TWI305381B - - Google Patents

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1305381 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發，是有關於CVD用氣化器、溶液氣化式CVD裝置以 拉„ D用氣化方法’特別是有關於抑制溶液配管等阻塞而長 + =連續使用的CVD用氣化器、CVD用氣化方法以及使用上 述CVD用氣化器的溶液氣化式CVD裝置。 【先前技術】 pw從1 970年左右’半導體產業導入化學氣相沈積 H^u^heriCal Vap〇r deposition)的技術，此技術在形成薄 、；斗時，將氣體狀態的反應材料流入反應器，而引起化學 7，並^在矽等半導體基底上形成各種組成的薄膜材料。 二^时如果無法製備氣體狀的反應材料，則無法以CVD法形 成溥膜，而成為CVD技術上門檀。 (等/的98八7 ΐ JT· KINiEY等人發表利用強介電常數材料 m A二ά &二了製作高速非揮發性記憶體FeRAM的技 =製造出含tZr、Sr、Bi減體狀化學原 薄膜® ; T CVD法製作高介電常數材料PZT、SBT等 溥膜。因此，可以採用鱼拟士、 寸 佈法製作上述薄膜。利用同”程：溶液塗 薄膜（400-300nm)對於高产落差涂的间介電常數材料 ( 1 50-40nm)^L^ ^ ^ 1|1Λ ^ 須使用CVD法製材料FeRAM-LSI能夠實用化，必 界上第一次利用CVD法製作、人教授向學會發表了世 此時，鹽崎助教授採用SI?二數體薄膜PZT的技術。 以氣體化的方法。 裝置使用將固體化學原料昇華 然而’使固體化學原料昱 ^ 問題。由於使固體化學原料： = = :方法具有以下的 以增加反應物質的流量，再办 ’昇華速度緩慢，所以難 難，所以薄膜的沈積速度小，反應物質的流量控制有困 J且再現性不佳。再者，使用加 2170-6766-PF;Jessica Ι3〇5>381 熱至250°C的配管以昇華化學原料，反應爐的運作上有困難。 本發明者由於進一步研究鹽崎助教授發表的技術，受到 鹽崎助教授的支援，且購入與鹽崎助教授同樣的裝置，進行 沈積試驗三然而，開始運轉後不久高溫配管立即阻塞。修理 後=久，高溫配管部又立即出現異常的過熱。如上所述的經 驗知到的結論為，想在中間設置有複數個閥的細長/4吋外 ^ 長度】mx數根）不鏽鋼配管，平均地加熱至250±5。(3左 右的高溫，是極為困難的技術。 本發明者由上述經驗得到昇華式CVD裝置難以實用化的 結論。因此，利用溶液氣化式（所謂f lash cVD法），沈積高 介電常數材料SBT的高品質薄膜是世界上第一次成功。此發 表於國際學會 ISIF，96,（Performance of SrBi2Ta209 thin films Grown by chemical vapor deposition for nonvolatile memory Application” . c. Isobe， H. Yamoto, H yagi et al, 9thlnternational Symposium on Integrated Ferroelectr lcs· Mar .1996)，證實了世界上第一次高速非 揮發性記憶FeRAM-LSI商品化的可能性。 將固體材料溶解於溶媒以製作溶液，然後在高溫將此溶 液氣體化，而製作SBT薄臈合成反應必要氣體的氣化器，當 時是採用美國製的ATMI製。然而，此氣化器在十個多小時 内就發生阻塞，所以無法用在量產用的CVD裝置氣化器。因 此，為了安定地沈積高品質SBT薄膜，在1 996年本發明者 向島津製作所-吉岡氏或山形大學_工學部-物質工學科—都 田教授委託高性能溶液供給控制系統與高性能氣化器的開 發與製造。然而，開發的供給裝置（溶液供給控制裝置）具有 以下的問題，而無法安定地沈積SBT薄膜。再者，此裝置、(溶 液供給控制裝置與氣化器）己揭露於專利文獻丨（特開 2000-216150號）以及專利文獻2(特開2002-105646)。 合成SBT薄膜的反應物質可採用Sr(DpM)2、Biph3、

Ta(0Et)5、Sr[Ta(OEt)5(〇C2H4〇Me)]2、Bi(〇tAffl)3、βΚΜΜρ)3 等，特別疋使用 Sr[Ta(OEt)5(〇C2H4〇Me)]2 + Bi(MMP)3 的話， 可以在32(TC至42 0°C的低溫下高速沈積（5-1〇〇nm/min)，形 成表現良好高度落差塗覆性與良好電性特性的高品質SBT薄 2170-6766-PF；Jessica 6 1305381 膜。但是，上述裝置使用 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 + Bi(MMP)3 當作反應氣體，裝置短時間内就會阻塞。考究其原因在於， Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 + Bi(MMP)3 的溶液在室溫下混合的 話，8!^&((^1;)5(〇(：2114〇]^)]2與 Bi(MMP)3 會反應而溶解度變 小且被合成為難以昇華的物質，所以阻塞流過溶液的流動路 徑或氣化管的前端。以下詳細地說明這些現象。 第 11 圖為 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 的 TG CHART(Ar 760/10Torr，〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為 76 0Torr 、流量為1 〇〇m 1 /分的氬氣環境下，將

Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 試料以 l〇°C/分的昇溫速度從 30t 加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線1 0丨；壓力為 lOTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上述試料以10°c /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的 變化曲線102 ;以及壓力為760Torr、流量為i〇〇mi/分的氧 氣環境下，將上述試料以1 0 °c /分的昇溫速度從3 0。(：加熱到 600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線1〇3 ^從此圖顯示，

Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 在氬氣環境、壓力為 i〇Torr、及大 約2 2 0 °C時完全地昇華。 第 12 圖為 Bi(0tAm)3 的 TG CHART(Ar 760/10Torr，02 7 6 0Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為760Torr、流量為 100ml/分的氬氣環境下’將Bi(0t Am)3試料以1〇。〇/分的昇 溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線 111 ;壓力為lOTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上 述試料以1 0 °C /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫 時試料重量的變化曲線11 2 ;以及壓力為76OTorr、流量為 100ml/分的氧氣環境下’將上述試料以10°c/分的昇溫速度 從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線11 3。 從此圖顯示，Bi (OtAm)3在氬氣環境、壓力為1 〇T〇rr、及大 約130°C時昇華了 98°/〇。 第 13 圖為 Bi(MMP)3 的 TG CHART(Ar 760/10Torr，（h 7 6 0Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為760Torr、流量為 100ml /分的氬氣環境下’將Bi(MMP)3試料以1〇。〇/分的昇溫 速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線 2170-6766-PF/Jessica 7 1305381 1 21，壓力為1 OTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上 述試料以1 0 °C /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫 時試料重量的變化曲線122 ;以及壓力為760Torr、流量為 100ml/分的氧氣環境下，將上述試料以1〇ΐ/分的昇溫速度 從30°C加熱到600°C進行昇溫時試料重量的變化曲線123。 從此圖顯示，Bi(MMP)3在氬氣環境、壓力為10T〇rr、及大約 150C時完全昇華。 第 14 圖為 Bi(OtAm)3/Sr[Ta(OEt)6]2 混合體的 TG CMRT(Ar 760/1 0Torr，〇2 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓 力為760Torr、流量為i〇〇mi /分的氬氣環境下，將 Bi(OtAm)3/Sr[Ta(OEt)6]2混合體試料以i〇°c /分的昇溫速度 從30°C加熱到60(TC進行昇溫時試料重量的變化曲線131 ; 壓力為lOTorr、以及壓力為760Torr、流量為l〇〇ml/分的氧 氣環。境下，將上述試料以1〇。(：/分的昇溫速度從3(rc加熱到 600C進行昇溫時試料重量的變化曲線133。從此圖顯示， Bi(OtAm)3/Sr[Ta(OEt)6]2混合體在氬氣環境、壓力為 lOTorr’而加熱至300°C以上時僅昇華了 80%。 以上的數據可得知，Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2在與 Bi(OtAm)3單獨存在時，昇華了大約1〇〇%，但是如果混合在 一起’即使在氬氣的環境下加熱至30(TC以上，也僅昇華了 大約80%左右《此不良的昇華特性是造成氣化器阻塞的原因。 昇華特性不良的原因可以從第15圖所示的NMR(H的核 磁共振）特性得知。如果Bi(〇tAm)3與Sr[Ta(OEt)6]2混合的 話’可觀察到新的NMR特性，此表示有新的化合物被形成。 第 16 圖為 Bi(MMP)3/Sr[Ta(0Et)5(0C2H40Me)]2 混合體的 TG CHARTUr 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為 76OTorr 、流量為100m 1 /分的氬氣環境下，將 Bi(MMP)3/Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 混合體試料以 l〇°c / 分的 昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0。(：進行昇溫時試料重量的變化曲 線。從此圖顯示，Bi (MMp)3/Sr[Ta(〇Et)5(〇C2H4〇Me)]2 混合體 在氬氣環境也僅昇華了 8〇%。 第 Π 圖為 BiPh3 的 TG CHART(Ar 760/ 1 0Torr，〇2 760Torr) 的示意圖。此圖顯示在壓力為760Torr、流量為1〇〇ml/分的 2170 -6766-PF；Jessica 8 1305381 氬氣環境下，將B i P h3試料以1 0 °C /分的昇溫速度從3 0。〇加 熱到600 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線ι41;壓力為 lOTorr、流量為50ml/分的氬氣環境下，將上述試料以1〇°c /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到6 0 0 °C進行昇溫時試料重量的 變化曲線142 ;以及壓力為760Torr、流量為i〇〇ml/分的氧 氣環境下’將上述試料以1 0 °C /分的昇溫速度從3 0 °C加熱到 600 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線143。從此圖顯示，

Bi Ph3在大約200°C時1 00%昇華。 第 18 圖為 BiPh3/Sr[Ta(0Et)6]dl合體的 TG CHART(Ar 760,02 760Torr)的示意圖。此圖顯示在壓力為760Torr、流 量為100ml/分的氬氣環境下，將BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2混合 體的試料以10°C/分的昇溫速度從3(TC加熱到600°C進行昇 溫時試料重量的變化曲線1 51 ;以及壓力為76OTorr、流量 為100ml/分的氧氣環境下，將上述試料以i(TC /分的昇溫速 度從30 °C加熱到600 °C進行昇溫時試料重量的變化曲線 153。從此圖顯示，BiPh3/Sr[Ta(0Et)6]2混合體在大約280 °C時100%昇華。 第1 9圖為BiPhs/Sr [Ta(0Et)e]2(NMR)的混合安定特性示 意圖。由此圖可得知BiPh3/Sr[Ta(0Et)e]2的混合體之中沒有 發現新的物質合成。 第20圖為以卩113的TG-DTA CHART(〇2 760Torr)的示意 圖。如圖所示’465°C會引起BiPh3的氧化反應。由此可得知， 氧化溫度高於31'[丁8(0£1;)6]2(關1〇的 259。0 61〇0?)3的209 °C、以及Bi(0tAm)3的205°C，所以難以採用。 在只存在1 80ppm的水分的情況下，Bi (0tAm)3就會引起 加水分解反應。比起 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 對於 1650ppm 的水份、Bi (MMP)3對於11 7Oppm的水份會引起加水分解反 應，Bi(0tAm)3對於水份異常地敏感，此表示Bi(0tAm)3在處 理上有困難。由於水份必然會存在，水份與Bi(0tAm)3反應 而形成Bi氧化物將阻塞配管或流量計的阻塞的可能會變高。 專利文獻1 :特開2000-21 61 50號公報（第76-78段落、 第145-167段落，第3圖、第8圖） 專利文獻2 :特開2002-1 05646號公報（第13-14段落， 2170-6766-PF;Jessica 9 1305381 \ly 圖 2 第 【發明内容】 關於先前技術的問題點，如下所述。 使在室溫下為固體的化學原料昇華氣體化，然 CVD用反應氣體的技術的_ ^ 4 平均的：題，因此，實用化有困難。⑨m不 使室溫下為固體的化學原料溶解於溶媒，缺後 次在尚溫下氣化的溶液氣化式CVD裝置，雖秋沈積速产决其 =溶：ίϊ下會產生化學反應，而產生溶液配管Ά 地使此，有需要設置溶液UK 化器。=在於提供-種⑽用氣 溶液配管等的阻塞，而長時間連續地：：化方法，能夠抑制 在於述之"’本發明提供-種_氣化器’其特徵 一分散部，使複數個原料溶 中而成為微粒子狀或霧狀； 散於載軋（carrier gas) 複數個原料溶滋@ % .、，- 數個原料溶液於上述分散部；目隔離的方式分別供給該複 互隔離ϊίϊ:給:=4;述複數個原料溶液各自以相 化；氣化’將分散於該分散部的上述原料溶液加以氣 一細孔，連接該氣化部與該分 該分散部？上述原料溶液導入該氣化:^用以將分散於 一洗淨機構，用來、、秦、、备姑八 及 之中至少一者。 /刀政部、該細孔以及該氣化部 J，上述CVD用氣化器，因 洗淨該分散部、該細孔 具有洗矛機構，所以可以 行原料溶液的氣化，部之中至少-者。連續進 散部、該細孔以及該氣化：之中至的丨溶質：慢慢地析出至分 至 ν 一者’接著阻塞住細 2170-6766-PF;Jessica 10 1305381 =，，是藉由洗淨機構，所以可以 及該氣化部之中至少一者 以刀散部、該細孔以 再者，本發明的上問題。 塞的t機構可以監測載氣的壓力」”栽 塞的狀&。因此，可以得知 而侍知細孔阻 點，來洗淨該分散部、該細孔以及先該=洗淨的適當時機 士$明亦提供CVD氣化器，#特；少—者。 一为散部，使複數個原料溶液、於 ；匕括： 子狀或霧狀； 散於載氣中而成為微粒 複數個原料溶液通路，以 數個原料溶液於上述分散部丨 隔離的方式分別供給該複 一載氣通路，將該載氣與上 互隔離的方式供給於上述分散部，複數個原料溶液各自以相 一監測上述載氣壓力的機構； 一氣化部，將分散於該分散 化；以及 的上迷原料溶液加以氣 一細孔，連接該氣化部與該分散部， 该分散部的上述原料溶液導入該氣化部。用以將分散於 再者，本發明的CVD用氣化器，上述八 細孔與上述複數個原料溶液通路各二以設置於上述 孔的口徑最好小於上述複數個原料溶液，且上述細 路。 竹合及通路與上述載氣通 再者’本發明之CVD用氣化器，在上诚搭如、、 上述氣化部最好為減壓狀態 容液氣化時’ 態。 义刀散部最好為加壓狀 ί L本/料曰 1提Λ 一Λc v D用氣化器，其特徵在於包括： 原料溶液； 管’以相互隔離的方式供給複數個 方式二ΐί用ί管，以包覆著上述複數個原料溶液用配管的 溶液用配管各自的外側流動； 上这複數個原枓 一細孔，設置於上述載氣用配管的前 料溶液用配管的前端被隔開； 由上4第1原 11 2170-6766-PF；Jessica 1305381 細孔，：：：兮士述S氣用配管的前端，並且藉由上述 運繫者該載軋用配管的内部；以及 及該ίϊίϊΓ用來洗淨該載氣用配管的前端、該細孔以 茨孔化管之中至少一者；以及 加熱裝置，加熱上述氣化管。 洗淨ϊίίΐ用氣化器，因為具有洗淨機構，所以可以 杆該細孔以及該氣化部之中至少一者。連續進 散呷的氣化，則原料溶液中的溶質會慢慢地析出至分 ΐ作及該氣化部之中至少-者，接著阻塞住： 及該淨機構，所以可以洗淨該分散部、該細孔以 及該部之中至少一者，可以消除阻塞的問題。 力的應播，本發明的CVD用氣化器最好具有監測上述載氣壓 ，V此機構可以監測載氣的壓力，而得知細孔阻 ί if:因此，可以得知利用洗淨機構洗淨的適當時機 .來洗淨該分散部、該細孔以及該氣化部之中至少一者。 由很i ΐ，本發明的cvd用氣化器，上述洗淨機構也可以藉 由供〜洛劑於載氣用配管的前端以及細孔來進行洗淨。 之上t ’Λ發明的cvD用氣化器，是在上述載氣用配管内 間、述複數個原料溶液用配管各自的前端之 成為微粒子狀或霧狀，接著將分散後的微i; iif液經由細孔導入上述氣化管，藉由上述加埶 ϊ σ 氣化。藉此，可抑制細孔或細孔附近的氣化管 溶液之中的溶劑氣化，而可抑制原料溶液之中 5丨起化予反應，所以可以抑制阻塞的產生。 再者，本發明的CVD用氣化器，上述細孔的口 於上述複數個原料溶液用配管與上述載氣用配管。 μ ς「τ再\本發明的CVD用氣化器，上述複數個原料溶液為 的(〇f2H4〇Me)]2與溶劑的混合物與Bi(MMP)3與溶劑 的混口物，而載氣可以是氬氣或是氮氣。 器之液氣化式⑽裝置’係包括上述⑽用氣化 本發明之溶液氣化式CVD裝置，包含上述CVD用氣化器 2170-6766-PF;Jessica 12 1305381 ίΐ:命且上述洗淨機構在洗淨該CVD用氣化器的-部八的 2下與在其他該CVD用氣化器於使用狀態部 ，，將上述使用狀態的CVD用氣化器變更為、 =氣化器，而連續地供給氣化的原料溶液於上述^^的C:D ，可以更長時間地連續運轉溶液氣化式CVD裝‘。'、至。藉 本發明之CVD用氣化方法，包括下列步驟： 以相互隔離的方式將複數個原料溶液盥載裔八ρι =部，然後在分散部分散上述複數個原料給 或霧狀於上述載氣之中，之後 粒子狀 進行氣化；以及 通r研…縢脹上述原料溶液而 —者洗淨上述分散部以及上述原料溶液的氣化區域的至少 =，本發明之CVD用氣化方法， 以相互隔離的方式將複數個原料溶 於分散部，然後在分散部分散上述 ^ = t刀別供給 或霧狀於上述載氣之中，之後隨即斷ί = 粒子狀 進行氣化；以及 辦…膠服上迷原料溶液而 在上述氣化步驟中監測上述裁顏 過既定的壓力時，停止供給上述數個二二上述載氣超 並且洗淨上述分散部以及上述複J固原液於分散部， 一者。 钆原枓溶液的氣化區域的至少 再者本發明之CVD用氣化方法之中， &入溶劑以及載氣於上述分散中上述洗淨步驟係 區域的至少一者，且在上述洗散°及上述原料溶液的氣化 力，當上述載氣的壓力成為既定時監载氣的壓 劑而完成洗淨步驟。 夺停止〜入上述溶 再者，本發明之CVD用氣化 料溶液所含的溶劑為相同的物質。无之中，該溶劑與上述原 再者，本發明之CVD用氣化方法 至少一種由乙基環己烷、正己烷、之中丄上述溶劑係選自 烷組成的族群或其複數個混合物。、甲苯、辛烷、以及癸 發明效果 2170-6766-PF；Jessica 1305381 产如上所說明，根據本發明，可 氡化式CVD裝置以及CVD用痛# +、、+供CVD用氣化器、溶液 間地連續使用。 、 '’能夠抑制阻塞而長時 【實施方式】 以下參照圖式以說明本發明夕寄# (實施形態D 枣發明之實施形態。 第1 ( a )圖為根據本發明實祐 液供給系統的構造示意圖，第κ ^^之CVD用氣化器的溶 供給系統、分散部以及氣化部的剖面^ Z用氣化器的溶液 如第1(a)、（b)圖所示，cvd用备’二乙 溶液用配管卜2。第1原料溶液用配簪匕盗具有第1、2原料 行於第2原料溶液用配管2。載：用m設置於鄰接且平 原料溶液用配管1、2的外側。恭奋田管3則是設置在第1 於第1原料溶液用配管i的外^用二：的形成内徑大 外徑的總和。亦即，第1、2原料溶液用配料^液用配管2的 $用配管3的内部’且載氣用配管3的用,丄、：被插入載 第1、2原料溶液用配管J、2。成方式為，包覆著 的一端連接著用來供給化學# 原、^料2液用配管1主要 4，此第！供給機構劑的第1供給機構 Sr[Ta(〇Et)5(OC2H4〇Me)]2)1 的H 供給二學原、料（例如 源。化學原料A的供給、；料、$:來供給溶劑的供給 有…質量流率控制=1顯原溶之間裝設 ;原:斗溶液用配管1之間則是裝設有閥=與第 (圖未顯不）。再者，上述溶劑與化 、处:5控制器 供給源與第1原料溶液用配營、二^科Α此夠在上述溶劑 楚9 ® I 管1之間合併（混合）。 第2原料溶液用配管2主 原料B與溶劑的第2供給機構5，此===給化學 來供給化學原料（例如βΚ_3 有用 fl # #右pi f 科 給源與第2原料溶液用配管2之 給源與第2原科溶液用配管2之間則是t!4)H if溶劑供 未顯不）。再者，上述溶刺與化學原料β能夠在 2170-6766-PF；Jessica 14 1305381 上述原料溶液用配管2之間合併(混合)。 第3 的一端連接著用來供給氩氣與氮氣的 沾也口機構丨2。此第3供給機構12具有用來供仏惫n ΓΑΐ0 源3與之用氮氣⑹ 示）。氣^ 閥1〇以及質量流率控制器（圖未顯 【ΓΪΓΛ器Si顯2。再者，第3供給 1 7可以1¾荖P、0f=^置者尚精度壓力計1 7，此高精度壓力計 ^ ^隨著監測載氣用配管3之中的載氣的壓力。高精度壓 夠：監出訊號於圖未顯示的控制部。藉此，能 列將&視的载氧的壓力顯示於控制畫面。 f氣用配管3的前端連接著氣化管13的一端。用 部設有細孔，#由此細孔使得載氣用配管3的内 有加的内部能夠連接。再者，氣化管13的周圍設 =加…器，藉由此加熱器將氣化管13加熱至例如27〇(>c左 。:者，氣化管13的另一端連接著圖未顯示的反應室。 第1、2原料溶液用配管丨、2各自的前端從上述細孔處 ，为隔開。亦即，設置於載氣用配管3之中的第丄、2原料 =液用配管1、2各自的前端與上述細孔之間裝設著分散部 4 ς此分散部14混合由第丄原料溶液用配管i的前端流出 的第1原料溶液（化學原料A與溶劑的混合物）、由第2 «料 溶液用配"流出的第2原料溶液(化學原料)二:= 合物）以及從載氣用配管3流出的氬氣或氮氣，使得第i以 及第2原料溶液分別被分散於氬氣之中或是氮氣之中成為微 粒子狀或霧狀。 其次，說明上述CVD用氣化器的動作。 首先’打開閥6，在既定的流量以及既定的壓力下，從 第1供給機構4供給第1原料溶液於第1原料溶液用配管j。 第1原料溶液例如為Sr[Ta(0Et)5(0C2ih0Me)]2與溶劑的混合 物。並且，打開閥8，在既定的流量以及既定的壓力下，從 第2供給機構5供給第2原料溶液於第2原料溶液用配管2。 第2原料溶液例如為B i (Μ Μ P )3與溶劑的混合物。再者，打開 閥10、11，在既定的流量以及既定的壓力下，從第3供給機 2170-6766-PF;Jessica 15 1305381 構u供給載氣於載氣用配管3。載 # 八其次，第1原料溶液經由第1原料溶液广氧或是氮氣。 =散部1 4，第2原料溶液經由第2原容-己管1供給於 刀散部14 ’且加壓後的載氣經由载^用配=管2供給於 “。接著，在分散部“之中，第載供給於分散部 f渑合’並且使得第1及第2原料溶液分別义：溶液f載氣 成為微粒狀子狀或是霧狀。從第1及第=載氣之中 部14之中混合直到分散成為的料溶液在分散 秒以内。 卞狀或霧狀的時間最好在1 其次，在分散部14之中分耑於进$ 原料溶液經由細孔被導入氣化管！ 3、。在氣化其的^ 1及第2 用加熱器瞬間將分散且霧化之後的第丨在及e =之中，利 至大約2 7 0 °C左右。 及第2原料溶液加熱 此時，分散部14之内的壓力與氣化管13 ί if H。氣化管13之内為減壓狀態，而分散部 内為加壓狀態。相對於氣化管13内 刀散^14之 載之ΛΤΛ例如為_ 氧膨脹（例如斷熱膨脹）。藉此，第 f =差而使載 化學原料的昇華溫度會降：所料溶液含有的 溶液(亦含有化學原料)被氣化。再者 Ϊ雪Ϊ f - f 液在分散部U分散後隨即變成微細 的霧狀，所以谷易在瞬間於氣化管丨3氣化。 、 如上所述’ ^由使用CVD用氣化器氣化第丄及第2原料 溶液以形成原料軋體。此原料氣體經由氣化反 ^然後以CVD法在此反應室内形成薄膜而沈積在； 暴底。 如上所述，氣化原料溶液時，藉由高精度壓力計17即 時地（feal time)監控載氣的壓力。連續地使用上述cvd用 氣化器的話，原料溶液中的溶質會慢慢地析出於分散部14 與細孔之中至少一個，進而阻塞細孔（噴霧口）。以下描述此 現象。 雖然 81：[了&(0£1；)5(〇(：2114〇^)]2與 Bi(MMp)3 以及溶劑（例 2170-6766-PF;Jessica 16 1305381 如乙基環已烷ECH)與載氣（例如 下的高溫氣化管13的上部喷霾*乳、氮氣等）在減壓的環境 化物的一部分會附著於喷霧口且访且霧化L然而，此時，霧 與高溫狀態下氣化管13的輕封=化。接著，由於減壓環境 液，僅蒸發出蒸氣壓大的溶劑’使附著於此喷霧口的溶 得溶質析出而阻塞住噴霧口。 基環己烷ECH)，而使 接著载氣用配管3内的載氣的麼力會變高。 到從高精度麼力計17送出的輸2〇〇〇Kpa)，控制部接收 止3仙（斷）5(_4_]2=溶號後’關=6、8而停 給，然後打開閥7、9,僅流入溶#| 溶液的供 管的出口從反應器切換至排氣側（夫、，海< _/將上述高溫氣化 溶劑及載氣於第卜2原料溶液1用(=1 以進行洗淨。此時，溶劑的产番秘Λ , 2及載虱用配管3 24至1°Γ上’可提高洗；效；=學ίΐίίίί: 因此能夠洗淨去除之。本實施形度冷解’ 使用的溶劑是由第i、第2供給機U …、在洗淨步驟所 不限於此，也可以另外机署;、 I、給，然而本發明 :此供給機構供給洗淨用的溶劑。再者劑㈡：除： 】最好取出反應室内的被處理基底，待洗淨德 η入新的被處理基底。原料溶液中溶質析出J附# J散 二的則V到可Ζ 71薄媒的沈積速度降低或是組成：ί 低且著cvd薄膜沈積步驟的再現性降 如如質降低、良率降低。為了避免此現象， 壬:，最好在觀測到氣化器的阻塞之前先二& 如匍谇一 H s ® & μ j 吧订况淨步驟，例 CVD f膜、t | t，如果在下一片晶圓進入反應室而開始 淨處鐘的等待時間當中’進行氣化管等的洗 淨恩理的話，能夠提昇再現性β π 片上述洗淨步驟之中，可利用高精度壓力計〗7亦较：目，丨哉 =用配管3内載氣的壓力。藉此，可監測細孔阻塞的&況。 孔之後’析出的溶質會溶解，所以可解決細 ^(噴霧π)阻塞的問題。因此，載氣的壓力會降低。接著， 2170-6766-PP；Jessica 17 1305381 ，氣壓力變成既定壓力（例如100Kpa)以下，控制部接收到從 回精度壓力計1 7送出的輸出訊號後，重新打開閥6、8， 始供給溶液以進行原料溶液的氣化。 再者，當CVD時流過的溶液流量為Xcc/分時，從閥6〜9 直到第卜2原料溶液用配管卜2的前端的配管容量最好 8XCC以下，2Xcc以下更佳，xcc以下最佳。 應Eh再上述實施形態1以溶液洗淨去除喷霧口阻塞的時 ^疋高精度壓力計17監測載氣的壓力來決定，缺而 載氣也可以經過既定的時間之後，流入溶劑與 阻塞tit施形態，利用溶劑在細孔（喷霧口）完全地 mu霧口，可以再恢復喷霧口原來的狀態。因 Ϊ化ίΓ用用期間進行洗淨步驟，可以使cvd用 ί 時比起分解、洗淨阻塞的CVD用氣化 匕爻再度組合需要花費10小時左右，上述洗淨步需 ，數二，即可完成，所以能夠使裝置的操作時間 加’而且可大幅地降低製造成本。 是互3 ΐΐ施形態之中的第1、2原料溶液用配管1、2 :之為置鄰m置著，並且藉由在此配管！、2的外 (Sr[Ta(〇EtM〇Et〇Me)]2)盥第？使第1原料溶液 供給於分散部14。藉此，可、：防2，f=(MMP)〜 溶液在溶液狀態引起化學I:防原料溶液與第2原料 塞。因此，可以延長cvHf且可以防止配管内部的阻 再者，木膏#形^ T化器連續的使用時間。 管卜2的外部包大口 /二在第^ 2原料溶液用配 在第Η原料溶液用配管；:2栽-用配二=”^ 流動的構造，而且在這些管的下虱用配管3的空隙之間 的氣化管。亦即，在第轉處裝設使氣體斷熱膨脹用 上述空隙被加壓的載氣是以古、;^容液用配管1、2的外側的 原料溶液用配管流，，所以可以抑制第Η 溫度上昇。因此，可以抑制八=^官3以及分散部14之中的 溶劑氣化，而抑制原料溶液在=14内僅有原料溶液中的 π合夜在分散部14引起化學反應，而 2170-6766-PF;Jessica 1305381

二氣3 i = 4或細孔產生阻塞現象。所以可以延長c VD

虱化器的連續使用時間。 疋贲LVD 散部?二tv:形tt，巧由使第1及第2原料溶液在分 二制原”液在分散…= 連續使用田/時ti生阻塞現象。所以可以延長CVD用氣化器的 再者’本實施形態中，使第1及第 細孔或細孔中 二具而抑制細孔或細孔附近的氣化管生阻τ :冷劑乳 延長CVD用氣化器的連續使用的時間。卩塞目此，可以 並且’本實施形態之中，不但 部“、細孔以及氣化管的阻塞，而= J 分散 驟而恢復到原來的狀態，而使cv f =，阻塞的步 間連續地使用。因此，可以沈積 祕、^疋且能夠長時 5介電常數材料PZT、SBT等薄膜。而二夕f f Af性良好的 氣化器以及溶液CVD用氣化器。、 间性能的CVD用 如上所述’即使設置用來當 π’以監控阻塞的程度，必須進行:皿淨m精度壓力計 連續地使用CVD用氣化器。因此， f，，所以無法完全 置具有複數台洗淨機構的CVD用氣 ς反應室對應地設 ?連續沈積數百小時以上的溶液氣化式二，巧夠：現能 吕，例如設置具有例如12台洗淨推接& 裝置。具體而 且其中2台經常地處於洗淨狀態下，盆’ ^用氣化器，而 器則是經常地連續地使用。如二，J 1 0台CVD用氣化 連續運轉數百個小時以上可此以上液氣化式CVI)裝置可以 度。如上所述依序洗淨複數個CVD” 沈積速 續沈積的溶液氣化式CVD裝置，用户軋器進仃長時間連 積10 Am左右厚度的超傳導氧化非⑦長的帶狀基底上沈 有效。 的WO時，特別地 2170-6766-PF;Jessica 1305381 (實施形態2) 第2(c)圖為根據本發明實施形態2之CVD ，供給系統的構造示意圖，與第！⑷圖相化器的溶 同的符號，以下僅說明不同的部分。 °刀，具有相 如第2(c)圖所示的CVD用氣化器，具有3彻田也y 個原料溶液至分散部的3個配管！、2、】5。亦 ^供給3 溶液用配管】、第2原料溶液用配管2以及 1原料 配管15相互鄰接且平行地設置著。第】至第液用 ，管卜2、15的外侧設置有載氣用ge(管3 ;、;，溶= 1至第3原料溶液用配管卜2、15被插入载 :，且載氣用配管3的形成方式為，包覆著第至^料々 液用配管1、2、15。 至3原料浴 第3原料溶液用配管15主要的一端遠垃 學原料C與溶劑的第3供給機構（圖未顯示）， == :具有用來供給化學原料的供給源與用來供二 ，。化學原料C的供給源與第3原料溶液用配管丨5之^ ^ ，有閥（圖未顯示）以及質量流率控制器（圖未顯示）。上二 與原^容液用酉i管15之間則是裝設有閱（圖未 =不）與質量流率控制器（圖未顯示）。再者，上述溶劑與化 學原料C能夠在上述溶劑供給源與第3原料溶液用配營 之間合併（混合）。 第1至3原料溶液用配管i、2、15各自的前端從細孔 處被分隔開。亦即，設置於載氣用配管3之中的第i至3原 料/谷液用配管1、2、1 5各自的前端與上述細孔之間裝設^ 分散部。此分散部混合由第1原料溶液用配管丨的前端流出 的第1原料溶液（化學原料A與溶劑的混合物）、由第2原料 溶液用配管2流出的第2原料溶液（化學原料b與溶劑的混 合物）、由第3原料溶液用配管15流出的第3原料溶液（化 學f料C與溶劑的混合物）以及從載氣用配管3流出的氬氣 或氮氣’使得第1至3原料溶液分別被分散於氬氣之中或是 氮氣之中成為微粒子狀或霧狀。 / 上述實施形態2與實施形態1具有相同的效果。 (實施形態3) 2170-6766-PF;Jessica 20 1305381 第2(d)圖為根據本發明實施形態 ^ 、 液供給系統的構造示意圖，與第2(：〇 用氣化器的溶 同的符號，以下僅說明不同的圖相同的部分’具有相 如第2(d)圖所示的CVD用氣化器，且士 ^ 個原料溶液至分散部的4個配管i、2、i、個用來供給4 料溶液用配管1、第2原料溶液用配管2 3亦：！ 1 =配管15“及第4原料溶液用酉己t 16才目 = 置者。第1至第4原料溶液用配管J、2 接，千巧地叹 置有載氣用配管3。也就是說，將第丨 、6的外側設 J被插入載氣用配管3的内部，且載氣用== = = 為，包覆著第1至4原料溶液用配管。己管3的形成方式 第4原料溶液用配管16主要的_ 與溶劑的第4供給機構(圖未顯示)，== = ,、f用來供給化學原料的供、給源與$ 的' f二化學原料D的供給源與第4原料溶液用配管 ::Ϊ (二未楚顯不)以及質量流率控制器（圖未顯示）。上述溶 與質量流率控制器(圖未顯示)β再者，裝;== 學^ D能夠在上述溶劑供給源與第4 之間合併（混合）。 g e丄b 第1至4原料溶液用配管i、2、15、16各自的前 細孔處被分隔開。亦即，設置於載氣用配管3之中的第】 4原料溶液用配管卜2、15、16各自的前端與上述細孔之間 裝設著分散部。此分散部混合由第丨原料溶液用配管丨的前 端流出的第1原料溶液（化學原料A與溶劑的混合物）、由第 2原料溶液用配管2流出的第2原料溶液（化學原料B與溶劑 的混合物）、由第3原料溶液用配管丨5流出的第3原料溶液 (化學原料C與溶劑的混合物）、由第4原料溶液用配管丄6 流出的第4原料溶液（化學原料d與溶劑的混合物）、以及從 載氣用配管3流出的氬氣或氮氣，使得第1至4原料溶液分 別被分散於氬氣之中或是氮氣之中成為微粒子狀或霧狀。 上逑實施形態3與實施形態2具有相同的效果。 再者，本發明不限於上述實施形態，在不脫離本發明精 2170-6766-PF；Jessica 21 1305381 神，範圍内的各種變更都皆可以實施。例如，本發明的CVD 用氣化器、CVD用氣化方法以及溶液氣化式CV])裝置的應用 範圍很廣，不限於高速非揮發記憶體之FeRAM_LSI高品質高 介電常數薄膜（例如SBT、PZT薄膜）的沈積，可以使用在各 種化學原料’例如蒸氣壓低的物質，例如YBC〇(Super conductive Oxide) ^ Thick PZT/PLZT/SBTCFi1 ter, MEMS, Optical Interconnect, HD) ' Meta 1( Ir, Pt, Cu)> Barrier

Metal(TiN，TaN)、High k(Hf〇x，Al2〇3，BST)等。 再者，上述實施形態雖然是採用 Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me) ]2溶解於溶劑之中的第1原料溶液以 及Βι (MMP)3溶解於溶劑之的第2原料溶液，然而本發明不 限於這些原料溶液，也可以使用其他固體材料溶解於溶媒所 製成的原料溶液。再者，使用Sr[Ta(OEtM〇C2H4〇Me)]2等液 體原料當作原料溶液以外，也可以使用液體原料混合於溶媒 的原料溶液。 再者，上述實施形態之中，雖然說明了沈積丨種薄臈於 被，理基底，然而本發明不限於此，也可以連續地沈積複數 種薄膜於被處理基底。詳言之，將原料溶液與載氣經由CVD 用氣化器流入反應室（CVD chamber)適當的時間，在被處理 ，底沈積第1薄膜之後，將原料溶液的閥切換至排氣側，然 $經由CVD用氣化器供給預定流量之新的原料溶液於反應 室，此新的原料溶液的流量和（容積）如果超過由上述閥移至 CVD用^化器的配管容量的i倍至5倍時，由於新的原料溶 液與載氣會經由CVD用氣化器流入反應室適當的時間，而在 被，理基底上沈積第2薄膜，所以能夠連續地沈積2種以上 的，膜。再者，藉由重複這些動作可以連續地沈積3種以上 的薄膜。並且’在供給新的原料溶液於反應室時，也可以改 變被處理基底的溫度以及反應室的反應壓力。 實施例 以下說明實施例。 第3圖至第8圖顯示監測載氣的壓力的結果。 如第3圖所示，在監視點8〇，開始流入化學原料於氣化 管13’接著載氣的壓力上昇，在點42〇，BiMMP的載氣壓力 2170-6766-PF；Jessica 22 B05381 上昇直到220kPa(約2. 2氣壓量測壓）。此時，停止

BiMMP(〇.2CCm)’流入洗淨溶液ECH(0.5ccm)。此時載氣的壓 力隨即急遽地下降，而達到安定的440點的1 2〇kPa。此載氣 壓力降低’表示附著在喷霧器前端（細孔）的BiMMp已被洗淨 去除。 第4至第6圖也相同，可得知喷霧器前端的附著現象， 具有良好的再現性。此現象不限於使用

Sr[Ta(OEt)5(OC2H4〇Me)]2 與 Bi (MMP)3 的 SBTCVD，佶用以下外 學原料同樣也可以觀察到此現象。 學 原料為

Pb(DPM)2/ECH(0. 15mol/L),Zr(DIBM)4/ECH(0. 15m〇l/L) Ti( Oi-Pr)2(DPM)2/ECH(0. 30mol/L)。 ’ 第8圖之中，載氣的變化小。Sr[Ta(〇Et)5(〇C2H4〇Me 與Βι(ΜΜΡ)3的溶液濃度降低至1/2時，可得知噴霧器前 孔）的阻塞會減小。第8圖之中，在大約4〇分鐘的SBT薄膜 沈積堆積中，不會觀察到載氣壓力的上昇，再者，可以 每一次的洗淨操作，在完全沒有阻塞的狀態下進行sbtcvd。 此氣化器進行SBTCVD再現性試驗的結果，顯示於 圖以及第10圖。第9圖顯示沈積速度的再現性。進行1〇〇 批的沈積速度試驗，平均沈積速度7. 29nm/min.占 =0· 1 48nm/mi η，可以得到良好的連續沈積的再現性。 第10圖顯示沈積組成的再現性。進行1〇〇批的沈 度試驗。Bi/Sr組成比為平均3. 〇8 6 =〇. 〇65的再現性。' 比，平均2·075=0·0166，可得到良好的連續沈積的再 【圖式間單說明】 第1 (a)圖為根據本發明實施形態！之CVD用 液供給系統的構造示意圖，第1(b)圖為CVD用氣化器的^ 供給系統、分散部以及氣化部的剖面示意圖。、。^ 第2(c)圖為根據本發明實施形態2之CVD 液供給系統，構造示意圖，第圖為根據本發二 3之CVD用氣化器的溶液供給系統的構造示意圖。 2170-6766-PF/Jessica 1305381 第3圖為監測载氣的壓力之實驗結果示意圖。 第4圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第5圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第6圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第7圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第8圖為監測載氣的壓力之實驗結果示意圖。 第9圖為在實施方式1之CVD用氣化器進行SBTCVD的 再現性試驗的實驗結果示意圖。 第10圖為在實施方式iiCVD用氣化器進行sbtCVD的 再現性試驗的實驗結果示意圖。 第 11 圖為 S r [ T a (Ο Ε ΐ ) 5 (0 C 2 Η 4 Ο M e) ] 2 的 T G C H A R T ( A r 760/ 1 0T〇rr，02 760T〇rr)的示意圖。 第 12 圖為 Bi(0tAm)3 的 TG CHART(Ar 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第 13 圖為 Bi(MMP)3 的 TG CHART(Ar 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第 14 圖為 Bi(〇tAm)3/Sr[Ta(OEt)6]2 混合體的 TG CHARTCAr 760/l〇Torr，〇2 760Torr)的示意圖。 第15圖為NMR(H的核磁共振）特性的示意圖。 第 16 圖為 Bi (MMP)3/Sr [Ta(OEt)5(OC2H4〇Me) ]2 混合體的 TG CHART(Ar 760Torr)的示意圖。 第 17 圖為 BiPh3 的 TG CHART(Ar 760/1 0Torr，〇2 760Torr) 的示意圖。 第 18 圖為 BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2 混合體的 TG CHART(Ar 760,〇2 760Torr)的示意圖。 第19圖為BiPh3/Sr[Ta(OEt)6]2(NMR)的混合安定特性示 意圖。 第 20 圖為 BiPh3 的 TG-DTA CHART(〇2 76 0Torr)的示意圖。 【主要元件符號說明】1…第1原料溶液用配管； 2…第2原料溶液用配管； 5…第2供給機構； 4 •，構 管機 配給 用供 氣1 載第 閥 2170-6766-PF;Jessica 24 Ϊ305381 12…第3供給機構； 13···氣化管； 15…第3原料溶液用配管； 14···分散部； 16…第4原料溶液用配管； 17···高精度壓力計。

2170-6766-PF；Jessica 25

Claims (1)

1. D05g&ll40494號中文申請專利範圍修正本 申請專利範圍：

   《月ZOH;修(更)正本j 修正日期：97.5.20 1. 一種CVD用氣化器，其特徵在於包括： 複數個原料溶液用配管，以相互隔離的方式供給複數個原 料溶液； -載氣用配管，以包覆著上述複數個原料溶液用配管的方 式設置著’並且用來使加壓的載氣分別在上述複數個原料溶液 用配管各自的外侧流動； -細孔，設纽上述載氣—管的前端，由上述原料溶液 用配管的前端被隔開； -氣化管，連接上述載氣用配管的前端，並且藉由上述細 孔’連繫著該載氣用配管的内部；以及 -洗淨機構，用來洗淨該載氣用配f的前端、該細孔以及 該氣化管之中至少一者；以及 一加熱裝置，加熱上述氣化管； 其中，由上述包覆著上述複數個原料溶液用配管外側方式 設置之載氣用配管所提供之載氣係穿過上述細孔，同時往上述 氣化管流動，上述載氣及上述原料溶液係在上述設置於—分散 部内的細孔及原料溶液用配管前端之間混合，且藉由高速直接 從上述細孔往上述氣化管進行噴霧。 2. 如申請專利範圍第！項所述之㈣用氣化器，更包括一 監測上述載氣壓力的機構。 、、3·如申請專利範圍第1項所述之㈣用氣化器，其中上述 洗淨機構係藉由供給溶劍於栽a 合劑於栽氣用配管的前端以及細孔以進 行洗淨。 2170-6766-PF1

   26 1305381 4. 洗淨機 行洗淨 如申請專利範圍第2項所述之㈣用氣化器，其中上述 構係藉由供給溶劑於載氣用配管的前端以及細孔以進 申請專利範 5·—種溶液氣化式CVD裝置，其特徵在於包括 圍第1項所述之CVD用氣化器。 圍 6. 一種溶液氣化式CVD裝置，其特徵在於包括 第2項所述之CVD用氣化器。 申請專利範 7. —種溶液氣化式CVD裝置，其特徵在於包括申請專利範 圍第3項所述之CVD用氣化器。 8. 一種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申晴專利範圍第1項所述之CVD用氣化器；以及 連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管所 氡化的原料溶液進行沈積。 9· 一種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申請專利範圍第2項所述之CVD用氣化器；以及 連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管所 氣化的原料溶液進行沈積。 10. 一種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申請專利範圍第3項所述之CVD用氣化器；以及 連接上述氣化管的反應室’其特徵在於使用上述氣化管所 氣化的原料溶液進行沈積。 11，一種溶液氣化式CVD裝置，包括： 申請專利範圍第4項所述之CVD用氣化器；以及 連接上述氣化管的反應室，其特徵在於使用上述氣化管所 2170-6766-PF1 27 1305381 氣化的原料溶液進行沈積。 12·如申請專利範圍第8項所述溶液氣化式CVD裝置，其 中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨該 CVD用乳化器的—部分的狀態下與在其他該cvd用氣化器於使 用狀L下、，星過一段時間後，將上述使用狀態的CVD用氣化器 k更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化的原料溶 液於上述反應室。 1 3.如申請專利範圍第9項所述溶液氣化式cvd裝置，其 中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨該 CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器於使 用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀態的CVD用氣化器 變更為洗淨狀態的CVD用氣化器’而連續地供給氣化的原料溶 液於上述反應室。 14. 如申請專利範圍第10項所述溶液氣化式CVD裝置，其 中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨該 CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器於使 用狀態下，經過一段時間後’將上述使用狀態的CVD用氣化器 變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化的原料溶 液於上述反應室。 15. 如申請專利範圍第11項所述溶液氣化式CVD裝置，其 中上述CVD用氣化器包含複數個，且上述洗淨機構在洗淨該 CVD用氣化器的一部分的狀態下與在其他該CVD用氣化器於使 用狀態下，經過一段時間後，將上述使用狀態的CVD用氣化器 變更為洗淨狀態的CVD用氣化器，而連續地供給氣化的原料溶 2170-6766-PF1 28 1305381 液於上述反應室。 16. —種CVD用氣化方法，包括下列步驟·· 以相互隔離的方式將複數個原料溶液與載氣分別供給於 刀散# m分散部分散上述複數個原料成為微粒子狀或霧 狀於上述載氣之中’之後隨即斷熱膨服上述原料溶液而進行氣 化；以及 在上述氣化步驟中監測上述載氣的遷力，當上述載氣超過 既定㈣力時’停止供給上述複數個原料溶液於分散部，並且 洗淨上述分散部以及上述原料溶液的氣化區域的至少—者； 4載*J^包覆在上述複數個原料溶液外侧流動的 方式供給。 17’如申μ專利範圍第16項所述之_用氣化方法， 上述洗淨步驟係流入溶魯 /、τ ^ . 劑以及载氣於上述分散部以及上述原 科溶液的氣化區域的至少—者，且在上述 2 述載氣的壓力，當上诚# t ^ 麗測上 入上述溶劑而完成洗淨步驟。 停止流 p φ δ"4利範11第16項所述之gvd用氣化方法，其中 該-劑與上述原料溶液所含的溶劑為相同的物質。 士申-月專利乾圍帛17項所述之CVD用氣化 該溶劑與上述原料 去其中 抖/合液所含的溶劑為相同的物質。 2170-6766-PF1 29 (S