JP4019429B2 - Ｃｖｄ用気化器及び溶液気化式ｃｖｄ装置 - Google Patents
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- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims description 58
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 53
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims description 53
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 174
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 71
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 46
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 204
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 77
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 High k (HfOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007734 materials engineering Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- CUYORGNTEMJARP-UHFFFAOYSA-N tris[(1-methoxy-2-methylpropan-2-yl)oxy]bismuthane Chemical compound COCC(C)(C)O[Bi](OC(C)(C)COC)OC(C)(C)COC CUYORGNTEMJARP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/404—Oxides of alkaline earth metals
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
本発明は、ＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法に係わり、特に、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、ＣＶＤ用気化方法及び前記ＣＶＤ用気化器を用いた溶液気化式ＣＶＤ装置に関する。
１９７０年頃から半導体産業に導入採用されたＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術においては、薄膜材料を形成する場合、ガス状態の反応材料をリアクタに流して、化学反応を起こし、シリコン等半導体基板上に様々な組成の薄膜材料を形成する。しかし、ガス状の反応材料が用意できなければ、ＣＶＤ法によって、薄膜を形成する事ができない、というＣＶＤ技術の限界があった。
１９８７年のＩＥＤＭにおいて、Ｗ．Ｉ．ＫＩＮＮＥＹ ｅｔａｌが、強誘電体材料（ＰＺＴ，ＳＢＴ等）の分極現象を用いて、高速不揮発性メモリＦｅＲＡＭを作成する技術を発表した。当時は、Ｚｒ，Ｓｒ，Ｂｉを含有するガス状ケミカルを作製できなかったので、強誘電体材料ＰＺＴ，ＳＢＴ等の薄膜をＣＶＤ法によって作成する事が出来なかった。このため、フォトレジスト薄膜形成と同様のプロセスである、溶液塗布法がその作成に採用されてきた。溶液塗布法によって作製された強誘電体材料薄膜（膜厚４００−３００ｎｍ）は、段差被覆性が悪く、薄膜化（膜厚１５０−４０ｎｍ）するとピンホールが増加して電気絶縁性が低下する等の問題があった。段差が多く、強誘電体材料の薄膜化（膜厚１００−５０ｎｍ）が必須であるＦｅＲＡＭ−ＬＳＩの実用化を図るには、高品質強誘電体薄膜をＣＶＤ法でもって作製する技術が必須である。
１９９２年になって京都大学・工学部の塩崎助教授は、世界で初めて、強誘電体薄膜ＰＺＴをＣＶＤ法でもって作製し、学会に発表した。この時、塩崎助教授が採用したＣＶＤ装置は、固体ケミカルを昇華させてガス化する方法を採用している。
しかし、固体ケミカルを昇華させてガス化する方法には次のような問題がある。固体ケミカルを昇華させる際の昇華速度が遅いため、反応物質の流量を増加させることが困難であり、また反応物質の流量制御が困難であるから、薄膜の堆積速度が小さく、再現性が悪かった。また昇華させたケミカルを約２５０℃に加熱した配管を用いて、反応炉まで運ぶ事が困難であった。
本発明者は、塩崎助教授の発表技術を追試するため塩崎助教授の支援を受けて、塩崎助教授が採用した装置を、塩崎助教授と同じ装置メーカーから購入し、成膜試験を行った。しかし、運転開始直後に高温配管が目詰まりした。これの修理直後、今度は高温配管部が異常に過熱されてしまった。このような経験から、配管途中に複数のバルブが設置してある細く長い（１／４インチ外形、長さ１ｍ×数本）ステンレス配管を、２５０±５℃程度の高温に均一に加熱する事は、極めて困難な技術であると結論した。
本発明者は、上記の経験から昇華式ＣＶＤ装置を実用化する事は困難と結論した。そこで、溶液気化式ＣＶＤ法（所謂Ｆｌａｓｈ ＣＶＤ法）を採用することによって、強誘電体材料ＳＢＴの高品質薄膜を成膜することに世界で初めて成功した。これを国際学会ＩＳＩＦ‘９６（″Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ″．Ｃ．Ｉｓｏｂｅ，Ｈ．Ｙａｍｏｔｏ，Ｈ．ｙａｇｉ ｅｔ ａｌ，９ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ．Ｍａｒ．１９９６）に発表して、高速不揮発性メモリＦｅＲＡＭ−ＬＳＩの商品化の可能性を世界で初めて実証した。
固体材料を溶媒に溶解して溶液を作製し、この溶液を高温でガス化して、ＳＢＴ薄膜合成反応に必要な反応ガスを作製する気化器は、当初、アメリカＡＴＭＩ製を採用した。しかし、この気化器は、十数時間で、目詰まりするため、量産用ＣＶＤ装置の気化器には採用出来なかった。そのため、本発明者は、１９９６年に、島津製作所・吉岡氏や山形大学・工学部・物質工学科・都田教授に対して、高品質ＳＢＴ薄膜を安定して成膜するために必要な、高性能溶液供給制御系と高性能気化器の開発と製造を、注文した。しかし開発納入された装置（溶液供給制御装置と気化器）には以下のような問題があり、ＳＢＴ薄膜を安定して成膜する事ができなかった。尚、この装置（溶液供給制御装置と気化器）は特許文献１（特開２０００−２１６１５０号公報）及び特許文献２（特開２００２−１０５６４６号公報）に開示されている。
ＳＢＴ薄膜を合成するための反応物質は、Sr(DPM)2,BiPh3,Ta(OEt)5,Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2,Bi(OtAm)3,Bi(MMP)3 ［｛トリス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ビスマス｝以下同じ］等が採用されるが、特にSr[Ta(OEt)5(OC2H40Me)]2十Bi(MMP)3を用いると、320〜420℃の低温で高速堆積(5−100nm／mm)が可能であり、優れた段差被覆性と優れた電気特性を示す高品質のＳＢＴ薄膜を形成する事ができる。しかし、上記装置（溶液供給制御系と気化器）では、反応ガスにSr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2＋Bi(MMP)3を用いると、装置が短時間で目詰まりしてしまう。その原因を調査・考察してみたところ、原因は、Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2＋Bi(MMP)3の溶液を室温で混合するとSr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2とBi(MMP)3が反応して、溶解度が小さく、かつ昇華し難い物質が合成されるために溶液を流す流路や気化管先端が目詰まりする事であると判明した。以下、これらについて詳細に説明する。
図４は、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１０１と、圧力が１０Ｔｏｒｒ、流量が５０ｍｌ／分のアルゴン雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１０２と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１０３を示している。この図から、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２は、アルゴン雰囲気で１０Ｔｏｒｒの圧力下において、約２２０℃で完全に昇華する事が分かる。
図５は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉ（ＯｔＡｍ）３の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１１１と、圧力が１０Ｔｏｒｒ、流量が５０ｍｌ／分のアルゴン雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１１２と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１１３を示している。この図から、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３は、アルゴン雰囲気で１０Ｔｏｒｒの圧力下において、約１３０℃で、約９８％程度昇華する事がわかる。
図６は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉ（ＭＭＰ）３の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１２１と、圧力が１０Ｔｏｒｒ、流量が５０ｍｌ／分のアルゴン雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１２２と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１２３を示している。この図から、Ｂｉ（ＭＭＰ）３は、アルゴン雰囲気で１０Ｔｏｒｒの圧力下において、約１５０℃で、完全に昇華する事が分かる。
図７は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉ（ＯｔＡｍ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１３１と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１３３を示している。この図からＢｉ（ＯｔＡｍ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体は、アルゴン雰囲気下で３００℃以上まで加熱しても８０％程度しか昇華しない事が分かる。
以上のことから、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２と、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３は、単体ではほぼ１００％昇華するが、混合すると、昇華しない部分が生じている。この悪化した昇華特性が、気化器の目詰まりを招くと考えられる。
昇華特性悪化の原因は、図８に示すＮＭＲ（Ｈの核磁気共鳴）特性から分かる。
Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３とＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２を混合すると、新たなＮＭＲ特性が観察されるようになり新たな化合物が形成され存在する事を示している。
Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３とＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２を混合すると、新たなＮＭＲ特性が観察されるようになり新たな化合物が形成され存在する事を示している。
図９は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉ（ＭＭＰ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２混合体の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフである。この図から、Ｂｉ（ＭＭＰ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２混合体も、８０％程度しか昇華しなくなる事が分かる。
図１０は、ＢｉＰｈ３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉＰｈ３の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１４１と、圧力が１０Ｔｏｒｒ、流量が５０ｍｌ／分のアルゴン雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１４２と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１４３を示している。この図からＢｉＰｈ３は、約２００℃で１００％昇華する事が分かる。
図１１は、ＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分のアルゴン雰囲気でＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体の試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１５１と、圧力が７６０Ｔｏｒｒ、流量が１００ｍｌ／分の酸素雰囲気で前記試料を３０℃から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させた場合の試料重量の変化を示すグラフ１５３を示している。この図からＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体は、約２８０℃でほぼ１００％昇華する事が分かる。
図１２は、Ｍｉｘｉｎｇ Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＢｉＰｈ３ ＆ Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２（ＮＭＲ）特性を示す図である。この図からは、ＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体には、新たな物質の合成が見られない。
図１３は、ＢｉＰｈ３ＴＧ−ＤＴＡ ＣＨＡＲＴ（Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図に示すように、ＢｉＰｈ３の酸化反応は、４６５℃で起きる。これは、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２の２５９℃、Ｂｉ（ＭＭＰ）３の２０９℃、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３の２０５℃に比べて、酸化温度が高すぎるので、採用が困難である事が分かる。
図１３は、ＢｉＰｈ３ＴＧ−ＤＴＡ ＣＨＡＲＴ（Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。この図に示すように、ＢｉＰｈ３の酸化反応は、４６５℃で起きる。これは、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２の２５９℃、Ｂｉ（ＭＭＰ）３の２０９℃、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３の２０５℃に比べて、酸化温度が高すぎるので、採用が困難である事が分かる。
Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３は、僅か１８０ｐｐｍの水分によって、加水分解反応が起きる。これは、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２が１６５０ｐｐｍの水分によって、Ｂｉ（ＭＭＰ）３が１１７０ｐｐｍの水分によって加水分解反応が起きるのに比べて、桁違いに水分に敏感であり、
Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３の取り扱いが難しい事を示している。水分は必ず存在するので、水分とＢｉ（ＯｔＡｍ）３が反応し、作製されたＢｉ酸化物が配管や流量計を目詰まりさせる可能性が高くなる。
Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３の取り扱いが難しい事を示している。水分は必ず存在するので、水分とＢｉ（ＯｔＡｍ）３が反応し、作製されたＢｉ酸化物が配管や流量計を目詰まりさせる可能性が高くなる。
前述した従来技術の問題点を纏めると下記のようになる。
室温で固体のケミカルを昇華させてガス化し、これをＣＶＤ用反応ガスに用いる技術は、薄膜堆積速度が遅く、ばらつく等の問題があり、実用化は困難と考えられる。
また、室温で固体のケミカルを用いて、これを溶媒に溶解させ、霧化して、次に高温で気化させる技術である溶液気化式ＣＶＤ法は、堆積速度が速いが、溶液状態で化学反応が生じる現象があり、溶液配管等を目詰まりさせる問題がある。溶液配管等が目詰まりするとＣＶＤ装置を短時間でしか連続使用することができない。従って、溶液供給系に工夫を施す必要がある。
室温で固体のケミカルを昇華させてガス化し、これをＣＶＤ用反応ガスに用いる技術は、薄膜堆積速度が遅く、ばらつく等の問題があり、実用化は困難と考えられる。
また、室温で固体のケミカルを用いて、これを溶媒に溶解させ、霧化して、次に高温で気化させる技術である溶液気化式ＣＶＤ法は、堆積速度が速いが、溶液状態で化学反応が生じる現象があり、溶液配管等を目詰まりさせる問題がある。溶液配管等が目詰まりするとＣＶＤ装置を短時間でしか連続使用することができない。従って、溶液供給系に工夫を施す必要がある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に複数の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させる分散部と、
前記分散部に前記複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液通路と、
前記分散部に前記キャリアガスを前記複数の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス通路と、
前記分散部で分散された前記原料溶液を気化する気化部と、
前記気化部と前記分散部が繋げられ、前記分散部で分散された前記原料溶液が前記気化部に導入される細孔と、
を具備することを特徴とする。
前記分散部に前記複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液通路と、
前記分散部に前記キャリアガスを前記複数の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス通路と、
前記分散部で分散された前記原料溶液を気化する気化部と、
前記気化部と前記分散部が繋げられ、前記分散部で分散された前記原料溶液が前記気化部に導入される細孔と、
を具備することを特徴とする。
上記ＣＶＤ用気化器によれば、複数の原料溶液通路を設けているため、複数の原料溶液を互いに分離して分散部に供給することができる。これにより、複数の原料溶液が溶液状態で化学反応を起こすことを防止でき、原料溶液通路内部で目詰まりすることを防止できる。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化器において、前記分散部は前記細孔と前記複数の原料溶液通路それぞれの先端との間に配置され、前記細孔は前記複数の原料溶液通路及び前記キャリアガス通路それぞれに比べて径が小さいことが好ましい。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化器において、前記原料溶液を気化する時、前記気化部は減圧状態となり、前記分散部は加圧状態となることが好ましい。
本発明に係るＣＶＤ用気化器は、複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用配管と、
前記複数の原料溶液用配管の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが前記複数の原料溶液用配管それぞれの外側に流されるキャリアガス用配管と、前記キャリアガス用配管の先端に設けられ、前記原料溶液用配管の先端から離隔された細孔と、
前記キャリアガス用配管の先端に接続され、前記細孔によって該キャリアガス用配管の内部に繋げられた気化管と、
前記気化管を加熱する加熱手段と、
を具備することを特徴とする。
前記複数の原料溶液用配管の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが前記複数の原料溶液用配管それぞれの外側に流されるキャリアガス用配管と、前記キャリアガス用配管の先端に設けられ、前記原料溶液用配管の先端から離隔された細孔と、
前記キャリアガス用配管の先端に接続され、前記細孔によって該キャリアガス用配管の内部に繋げられた気化管と、
前記気化管を加熱する加熱手段と、
を具備することを特徴とする。
上記ＣＶＤ用気化器によれば、複数の原料溶液用配管を設けているため、複数の原料溶液を互いに分離して分散部に供給することができる。これにより、複数の原料溶液が溶液状態で化学反応を起こすことを防止でき、原料溶液通路内部で目詰まりすることを防止できる。また、複数の原料溶液用配管の外部をキャリアガス用配管で包み、原料溶液用配管とキャリアガス用配管との隙間にキャリアガスを流す構造を採用し、その下流側に断熱膨張させる気化管を設けている。つまり、原料溶液用配管の外側の前記隙間に加圧されたキャリアガスを流すため、原料溶液用配管及びキャリアガス用配管において温度上昇を抑制することができる。従って、細孔と原料溶液用配管の先端との間において原料溶液中の溶剤のみが気化することを抑制できるため、原料溶液が化学反応を起こすことを抑制でき、細孔及びその付近で目詰まりすることを抑制できる。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化器においては、前記キャリアガス用配管内における前記細孔と前記複数の原料溶液用配管それぞれの先端との間において、前記キャリアガスと前記複数の原料溶液を混合して、該キャリアガス中に該複数の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させ、この分散させた微粒子状又は霧状の原料溶液が、前記細孔を通って前記気化管に導入され、前記加熱手段によって加熱されて気化されるものである。これにより、細孔や細孔付近の気化管において原料溶液中の溶剤のみが気化することを抑制できるため、原料溶液が化学反応を起こすことを抑制でき、目詰まりすることを抑制できる。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化器において、前記細孔は前記複数の原料溶液用配管及び前記キャリアガス用配管それぞれの口径に比べて小さいことが好ましい。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化器において、前記複数の原料溶液は、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２を溶剤に混合したものと、Ｂｉ（ＭＭＰ）３を溶剤に混合したものであり、前記キャリアガスはアルゴンガス又は窒素ガスであることも可能である。
本発明に係る溶液気化式ＣＶＤ装置は、前記のＣＶＤ用気化器のいずれかを具備することを特徴とする。
本発明に係る溶液気化式ＣＶＤ装置は、前記のいずれかのＣＶＤ用気化器と、
前記気化管に接続された反応室と、
を具備し、
前記気化管で気化された原料溶液を用いて成膜することを特徴とする。
前記気化管に接続された反応室と、
を具備し、
前記気化管で気化された原料溶液を用いて成膜することを特徴とする。
本発明に係るＣＶＤ用気化方法は、複数の原料溶液及びキャリアガスそれぞれを互いに分離して分散部に供給し、該分散部で混合して前記キャリアガス中に前記複数の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させ、その直後に前記原料溶液を断熱膨張させて気化することを特徴とする。
また、本発明に係るＣＶＤ用気化方法においては、前記複数の原料溶液を混合した後１秒以内に微粒子状又は霧状に分散させることが好ましい。これにより、分散部において原料溶液中の溶剤のみが気化することを抑制できるため、分散部で原料溶液が化学反応を起こすことを抑制でき、分散部や細孔で目詰まりすることを抑制できる。
以上説明したように本発明によれば、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｂ）は、ＣＶＤ用気化器の溶液供給系、分散部及び気化部を模式的に示す断面図である。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｂ）は、ＣＶＤ用気化器の溶液供給系、分散部及び気化部を模式的に示す断面図である。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、ＣＶＤ用気化器は第１及び第２の原料溶液用配管１，２を有している。第１の原料溶液用配管１は第２の原料溶液用配管２に隣接して平行に配置されている。第１及び第２の原料溶液用配管１，２の外側にはキャリアガス用配管３が配置されている。キャリアガス用配管３の内径は第１の原料溶液用配管１の外径と第２の原料溶液用配管２の外径との和より大きく形成されている。つまり、第１及び第２の原料溶液用配管１，２はキャリアガス用配管３の内部に挿入されており、第１及び第２の原料溶液用配管１，２を包むようにキャリアガス用配管３が形成されている。
第１の原料溶液用配管１の基端側はケミカル１及び溶剤を供給する第１の供給機構４に接続されている。第１の供給機構４はケミカル（例えばＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２）１を供給する供給源と溶剤を供給する供給源を有している。ケミカル１の供給源と第１の原料溶液用配管１との間にはバルブ６及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。前記溶剤の供給源と第１の原料溶液用配管１との間にはバルブ７及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。また、前記溶剤の供給源と第１の原料溶液用配管１との間で溶剤とケミカル１が合流（混合）するようになっている。
第２の原料溶液用配管２の基端側はケミカル２及び溶剤を供給する第２の供給機構５に接続されている。第２の供給機構５はケミカル（例えばＢｉ（ＭＭＰ）３）２を供給する供給源と溶剤を供給する供給源を有している。ケミカル２の供給源と第２の原料溶液用配管２との間にはバルブ８及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。前記溶剤の供給源と第２の原料溶液用配管２との間にはバルブ９及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。また、前記溶剤の供給源と第２の原料溶液用配管２との間で溶剤とケミカル２が合流（混合）するようになっている。
キャリアガス用配管３の基端側はアルゴンガス及び窒素ガスを供給する第３の供給機構１２に接続されている。第３の供給機構１２はアルゴンガス（Ａｒ）を供給する供給源と窒素ガス（Ｎ２）を供給する供給源を有している。アルゴンガスの供給源とキャリアガス用配管３との間にはバルブ１０及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。窒素ガスの供給源とキャリアガス用配管３との間にはバルブ１１及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。
キャリアガス用配管３の先端には気化管１３の一端が接続されている。キャリアガス用配管３の先端には細孔が設けられており、この細孔によってキャリアガス用配管３の内部と気化管１３の内部が繋げられている。また、気化管１３の周囲にはヒーターが設けられており、このヒーターによって気化管１３を例えば２７０℃程度に加熱するようになっている。また、気化管１３の他端は図示せぬ反応室に接続されている。
第１及び第２の原料溶液用配管１，２それぞれの先端は前記細孔から離間されている。即ち、キャリアガス用配管３内における第１及び第２の原料溶液用配管１，２それぞれの先端と前記細孔との間には分散部１４が設けられている。この分散部１４は、第１の原料溶液用配管１の先端から流れ出る第１の原料溶液（ケミカル１と溶剤を混合したもの）、第２の原料溶液用配管２の先端から流れ出る第２の原料溶液（ケミカル２と溶剤を混合したもの）、及びキャリアガス用配管３から流れ出るアルゴンガス又は窒素ガスを混合して、アルゴンガス中又は窒素ガス中に第１及び第２の原料溶液それぞれを微粒子状又は霧状に分散させるものである。
次に、上記ＣＶＤ用気化器の動作について説明する。
まず、バルブ６を開けて第１の供給機構４から第１の原料溶液を所定の流量及び所定の圧力で第１の原料溶液用配管１に供給する。第１の原料溶液は例えばＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２と溶剤を混合したものである。また、バルブ８を開けて第２の供給機構５から第２の原料溶液を所定の流量及び所定の圧力で第２の原料溶液用配管２に供給する。第２の原料溶液は例えばＢｉ（ＭＭＰ）３と溶剤を混合したものである。また、バルブ１０，１１を開けて第３の供給機構１２からキャリアガスを所定の流量及び圧力でキャリアガス用配管３に供給する。キャリアガスは例えばアルゴンガス又は窒素ガスである。ヘリウムガス等も採用する事ができる。
まず、バルブ６を開けて第１の供給機構４から第１の原料溶液を所定の流量及び所定の圧力で第１の原料溶液用配管１に供給する。第１の原料溶液は例えばＳｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２と溶剤を混合したものである。また、バルブ８を開けて第２の供給機構５から第２の原料溶液を所定の流量及び所定の圧力で第２の原料溶液用配管２に供給する。第２の原料溶液は例えばＢｉ（ＭＭＰ）３と溶剤を混合したものである。また、バルブ１０，１１を開けて第３の供給機構１２からキャリアガスを所定の流量及び圧力でキャリアガス用配管３に供給する。キャリアガスは例えばアルゴンガス又は窒素ガスである。ヘリウムガス等も採用する事ができる。
次いで、第１の原料溶液は第１の原料溶液用配管１を通って分散部１４に供給され、第２の原料溶液は第２の原料溶液用配管２を通って分散部１４に供給され、加圧されたキャリアガスはキャリアガス用配管３を通って分散部１４に供給される。そして分散部１４において、第１及び第２の原料溶液とキャリアガスが混合され、キャリアガス中に第１及び第２の原料溶液それぞれが微粒子状又は霧状に分散される。第１及び第２の原料溶液が分散部１４で混合された時から微粒子状又は霧状に分散されるまでは１秒以内であることが好ましい。
次いで、分散部１４でキャリアガス中に分散された第１及び第２の原料溶液は細孔を通って気化管１３に導入される。気化管１３において、分散され霧化した第１及び第２の原料溶液は、ヒーターによって瞬時に約２７０℃に加熱される。
ここで分散部１４内の圧力と気化管１３内の圧力とは大きな差がある。気化管１３内は減圧下であり、分散部１４内は加圧下である。気化管１３内の圧力は例えば５〜３０Ｔｏｒｒであるのに対し、分散部１４内の圧力は例えば１５００〜２２００Ｔｏｒｒである。このような圧力差を設けることにより、キャリアガスは、超高速で気化管に噴出し、圧力差に基づいて膨張（例えば断熱膨張）する。これにより第１及び第２の原料溶液に含まれるケミカルの昇華温度は低下するため、ヒーターからの熱で原料溶液（ケミカルも含む）は気化する。また第１及び第２の原料溶液は、高速のキャリアガス流によって、分散部１４で分散させた直後微細な霧になるために瞬時に気化管１３内で気化しやすくなる。
ここで分散部１４内の圧力と気化管１３内の圧力とは大きな差がある。気化管１３内は減圧下であり、分散部１４内は加圧下である。気化管１３内の圧力は例えば５〜３０Ｔｏｒｒであるのに対し、分散部１４内の圧力は例えば１５００〜２２００Ｔｏｒｒである。このような圧力差を設けることにより、キャリアガスは、超高速で気化管に噴出し、圧力差に基づいて膨張（例えば断熱膨張）する。これにより第１及び第２の原料溶液に含まれるケミカルの昇華温度は低下するため、ヒーターからの熱で原料溶液（ケミカルも含む）は気化する。また第１及び第２の原料溶液は、高速のキャリアガス流によって、分散部１４で分散させた直後微細な霧になるために瞬時に気化管１３内で気化しやすくなる。
このようにしてＣＶＤ用気化器で第１及び第２の原料溶液を気化して原料ガスを形成する。この原料ガスが気化管１３を通って反応室に送られ、この反応室でＣＶＤ法によって薄膜が成膜される。
上記実施の形態１によれば、第１及び第２の原料溶液用配管１，２を互いに隣接して平行に配置し、これらの配管１，２の外側にキャリアガス用配管３を配置することにより、第１の原料溶液（Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２）と第２の原料溶液（Ｂｉ（ＭＭＰ）３）を互いに分離して分散部１４に供給することができる。これにより、第１の原料溶液と第２の原料溶液が溶液状態で化学反応を起こすことを防止でき、配管内部で目詰まりすることを防止できる。よって、ＣＶＤ用気化器の連続使用時間を長くすることができる。
また、本実施の形態では、第１及び第２の原料溶液用配管１，２それぞれの外部をより大口径のキャリアガス用配管３で包み、原料溶液用配管１，２とキャリアガス用配管３との隙間にキャリアガスを流す構造を採用し、その下流側に高温気化管を設けている。原料溶液用配管１，２の外側の前記隙間に加圧されたキャリアガスを高速で流すため（例えばキャリアガスは、４気圧で２００ｍｌ／ｍｉｎ．〜２Ｌ／ｍｉｎ）、第１及び第２の原料溶液用配管１，２、キャリアガス用配管３及び分散部１４において温度上昇を抑制することができる。従って、原料溶液配管１，２及び分散部１４において原料溶液中の溶剤のみが蒸発気化することを抑制できるため、原料溶液配管１，２及び分散部１４で原料溶液が高濃度化し、粘度の上昇や溶解度を越えて析出する現象を起こすことを抑制でき、原料溶液配管１，２及び分散部１４や細孔で目詰まりすることを抑制できる。
また、本実施の形態では、分散部１４でキャリアガスに第１及び第２の原料溶液を混合させた直後（１秒以内）に微粒子状又は霧状に分散させることにより、分散部１４で原料溶液が化学反応を起こすことを抑制でき、分散部１４や細孔で目詰まりすることを抑制できる。よって、ＣＶＤ用気化器の連続使用時間を長くすることができる。
また、本実施の形態では、第１及び第２の原料溶液を分散部１４で分散させ、この分散させた微粒子状又は霧状の原料溶液を気化管１３内で加熱して瞬時に気化（ガス化）させることができる。従って、細孔や細孔付近の気化管１３において原料溶液中の溶剤のみが気化することを抑制できるため、細孔や細孔付近の気化管で原料溶液が化学反応を起こすことを抑制でき、細孔や細孔付近の気化管で目詰まりすることを抑制できる。よって、ＣＶＤ用気化器の連続使用時間を長くすることができる。
上述したように本実施の形態では、配管１〜３、分散部１４、細孔及び気化管で目詰まりすることを抑制することにより、ＣＶＤ用気化器を安定して長時間連続使用することが可能となる。従って、強誘電体材料ＰＺＴ、ＳＢＴ等の薄膜を再現性及び制御性良く成膜することができ、ＣＶＤ用気化器及び溶液気化式ＣＶＤ装置の高性能化を実現できる。
（実施の形態２）
図１（ｃ）は、本発明の実施の形態２によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図１（ｃ）は、本発明の実施の形態２によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図１（ｃ）に示すＣＶＤ用気化器は、３つの原料溶液を分散部に供給する３つの配管１，２，１５を有している。つまり、第１の原料溶液用配管１と第２の原料溶液用配管２と第３の原料溶液用配管１５は互いに隣接して平行に配置されている。第１乃至第３の原料溶液用配管１，２，１５の外側にはキャリアガス用配管３が配置されている。即ち、第１乃至第３の原料溶液用配管１，２，１５はキャリアガス用配管３の内部に挿入されており、第１乃至第３の原料溶液用配管１，２，１５を包むようにキャリアガス用配管３が形成されている。
第３の原料溶液用配管１５の基端側はケミカル３及び溶剤を供給する第３の供給機構（図示せず）に接続されている。第３の供給機構はケミカル３を供給する供給源と溶剤を供給する供給源を有している。ケミカル３の供給源と第３の原料溶液用配管１５との間にはバルブ（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。前記溶剤の供給源と第３の原料溶液用配管１５との間にはバルブ（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。また、前記溶剤の供給源と第３の原料溶液用配管１５との間で溶剤とケミカル３が合流（混合）するようになっている。
第１乃至第３の原料溶液用配管１，２，１５それぞれの先端は細孔から離間されている。即ち、キャリアガス用配管３内における第１乃至第３の原料溶液用配管１，２，１５それぞれの先端と前記細孔との間には分散部が設けられている。この分散部は、第１の原料溶液用配管１の先端から流れ出る第１の原料溶液（ケミカル１と溶剤を混合したもの）、第２の原料溶液用配管２の先端から流れ出る第２の原料溶液（ケミカル２と溶剤を混合したもの）、第３の原料溶液用配管１５の先端から流れ出る第３の原料溶液（ケミカル３と溶剤を混合したもの）、及びキャリアガス用配管３から流れ出るアルゴンガス又は窒素ガスを混合して、アルゴンガス中又は窒素ガス中に第１乃至第３の原料溶液それぞれを微粒子状又は霧状に分散させるものである。
上記実施の形態２においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態３）
図１（ｄ）は、本発明の実施の形態３によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｃ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図１（ｄ）は、本発明の実施の形態３によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｃ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図１（ｄ）に示すＣＶＤ用気化器は、４つの原料溶液を分散部に供給する４つの配管１，２，１５，１６を有している。つまり、第１の原料溶液用配管１と第２の原料溶液用配管２と第３の原料溶液用配管１５と第４の原料溶液用配管１６は互いに隣接して平行に配置されている。第１乃至第４の原料溶液用配管１，２，１５，１６の外側にはキャリアガス用配管３が配置されている。即ち、第１乃至第４の原料溶液用配管はキャリアガス用配管３の内部に挿入されており、第１乃至第４の原料溶液用配管を包むようにキャリアガス用配管３が形成されている。
第４の原料溶液用配管１６の基端側はケミカル４及び溶剤を供給する第４の供給機構（図示せず）に接続されている。第４の供給機構はケミカル４を供給する供給源と溶剤を供給する供給源を有している。ケミカル４の供給源と第４の原料溶液用配管１６との間にはバルブ（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。前記溶剤の供給源と第４の原料溶液用配管１６との間にはバルブ（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）が設けられている。また、前記溶剤の供給源と第４の原料溶液用配管１６との間で溶剤とケミカル４が合流（混合）するようになっている。
第１乃至第４の原料溶液用配管１，２，１５，１６それぞれの先端は細孔から離間されている。即ち、キャリアガス用配管３内における第１乃至第４の原料溶液用配管それぞれの先端と前記細孔との間には分散部が設けられている。この分散部は、第１の原料溶液用配管１の先端から流れ出る第１の原料溶液（ケミカル１と溶剤を混合したもの）、第２の原料溶液用配管２の先端から流れ出る第２の原料溶液（ケミカル２と溶剤を混合したもの）、第３の原料溶液用配管１５の先端から流れ出る第３の原料溶液（ケミカル３と溶剤を混合したもの）、第４の原料溶液用配管１６の先端から流れ出る第４の原料溶液（ケミカル４と溶剤を混合したもの）、及びキャリアガス用配管３から流れ出るアルゴンガス又は窒素ガスを混合して、アルゴンガス中又は窒素ガス中に第１乃至第４の原料溶液それぞれを微粒子状又は霧状に分散させるものである。
上記実施の形態３においても実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、本発明のＣＶＤ用気化器、ＣＶＤ用気化方法及び溶液気化式ＣＶＤ装置の応用範囲は広く、高速不揮発性メモリであるＦｅＲＡＭ−ＬＳＩ用の高品質の強誘電体薄膜（例えばＳＢＴ、ＰＺＴ薄膜）の成膜に限られず、様々な蒸気圧が低いケミカルを用いて、ＹＢＣＯ（Ｓｕｐｅｒ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）、Ｔｈｉｃｋ ＰＺＴ／ＰＬＺＴ／ＳＢＴ（Ｆｉｌｔｅｒ，ＭＥＭＳ，Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ，ＨＤ）、Ｍｅｔａｌ（Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ）、Ｂａｒｒｉｅｒ Ｍｅｔａｌ（ＴｉＮ，ＴａＮ）、Ｈｉｇｈ ｋ（ＨｆＯｘ，Ａｌ２Ｏ３，ＢＳＴ ｅｔｃ）等の薄膜をＣＶＤを用いて形成する事が可能である。
また、上記実施の形態では、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２を溶剤に溶解した第１の原料溶液とＢｉ（ＭＭＰ）３を溶剤に溶解した第２の原料溶液を用いているが、これらの原料溶液に限定されるものではなく、他の固体材料を溶媒に溶解して作製した原料溶液を用いることも可能である。さらには、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２等の液体原料そのものを原料溶液として用いてもよいし、液体原料を溶媒に混ぜたものを原料溶液として用いることも可能である。
また、上記実施の形態では、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２を溶剤に溶解した第１の原料溶液とＢｉ（ＭＭＰ）３を溶剤に溶解した第２の原料溶液を用いているが、これらの原料溶液に限定されるものではなく、他の固体材料を溶媒に溶解して作製した原料溶液を用いることも可能である。さらには、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２等の液体原料そのものを原料溶液として用いてもよいし、液体原料を溶媒に混ぜたものを原料溶液として用いることも可能である。
以下、実施例について説明する。
図２は、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器を備えた溶液気化式ＣＶＤ装置を連続運転して２０枚のシリコンウエハ上に膜厚が５０．９ｎｍのＳＢＴ薄膜を同一条件で成膜した実験結果を示す図である。この図によれば、２０枚のシリコンウエハ上にＳＢＴ薄膜を連続運転して成膜した場合、膜厚のばらつきの無いＳＢＴ薄膜を安定して成膜することができることが確認された。つまり、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器では、該気化器内部で目詰まりすることなく２０枚のシリコンウエハ上に安定してＳＢＴ薄膜を成膜できることが確認できた。
図２は、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器を備えた溶液気化式ＣＶＤ装置を連続運転して２０枚のシリコンウエハ上に膜厚が５０．９ｎｍのＳＢＴ薄膜を同一条件で成膜した実験結果を示す図である。この図によれば、２０枚のシリコンウエハ上にＳＢＴ薄膜を連続運転して成膜した場合、膜厚のばらつきの無いＳＢＴ薄膜を安定して成膜することができることが確認された。つまり、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器では、該気化器内部で目詰まりすることなく２０枚のシリコンウエハ上に安定してＳＢＴ薄膜を成膜できることが確認できた。
図３は、２０枚のシリコンウエハ上にＳＢＴ薄膜を溶液気化式ＣＶＤ装置の連続運転で成膜し、各ウエハ上のＳＢＴ薄膜中のＢｉ、Ｔａ、Ｓｒの組成を測定した実験結果を示す図である。この図によれば、２０枚のシリコンウエハ上においてＢｉ、Ｔａ、Ｓｒの組成が安定したＳＢＴ薄膜を成膜できることが確認された。
また、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器を備えた溶液気化式ＣＶＤ装置を連続運転してＳＢＴ薄膜を段差部上や凹部又は溝部の内部に成膜する実験を行った結果、ステップカバレージの良いＳＢＴ薄膜を成膜できることも確認された。また、ＳＢＴの分極現象を用いた高速不揮発性メモリＦｅＲＡＭを、前記溶液気化式ＣＶＤ装置を用いて作製する実験を行った結果、ＳＢＴ薄膜において非常に優れた分極特性が得られることを確認できた。
［図１］図１（ａ）は本発明の実施の形態１によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｂ）は溶液供給系、分散部及び気化部を模式的に示す断面図であり、図１（ｃ）は実施の形態２によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図であり、図１（ｄ）は実施の形態３によるＣＶＤ用気化器の溶液供給系を模式的に示す構成図である。
［図２］図２は、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器を備えた溶液気化式ＣＶＤ装置を連続運転してＳＢＴ薄膜を成膜した実験結果を示す図である。
［図３］図３は、ＳＢＴ薄膜を溶液気化式ＣＶＤ装置の連続運転で成膜し、ＳＢＴ薄膜中のＢｉ、Ｔａ、Ｓｒの組成を測定した実験結果を示す図である。
［図４］図４は、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図５］図５は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図６］図６は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図７］図７は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図８］図８は、ＮＭＲ（Ｈの核磁気共鳴）特性を示す図である。
［図９］図９は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１０］図１０は、ＢｉＰｈ３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１１］図１１は、ＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１２］図１２は、Ｍｉｘｉｎｇ Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＢｉＰｈ３ ＆ Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２（ＮＭＲ）特性を示す図である。
［図１３］図１３は、ＢｉＰｈ３ＴＧ−ＤＴＡ ＣＨＡＲＴ（Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図２］図２は、実施の形態１によるＣＶＤ用気化器を備えた溶液気化式ＣＶＤ装置を連続運転してＳＢＴ薄膜を成膜した実験結果を示す図である。
［図３］図３は、ＳＢＴ薄膜を溶液気化式ＣＶＤ装置の連続運転で成膜し、ＳＢＴ薄膜中のＢｉ、Ｔａ、Ｓｒの組成を測定した実験結果を示す図である。
［図４］図４は、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図５］図５は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図６］図６は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図７］図７は、Ｂｉ（ＯｔＡｍ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図８］図８は、ＮＭＲ（Ｈの核磁気共鳴）特性を示す図である。
［図９］図９は、Ｂｉ（ＭＭＰ）３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１０］図１０は、ＢｉＰｈ３のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０／１０Ｔｏｒｒ，Ｏ２ ７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１１］図１１は、ＢｉＰｈ３／Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２混合体のＴＧ ＣＨＡＲＴ（Ａｒ ７６０，Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
［図１２］図１２は、Ｍｉｘｉｎｇ Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＢｉＰｈ３ ＆ Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）６］２（ＮＭＲ）特性を示す図である。
［図１３］図１３は、ＢｉＰｈ３ＴＧ−ＤＴＡ ＣＨＡＲＴ（Ｏ２７６０Ｔｏｒｒ）を示す図である。
１…第１の原料溶液用配管
２…第２の原料溶液用配管
３…キャリアガス用配管
４…第１の供給機構
５…第２の供給機構
６〜１１…バルブ
１２…第３の供給機構
１３…気化管
１４…分散部
１５…第３の原料溶液用配管
１６…第４の原料溶液用配管
２…第２の原料溶液用配管
３…キャリアガス用配管
４…第１の供給機構
５…第２の供給機構
６〜１１…バルブ
１２…第３の供給機構
１３…気化管
１４…分散部
１５…第３の原料溶液用配管
１６…第４の原料溶液用配管
Claims (6)
- 複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用配管と、
前記複数の原料溶液用配管の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが前記複数の原料溶液用配管それぞれの外側に流されるキャリアガス用配管と、
前記キャリアガス用配管の先端に設けられ、前記原料溶液用配管の先端から離隔された細孔と、
前記キャリアガス用配管の先端に接続され、前記細孔によって該キャリアガス用配管の内部に繋げられた気化管と、
前記気化管を加熱する加熱手段と、
を具備することを特徴とするＣＶＤ用気化器。 - 前記キャリアガス用配管内における前記細孔と前記複数の原料溶液用配管それぞれの先端との間において、前記キャリアガスと前記複数の原料溶液を混合して、該キャリアガス中に該複数の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させ、この分散させた微粒子状又は霧状の原料溶液が、前記細孔を通って前記気化管に導入され、前記加熱手段によって加熱されて気化されることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ用気化器。
- 前記細孔は前記複数の原料溶液用配管及び前記キャリアガス用配管それぞれのロ径に比べて小さいことを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ用気化器。
- 前記複数の原料溶液は、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＥｔ）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＭｅ）］２を溶剤に混合したものと、Ｂｉ（ＭＭＰ）３を溶剤に混合したものであり、前記キャリアガスはアルゴンガス又は窒素ガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＣＶＤ用気化器。
- 請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＣＶＤ用気化器を具備することを特徴とする溶液気化式ＣＶＤ装置。
- 請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＣＶＤ用気化器と、
前記気化管に接続された反応室と、
を具備し、
前記気化管で気化された原料溶液を用いて成膜することを特徴とする溶液気化式ＣＶＤ装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003432566 | 2003-12-26 | ||
| JP2003432566 | 2003-12-26 | ||
| PCT/JP2004/006633 WO2005067016A1 (ja) | 2003-12-26 | 2004-05-17 | Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005067016A1 JPWO2005067016A1 (ja) | 2007-07-26 |
| JP4019429B2 true JP4019429B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=34746866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005516785A Expired - Lifetime JP4019429B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-05-17 | Ｃｖｄ用気化器及び溶液気化式ｃｖｄ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070166458A1 (ja) |
| JP (1) | JP4019429B2 (ja) |
| WO (1) | WO2005067016A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101543272B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2015-08-12 | 주성엔지니어링(주) | 기화기를 가지는 증착장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8221557B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-07-17 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for exposing semiconductor workpieces to vapors for through-hole cleaning and/or other processes |
| CN108780752A (zh) * | 2016-03-24 | 2018-11-09 | 株式会社国际电气 | 气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3118493B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2000-12-18 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 液体原料用ｃｖｄ装置 |
| JP3470055B2 (ja) * | 1999-01-22 | 2003-11-25 | 株式会社渡邊商行 | Ｍｏｃｖｄ用気化器及び原料溶液の気化方法 |
| JP2003273030A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Watanabe Shoko:Kk | Ｃｖｄ薄膜堆積の方法 |
| JP2003309114A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給方法及び気化供給装置 |
| JP2003318170A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器 |
-
2004
- 2004-03-17 US US10/584,726 patent/US20070166458A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-17 WO PCT/JP2004/006633 patent/WO2005067016A1/ja active Application Filing
- 2004-05-17 JP JP2005516785A patent/JP4019429B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101543272B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2015-08-12 | 주성엔지니어링(주) | 기화기를 가지는 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070166458A1 (en) | 2007-07-19 |
| WO2005067016A1 (ja) | 2005-07-21 |
| JPWO2005067016A1 (ja) | 2007-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070903 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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