TW200415672A - Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device - Google Patents

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200415672 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種選擇加工形成於基板上的 、、丄 ，、> 朕的加 工万法、半導體裝置之製造方法及加工裝置。 【先前技術】 一般隨著半導體元件細微化，在微影製程方面和下岸 對σ (對準）技術的高精度化成為必須。以往在曝光時進行 使已形成於基板上的圖案和曝光的圖案的位置—致的對淮 之際κ吏用檢測對準標記位置的專用*波器進行。然2 ，財法m偏移必定存在於對準專用示波器和曝光轴之 而受熱漂移等影響在對準示波器和曝光轴產生偏差，產 對率才“己位置的對合偏差。因此，隨著半導體細微化進展 =生了下述問題點：對準位置的對合偏差大小大幅給鱼 晶片收獲率影響。 一 ETT為二善二問題點，同轴進行對準標記檢測和曝光的 地匕光罩曝光）万式被認為是次世代有 術。FTTR方式可會顼古拌命| ^ ί卞技 万式了Λ現冋精度對準的反面，因使用和曝光同 一 DUV區域的波長朵源 /、 ’波長先源而作為問題產生：在形成於光阻下 “的防止反射膜的井吸你 下層的對準桿不能檢測出來自防止反射膜 ,,r . ^ ' 貝戒。同樣地，形成於對準標記上 ===機崎膜錢切、碳切等層間絕緣膜對於曝 即使3明時，也不能取得對準標記的位置資訊。此外， ;:;!行™準的情況也是，對準光的對比度弱時也 不此取件對準的位置資訊。 85189 200415672 對此問題提出一種方法··在對準 τ灰布王則，照射雷 到形成於對準標記上的不透明膜而選擇㈣^田n 方法在雷射加工時產生的粒子會而用此 為致命的缺陷，其形成問題。 s或’成 如上述，有下述問題：選擇加工 刀口工區域的力口 屋生的粒子附著於加工區域外， 媒 飞卜成為缺陷的原因。 【發明内容】 (1)係-種關於本發明—例的加工方法，、 基板上的加工膜的加工區域選 丁:心成万; 包含以下製程:使在前述基板上的照加工’ 幻的弟加工先對於前述基板相對掃插而選 加工區域的加工膜加工； '处 域昭射m-a 丄 +比則述加工區域内側的區 尤埯擇進仃比|述加工區域内例μ f # 的前述加工膜加工。 ^ a円側的£域 (2) 關於本發明一例 ^ 的加工万法包含以下製程··在基板上 开y成弟一胺；在第— 极上 月旲上开y成罘一胺；及， 射加工用能量線，—面㈣兮、十 1 對基板壤擇照 膜氣化，使第-瞄、 面使則述罘一 罘一艇一邵分除去或使膜厚減少。 (3) 關於本發明一例的選擇加工形成 工區域的加工批罢H 、基板上的加工膜加 衣置具備基板保持部：保拉二 源：產生使前H 侏持則述基板丨線 使則述加工膜一部分選擇減少 形成部：g?菩、；^么 及除去的犯夏線， _置万；則述能量線的光軸上， 生的能量線·搞》、 乂成以則述先源展 良，知描邵：使以此形成部形旦 述基板相對掃斤·瓦、、 、、 战的此里線對於刖 〜田’’液體供應邵：-面按照此掃描部的 85189 200415672 一面連續供應液體 能量掃描方向使液體的流動方向變化 給可述基板的加工區域表面。 (句關於本發明一例的選擇加工形成於基板上的加工膜加 工區域的加工裝置具備基板保持部：保持前述基板；線 源：.產生使前述加工膜一部分選擇減少或除去的能量線； 形成邯：配置於前述能量線的光軸上，形成以前述光源產 ，的能量線，照射周期排列前述基板上的照射形狀的能量 、、泉，及，掃描部：使前述能量線在前述周期以下對於基板 相對掃描。 、土 处係一種關於本發明的加工方法，其對各加工單位照射 能量線，進行使形成於基板上的加工膜加工區域選擇除去 或膜厚減少的加工，其特徵在於：包含以下製程··求出來 自削述加工膜的反射光的強度分佈；由前述反射光強度決 足對前述各加工單位照射的能量線的能量；及，對於前述 各加工單位依次照射基於所決定的照射能量的前述能量線 者0 (2)係一種關於本發明的加工方法，其對各加工單位照射 忐I線，使形成於基板上的加工膜加工區域選擇除去或使 月吴厚減少，其特徵在於：包含以下製程：求出來自前述加 工膜的反射光的強度分佈；由前述圖像資訊分類成反射光 強度大致相等的各區域；按照所分類的區域設定加工單位 ;按照反射光強度決定對各加工單位照射的能量線的能量 ;及，對於前述各加工單位依次照射基於所決定的照射能 量的能量線者。 85189 200415672 (3)關於、本發明的加工方法，其對各加工單位照射能量線 \進仃使形成於基板上的加工膜加工區域選擇除去或膜厚 減少的加工，其特徵在於··包含以下製程：對於前述基板 的加工單位照射能量線；在前述能量線的光程上觀測因照 2則逑能量線而產生的氣體；計測前述氣體的大小；及， 則迷氣體的大小比規定值小時，對於前述基板照射下一能 里線者。 ⑷關於本發明的加工方法，其對於在基板表面液體流動 的加工區域，以《頻率2照射前述液體流動方向的寬度w 的能量線’進行使前述加工區域選擇除去或膜厚減少的加 工:其特徵在於：前述液體的流速v(_ec)、寬度心叫及 振盈頻率Z (l/sec)被設定成滿足下式： Ι\\τ V>6>

/W Y xZ者。 ⑶關於本發明的加工方法，其進行使形成^基板上的有 機膜加工區域選擇除去或膜厚減少的加工，其特徵在於· 2按振錢_㈣且—脈衝射中的能量密度可除去前 述有機膜的條件照射在前述基板上的照射形狀比前述加工 =小的能量線，—面料前述基板使前述能量線的照射

位置以速度V(_/㈣相對掃描’並且前述振㈣料及速度V 滿足以下的關係： 6·0 X 1(T5S 备幺 1·〇χ ι〇-3者。 (6)關於本發明的加工裝 木衣置其砥擇加工形成於基板上的 加工胺的加工區域，其特徵 甘， ” a、〜 八備保持邵··保持前述 基板；恥射部··對於設定於前述 加 5域内的各加工單位 85189 200415672 躬射能量線，·檢測部··檢 .^ ^. . 述各加工單位的反射光強度 ，汉疋邰·按照所檢測由 、 勺反射強度設定對各加工單位昭 射的能量線的能量；及 l加工早位… wv立丨丄 二制部·按照以此設定部設定的 习匕ΐ控制由前述照射部昭 …射到各加工單位的能量線的能量 者。 (:)其特徵在於’·具備關於本發明的保持部 Γ射二產，述加工膜-部分除去的能量線；觀測 Ρ （flb里、、泉的光程上觀測@照射前述能量線而前述 加工膜消I虫所產生的翕骨# · ^ _ 、a，及，控制部··按照此觀測部的 觀測結果控制由前述昭斜立 义 、、、对。M?、射的則逑旎量線的照射定時 者。 ⑻關於本發明的加工裝置，其選擇加工形成於基板上的 力口工膜的加工區域’其特徵在^ :具備保持部：保持前述 基板· ’照射部：對於設定於前述加工區域内的各加工單位 戶^射振盈頻率z (i/sec)且在前述加工膜的照射區域的一方向 幻寬度W(pm)的能量線；供應部：在前述一方向供應流速V 泠液體給前述加工膜的加工區域上；及，控制部：如前述 1 篆盪頻率Z、寬度W及流速V滿足 V >6χ Λ χΖ 的關係般地控制前述振盪頻率Ζ、寬度w及流速ν的任何 個者。 (9)關於本發明的加工裝置，其選擇加工形成於基板上 的有機膜的加工區域，具備保持部：保持前述基板；照射 部：對於前述基板照射能量線，其在前述基板上的照射形 85189 -10 - 200415672

掃描部：對於前述基板使前述

部：如前述振盪頻率f及速度V滿足 ，，2制 6.0 X 10'5 < p < 1 〇 x 1〇-3 狀比前述加工區域小， 量密度可除去前述有機膜 旎量線的照射位置 的關係般地控制前述照射部及掃描部的至少一方。 【貫施方式】 以下參考附圖說明本發明之實施形態。 (第1貫施形態） I圖1A〜圖1G為顯示關於本發明第丨實施形態的半導髀壯置 製程:程序截面圖。如圖1A所示，準備基板⑽。基板二⑽ 在矽等半導體基板101埋置形成對準標記1〇2。如覆蓋形成於 半導體基板ι〇1上的配線圖案103般地形成層間絕緣膜ι〇4。、 配、泉圖木l(b形成於兀件區域，對準標記1〇2形成於元件區 域周圍。 其次，如圖1B所示，在層間絕緣膜1〇4上依次形成膜厚 100 nm的防止反射膜1〇5及膜厚3〇〇腿的化學放大型正光阻 膜106。防止反射膜1〇5係將有機系材料用旋塗法形成者。化 學放大型正光阻膜106為氟化氬光（波長⑼腦)用的光阻。 在進行ETTR對準法的對準之前，需要選擇除去對於曝光 光Izl過率低的對準標記1〇2上的防止反射膜1〇5及光阻膜 包含用ETTR對準法觀察的對準標記1〇2的區域為例如1〇〇 μηι X 200 μηι。因此，除去此1〇〇师χ 2⑻,區域的不透明膜。 其次’就選擇除去對準標記1〇2上的防止反射膜1〇5、光 85189 -11 - 200415672 阻膜106的、雷射加工裝置結構加以說明。圖2為顯示關於本 發明第1實施形態的光加工裝置結構之圖。 光加工裝置200如圖2所示，具備雷射光學系統210、觀察 系統220及雷射加工部230。首先，就雷射光學系統210的結 構加以說明。 此雷射光學系統210具備雷射振盪器211、進行雷射振盪器 211控制的雷射振盪器控制單元212、控制由雷射振盪器211 振盪的雷射光213的光學系統214、控制通過光學系統214的 φ 雷射光213形狀的光形狀形成部215及聚光鏡216。 由雷射振盪器211照射的雷射光213依次透過光學系統214 、光形狀形成部215、聚光鏡216的各個照射到設於雷射加工 部230内的基板100的加工面100a。在光形狀形成部215和聚光 鏡216之間插入觀察系統220。 就雷射振盪器211而言，例如使用Q開關钕-釔鋁石榴石雷 射振盪器。由此Q開關钕-釔鋁石榴石雷射振盪器振盪的雷 射光中包含基本波（波長1064 nm)、第二高次譜波（波長532 nm) φ 、第三高次諧波（波長355 nm)、第四高次譜波（波長266 nm) 。由這些波長選擇被想要除去的膜吸收的波長，將任一波 長的雷射光照射到基板100。 再者，將由雷射振盪器211照射的雷射光213的脈衝寬度 設定於約10 nsec。此外，雷射振盪器211的雷射光可以最高 10 kHz振盪。此雷射振盪器211的雷射光213振盪控制的控制 等係由雷射振盪器控制單元212所進行。 由雷射振盪器211照射的雷射光213透過光學系統214入射 85189 -12- 200415672 到光形狀形成部215。 光形狀形成部215如圖3所示，係以兩個構成：形成設定 視野的孔徑的視野設定系統2 5 〇和形成將視野中更細分Z的 孔徑的狹縫/點設定系統260。將透過形成於視野設定系統 250的孔徑和形成於狹缝/點設定系統26〇的孔徑重疊的部分 的雷射光照射到基板100上。 視野設定系統250形成與後述掃描方向正交的方向的雷射 光形狀。此外，狹縫/點設定系統26〇形成掃描方向的雷射 光形狀。 茲用圖4說明視野設定系統2 5 〇的結構。圖4為顯示關於第 1實施形態的視野光闌設定系統結構之圖。如圖4所示，在 視里τ光闌裝載板251上裝載多數。例如4個視野光闌2似〜 :這些以視野光闌選擇機構254藉由使視野_裝載板251 旋轉，從視野光闌252a〜252d選擇任何一個。 、在視野光闌裝載板251上設有使視野光闌252a〜252d旋轉的 視野光闌旋轉機構255。光闌旋轉機構255如圖5八、5B所示 ，僅與以觀察部220計測的基板1〇〇的對準標記斜度⑺丨）對應 的角度6»2使視野光闌252旋轉。 此外，作為視野設定系統別的形態’也可以使用圖6所示 的光闌葉片式的視野光闌系，统。此視野光闌系統係以四片 光闌葉片256a〜256«光，雷射光透過以光鬧葉片⑽〜洲包 ®的區域’形成雷射光。若是光閑式’則可使雷射光的形 成系統形狀成為可變。 茲用圖7、圖8說明狹缝/點設定系統26〇的結構。圖7、圖8 85189

13- 200415672 為顯示關於本發明第1實施形態的狹缝/點光闌設定系統結 構之圖。 如圖7所示，在第一旋轉板261上設置第二旋轉板262。在 第二旋轉板262上設有裝載光闌的狹缝·點光闌裝載板263 (圖8)。設有使第一旋轉板261及第二旋轉板262分別旋轉的 第一及第二旋轉機構264、265。 狹缝/點光闌裝載板263如圖8所示，裝載例如4個光闌 266a〜266d。用平行移動機構267使S/D光闌裝載板263平行移 動，從S/D光闌266a〜266d選擇任何一個。 圖9A〜9B顯示4個S/D光闌266a〜266d之例。圖9A所示的光闌 266a使以視野設定系統250形成的雷射光大致照樣透過。圖 9B所示的光闌266b形成狹缝狀。圖9C、D所示的光闌266c、 266d將雷射光形成點狀。 由雷射照射產生的氣體的產生量顯著，雷射光照射到產 生的氣體而散射等給與加工影響時，最好使用狹缝形狀， 其傾向更顯著時，最好使用分割狹缝形狀。前述影響小時 ，最妤使用方格。又，也可以先觀察加工膜的加工狀況， 由這些光闌中只裝載一片。 又，此處所謂狹缝狀，係指照射形狀的長度方向和加工 區域一方之邊略相等，與長度方向正交的方向的寬度比加 工區域他方之邊短的形狀。此外，所謂點形狀的照射形狀 ，係指照射形狀正交的方向的兩個寬度都比加工區域正交 的方向的寬度短。 此S/D光闌設定系統在使基板靜止的狀態下，用平行移動 85189 -14- 200415672 機構267使、光闌裝載板263平行移動，可掃描基板上的加工 區域。此時的移動僅幾_程度，所以也可以使用壓電元件 在平移方向使其振動。又，也可以用和用於習知曝光裝置 相同的手法先固定狹缝，使基板和雷射光相對掃描。 用第一及第二旋轉機構264、265僅與以觀察系統22〇計測 的基板100的對準標記斜度（01)對應的角度们使光闌裝載板 263旋轉，同時調整以視野設定系統25〇形成的雷射光的照 射位置。 此處所用的視野光闌的孔徑為和加工區域略相似的形狀 。孔徑係在基板上的照射形狀的一邊10 μιη〜5θ〇 μιη (1() ,χ 1〇 μπι〜500 μπιΧ500 μιη)的範圍對照加工區域所作成。此外，狹 鏠/點光闌作為狹縫或點寬度W，使用w=2〜1〇|am者，在間距 p二2w〜100w的範圍内作成多數準備，從其中先求出產能或粒 子產生量而挑選使用。 又，也可以如圖10所示，使用和視野設定系統25〇同樣的 機構，選擇形狀狹缝或點的光闌板。 茲用圖10說明S/D設定系統260的另外結構。圖10為顯示關 於第1實施形態的S/D設定系統結構之圖。如圖1〇所示，在 S/D光闌裝載板267上裝載多數，例如圖9A〜9D所示的4個s/D 光闌266a〜266d。這些用S/D光闌選擇機構269使S/D光闌裝載 板267旋轉，從S/D光闌266a〜266d選擇任何一個。 在S/D光闌裝載板267上設有使S/D光闌266a〜266d旋轉的S/D 光闌旋轉機構268。光闌旋轉機構268僅與以觀察系統220計 測的基板100的對準標記斜度（0丨）對應的角度β 3使s/D光闌 85189 -15 - 200415672 252旋轉。' 使用圖10所示的S/D設定系統時，要用驅動機構242使基 板100平行移動而改變在基板的照射位置。又，在基板和才見 野設定系統之間設置鏡等反射板，藉由改變反應板的角戶 ，亦可使在基、板的照射位置變更。 如此一來，在光形狀形成部215形成的光學像透過觀察系 統220及聚光鏡216 ’照射到基板1〇〇的加工面1〇〇a。觀察系統 220具備由光軸取出雷射光213的半反射鏡221和觀察為此半 反射鏡221所取出的雷射光的觀測用攝影機222。觀察系統 220透過CCD攝影機222作為圖像資訊認識基板丨〇〇上的加工 位置和照射位置及加工狀況。 便用此硯祭系統220可進行雷射光照射位置的對準調整 此外，在雷射光照射的過程，逐步圖像認識加工狀態， 從圖像中抽出加工區域，判斷加工的進行而調整照射量 例:在加工快的部分縮小照射量，在加工慢的部分加大 =。此外，認識加工是否結束。加工結束的認識係藉 =圖像的差分認識，可亦進行在加工區域的圖像的差分 為大約0的階段結束等加工的控制。 :察系統220兼具粒子檢測機構，其觀察基板⑽的加 計算粒子。粒子檢測可在咖像素受光的反射光 汁出特定灰度範園的像素數而求 的像夸P罢次、一 再者，也可以從抽 素置貝訊猎由以下演算法抽出缺陷： ;)以縱橫鄰接時’將其看作—個塊決定缺陷數， 以縱橫、傾斜鄰接時，也看作一個塊決定缺陷數。 85189 -16 - 200415672 機構比較算出缺陷數㈣先登錄的最 ==陷數超過最低缺㈣時，發出指令，以便在 發=域内進行繼續處理。缺陷數以下時，可控制成 出扣令，以便移動到下一加工區域。 此外’在雷射照射前後記憶圖像，採取差分，$分大約0 二止在該部分的加工’不是時，控制成繼續進行加工。 、意^ ’就雷射加工部230加以說明。保持器231係以在周 配設積存液體239的堤的托盤之類㈣狀構成。就液 月旦39而g，例如使用純水。 持ίΐ呆ΓΓ31内的中央部分設有可進行基板100載置、保 、A摘 台232。基板100由連接於載物台232的旋轉機構233 ^基板1〇〇的旋轉由感測器235和旋轉控制機構辦控制 :轉角。又’在本實施形態，係將旋轉機構233連結於驅動 κ構242’藉由使保持器231在水平方向及垂直方向移動，改 變雷射光的照射位置。利用旋轉機構233及驅動機構242可 使聚光鏡216小型化等，雷射加工系統的小型化可能。 保持為231並且具備覆蓋浸泡基板1〇〇加工$白勺液體，對 於雷射光透明的窗236。由雷射振4器如振i的雷射光犯 透過此窗236、液體239的各個照射到基板1〇〇的加丄面隐。 蝴再者具備液體流動器237，其使儲存於保持器231的液 l 9 "lb動基本上為泵浦的液體流動器237透過導管238a、 238b連接於保持器231，使液體239循環。此外，可對於基板 1⑻和雷射光的相對移動方向控制流動的方向。 再者，本裝置具備壓電元件24〇 :配設於保持器231背面 85189 200415672 ’及，壓電.元件驅動控制電路241 :控制此壓電元件的驅 動。壓電元件·給與基板刚的至少加工面施㈣射光昭 射區域的液體239超音波振動，可去掉因照射雷射 的氣泡。 此外’本裝置將雷射光源用於加工用光源，但不限於此 ’若是加工膜吸收的波長且有所希望加王，即使膜厚減少 或可除去膜的能力纟，則用什麼都可以。例如有機膜、盔 機膜且在可見區域或紫外區域有吸收的情況，料絲燈或 氙閃光燈聚光使用，確認膜厚減少。 口本裝置係關於水中加工者，但在基板的大氣中處理'加 壓處理、減壓處理亦可適用，可將保持架構造配合各個處 理使用。 其/人，就使用此光加工裝置200的光阻膜1〇6及防止反射 膜105的除去加以說明。 其/人，知基板搬運到圖2所示的光加工裝置2〇〇。藉由檢 測基板的凹槽及晶圓邊緣，進行雷射光軸和基板的^準調 整。此外，按照對準標記102的斜度調整視野光闌及s/d光 闌的斜度。 其次，將照射的光形狀，必須除去的特定加工形狀定為 縱100 μιηΧ橫200 μηι，使用光形狀形成部將雷射光形成所希 望的形狀。此外，本實施形態作為S/D光闌，使用將雷射光 形狀形成縱100 μιηΧ橫5 μηι的一條狹缝狀者。 其次，如圖ic所示，使液體流動器237動作，在窗236和 基板100之間使液體239 動的狀態，使雷射光對於基板相 85189 -18- 200415672 對掃描而除去加工膜。 光:=板和光相對掃描的方法而言，可以固定雷射光的 =由而使用驅動機構242，或者也可以使用光形狀形成部， ^使S/D光闌裝載板263等平移運動，藉此使其掃描。 、、田射光的波長係被在微影製程所用的防止反射膜吸收的 波長。照射的每-脈衝的能量密度適當調整成不給與加工 區料的區域損傷而可氣好加工。其能量密度通常為〇1 J/cmz〜0.5 J/cm2。 雷射光照射時，藉由在照射部上有液體別，可在基板 100的加工面l〇0a奪去因照射雷射光而產生的熱。再者，可 使因照射雷射光而產生的蒸發物氣勢減少。 利用W 236可防止雷射加工時，儲存於保持器231的液體 239噴灑。此外，利用窗可防止塵埃等從上方附著於基板ι〇ι 表面。 即’液體流動器237使儲存於保持器231的液體239具有流 動，以便可連續去掉因照射雷射光而產生於雷射光照射位 置的氣泡，並且向一定方向在一定流速使液體循環，以免 在雷射光產生不規則的紊流。液體流動器237至少實際進行 雷射加工之際被驅動即可。 一面照射雷射光到基板100，一面使S/D光闌裝載板263平 行移動，因S/D光闌裝載板263平行移動而如圖11所示，雷射 光照射區域272對於基板加工區域271移動，除去特定加工 區域的防止反射膜105及光阻膜1〇6。 又，用照射光加工時產生的粒子被水流流走，附著的情 85189 -19 - 200415672 況，由實驗確認附著於下 向的方向而言，在和水流同一方二就照射區域掃描方 粒子：-面加工，所以粒子的產生更少。 產生的 其久’排出儲存於保持器231的 工基板刚，粗略除去表面的水 二“速-轉加 運到弟一溶劑除去裝置，進。 孤 ?ΠΠ〇ρ . . r …、卷板100的加熱溫度為 〇 C 〇此處進行基板10()的 .,,^ u ^ 旳加-，係為了除去光阻膜306表 面纟及附水，在光阻膜全面^ ^ ^ ^ 四使恭光兄相同。不進行此處 料，在和水接觸的部分，因曝光而產生的酸隨著略微留 在蔣中的水移動，產生圖案不良。 其次，將基板100搬運到曝光裝置，如圖1D所示，利用使 用=曝光波長相同波長的對準光（第一能量線）職定位檢 測咨進行基板100的對準標記102檢測。此時，因除去了對 準標記102上的防止反射膜1〇5而可得到良好的檢測強度。 又，如以往，未除去對準標記1〇2上的防止反射膜1〇5時， 不能芫全檢測出對準標記1〇2。 根據足位态的位置資訊，如圖1E所示，對於光阻膜1〇6的 暴光4 106a照射曝光光（第二能量線），在光阻膜1〇6形成電 路圖案的潛像。潛像形成製程後，將基板1〇〇搬運到pEB製 私用加熱裝置，進行加工基板的加熱處理（pEB)。加熱處理 係為進行使用的光阻（化學放大型光阻）的酸的催化反應而 貫'施。 此加熱處理後，如圖1F所示，搬運基板100進行光阻膜 1〇6的顯影，形成光阻圖案109。所形成的光阻圖案1〇9的定 85189 -20- 200415672 位精度為土、5 nm以下。 其次，如圖1G所示，以光阻圖案1〇9為遮罩，用蝕刻 防止反射膜105及層間絕緣膜1〇6。

I 圖12顯示用上述方法除去防止反射膜1〇5及光阻膜1〇6時 的基板表面狀態。此外，圖13顯示作為參考例，一併照射 加工區域而除去膜時的基板表面狀態。圖12為顯示用關於 本發明第1實施形態的方法除去膜後基板表面狀態之圖。圖 13為顯示用習知方法除去膜後基板表面狀態之圖。 如圖13所示，一併用照射除去膜時，顯示多數除不盡的 粒子284存在於加工區域周邊及内部。再者，在加工區域周 邊產生形成於防止反射膜上層的光阻膜的剝落283。 用本實施形態的方法除去膜時，相較於圖13所示的習知 方法，顯示可抑制上層光阻的剝落281，加工區域周邊及附 著於加工區域内的粒子282數目遽減。又，在圖丨3，符號2幻 為光阻的剝落，符號284為粒子。 茲說明此粒子數減少的理由於下。一旦照射區域寬，則 Q光…、射而產生的氣泡比加工區域大，所以吸附於其氣泡 表面的粒子多數附著於加工區域内外。 另一方面，將照射形狀狹窄縮小成狹縫狀，對於基板使 其相對掃描，則-旦產生的氣泡變小，氣泡難以接觸基板 。因此，附著於加工區域内外的粒子數被抑制。 測！產生的氣泡的結果’―併光照射預定加工膜區域加 工時，產生的氣泡半徑為R=120 μιη。另一方面，照、射寬产5 μ加的狹縫形狀的雷射光時，氣泡半徑為㈣脾。照射㈣ 85189 •21 - 200415672 邱狀的雷射光時比一併照射時，氣泡的大小變小。由此結 果减+ ’將-次消餘產生的氣泡直徑控制成變小，可減低 丰立子的附著。 ;二而即使上述方法，要除去加工區域内的粒子也是不 芫^。在對準.標I己内部的粒子附著會引起讀取對準標記時 的殯取次差增大或讀取錯誤等問題。粒子附著於對準標記 舛，特別是裝置區域時，會產生下述問題：引起圖案形成 不良等，良率降低。 以下，再就可抑制附著於加工區域内外的粒子數的方法 办口以說明。 、首先，在開始就防止在加工區域内的粒子附著的加工方 =加以敘逑。用於除去膜的裝置和在第t實施形態說明者同 圖14A、14B為顯示關於本發明第丨實施形態的半導體裝置 製程的截面圖。 如圖14A所示，在預定加工區域（縱1〇〇 μιηχ橫㈣上的 先阻膜及防止反射膜將雷射光卿朗準標記更細幅的狹 縫狀（縱100 μηιΧ橫3释），照射於基板的加工區域。一面使 雷射光（第一加工光川0從加工區域一端掃描到他端，一面 迦行消蝕。此時，粒子U1略微附著於基板表面。 έ此處，以振盪頻率為卜以掃描速度為V，掃描寬度t的狹 缝，則一次掃描所進行的重疊照射次數n以下式表示： η 二 tf/v (1) 即，設振盪頻率f=250 Hz、掃描速度v=3〇 ^/sec時，在狭 85189 -22- 200415672 鏠寬重疊照射次數n=25次。 、重且”、、射久數n變大，就容易產生對形成於基底矽、標記 或層間絕緣膜某^ 、万止反射膜下層的各種區域的照射損傷。 艾 __ -r~ 脈衝的照射產生的氣泡變小，所以粒子的產 生變少:/Ρ ’按照防止反射膜的厚度、材質或防止反射膜 下3々膜種膜厚，適當選擇重疊照射次數。通常η在1〜50 之間作選擇。 在⑴式，重璺照射次數η比1次小，就沒有照射區域的疊 合:在照射區域間除不盡的膜會存在。此照射區域間的殘 留膜在照射隔壁照射區域時會剝落，成為致命的粒子。即 ，11必須至少1以上。 其次，如圖13Β所示，從他端到一端使雷射光（第二加工 光）112知描。再者，同樣地使雷射光112的掃描反覆往復掃 描，可除去殘留於對準標記内的粒子。此處，為使因消蝕 而產生的熱對光阻膜的影響減輕而在積存於保持器231的液 體239中進行。此外，為了可連續除去因照射雷射光而產生 於雷射光照射區域的氣泡，用液體流動器237在雷射光不產 生紊流的程度，向一定方向以一定流速使液體239循環。 於加工過程使用以CCD攝影機構成之觀察系統22〇計算加 工區域内外的粒子。然後，在雷射照射前後記憶圖像，取 粒子數的差分，控制成差分大約〇時，停止在該部分的加工 ，不是時繼續進行加工。 藉由以上製程，確認基底圖案和曝光圖案的對準精度提 南 ° 85189 -23 - 200415672 本貝她开/悲几全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此例如右可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 的/、】也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳·，但亦可進行對準。 (第2實施形態） 第1貝她形怨係就以雷射光照射形狀為狹缝形狀，使泰射 光對於加工區域相對往復掃描以除去附著於加工區域:的 靼子的方法加以敘述。 之：而，此方式會產生下述問題：照射光加工時，經常將 在基板上的照射形狀固定在一定面積的狹縫形狀，2加工 區域内往復掃描，所以對於照射位置和加工區域的對準精 度不夠時，每次反覆往復掃描都會因加工位置偏移而 工區域的境界新產生粒子。此外，此粒子吸附於因照射光 而產生的氣泡表面。此氣泡大幅成長會接觸基板表面，作 為粒子而附著。 立於是，本實施形態將敘述下述方法··在預定加工區域的 兄界附近考慮對準精度，縮小在基板上的雷射光照射形狀 ，抑制在加工區域的邊緣附近產生的粒子，以防止粒子 著於加 工區域内。 圖15A、15B、圖16八、16B為顯示關於本發明第2實施形態 的半導體裝置製程之圖。又，在圖15A、15B、圖16A、ι6Β， 在和圖1B同一部分附上同一符號，省略其說明。圖15八、圖 ί6Α為截面圖，圖15B、圖16B為加工區域的平面圖。 85189 -24- 200415672 第/人的.知描如圖15所示，在加工區域⑵的中央部使雷 射ί120對於基板100相對掃描，從預定加工區域的-端： ，瑞進行’藉此除去加工區域121的防止反射膜1〇5及光阻 膜106。又’符號122顯示雷射光^別的照射形狀。 如先前所述，第1實施形態在此狀態往復掃描之際，若昭 射區域和預定加工區域的對準精度不夠，則照射光到第— 次加工的區域的境界，加工其境界，而粒子附著於加工區 域121内。 於是’第：次的掃描時，如圖16A、16B所示，雷射光124 甚近加工區域⑵的境界時，考慮對準精度之後，利用視野 設定系統250比在加工區域121中央部的照射形狀122縮小照 身形狀125。 藉此，可防止在加工區域121的境界附近因對準誤差影響 兩從加工區域m以外產生新的粒子。而且，藉由縮二 身面積，在加工區域境界產生的氣泡125比在加工區域中央 琊產生的氣泡123小。此外，粒子ιη的量減少。因此，亦 可防止吸附於氣泡125表面的粒子U1附著於基板表面。 在加工過程，使用以CCD攝影機構成的觀察系統22〇計算 力口工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， 拇取差分，控制成差分大約〇時停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 藉由此方法，可比在第1實施形態所述的方法更加防止粒 予附著於加工區域内。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 85189 -25 - 例如右可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 、钇/’、〗則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 、π工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 又 (第3實施形態） 第2貝她形態敘述下述方法··使雷射光和基板相對掃描， 在預=加工區域的境界附近考慮對準精度而縮小照射區域 的面積，藉此抑制從預定加工區域以外產生新的粒子，同 時縮小產生的氣泡直徑，防止吸附於氣泡表面的 於基板表面。 付# 本貫施形態將敘述下述方法··係和第2實施形態同樣的目 的使田射光對於基板相對掃描，從預定加工區域的一端 向他端進行，雷射光的照射位置接近所希望加工區域的: 界時，縮小相對的掃描速度，藉此更加㈣在于員定加工區 域境界附近的對準精度，同時使每單位時間產生的氣泡: 輕縮小，藉此防止粒子附著於加工區域内。 圖H 17Β、圖18Α、為顯示關於本發明第作施來能 的半導體裝置製程之圖。又，在圖17Α、17β、圖ΐ8Α'心 在和圖1Β同—部分附上同一符號，省啥其說明。圖以、圖 18Α為截面圖，圖17Β、圖18Β為加工區域的平面圖。 第二次的掃描以後’雷射光接近預定加工區域的境界時 、乂匕雷射光m在加工區域131的中央部掃描時（圖ΐ7Α、呢 放慢雷射光133的掃描速度（圖18Α、18Β)。兩紅τ 、、 乂 辑射光的掃描遠 度調整係藉由光闌裝載板的平移速度調敕一 j正迤仃。符號131、 85189 -26- 200415672 134_示在基板的雷射光130、133的照射形狀。 在加工區域131的境界，雷射光的掃描速度變慢，所以在 加工區域⑶的境界附近，每單位時間的光照射面積減少。 因此’在單位時間產生的氣泡135的直徑也減少，吸附於氣 泡135表面的粒子U1難以接觸基板表面，可防止在加工區域 131内外的粒子附著。 在加工㈣，使用以CCD攝影機構成的觀察系統22〇計算 加工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， 知取，分’控制成差分大約〇時停止在該部分的加工，不是 時繼％進行加工，結束所希望的加工。 確IT大氣中或高壓空氣中進行雷射加工的情況，亦可 確I忍本貫施形態的效果。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學己 ΤΙ::也可以在加工區域内的…峨Si: 佳例广即使加工膜的膜厚變成-半的程度’雖 …、對比度不佳，但斫可進行對準。 (第4實施形態） 第1實施形態係就下述方、、本 内經常掃描雷射光照射;敛述：在特定加工區域 防止反射膜或光阻膜。然：::射:=:、的光’以除去 慮對於掃描方向在雷射光和掃播之際，要考 有誤差的情況。這種情況，加工區域之間’對準精度 反覆往復掃描，就會受^ =形狀的照射形狀的雷射光 又句对準誤差的影響而照射光到加工 85189 -27- 200415672 區域外。其結果，每次進行加工區域的往復掃描都會產生 新的粒子，要完全除去粒子困難。 於是，本實施形態考慮雷射光對於加工區域的對準精度 ，使形成狹缝形狀的照射形狀的長邊逐漸減少。 使用圖19A、19B、圖20A、20B更詳細說明。圖19A、19B、 圖20A、20B為顯示關於本發明第4實施形態的半導體裝置製 程之圖。又，在圖19A、19B、圖20A、20B，在和圖1B同一 部分附上同一符號，省略其說明。圖19A、圖20A為截面圖 ，圖19B、圖20B為加工區域的平面圖。 圖19A、19B顯示第一次的掃描狀態。而且，圖20A、20B 顯示第二次的掃描狀態。如圖19A、19B、圖20A、20B所示 ，比第一次掃描的雷射光140的照射形狀142縮短第二次的 雷射光143掃描的照射形狀144的長度方向長度。 如此進行，則即使反覆往復掃描，也不會照射光到加工 區域以外。其結果，可抑制在加工區域外產生的粒子及防 jlL附著於基板表面。 在加工過程，使用以CCD攝影機構成的觀察系統220計算 加工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， 採取差分，控制成差分大約〇時停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 即使在大氣中或高壓空氣中進行雷射加工的情況，亦可 確認本實施形態的效果。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 85189 -28 - 200415672 的檢測，則也可以在加工 ,,,T . . y L 4内的加工膜略微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第5實施形態） 第1實施形態係在加工區域内掃描細有縮小的光，以除去 =反射膜或光阻膜。然而’此方法在雷射光照射位= 工區域之财掃描方向㈣準誤差時，若雷射光在 ζ區域王區經吊任復掃描，則每次反覆往復掃描都 會照射光到其以前昭伞& 乂 、 /、乂則知、射先所加工區域的境界，從加工區域 以外的邵分新生大量的粒子。 …疋本員她禾怨考慮對於預定加工區域掃描方向的雷 t光射位置的對準精度，掃描次數每次增加就使雷射光 在加工區域内掃描的範圍逐漸減少。 ::用圖2卜圖22更詳細說明。圖2卜圖22為顯示關於本發 明第5實施形態的半導體裝置製程之圖。又，在圖2卜圖22 在和圖1B同一部分附上同一符號，省略其說明。 *圖21顯示第一次的掃描狀態。而且，圖22顯示第二次的 =狀怨。如圖2卜圖22所示，比第一次掃描的雷射光⑼ 的2描靶圍弄笮第二次的雷射光151掃描的掃描範圍。 、，猎由如此進行往復掃描，即使反覆往復掃描也不會照射 光到加工區域以外。所以可抑制每次在加工區域境界反覆 4奴知“都會產生的粒子。其結果，可防止粒子附 工區域内。 在加工過程，使用以CCD攝影機構成的觀察系統22〇計算 85189 -29 - 200415672 加工區域内外的粒子。而且， 採取差分，柃剎此產y丄 a射田射則後記憶圖像， 刀挺制成差分大約〇時停止在該部分的Λ 時繼續進心工，結束所希望的加工。^力口工，不是 如以上，至此的第i實施形態到第5實施形 的照射形狀為長的狹缝狀 ·、田射光 入L 逢狀使雷射光和基板相對搞挤、 P，、去防止反射膜或光阻膜”以 狀，也可以日〃尤开y狀不限於長的狹缝 也了以恥射將加工區域内劃分成 區域内掃描。 使預疋加工 即使f大氣中或高壓空氣中進行雷射加工的情尸 確涊本實施形態的效果。 〜吓可 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜， :二如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標:: 使:二：也可以在加工區域内的加爾微殘留的二 〜束。例如即使加工膜的膜厚 〜 然對比度不佳，但亦可進行對準。A +的^，雖 (第6實施形態） 巧=施形態到第5實施形態係就下述方法加以敘述：往 二;加工區域小地縮小的照射形狀的雷射％，進行所 希主勺加工，除去附著於加工區域内的粒子。 然而’此方式會產生以下問題：為往復掃描而· 以產能降低；及，因照射長执缝形狀 、 S -IT 尤而在形成於防止 反射Μ層的料職等，減㈣ 損傷。 又尺谷易產生 在本實施形—態將敘述下述方法：―面縮短處理時間，一 85189 -30 - 200415672 面抑制對對準標記等下層的損傷。 圖23A、23B為顯示關於本發明第6實施形態的半導體裝置 製程的截面圖。又，在圖23A、23B，在和圖1B同一部分附 上同一符號，省略其說明。 如圖23A所示，首先開始使同樣以狹縫縮小系統將在基板 上的照射形狀形成狹缝形狀的雷射光160對於基板相對掃描 ’除去加工區域的防止反射膜1〇5及光阻膜1〇6。在此狀態下 ，粒子111存在於加 工區域。 其次’第二次以後的照射如圖23B所示，係照射只以視野 。又足系統形成’在基板上的照射形狀和加工區域相同程度 大小的雷射光161，除去粒子。此時，考慮對準精度，也〇 以比加工區域縮小實際的照射形狀，以免照射光到加工區 域端外。 此方法也和第2〜第5實施形態同樣，可防止加工區域内 的粒子附著。 此外，此處開始細窄縮小光，使長狹縫狀的光和基板相 對掃描，以除去防止反射膜或光阻膜。然而，照射的光形 狀不限於細的矩形，也可以照射將加工區域内劃分成點者 ，使加工區域内掃描。 如以上，至少第一次的加工一面掃描長狹缝狀的光，— 面進行加工’抑制粒子的產生’並且其後藉由照射光到加 。再者，藉由使用 的膜的情況，亦可 工區域内，加工區域内的粒子亦可除去 下述所示的方法，再除去粒子容易產生 抑制粒子的W著。 85189 -31 - 200415672 200415672

water)中的狀態進 力ΐ二：Γ使用以CCD攝影機構成的觀察系統計算 =區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， :取…控制成差分大约0時停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 即使在大氣中或鬲壓空氣中進行雷 、 確認本實施形態的效果。 、‘肖況，亦可 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 ^測，則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 、加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成-半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (弟7實施形態） 其次，就飛散到加工區域外的粒子的除去方法加以敍述。 ，圖24A〜24C為顯示關於本發明第7實施形態的半導體裝置 Μ的截面圖D又’在圖24A〜24C ’在和圖出同一部分附上 同一符號，省略其說明。 本男施形悲係在將基板浸在流水 行光照射。 如圖24A所示，從加工區域内的第一起點Μι到第一境界 B1掃描形成狹缝形狀的雷射光17〇。此時，由液體流動器產 生的液體流動方向要成為和掃描方向略反平行的方向。即 ，雷射光170的照射位置向液流的上游側移動。因以水流使 粒子流動而粒子111附著於加工區域内及水流的下游側。 其次，如圖24B所示，使雷射光17〇從第一起點M1和第一 85189 -32- 200415672 境界B1之間的第二起點M2到第二境界B2掃描。此 液體流動器237產生的液體239流動和第一次的掃扩日、使由 如此使雷射光對於基板掃描’進行加工區二::::轉在 此狀態也是因液體流動器237產生的液體239流動而 存在加工區域·外，全部停留於加工區域内。 、 其次，如圖240所示，藉由一面反覆掃描加工區域内… 面照射雷射光17卜除去停留於加工區域内的粒予。 此外’反隸復掃描防止從預定加工區域的& 的粒子，所以如在上述實施形態所示，二:: 使視:設定系統可變，縮小光的照射形狀= 小知描速度，通當選擇無粒子附著的最佳方法。 能：外ΤΙ:不是照射狹縫狀的光，而是如在第6實施形 •，切換成加工區域程度的照射形狀而進行—併昭射。 二trr使用以CCD攝影機構成的觀察系統酬算 加工區域内外的粒子。而 ㈣又ρ η ⑼記憶圖像’ 控制成差分大約。時停止在該部分的加工，不是 時、，k、，進仃加工，結束所希望的加工。 使用以上方法，則可在預金 著的加工形狀β /、加工區域内外得到無粒子附 在先前的實施形態敘述：怂 # #,r ^, 加工區域端掃描狹缝形狀的 二，“在和水流同一方向掃插佳另一方面如本實 =二=工區域中央附近掃描雷射光時，經常在和液 月豆机動态237屋生液體239流動反女 制粒子的附著。 万向知描雷射光，可更加抑 85189 -33 - 200415672 办本只她形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 疮例如若可藉由用_計測的光學系統進㈣準標記 .1 J也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 工、、、口束。例如即使加工膜 1JL ΛΛ ώ： 炊對比厣了处 膜的胺尽，交成一丰的私度，雖 …、f比度不佳，但亦可進行對準。 (第8實施形態） 在第2〜第7實施形態所述的方式雖可使粒子的產生量削 好但—次可加工的面積小’加工全部加工區域要花.使 /、知，的時間，所以產生產能大幅降低的問題。 万、疋S本貫施形態為大幅縮短處理時間而使用配置多 數狹縫•點光«統的狹缝狀或點狀開口的光罩， 射光的形成。圖25A〜25C顧+氺罢士 /丨 田 Q 心員不先罩《例。圖25A〜25C為顯示關 万；本*明弟8實施形態的裝載於s/〇光闌系統的光罩的平面 圖。在圖25A、25B所示的光罩職、⑽b形成多數狹缝狀開 口版、獅。此外，在圖25C所示的光罩⑽c形成多數點狀 開口 181c 〇 多數配置於光罩的開口的間距若小於間距方向的開口長 度的兩倍，則通過鄰接開口的光會互相衍射。其結果，因 照射干涉光到基板上而給加工形狀帶來異常。 、 因此’沿著預定加工區域長邊到鄰接照射區域的距離嶽 盤’則衍射的光互相複離干涉，不能將照、射形狀保持成二 形。 因此，最好多數配置於光罩的開口的 、 4間距万向的 開口長度（W)的兩倍以上。與形成於光罩 7開口相似形狀的 85189 -34 - 光入射到基板上。因此，可說鄰接照射到基板 " 的間距為在基板上的加工光照射形狀的掃描；：： 倍以上較佳。 j仅度的兩 使在掃描方向鄰接照射到該基板上的 前述掃描方向.的前述加工區域的長度二分之 短處理時間。 下可縮 保抟成/使間距為2W以上’光也互相干涉，不將照射形狀 保持成矩形時，大幅設定間距即可。 j者’最好在前述掃描方向鄰接照射到前述基板上的加 先的間距調整形成於光罩的在掃描方向鄰接的開 比：射加工光而產生的氣泡直徑大。若在前述掃 :口、#接知射到可述基板上的加工光的間距Ή照射加 ，、飞產生的氣泡直徑，則鄰接產生的氣泡接㈣。其結果 再在田射光產生不規則的紊流，進行正確的加工困難。 圖26Α、、26Β為顯示關於本發明第時施形態的半導體裝置 _从^截面圖。在圖26Α、26Β，在和圖1Β同一部分附上同 付號’省略其說明。 如圖 26Α、vr a - t ^ 、 所不’使狹縫狀的多數雷射光180、181在加 復掃描’進行防止反射膜1G5、光阻膜106及粒子 的除去加工。 ，一、，隹二也可以藉由固定狹缝•點光闌而移動基板，進 的力口工區域加工，但此處係藉由固定基板而使 狹縫:人點光閑移動，加工加工區域。 '個码射光照射區域掃描的距離變小，所以加工預 85189 -35 - 200415672 、加工g域所需的時間與配置的狹缝數成反比而被縮短。 而且，藉由將此反覆往復照射，除去附著於加工區域内 的粒子。藉此，可防止在加工區域内的粒子附著，同時可 大幅縮短處理時間。 在加工過私.，使用以CCD攝影機構成的觀察系統220計曾 ^工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像了 採取差分，控制成差分大約〇時停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 此外，此處使狹縫狀的多數照射區域對於基板相對掃描 ，以除去防止反射膜或光阻膜。然而，照射區域的形狀^ 限於狹縫狀’也可以如圖25C所示’配置多數劃分成點狀者 ’使加工區域内往復掃描。 :疋’配置成點狀時’在多狹缝照射區域的境界光強度 :::使多狹縫照射區域掃描而加工’則在加工區域内： k万向出現未加工的區域。當時，使光掃描 =成重疊。如此配置多數點，沒有未加工的區域的; 权子不附著於被處理基板上的加工。 二：如圖、圖施所示，係使照射光往復掃描 ，進行相：二。藉由任一方向掃描雷射光180、181 的掃描，26A、施進行的往復次數兩倍的周期分 形成於狹Γ ㈣成同量的照射。此時，最好形成 過視野光閑開縫的區域的掃描方向長度超 數倍。以开:成狭=「長度的加工區域的預定掃描次 7成狹、'逢的區域長度為與加工區域略相似的開口 85189 -36 - 200415672 的知描次數倍以i，不停止狹缝.點光閑而可進行必要次 數分的雷射光掃描。藉由不停止狹缝•點光闌而進行加工 ，可省略I縫·點光闌的往復移動及雷射光的調整等，可 谋求加工時間的縮短化。 因此’最好多數配置於光罩的開口的間距為間距方向的 、1長度（W)的兩倍以上。與形成於光罩的開口相似形狀的 光入射到基板上。因此，可說鄰接照射到基板上的加工光 的間距為在基板上的加工光照射形狀的掃描方向長度的兩 倍以上較佳。 此時，考慮對準精度，為了不照射光到加工區域端外， 在預疋加工區域的境界附近控制多狹縫的掃描速度，在照 射區域的照射能量或照射面#，以防止粒子的產生。關於 其方法，考慮粒子的產生狀況、狹縫的配置，適當選擇最 佳的方法即可。 即使在大氣中或高壓空氣中進行雷射加工的情況，亦可 確認本實施形態的效果。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 的檢測，則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第9實施形態） 本實施形態將就縮短處理日㈣，同時飛散到力口工區域内 外的粒子的除_去方法加以敘述。 85189 -37 - 200415672 圖27A、、27B、圖28為顯示關於本發明第9實施形態的半導 體裝置製程的截面圖。本實施形態係在將基板浸入流水中 的狀態進行光照射。 如圖27A所示，在第一起點到第一境界之間使多狹缝照射 區域R往復掃描。按照掃描方向改變水流方向，以便掃描 方向和水流方向不同。在此狀態下，因以水流使粒子流Z 而粒子附著於加工區域内及水流的下游侧。 起點設定成起點和第一次掃描方向側的加工區域端的間 隔超過多狹缝照射區域R的寬度。若前述間隔低於多狹縫 照射區域R的寬度，則加工加工區域外了。 其次，如圖27B所示，從起點和預定加工區域境 的他端（境界2)，使多狹缝照射區域汉往復掃描'按照掃描 方向改變水流方向，以便掃描方向和水流方向不同（水^ 向和從第-起關第-境界的方向相反的方向）。在此㈣ 下也是粒子為水流所流動，戶斤以粒子的附著不存在加工區 域外，全部停留在加工區域内。 其次’如圖28C所示’照射和加工區域相同程度大小的^ 身光藉由照射雷射光⑽除去粒子，其係以多狹缝^ 區域R的往復掃描完全除去不了而留在加工區域内。 在加工過私’使用以CCD攝影機構成的觀察系統挪計算 區^内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， :又差分’控制成差分大約叫停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 本實施例以焦點位移進行縮小第二次以後的光照射時的

8518S -38 - 200415672 照射區域的變更，但並不限於此。例如也可以使圖2的成像 光予系、.'克216具有可變焦距功能，田各微墙小第二次以 率而照射。 若使用以上方法，則藉由使用多狹缝，可使處理時間大 幅縮短且得到在加工區域内外無粒子附著的加工形狀。 即使在大氣中或高壓空氣中進行雷射加工的情況，亦可 確認本實施形態的效果。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 的測’則也可以在加工區域内的加工膜田各微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，= 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第10實施形態） 圖29Α、29Β為顯示關於本發明第1〇實施形態的半導體裝 置製程的截面圖。又’在圖29Α、細’在和圖ιβ同一部分 附上同-符號，省略其說明。具體而言，在圖2所示的液； 流動器增加壓力控制器，控制循環的液體壓力。 - 如圖29Α、29Β所示’在給基板增加1〇氣壓壓力的狀態， 使形成狹缝形狀的雷射光3〇〇、3〇1對於基板相對往復掃扩。 藉由雷射光的往復掃描，進行加工區域的加工，二:二丄 反射膜105及光阻膜106。 其結果，相較於在常壓下用同樣實施方法進行所希望 加工者，可縮小照射光時產生的氣泡直徑，可使附著=加 工區域内外的粒子數大幅減少。 口 85189 -39- 200415672 k私使用以CCD攝影機構成的觀察系統220計算 =工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記憶圖像， 一::拴制成差分大約0時停止在該部分的加工，不是 時繼續進行加工，結束所希望的加工。 |:二本實、施形態也和其他上述實施形態同樣，考慮和 ’万、田子光照射位置的預定加工區域的對準精度。為防止 照射光到加工區域境界，新產生粒子，而在加工區域境界 縮小照射形狀的面積或縮小雷射光和基板的相對掃描速3度 。料其方法，適當選擇粒子„少的最佳方法。 。她开y恐疋全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 的“!1，則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第11實施形態） 本貫施形態敘述下述方法：對於基板考慮雷射光照射位 和預疋加工區域較位精度，在第二次以後的光照射時 ’ ％小雷射光的照射形狀。 本實施形態敘述下述方法：藉由改變使基板上的加工區 域成像的焦點位置，控制照射區域面積，防止在加工區域 3 兄界附近產生的粒子附著於加工區域内。 開始如圖30A所示，和至此的實施形態同樣，藉由對於基 叔，對掃描比預定加工區域細窄縮小在基板上的照射形狀 的第一加工光311，除去預定加工區域的防止反射膜1仍及光 85189 -40 - 200415672 阻膜106。、 但是，此時不是在成為加工對象的防止反射膜ι〇5上使其 成像，而是意圖設定成拉開光學系統和基板1〇〇之間的距離 ，在防止反射膜105上光分佈擴大。 因此，實際照射光到防止反射膜上的區域比用視野設定 系統縮小的區域大。另一方面，照射能量密度隨著光擴大 而變弱。因此’適當控制照射能量，以便在擴大的光具有 加工必需光強度的區域不變成所希望的大小以下。 不是在成為加工對象的防止反射膜1〇5上使其成像，而是 意圖設定成拉開光學系統和處理基板之間的距離，在防止 反射膜上光分体擴大。此時，從成像位置拉開處理基板的 距離D的條件設定如下： (1)至少距離D和最佳焦點不同。 對ΐ誤差等產生的雷射光照射位置和基板的偏 少里或加工餘1為△時，距離0滿足下式··

D>{AX(i.NA2y/2}/NA ΝΑ為聚光鏡等光學系統的數值孔徑。 適當選擇滿足上述條件的雷射光照射 的對準精度或包今被# A 4 L 很*理基板 不照，光到加工區域境界的最佳卜 ^的决差 γ。乂笛— 吏罘一加工光312對於基板相對掃 田 —次以後的照射前，將光學系統和過去處理美板 區域膏心ί 猎由此設定，可比第-次的掃描 一 ^ — _後的择描區域。藉此，可防止在加 85189 >41 - 200415672 工區域境界產生粒子。 2 =過程，使用⑽D攝影機構成的觀 加工區域内外的粒子。而且，在照射雷射前後記 絲差分，控制成差分大約〇時停止在該部分的加=不是 時繼績進行加工，結束所希望的加工。 、 本實施形態完全除去對準標記 j β旲但並不限於 。例如若可藉由用於對準計測的光學⑽ 的檢測，則也可以在加工區域 丁卞卞钐5己 $内的加工腱略微殘留的狀態 吏口工結束。例如即使加工膜的膜厚變成—半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 又 (第12實施形態） 本實施形態將就不除去上層的光阻膜而除去下層的防止 反射膜或使膜厚減少的方法加以敘述。 使其照射的光源使用Q開關鈇_免銘石梅石冑射的第三高 次諧波（波長355 rnn)的脈衝雷射。照㈣每一脈衝的能= 度通常為0.03 J/cm2〜0.15 J/cm2。此能量密度比除去光阻膜及防 止反射膜兩方時小。能量密度適當設定成隨著防止反射膜 消蝕而上層的光阻膜不損壞。 圖31顯示照射具有和加工區域形狀大致相同大小照射形 狀的雷射光到加工區域時的截面。圖31為顯示關於本發明 第12實施形態的半導體裝置製程的截面圖。在圖μ，在和 圖1B同一部位附上同一符號，省略其詳細說明。 如圖31所示，顯示不破壞上部的光阻膜1〇6而去下層的防 止反射膜105。此外，在光阻膜1〇6上未觀察到粒子的附著。 85189 -42 - 200415672 此若是習知雷射消敍除去，則照射光透過光阻膜，在防 止=射Μ產生，肖！ά (爆炸），光阻膜及防止反射膜的飛敎物 附著於除去區域附近，對其將照射量縮小成_勤2時， ^不曰產生％間爆炸。其結果，被認為因照射到防止反射 膜而產生的氣..泡從有孔的光阻膜跑掉。 如此’比’白7知消蝕除去以低的照射量照射，只使防止反 射膜105氣化，可消除在除去部周邊的粒子產生。 然而，受到光形狀影響，防止反射膜105已被除去的區域 和ί除盡的區域在加工區域内混在—起。此結果顯示，如 本只她形恐，逐漸將防止反射膜氣化而除去，以免破壞上 層的光阻的情況，明顯受到光形狀影響。 為了解決此問題’藉由掃描照射形狀狹缝狀的雷射光， 除去加工區域的防止反射膜。 ι結果顯示於圖32A〜32C。圖32A〜32C4顯示關於本發明第 η貫施形態的半導體裝置製程的截面圖。在圖32a〜32c，在 和圖则—部位附上同—符號，省岭其象細說明。 圖32A顯示進行一次雷射光掃描後的狀態。此外，圖伽 顯不進行兩次雷射光掃描後的狀態。再者，圖现顯示 二次雷射光掃描後的狀態。 如圖32C所示，顯示增加雷射光掃描次數，可 防止反射膜。 糸去 結論是：使用以上方法可不破壞上部的光阻膜而均勻 去下層的防止反射膜。 于、 在本實施形態使用雷射光作為照射光，但照射氟化氪谁 85189 -43 - 200415672 分子燈等防止反射膜吸收光的波長的光，亦可實施。此外 ，這次作為光照射方法，使用在第1實施形態所示的方法， 但其他疋上述貫施形悲的任一方法，亦可適當選擇無粒子 附著的方法。 又’在本實施形態作為使其照射的光的光源，使用Q開 關钕-釔鋁石榴石雷射的第三高次諧波的脈衝雷射，但不限 於此。若是滿足防止反射膜的吸收係數比其上層所形成的 光阻膜大，最好是成為兩倍以上的條件的波長者，則 也可以使用Q開關钕-釔鋁石榴石雷射的第四高次諧波（波 長266 nm)、氟化氪準分子雷射等脈衝雷射等。 此外，雖然以在本實施形態照射的每一脈衝的能量密度 為0.03 JW〜〇.15 w，但不限於此。為了為上層膜的光阻膜 不暴沸，使參數最佳化很重要。 配置多數這些者 b外本a犯形態雖然以除去防止反射膜時的昭射量 、、π…不限於此。若是只除去防止反射膜而可形成 而曰即可。此外，不是除去防止反射膜全部 而疋再為自小明私1 土 、 …、里，使其溥到可檢測對準光的膜厚y庳 亦可得到同樣的效果。 卞元的胺；各度 本實施形態完全除去對準標記 此。例如若可蕤I 力工胺，但並不限2 右了精由用於對準計測的光 / 的檢測，則也可 予系、况進行對準標售 J t J以在加工區域内的 使加工結束。例如即 , 胺略微殘留的狀！ .1如即使加工膜的膜厚變成—半的程 85189 -44 - 200415672 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第13實施形態） 以下，就只選擇除去形成於對準標記上的防止反射膜的 情況-面參考圖面，一面加以說明。本實施形態適用於在 光阻和防止反射膜之間有圖案轉印膜（中間膜）的情況。關 ，被處理基板的詳細，因和第丨實施形態重複而在此省略， 仗在被處理基板上形成光阻圖案的方法加以說明。 ，圖33A〜33C為顯示關於本發明第13實施形態的半導體裝置 製程的截面圖。又’在圖33A〜33C，在和圖m同—部位附上 同一符號，省略其詳細說明。 首先，如圖33A所示，在層間絕緣膜1〇1上用旋塗法形成 膜厚300 nm的防止反射膜321。此處作為防止反射膜321，使 用含有碳微粒子的無機系材料者。其次，在防止反射膜321 上用旋塗法以80 rnn的膜厚形成為圖案轉印膜的氧化矽膜幻】。 將此基板搬運到圖2所示的雷射照射裝置。然後，用前述 實施形態所載的方法只除去包含對準標記1〇2及定位檢查標 記（未圖示）的區域上的防止反射膜。以下（圖33B)，就其； 細加以說明。本實施形態以钕-釔鋁石榴石雷射的第四高次 譜波（波長266 nm)為照射光，以照射量條件為〇 〇25认①2。此 處，照射量條件和第12實施形態同樣，係成為只是防止反 射膜被去掉的空洞狀態之類的條件。這種情況，在除去區 域附近完全觀察不到粒子的附著。 J/cm時，和習知雷射消 射雷射而產生的氣體從 此被3忍為是將照射量縮小成0.025 紐不同，不會產生瞬間爆炸，因照 85189 -45 - 200415672 中間膜跑捧，不會產生中間層的飛散。 如此，比習知消蝕除去以低的照射量照射，只使防止反 射膜氣化，可消除在除去部周邊的粒子產生。 其後，如圖33C所示，用旋塗法形成膜厚3〇〇瓜^的氟化氬 光（波長193 nm)用的化學放大型正光阻膜323。 再者，將此被處理基板搬運到以氟化氬準分子雷射為光 源的分步重複型縮小投影曝光裝置，以ETTR方式的對準進 行曝光的圖案和被處理基板後，在被處理基板内進行料 望圖案的曝光。其後，進行稱為PEB(曝純烘烤）的加敎處 理後’以㈣顯影液顯影，形成所希望的光阻圖案。 如二匕，只將防止反射膜以無粒子除去，不會使良化 ’可實現高精度的對準。 斤 反射膜時的光源，使用钕-釔鋁 石4田石雷射的弟四高冷姑 、 卜 。咕波，但不限於此。最好按昭除去 的膜的光學常數選擇光源。 文…、除去 此外’本實施形態雖然除麥 0.025 w’但不限、人T ^去防止反射膜時的照射量為 ^ -η ε η Β-.万、a 。右是只除去防止反射膜而可形成 工洞&域的照射量即 y 卜，不是除去防止反射膜全部 ，亦可得到同樣的效果。_測對準光的膜厚程度 本實施形態完全除去對 此。例如若可葬士 、，裇记上的加工膜，但並不限於 的檢測，則也4以万、對卞计測的光學系統進行對準標記 使加工結纟。例如即2區域内❾口工膜略微歹幾留的狀態 口工膜的膜厚變成一半的程度，雖 85189 -46 - 200415672 然對比度不佳，但亦可進行對準。 、此外，對於定位檢查標記進行定位的結果，可確認可精 度良好地疊合。以往在定位檢查標記上也有防止反射膜： 所以檢查精度不佳。 (第14實施形態） 在上述實施形態係就下述方法加以敘述：在ettr對準方 面，藉由照射光除去用於微影製程的至少防止反射膜。 另一方面，關於半導體裝置，對於聚醮亞胺、多晶石夕膜 、有機層間絕緣膜、氮化矽膜、碳化矽膜等用於微影製程 的曝光波長亦形成不透明膜。若這些不透明膜形成於對準 標記上，則產生ETTR對準成為不可能的問題。 卞 在本實施形態將就這些不透明膜的除去方法加以敘述。 圖34A〜圖3仲為顯示關於本發明第M實施形態的半導體裝 置製程的截面圖。 如圖34A所示，準備製造中途的半導體裝置4〇〇。在矽基 板401形成由二氧化矽構成的對準標記4〇2及元件分離絕轉 4〇3。在矽基板401及對準標記402上形成由有機物構成的層 間絕緣膜406。在矽基板401的裝置圖案區域形成多數電晶^ 或電容等半導體元件4〇4。在此裝置，以有機物形成的層間 絕緣膜406為吸收曝光波長而只是除去防止反射膜，進行 ETTR對準是辦不到的。又，符號4〇5為閘絕緣膜。 本實施形態如圖34B所示，在層間絕緣膜4〇6上形成防止 反射膜407。其次，如圖34C所示，藉由照射光除去防止反 射膜407及層間絕緣膜406。就照射光方法而言，係前述實施 85189 -47- 200415672 形態所示的任-方法，適當選擇無粒子附著的方法。 一其後“如圖34D所不’全㊆塗佈形成光阻膜·。圖遍所 示的狀態未在對準標記402上形成完全吸收曝光光的膜，所 以可以曝光波長觀察對準標記。 即，可ETTR對準，以高精度進行對準，如圖34E所示， 可在光阻進行圖案形成。 ，、/人如圖34F所不，以被形成圖案的光阻膜彻為遮罩 進行層間絕緣膜條的圖案形成，可高精度形成通路孔。其 後，除去光阻膜408及防止反射膜4〇7。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用料準計測的光學系統進行對準標記 的板測’則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 然對比度不佳，但亦可進行對準。 (第15實施形態） 在形成於半導體裝置上的銅配線圖案上為抑制銅擴散到 層間絕緣膜中而形成氮化矽膜或碳化矽膜。這些膜吸收曝 光波長的光，所以產生不能ETTR對準的問題。 圖35A〜35D為顯示關於本發明第15實施形態的半導體裝置 製程的截面圖。 ^ 首先，如圖35A所示，準備製造中途的半導體裝置湖。 泚半導體裝置500在矽基板501上形成由碳化矽構成的第一 層間絕緣膜502。在第一層間絕緣膜5〇2埋入形成對準標記 5〇3及銅配線504。在對準標記5〇3及銅配線5〇4上形成氮化矽 85189 -48 - 在氮化石夕膜上形成第二層間絕緣膜506。 士 人，如圖35B所示，在第二層間絕緣膜506上塗佈形成 ^機㈣構成的防止反射膜挪。然後，藉由照射光除去 反射膜5〇7、第二層間絕緣膜5〇6及氮化石夕膜5〇5。 其次’ i口圖.35Γ …， 一 口儿所不，形成光阻膜508後，藉由ETTR對準 1 =精度對準’形成配線溝形成的光阻圖案508。 入:如圖35D所示’藉由RIE製程在層間絕緣膜第二層 間 '、、巴緣膜506中形成西己坤、、鲁 成配、.泉溝。然後，除去光阻膜508及防止反 射膜507。 斜t以上’藉由使用本發明的光加工方法，_ettr進行 +的微影製程成為可能，可以高精度形成圖案。 本貫施形態完全除去對準標記上的加工膜，⑮並不限於 'H右可藉由用於對準計測的光學系統進行對準標記 估lj J也可以在加工區域内的加工膜略微殘留的狀態 口工結束。例如即使加工纟 、 朕妁胺厚交成一丰的程度，雖 …、對比度不佳，但亦可進行對準。 (第I6實施形態）

在半導體裝置上形成咸伞α I 形成感先性聚醯亞胺膜，藉由微影製程 進行圖案形成時，亦可谪用太八η 、了 T j通用本發明的光加工方法。 特力丨]疋感光性聚醢亞胺不僅 w 4偟曝先波長，而且也吸收可見

Ihh域的波長光，有形成於 、 g的k記觀察困難的問題。此 外，形成於下層的標記為階差 61衣時，因在標記上的聚醯 亞胺膜的膜厚不均勻性而對準 ^ ^ ^ 、 卞相度，笑差，產生多數對準不 良。 851 89 -49- 200415672 圖36A〜36C為顯示關於本發明第16實施形態的半導體裝置 製程的截面圖。 首先，如圖36A所示，準備製造中途的半導體裝置600。 此半導體裝置600在矽基板601上形成第一層間絕緣膜6〇2。 在第一層間絕緣膜602上形成對準標記603及鋁焊墊604。在 · 第一層間絕緣膜602上如覆蓋對準標記603及鋁焊墊604般地 * 透過第二層間絕緣膜605形成感光性聚醯亞胺膜606。 如圖36B所示，用光加工方法除去對準標記603上的感光· 性聚醯亞胺膜606。 其次，如圖36C所示，進行對準，則可以高精度進行標記 的觀察，對準不良遽減。圖36C顯示將感光性聚醯亞胺藉由 微影製程形成圖案，其後藉由rjE製程加工鋁焊墊上的絕緣 膜後的形狀。 如T上所示，本發明的光加工不僅除去光阻膜或其防止 反射月吴，而且可對於形成於半導體裝置的標記上的各種膜 適用。 本實施形態完全除去對準垆今 丁卞铋记上的加工膜，但並不限於 此。例如若可藉由用於對準 卞叶d的先學系統進行對準標記 的私測，則也可以在加工 ,τ , 5或内的加工膜略微殘留的狀態 口〜束。例如即使加工膜的^卩μ & 妓對比泠丁& 胰的艇厗，交成一半的程度，雖 ，、、、對比度不佳，但亦可進行對準。 (第Π實施形態） 本異施形態顯示圖2所示的壯 例。 力 衣置的光形狀形成部別 85189 -50 - 200415672 例如取代孔罩，也可以佶 — 用先予凡件（例如數位微鏡裝置 (fe克塍斯儀器公司註冊商桿） 门铋)）* 一維排列多數比雷射光 非吊小、万向可分別變更的多數微小鏡。光學元件藉 二控：鏡的方向’可形成任意大小及形狀的光學： 象。q此，精由控制構成此光學元件的各微小鏡的方向， 可照射與標記大小及方向相對應的光學圖像的雷射光。 '’假足使視野光闌系統和S/D光闌系統透過， 明部+明邵—> 明部 上述以外一> 暗部， 產生遮罩面上的明暗部栅格資訊。 柵格取好細小，例如以投哥 .^ ^ , 仅…先學系統縮小到1/20的系統 在孔罩上μ μϊη程度細分化（：維配置微小鏡此大

給與光學元件此明暗部拇格I 貝如照射光到僅明部基板 上般地控制各微小鏡的角度 又舺田射先照射到基板上。 此外’使用此光學系統則 . . 在使基板靜止的狀態下進 灯田射先的知描。假定雷射 ^ ^ M ^ ^ ° ^ ^且母製程時間計算明 暗邛柵格貝訊’對於對應 Αϊ 了「」、、'口興先學疋件加以控 廷種6況，可只用光學元件加工。 本實施形態完全除去對準俨 士H己上的加工膜，但並不限於 此。例如右可藉由用於對準計 的檢測，則也可以在加马h先子^進行對準標記 使加工处束。例4 g蚀力成内的加工膜略微殘留的狀態 狹對比产不佳口工膜的膜厚變成-半的程度，雖 /、、、對比度不佳，但亦可進行對準。 (第實施形態） 851S9 -51 , 200415672 本實施开> 態顯示在圖2所示的光加工裝置具有供應流水給 加工區域的機構的加工部別例。 圖37為顯示關於本發明第18實施形態的加工部概略結構 之圖。又，在圖37，在和圖2同一部位附上同一符號，省略 其詳細說明。- 這種情況的流水系統不用循環系統而從液體供應器701透 過液體供應管702將液體239送到流動方向變換器703。流動 方向變換器703可在基板主面上對於該主面的垂直軸旋轉。 在流動方向變換器703 —端設有和液體供應管702連接的液 體導管704，並且從其前端的吐出口 705對於基板100主面供 應液體。液體239通過基板100和窗236之間，由排出口 706排 出，該排出口 706在和吐出口 705對向的位置非出口 706以 從吐出口 705供應給基板100上的液體239不產生亂流的程度 加寬。流動方向變換器703控制成可變更吐出口 705和排出 口 706的方向，以便對於基板100和雷射光的相對掃描方向 ，液體成為所預先設定的流動方向。 此加工部可用於下述製程：例如一面從所希望加工區域 内側向一方使雷射光對於加工區域相對掃描，一面進行加 工’在一端停止加工，其次一面從加工區域内側向他端使 雷射光對於加工區域掃描，一面進行加工。即，在加工中 ，向和雷射光相對掃描方向相反的方向使水流產生時，例 如如圖38A、38B進行即可。圖38A、38B為顯示使用圖37所 示的加工部的加工狀態的平面圖。又，在圖38A、38B，在 相同部位附上_同一符號，省略其詳細說明。 85189 -52 - 200415672 如圖38A'所示，照射區域712的移動方向從紙面右移到左 時，流動方向變換器703的吐出口 705來到加工區域711左邊 、排出口 706來到力口工區域右邊般地配置，形成水流。此夕卜 ，照射區域712的移動方向從紙面左移到右時，如圖38B所 示，使流動方向變換器703或基板100在180度加工區域712周 圍相對旋轉，流動方向變換器703的吐出口 705來到加工區 域711右邊、排出口 706來到加工區域711左邊般地配置，形 成水流。 圖39A、39B為將圖37及圖38A、38B所示的液體供應器配置 成噴嘴位置互相來到相反的液體供應器。這種情況，只是 使液體供應機構在加工區域向和流水方向一直去的方向平 行移動，就可容易變更水流方向。一面從加工區域内側向 紙面左邊使照射區域相對掃描，一面進行加工時，如圖39A 所示般地配置，其次一面從内側向紙面右邊使照射區域相 對掃描’一面進行加工時’如圖39B即可。 (第19實施形態） 圖40A〜40C為用作說明形成鋁等金屬配線時的對合不良問 題的截面圖。 圖40A所示的截面圖顯示形成鋁配線前的階段，在形成於 斗導體基板801上的層間絕緣膜802表面層至少形成和之後所 形成的鋁配線連接的通路805及進行對準的對準標記806。又 ，符號803、804為插塞、下層配線層。於是，又在對準標記 806表面形成凹凸。此理由後述。 其後，如圖40B所示，依次形成鋁膜807、防止反射膜808 85189 -53 - 200415672 及光阻膜8Ό9。在此銘膜8〇7上層及/或銘膜8〇7下層形成以敛 氮化歛L氮化叙等構成的阻障金屬，但省略其圖示’ 在圖娜所示的狀態，以銘膜浙覆蓋對準標記8〇6全面。 因此，不能直接檢測對準標記8〇6。因此，不是麵形成於 鋁膜807下層的通路層的對準標記的位置資訊，而是藉由 檢測鋁膜807表面的凹凸形狀，進行對準。 方、疋為了利用鋁膜807表面的凹凸進行對準，預先在形 成於通路層的對準標記806設置階差，形成鋁膜8〇7之際，凹 凸產生於鋁膜807表面。 一按照銘膜807表面的凹凸讀耳又對準標記8〇6的位置資訊， 藉由施以圖案形成，如圖4〇C，形成銘配線層81〇。… 然而，銘膜807表面凹凸因进擊蒸鍍等成膜方法的性質而 對於基底的凹凸成為不對稱，所以位置資訊會產生失直， 對準款差變大。此蚩+、准$兰么 s 會產生以下問題：$起銘配線 層801和通路8G5的接觸不良，晶片收獲率降低。 於是：為提高晶片收獲率而需要採取下述方式：在進行 對卞m壤擇除去對準標記⑽6上的鋁膜_，用作進行銘 配線層微影的對準直接檢_成於基底it路層的標記。 曹=triF為顯示關於本發明第19實施形態的半導體裝 置Μ的截面圖。又’在圖41A鲁在和圖4〇A〜视同一部 狃附上同一符號，省略其詳細說明。 一首t ’如圖4U所示’形成鋁膜811後，在鋁膜811上形成 先阻膜812。其次，如圖41B所千产τ、 —广*太描 口 所不，在下万形成對準標記及 反-炫且“（未圖示）的銘膜811的加工區域藉由照射雷射 85139 -54- 200415672 光，選擇除去對準標記上的光阻膜812。就除去的方式而言 也可以使用在上述實施形態說明的任一方式。 其二，如圖41所示，使用濕式蝕刻等方式除去加工區域 811 °利用灰化除去光阻膜812。在此狀態成為下述構 造··選擇除去對準標記8〇6上和定位檢查標記上的鋁膜811。 在選擇除去對準標記8〇6上的鋁膜811的狀態，如圖411)所 不’形成i線用光阻膜814/防止反射膜813。其次，使用形成 於通路層的對準標記806的位置資訊進行對準調整後，進行 曝光、_影，如圖41E所示，形成光阻圖案814。 對於定位檢查標記進行定位的結果，可確認可精度良好 地f合。以往在定位檢查標記上也有鋁膜，所以檢查困難 ’但檢查也很容易。 上述微影製程後，如圖41F所示，藉由以rje製程等加工 鋁膜811，形成鋁配線815，除去光阻圖案814及防止反射膜 813。藉由以上說明的製造方法，可進行通路接觸不良少的 愈配線的圖案形成。 又，本實施形態用可連續進行加工膜形成和雷射加工的 力口工裝置進行。然而，也可以用分別獨立的裝置進行加工 膜形成和雷射加工。 (第20實施形態） 雷射光照射位置和對於特足加工區域的對準精度不夠時 ，會產生下述問題：每次反覆往復掃描都會從加工區域的 境界新產生粒子。 第2實施形態敘述下述方法·在加工區域的境界附近考慮 85189 -55- 200415672 對準奢詹r ^ ^ , 、 右疋弟一 /人以後的光照射，則控制視野設定系 、龙’比在加工區域中央部的照射形狀縮小照射形狀，藉此 P制在加工區域邊緣附近產生的粒子的產生，防止粒子附 者於加工區域内。 、和此同彳永的目的，將就下述方法加以敘述：一面錯開雷 射光…、射K置’ 一面進行所希望加工區域的加工，以抑制 粒子的產生。 圖42A〜42E為顯示關於本發明第2〇實施形態的光加工方法 的平面圖。 首先開L如圖42A所示，使在基板上的照射形狀狹缝狀 的雷射光對於基板相對掃描，加工第一區域&。此第一區 域&的一個頂點接觸加工區域Rq的頂點之一。 1其次;_如圖所示，將雷射光的照射區域從第一區域Rl 又更到第一區域&。此第二區域&的一個頂點接觸第一區 域Rl頂點未接觸的加工區域R〇的頂點之一。然後，和第一 區域氏同I，進行第二區域&内的加工膜加工。 以下如圖42C所不，將雷射光的照射區域從帛二區域& 變更到第三區域R3。此第二戸H p y 、 罘一 &域R3的一個頂點接觸區域氏、 R2頂點未接觸的加工區域R的g 匕叹K〇的頂點芡一。然後，和第一區 域!^同樣，進行區域C内的加工膜加工。 以下，如圖42D所示，將兩射决^ 奵两射先的照射區域從第三區域R3

變更到第四區域仏。此第四區诚R 、C罘四域^的一個頂點接觸區域Rl、 R2、R3頂點未接觸的加工區域〜的頂點之—。^然後，和第 一區域艮同樣_，進行第四區域仏内 M J加工腠加工。用以上 -56 - 85189 的製程彳佳P i 、 丁加工區域R〇内的加工膜加工。 區姑p取後如圖42E所示，在設定於加工區域R〇内的第五 3 5内反覆往復掃描長狹缝狀雷射光，除去留在第五區 3 5内的粒子，形成預定的加工形狀。又，也可以一併昭 射第五區域H除去殘留的粒子，形成預定的加工形狀。/ 二土、:，開照射位置，-面形成預定的加工區域， μ減少照射光到加工區域邊緣的次數。SI⑻，可抑制 二定加工區域的粒子產生，可防止在加工區域内的粒 亍附著。 丄第：區域R5的加工過程，使用以ccd攝影機構成的觀 後記憶圖像，採取声分Λ ^八Λ 射雷射前 休4差刀，控制成差分大約〇時停止在該部分 的加工，不是時繼續進行加工，結束所希望的加工。 二:=使因區她内的掃描而被重複掃描峨 成為弟五區域r5’以減少在第五區域R5的掃描次數。 又，掃描區域的變更可以使視野設定系統的位置移動， 也可以移動基板。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜， 此。例如若可藉由用於對準計測的光學系統進行對准h 的檢測，則也可以在加工區域内的加工膜略微歹戔留 使加工結束。例如即使加工膜的膜厚變成—半的二 然對比度不佳，但亦可進行對準。 又 n (第21實施形態） 照射位置和對於預定加工區域的對準精度不夠時，會產 85189 -57- 200415672 生下述問題 產生粒子。 每次反覆往復掃描都會從加 工區域的境界新 ，、第2實施形態敘述下述方〉去：在力口工區域的境界附近考慮 ，準精度’若是第二次以後的光照射，則控制視野設心 、克，比在加工區域中央邵的照射形狀縮小照射形狀，藉此. 抑制在加工區域邊緣附近產生的粒子的產生，防止粒予附. 著於加工區域内。 第20實施形態不使視野設定系統的大小變化而改變掃描 區域’進行預定加工區域的加工。和此同樣的目的，本會· 施形態將就下述方法加以敘述：—面使被處理基板振動" 一面照射光，進行加工。 圖43A、43B為顯示關於本發明第21實施形態的半導體裝 置製程的截面圖。 首先，如圖43A所示，一面利用壓電元件等在至少水平方 向施加振動給基板1〇〇，一面使細窄縮小的狹缝狀的雷射光 821掃描，進行加工膜的加工。此時，如圖私所示，一脈衝 的知、射而所貫際照射的區域&比在無振動的狀態照射雷射Φ 光的區域Ri覓。圖44為顯示一脈衝的雷射光照射區域的平 面圖。因此，一面給與基板1〇〇振動，一面進行雷射光的掃 描，所實際加工的區域比在基板不振動的狀態進行加工的‘ 區域寬。 其次，切斷壓電元件驅動控制電路，不使基板振動，如 圖43B所示，在被加工的區域内使長狹缝狀的雷射光反 覆往復掃描除去留在加工區域内的粒子。又，也可以藉 85189 -58 - 由併照射，除去留在加工區域内的粒子。 ::施形態係使基板振動’但也可以在視野 置堡電元件，使其振動。 =第二次1後的掃描過程，使用以CCD攝影機構成的觀 二Γ:/异加工區域内外的粒子。而且’在照射雷射前 :思圖像：知取差分’控制成差分大约0時停止在該部分 、口工，不是時繼續進行加工，結束所希望的加工。 本實施形態完全除去對準標記上的加工膜，但並不限於 °例如若可藉由料對準計測的光學㈣進 測，則也可以在加工區域内的加工膜略微殘留：：態 =結束。例如即使加工膜的膜厚變成一半的程度，雖 …、對比度不佳，但亦可進行對準。 (第22實施形態） 第2實施形態敘述下述方法：在加工區域的境界附近 ^丰精度’若是第二次以後的光照射’則控制视野設定^ 紐，比在加工區域中央部的照射形狀縮小照射形狀\藉此 抑制在加工區域邊緣附近產生的粒子的產生，防止驴子、 於加工區域内。 、 本實施形態係按照雷射光的掃描次數改變圖：所示的光 工裝置200的窗236和基板1〇〇表面的間隔而進行力口工。、“加 圖45Α、视為顯示關於本發明第μ實施形態的半道心 置製程的截面圖。 寸仏灰 首先，如圖45A所示，控制基板職面和窗咖的 使基板職的液_厚度成4D卜㈣’使細窄縮小的狹 85189 -59- 200415672 縫狀的雷射光831 一 入射到純水時，兩 A1〇 玲射光折射，所以照射區域的面積成為 其次’如圖45B戶斤- 使基板⑽上的液變更窗236和基板100表面的間隔， 便睹2力厚度成為d2 (<D1)。狹後， * 和第一次的掃描柏πΑΑ松 )…、俊再度叹疋 狀的兩射W々知描區域，在加工區域内使長狹缝 狀的田射先反覆往復掃描。 液體239變薄，产、、1 ^ , W4；；在夜體239中的雷射光折射影響變小。因 此，如圖46所示，—, 曰又4 口 制變窄。因此，可比t的雷Μ照射區域的面積Μ比面 倾。圖46為顯示―:；次：掃描區域縮小第二次的掃 " 衝的田射光照射面積的平面圖。 姆二過程使被處理基板上的液膜厚變化，可 :二域境界的粒子產生，可防止在加工區域内 二攝影機構成的_ f意圖像，採取差分，抄而且’在照射雷射前後記 二，不是時繼绩^ 約〇時停止在該部分的加 貝進仃加工’結束所希望的加工。 本貫施形態完全除去對準 此。例如若可藉由用於對淮：+心的加工版，但並不限於 y 、于T计測的光學系統進行對準俨今 的檢測，則也可以在加工 灯對卞柊6己 使加工結束。例如即使加工二内/加工^各微殘留的狀態 狄對比产不佳彳膜厚變成-半的程度，雖 Α對比度不佳，但吓可進行尉準。 (第23實施形態） 85189 -60 - 200415672 首先’就铪射加工裝置的結構加以說明。圖為顯示關 於本發明第23實施形態的雷射加工裝置結構之圖。在圖^ ，在和圖2同一部位附上同一符號，省略其說明。 光加工裝置200如圖47所示，具備雷射光學系統21〇、觀察 系統220及雷射加工部230、灰度、色調分類部251、膜構造 識別邵252及能量設定部253。 此雷射光學系統210具備雷射振盪器211、進行雷射振盪器 211控制的雷射振盪器控制單元212、光學系統214、半反射 鏡217及聚光鏡216。 由雷射振盪器211照射的雷射光213依次透過將射束形狀 形成各照射單位大小的光學系統214、光形狀形成部2^、 4反射鏡217、聚光鏡216，照射到設於雷射加工部23〇内的 羞板HX)的加工面10如。在光形狀形成部215和聚光鏡216之間 指入觀察系統220。 硯察系統220具備照射用作觀察基板1〇〇表面白勺光的觀察 用光源223、半反射鏡222及CCD攝影機222。 錄就觀祭光學系統的結構說明於下。以ccd攝影機取 得的圖像資訊傳送到灰度/色調分類部251。灰度/色調分類 部251先從圖像識別加工區域。求出被識別的加工區域中的 灰度，色調（灰度的波長分散）。幻麦，將具有大致相同灰 2或巴兩的柵格（像素）分组。此處，將圖像的灰度或色調 ”組和求㈣自基板的反射光強度分佈同樣。 各柵格或各組的灰度/色調資訊傳送到膜構造識別部⑸ 。㈣造識別部252具備預先求出的色調/灰度和膜構造的 85189 -61 - 200415672 對應表。在膜構造識別部252比較各柵格或各組部的色調/ 灰度資訊和對應表。膜構造識別部252根據對應表，各組分 配膜構造。膜構造資訊中至少含有膜厚度和複折射率的資 訊。有時更含有損傷產生下限能量的資料。 能量設定部253根據膜構造資訊決定各照射單位的各照射 區域（加工單位）的能量。 雷射振盪器控制單元212根據能量資訊和照射位置資訊控 制供應給雷射振盪器211的功率。 又，雷射光的照射位置根據來自感測器235及旋轉控制機 構幻4的資訊檢測。又，也可以根據&CCD攝影機222取得的 圖像資訊檢測雷射光的照射位置。

此外，本裝置將雷射光源用 此。若是加工膜吸收的波長且 v或可除去腺的能力者，則使 、無機膜且在可見區域或紫外 光使用，可確認膜厚減少。此 束等帶電粒子束流。 於加工用光源，但並不限於 有所希望加工，即使膜厚減 用什麼都可以。例如有機膜 區域有吸收時，將鎢絲燈聚 外，也可以是電子束或離子 關於本裝置的發明雖係關於水中 j r加工者，但不在此限。 以大氣中處理被處理基板時，可 』用圖48<類的裝置結構加 工。在圖48關於相同機構者給盥 相同號碼。即倍力*厭 悲的處理、減壓狀態的處理 4 1 、 如用圖牝的形熊的裝f式俨 載物台邵分放入室内者，則亦 ^ ， 了達成本發明的目的。 (弟24實施形態） 本實施形態就使用在第23會 、 、y悲況明的裝置的加工例 85189 -62- 200415672 加以說明。、 、>導to开y成過i的直徑3⑻mm的晶圓上依次形成膜厚 的防止反射膜層（複折射率^『心…為虛數單位二 月吴j 400 nm的均勻光阻膜（複折射率=^丨：丨為虛數單位） 。將此晶圓用.圖47所示的雷射加工裝置進行加工。 一首先，進行來自觀察光源的光強度及CCD攝影機的檢測 "'度的t正。修正係照射來自觀察光源的光到未圖示的 表面研磨成鏡面狀的標準樣品，以CCD攝影機接收其反射 光，為達到預先指定CCD攝影機檢測灰度之值而調整觀察 光源的光量或調整CCD攝影機的增益進行。 丁 、進行觀察系統的修正後，將晶圓1〇〇放在保持器231内的 載物台232上。用液體流動器237供應超純水給晶圓1〇〇上面 在以超純水芫全裝滿保持器231内的階段，用ccd攝影機 222取得加工區域周邊的圖像。在本實施形態的加工區域為 對準標記區域。CCD攝影機222使用可取得黑白256灰度的圖 I者。將以此CCD攝影機222觀察的圖像傳送到灰度/色調分 類部251。 固49 ,、、員示以CCD才科衫機222 (設定在灰度色標）觀察到的圖 偉概略灰度/色凋分類邵251由圖像評估灰度。本實施形態 的情況，在形成對準標記的第二區域13〇2的灰度為167。此 外，第一區域1301的灰度為56。又，在圖49，符號13〇〇顯示 加工區域。 此灰度貝訊然後傳送到膜構造識別部252。此處所轉移的 資料陣列為例如（X方向照射原點、y方向照射原點、χ方向 85189 -63- 200415672 照射見度、y方向昭取命& 、 y万π…、射見度、灰度）。此資料為根據各柵 (像素)具有的灰度資訊使多數灰度組群化的資料。又 於X万向照射寬度和y方向照射寬度，係裝置預先決定的日: 射単位（加工單位），係固定值。照射單位的形狀對於加: 區域為長方形<sKt)狀或點（d〇t)狀。 、又、此處备狹縫狀，係指照射形狀的長度方向和加工區 :戈、万〈坆喀相等’與長度方向正交的方向的寬度比加工 區或他方 < 邊短的形狀。此外，所謂點形狀的照射形狀， 你指照射形狀$六从、 狀正人的万向的兩個寬度都比加工區域正交 方向的寬度短。 月吴構4索機構使用例如表1所載之類的對應表，決定膜 構造。 表1

85189 -64- 層7 、 — 一 200415672 表1中例如膜構造1A為4層構造。如圖50A所示，膜構造 1Α包含光阻膜（層1) 1401、防止反射膜（層2) 1402及基底層 1405(層3)、1406(層4)。又，對應表上只記載複折射率，但 實際上也附有膜厚的資訊。 膜構造1B如圖50B所示，包含3層構造的光阻膜1401(層1) 、防止反射膜1402(層2)、基底層1408(層3)、1409(層4)、 1410(層5)、1406(層6)。在膜構造B，基底層的最上層為 1408(層3)。膜構造C如圖50C所示，包含3層構造的光阻膜 1401(層 1)、1403(層 2)、1404(層 3)、基底層 1405(層 4)、 1406(層5)。基底層的最上層為基底層1405。 以此資訊為基礎，第一區域1301識別為膜構造1B，第二 區域1302識別為膜構造1A。此外，由於對應表顯示，對於 第一區域1301的能量照射的最大值為0.4 J/cm2/shot，對於第二 區域1302的能量照射的最大值為0.6 J/cm2/shot。在表1，能量 下限為除去膜所需的能量。膜構造1A的能量下限比膜構造 1B的能量下限大，是因為膜構造1A在加工膜基底的光吸收 少，在基底的發熱射量少。 而且，能量設定部253由表1所載的能量上限、下限及膜 的光學常數設定各照射區域（加工單位）最佳的照射能量。 因多重干涉而放大能量時，分配比表的值小的能量，反之 抵消時，分配比表的值大的能量。能量下限為力口工膜的加 工成為困難的能量。當然要分配比此大的能量。 能量設定部253考慮照射能量的偏差而如圖51、6所示， 85189 -65 - 200415672 將給第一區域1301的照射能量設定在0.3 J/cm2/shot。能量設定 部253將給第二區域1302的照射能量設定在0.5 J/cm2/shot。按 照如此設定的能量，各加工單位進行消蝕。藉由本實施形 態所示的加工方法，如圖53所示，第一區域1301和第二區 域1302可分別以適當能量加工。 例如思考不按照第一及第二區域而將雷射的能量設定在 0.35 J/cm2/shot的情況。這種情況，照射能量的穩定性不佳， 若照射能量變小則在第二區域1302產生膜殘留，若照射能 量變大則在第一區域1301產生損傷等，發生許多加工不良 (圖 54、55)。— 如本實施形態所示的加工方法，一面按照基底的結構變 更照射能量，一面進行消蚀，可在無膜殘留且亦無損傷的 良好狀態實現加工。 藉由此加工使對準標記露出，可嚴密進行對準，所以可 使閘尺寸更細窄，可製造可高速處理的LSI。如此使用本技 術所製成的半導體裝置可謀求處理的高速化，並可小地設 定對合的餘量，所以亦可謀求晶片面積的縮小。 本實施形態作為觀察光學系統，使用灰度標的CCD攝影 機，但並不限於此，也可以使用彩色或視訊攝影機。 此於，對應表不限於表1的形式，若是記憶加工所需的資 埶者，則也可以是任何形態者。 (第25實施形態） 在半導體裝置形成過程的直徑300 mm的晶圓依次形成膜 厚300 nm的防_止反射膜層（複折射率=n24-k24 i : i為虛數單位） 85189 -66 - 200415672 、膜厚90 Am的SOG層（複折射率、3—u i ··丨為虛數單位）、膜 厚400 nm的均勻光阻膜（複折射率二叱丨—匕丨丨··丨為虛數單位）。 將晶圓100放在載物台232上。用CCD攝影機222 (RGB)取得 加工區域周邊的圖像。在本實施形態的加工區域為對準標 记區域。CCD攝影機222使用可取得RGB各256灰度的圖像者 。將以CCD攝影機222觀察的圖像傳送到灰度/色調分類部 251 ’進行灰度的評估。 圖56頭示被拍攝的圖像。對於圖54的以柵格劃分的區域 分配灰度色調資訊。點線内的區域為加工區域15〇〇。在第 一區域（標記邵）1502的灰度/色調為（R，G，B)=(15〇, 93, 2〇1)。此 外，在第一區域1501的灰度/色調為（R，QB)气32, i⑻，87)。此 資訊然後傳送到膜構造檢索機構。此處所轉移的資料陣列 係例如（X方向照射原點、y方向照射原點、χ方向照射寬度 y方向照射寬度、R灰度、G灰度、Β灰度）。前述資料為 根據各區域具有的灰度資訊，按照灰度被組群化的資料。 關於χ方向照射寬度和y方向照射寬度，係比較鄰接區域的 (R，G，B)灰度，將認為其差分別為±5以内者是同一組群而組 群化者再分割成長方塊（狹缝）狀或點（dot)狀時的長方塊或點 的X、y方向的照射寬度。膜構造檢索機構使用例如表2所載 之類的對應表決定膜構造。 表2 ---__ 膜構造2A 冓造2B 膜構造2C • · · (50,90,122) IML95，199) 〇·4 J/cm2/shot (30,100,90) 〇·7 J/cm2/shot 0.6 J/cm2/shot 85189 -67 - 能量下限' 0.3 J/cm2/shot 0.2 J/cm2/shot 0.4 J/cm2/shot 基底的最上層 3 4 4 層數 4 7 5 層1 n21，k2i n2h k2i n2i, k21 層2 订22, k22 n235 k23 1^23, k23 層3 n25? k25 n245 k24 1^24? k24 層4 如，匕26 1^28? k28 n25? k25 層5 一 n29, k：29 叱6, k26 層6 一 1^21〇5 k2i〇 — 層7 — ^26? k26 — 200415672 表2中例如膜構造2A為4層構造。如圖57A所示，膜構造 2A包含3層構造的光阻膜1601(層1)、防止反射膜1602(層2)及 基底層1605(層3)、1606(層4)。又，對應表上只記載複折射 率，但實際上也附有膜厚的資訊。 膜構造2B如圖57B所示，包含3層構造的光阻膜1601(層1) 、SOG膜1603(層2)、防止反射膜1604(層3)、基底層1608(層4) φ 、1609(層5)、1610(層6)、1606(層7)。膜構造2C如圖57C所示 ，包含光阻膜1601(層1)、SOG膜1603(層2)、防止反射膜 1604(層 3)、基底層 1605(層 4)、1606(層 5)。 以此資訊為基礎，第一區域1501決定作為膜構造2B，第 二區域1502決定作為膜構造2C。此外，由此表2顯示，對於 第一區域1501的照射能量的上限值為0.4 J/cm2/shot，對於第二 區域1502的能量照射的最大值為0.7 J/cm2/shot。此處，照射能 量的上限值登記作為在膜構造2B、2C用作只使防止反射膜 85189 -68 - 200415672 氣化的能量。照射能量的下限值為除去加工膜所需的能量 。膜構造2C的照射能量的下限值比膜構造2B的照射能量的 下限值多。這是因為膜構造2C在加工膜基底的光吸收少， 在基底的發熱射量少。 能量設定部_253先根據與灰度、色調相對應的被分類組群 設定照射區域（加工單位）。組群區域大小比照射區域大時 ，將組群區域分割成比照射區域小的長方塊狀或點狀的區 域。例如如圖58所示，作為加工區域1500内的照射區域， 設定第一照射區域1511a〜1511g及第二照射區域1512a〜1512d。 而且，能量設定部253由表2所載的能量上限、下限及膜 的光學常數設定各照射區域（加工單位）最佳的照射能量。 因多重干涉而放大能量時，分配比表的值小的能量，反之 抵消時，分配比表的值大的能量。能量下限為加工膜的加 工成為困難的能量。當然要分配比此大的能量。 能量設定部253將第一照射區域1511a〜1511g的能量設定在 0.3 J/cm2/shot。能量設定部253將第二照射區域1512a〜1512d的能 量設定在0.5 J/cm2/shot。按照如此設定的能量，各加工單位 進行消蝕。藉由本實施形態所示的加工方法，第一區域 15〇1和第二區域1502可分別以適當能量加工。 分別適當設定給第一區域1501和第二區域1502的照射能量 。能量的設定在能量設定機構係各照射（加工）單位進行。 能量係由對應表所載的能量上限、下限及膜的光學常數最 隹化而決定。因多重干涉而放大能量時，分配比表的值小 的能量，反之抵消時，分配比表的值大的能量。能量下限 85189 -69- 200415672 為加工膜的加工成為困難的能量。當然要分配比此大的能 量。 圖58顯示根據以上製程分配能量的結果。對於第一區域 、第二區域各個分配0.3 J/cm2/shot、0.6 J/cm2/shot。按照如此決 定的能量，各加工單位進行消蝕的結果，可進行無膜殘留 且無基底損傷的加工。 思考下述情況：不按照區域而將雷射的能量設定在0.4 J/cm2/shot進行加工。此能量為第一區域1501的上限，也是第 二區域1502的下限。因此，在第一區域1501產生很多損傷。 此外，在第二區域1502產生很多殘留。由於產生此情況， 所以實用困難。 如本實施形態所示的加工方法，一面按照基底的結構變 更照射能量，一面進行消蝕，可在無膜殘留且亦無損傷的 良好狀態實現加工。 藉由此加工使對準標記露出，可嚴密進行對準，所以可 使閘尺寸更細窄，可製造可高速處理的LSI。如此使用本技 術所製成的半導體裝置可謀求處理的高速化，並可小地設 定對合的餘量，所以亦可謀求晶片面積的縮小。 本實施形態作為觀察光學系統，使用CCD攝影機，但並 不限於此，也可以使用視訊攝影機。此於，對應表不限於 表2的形式，若是記憶加工所需的資訊者，則也可以是任何 形態者。此外，也可以和第24實施形態同樣，在加工區域 使流體流動而進行加工。 (第26實施形態） 85189 -70 - 200415672 钕’沈丙射加工裝置的結構加以說明。圖％為顯示關於本 發明第26實施形態的雷射加工裝置結構之圖。在圖59,在 和圖47同一部位附上同—符號，省略其詳細說明。 在圖59，氣體直徑計測部261由以ccd攝影機得到的圖 像認識雷射光、的照射區域。氣體直徑計測部261在照射區域 内^在雷射光的光程上逐步測量因照射雷射光而產生的氣 泡（範骨豆）直。而且，測量結果傳送到雷射振屋器控制單 凡212。雷射振盪器㈣單元212按照氣泡直徑調整照射雷射 先的足時。具體而言，存在於加工膜雷射光的光程上的氣 泡直徑超過設定值的期間不進行雷射光的照射。氣泡大小 比，定值變小之後，發生指出，以便進行雷射光的照射。 氣體直徑計測部261在以CCD攝影機從接收的反射光中， 真出特定灰度範圍的像素數而求出氣泡直徑的計測。然後 ，雷射振盪器控制單元212比較所計測的氣泡直徑和所預先 ，記的設定值。氣泡直徑超過設定值時，雷射振盧器控制 :兀2U使來自雷射振4器211的雷射光照射停止。氣泡直 色比設定值小時，雷射振盪器控制單元212允許來 遠器211的雷射光振盪。 、 上此外’雖然使用從以CCD攝影機222接收的反射光的圖像 計測氣泡直徑的方法，但並不限於此。例如若是有可觀冽 办口工膜加工時產生的氣泡存在的能力者，則使用什麼:二 以:例如可將和加工用光源不同的別的光照射到區域， 狗】觀測用光因氣泡而散射的角度’判定有無氣體 ‘ 8518q -71 - 200415672 具備液流產生器263。液流產生器263使雷射光的照射區 域產生液流。可利用液流連續去掉產生的氣體。最好液流 產生券263向一足方向使一定流速的液流產生，以免在雷射 光產生不規則的紊流。此外，液流產生器263至少實際進行 雷射加工之際.驅動即可。 . 此外，本裝置將雷射光光源用於加工用光源，但並不限·‘· 於此。若是加工膜吸收的波長且有所希望加工，即使膜厚 · 減少或可除去膜的能力者，則使用什麼都可以。例如可使 用鶴絲燈或氤閃光燈。有機膜、無機膜且在可見區域或紫 卜區或有及收時’將鎮絲燈或氤閃光燈聚光使用，膜厚減 y。此外，作為照射光，也可以使用電子束或離子束等帶 電粒子束流。 、、此外，本裝置係關於水中加工者，但此加工方法並不限 万^水中加工◦在被處理基板的大氣中處理、加壓處理、減 £處里亦可適用，可將保持器構造配合各處理使用。 " 氣中琦射加工裝置的結構，說明於圖60。圖60為龜 了、關万；本發明第26實施形態的雷射光加工裝置概略結構 <圖。在圖60，在和圖59同一部位附上同一符號， 說明。 ·. 、，圖6〇具備氣流產生器262。氣流產生器262使雷射光的照 =域產生氣流。可利用氣流連續去掉產生的氣體。最好 :机產生咨262向一定方向在一定流速使氣流產生，以免在 两射光產生不規則的紊流。此外，氣流產生器262至少實際 i行Η射加工之際驅動即可。 ^5189 -72- 200415672 最好氣流供應管262a的排氣口使其非常接近被處理基板 100的加工面100a，只使雷射光的照射區域附近選擇產生氣 流。此外，雖然排出氣體以使氣流產生，但也可以藉由吸 氣使其產生。 (第27實施形態） 本實施形態使用在第26實施形態所述的裝置結構的光加 工裝置，說明適用於在半導體裝置的製造過程所需的各種 加工之例。以下說明的適用例可用第26實施形態的光加工 裝置良好地達成。 先就不考慮光程上的氣泡而照射雷射光進行光加工的情 況，使用圖61A〜61C加以說明。圖61A〜61C為顯示不考慮氣泡 而進行的光加工方法之圖。 如圖61A所示，準備在石夕晶圓1701上形成絕緣膜1702，例 女1 μιη膜厚的光阻膜1703的基板。其次，照射Q開關釔鋁石 才留石雷射的第二南次讀波（波長3 5 5 nm),除去預定位置的光 阻膜1703。雷射光的每一脈衝的能量密度為0.4 J/cm2。例如 雷射光1704的振盪頻率設定在250赫茲。加工區域的大小為 系從 100 μπι X 橫 200 μιη。 一照射雷射光，光阻膜就被消蝕而產生氣泡。在氣泡存 在於光程上的狀態，下一雷射光1704 —照射，就如圖61Β所 斥，雷射光1704為殘留於光程上的氣泡1705所散射。其結果 ，雷射光1704也照射到加工區域的外側。 其結果，如圖61C所示，因散射到加工區域外白勺光而產生 多數針孔1706或粒子1707。同時，在加工區域的境界部看到 85189 >73 - 200415672 光阻膜的膜剝落1708。此膜剝落在以光阻膜、無機膜、防 止反=膜的多層構造形成的複合光阻膜的情況亦顯著出現。 於是，本實施形態在加工過程用圖59所4雷射光加工 裝置進行觀察。由以CCD攝影機222觀察的圖像用氣體直^ 計測邵261計測產生於加工區域内的氣泡大小。冑射振堡器 控制單TC212按照所計測的大小控制雷射光的振盧。 茲參考圖62A、62B說明本實施形態的光加工方法。圖62a 、62B為顯示關於本發明第27實施形態的光加1方法之圖。 、广圖62A所示’由從CCD攝影機222得到的圖像。因:次 光=射而產生的氣泡17〇5存在於雷射光的光程上的期間不 、亍下光’、、、射。以氣體直控計測部261確認氣泡簡為液 流等所搬運，從光路上消失後’如圖62β所示，再開始雷射 先Π04的照射。如一面反覆上述之類的製程，一面進行加 工般地進行控制。 圖63顯示不考慮氣泡而進行加工時和考慮氣泡而進行加 工時：離加工區域的距離和針孔數的關係。在圖63中，A為 考慮氣泡而進行加工時的孔數’ B為不考慮氣泡而進行加 寺的孔數。如圖63所示，考慮氣泡時，在加玉區域外的 針孔數比不考處ίί、;台R去 ^ 寺加工區域，加工區域Α顯著減少。 其'、结果，可谁；f千含入丁 王不、心與配置裝置圖案的地方影響的加 工。此外，亦可抑制光阻膜的剥落。 此外，SEM觀祭的結果亦可確認：看不到在力口工區域外 的針孔或光阻膜眉， 〜 了抑制在加工區域境界部的光阻膜剥 洛° 85189 -74- 200415672 所示，對於 發明第27實 。圖64Α為截 於加工區域 狀（縱 100 μηι 對掃描。就 固定雷射光 上’藉由使 此外，取好雷射光的照射區域如圖64a、 力二區域為狹缝狀。圖64A、64b為顯示關於本 ㈣4的在光加工的雷射光照射區域形狀之圖, 面圖，圖64B為平面圖。如圖64A、64b所示，對 使雷射如12的照射區域m2a形狀成為狹缝 元、5 μιη)。而且，將雷射光1712對於晶圓口_ 將晶圓_和雷射光1712相對掃描的方法而言， 的光軸，使基板移動。或是設於雷射光的光程 控制形狀的狹缝平行移動，使雷射光掃描。 如圖65Α、65Β所示’照射和加工區域171〇大小大致相等 的照射區域1711a的雷射光17η，將加工區域m卜次全部地 進行光加工時，隨著光阻種類或膜厚而有下述之虞：在最 初：光照射時點’加工區域171〇的境界部在光阻膜17〇3產生 剥洛’成為加工不良。這是因為綠膜⑽吸收光照射時 的熱而熔融蒸發之際，若雷射光的照射區域大，則吸收不 了在光阻膜和基底膜的界面產生的應力，一面刮跑光阻膜 ，一面進行加工。 因此，最好將細窄縮小成狹缝狀的光對於基板相對掃描 ，並且如上述，一面從光程間確認氣泡不存在，一面進行 預定的加工。藉此，由一次光照射所加工的面積小，可使 光阻和基底膜的界面的應力緩和，可抑制膜剥落。 此外’也可以如圖66Α所示’對於加工區域172〇使多數狹 鏠狀的照射區域1721掃描。此外，也可以如圖66Β所示，對 於加工區域172〇使多數狹縫狀的照射區域1722掃描。又，也 85189 -75- 200415672 可以使一個點狀的照射區域掃描。 本貫施形態作為加工用光源，使用Q開關釔鋁石榴石雷 射的第二高次諧波，但光源不限於此。也可以是Q開關釔 \石彳田石⑽射的第四南次譜波（波長26ό nm)或氟^化氪準分子 闲射等脈衝雷.射及燈光。此外，照射的每一脈衝的能量密 度通常為0·2 J/cm2〜0.5 J/cm2，適當調整不給與加工内外區域 知饴而可良好加工的能量。有機材料以外的情況也適當選 擇能量密度，以免給與加工區域内外損傷即可。 、此外，取彳于來自CCD攝影機的圖像，以此為氣泡的觀測 万法’但氣泡的觀測方法不限於此，也可以由氣泡的散射 光或使別的光入射到照射區域，由其散射光檢測。 $於雷射光的振i頻率’不限於25()赫兹，可在ι〇〜ι〇〇〇〇 赫絲《間通當設足。需要載物台的位置精度時，以低頻且 =低速載物台移動進行即可。此外，f要高速處理時，以 兩頻且進行高速載物台移動即可。 ㈣氣泡在光路上殘留的狀態進行雷射光的照為 而、订加工。然後’對於氣泡的直徑檢查產生於加工區土 周圍的針孔數。圖67為顯示氣泡直㈣針孔數的關係之羅 如圖67所示’氣泡直徑3 以 ^ Α ’以下時，產生的針孔數為^ 約0。因此，氣泡消失之前， 紅兩仏、丨> 、 在轧心直徑3 以下的狀態用 于结射光，亦可進行加工。在氣 、， + ^在巩心垧失可照射雷射光，肩 此可謀求產能提高。 此外，SEM觀察的結果亦可確如· 丨、，π 土 J J隹口心·屋生的氣泡直徑為3 μηι以下時’看不到光 自了抑制在加工區域境界部的 85189 >76- 200415672 光阻膜剝落。 如此 尤阻膜的情況，殘留於光 ，可I針：?丨荽、 上的乳泡3 μπι以下時 + ,U 66 ^ 王的加工，但針孔和氣 大J的關係因加工的各膜種不同而 、 產生斜;^ #、A 士 滿足和各加工膜不 十：的風泡直徑的關係的條件適當進行加工即可。 口預先預測氣泡直徑時，使 Α π - π k 仗/夜机遠度取佳化即可。圖68 為頭不肊射區域寬度…和加工 屋生的氧泡直徑φ的關係之 圖。又’辑射光的每一脈衝的能量密产 ,,^ jb 里在度為 0·2 J7cm2〜0.5 J/cm2 所謂照射區域寬度w，係照射區域的液體流動方 '々長度。如圖68所示’對於照射區域寬度w成為以產生 的氣泡直徑上限值所示的曲線。其結果，振i頻率Z⑽〇 ，以照射區域寬度W加工時’若設定成被處理基板上方… (μιη)的流速V hm/sec)滿足以下關係式，則可在氣泡大致不 存在的狀態，進行雷射光的振盪：

V > 6 X

X Z /w 1 如滿足此關係般地進行加工，則也可以不按照氣泡的大 小，有無將雷射光的照射定時進行控制。如滿足此關係般 地設置控制前述振盪頻率Z、寬度W及流速V任一的控制部 即可。前述控制部也可以按照所預先設定的前述振盪頻率 z及見度W控制前述流速V。此外，前述控制部也可以按照 所預先設定的前述流速V及寬度W控制前述振盪頻率z。 此外’使用圖69A、69B說明圖60所示的在大氣中一面使 加工區域產生氣流，一面進行光加工的情況。如圖69A所示 ，在加工過程使用氣體直徑計測部261觀察在氣流中照射光 85189 -77 - 200415672 時產生的氣體1731直經。而〇 , 而且，如圖_所示，確認氣體 1731攸光私上消失爻後，再兩 ^ 0 ^ , μ ΛΛ 口田射光1704的照射。控制成 一面反復如上述的製程，一 ,^ L 曲進仃力口工，可進行良好的加 工。此外，在大氣中的加工 不在/夜中的光加工同樣，也 可以使用下述方法：在照射區域將細窄縮小成狹縫狀的光 對於基板相對掃描。此外，照射區域㈣狀也可以是配置 多數點狀或狹缝、點形狀者。 上述實施形態雖就藉由照射光除去用於微影製程的光阻 膜的方法加以敘述’但另—方面在半導體裝置也形成聚醯 亞胺膜、多晶碎膜、碳切膜等月莫，對於這些膜亦同樣可 用於除去時。 (第28實施形態） 圖70A、70B為顯示關於本發明第28實施形態的半導體裝 置製程之圖。圖70A、70B顯示下述製程：在液中雷射加工 透過層間絕緣膜1741形成於矽晶圓17〇1上的氮化矽膜1742。 氮化矽膜1742使用例如CVD或濺鍍等形成。氮化矽膜的膜厚 為20 nm。以Q開關釔鋁石榴石雷射的第四高次諧波（波長 tim)、照射能量密度〇.5 J/cm2進行此氮化矽膜的加工區域（縱 100 μπι X 橫 200 μιη)的加工。 本貫施形態使用圖59所示的裝置，在液中進行光加工。 在光加工時，氣體直徑計測部261由以CCD攝影機222得到的 圖像计測因照射雷射光的光加工而產生於加工區域内的氣 泡直徑。如圖70Α所示，氣泡1705存在於光程上的期間不進 行下一雷射光的照射。如圖70Β所示，以液流搬運氣泡1705 851S9 -78- 200415672 ’以氣體直徑計測部261確認氣泡1705從光程上消失，再開 始雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上述的製程，一 面進行加工。 加工後的SEM觀察的結果，在氮化矽膜1742表面看不到針 孔的產生或氮.化矽粒子的飛散，也觀測不到在境界部的膜 剝落。 又’氮化石夕膜不吸收Q開關記銘石梅石雷射的第三高次 ^白波（波長355 nm)、第二高次？皆波（波長532 nm)、基波（波長 1064 nm)的雷射光，所以不能用這些波長加工。 此外，加工方法不限於此，也可以在大氣中進行加工 (第29實施形態）

圖71A、71B為顯示關於本發明第29實施形態的半導體裝 置製程之圖。圖71A、71B顯示下述製程··在液中雷射加工 透過層間絕緣膜1751形成於矽晶圓1701上的聚醯亞胺膜1752 。聚醯亞胺膜1752吸收波長266 nm的雷射光，所以可用q開 關敛"乾銘石福石雷射的第四高次？皆波（波長266 nm)加工。 本實施形態使用圖59所示的裝置，在液中進行光加工。 在光加工時，氣體直徑計測部261由以CCD攝影機222得到的 圖像叶測因照射雷射光的光加工而產生於加工區域内的氣 泡直。如圖71A所示，氣泡1705存在於光程上的期間不進 4亍下一雷射光的照射。如圖71B所示，以液流搬運氣泡1705 ’以氣體直徑計測部261確認氣泡1705從光程上消失，再開 光雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上述的製程，一 雨進行加工。 851S9 -79- 200415672 加工後的SEM觀察的結果，在聚醯亞胺膜1752表面看不到 針孔的產生或聚醯亞胺粒子的飛散。因此，可確認進行良 好的加工。 此外，加工方法不限於此，也可以在大氣中進行加工。 (第30實施形態） ‘ 圖72A、72B為顯示關於本發明第30實施形態的半導體裝 ★ 置製程之圖。圖72A、72B顯示下述製程：雷射加工透過氧 化矽膜1761、1762形成於矽晶圓1701上的金屬膜1762。本實φ 施形態使用銅膜作為金屬膜1762。在銅膜1762表面照射雷射 光進行所希望的加工。被光加工的銅膜1762使用於例如電 氣連接元件間的配線、供應電源的電源配線、電極等。 本實施形態使用圖59所示的加工裝置在液中進行加工。 在膜厚500 nm的純銅膜1762照射Q開關釔鋁石榴石雷射的第 四高次諧波（波長266 nm)進行光加工。照射區域的形狀為縱 100 μπιΧ 橫 200 μηι，照射能量為 3 J/cm2。

在光加工時，氣體直徑計測部261由以CCD攝影機222得到 的圖像計測因照射雷射光的光加工而產生於加工區域内的 氣泡直徑。如圖72A所示，氣泡1705存在於光程上的期間不 進行下一雷射光的照射。如圖72B所示，以液流搬運氣泡 1705，以氣體直徑計測部261確認氣泡1705從光路上消失， 再開始雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上述的製程 ，一面進行加工。 力口工後的SEM觀察的結果，在加工區域周邊看不到針孔 的產生或飛散的金屬粒子。此外，也觀測不到在境界部的 85 189 -80- 200415672 膜剝落。因此，可確認進行良好的加工。 此效果即使使Q開關釔鋁石榴石雷射的第三高次諧波（波 長355 nm)、第二高次諧波（波長532 nm)、基波（波長1〇64觀) ’亦可同樣達成。即，若是具有吸收銅薄膜之類的波長的 光，則可良好加工晶圓上的銅薄膜。 說明了使用銅膜作為金屬膜1762之例。然而，在作為主 導電層的銅膜上為提高耐腐蝕性而光加工層疊鎳膜、鉻膜 的複合膜或鋁膜' 鋁合金（鋁_矽、鋁-銅、鋁_銅_矽等）膜的 單層膜、在這些單層膜層疊阻障金屬膜或防止反射膜的複 合膜的情況，亦可得到同樣的效果。 又，也可以使用圖60所示的裝置在大氣中進行加工。 (第31實施形態） /對半導體晶圓的雷射加工，作為切出晶圓晶片的切割^ 術又到期待。特Μ是半導體晶片薄膜化、圖案細微化進展 中：作為半導體晶片的切出手法，先切割技術有效，該先 刀4技術係先從半導體晶圓表面到中途形成溝（半切），其 後從半導體晶圓背面到到達半切的溝加以研磨而分離。〃 圖73A、73B為顯示關於本發明第31實施形態的半導體裝 置製程之圖。加工係使關59所示的加工裝置在液中進= 。加工係照射„編呂石梅石雷射的第四高次譜峨長 1〇㈣而進行。加工時的雷射光照射區域形狀為短邊方向 μη^、長邊万向500 μιη的矩形。雷射光的每—脈衝的照射 匕里途、度為4 J/Cm。雷射光照射區 長邊古6 w / $對万；+導體晶圓1770在 、—的速度掃描’在各半導體元件周圍形 85189 -81- 200415672 成切割線（講）。而且，所形成的溝為寬度約10 μΓη、深度5〇 μηι。在加工過程，觀察因照射雷射光的光加工而產生於加 工區域内的氣泡大小。 在光加工時’氣體直徑计測部261由以CCD攝影機222得到 的圖像計測因·照射雷射光的光加工而產生於加工區域内的 氣泡直徑。如圖73Α所示，氣泡1705存在於光程上的期間不 進行下一雷射光的照射。如圖73Β所示，以液流搬運氣泡 1705，以氣體直徑計測部261確認氣泡1705從光路上消失， 再開始雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上述的製程 ，一面進行加工。加工後，將半導體晶圓177〇從背面側研 磨而分離。 加工後的SEM觀察的結果，在雷射光照射區域附近看不 到針孔或飛散的矽屑。此外，也觀測不到在境界部的膜剝 落。因此，可確認進行良妤的加工。 在上述光加工使用Q開關乾鋁石榴石雷射的第四高次譜 波（波長266 nm)，但此效果即使使Q開關釔鋁石榴石雷射變 化成第三高次諧波（波長355腿）、第二高次諧波（波長532 nm)、基波（波長1064 nm)，亦可同樣達成，其他若是也有吸 收矽晶圓之類的波長的光，則可良好加工矽晶圓。此外， 也可以使用圖60所示的加工裝置在大氣中進行力口工。 此外，圖60在矽晶圓形成切割線，但用本加工方法形成 切割線的技術亦可適用於以嫁、鱗、坤、鋼、銘等化合物 半導體形成的發光二極體或半導體雷射的元件分離。 (第32實施形態） 85189 -82 - 200415672 在上述實施形態說明的先切割方法以外，亦可將本加工 方法用於最後切割事前薄膜化的矽晶圓的技術。圖74A〜74D 為顯示關於第32實施形態的半導體裝置製程之圖。圖 74A〜74D為顯示這種後切割製程之圖。 首先如圖74A所示，以切割帶1783保持矽晶圓1781的裝置 _ 層1782。此處，在裝置層1782形成半導體元件及多層配線層 · 。在裝置層1782最上層形成鈍化層。 接著如圖74B所示，從背面機械地研磨矽晶圓1781，將矽 φ 晶圓1781薄膜化。被薄膜化的矽晶圓1781的研磨面因機械應 力而形成破4層，產生強度劣化。為防止強度劣化，以濕 式蝕刻去掉破碎層，抑制晶片強度降低。 其次如圖74C所示，除去切割帶1783。將晶圓反過來，以 切割帶1784保持矽晶圓1781的背面。 然後如圖74D所示，對於裝置層1782照射光而進行加工。

在加工過程，至此同樣，氣體直徑計測部261由以CCD攝 影機222得到的圖像計測因照射雷射光的光加工而產生於加 工區域内的氣泡直徑。如圖73A所示，氣泡1705存在於光程 上的期間不進行下一雷射光的照射。如圖73B所示，以液流 搬運氣泡1705，以氣體直徑計測部261確認氣泡1705從光程 上消失，再開始雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上 述的製程，一面進行加工。一面反覆如上述的製程，一面 照射光而加工 '切斷晶圓1781。藉此，可防止細微加工屑 附著於裝置層1782。 用刀片切割時，會在晶片側壁產生損傷，晶片強度降低 85189 -83 - 200415672 。此外，在厚度50 μπι以下的區域也有下述問題··晶片在刀 片切割中破裂，良率降低。對此，使用本加工方法進行切 «4、即使疋厚度5〇 μπι以下的區域也不會產生晶片破裂，可 形成切割線。此外’也可以使用圖60所示的加工裝置在大 氣中進行加工。 (苐33實施形態） 圖75為頭示關於本發明第33實施形態的半導體裝置製程 t圖。圖75Α、75Β顯示下述製程··利用雷射加工除去對準 標記1792上的防止反射膜1793及光阻膜1794。對準標記1792 係埋入形成於矽晶圓17〇1上的絕緣膜1791所形成。 在光加工時，氣體直徑計測部261由以CCD攝影機222得到 侧象計測因照射雷射光的光加工而產生於加工區域内的 軋泡直徑。如圖75A所示，氣泡17〇5存在於光程上的期間不 進行下一雷射光的照射。如圖75B所示，以液流搬運氣泡 17〇5，以氣體直徑計測部261確認氣泡17〇5從光路上消失， 再開始雷射光1704的照射。控制成一面反覆如上述的製程 ’—面進行加工。 加工後的SEM觀察的結果，在被處理基板表面看不到針 2或光阻膜的加工屑。此外，也觀測不到在境界部的膜剥 &如不文殘留於光程上的氣泡所產生的散射影響般地加 工，可播加工不良而使對準標記露出。 又，也可以使用圖60所示的加工裝置在大氣中進行加工。 (第34實施形態） 全局配線係跨越晶片上的電路塊延伸，供應全局時鐘脈 85189 -84 - 200415672 衝等的上層配線。因係長距離配線而要求盡量減低配線延 遲，電阻的減低很重要。因此，可有效適用上述光加工方 法，其可有效抑制飛散微粒子或針孔的產生。 圖76A〜76F為顯示關於本發明第料實施形態的半導體 製程的截面圖。圖76A〜76F顧+强bl人 口 頒717早層全局配線的形成製程。 首先如圖76A所示，準備其如 ^ η ^ 卞備基板，其具有透過絕緣膜1801形 成於碎晶圓上的焊塾職。其次如圖观所示，覆蓄嗜 緣膜1801及料1802的全面形成銅㈣氮化麵、㈣太/鎳等 金屬薄膜刪。其次如圖76C所示，在金屬薄膜廳上形成 樹脂絕緣膜1804。 其次士曰口圖76D所示，料樹脂絕緣膜腦照射光而進行加 工在丨干墊形成於下邵的區域的樹脂絕緣膜18〇4形成溝。 在加工過私，土此同樣，氣體直徑計測部由以CCD攝影 機222得到的圖像計測因照射雷射光的光加工而產生於力口工 區域内的氣泡直徑。氣泡17G5存在於光程上的㈣不進行 ::雷射光的照射。以氣體直徑計測部261確認氣泡17〇5從 光私上，肖失，制始雷射光簡的照射。控制成—面反覆 洳上述的製程，一面進行加工。 、藉由進仃種光加i，可在加1表面形成纟針孔或粒子 蓋生的良好圖案。 ♦ ^ /人如圖76E所π，在形成於樹脂絕緣膜18〇4的溝用電解 ^鍍埋入銅、金、焊錫等，形成電鍍層18〇5。最後如圖7邠 斤7^，用有機溶劑除去樹脂絕緣膜18〇4，用醋酸、鹽酸、 肖酸、稀氫氟酸等酸溶液除去下層的金屬膜丨8〇3。藉此， 85189 -85- 200415672 形成全局金屬配線或金屬凸起。 藉由這種方法，不會如習知微影製程，需要昂貴的曝光 用光罩或CMP，而可在基板上正確形成配線。又，也可以 使用圖60所示的加工裝置在大氣中進行加工。 (第35實施形態） 圖77A〜圖77H為顯示關於本發明第35實施形態的半導體裝 置製程的截面圖。圖77A〜圖77H顯示多層全局配線的形成製 程。首先如圖77A所示，準備基板，其具備透過絕緣膜1801 形成於矽晶圓1701上的焊墊1802。其次如圖77B所示，在絕 緣膜1801上形成第一樹脂絕緣膜18η。 其次，在第一樹脂絕緣膜1811的預定處照射雷射光而進 行光加工。光加工係使用圖59所示的裝置進行。藉由光加 工，如圖77C所示，除去焊墊1802上的第一樹脂絕緣膜1811 ’形成焊塾露出的通路孔。 其次如圖77D所示，形成銅/鈕/氮化鈕、鈀/鈦/鎳等金屬 薄膜1812。其次如圖77Ε所示，在金屬薄膜1812上形成第二 椟f脂絕緣膜1813。然後，在第二樹脂絕緣膜1813再度照射雷 身f光，進行光加工。光加工使用例如圖59所示的裝置進行 。藉由光加工，如圖77F所示，在底面形成金屬薄膜1812露 出的通路孔和配線溝。 其次如圖77G所示，用電解電鍍將通路孔和配線溝内將銅 、金等埋入形成，形成電鍍層1814。最後如圖77H所示，用 有機溶劑除去第二樹脂絕緣膜1813。再用酸溶液蝕刻金屬 薄膜1812，形成金屬配線。 85189 -86- b/2 ^ X上形成，可不用製造成本高的微影製程，而以高可 罪性正確形成多層配線。 义製秋亦可適用於半導體裝置面上的焊錫凸起或金凸 或是全局配線的形成、封裝基板上的配線。 、 方法彳文第27實施形態所示的加工方法中適當 選擇可良好加工者即可。 (第36實施形態） ^近幾年在半導體裝置内形成通孔，作為埋人通孔内的銅 等王屬配，泉層受半導體晶片的晶片上有晶片（獅chip) 技術受到注目。 ，圖78為顯示關於本發明第％實施形態的晶片上有晶片型 半導體裝置的截面圖。如圖78所示，在桿蟄則、胸上有 金j凸起觀、1852的第一晶片1820及第三晶片獅之間夾 隹工二晶片1830。第二晶片183〇具有通孔内填充金屬的貫穿 插塞㈣。連接這種層#的晶片間，可大幅縮短配線長， 可抑制配線延遲。又，在圖78中，符號1821、觀、則均 為矽晶圓，符號1822、1832、1842均為裝置層，1835為鈍化 層，1836為側壁絕緣膜。 目前通孔的開孔加工用RIE進行。然而，加工速度慢，生 產性不佳。另一方面，連續照射雷射開通孔用的孔，就會 在咖工區域周邊產生針孔或粒子，成為裝置不良，這種^ 況士U前所述。 方·令是，和第27實施形態同樣使用圖59所示的裝置，一面 確I忍加工中產生的氣體不存在於光程上，一面進行光加工 85189 -87- 200415672 。藉由進行這種加工，可不在加工區域周邊產生針孔或粒 子而得到良好的加工形狀。並且可使形成通孔的高速化和 裝置動作的可靠性並存。 圖79A〜圖79H為顯示關於本發明第36實施形態的半導體裝 置製程的截面圖。圖79A〜圖79H顯示下述製程例：在用於晶 片上有晶片型半導體裝置的晶片形成通孔。首先如圖79A所 ’ 示，準備基板，其在矽晶圓1831上形成未圖示的半導體元 件及氧化矽膜1861。用和第27實施形態同樣的方法進行雷射φ 力口工，在氧化矽膜1861及矽晶圓1831形成通孔1862。其次如 圖79B所示，在通孔1862表面及氧化矽膜上形成第二氧化矽 膜 1836。

其次如圖79C所示，在通孔1862及第二氧化矽膜1836上形 成金屬膜1837。其次在如圖79D所示，將金屬膜1837表面平 坦化，在通孔1862内形成貫穿插塞1837。其次，如圖79E所 示，在貫穿插塞1837及第二氧化矽膜1836上形成層間絕緣膜 1863及焊墊1834。又，矽晶圓1831上的符號1861、1836、1863 相當於裝置層1832。 其次如圖79F所示，將矽基板用研磨等薄膜化。其次如圖 79G所示，在矽晶圓1831背面形成鈍化層。其次如圖79H所 示，將鈍化層1835表面平坦化，露出貫穿插塞1837，形成和 凸起的連接面。 藉由本加工方法，可達成針孔或飛散粒子少的良好加工 形狀，最終半導體裝置的動作可靠性提高。 此外，也可以使用圖60所示的裝置在大氣中進行加工。 85189 -88 - 20U415672 (第37實施形態） 所示 形怨知就下逑製程加以說明··使用第26實施形態 膜下白光加工裝置加工形成於銘膜上的為有機材料的光阻 ， 1施形態取代氣體直徑計測部26卜具備控制部 指速二射定時的雷射光照射位置及和基板的掃 涂、去涂太，、直仫300 mm的半導體基板（晶圓）的鋁膜上用旋 二：、人光：膜’然後進行加熱處理，將1 μχη膜厚的光阻 三:、」:銘膜上。其次’使用Q開關免銘石猶石雷射的第 而久ρ自波（波長355 nm)除去預索户罢二 辦、云預疋位置的光阻膜。此處，照 射的母一脈衝的能量夯 ΑΛ „ Λ 山度為0·5 J/cm。光照射中，在純水流 動的狀態進行。 光知、射區域為長慶80 & c μ見度5 _的狹缝狀，掃描基板保 持枝構和基板相對掃描昭射。 _ …、于先加工區域為80 μιηΧ 1〇〇 μπι ，知描次數為往復兩次。 —^ 80Α夺80Β為頭不加工區域和液流的關係的平面圖。第 —次的掃描如圖80Α所千，祖、人丄 Μ Α唧不，對於加工區域1871，照射區 1872從左到右移動。此陆，、、 、 、 _ 寺硬况1873a的方向設定成和掃描 万向反万向。藉由使掃描方向和液流方向相反，因照射光 而產生的氣泡會移動到下游側，不給與下一照射影響。達 至j加工區域场邛後的罘二次的掃描如圖_所示，設定成液 流1873b的方向切換成和第一. 的知“時的方向反方向。此 處，以流水的速度為1 m/s。 以下’就求出最佳雷射振盪頻率的過程加以說明。設掃 85189 -89- 200415672 描速度為v、hm/s)，設雷射振盪頻率為f (1/s)時，每一脈衝的 移動距離X以X = v/f表示。每一脈衝的移動距離X越小，重複 被照射的次數越多，所以被照射的能量變大。另一方面， 移動距離X越大，被照射的能量越小。 此外，使雷_射反覆照射而除去加工膜的情況，頻率f越大 越藉由畜滅效應促進除去反應。本發明者們著眼於前述 每一脈衝的移動距離x除以頻率€的¥/户。即，認為v/f2越小， 光射反應越進行。 圖81為對於前述v/f2在加工區域加工後標繪在加工區域内 的缺陷總面積的實驗結果。此處，掃描速度為麵_ec及 =μιη/sec，使雷射振盪頻率『變化。由圖81顯示，缺陷總面 積少、顯示良好加工特性的v/f2的範圍為大約6〇x1〇_5(_s^) 以上1.0X10-3 (_.sec)以下。v/f2小的區域如前述，光照射反 應過量進行，所以為光罩材料的光阻膜變質而成為缺陷。 另方面’ v/f大的區域相反地光照射反應不足，光阻膜的 除去不完全，造成缺陷。 由圖81的結果取良好v/f2範圍的中心，將v/f2的條件定在3 〇 X 1〇 (卿’咖）。以掃描速度v為1⑻〇 μπι/sec時，得到振盪頻率 1825 Hz。 1 ' 、又，按此條件進行時，在上次照射產生的氣泡為流水所 迅速輸送到下游側而下次照射時不存在，所以 而產土加工不良，可進行良好的加工。 趴按則述條件照射雷射加工光阻膜結束後，將晶圓浸入鋁 的蝕刻液中，以光阻膜為遮罩，選擇蝕刻鋁膜。其次，進 85189 -90- 200415672 行為遮罩椅料的光阻膜的除去。用光學顯微鏡觀察加工後 的狀態的結果，可確認無缺陷的良好圖案形成。 4此以每一脈衝的移動距離义除以頻率『的v/f2為上述範 圍，可貫現無缺陷的良好粗圖案形成。 、 在本男私形怨知描速度v為1000 μχη/sec，但不限於此 。求出滿足V/f2最佳值的掃描速度v和振i頻率f的組合即可 。由加工處理時間的觀點，最好掃描速度大。 /、如為狹、、逢見度5 μχη，但不限於此。 侧爾的賴可以胸認。由力二# 狀的硯點，最好是狹缝寬度2μπι〜5μπι的範圍。 此外本貝施形態作為加工用光源，使用Q開關釔鋁石 相石田射的第二向次諧波，但光源不限於此，也可以是〇 開關釔銘石梅石雷射的第四高次諧波（波長266 或氟化氪 專分子雷射等脈衝雷射及燈光。 此外，本實施形態說明加工銘膜上的光阻膜的情況，但 不限於此，亦可適用於其他有機膜。 0 此外本⑤她形態以每一脈衝的能量密度為〇·5 j/cm2，但 不限於此”乂每—脈衝的能量密度為可無缺1¾的Μ子圖案 形成的值，可得到同樣的效果。 (第38實施形態） 本貫施形態將*明下述之例：使用在第％實施形態所述 的裝置結構的光加工裝置適用於在半導體裝置製程所需的 各種加工。 知’至佈型碳膜用旋塗法塗佈於直徑300 mm的半導體基板 85189 -91 - 200415672 (印®)’形成厗度3〇0 nm的碳膜。其次 榴石雷射的第三高次輪、…,ς 便用Q開關釔鋁石 ή门〃自波（波長355 nm)除去預定位置的碳膜 。 f的每一脈衝的能量密度為0.35 JW。光昭射中 ，在純水流動的狀態進行。 ’、、 二射二區：如圖82所示，、射區域形成寬度aw 長度b (㈣的狹縫狀照射區域顧。使改變寬度a (㈣ 條件的照射區域職大小變化，就 子量加以評估。 ^ T 7私 、圖83為顯示對於以2x(a+b)表示的狹缝狀照射區域的邊長 度總和（以下稱為邊的總全長）的粒子面積總和的實驗結果。 如圖83所示，邊的總全長18〇 _以上的區域隨著邊的總 全長變大’粒子面積增大。此夕卜，邊的總全長18〇 _以下 ㈣域顯示下述傾向：對於邊的總全長的粒子面積變化顯 者減卜即，為了進行粒子少的加工，最好邊的總全長為 Ιδο μιη以下，此已由實驗結果證實。 由此結果，以照射區域為寬度5 _、長度8〇 μιη，進行光 照射的加工。此照射區域條件因邊的總全長為i7G _而滿 足上述條件。 在此照射區域掃描基板保持機構，和基板相對掃描照射 光。加工區域為80 μιηχ 1〇〇 μιη，掃描次數為往復兩次。以 掃描速度ν為600 μιη/sec，以振盪頻率？為丨414 Ηζ。掃描方向 禾流水的關係與第37實施形態同樣，所以在此詳細說明省 田各。 按照射區域不滿足上述條件的寬度4〇 μπι、長度8〇 μιη的條 -92- 415672 件進行同樣加工的情況，產生多數粒子，對此以滿足上述 备、件的覓度5 μπι、長度80 μιη的照射區域進行加工的情況， 可得到粒子極少的良好加工特性。 一如此，以狹缝狀照射區域的邊總全長為18〇 μιη以下，可 實現粒子極少的良好加工。 又’在本實施形態掃描速度ν為6〇〇 μιη/%ε，但不限於此， 可適當變更。 此外’在本實施形成邊的總全長為170 μιη的寬度5 μιη、長 度80 μπχ的照射區域，但不限於此。最好粒子更少的邊的總 全長為160 μπι。 此外，本貫施形態作為加工用光源，使用Q開關釔鋁石 榀石田射的第三高次諧波，但光源不限於此，也可以是Q =關釔鋁石榴石雷射的第四高次諧波（波長260 nm)或氟化氪 準分子雷射等脈衝雷射及燈光、離子束或電子束。 此外本貝知形態說明加工碳膜的情況，但不限於此， 亦可適用於其他材料。 匕外本貝訑形怨以每一脈衝的能量密度為〇·35 J/cm2，但 不限义此。以每一脈衝的能量密度為可無缺陷的良好圖案 形成的值，可得到同樣的效果。 此外，本實施形態作為狹缝狀照射區域，使用長方形（圖 84A)者，但不限於此。例如也可以使用圖料b〜圖84D所示的 、、者這種^ ’兄’在本實施形態邊長度的總和相當於輪 廓長。 又’對於在第23〜第25實施形態說明的加工方法，亦可適 85189 -93- 200415672 用本實施形態的方法。即，最好以照射區域（力口工單位）的 輪廓長為180 μηι以下。 又，本發明並不限於上述各實施形態，實施階段在不脫 離其要點的範圍可各種變形。 另外優點及變形將為那些熟悉本技術者所容易想到。因 此，本發明在其廣義方面不限於此處所顯示及敘述的特定 說明及代表性具體實例。從而，在不脫離由附加申請專利 範圍及其對應詞語所限定的總發明概念的精神或範圍當可 作各種變形。 【圖式簡單說明】 圖1Α〜圖1G為顯示關於第1實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖2為顯示關於第1實施形態的光加工裝置結構之圖。 圖3為顯示光形狀形成部概略結構之圖。 圖4為顯示關於第1實施形態的視野設定系統結構之圖。 圖5Α、5Β為顯示視野設定系統動作例之圖。 圖6為顯示關於第1實施形態的視野設定系統結構之圖。 圖7為顯示關於第1實施形態的狹縫/點設定系統結構之圖。 圖8為顯示關於第1實施形態的狹缝/點設定系統結構之圖。 圖9Α〜9D為顯示關於第1實施形態的狹缝/點設定系統的光 闌例的平面圖。 圖10為顯示關於第1實施形態的狹缝/點設定系統的光闌 例的平面圖。 圖11為顯示_關於第1實施形態的半導體裝置製程的平面圖。 85189 -94- 200415672 圖12為用關於第1實施形態的方法除去膜後，顯示基板表 面狀態之圖。 圖13為用習知方法除去膜後，顯示基板表面狀態之圖。 圖14A、14B為顯示關於第1實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖15A、15B為顯示關於第2實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖16A、16B為顯示關於第2實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖17A、17B為顯示關於第3實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖18A、18B為顯示關於第3實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖19A、19B為顯示關於第4實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖20A、20B為顯示關於第4實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖21為顯示關於第5實施形態的半導體裝置製程之圖。 圖22為顯示關於第5實施形態的半導體裝置製程之圖。 圖23A、23B為顯示關於第6實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖24A〜24C為顯示關於第7實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖25A〜25C為顯示裝載於關於第8實施形態的S/D光闌系統 85189 -95 - 200415672 的光闌之平面圖。 圖26A、26B為顯示關於第8實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖27A、27B為顯示關於第9實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖28為顯示關於第9實施形態的半導體裝置製程的截面圖。 圖29A、29B為顯示關於第10實施形態的半導體裝置製程 白勺截面圖。 圖30A、30B為顯示關於第11實施形態的半導體裝置製程 白勺截面圖。 圖31為顯示關於第12實施形態的半導體裝置製程的截面 圖。 圖32A〜32C為顯示關於第12實施形態的半導體裝置製程的 胃面圖。 圖33A〜33C為顯示關於第13實施形態的半導體裝置製程的 面圖。 圖34A〜34F為顯示關於第14實施形態的半導體裝置製程的 面圖。 圖35A〜35D為顯示關於第15實施形態的半導體裝置製程的 _面圖。 圖36A〜36C為顯示關於第16實施形態的半導體裝置製程的 _面圖。 圖37為顯示關於第18實施形態的加工部概略結構之圖。 圖38A、38B為顯示使用圖37所示的加工部的力口工狀態的 85189 -96- 200415672 平面圖。' 圖39A、39B為顯示液體供應器結構之圖。 圖40A〜40C為用作說明形成鋁等金屬配線之際的對合不良 問題的截面圖。 圖41A〜圖41F為顯示關於第19實施形態的半導體裝置製程 的截面圖。 圖42A〜42E為顯示關於第20實施形態的光加工方法的平面 圖。 圖43A、43B為顯示關於第21實施形態的半導體裝置製程 的截面圖。 圖44為顯示一脈衝的雷射光照射區域的平面圖。 圖45 A、45B為顯示關於第22實施形態的半導體裝置製程 的截面圖。 圖46為顯示一脈衝的雷射光照射面積的平面圖。 圖47為顯示關於第23實施形態的雷射加工裝置結構之圖。 圖48為顯示關於第23實施形態的雷射加工裝置結構之圖。 圖49為顯示由雷射加工裝置的CCD攝影機得到的圖像例 之圖。 圖50A〜50C為顯示關於第23實施形態的膜構造例的截面圖。 圖51為顯示用關於第23實施形態的加工方法在各照射區 域設定能量之圖。 圖52為顯示用關於第23實施形態的加工方法在各照射區 域設定能量之圖。 圖53為顯示用關於第23實施形態的加工方法形成的半導 85189 -97- 200415672 體裝置結構的截面圖。 圖54為顯示用習知加工方法在各照射區域設定能量之圖。 圖55為顯示用習知加工方法形成的半導體裝置結構的截 面圖。 圖56為顯示、關於第25實施形態的由雷射加工裝置的CCD 攝影機得到的圖像例之圖。 圖57A〜57C為顯示關於第25實施形態的膜構造例的截面圖。 圖58為顯示用關於第25實施形態的加工方法在各照射區 域設定能量之圖。 圖59為顯示關於第26實施形態的雷射加工裝置結構之圖。 圖60為顯示關於第26實施形態的雷射加工裝置結構之圖。 圖61A〜61C為顯示不考慮氣泡而進行的光加工方法之圖。 圖62A、62B為顯示關於第27實施形態的光加工方法之圖。 圖63為顯示考慮氣泡而進行加工時的離開加工區域的距 離和針孔數的關係之圖。 圖64A、64B為顯示關於第27實施形態的光加工的雷射光 照射區域形狀之圖。 圖65A、65B為顯示一併加工時的雷射光照射區域形狀之 圖。 圖66A、66B為顯示關於第27實施形態的光加工的雷射光 照射區域形狀之圖。 圖67為顯示氣泡直徑和針孔數的關係之圖。 圖68為顯示照射區域寬度W和加工時產生的氣泡直徑φ的 關係之圖。_ 85189 -98 - 200415672 圖69A、七9B為顯示在大氣中一面使加工區域產生氣流， 一面進行的光加工的截面圖。 圖70A、70B為顯示關於第28實施形態的半導體裝置製程 之圖。 圖71A、71B為顯示關於第29實施形態的半導體裝置製程 之圖。 圖72A、72B為顯示關於第30實施形態的半導體裝置製程 之圖。 圖73A、73B為顯示關於第31實施形態的半導體裝置製程 之圖。 圖74A〜74D為顯示關於第32實施形態的半導體裝置製程之 圖。 圖75A、75B為顯示關於第33實施形態的半導體裝置製程 之圖。 圖76A〜76F為顯示關於第34實施形態的半導體裝置製程的 截面圖。 圖77A〜圖77H為顯示關於第35實施形態的半導體裝置製程 的截面圖。 圖78為顯示關於第36實施形態的晶片上有晶片型半導體 裝置的截面圖。 圖79A〜圖79H為顯示關於第36實施形態的半導體裝置製程 的截面圖。 圖80A、80B為顯示關於第37實施形態的加工區域和液流 的關係的平面圖。 85189 -99- 200415672 圖81為對於v/f2在加工區域形成後顯示在加工區域内的缺 陷總面積之圖。 圖82為顯示關於第38實施形態的在基板上的照射區域形 狀的平面圖。 圖83為顯示關於第38實施形態的對於邊的總全長的粒子 總面積的特性圖。 圖84A〜84D為顯示關於第38實施形態的照射區域的變形例 之圖。 【圖式代表符號說明】 100 基板 100 晶圓 100a 力口工面 101 半導體基板 101 層間絕緣膜 102 對準標記 103 配線圖案 104 層間絕緣膜 105 防止反射膜 106 化學放大型正光阻膜 106a 曝光部 107 對準光 109 光阻圖案 110 雷射光 111 粒子 85189 -100- 200415672 112 雷射光 120 雷射光 121 加工區域 122 雷射光120的照射形狀 123 氣泡 124 雷射光 125 照射形狀 125 氣泡 130 雷射光 131 加工區域 131 ^ 134 在基板的雷射光130、133的照射形狀 133 雷射光 135 氣泡 140 雷射光 142 照射形狀 143 雷射光 144 照射形狀 150 雷射光 151 雷射光 160 雷射光 161 雷射光 170 雷射光 171 雷射光 180 > 181 雷射光 85 189 -101 - 200415672 180a、 180b' 180c 光罩 181a、 181b、181c 開口 190 雷射光 200 光加工裝置 210 雷射光學系統 211 雷射振盈益 212 雷射振盪器控制單元 213 雷射光 214 光學系統 215 光形狀形成部 216 聚光鏡 216 成像光學系統 220 觀察系統 221 半反射鏡 222 CCD攝影機 230 雷射加工部 231 保持器 232 載物台 233 旋轉機構 234 旋轉控制機構 235 感測器 236 窗 237 液體流動器 238a > 238b 導管 85189 -102- 200415672 239 ' 液體 240 壓電元件 241 壓電元件驅動控制電路 242 驅動機構 250 視野設定系統 251 視野光闌裝載板 251 灰度、色調分類部 252 視野光闌 252 膜構造識別部 252a 〜252d 視野光闌 253 能量設定部 254 視野光闌選擇機構 255 視野光闌旋轉機構 256a〜256d 光闌葉片 260 狹缝/點設定系統 261 第一旋轉板 261 氣體直徑計測部 262 弟》—旋轉板 262 氣流產生器 262a 氣流供應管 263 狹缝·點光闌裝載板 263 液流產生器 264 第一旋轉機構 265 第二旋轉機構

851 89 -103 - 200415672 266a〜266d ' 光闌 267 平行移動機構 268 S/D光闌旋轉機構 269 S/D光闌選擇機構 271 加工區域 272 照射區域 281 上層光阻的剝落 282 粒子 283 光阻膜的剝落 284 粒子 300、301 雷身i光 306 光阻膜 311 第一加工光 312 第二加工光 321 防止反射膜 322 氧化矽膜 323 化學放大型正光阻膜 400 半導體裝置 401 ^夕基板 402 對準標記 403 元件分離絕緣膜 404 半導體元件 405 閘絕緣膜 406 層間絕緣膜

851 89 -104- 200415672 407 、 防止反射膜 408 光阻膜 500 半導體裝置 501 碎基板 502 第一層間絕緣膜 503 對準標記 504 銅配線 505 氮化矽膜 506 第二層間絕緣膜 507 防止反射膜 508 光阻膜 508 光阻圖案 600 半導體裝置 601 矽基板 602 第一層間絕緣膜 603 對準標記 604 鋁焊墊 605 第二層間絕緣膜 606 感光性聚醯亞胺膜 701 液體供應器 702 液體供應管 703 流動方向變換器 704 液體導管 705 吐出口 85189 -105 - 200415672 706 、 排出口 711 加工區域 712 照射區域 801 半導體基板 802 層間絕緣膜 803 插塞 804 下層配線層 805 通路 806 對準標記 807 鋁膜 808 防止反射膜 809 光阻膜 810 鋁配線層 811 鋁膜 812 光阻膜 813 防止反射膜 814 i線用光阻膜 814 光阻圖案 815 鋁配線 821 雷射光 822 雷射光 831 雷射光 1300 加工區域 1301 — 第一區域

85 189 -106 - 200415672 1302 ' 第二區域 1401、1403、1404 光阻膜 1402 防止反射膜 1405、1406 基底層 1408、1409、1410 基底層 1500 加工區域 1501 第一區域 1502 第二區域 1511a〜1511g 第一照射區域 1512a〜1512d 第二照射區域 1601 光阻膜 1602、1604 防止反射膜 1603 SOG膜 1605、1606 基底層 1608 、 1609 、 1610 、 1606 基底層 1701 矽晶圓 1702 絕緣膜 1703 光阻膜 1704 雷射光 1705 氣泡 1706 針孔 1707 粒子 1708 光阻膜的膜剝落 1710 加工區域 851S9 -107- 200415672 1711a 1712 1712a 1720 1721 1722 1731 1741 1742 1751 1752 176 卜 1762 1762 1762 1770 1781 1782 1783、1784 1791 1792 1793 1794 1801 1802 照射區域 雷射光 照射區域 加工區域 照射區域 照射區域 氣體 層間絕緣膜 氮化矽膜 層間絕緣膜 聚醯亞胺膜 氧化矽膜 金屬膜 銅膜 半導體晶圓 碎晶圓 裝置層 切割帶 絕緣膜 對準標記 防止反射膜 光阻膜 絕緣膜 焊墊 -108 - 85189 200415672 1803 、 1804 1805 1811 1812 1813 1814 1820 1821、 183 卜 1841 1822、 1832、1842 1823、 1843 1830 1834 1835 1836 1836 1837 1837 1840 1851 > 1852 1861 1862 1863 1871 金屬薄膜 樹脂絕緣膜 電鍍層 第一樹脂絕緣膜 金屬薄膜 第二樹脂絕緣膜 電鍍層 第一晶片 矽晶圓 裝置層 焊墊

第二晶片 焊墊 鈍化層 側壁絕緣膜 第二氧化矽膜 貫穿插塞 金屬膜 第二晶片 金屬凸起 氧化矽膜 通孑L 層間絕緣膜 加工區域 -109- 85189 200415672 1872 照射區域 1873a 液流 1873b 液流 1881 照射區域 B1 第一境界 B2 第二境界 Ml 第一起點 M2 第二起點 R 多狹缝照射區域 85189 - HO-

Claims (1)

1. 2〇〇415672 拾 2· 3· 4. 5· 6· 、申請專利範圍： :種加工方法’其係選擇加工形成於基板上的加工膜的 第一加工區域者，其特徵在於包含： *使在前述基板上的照射形狀比前述第一加工區域小的 =—加工光對於前述基板相對掃描，選擇加工前述加工 膜的前述第一加工區域； 、，比前述加工區域内側的第二加工區域照射第二加工 光，選擇加工前述加工膜的第二加工區域者。 如申請專利範圍第i項之加工方法，其中在前述基板上的 乐—加工光的照射形狀為狹缝形狀或點形狀。 如申請專利範圍第2項之加工方法，其中沿著掃描方向周 期地照射多數前述第一加工光。 如申請專利範圍第i項之加工方法，其中使冑述第—加工 光從前述第-加工區域的—端到他端對於前述基 地掃描。 對 如申請專利範圍第i項之加工方法，其中前述第一加 的加工包含： 无 從設定於前述第-加工區域内的第一起點到該加 域的-端使第-加工光對於前述基板相對地掃描；Π〇 從設定於前述第-起點和前述一端之間的第二起 該第一加工區域的他端使第一加工光對於前述基板相對 地知"描。 卞 如申料利範圍第1項之加工方法，其中前述第-加工一 及/或第一加工光的加工係在以流水（此以呢叫uid)覆蓋一 851S9 200415672 第-加工光及/或第二加工光的照射區域的狀態進行。 如申請專利範圍第!項之加工方法，其中前述第—加 工係在以流水覆蓋前述第一加工光的照射區域的狀 8 怨進仃，孩流水係對於前述第—加工光掃描方 在略平行方向或略反平行方向流動。 口 如^青專利範圍第！項之加工方法，其中使在前述基 的恥射形狀比前述第二加工區域小的第二加 述基板相對地掃描。 尤對於可 9 =申:青專利範圍第8項之加工方法，其中在前述基 加工光的照射形狀為狹缝狀或點狀。 1〇·如申請專利範圍第9項之加工方法，其中沿著掃^ 期地照射多數前述第二加工光。 田万u周 u. Πϊ專：範圍第8項之加工方法，其中使前述第二加 k岫述第二加工區域的— 、 工 地掃描。 响』他场對万；則述基板相對 12·如申請專利範圍第8項之加工方法， 的掃描包含： 、罘一加工光 從設定於前述第二加工區域 區域的-端使前述第二加工光到前述掃描 從設定於前述第一起心對1迷基板相舒地掃福； 乂、、 罘起點和前述一端之間的篥-4、， 13 則述第二加工區域的他端使前述第—力一 6點到 板相對地掃插。 、弟一加工光對於前述基 如申請專利範圍第12項之加 工區域内進行多14ϋ…万去/、中在則述第二加 订夕數次則述第二加工光的掃描。 '2- ^189 14.如申請專利範圍第8項 、 ，、加工万法，其中前述第二力口工氺 的知、射位置接近前沭楚- 尤 罘一加工區域端時，比在前述中 部的照射形狀縮小在命、+、甘t r夹 狀面積。 “基板上的第二加工光的照射形 15·如t請專利範圍第81 頁之力口工方法，其中前述第二加工光 的射位置接近前述第— 、罘一加工區域端時，放慢前述第一 加工光的掃描速度。 一 16.如申請專利範圍第8項 ，、加工万法，其中前述第二加工弁 的加工係在以流水覆苫前 ^ Μ 、Γ 一 、· 欠氧則述罘一加工光的照射區域的狀 怨進行’該流水係對 μ — 如b 于义則述罘二加工光掃描方向的方向 在略平行方向或略反平行方向流動。 17·如申請專利範圍第1項 广加工万法，其中對於前述第二加 工區域内進行一次以上裳- 上罘—加工光的一併照射。 18.如申請專利範圍第 AW、，、 罘負乏加工万法，其中前述第二加工光 勺…、點位置偏差量係在比前 、，s τ杜π則逑罘一加工光的焦點位置偏 差里小的狀感進行或去卜合 ^ ,αλ . ’ J逑弟一加工光在被處理基板 上的成像倍率縮小第二加工 光在基板上的成像倍率進行。 19·如申請專利範圍第1 於對準標記上方， 万法，其中前述加工膜形成 % w述第一加工區域包含形成有對準標記的區域。 2〇·如申請專利範園第D γ 目罘9負之加工万法中前述加工膜為 方止反射膜及光阻膜的層叠膜。 21 -如申請專利範園第19瑁之力 '、 万法’其中進行前述加工 月吴的加工後，更包含： 851S9 200415672 在前述對準標記上照射第一能量線，從由前述對準標 記反射的能量線取得該對準標記的位置資訊， 以岫述位置資訊為基礙，在前述光阻膜上照射第一二匕 量線，在前述光阻膜形成所希望的潛像圖案。 22. 23. 如申請專利範圍第丨項之加工方法，其中前述加工膜為$ 醯亞胺膜、有機絕緣膜、氮化矽膜或碳化矽膜。 …水 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包含： 準備在半導體基板内或半導體基板上形成有 的基體； 』卞％ C 在前述基體上形成防止反射膜及光阻膜； 使第-加工光對於前述基板相對地掃描，選擇 含形成有前述對準標記的區域的加工區域^ 對比前述第一加工區域内彳彳的Μ — 、， 加工弁〃 區域照射第二 先，进擇加工雨述防止反射膜的第二加工區域· 防$反射膜加工後，搬運前述基體到曝光裝置Υ ， j前述曝光裝置内使用前述對準標記進行對準調敕. 則述對準調整後，在前述、 α正， 的潛像； …且料成可述半導體電路 24. ^成有前《像的綠_影，形成光 一使用戦阻圖案進行前述基體加工者。 -種加工方法，其係對各加工單位 工形成於基板上的加工膜的加泉’選擇加 含： E域者，其特徵在於包 對於前述—基板的加工單位照射能量線； 85189 200415672 在前述能量線的光程上觀測因 的氣體； 照射前述 能量線而產生 計測前述氣體的大小； ㈤述氣體的大小比規定值小時 下一能量線者。 對於前述加工膜照射 25. 26. 利範圍第24項之加工方法’丨中-面照射在前 的照射區域比前述加工區域小的能量線，一面 使則心射區域對於前述基板相對地移動。 如申請專利範圍第％項之加工方法，其寸 的能量線的照射區域形狀對 ，、 則处土板上 或點形狀。 ^狀對“述加工區域為狹缝形狀 27. 如申請專利範圍第24項之加 二 ，、之加工万法，其中在使液體或 體在前述基板上的前述能量線照射區域上流動的狀態 進行别述能量線的照射。 28. 29. 30. 如申w專利乾圍第24項之加工方法，其中前述能量線為 雷射光 '燈光、帶電粒子束流的任何一種。 如申#專利範圍第24項之加工方法，其中前述加工膜為 防止反射膜、光阻膜、聚醯亞胺膜、氮化矽膜、碳化矽 膜、金屬膜或樹脂絕緣膜。 如申1專利範圍第24項之加工方法，其中前述基板具備 對卞t己或置偏移計測標記，其形成於前述加工膜的 前述加工區域下方。 31. 如申請專利範圍第24項之加工方法，其中在前述基板上 的能量線照-射區域的輪廓長為180μηι以下。 851SS 32.200415672 一種加工方法，其係對基板的加工區域照射能量線，選 擇加工前述加工區域者，其特徵在於包含： 使流速V(nm/sec)的液體在前述加工區域流動； 對於岫逑液體流動的加工區域照射振盪頻率z (1/sa)、 别述液fa说動方向的寬度w (pm)的前述能量線； 和别述机速V、覓度w及振盪頻率ζ控制成滿足以下關 係：

   33. 34. 35. 36. 37. 38. 如申请專利範圍第32項之加工方法，其中一面照射在前 述基板上的照射區域比前述加工區域小的能量線，一面 使前述照射區域對於前述基板相對地移動。 如申请專利範圍第32項之加工方法，其中在前述基板上 的能f線的照射區域形狀對於前述加工區域為狹縫形狀 或點形狀。 如申请專利圍第32項之加工方法，纟中在使液體或氣 體在前述基板上的前述能量線照射區域上流動的狀態， 進行前述能量線的照射。 如申請專利範圍第32項之加工方法，纟中前述能量線為 雷射光、‘燈光、帶電粒子束流的任何一種。 如申μ專利圍第32項之加工方法，纟中前述加工膜為 防止反射膜、光阻膜、聚醯亞胺膜、氮化石夕月莫、石炭化石夕 膜、金屬膜或樹脂絕緣膜。 如申請專利範圍”項之加工方法，纟中前述基板具備 對+裇圮或-位置偏移計測標記，其形成於前述加工膜的 85189 200415672 前述加工區域下方。 3 9. 係選擇除去形成於基板上 種加工方法，其特徵在於 的有機膜的加工區域， ^面按《頻率f(1㈣且卜脈衡的能量密度可除去 ⑽有機制條件照射在前述基板上的照射形狀比前述 加工區域小的能量線，一面 對於前述基板使前述能量線的照射位置以速度V (μιη/sec)相對地掃描，並且 前述振盪頻率f及速度v滿足以下的關係： 6.0 X 1〇'5 < p- < 1.0 X 1〇-3 〇 40. ，申請專利範圍第39項之加工方法，其中前述能量線的 ’’、、射置的相對移動方向的前述照射形狀寬度為2阿以 上20 μπι以下。 41. 一種加工裝置，其係選擇加工形成於基板上的加工膜的 加工區域者，其特徵在於包含： 基板保持邵，保持前述基板； 線源，產生使前述加工膜一部分選擇減少或除去的能 量線； 形成部，配置於前述能量線的光軸上，形成以前述光 源產生的能量線； 掃& 4 ’使以此形成部形成的能量線對於前述基板相 對地掃描； 液體供應部，一面按照此掃描部的能量掃描方向使液 體流動方向—變化，—面連續供應液體給前述基板的加工 85 189 200415672 42. 43. 44. 區域表面者。 如申請專利範園第41項之加工裝置， 將同一形狀的光在前.述掃描方向周期 上般地形成來自前述光源的光。 如申請專利_範圍第41項之加工裝置， 備分別形成有開口的多數孔罩。 如申請專利範圍第43項之加工裝置， 備形成有狹縫狀或點狀開口的孔罩， 有此開口的孔罩移動。 其中前逑形成部如 地排列於前述基板 其中前述形成部具 其中前述形成部具 可述掃描部使形成

   45. 46. 如中請專利範圍第41項之加工裝置，並 ’其在加工中觀察前述基板的前述加工n域表㈣ 其弟45項心加工裝置，其中具備檢查部， 力:工異=親察系統所觀察到的觀察像的灰度變化認識 47.如中請專利範圍第45項之加工裝置，其中更具備 其由以前述觀察系統觀察到的觀察像： =加工進行情況的分体，按照所認識的加工膜 仃況分佈和照射位置控制能量線的照射量。 佔.如申請專利範圍第41項之加工 部更具備： 衣置/、中則述硬體供應 ，持杏’配設基板’其配置^前述基板保持部上； 第配管，連接於前述保持器； 述=管及如和第一配管夹住前述基板般地連接於前 85189 415672 液體供應咨’按照光的掃描方向從一方的配管供應前 述液體給配設於前述保持器内的前述基板上，從他方的 配管使供應給前述基板上的液體排出。 9.如申請專利範圍第41項之加工裝置，其中前述液體供應 部更具備：_ 水么、應咨’纟又有吐出液體的吐出口和與前述吐出口 對向所設的排出口；及 旋轉部’使此流水供應器在前述基板面内旋轉。 5〇·如申請專利範圍第41項之加工裝置，其中更具備加工膜 形成邯’其在前述基板的主面上形成前述加工膜。 種加工衣置’其係述擇加工形成於基板上的加工膜的 加工區域者，其特徵在於包含： 基板保持部，保持前述基板； 線源，產生使前述加工膜一部分選擇減少或除去 量線； & 、形成部，配置於前述能量線的光軸上，形成以前述線 源產生的能量線，照射周期地排列前述基板上的照形 狀的能量線； 、’ 掃描部，使前述能量線在前述周期以下對於基板 地掃描者。 對 52·如申請專利範圍第51項之加工裝置，其中前述形 備分別形成有開口的多數孔罩。 ^具 H =利範圍第52項之加工裝置，其中前述形成部I 窗7成有狹—缝狀或點狀開口的孔罩，前述掃描部使开，成 85 189 54. 55. 56. 57. 58. 5¾ 85 189 有此開口的孔罩移動。 如：：專利範圍第51項之加工裝置’其中更具備觀察部 汰、加工中觀察前述基板的前述加工區域表面。 如:請專^範圍第54項之加工裝置，其中更具備檢查部 :由為前述觀察系統所觀察到的觀察像的灰度變化認 峨加工異常。 專利範圍第％項之加工裝置’其中更具備照射量 月^邓，其由以前述觀察系統觀察到的觀察像認識加工 “主加工進行情況的分佈’按照所認識的加工膜加工進 丁、况分佈和照射位置控制能量線的照射量。 =請專利範圍第51項之加工裝置，其中更具備液體供 、、I# i其一面按照前述掃描部的能量線掃描方向使液體 向變化，一面連續供應液體給前述基板的加工區 專利範圍第57項之加工裝置，其中前述液體供應 ，持器，配設基板，其配置於前述基板保持部上； 第一配管，連接於前述保持器； 、f k I Τ 卜配管夹住前述基板般地連接於前 述保持器；及 心狡万、月J 迷液體供應器，按照光的掃描方向從一方的配管供應前 ^ 配設於前述料器内的前述基板上，從他方的 目使供應給前述基板上的液體排出。 如申請專札範圍第57項之加工裝置’其中前述液體供應 -10- 200415672 部具備：、 流水供應器，設有吐出液體的吐出口和與前述吐出口 對向所設的排出口；及 旋轉部，使此流水供應器在前述基板面内旋轉。 创.如申請專利範圍第5〇項之加工裝置，其中更具備加工膜 形成部’其在前述基板的主面上形成前述加工膜。 61· —種加工裝置，其特徵在於具備·· 保持部，保持基板； …、射祁，產生使i述基板的加工膜一部分除去的 線；· ^部，在前述能量線的光程上觀測因照射前述能量 線而前述加工膜消蝕所產生的氣體；及 里 ”控制部，按照此觀測部的觀測結果控制由前述照射 照射的前述能量線的照射定時者。 口 62·如申請專利範圍第&項之 廿&， Μ工裝置，其中前述觀測部許 測前述氣體的大小， 4 、所計測的大小比預定值小時或無氣體時，由前述 部使前述能量線照射。 、射 如申请專利範圍第幻項之加奘 甘士 " ^一 備· 衣置，其中丽述觀剛部具 觀祭邵，取得前述能量線昭射 二 ^财區域的圖像；及 叶測部，由以此觀察部取段 、中^ 于的圖像的灰度變化計洌前 逑氣體的大小。 j則 64·如申請專利範圍第&項之 .^ ^ ^ ^ ^ 丄衣置，其中前述能量缘為q 85189 開關敛紀無石榴石雷射的基波或高次諧波。 65. 如申請專利範圍第61項之加工裝置，其中更具備液體供 應為’其供應液體給前述基板的加工區域上。 66. 如申請專利範圍第61項之加工裝置，其中更具備·· 觀祭邯’取得前述能量線照射區域的圖像；及 控制邓’由以此觀察部取得的圖像判定有無加工膜及 加工膜殘渣，按照判定結果控制前述能量線的照射。 S7·如申請專利範圍第61項之加工裝置，其中更具備形成部 ，其配置於前述能量線的光程上，形成前述能量線，^ 前述基板上的周期排列的多數位置照射能量線。 、 68·如申請專利範圍第61項之加工裝置，其中在前述能量 的光程上具備形成部，其以在前述基板上的能量線= 區域的輪廓長為180 μιη以下。 … 6义一種加工裝置，其特徵在於：係選擇加工形成於基板 的加工膜的加工區域，包含·· 保持邵’保持前述基板； 照射邵，對於設定於前述加工區域内的各加工 日刀 射振盪頻率z (1 /sec)且在前述加工膜的照射區域—方π 寬度\ν(μηι)的能量線； 向的 供應部，在前述一 的加工區域上； 方向供應流速V的液體給

   個 係 控制部，如前述振盪頻率ζ、寬度w及流速ν的住口 ，以便W述振盪頻率Ζ、寬度w及流速ν 何 : 足以下關 85 189 -12-

   X Z V > 6 X 2 7〇·如申請專利範圍第69項之加工裝置，其中前述能量線為Q 開關敛乾銘石榴石雷射的基波或高次諧波。 71·如申請專利範圍第69項之加工裝置，其中更具備液體供 應态’其供應液體給前述基板的加工區域上。 72·如申請專利範圍第69項之加工裝置，其中更具備： 觀察部，取得前述能量線照射區域的圖像；及 控制邵’由以此觀察部取得的圖像判定有無加工膜及 加工艇殘渣，按照判定結果控制前述能量線的照射。 73.如申請專利範圍第69項之加工裝置，其中更具備形成部 i其配置於前述能量線的光程上’形成前述能量線，對 7岫逑基板上的周期排列的多數位置照射能量線。 74·如申請專利範圍第69項之加工裝置，其中在前述能量線 75 的光私上更具備形成部，其以在前述基板上的能量線昭 射區域的輪廓長為18〇,以下。 …、 衣置，其係選擇加工形成於基板上的有機膜 加工區域者，其特徵在於包含： 保持部’保持前述基板； 脈！：能量密度可除去前述有機膜； 地述能量線的照射位置對於前述基板相對 制°卩，控制前述照射部及掃描部的至少一方，以便 =部，對於前述基板照射能量線，其在前述基板上 :大比前述加工區域小，振i頻率f (l/sec)且每— 85 189 -13 - 200415672 76. 77. 78. 79. 80. 81. 82. 前述振盪頻率f及速度v滿足以下關係： 6.0 X UT5 < ^ S 1·〇 X 1〇-3。 如申請專利範圍第75項之加工裝置，其中前述能量線的 照射位置的相對移動方向的前述照射形狀寬度為2陣以 上20 μηι以下。 如申請專利範圍第74項之加工裝置，纟中前述能量線為Q 開關敛紀銘石榴石雷射的基波或高次譜波。 如：請專利範圍第75項之加工裝置/其中更具備液體供 其供應液體給前述基板的加工區域上。 如申請專利範圍第75項之加工裝置，其中更具備： 觀察部，取得前述能量線照射區域的圖像；及 控制邯，由以此觀察部取得的圖像判定有無加工膜及 加工腠汷渣，按照判定結果控制前述能量線的照射。 如申请專利範圍第75項之加工裝置，其中更具備形成部 二其配置於則述能量線的光程上，形成前述能量線，對 W述基板上的周期排列的多數位置照射能量線。 如申請專利範圍第75項之加工裝置，其中在前述能量線 的光#王上具備形成部，其以在前述基板上的能 區域的輪廓長為⑽_以下。 …、射 一種加工方法，其特徵在於包含·· 在基板上形成第一膜； 在第一膜上形成第二膜； 對方、别述基板選擇照射第一能量線； 面維持、可述第二膜的前述第一能量線照射區蜮的二 85189 -14- 200415672 少一部分，一面進行前述第一膜的加工； 其中㈤述第一膜的加工係第—膜的氣化或使透過率變 化者。 83. 84. 85. 86. 87. 88. 89. 90. 如申清專利範圍第82項之加工方法，其中第一膜為防止 反射膜。 如申凊專利範園第82項之加工方法，其中前述第二膜為 光阻膜。 如申請專利範園第82項之加工方法，其中更包含前述第 —膜為中間膜， 在前述中間膜上形成光阻膜。 ^申請專利範圍第㈣之加工方法，其中進行前述第一 膜的加工後’進行前述光阻膜的形成。 如申請專利範圍第85項之加工方法，其中前述中間 氧化矽膜。 … 如申請專利範圍第82項之加工方法，其中前述基板具有 對準標記，前述照射區域為含有前述對準標記的區域， 進行前述第一膜的加工後，包含： 、在前述對準標記上照射第二能量線，從由前述對準標 記反射的能量線取得該對準標記的位置資訊， 卞π 以則述位置貧訊為基礎，在前述光阻膜上照、射第三能 量線，在前述光阻膜形成所希望的潛像圖案。 —把 如申請專利範圍第88項之加工方法， 第三能量線的波長為相同。 /、中一！線和 如申請專利—範圍㈣項之加王方法，其中用相同光 85189 ~ 15 - "^^5672 9ι麵進行第二能量線的照射和第三能量線的照射。 如中請專利範圍第88項之加工方法，並中 々 蚱 /、甲則述罘一能量 、衣為光，其含有第一膜吸收的波長。 92·如申請專利範圍第82項之加工方法，並中 八甲則述罘一膜的 加工包含·· 對於前述基板使第一形狀的第一能量線相對地掃描. ”對：前述第一形狀的第—能量線掃描區域内側的區域 ά勒弟—形狀的第*一能量線。 93. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包含： 卞備基骨豊’其在半導體基板内或半導體基板上形成 對準標記； 在别述基體上形成防止反射膜； 在前述防止反射膜上形成光阻膜； W 述光阻膜選擇照射能量線； —面維持前述加工區域的前述光阻膜的至少一部分， /面進行前述防止反射膜的加工； )迟防止反射膜加工後，搬運前述基體到曝光裝置. 使用前述對準標記進行對準調整； ’ 可述對準調整後，在前述光阻膜形成前述半導體電路 的潛像； & 使則逑光阻膜顯影’形成光阻圖案； 使用：述光阻圖案進行前述基體的加工； 其中前述防止反射膜的加工係防止反射膜的氣化或使 蔚於包含形成有前輯準標記的區域的加 光阻日鼓搜探肪红处曰一 . Λ ° 16- 851 94. 透過率變化者。 種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包含·· 卞備基⑯’其在半導t4基板内或半導體基板上形成有 對準標記； 成有 在則逑基體上形成防止反射膜及中間膜； 對於包含形成有前述對準標記的區域的加 述中間膜選擇照射能量線； 飞的則 -面維持前述加工區域的前述中間膜的至少一部分， 一面加工前述防止反射膜； 加工後’在前述中間膜上形成光阻膜； 搬運形成有前述光阻膜的前述基體到曝光裝置； j前述曝光裝置内使用前述對準標記進行對準調整； ⑴述對卞肩整後’在前述光阻膜形成前述 的潛像·， f把兒峪 使形成有前述潛像的前述光阻膜顯影，形成光阻圖案，· 使用前述光阻圖案進行前述基體的加工； /、中則逑防止反射艇的加工係防止反射膜的氣化或使 透過率變化者。 95. -種加工方法，其係對各加工單位照射能量線，選擇加 工形成於基板上的加工膜的加工區域者，其特徵在於 含： 、 长出來自$述加工膜的反射光的強度分你； 由可述反射光強度的強度分佈決定對前述各加工單位 85189 -17- 200415672 照射的能量線的能量； 對於前述各加工單位依次照射基於所決定的能量的前 述能量線者。 96. 如申請專利範圍第95項之加工方法，其中前述加工單位 為鈾述點狀或長方形狀。 97. 如申請專利範圍第95項之加工方法，其中前述各加工單 位的能量決定包含： =刖述反射光強度和形成於前述加工膜下的基底膜構 以貝Λ的對應關係決定各加工單位的前述基底膜構造·， 由預先給與的基底膜構造和產生損傷照射能量的對應 關係夬疋各加工單位的照射能量，以免超過產生損傷照 射能量。 98. 如申請專利範圍第95項之加工方法，其中前述各加工單 位的能量決定包含： 、由預先給與的反射光強度和形成於前述加工膜下的基 底月吴構造=訊的對應關係決定前述基底膜構造； 斤夫疋的則$基底Μ構造的所照射的能量線的複折 射年進行考慮多重干涉的計算； 根據計算結果決定照射能量， 台匕旦々π 以兒則述基底胰文到的 月匕里超過產生損傷照射能量。 99. 一種力口丁 士、丄 工开；成 …其係對各加工單位照射能量、線，選擇加 含： 成於基板上的加工膜的加工區域者，其特徵在於包 ^ 來自前述加工膜的反射光的強度分佈； 85 189 -18- 200415672 將前述反射光的強廣分德八a 办广 度刀佈分成反射光強度大致相等的 各區域； 按照所分類的區域設定加工單位； 按照反射光強度決定對各 ^ 野谷加工早位照射的能量線的能 對於别述各加工單位仿合 依人&射基於所決定的能量的能 量線者。 1〇〇·如中請專利範圍第99项之加工方法，其中前述各加工單 “的能量決定包含： ί ^反射光強度和形成於前述加工膜下的基底膜構 造資訊的對應關係決定各加工單位的前述基底膜構造； 由t、先⑽Κ的基底膜構造和產生損傷照射能量的對應 關係决疋口加工單位的照射能量，以免超過產生損傷照 射能量。 之加工方法’其中前述各加工單 10 1 ·如申清專利範圍第99项 位的能量決定包含： 由予/、先、η 14的反射光強度和形成於前述加工膜下的基 底膜構造資訊的對應關係決定前述基底膜構造； 由所决足的削述基底膜填造的所照射的能量線的複折 射率進行考慮多重干涉的計算； 根據片开結果決定照射能量，以免前述基底膜受到的 能量超過產生損傷照射能量。 102.如申請專利笳if] # ^、， 乾圍弟99項足加工方法，其中將前述加工單 位以被更細分化的副加工單位進行加工。 85189 -19- 200415672 1似如中請專利範圍請項之加工方法 位為點狀或長㈣狀。 加工早 1 04.—種加工壯栗 ^ 上的力二其特徵在於：其係選擇加工形成於基板 勺加工月吳的加工區域者；其具備： 保持部，保持前述基板； 對於設定於前述加工區域内的各位照 射能量線； 檢測來自前 各加工單位 、未A /則#，對前述各加工單位照亮觀察光 述加工單位的反射光強度； 叹定邯，按照所檢測出的反射強度設定對 照射的能量線的能量；及 、k制#，按照以此設定部設定的能量控制由前述照射 4所照射到各加工單位的能量線的能量者。 4申Μ專利|&圍第刚項之加工裝置，其中將Q開關敛妃 鋁石榴石雷射的基波或高次諧波用於前述雷射光的光源。 Μ.如申請專利範圍第1〇4項之加工裝置，其中更具備液體供 應為’其供應液體給前述基板的加工區域上。 •如申請專利範圍第1〇4項之加工裝置，其中更具備： 觀祭邵，取得前述能量線照射區域的圖像；及 控制部’由以此觀察邵取得的圖像判定有無加工膜及 加工膜殘}查’按照判定結果控制前述能量線的照射。 1(^8.如申請專利範圍第104項之加工裝置，其中更具備形成部 ’其配置於前述能量線的光程上，形成前述能量線，對 前述基板上的周期排列的多數位置照射能量線。 85 1 89 -20-