用配管15主要的一端連接著用來供給化 學原料C與溶劑的第3供給機構（圖未顯示）， ^

構具有用來供給化學原料的供給源與用來供給溶的 源。化學原矛斗C的供給源與第3原料溶液用 U 設有閥（圖未顯示）以及質量流率控制琴（ 劑供給源與第3原料溶液用配管丨5之間^ ; >不。上述溶 顯示）與質量流率控制器（圖未顯示5 閥（圖未 學原料c能夠在上述溶劑供給源與第液^谷，與= 之間合併（混合）。 了寸岭及用配官15 第1至3原料溶液用配管i、2、〗R 處被分隔開。亦即，設置於載氣用管3 =端從細孔 ^容液用配管卜2、15各自的前端與上述:的:1 此分散部混合由第！原料溶液 的第1原料溶液（化學原料A與溶劑的混合 溶液用配管2流出的第2原料溶液（化學肩粗）β，第2原枓 合物）、由第3原料溶液用配管〗5流出的第塔、溶劑的混 學原料C與溶劑的混合物)以及從載氣用配第 '料溶液 或氮氣，使得第1至3原料溶液分別被分散於=出 氮氣之中成為微粒子狀或霧狀。 、氧軋之中或疋 上述實施形態2與實施形態！具有相 (實施形態3) 』呵欢果。 2170-6766-PF；Jessica 20 200524046 第2 ( d )圖為根據本發明實施離 液供給系統的構造示意圖，盥笛(之CVD用氣化器的溶 同的符號，以下僅說明^同的圖相同的部*，具有相 如第2(d)圖所示的CVD用氣化器，且 個原料溶液至分散部的4個配管丨、^有4個用來供給4 置著。第！至第4原科溶液用配管\16f互地設 置有載氣用配管3。也就是說，將第i H、^的外侧設 =被插入載軋用配& 3的内部，且載氣用配管3 為’包覆著第1至4原料溶液用配管。 、 ^ 第4原料溶液用配管16主要的一端連接著 :原料D與溶劑的第4供給機構(圖未顯示），以：：： 構具有用來供給化學原料的供給源與用來供給 / 源。化學原料之的供給源與第4原料溶液用配管二 没有閥（圖未顯不）以及質量流率控制器（圖未顯示）。上述容 劑供給源與第4原料溶液用配管16之間則是裝設有閥（圖未 顯不）與質量流率控制器（圖未顯示）。再者，上述溶劑盥化 學原料D能夠在上述溶劑供給源與第4原料溶液用配管、丄 之間合併（混合）。 第1至4原料溶液用配管i、2、15、16各自的前端從 細孔處被分隔開。亦即，設置於載氣用配管3之中的第i至 4原料溶液用配管1、2、1 5、1 6各自的前端與上述細孔之間 裝設著分散部。此分散部混合由第1原料溶液用配管1的前 端流出的第1原料溶液（化學原料A與溶劑的混合物）、由第 2原料溶液用配管2流出的第2原料溶液（化學原料B與溶劑 的混合物）、由第3原料溶液用配管1 5流出的第3原料溶液 (化學原料C與溶劑的混合物）、由第4原料溶液用配管！ 6 流出的第4原料溶液（化學原料D與溶劑的混合物）、以及從 載氣用配管3流出的氬氣或氮氣，使得第1至4原料溶液分 別被分散於氬氣之中或是氮氣之中成為微粒子狀或霧狀。 上述實施形態3與實施形態2具有相同的效果。 再者，本發明不限於上述實施形態’在不脫離本發明精 2170-6766-PF;Jessica 21 200524046 神的範圍内的各種變更都皆可以實施。例如，本發明的CVD 用氣化器、CVD用氣化方法以及溶液氣化式CVD裝置的應用 範圍很廣，不限於高速非揮發記憶體之FeRAM-LSI高品質高 介電常數薄膜（例如SBT、PZT薄膜）的沈積，可以使用在各 種化學原料，例如蒸氣壓低的物質，例如YBC〇(Super conductive Oxide) 、 Thick PZT/PLZT/SBT(Filter， MEMS，

Optical Interconnect, HD) ^ Metal(Ir, Pt, Cu) > Barrier Metal(TiN，TaN)、High k(Hf〇x，Al2〇3，BST)等。 再者，上述實施形態雖然是採用 Sr [Ta(OEt)5(OC2H4〇Me) ]2溶解於溶劑之中的第1原料溶液以 及Bi UMP)3溶解於溶劑之的第2原料溶液，然而本發明不 限於這些原料溶液，也可以使用其他固體材料溶解於溶媒所 製成的原料溶液。再者，使用Sr[Ta(OEt)5(〇C2H4〇Me)]2等液 體原料當作原料溶液以外，也可以使用液體原料混合於溶媒 的原料溶液。 ' 再者，上述實施形態之中，雖然說明了沈積1種薄膜於 被處理基底’然而本發明不限於此，也可以連續地沈積複數 種，膜於被處理基底。詳言之，將原料溶液與載氣經由CVD 用氣化器流入反應室（CVD chamber)適當的時間，在被處理 基底沈積第1薄膜之後，將原料溶液的閥切換至排氣側，然 後經由CVD用氣化器供給預定流量之新的原料溶液於反應 室’此新的原料溶液的流量和（容積）如果超過由上述閥移^ CVD用氣化器的配管容量的1倍至5倍時，由於新的原料溶 液與載氣會經由CVD用氣化器流入反應室適當的時間，而在 被，理基底上沈積第2薄膜，所以能夠連續地沈積2種以上 的薄膜。再者，藉由重複這些動作可以連續地沈積3種以上 的薄膜。並且，在供給新的原料溶液於反應室時，也可以改 變被處理基底的溫度以及反應室的反應壓力。 實施例 以下說明實施例。 第3圖至第8圖顯示監測載氣的壓力的結果。 ^ 如第3圖所示，在監視點8 0，開始流入化學原料於氣化 管13，接著載氣的壓力上昇，在點420，BiMMP的载氣壓力 2170 -6766-PF；Jessica 200524046 上幵直到2 2 0 k P a (約2 · 2氣塵量測塵）。此時，停止

BiMMP(0. 2ccm)’流入洗淨溶液ECH(0.5ccm)。此時載氣的廢 力隨即急遽地下降，而達到安定的440點的i2〇kPa。此載氣 壓力降低，表示附著在喷霧器前端（細孔）的BiMMP已被洗淨 去除。 第4至第6圖也相同，可得知喷霧器前端的附著現象， 具有良好的再現性。此現象不限於使用 SrfTaCOEtMOCzHdOMe)]〗與 Bi (MMP)3 的 SBTCVD，使用以下化 學原料的PZTCVD同樣也可以觀察到此現象。pzTCVD用的化 子 原 料 、為

Pb(DPM)2/ECH(0. 15mol/L),Zr(DIBM)4/ECH(0. 15mol/L),Ti( Oi-Pr)2(DPM)2/ECH(0· 30mol/L)。 ’ 第8圖之中，載氣的變化小。Sr[Ta(〇Et)5(〇C2H4〇Me 的溶液濃度降低·^ 1 /2時，可得知喷霧器前端（細 孔）的阻塞曰減小。第8圖之中，在大約4〇分鐘的sb ，气堆積中，不會觀察到載氣壓力的上昇，再者，可以由 每一次的洗淨操作，在完全沒有阻塞的狀態下進行sbtc^。 、此氣化器進行SBTCVD再現性試驗的結果，顯示於 圖以及第10圖。第9圖顯示沈積速度的再現性。進行 -I Lfnm,速度試驗’平均沈積速冑7. 29nm/min -〇.148nm/ffiln，可以得到良好的連續沈積的再現性。 产ηί R /圖Λ示f積組成的再現性。進行10°批的沈積速 :广平均2.。7^66 ’可得到良好的連 【圖式簡單說明] 第1 (a)圖為根據本發明實 液供給系統的構造示音圖，/^形態1之CVD用氣化器的溶 供給工分散二的(= ,.ί ίί ^ -- 3…用氣化器的溶液供給系統)的圖明實施形態 2170-67 66-PF /Jessica. 200524046 第3圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第4圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第5圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第6圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第7圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 ，8圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 弟9圖為在實施方式1之CVD用氣化器進行的 再現性試驗的實驗結果示意圖。 SBTCVD的 第圖為在實施方式1之CVD用氣化器進行SBTCVD的 再現性試驗的實驗結果示意圖。 第 11 圖為 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 的 TG rHARTfAr 760/ 1 0T〇rr，〇2 760Torr)的示意圖。 第 12 圖為 Bi(0tAm)3 的 TG CHART(Ar 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第 13 圖為 Bi(MMP)3 的 TG CHART(Ar 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第 14 圖為 Bi(0tAm)3/Sr[Ta(0Et)6]2 混合體的 TG CHART(Ar 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第15圖為NMR(Η的核磁共振）特性的示意圖。 第 16 圖為 Bi(MMP)3/Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 混合體的 TG CHART(Ar 760Torr)的示意圖。 第 17 圖為 BiPh3 的 TG CHART(Ar 760/1 0Torr，〇2 760Torr) 的示意圖。 第 18 圖為 BiPh3/Sr[Ta(0Et)6]2 混合體的 TG CHART(Ar 760，〇2 760Torr)的示意圖。 第19圖為BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2(NMR)的混合安定特性示 意圖。 第 20 圖為 BiPh3 的 TG-DTA CHARK〇2 760Torr)的示意圖。 【主要元件符號說明】 1…第1原料溶液用配管； 3…載氣用配管； 2…第2原料溶液用配管； 4…第1供給機構； 5…第2供給機構； 6〜11···閥； 2170-6766-PF;Jessica 24 200524046 12…第3供給機構； 13·· 15…第3原料溶液用配管； 14“ 16…第4原料溶液用配管； 17·· •氣化管； •分散部； •高精度壓力計。 2170-6766-PF;Jessica 25

Claims (1)

1. 200524046 十、申請專利範園： h 一種CVD氣化器，農 一分散部，使複數個徵在於包括： 子狀或霧狀，· 溶液分散於載氣中而成為微粒 複數個原料溶液通路， 數個原料溶液於上述分散部，·相互隔離的方式分別供給該複 一載氣通路，將兮载广 互隔，的方式供給於二述述複數個原料溶液各自以相 化·-氣化部’將分散於該分散部的上述原料溶液加以氣 該分散部的上述，並且用以將分散於 洗夺機構，用來洗淨該分散部、= 之中至少一者。 刀欲σΡ該細孔以及該氣化部 2.如申請專利範圍第j項所述 一監測上述載氣壓力的機構。 CVD用軋化器，更包括 L·:種CVD氣化器’其特徵在於包括： 早壯部，使複數個原料溶液分散於載氣巾而 子狀或霧狀； 秋乳〒而成為微粒 複數個原料溶液通路，以相互 數個原料溶液於上述分散部；立隔離的方式分別供給該複 一載氣通路，將該載氣與上述複 互隔離的方式供給於上述分散部；数個原枓洛液各自以相 一監測上述載氣壓力的機構； 一氣化部，將分散於該分散部的上 化；以及 丨07工迅原枓溶液加以氣 一細孔，連接該氣化部與該分散部，並 該分散部的上述原料溶液導入該氣化部。用以將为散於 4· 一種CVD用氣化器，其特徵在於包括： 複數個原料溶液用配管，以相互隔離的方 原料溶液； 07万式供給複數個 -载氣用配管，以包覆著上述複數個原料溶液用配管的 2170-6766-PF；Jessica 26 200524046 方式設置著，並且用來使加壓 溶液用配管各自的外側流動；載/孔刀別在上述複數個原料 由上述第1原 並且藉由上述 厂細孔，設置於上述載氣用配管的前端 料溶液用配管的前端被隔開； Λ ^ =二，連接上述載氣用配管的前端 細孔，連繫者該載氣用配管的内部；以及 一洗淨機構’用來洗淨該葡夯田势 及該氣化管之中至少一者；用配官的刚端、該細孔以 加熱裝置’加熱上述氣化管。 5·，：請專利範圍第4項所述之cvd用氣化 一監測上述載氣壓力的機構。 更括 6. 如申請專利範圍第4項所述之cv])用氣化器，i 係藉由供給溶劑於載氣用配管的前端… 7. 如申請專利範圍第5項所述之CVD用氣化器， 係藉由供給溶劑於載氣用配管的前端“細孔 其特徵在於包括申請專利 其特徵在於包括申請專利 其特徵在於包括申請專 其特徵在於包括申請專 其特徵在於包括申請專 其特徵在於包括申請專 包括 8· 一種溶液氣化式CVD裝置 範圍第1項所述之CVD用氣化器 卜 9· 一種溶液氣化式CVD裝置 範圍第2項所述之CVD用氣化器 H 一種溶液氣化式CVD裝置 利範圍第3項所述之CVD用氣化器 η· 一種溶液氣化式CVD裝置 利範圍第4項所述之CVD用氣化器 工2_ —種溶液氣化式CVD裝置 利範圍第5項所述之CVD用氣化器 H 一種溶液氣化式CVD裝置 利範圍第6項所述之CVD用氣化器 H 一種溶液氣化式CVD裝置，一 _ 申請專利範圍第4項所述之CVD用氣化器；以及 所々ΐί上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化1 所乳化的原料溶液進行沈積。 ’、1 2170-6766-PF；jessica 27 200524046 15=-種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申叫專利範圍第5項所述之CVD用氣化器；以及 連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管 所氣化的原料溶液進行沈積。 164一種溶液氣化式（^0裝置，包括： 申請專利範圍第6項所述之CVD用氣化器；以及 >連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管 所氣化的原料溶液進行沈積。 17· 一種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申請專利範圍第7項所述之CVD用氣化器；以及 尸連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管 所氣化的原料溶液進行沈積。 18·如申請專利範圍第14項所述溶液氣化式cvd裝置， 其中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨 該CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器 ，使用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀態的CVD用 氣化器變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化 的原料溶液於上述反應室。 1 9·如申請專利範圍第1 5項所述溶液氣化式cvd裝置， 其中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨 該CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該cvd用氣化器 於使用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀態的Cvd用 氣化器變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化 的原料溶液於上述反應室。 2 0.如申請專利範圍第16項所述溶液氣化式CVD裝置， 其中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨 該CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器 於使用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀態的CVD用 氣化器變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化 的原料溶液於上述反應室。 21 ·如申請專利範圍第1 7項所述溶液氣化式CVD裝置， 其中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨 該CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器 2170-6766-PF；Jessica 28 200524046 於使用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀離 氣化器變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而遠罎二=CVD用 的原料溶液於上述反應室。 而連續地供給氣化 22· —種CVD用氣化方法，包括下列步驟： 以相互隔離的方式將複數個原料溶液盥盤 =部’然後在分散部分散上述複數個原料 之中’之後隨即斷熱膨服上述原 一者洗淨上述分散部以及上述原料溶液的氣化區域的至少 23· —種CVD用氣化方法，包括下列步驟： 於八二ΐ互f離的方式將複數個原料溶液與載氣分別供仏 或=上=部分散上述複數個原料成為微粒；； …，之後隨即斷熱膨脹上述原料溶液而 、 在上述氣化步驟中監測上述載氣的壓力，當上诚哉< & iidit散气止供給上述複數個原料溶液於分散ί : 一者洗淨上述刀散部以及上述原料溶液的氣化區域的至少 中上2:洗如淨7驟專二f圍ί23項所述之⑽用氣化方法，其 述原料溶液的氣化:二'至劑：及載氣1上述分散部以及上 監測上述載氣的上t少一者，且在上述洗淨步驟中， 時，停止产入上、十，〜力虽上述載氣的壓力成為既定的壓力 瓜▲上述/谷劑而完成洗淨步驟。 中兮、”申μ'專利範圍第23項所述之CVD用氣化方法，立 ΓΛ由Λ原料溶液所含的㈣^ 八 中該溶劑與/述二範二第24項所^ ’、抖4液所含的溶劑為相同的物質。 2170-6766-PF；Jessica 29