JPH10258373A - 加工装置及びレーザ加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ加工装置において、そのＸ−Ｙステー
ジの動作特性等に応じて最適な経路を決定する。 【解決手段】 レーザ加工装置１０は、半導体ウェーハ
１が搭載されるＸ−Ｙステージ２１と、半導体ウェーハ
１に対向してレーザ加工を施す対物レンズ３４と、Ｘ−
Ｙステージ２１の移動量を制御する主制御装置５０を備
える。半導体ウェーハ１の各加工対象チップ２…内の加
工対象ヒューズａ…を溶断する際のレーザ加工の経路は
主制御装置５０によって決定される。主制御装置５０は
全加工対象チップ２…を結ぶチップ間最適経路を決定す
る。又、主制御装置５０は、加工対象チップ２内の加工
対象ヒューズａ…をブロックに分け、全ブロックを結ぶ
ブロック間最適経路を決定する。主制御装置５０は、チ
ップ間最適経路／ブロック間最適経路を、巡回セールス
マンの問題のアルゴリズム（例えば、リン・アンド・カ
ーニンハン法）によって決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は加工装置に関し、特
に、半導体ウェーハに設けられた冗長回路のヒューズの
切断に用いられるレーザ加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造分野において、プロー
ブテストによって不良と判断された不良チップを救済す
べく冗長回路を当該チップに設けたものが公知である。
斯かる冗長回路を具えたチップにおいては、冗長回路の
ヒューズが溶断されて、当該不良チップの救済が行われ
る。

【０００３】この場合のヒューズの溶断は、レーザ加工
装置によって行われる。このようにレーザ加工装置によ
るヒューズの溶断を行うに当っては、１枚の半導体ウェ
ーハ内の複数の加工対象チップにどのような順序でレー
ザ加工を行うか、更には、レーザ加工を施すべく選択さ
れた加工対象チップ内の多数の加工対象ヒューズに対し
てどのような順序でレーザ加工を行うかを決定してい
た。因みに、加工対象ヒューズにレーザ加工を行う場合
には、レーザ加工装置の動作特性に基づき設定された間
隔（以下「フライ間隔」という。）に従って、複数の加
工対象ヒューズからなるヒューズ・ブロックを設定し、
このヒューズ・ブロックを１つの単位としてレーザ加工
の順序を決定していた。

【０００４】具体的には、Ｘ−Ｙステージ上に搭載され
た半導体ウェーハ１に対してレーザ加工を行う場合に
は、図３３に示すように、レーザ加工を施すべきチップ
（加工対象チップ）Ｃ１〜Ｃ９のうちレーザ加工が最初
に行われる特定の加工対象チップ（例えば、図３３のウ
ェーハ１の隅の加工対象チップＣ１）を開始位置とし、
これに一番近い距離にある加工対象チップ（例えば、図
３３のＣ２）を検知し、この検知した加工対象チップＣ
２に対してレーザ加工を行うようにしていた。

【０００５】このように今回の加工対象チップに最も近
い加工対象チップを、次回の加工対象チップに決定した
場合、図３３に示す例では、凡そ、図中矢印で示す順序
（Ｃ１→Ｃ２→Ｃ３→…）で、そのレーザ加工が行われ
る。又、１つの加工対象チップＣに対してレーザ加工を
行う場合には、更に、加工対象チップＣ内の加工点（図
３４、図３５、図３６のヒューズａ，…ａ’，ｂ，…
ｂ’…）をヒューズ・ブロックに分け（ａ，…ａ’），
（ｂ，…ｂ’…），…これらヒューズ・ブロックに対し
て、そのレーザ加工の順序を決定していた。

【０００６】この同一の加工対象チップＣ内におけるヒ
ューズ・ブロック（ヒューズ群）のレーザ加工の順序
も、上記した加工対象チップＣ1，Ｃ2…の順序と同様
に、他の未処理のヒューズ・ブロックを認識し、今回の
レーザ加工の最終加工位置から最も近い距離にある未処
理のヒューズ・ブロックを求め、斯く求めたヒューズ・
ブロックに対して次のレーザ加工を行い、以下、同様
に、今回の最終加工位置から最も近いヒューズ・ブロッ
クを選択して次回のレーザ加工を行っていた（図３４、
図３５、図３６の一点鎖線の矢印で示す順序）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように、今回レーザ加工を行った加工対象チップ（例
えば図３３のＣ1）におけるレーザ加工の最終位置から
最も近い距離にある未処理の加工対象チップ（Ｃ2）を
選択するのみでは、半導体ウェーハ１内のすべての加工
対象チップＣ1，Ｃ2…を結ぶ経路が、必ずしも最短にな
るとは限らないことが分かった（図３３）。

【０００８】又、同様に、今回、レーザ加工を行ったヒ
ューズ・ブロック（図３４，図３５、図３６の（ａ，…
ａ’），（ｂ，…ｂ’…），…）におけるレーザ加工の
最終位置から最も近い距離にある未処理のヒューズ・ブ
ロックを選択するのみでは、加工対象チップＣ内のすべ
てのヒューズ・ブロック（ａ，…ａ’），（ｂ，…ｂ’
…），…を結ぶ経路が、必ずしも最短になるとは限らな
いことも分かった（図３４、図３５、図３６）。

【０００９】因みに、最短経路を求めるために、例え
ば、半導体ウェーハ１上のすべての加工対象チップを結
ぶ経路の組み合わせをすべて演算し、この演算結果の中
から最短経路を求めることも考えられるが、この場合、
仮に、１０個の加工対象チップがあれば、これをすべて
結ぶ経路の組み合わせは９！通りであり、約３６３万通
りあることになる。しかして、これらの経路をすべて求
めることは、コンピュータ用いても膨大な時間がかか
り、実際にこのような手法を、レーザ加工に適用するこ
とはできなかった。

【００１０】又、仮にレーザ加工の経路を最短として
も、レーザ加工装置の特性によっては、これが最適な経
路とならない場合がある。即ち、レーザ加工装置におい
て、被加工物たる半導体ウェーハ１は、Ｘ−Ｙステージ
に搭載され、このＸ−Ｙステージがレーザ加工装置の加
工部（対物レンズ）と相対的に移動してレーザ光の光軸
が加工位置に合わされるが、Ｘ−Ｙステージでは、レー
ザ加工の経路が最短になるよりも、移動方向の変化（Ｘ
方向からＹ方向、又はその逆の変化等）や、移動方向の
反転が少ない方がレーザ加工の経路としては最適になる
こともある。けだし、移動方向が変化、反転すると、Ｘ
−Ｙステージの移動速度の変化が大きくなって、減速、
加速等の動作が増えるからである。

【００１１】然るに、上記した従来の手法では、レーザ
加工において、複数の加工対象チップ、又はヒューズ・
ブロックを最適な経路で結ぶことすらできず、レーザ加
工に余分な時間を要し、作業効率の向上も図れなかっ
た。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、加
工装置において、当該加工装置の特性等に応じた最適な
経路を決定することができる加工装置、更にはレーザ加
工装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の加工装置は、被加工物が搭載され
るステージと、該ステージ上の被加工物の加工面に加工
を施す加工部と、前記加工部と前記ステージの少なくと
も一方を移動させてこれらの相対的な位置関係を制御す
るステージ制御部とを備え、該ステージ制御部は少なく
とも、前記加工面を複数の領域に分割して認識する領域
認識手段と、該領域認識手段によって認識された領域の
すべてを結ぶ最適経路を、一括して演算して決定する最
適経路決定手段と、該最適経路に沿って、前記加工部が
前記被加工物上を相対的に移動するように、該加工部と
前記ステージとを相対的に移動させるステージ移動手段
とを有するものである。

【００１３】又、請求項２に記載の加工装置は、被加工
物が搭載されるステージと、該ステージ上の被加工物の
加工面上の加工点に加工を施す加工部と、前記加工部と
前記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの相
対的な位置関係を制御するステージ制御部とを備え、該
ステージ制御部は少なくとも、前記加工面を複数の領域
に分割して認識する領域認識手段と、該領域認識手段に
よって認識された各々の領域に加工点が含まれているか
を認識する加工点認識手段と、該加工点認識手段によっ
て認識された少なくとも２以上の領域のすべてを結ぶ最
適経路を決定する最適経路決定手段と、該最適経路に沿
って前記加工部が前記被加工物上を相対的に移動するよ
うに該加工部と前記ステージとを相対的に移動させるス
テージ移動手段とを有するものである。

【００１４】又、請求項３に記載の加工装置は、前記最
適経路決定手段が、前記最適経路を巡回セールスマン問
題のアルゴリズムを用いて決定するものである。又、請
求項４に記載の加工装置は、前記最適経路決定手段が、
前記最適経路をリン・アンド・カーニンハン法を用いて
決定するものである。又、請求項５に記載の加工装置
は、前記ステージ制御部が、更に、前記領域認識手段に
よって認識された複数の領域を１以上の領域からなるグ
ループにグループ化してこれを１つの領域とみなすグル
ープ化手段を有し、前記最適経路決定手段が、前記グル
ープ化されて１つの領域とみなされた少なくとも２以上
のグループのすべてを結ぶグループ間最適経路を求め、
該グループ間最適経路に基づいて前記最適経路を決定す
るものである。

【００１５】又、請求項６に記載の加工装置は、前記ス
テージはＸ−Ｙステージであり、前記グループ化手段
は、前記加工点のＸ方向とＹ方向の分布状態に応じてＸ
方向への移動、Ｙ方向への移動の何れを優先させるかを
判定し、該判定の結果に基づいて前記グループ化を行う
ものである。又、請求項７に記載の加工装置は、前記グ
ループ化手段が、前記被加工物の製品の種類毎に予め決
定されたパターンに基づいて前記領域のグループ化を行
うものである。

【００１６】又、請求項８に記載の加工装置は、前記最
適経路決定手段が、前記領域を細分化し、該細分化した
分割領域を認識し、当該領域内の今回加工を行った分割
領域から同領域内の次回の加工を行う分割領域を決定す
るにあたって、今回加工を行った分割領域の近傍の２以
上の分割領域を選択し、今回加工を行った分割領域での
最終の加工点と、前記２以上の分割領域内で前記最終の
加工点に最も近い加工点との距離を各々算出し、該算出
した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む分割領
域を次回の加工を行う分割領域とするようにしたもので
ある。

【００１７】又、請求項９に記載の加工装置は、前記最
適経路決定手段が、前記領域を細分化し、該細分化した
分割領域を認識し、当該領域内の今回加工を行った分割
領域から同領域内の次回の加工を行う分割領域を決定す
るにあたって、今回加工を行った分割領域の近傍の２以
上の分割領域を選択し、今回加工を行った分割領域での
最終の加工点と、前記２以上の分割領域内で前記最終の
加工点から最も遠い加工点若しくは最も近い加工点との
距離を各々算出し、該算出した距離のうち最も短い距離
となる加工点を含む分割領域を次回の加工を行う分割領
域とするようにしたものである。

【００１８】又、請求項１０に記載の加工装置は、前記
ステージをＸ−Ｙステージとし、前記最適経路決定手段
が、今回の加工において優先させるＸ方向若しくはＹ方
向又は予め優先させるべく決定されたＸ方向若しくはＹ
方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れかに重み付け
を行って、前記距離の算出を行うようにしたものであ
る。

【００１９】又、請求項１１に記載の加工装置は、前記
ステージをＸ−Ｙステージとし、前記最適経路決定手段
が、今回の加工が行われた分割領域の最終の加工点か
ら、前記次回の加工を行う分割領域を、任意の加工方向
に従って経由して、次々回の加工を行う分割領域内の加
工点に至る距離を算出し、該算出した距離が最短となる
ように、前記次回の加工を行う分割領域における加工方
向を決定するようにしたものである。

【００２０】又、請求項１２に記載の加工装置は、前記
加工部を、レーザビームを照射するレーザ加工部とした
ものである。又、請求項１３に記載の加工装置は、被加
工物が搭載されるステージと、該ステージ上の被加工物
の加工面上の加工点に加工を施す加工部と、前記加工部
と前記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの
相対的な位置関係を制御するステージ制御部とを備え、
該ステージ制御部が少なくとも、前記加工面を複数の分
割領域に分割して認識する分割領域認識手段と、該分割
領域認識手段によって認識された分割領域を結ぶ最適経
路を決定する最適経路決定手段と、該最適経路に沿っ
て、前記加工部が前記被加工物上を相対的に移動するよ
うに、該加工部と前記ステージとを相対的に移動させる
ステージ移動手段とを有し、前記最適経路決定手段が、
今回加工を行った分割領域から次回の加工を行う分割領
域を決定するにあたり、今回加工を行った分割領域の近
傍の２以上の分割領域を選択し、今回加工を行った分割
領域での最終の加工点と、前記２以上の分割領域内で前
記最終の加工点に最も近い加工点との距離を各々算出
し、該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を
含む分割領域を、次回の加工を行う分割領域とするもの
である。

【００２１】又、請求項１４に記載の加工装置は、被加
工物が搭載されるステージと、該ステージ上の被加工物
の加工面上の加工点に加工を施す加工部と、前記加工部
と前記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの
相対的な位置関係を制御するステージ制御部とを備え、
該ステージ制御部が少なくとも、前記加工面を複数の分
割領域に分割して認識する分割領域認識手段と、該分割
領域認識手段によって認識された分割領域を結ぶ最適経
路を決定する最適経路決定手段と、該最適経路に沿っ
て、前記加工部が前記被加工物上を相対的に移動するよ
うに、該加工部と前記ステージとを相対的に移動させる
ステージ移動手段とを有し、前記最適経路決定手段は、
今回加工を行った分割領域から次回の加工を行う分割領
域を決定するにあたって、今回加工を行った分割領域の
近傍の２以上の分割領域を選択し、今回加工を行った分
割領域での最終の加工点と、前記２以上の分割領域内で
前記最終の加工点から最も遠い加工点若しくは最も近い
加工点との距離を各々算出し、該算出した距離のうち最
も短い距離となる加工点を含む分割領域を、次回の加工
を行う分割領域とするようにしたものである。

【００２２】又、請求項１５に記載の加工装置は、前記
ステージをＸ−Ｙステージとし、前記最適経路決定手段
が、今回の加工において優先させるＸ方向若しくはＹ方
向又は予め優先させるべく決定されたＸ方向若しくはＹ
方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れかに重み付け
を行って、前記距離の算出を行うようにしたものであ
る。

【００２３】又、請求項１６に記載の加工装置は、前記
ステージをＸ−Ｙステージとし、前記最適経路決定手段
が、今回の加工が行われた分割領域の最終の加工点か
ら、前記次回の加工を行う分割領域を、任意の加工方向
に従って経由して、次々回の加工を行う分割領域内の加
工点に至る距離を算出し、該算出した距離が最短となる
ように、前記次回の加工を行う分割領域における加工方
向を決定するようにしたものである。

【００２４】又、請求項１７に記載のレーザ加工装置
は、半導体ウェーハが搭載されるＸ−Ｙステージと、該
Ｘ−Ｙステージ上の半導体ウェーハに加工を施すレーザ
加工部と、前記レーザ加工部と前記Ｘ−Ｙステージの少
なくとも一方を移動させてこれらの相対的な位置関係を
制御するＸ−Ｙステージ制御部とを備え、前記Ｘ−Ｙス
テージ制御部は少なくとも、前記半導体ウェーハに形成
された複数のチップから、加工を行うチップを識別する
チップ識別手段と、該チップ識別手段によって識別され
た、少なくとも２以上のチップのすべてを結ぶチップ間
最適経路を決定するチップ間最適経路決定手段と、該チ
ップ内を、チップ内のヒューズの配置に基づいて、複数
のヒューズ・ブロックに分割して認識するヒューズ・ブ
ロック化手段と、該ヒューズ・ブロック化手段によって
認識された少なくとも２以上のヒューズ・ブロックのす
べてを結ぶヒューズ・ブロック間最適経路を決定するヒ
ューズ・ブロック間最適経路決定手段と、前記チップ間
最適経路と前記ヒューズ・ブロック間最適経路とに沿っ
て、前記レーザ加工部が前記半導体ウェーハ面上を相対
的に移動するように、該レーザ加工部と前記Ｘ−Ｙステ
ージとを相対的に移動させるステージ移動手段とを有す
るものである。

【００２５】又、請求項１８に記載のレーザ加工装置
は、前記チップ間最適経路決定手段が、前記チップ間最
適経路を巡回セールスマン問題のアルゴリズムを用いて
決定するものである。

【００２６】又、請求項１９に記載のレーザ加工装置
は、前記チップ間最適経路決定手段が、前記チップ間最
適経路をリン・アンド・カーニンハン法を用いて決定す
るものである。又、請求項２０に記載のレーザ加工装置
は、前記Ｘ−Ｙステージ制御部が、前記チップ識別手段
によって認識された複数のチップを１以上のチップから
なるグループにグループ化してこれを１つのチップとみ
なすグループ化手段を有し、前記チップ間最適経路決定
手段が、前記グループ化された少なくとも２以上のグル
ープを結ぶ最適経路を求め、該求めた最適経路に基づい
て前記チップ間最適経路を決定するものである。

【００２７】又、請求項２１に記載のレーザ加工装置
は、前記グループ化手段が、加工をすべきチップ内のヒ
ューズのＸ方向とＹ方向の分布状態に応じてＸ方向、Ｙ
方向の何れを優先させるかを判定し、該判定の結果に基
づいてグループ化を行うものである。又、請求項２２に
記載のレーザ加工装置は、前記グループ化手段が、前記
半導体ウェーハのロット毎に予め決定されたパターンに
基づいて前記チップのグループ化を行うものである。

【００２８】又、請求項２３に記載のレーザ加工装置
は、前記ヒューズ・ブロック間最適経路決定手段が、今
回加工を行ったヒューズ・ブロックから次回の加工を行
うヒューズ・ブロックを決定するにあたって、今回加工
を行ったヒューズブロックの近傍の２以上のヒューズ・
ブロックを選択し、今回加工を行ったヒューズ・ブロッ
ク内の最終加工ヒューズと、前記２以上のヒューズ・ブ
ロック内で前記最終加工ヒューズに最も近いヒューズと
の距離を各々算出し、該算出した距離のうち最も短い距
離となるヒューズを含むヒューズ・ブロックを、次回の
加工を行うヒューズ・ブロックとするものである。

【００２９】又、請求項２４に記載のレーザ加工装置
は、前記ヒューズ・ブロック間最適経路決定手段が、今
回加工を行ったヒューズ・ブロックから次回の加工を行
うヒューズ・ブロックを決定するにあたって、今回加工
を行ったヒューズブロックの近傍の２以上のヒューズ・
ブロックを選択し、今回加工を行ったヒューズ・ブロッ
ク内の最終加工ヒューズと、前記２以上のヒューズ・ブ
ロック内で前記最終加工ヒューズから最も遠いヒューズ
若しくは最も近いヒューズとの距離を各々算出し、該算
出した距離のうち最も短い距離となるヒューズを含むヒ
ューズ・ブロックを、次回の加工を行うヒューズ・ブロ
ックとするものである。

【００３０】又、請求項２５に記載のレーザ加工装置
は、前記ヒューズ・ブロック間最適経路決定手段が、今
回の加工において優先させるＸ方向若しくはＹ方向若し
くは予め優先させるべく決定されたＸ方向若しくはＹ方
向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れかに重み付けを
行って、前記距離を算出するものである。又、請求項２
６に記載のレーザ加工装置は、前記ステージをＸ−Ｙス
テージとし、前記ヒューズ・ブロック間最適経路決定手
段が、今回の加工が行われたヒューズ・ブロックの最終
加工ヒューズから、次回の加工を行うヒューズ・ブロッ
ク内を任意の加工方向に沿って経由して、次々回の加工
を行うヒューズ・ブロック内のヒューズに至る距離を算
出し、該算出した距離が最短となるように、前記次回の
加工を行うヒューズ・ブロック内での加工方向を決定す
るものである。

【００３１】又、請求項２７に記載の発明は、ステージ
上の被加工物の加工面上の加工点に加工を施す加工部と
当該ステージとの相対的な位置関係を、コンピュータに
よって制御するためのプログラムを記憶した媒体であっ
て、該プログラムは、前記コンピュータに、前記加工面
を複数の領域に分割して該領域を認識させ、該認識させ
た少なくとも２以上の領域のすべてを結ぶ最適経路を、
一括して決定させると共に、前記コンピュータをして、
前記加工部が前記被加工物上を前記最適経路に沿って相
対的に移動するように、前記ステージと前記加工部の少
なくとも一方を制御せしめるものである。

【００３２】（作用）上記請求項１の発明によれば、複
数の領域を結ぶ最適経路が求められ、この最適経路に沿
った加工部とステージとの相対移動を行うことによっ
て、加工点を結ぶ経路も、当該加工装置の特性に応じて
その最適化が図られる。特に、複数の領域を半導体ウェ
ーハ内のチップに当てはめてレーザ加工を行う場合に
は、当該チップを結ぶ最適経路が容易に得られる。

【００３３】又、請求項２の発明によれば、加工を行う
べき領域を抽出し、これを結ぶ最適経路が求められる。
又、請求項３の発明によれば、認識された複数の領域
を、巡回セールスマン問題における都市（地点）とみな
すだけで、これら複数の領域を結ぶ最適経路が得られ
る。

【００３４】又、請求項４の発明によれば、認識された
複数の領域を結ぶ経路を、巡回セールスマン問題の解法
の１つであるリン・アンド・カーニンハン法を用いて決
定できるので、その演算が容易に、且つ、比較的短期間
で行えるようになる。又、請求項５の発明によれば、複
数の領域がグループ化されて、該グループ間の最適経路
を求めるので、最適経路の演算が簡略化され、演算に要
する時間も短縮化される。

【００３５】又、請求項６の発明によれば、最適経路の
決定に当たり、加工点の分布状態に応じてＸ方向、Ｙ方
向の何れを優先させるかが決定されるので、その加工部
若しくはＸ−Ｙステージの移動方向が変化する回数を減
らして、当該加工装置の特性に応じたレーザ加工を行う
ことができる。又、請求項７の発明によれば、最適経路
の決定に当たり、被加工物の製品毎に予め決定されたパ
ターンに基づいてグループ化が行われるので、製品毎の
ヒューズの配置パターンに従ったレーザ加工の最適経路
を、簡易な手法にて得ることができる。

【００３６】又、請求項８の発明によれば、最適経路決
定手段によって細分化された分割領域間を結ぶ経路を、
次の分割領域の最初の加工位置を加味して求められ、そ
の最適化が図られる。又、請求項９の発明によれば、最
適経路決定手段によって細分化された分割領域間を結ぶ
経路が、次の分割領域における最終の加工位置を加味し
て求められ、その最適化が図られる。

【００３７】又、請求項１０の発明によれば、細分化さ
れた分割領域間を結ぶ経路を、当該Ｘ−Ｙステージの動
作特性に応じて最適化することができる。又、請求項１
１の発明によれば、次々回に加工を行う分割領域に至る
経路を加味して、分割領域間を結ぶ経路の最適化が図ら
れる。又、請求項１２の発明によれば、レーザ加工装置
におけるレーザ加工の経路の最適化が図られる。

【００３８】又、請求項１３の発明によれば、分割領域
認識手段によって認識された分割領域間を結ぶ経路が、
次の分割領域の最初の加工位置を加味して求められ、そ
の最適化が図られる。又、請求項１４の発明によれば、
分割領域認識手段によって認識された分割領域間を結ぶ
経路が、次の分割領域における最終の加工位置を加味し
て求められ、その最適化が図られる。

【００３９】又、請求項１５の発明によれば、分割領域
認識手段によって認識された分割領域間を結ぶ経路を、
当該Ｘ−Ｙステージの特性に応じて最適化することがで
きる。又、請求項１６の発明によれば、次々回に加工を
行う分割領域に至る経路を加味して、分割領域間を結ぶ
経路の最適化が図られる。又、請求項１７の発明によれ
ば、半導体ウェーハに設けられた複数のチップを結ぶ最
適経路が求められ、この最適経路に沿ってレーザ加工部
とＸ−Ｙステージとの相対移動を行うことによって、半
導体ウェーハ上の加工点を結ぶレーザ加工の経路を、そ
の装置の特性に応じた最適なものとすることができる。

【００４０】又、請求項１８の発明によれば、半導体ウ
ェーハに設けられたチップを、巡回セールスマン問題に
おける都市（地点）とみなすだけで、これら複数のチッ
プを結ぶ最適経路が得られる。又、請求項１９の発明に
よれば、半導体ウェーハに設けられたチップを互いに結
ぶ経路が、巡回セールスマン問題の解法の１つであるリ
ン・アンド・カーニンハン法を用いて決定できるので、
その演算が容易に、且つ、比較的短期間で行えるように
なる。

【００４１】又、請求項２０の発明によれば、半導体ウ
ェーハに設けられた複数のチップを１以上チップからな
るグループにグループ分けし、これらグループ間を結ぶ
最適経路を求めることで、最適経路の演算が簡略化され
る。又、このときグループ化された複数のチップが１つ
の領域とみなされ、この領域内のヒューズすべてを勘案
した最適経路を求めることができる。このとき演算に要
する時間も短縮される。

【００４２】又、請求項２１の発明によれば、加工点の
分布状態に応じて、Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させる
かが決定されるので、当該レーザ加工装置の特性に応じ
て、その加工部若しくはＸ−Ｙステージの移動方向の変
換の回数を少なく抑え、効率のよいレーザ加工が可能に
なる。又、請求項２２の発明によれば、最適経路の決定
に当たり、半導体ウェーハのロット毎に予め決定された
パターンに基づいてチップのグループ化が行われるの
で、半導体ウェーハ内のヒューズの配置パターンに従っ
たレーザ加工の最適経路を、簡易な手法にて得ることが
できる。

【００４３】又、請求項２３の発明によれば、ヒューズ
・ブロック化手段によって認識されたヒューズ・ブロッ
ク間を結ぶ経路が次のヒューズ・ブロックの最初の加工
位置を加味して求められ、その最適化が図られる。又、
請求項２４の発明によれば、ヒューズ・ブロック化手段
によって認識されたヒューズ・ブロック間を結ぶ経路
が、次のヒューズ・ブロックにおける最終の加工位置を
加味して求められ、その最適化が図られる。

【００４４】又、請求項２５の発明によれば、ヒューズ
・ブロック化手段によって認識されたヒューズ・ブロッ
ク間を結ぶ経路を、当該Ｘ−Ｙステージの特性に応じて
最適化することができる。又、請求項２６の発明によれ
ば、次々回に加工を行うヒューズ・ブロックに至る経路
を加味して、ヒューズ・ブロック化手段によって認識さ
れたヒューズ・ブロック間を結ぶ経路の最適化が図られ
る。

【００４５】又、請求項２７の発明によれば、被加工物
が搭載されるステージと、該ステージ上の被加工物の加
工面上の加工点に加工を施す加工部と、前記加工部と前
記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの相対
的な位置関係を制御するコンピュータとを備えた加工装
置において、媒体に記憶されたプログラムを前記コンピ
ュータに実行させることで、被加工物の加工面の複数の
領域を結ぶ最適経路が求められる。

【００４６】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態につ
いて、添付図面を参照して説明する。尚、この第１の実
施形態は、請求項１から請求項６、請求項９から請求項
１２、請求項１４から請求項２１、請求項２４から請求
項２７に対応する。

【００４７】先ず、図１を用いて、レーザ加工装置１０
の全体構成について説明する。レーザ加工装置１０は、
Ｘ−Ｙステージ２１とＺステージ２２からなるステージ
部２０と、前記Ｚステージ２２上に搭載された被加工物
（半導体ウェーハ）１に対して加工用のレーザ光を照射
する照射光学系３０と、被加工物（半導体ウェーハ）１
の表面形状の観察を行うための観察光学系４０と、前記
Ｘ−Ｙステージ２１の移動位置を検出し且つその移動量
を制御すると共に前記照射光学系３０によるレーザ光の
出射タイミング等を制御する主制御装置（ステージ制御
部、Ｘ−Ｙステージ制御部）５０とからなる。

【００４８】このうちステージ部２０には、前記Ｘ−Ｙ
ステージ２１の移動量（Ｘ方向−Ｙ方向の移動量）を調
整するアクチュエータ２３、Ｚステージ２２上に設置さ
れた反射鏡（図示省略）に測定用のレーザ光を照射して
Ｘ−Ｙステージ２１のＸ方向・Ｙ方向の移動量を計測す
るレーザ干渉計２６が具えられている。又、照射光学系
３０は、レーザ光源３１と、該レーザ光源３１から射出
されたレーザ光Ｌａ１の光量を調整するための光量調整
部３２と、前記光量調整部３２で光量が調整されたレー
ザ光Ｌａ１を前記被加工物（半導体ウェーハ）１側に反
射させるビーム・スプリッタ３３と、レーザ光Ｌａ１を
被加工物（半導体ウェーハ）１上に集束させる対物レン
ズ（加工部）３４とからなる。

【００４９】又、観察光学系４０は、被加工物（半導体
ウェーハ）１の表面形状を観察するためのもので、照明
光源４１、ハーフミラー４２、ＣＣＤカメラ４３、テレ
ビ・モニタ４４からなる。しかして、前記照明光源４１
からの観察用照明光Ｌａ２は、ハーフミラー４２にて対
物レンズ３４側に反射され、該対物レンズ３４を介して
被加工物（半導体ウェーハ）１に照射される。このとき
観察用照明光Ｌａ２は、対物レンズ３４の働きによって
その光軸が、上記レーザ光Ｌａ２の光軸と一致するよう
に調整される。又、上記ＣＣＤカメラ４３は、被加工物
（半導体ウェーハ）１の表面で反射された観測用照明光
Ｌａ２を受光できるように、当該被加工物（半導体ウェ
ーハ）１の表面と互いに共役な位置に配置される。

【００５０】このように被加工物（半導体ウェーハ）１
に照射された観測用照明光Ｌａ２は、該被加工物（半導
体ウェーハ）１の表面で反射され、その反射光が、前記
ＣＣＤカメラ４３で検知され、斯く検知した反射光に基
づいて被加工物（半導体ウェーハ）１の表面形状が、該
ＣＣＤカメラ４３に接続されたテレビ・モニタ４４によ
って観察でき、加工状態を監視できるようになってい
る。

【００５１】更に、前記主制御装置５０は、マイクロコ
ンピュータにて構成され、前記Ｘ−Ｙステージ２１に接
続されたアクチュエータ２３に制御信号を出力して該Ｘ
−Ｙステージ２１のＸ方向，Ｙ方向の各々の移動量を制
御すると共に、レーザ光源３１、光量調整部３２に制御
信号を出力して、レーザ光Ｌａ１の光量及び出射タイミ
ング等を制御する。又、Ｚステージ２２による被加工物
（半導体ウェーハ）１のＺ方向の移動量も該主制御装置
５０が制御するようになっている。

【００５２】より具体的には、主制御装置５０は、前記
レーザ干渉計２６からの信号に基づいて、Ｘ−Ｙステー
ジ２１の実際の移動量をモニタし、その内部メモリ（図
示省略）に記憶された加工位置データ、加工処理順デー
タ、更には、レーザ加工処理を行うためのプログラム
（図２〜図６）等に基づいて、アクチュエータ２３に制
御信号を出力して、当該Ｘ−Ｙステージ２１を移動させ
る。

【００５３】一方で、主制御装置５０は、前記対物レン
ズ３４のレーザ光Ｌａ１の光軸を被加工物（半導体ウェ
ーハ）１に対して相対的に移動させて、被加工物（半導
体ウェーハ）１上の所望の位置（レーザ加工を施すべき
ヒューズ位置）に当該レーザ光Ｌａ１の光軸を合わせ、
その状態で、実際にレーザ光Ｌａ１を所望の光量で、且
つ所望のタイミングで出射させて、当該ヒューズに対し
てレーザ加工を行うようになっている。

【００５４】尚、この第１の実施形態では、主制御装置
５０が、以下に説明するレーザ加工処理のプログラム
（該プログラムは主制御装置５０の内部メモリ（図示省
略）に記憶されている。）を実行することによって、本
発明の領域認識手段、分割領域認識手段、最適経路決定
手段、ステージ移動手段、加工点認識手段、グループ化
手段、チップ識別手段、チップ間最適経路決定手段、ヒ
ューズ・ブロック化手段、ヒューズ・ブロック間最適経
路決定手段として機能する。

【００５５】次に、上記構成のレーザ加工装置１０によ
るレーザ加工処理の手順について、図２〜図６に示すフ
ローチャートに従って説明する。図２は、第１の実施形
態のレーザ加工処理のメイン・ルーチンを示すフローチ
ャートである。

【００５６】レーザ加工処理は、優先方向決定処理のプ
ログラム（図３）、ウェーハ内チップ・ソート処理のプ
ログラム（図４）、１チップ内若しくはマルチチップ内
ヒューズ・ソート処理のプログラム（図５）、及びレー
ザ光照射処理のプログラム（図示省略）の４つのサブ・
ルーチンからなる。尚、この実施形態では、加工対象チ
ップ２内の複数の加工対象ヒューズ（例えば、図２２に
示すａ，…ａ’，ｂ，…ｂ’…）をヒューズ・ブロック
に分けて（ヒューズ・ブロック（ａ…ａ’）、ヒューズ
・ブロック（ｂ…ｂ’）、ヒューズ・ブロック（ｃ…
ｃ’）…）、加工対象ヒューズに対するレーザ加工を行
っている。

【００５７】レーザ加工処理が開始されると、図２に示
すように、先ず、ステップＳ１において、チップ内の加
工対象となり得る全ヒューズの分布状態の分析、又は加
工対象チップ２内の加工対象ヒューズａ，…ａ’，ｂ，
…ｂ’…の分布状態の分析、半導体ウェーハ１内の加工
対象チップ２，２…の分布状態の分析、更には、Ｘ方向
・Ｙ方向の一方を優先させた加工の経路の演算等を行
い、これらの分析結果、演算結果等に基づいて、Ｘ方
向，Ｙ方向の何れを優先させてレーザ加工処理を行うか
が決定される（優先方向決定処理）。

【００５８】次のステップＳ２では、半導体ウェーハ１
内の各加工対象チップ２，２…（図２１）に対して、ど
のような順序でレーザ加工を行うか、即ち、レーザ加工
を施すべき複数の加工対象チップ２，２…を認識し、こ
れら認識された複数の加工対象チップ２，２…に対し、
如何なる順序でレーザ加工を行うかが決定される（ウェ
ーハ内チップ・ソート処理）。

【００５９】次のステップＳ３では、更に加工対象チッ
プ２，２…の各々に含まれる多数のヒューズ群からなる
ヒューズ・ブロック（例えば図２２のヒューズ・ブロッ
ク（ａ…ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’），…）に
対して、どのような順序で、当該ヒューズ・ブロック
（ａ…ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’），…に対す
るレーザ加工を行うかが決定される（チップ内ヒューズ
・ソート処理）。

【００６０】続く、ステップＳ４では、上記ステップＳ
２で決定したウェーハ内チップ・ソートに従って、今回
レーザ加工をすべき加工対象チップ２を特定し、更に、
該加工対象チップ２内のヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，
ｃ…ｃ’…に対して、前記ステップＳ３で決定したチッ
プ内ヒューズ・ソートに従って実際に、Ｘ−Ｙステージ
２１を移動させて、レーザ加工を施す個々のヒューズａ
…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…にレーザ加工装置１０の
対物レンズ３４（レーザ光Ｌａ１の光軸）を対向させ、
レーザ光Ｌａ１の光軸を当該ヒューズに合わせてレーザ
加工を行う（レーザ光照射処理）。

【００６１】次に、図２のフローチャートのステップＳ
１で実行される優先方向決定処理（サブルーチン）につ
いて、図３のフローチャートを用いて詳細に説明する。
レーザ加工処理が、この優先方向決定処理のルーチンに
移ると、先ず、ステップＳ１０１で、半導体ウェーハ１
内のチップ内の加工対象となり得る全ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…のＸ方向，Ｙ方向の分布状
態が認識される。又は、特定の加工対象チップ（以下こ
れを「特定チップ」という。）をサンプリングし、該特
定チップに含まれている加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ
…ｂ’，ｃ…ｃ’…のＸ方向、Ｙ方向の分布状態が認識
される。前記２つの方法は、半導体ウェーハ１の品種
毎、又はロット毎に切換可能とし、実際の加工対象ヒュ
ーズの分布傾向がチップ内の加工対象となり得る全ヒュ
ーズの分布傾向と一致しない場合は、特定チップをサン
プリングして分布状態を認識する方法を用いる。尚、こ
のＸ方向、Ｙ方向は、当該半導体ウェーハ１の設計デー
タのＸ方向、Ｙ方向であり、半導体ウェーハ１が搭載さ
れるＸ−Ｙステージ２１のＸ方向、Ｙ方向と一致してい
る。

【００６２】この特定チップの加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態の例を、図７、
図８、図９、図１０に示す。これらの図に示すように、
加工対象チップ２は、Ｘ方向、Ｙ方向、各々一定の間隔
で区切られて、そのアドレスが設定されている。

【００６３】この図示例では、加工対象チップ２は、Ｘ
方向（図中水平方向）に２０分割、Ｙ方向（図中垂直方
向）に１０分割されて、そのアドレスが設定されてい
る。尚、図中■は、加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…
ｂ’，ｃ…ｃ’…を示している。このようにＸアドレ
ス、Ｙアドレスが各々設定された加工対象チップ２にあ
っては、図７に示すように、そのＸ方向のアドレスカウ
ント値（Ｙアドレスが同一のヒューズの数）、Ｙ方向の
アドレスカウント値（Ｘアドレスが同一のヒューズの
数）によって、当該加工対象チップ２内の加工対象ヒュ
ーズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の位置が認識され
る。因みに、図７に示す例では、Ｘ方向のアドレスカウ
ント値に関しては、図中上方から、“１”，“１”，
“１”，“１”，“９”，“１”，“１”，“１”，
“１”，“０”という具合に同一のＹアドレスに含まれ
る加工対象ヒューズの数が各々のカウンタでカウントさ
れ、Ｙ方向のアドレスカウント値に関しては、図中左か
ら右に、“０”，“０”，“１”，“１”，“１”，
“１”，“０”，“０”，“９”，“０”，“０”，
“０”，“１”，“１”，“１”，“１”，“０”，
“０”，“０”，“０”という具合に同一のＸアドレス
に含まれる加工対象ヒューズの数が各々のカウンタでカ
ウントされる。

【００６４】このように加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ
…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態が、Ｘアドレス、Ｙアド
レスに基づいて認識されると、次いで、この認識した加
工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布
状態に基づいて、Ｘ方向・Ｙ方向の何れかが優先方向と
して決定される。この優先方向は、当該レーザ加工処理
におけるウェーハ内チップ・ソート処理（図４）、チッ
プ内ヒューズ・ソート処理（図５）において、Ｘ方向、
Ｙ方向の何れかを優先させてそのレーザ加工の最適経路
を決定するためのものである。この優先方向の決定は、
図３のステップＳ１０２、ステップＳ１０３、ステップ
Ｓ１０６、ステップＳ１０８の判別結果に基づいて行わ
れる。

【００６５】即ち、ステップＳ１０２では、Ｘ方向のア
ドレスカウンタの総数Ｎx（図７の例では１０、図８の
例では１２）に対する、一定数以上の加工対象ヒューズ
が含まれるアドレスカウント値となったカウンタの数ｎ
xの比率（ｎx／Ｎx）が求められ、斯く求められた比率
（ｎx／Ｎx）が、予め設定された閾値ＴＨ1より小さい
か否かが判別される。ここで、ヒューズアドレスカウン
トの算出法として、チップ内処理ヒューズに対して、一
定の比率（例えば、１０％）を、アドレス単位で加工対
象ヒューズ数の少ない順に切り捨てる方法を採用しても
よい。

【００６６】このステップＳ１０２の判別結果が“YE
S”のとき、即ち、Ｘ方向のアドレスカウンタのうち、
一定数以上の加工対象ヒューズをカウントしたカウンタ
が少ないときは、特定のＹアドレスに加工対象ヒューズ
が偏って分布している（加工対象ヒューズの分布がＸ方
向に特化している）と判断して、ステップＳ１０９に進
み、Ｘ方向を優先させるためのＸ方向優先フラグを立て
て、本ルーチンを終了する。

【００６７】一方、前記ステップＳ１０２の判別結果が
“NO”のときには、ステップＳ１０３に進んで、Ｙ方向
のアドレスカウンタの総数Ｎy（図７、図８の例では２
０）に対する、一定数以上の加工対象ヒューズが含まれ
るアドレスカウント値となったカウンタの数ｎyの比率
（ｎy／Ｎy）が求められ、斯く求められた比率（ｎy／
Ｎy）が前記閾値ＴＨ1より小さいか否かが判別される。

【００６８】この判別結果が“YES”のとき、即ち、Ｙ
方向のアドレスカウンタのうち、一定数以上の加工対象
ヒューズをカウントしたカウンタの数が少ないときは、
特定のＸアドレスに加工対象ヒューズが偏って分布して
いる（加工対象ヒューズの分布がＹ方向に特化してい
る）と判断して、ステップＳ１１０に進み、Ｙ方向を優
先させるためのＹ方向優先フラグを立てて、本ルーチン
を終了する。

【００６９】ところで、上記のように加工対象ヒューズ
ａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…がＸ方向、Ｙ方向の何
れに偏って分布しているかを、比率（ｎx／Ｎx）、（ｎ
y／Ｎy）が閾値ＴＨ1より小さいか否かに応じて判断す
る場合には、上記Ｘアドレス、Ｙアドレスを区切る幅、
更には、アドレスに含まれる加工対象ヒューズ数を判定
する前記一定数の値によって、その判断結果が異なって
くる。

【００７０】例えば、図８に示すように加工対象ヒュー
ズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…（図中■印で示す）
が点在して、Ｘ方向のカウンタの総数Ｎxが１２、Ｙ方
向のカウンタの総数Ｎyが２０の場合を考える。このと
きの加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…
のＸ方向、Ｙ方向の偏りを、これらのカウンタを用いて
求めると、Ｘ方向のアドレスカウント値に関しては、図
中上方から、“０”，“０”，“２”，“３”，
“３”，“３”，“３”，“２”，“０”，“０”，
“０”，“０”という具合に同一のＹアドレスに含まれ
る加工対象ヒューズの数が各々のカウンタでカウントさ
れ、Ｙ方向のアドレスカウント値に関しては、図中左か
ら右に、“０”，“３”，“５”，“０”，“０”，
“０”，“０”，“０”，“０”，“０”，“０”，
“３”，“５”，“０”，“０”，“０”，“０”，
“０”，“０”，“０”という具合に同一のＸアドレス
に含まれる加工対象ヒューズの数が各々のカウンタでカ
ウントされる。

【００７１】仮に、一定数の値“６”とすると、Ｘ方向
の各々のアドレスカウント値、Ｙ方向の各々のアドレス
カウント値のいずれも、加工対象ヒューズを６以上含む
アドレスをあらわしていない（ｎx，ｎyは共に“０”）
ので、比率（ｎx／Ｎx）、（ｎy／Ｎy）は共に“０”と
なる。尚、比率（ｎx／Ｎx）、（ｎy／Ｎy）が共に
“０”のときは、ステップＳ１０２，ステップＳ１０３
の判別結果は、本来ならば、“YES”になるが、この場
合には、特にチップ内の加工対象ヒューズの並びに、Ｘ
方向，若しくはＹ方向の偏りはないと判断して、ステッ
プＳ１０４に進ませる。

【００７２】ところで、同じ加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態であっても、図
９に示すように、例えばＹ方向のピッチ幅を大きくして
カウンタの総和Ｎxを“６”という具合に小さくし、Ｘ
方向のピッチ幅を大きくしてカウンタの総和Ｎyを
“８”という具合に小さくすると、Ｘ方向のアドレスカ
ウント値に関しては、図中上方から、“０”，“５”，
“６”，“５”，“０”，“０”という具合に同一のＹ
アドレスに含まれる加工対象ヒューズの数が各々のカウ
ンタでカウントされ、Ｙ方向のアドレスカウント値に関
しては、図中左から右に、“０”，“８”，“０”，
“０”，“０”，“０”，“８”，“０”，“０”，
“０”，“０”という具合に、同一のＸアドレスに含ま
れる加工対象ヒューズの数が各々のカウンタでカウント
される。

【００７３】この場合、一定数の値を“５”とすると、
Ｘ方向のアドレスカウント値に関しては加工対象ヒュー
ズを５以上カウントしたカウンタが３（＝ｎx）、Ｙ方
向のアドレスカウント値に関しては加工対象ヒューズを
５以上カウントしたカウンタが２（＝ｎy）となり、こ
れらの値を用いて、比率（ｎx／Ｎx）、（ｎy／Ｎy）が
算出される。

【００７４】更に、図１０に示すように、加工対象ヒュ
ーズがＸ方向に偏って分布している場合には、Ｘ方向の
アドレスカウント値に関しては、図中上方から、
“０”，“０”，“１２”，“０”，“０”，“０”，
“１２”，“０”，“０”，“０”，“０”，“０”と
いう具合に同一のＹアドレスに含まれる加工対象ヒュー
ズの数がカウントされ、Ｙ方向のアドレスカウント値に
関しては、図中左から右に、“０”，“２”，“２”，
“２”，“２”，“２”，“２”，“０”，“０”，
“０”，“０”，“０”，“０”，“２”，“２”，
“２”，“２”，“２”，“２”，“０”という具合に
同一のＸアドレスに含まれる加工対象ヒューズの数がカ
ウントされる。

【００７５】この場合、一定数の値“５”とすると、Ｘ
方向のアドレスカウント値に関しては加工対象ヒューズ
を５以上カウントしたカウンタが２（＝ｎx）、Ｙ方向
のアドレスカウント値に関しては加工対象ヒューズを５
以上カウントしたカウンタが０（＝ｎy）となり、これ
らの値を用いて、比率（ｎx／Ｎx）、（ｎy／Ｎy）が算
出される。

【００７６】しかして、閾値ＴＨ1が、仮に１／３であ
れば、図１０の例では、（ｎx／Ｎx）が“２／９”、
（ｎy／Ｎy）が“０”であるから、ステップＳ１０２の
判別結果が、“YES”になって（加工対象ヒューズの分
布がＸ方向に特化している）、ステップＳ１０９に進ん
で、Ｘ方向優先フラグが立てられる。このようにＸ方向
のアドレスカウント値、Ｙ方向のアドレスカウント値の
設定の仕方によって、Ｘ方向優先、Ｙ方向優先の判断が
異なってくるので、これらの値をレーザ加工装置１０に
応じた値に設定することで、該レーザ加工装置１０に適
した判別、即ち、Ｘ方向、Ｙ方向の優先方向の決定を行
うことができる。

【００７７】更に、この例では、Ｘ方向のアドレスカウ
ント値を用いた偏りの判別（ステップＳ１０２）を行っ
てからＹ方向のアドレスカウント値を用いた偏りの判別
（ステップＳ１０３）を行っているが、何れの判別を先
に行うかは、当該レーザ加工装置１０の特性に基づいて
定めればよい。更に、上記した閾値ＴＨ1の値も、レー
ザ加工装置１０の特性に基づいて定めればよい。

【００７８】又、上記ステップＳ１０２とステップＳ１
０３の判別では同じ閾値ＴＨ1を用いているが、閾値を
Ｘ方向とＹ方向とで別個に設定してもよい。上記ステッ
プＳ１０２，Ｓ１０３の判別結果が共に“NO”のとき、
即ち、Ｘ方向、Ｙ方向の加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ
…ｂ’，ｃ…ｃ’…の偏りが、上記閾値ＴＨ1が表すＸ
方向、Ｙ方向の各々の偏りより小さいときには、ステッ
プＳ１０４に進んで、仮想的に、Ｘ方向を優先させたと
きの半導体ウェーハ内の加工対象となり得る全チップ、
又は半導体ウェーハ毎に実際に加工対象となるチップに
おける移動距離（Ｘ−Ｙステージ２１の移動量）ＸTと
Ｙ方向を優先させたときの半導体ウェーハ内の加工対象
となり得る全チップ、又は半導体ウェーハ毎に実際に加
工対象となるチップにおける移動距離（Ｘ−Ｙステージ
２１の移動量）ＹTが各々算出され（例えば、図１１の
一点鎖線ＸTと破線ＹTで示す移動距離）、その後、ステ
ップＳ１０５に進む。

【００７９】ステップＳ１０５では、Ｘ方向優先で求め
た移動距離ＸTと、Ｙ方向優先で求めた移動距離ＹTとの
差分｜ＸT−ＹT｜を求め、この差分｜ＸT−ＹT｜と移動
距離ＸTと移動距離ＹTとの和｜ＸT＋ＹT｜との比を求
め、この比が閾値ＴＨ2より大きいか否かが判別され
る。この閾値ＴＨ2は、例えば、移動距離ＸTと移動距離
ＹTの一方が、他方の２倍となるような値（１／３）に
設定される。

【００８０】このステップＳ１０５の判別結果が“YE
S”のとき、即ち移動距離ＸTと移動距離ＹTとの差分｜
ＸT−ＹT｜が、その和｜ＸT＋ＹT｜の所定倍（１／３
倍）より大きいときには、Ｘ方向、Ｙ方向の何れかを優
先させた移動距離が、他方を優先させた移動距離に比べ
て著しく短くなったと考えられるから、ステップＳ１０
６に進んで、移動距離ＹTと移動距離ＸTの何れが短いか
が判別される。

【００８１】このステップＳ１０６によって、移動距離
ＸTの方が短いと判断されたときには（判別結果が“YE
S”のとき）、Ｘ方向を優先させて最適経路を得るべき
であると判断して、ステップＳ１０９に進み、Ｘ方向優
先フラグを立てて本ルーチンを終了する。一方、前記ス
テップＳ１０６の判別結果が“NO”のとき、即ち、移動
距離ＹTが移動距離ＸTより短いと判断されたときには、
Ｙ方向を優先させて最適経路を得るべきであると判断し
て、ステップＳ１１０に進み、Ｙ方向優先フラグを立て
て本ルーチンを終了する。

【００８２】前記ステップＳ１０５の判別結果が“NO”
のとき、即ち、移動距離ＸTと移動距離ＹTの差分｜ＸT
−ＹT｜が小さく、この差分｜ＸT−ＹT｜によっては、
Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させるかの判断がつかない
ときには、更に、ステップＳ１０７に進んで、加工対象
チップ２内の加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ
…ｃ’…を、次の２つの手法によって、ヒューズ・ブロ
ック分けし、このヒューズ・ブロック分けによって実際
に得られたヒューズ・ブロック数Ｎxy、Ｎyxを互いに比
較し、ヒューズ・ブロック数のより少ない方を優先方向
とする。

【００８３】この加工対象チップ２のヒューズ・ブロッ
ク分けは、加工対象ヒューズの分布状態（例えば、図７
〜図１０中■で示す）に応じて、以下のように行われ
る。第１の手法としては、先ず、加工対象チップ２にお
いて、Ｘ方向→Ｙ方向→斜め、という優先順位に基づい
てヒューズ・ブロック分けする。この場合には、先ず、
Ｙアドレスが等しい加工対象ヒューズを、Ｘ方向のフラ
イ間隔（ステージを移動させながら連続打ちするヒュー
ズ・ブロックを区画するためのヒューズ間隔）にて更に
細かく区分し、このように区分したものを各々１つのヒ
ューズ・ブロックと認識する。

【００８４】そして、残った加工対象ヒューズに関し
て、今度はＸアドレスが等しい加工対象ヒューズを、Ｙ
方向のフライ間隔にて更に細かく区分し、このように区
分したものを１つのヒューズ・ブロックとする。更に、
残った加工対象ヒューズに関し、今度は、Ｘアドレス、
Ｙアドレスの対角線に沿って斜めに分布していれば、こ
れら斜めに分布するヒューズを同一のヒューズ・ブロッ
クとして認識する。

【００８５】最後に、Ｘ方向ヒューズ・ブロック分け、
Ｙ方向ヒューズ・ブロック分け、斜め方向のヒューズ・
ブロック分けの後に残った加工対象ヒューズは、シング
ルヒューズ・ブロックとして認識する。このようにＸ方
向を優先させてブロック化（第１の手法）を行った後、
これとは反対にＹ方向を優先させたブロック化（第２の
手法）を行う。

【００８６】この場合には、先ず、Ｘアドレスが等しい
加工対象ヒューズを、Ｙ方向のフライ間隔にて更に細か
く区分し、各々を１つのヒューズ・ブロックと認識す
る。そして、残った加工対象ヒューズに関して、Ｙアド
レスが等しい加工対象ヒューズをＸ方向のフライ間隔に
て更に細かく区分し、各々を１つのヒューズ・ブロック
とする。

【００８７】更に、残った加工対象ヒューズに関し、今
度はＸアドレス、Ｙアドレスの対角線に沿って斜めに分
布するヒューズを同一のヒューズ・ブロックとして認識
する。最後に、残った加工対象ヒューズを、シングルヒ
ューズ・ブロックとして認識する（第２の手法）。この
ように第１の手法、第２の手法によりヒューズのブロッ
ク分け（ブロック化）を行って、各々のヒューズ・ブロ
ック分けによって得られたヒューズ・ブロック数Ｎxy、
Ｎyxが算出される。

【００８８】次のステップＳ１０８では、ヒューズ・ブ
ロック数Ｎxyがヒューズ・ブロック数Ｎyxより小さいか
否かが判別される。このステップＳ１０８の判別結果が
“YES”のときには、Ｘ方向を優先させた方が、ヒュー
ズ・ブロック数が少なくなる。即ち、フライ処理ヒュー
ズ数が多くなり、加工処理時間が短縮されるため、ステ
ップＳ１０９に進んでＸ方向優先フラグをセットし、本
ルーチンを終了する。ここで「フライ処理」とは、ヒュ
ーズに対して加工部（対物レンズ）３４を移動させなが
らレーザ照射し加工する処理である。

【００８９】一方、ステップＳ１０８の判別結果が“N
O”のときには、反対に、ステップＳ１１０に進んで、
Ｙ方向優先フラグをセットして、本ルーチンを終了す
る。尚、ステップＳ１０７、ステップＳ１０８では、チ
ップ毎に加工対象となるヒューズに対する処理について
述べたが、ウェーハ毎に加工対象となるチップに対する
処理についても同様である。通常、加工対象ヒューズの
ブロック分けの際は、斜め方向のブロック分けは実行し
ない。

【００９０】又、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０
３、ステップＳ１０４〜ステップＳ１０６、ステップＳ
１０７〜ステップＳ１０８の３つの処理部は、レーザ加
工装置１０の特徴、及び半導体ウェーハ１の品種毎のチ
ップとヒューズの配置により、処理順、及び、各処理内
での加工対象の切換を可能とする。次に、上記したメイ
ン・ルーチン（図２）のステップＳ２で実行されるウェ
ーハ内チップ・ソート処理について、図４を用いて詳細
に説明する。

【００９１】レーザ加工処理が、このウェーハ内チップ
・ソート処理ルーチンに移ると、先ず、上記設定された
Ｘ方向優先フラグ、又は、Ｙ方向優先フラグに基づい
て、当該半導体ウェーハ１に対するレーザ加工を、Ｘ方
向優先、Ｙ方向優先の何れによって行うかが判別される
（ステップＳ２０１）。今仮に、前記した優先方向決定
処理ルーチンにてＸ方向を優先させるべくＸ方向優先フ
ラグがセットされていた場合には、このステップＳ２０
１の判別結果が“YES”になって、続くステップＳ２０
２に進み、Ｘ方向を優先させて当該半導体ウェーハ１内
の加工対象チップ２，２…のグループ分け（グループ
化）を行う（Ｘ方向→Ｙ方向→斜め）。

【００９２】反対に、Ｙ方向を優先させるべくＹ方向優
先フラグがセットされていた場合には、このステップＳ
２０１の判別結果が“NO”になって、ステップＳ２０３
に進み、Ｙ方向を優先させて当該半導体ウェーハ１内の
加工対象チップ２，２…のグループ分け（グループ化）
を行う（Ｙ方向→Ｘ方向→斜め）。Ｘ方向、Ｙ方向の何
れを優先させるかによって、加工対象チップ２，２，…
のグループ分けは以下のように、その結果が異なる。

【００９３】図１２を用いて具体的に説明する。今仮
に、１１個の加工対象チップ２-1，２-2，……２-11
が、図１１で示すように半導体ウェーハ１内で分布して
いる場合を考える。このとき仮にＸ方向優先フラグが設
定されていた場合には、Ｘ方向→Ｙ方向→斜めの順でグ
ループ分けが行われる。

【００９４】この場合、先ず、加工対象チップ２，２…
のＸ方向の分布に着目して、Ｙ方向のアドレスが一致す
る加工対象チップ（２-1，２-2，２-3，２-11）、加工
対象チップ（２-4，２-5，２-6）、加工対象チップ（２
-8，２-10）が各々１つのグループとして認識される。
残りの加工対象チップ（２-7）、（２-9）に関しては、
シングルチップとして認識される。尚、この図示例で
は、Ｘ方向優先の場合は、Ｙ方向及び斜め方向には、加
工対象チップが分布しないことになる。

【００９５】同じ、図１２に示す分布状態でも、Ｙ方向
→Ｘ方向→斜めのグループ分けを行う場合には、上記１
１個の加工対象チップ２-1，２-2，…は、（２-6，２-
7，２-8，２-9，２-3）、（２-4，２-5）、（２-1，２-
2）、（２-10）、（２-11）という具合に５つのグルー
プに分けられる。そして、このようにＸ方向、Ｙ方向の
何れかを優先させてグループ分けされた複数のグループ
に対して、巡回セールスマン問題のアルゴリズムを用い
た、最適経路の決定が行われる。ここで、各チップブロ
ックは、始点と終点が異なる、即ち、大きさをもつ領域
として扱われる。

【００９６】ところで、ウェーハ内チップ・ソート処理
においてＸ方向、Ｙ方向の何れを優先させるかは、上記
したように、図３に示すフローに基づいて決定される。
このように加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…
ｃ’…の分布状態に応じて加工対象チップ２，２…の加
工の順序（ウェーハ内チップ・ソート）を決定するの
は、以下の理由による。

【００９７】今仮に、加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…
ｂ’，ｃ…ｃ’…が、例えば図１３、図１４に示すよう
に（図中■で示す）、Ｘ方向に偏って分布している場合
を考える。このうち図１３は、加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態に応じて、即
ち、Ｘ方向を優先させて加工対象チップ２，２，…に係
る経路Ｒx（図１３中破線で示す）を決定した例であ
る。

【００９８】一方、図１４は、加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態に拘わらず、即
ち、加工対象チップ２，２，…の分布のみに応じてその
経路Ｒ（図１４中破線で示す）を決定した例である。こ
れらの経路Ｒx、Ｒを比較して分かるように、加工対象
チップ２，２，…の分布に偏りがなくとも、Ｘ方向を優
先させた方が最適経路が得られる。

【００９９】このように加工対象チップ２内の加工対象
ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布は、ウ
ェーハ内チップ・ソートにおける最適経路の決定に大き
な影響を与えるため、加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…
ｂ’，ｃ…ｃ’…の分布状態に基づいて、Ｘ方向・Ｙ方
向の何れを優先するかを判断して、ウェーハ内チップ・
ソートを行うことによりウェーハ内チップ・ソートで最
適経路を得ることができる。この場合、移動経路の反転
も、Ｘ方向とＹ方向の方向の切替も少ない。

【０１００】図４の説明に戻り、次のステップＳ２０４
で、半導体ウェーハ１内のグループ化された加工対象チ
ップ２，２，…を結ぶ最適経路が巡回セールスマン問題
のアルゴリズム（特に、リン・アンド・カーニンハン
法）によって求められる。以下、最適経路を求めるため
の巡回セールスマン問題のアルゴリズム及びリン・アン
ド・カーニンハン法ついて説明する。

【０１０１】この巡回セールスマン問題は、ｎ個の地点
に対し、地点ｉから地点ｊへの距離ｄij（ｉ≠ｊ）が与
えられたとき、各々の地点をちょうど１度ずつ経由する
巡回路のうち最適のものを見いだす問題である。その１
つのアルゴリズムとして、リン・アンド・カーニンハン
（Ｌｉｎ ａｎｄ Ｋｅｒｎｉｇｈａｎ）法が知られて
いる。この実施形態では、このリン・アンド・カーニン
ハン法（以下「Ｌ・Ｋ法」という。）を用いて、半導体
ウェーハ１内のすべての加工対象チップ２，２，…を結
ぶ最適経路の決定（ウェーハ内チップ・ソート）を行っ
ている（図４のステップＳ２０４）。

【０１０２】Ｌ・Ｋ法によるウェーハ内チップ・ソート
（加工対象チップ２，２…間の最適経路の決定）は、凡
そ、以下のように行われる。今仮に、半導体ウェーハ１
に加工対象チップ２，２…が１０個ある場合を考える。
このｎ個の加工対象チップ２，２…を結ぶ経路は、（ｎ
−１）！通り考えられるため、１０個の加工対象チップ
２，２…に関しては、９！、即ち、約３６３万通りの経
路が考えられる。この約３６３万通りの経路を算出する
には、コンピュータを用いた演算時間が莫大な時間とな
る。

【０１０３】そこで、この実施形態では、上記したよう
に半導体ウェーハ１内の複数の加工対象チップ２，２…
を、幾つかのグループに振り分けることによって、最適
経路を求める場合の地点の数を減らして、Ｌ・Ｋ法を適
用した最適経路の演算を容易にしている。又、このＬ・
Ｋ法を用いて、最適経路を算出するに当っては、その決
定条件（最適経路を決定するためのパラメータ）として
は、（１） 経路を最短にすること、（２） 移動方向
の変化・反転を少なくすること等があげられる。特に、
移動方向の変化・反転を考慮することにより、Ｘ−Ｙス
テージ２１の移動速度の加速／減速が行われる回数を減
らして、作業効率の向上を図ることができる。

【０１０４】更に、Ｌ・Ｋ法を用いた算出を行うに当っ
ては、明らかに最適経路が得られないパターン（例え
ば、３つのグループが同一線上に並んでいるときに、そ
の両端の２つのグループを直接結ぶ経路は、間のグルー
プに対する処理を無視することになるために、最適経路
が得られない。）を予め除去して、最適経路の演算をよ
り容易にしている。

【０１０５】しかしてウェーハ内チップ・ソートをＬ・
Ｋ法を用いて求めることによって、半導体ウェーハ１内
の加工対象チップ２，２…にレーザ加工を行うときの経
路が、図２１に示すように最適化される。ここで、Ｌ・
Ｋ法の概略について説明する。尚、Ｌ・Ｋ法自体は公知
の手法であるため、これを第１の実施形態で適用するの
に必要な程度の説明に止める。

【０１０６】今仮に、図１５に示すように、９つの地点
（第１の実施形態の加工対象チップ２，２，…からなる
グループに相当）が点在している場合を考える（ｎ＝
９）。Ｌ・Ｋ法によれば、この９の地点の最適経路を、
凡そ以下の手順で、簡易に求めることができる。

【０１０７】先ず、図１５に示すＡからＩまでの９つの
地点のうち、Ａ地点を出発点として、図中右回りに、Ａ
→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅ→Ｆ→Ｇ→Ｈ→Ｉという１つの経路
（全経路）を考える。次いで、全経路の中の任意の区間
から１つを選び出し（例えば、Ｂ−Ｃ間）、この区間の
経路（区間経路）を分断する。

【０１０８】更に、新たな他の経路を１つを選び出し
（Ｅ−Ｆ間）、この経路を分断するとともに、上記分断
された地点（Ｂ，Ｃ）と、今回分断された地点（Ｅ，
Ｆ）とを各々互いに交差するような新たな２つの区間経
路で結ぶ（図１６）。この結果、全経路は、Ａ→Ｂ→Ｅ
→Ｄ→Ｃ→Ｆ→Ｇ→Ｈ→Ｉという具合になる。このよう
に全経路が替わった場合、この替わった全経路が、前回
の全経路より最適化が行われているか否かを判断する
際、以下の利得が用いられる。

【０１０９】即ち、図１５に示す全経路と図１６に示す
全経路とを比較すると、図１６の経路は、図１５に対し
て、経路Ｂ−Ｃ、Ｅ−Ｆがなくなった分その利得が増え
る（最適に近づく）が、一方で、Ｂ−Ｅ、Ｃ−Ｆが新た
に生成された分その利得が減る。これを数式で表すと以
下のようになる。

【０１１０】 ｇ1＝ＸBC−ＸBE …（１） ここで「ｇ1」は今回の全経路の変換によって得られる
利得、「ＸBC」はＢ−Ｃ間が分断されたときに得られる
利得、「ＸBE」はＢ−Ｅ間の新たな区間経路の生成によ
って得られる利得である。又、一方でこのとき、区間経
路Ｅ−Ｆがなくなり、区間経路Ｃ−Ｆが増えているので
あるから、この図１５から図１６に全経路が替わったと
きの総利得Ｇ1は、次式（２）で示すようになる。

【０１１１】 Ｇ1＝ｇ1＋ＸEF−ＸCF …（２） ここで「ＸEF」はＥ−Ｆ間が分断されたときに得られる
利得、「ＸCF」はＣ−Ｆ間の新たな区間経路の生成によ
って得られる利得である。このように区間経路Ｂ−Ｃ、
区間経路Ｅ−Ｆが分断された後、新たな区間経路Ｂ−
Ｅ、区間経路Ｃ−Ｆが生成され、この新たな全経路にお
ける利得及び総利得が得られる。

【０１１２】Ｌ・Ｋ法は、このように、特定の区間経路
を分断するとともに、他に分断した区間経路の両端の地
点とを順次、新たな２つの区間経路（新たな区間経路は
互いに交差する）で結んで、当該ＡからＨまでの９つの
地点をすべて結ぶ全経路を組み替えて最適経路を得るア
ルゴリズムである。図１６に示す全経路を、更にＬ・Ｋ
法によって組み替えて行く場合、例えば、新たに生成さ
れた２つの区間経路の一方の区間経路Ｃ−Ｆに着目し、
この新たな経路Ｃ−Ｆを分断するとともに、新たな経路
Ａ→Ｂ→Ｅ→Ｄ→Ｃ→Ｆ→Ｇ→Ｈ→Ｉのなかから、任意
の経路（例えば、区間経路Ｇ−Ｈ）を選んでこれを分断
し、上記分断された地点Ｃ，Ｆと、該分断された地点
Ｇ，Ｈとを各々互いに交差する新たな区間経路で結ぶ
（図１７）。この結果、全経路は、Ａ→Ｂ→Ｅ→Ｄ→Ｃ
→Ｇ→Ｆ→Ｈ→Ｉという具合になる。

【０１１３】このように経路が替わった場合の利得は以
下のように変化する。即ち、図１６に示す全経路と図１
７に示す全経路とを比較すると、図１７の経路は、図１
６に対して、区間経路Ｃ−Ｆ、Ｇ−Ｈがなくなった分そ
の利得が増え、区間経路Ｃ−Ｇ、Ｆ−Ｈが新たに生成さ
れた分その利得が減る。このとき今回（２回目）の全経
路の変換によって得られる利得「ｇ2」は、以下の数式
（３）で得られる。

【０１１４】 ｇ2＝ＸCF−ＸCG …（３） ここで「ＸCF」はＣ−Ｆ間が分断されたときに得られる
利得、「ＸCG」はＣ−Ｇ間の新たな区間経路の生成によ
って得られる利得である。

【０１１５】又、このとき、一方で区間経路Ｇ−Ｈがな
くなり、区間経路Ｆ−Ｈが増えているのであるから、初
期状態（図１５に示す状態）から図１７に示すように全
経路が変化したときの総利得Ｇ2は、次式（４）で得ら
れる。 Ｇ2＝ｇ1＋ｇ2＋ＸGH−ＸFH …（４） ここで「ＸGH」はＧ−Ｈ間が分断されたときに得られる
利得、「ＸFH」はＦ−Ｈ間の新たな区間経路の生成によ
って得られる利得である。

【０１１６】以下、同様に、新たに生成された２つの区
間経路の一方を分断し、他の区間経路を新たに分断し、
これら分断された区間経路の両端を互いに交差する新た
な２つの区間経路によってつなげて行く処理を繰り返す
と共に、上記のように区間経路の分断により生じる利得
と、新たに生成された区間経路の利得を順次演算してゆ
くことによって、当該Ｌ・Ｋ法による全経路の組み替え
と、各々の組み替えステップ（任意の回数；ｐ回）にお
ける総利得Ｇpと、当該ステップにおける利得の総計Σ
ｇpを順次求めることができる。

【０１１７】そして、各組み替え毎に、それまで（例え
ばｐ回の組み替えが行われた場合、ｐ回目まで）に得ら
れた利得の総数Σｇpと、今回（ｐ回目）での総利得Ｇ
ｐとを求め、これらの値に基づいて、ＡからＨまでの９
つの地点をすべて結ぶ全経路が最適になったか否かを判
断するようになっている。即ち、ｐ回の組み替えまでの
利得ｇpの総計（Σｇp）がマイナス、即ち、それまでの
組み替えによって得られた利得が減るとき、又は、それ
までに得られた総利得Ｇ1，Ｇ2…の最大値より今回（ｐ
回）までの総利得Ｇpが小さくなったときに、最適経路
が得られたとみなして、Ｌ・Ｋ法を用いた全経路の切り
替えを終了する。

【０１１８】この場合、ｇ1，ｇ2，…の値は、そのすべ
てが０以上（正の利得）である必要はないが、上記のよ
うにΣｇ*は正であることが必要である。因みに、この
実施形態では、上記したように半導体ウェーハ１内の複
数の加工対象チップ２，２，…がグループ化され、この
グループに関して、Ｌ・Ｋ法による巡回セールスマン問
題の演算が行われるので、全経路を組み替えても、その
すべての演算に必要な時間は短縮され、レーザ加工装置
１０の主制御装置５０を構成するコンピュータでも十分
に演算できる。さらに、上記したように、決して最適解
が得られないパターンを予め除いてあるので、更に、当
該コンピュータによる早期の演算が可能になる。

【０１１９】尚、上記した利得を求めるパラメータとし
ては、各地点Ａ，Ｂ…間の距離のみならず、その移動方
向（半導体ウェーハ１におけるレーザ加工ではＸ方向，
Ｙ方向の変化又は反転）等を考慮に入れることによっ
て、当該レーザ加工装置１０に適したチップ間最適経路
又はヒューズ・ブロック間最適経路が得られる。尚、こ
の実施形態で、Ｋ・Ｌ法を適用する場合には、図１８、
図１９に示す「２近傍交換」が行われる。

【０１２０】「２近傍交換」は、図１８に示すように、
先ず、任意の２つの地点、例えば図１８の地点Ｃと地点
Ｇに着目し、これらの近傍の地点Ｂ，Ｈとの間の区間経
路を切り替える手法である（図１９）。更に「２近傍交
換」を続ける場合には、次いで、上記地点Ｃ、地点Ｇ
の、各々の近傍の２点（地点Ｆと地点Ｄ）に着目して、
区間経路の切り替えを行う。この「２近傍交換」を順次
行っていくことによって、あらゆる経路を求めることが
できることが知られている。

【０１２１】又、ウェーハ内チップ・ソートに関してＬ
・Ｋ法を適用するに当っては、開放端問題を考慮すれば
よい。即ち、レーザ加工装置１０の半導体ウェーハ内チ
ップ・ソート又はチップ内ヒューズ・ソートにおいて
は、巡回セールスマン問題をＬ・Ｋ法で解決する場合、
上記した図１５〜図１９に示すように、加工終了時に、
加工開始の地点に戻る必要がない。

【０１２２】従って、地点Ａ→地点Ｉ間に関しては、Ｌ
・Ｋ法を求める対象から外すことによって、より簡易に
最適経路を求めることができる。又、Ｌ・Ｋ法によって
最適経路を求めるにあたり、図２０に示すように、１つ
最適経路が得られた場合に、更に、強制的にねじれを修
正する手法を導入して、更なるウェーハ内チップ・ソー
ト又はチップ内ヒューズ・ソートの最適化を図ることも
可能である。

【０１２３】このようにＬ・Ｋ法を適用することによっ
て、上記したように、ウェーハ内チップ・ソートにおい
て、加工対象チップ２，２…を結ぶ最適経路（図２１）
が、レーザ加工装置１０の主制御装置５０によって、短
期間で算出することができるようになる。次に、上記し
たメイン・ルーチン（図２）のステップＳ３で実行され
るチップ内ヒューズ・ソート処理について、図５、図６
を用いて詳細に説明する。

【０１２４】レーザ加工処理が、このサブルーチンに入
ると、先ず、図５のステップＳ３０１で、実際に、当該
加工対象チップ２内で分布する加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…のヒューズ・ブロック分け
が行なわれる（図２２，図２３，図２４，図２５）。以
下、図２３の例に従って説明する。このヒューズ・ブロ
ック分けの手法は、前記した優先方向決定処理のサブル
ーチン（図３）のステップＳ１０７の加工対象がチップ
内ヒューズの場合と同様であり、その説明は省略する。
加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，…を予め当該レ
ーザ加工装置１０の動作特性に基づいて設定されたフラ
イ間隔以内の一方向に並ぶヒューズ群を、１つのヒュー
ズ・ブロックとしてブロック分け（ブロック化）を行
う。

【０１２５】ここで、一方向に隣り合う加工対象ヒュー
ズがフライ間隔以内ならフライブロックとして吸収され
るため、１つのフライブロックがフライ間隔より長くな
ることもある。ステップＳ３０１で、加工対象ヒューズ
ａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…が、例えば、図２３に
示すように、（ａ−ａ’），（ｂ−ｂ’），（ｃ−
ｃ’）…という具合に行われると、次のステップＳ３０
２では、当該加工対象チップ２内での第１のヒューズ・
ブロック（加工対象ブロック）が決定される。

【０１２６】この第１のヒューズ・ブロックは、上記し
たウェーハ内チップ・ソートに従って、例えば前回に処
理された加工対象チップ２における最終加工位置（最終
加工が行われたヒューズ・ブロックの最終加工位置）か
ら最短距離にある当該加工対象チップ２内のヒューズ・
ブロック（例えば、図２３の（ａ…ａ’））に設定され
る。

【０１２７】次のステップＳ３０３では、ソート済ヒュ
ーズ・ブロックカウンタのカウント値「ｎ」を「ｎ＋
１」に設定する。このソート済みヒューズ・ブロックカ
ウンタは、当該加工対象チップ２内のすべてのヒューズ
・ブロック（総数Ｎ）に対して処理が行われたかを確認
するためのカウンタである。しかして、後述するステッ
プＳ３１１の判別によって、当該カウント値「ｎ」が所
定の値「Ｎ」になるまで、ステップＳ３０３からステッ
プＳ３１１までの処理が繰り返し行われる。

【０１２８】次のステップＳ３０４では、今回（ｎ番目
のループ）のヒューズ・ブロックにおける最終加工位置
の座標が求められる（図２３の）。続くステップＳ３
０５では、上記求めた最終加工位置の座標に基づい
て、更に当該最終加工位置の近傍の領域（例えば、上記
最終加工位置に一番近い第１ヒューズ・ブロック（図２
３のヒューズ・ブロック（ｂ…ｂ’））と２番目に近い
第２ヒューズ・ブロック（ヒューズ・ブロック（ｃ…
ｃ’））が選択される。

【０１２９】次のステップＳ３０６では、今回（ｎ番目
のループ）の最終加工位置（前記ステップＳ３０４で
求められた座標）から第１ヒューズ・ブロック（ｂ…
ｂ’）の最終加工位置までの距離「Ｌ１」と、該今回
の最終加工位置から第２ヒューズ・ブロック（ｃ…
ｃ’）の最終加工位置までの距離「Ｌ２」が算出さ
れ、更に、これらの値を、当該レーザ加工装置１０の特
性に応じて修正した値「Ｌ１’」，「Ｌ２’」が以下の
手順で求められる。

【０１３０】先ず、今回の最終加工位置から第１ヒュ
ーズ・ブロックの最終加工位置までの距離Ｌ１を求
め、このＬ１の値のＸ方向成分「Ｌ１x」、Ｙ方向成分
「Ｌ1y」に対して重み係数「Ｋx」，「Ｋy」を用いた補
正が、以下の算出式に従って行われる。 Ｌ１’＝｛（Ｋx＊Ｌ１x）²＋（Ｋy＊Ｌ１y）²｝^1/2 一方で、前記最終加工位置から第２ヒューズ・ブロッ
クの最終加工位置までの距離「Ｌ２」が求められ、こ
の「Ｌ２」の値のＸ方向成分「Ｌ２x」、Ｙ方向成分
「Ｌ２y」に対して重み係数「Ｋx」，「Ｋy」を用いた
補正が、以下の算出式に従って行われる。

【０１３１】 Ｌ２’＝｛（Ｋx＊Ｌ２x）²＋（Ｋy＊Ｌ２y）²｝^1/2 ここで、「重み」づけのための係数「Ｋx」，「Ｋy」
は、上記した優先方向決定処理（図３）のステップＳ１
０１において、加工対象チップ２内の加工対象ヒュー
ズ、又は、チップ内の加工対象となり得る全ヒューズａ
…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…の並びが、Ｘ方向，Ｙ方
向の何れか一方向に特化していた場合に、及び、半導体
ウェーハ内の加工対象チップ又は加工対象となり得る全
チップに対して、その並びがＸ方向，Ｙ方向の何れか一
方向に特化していた場合に、その特化の様子に合わせて
適宜設定されるものである。尚、特化されていない場合
には、通常は、Ｋx＝１，Ｋy＝１に設定される。

【０１３２】これらの係数は、ステップＳ３０５にて、
第１ヒューズブロック（近傍ブロック）と第２ヒューズ
ブロック（近傍ブロック）を求めるとき、及び、ステッ
プＳ３０６にて距離「Ｌ１’」，「Ｌ２’」を求めると
きの「重み」づけ係数として適用される。次のステップ
Ｓ３０７では、上記求められた２つの値「Ｌ１’」，
「Ｌ２’」が比較され、値「Ｌ２’」が「Ｌ１’」以上
のとき（ステップＳ３０７の判別結果が“YES”のと
き）、ステップＳ３０８に進んで上記第１ヒューズ・ブ
ロック（図２３の（ｂ…ｂ’））を、次のレーザ加工を
施すべきヒューズ・ブロック（次候補）に設定して、ス
テップＳ３１０に進む。

【０１３３】一方、上記求めた値「Ｌ２’」が値「Ｌ
１’」未満のとき（ステップＳ３０７の判別結果が“N
O”のとき）、ステップＳ３０９に進んで上記第２ヒュ
ーズ・ブロック（図２３の（ｃ…ｃ’））を、次候補に
設定して、ステップＳ３１０に進む。このように、今回
のヒューズ・ブロックにおける最終加工位置の近傍の第
１ヒューズ・ブロックと第２ヒューズ・ブロックを求
め、今回のヒューズ・ブロックの最終加工位置から第１
ヒューズ・ブロックの最終加工位置までの距離「Ｌ１」
と、第２ヒューズ・ブロックの最終加工位置までの距離
「Ｌ２」とを比較して、ヒューズ・ブロック間の最適経
路を求める手法（第１のアルゴリズム、請求項９，請求
項１４，請求項２４に対応）を用いることによって、簡
易にその最適経路を得ることができる。

【０１３４】又、上記距離「Ｌ１」，「Ｌ２」に対し
て、Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させるかに応じて設定
される重み係数「Ｋx」，「Ｋy」を用いた補正を行って
「Ｌ１’」，「Ｌ２’」を得る手法（第２のアルゴリズ
ム、請求項１０，請求項１５，請求項２５に対応）を用
いることによって、当該レーザ加工装置１０の動作特性
に応じて、その最適経路を得ることができる。

【０１３５】特に、この第２のアルゴリズムは、図２４
に示すようにヒューズ・ブロックが配置されている場合
に有用である。今仮に、図２４中のヒューズ・ブロック
（ａ…ａ’）の次に加工を行うヒューズ・ブロックを決
定する場合を考える。単に、ヒューズ・ブロック（ａ…
ａ’）の最終の加工位置（ロ）から、これに近い２つの
ヒューズ・ブロック（ｂ…ｂ’）（ｃ…ｃ’）の各々の
最終の加工位置（ニ）（ホ）を考えた場合、（ロ）→
（ニ）間の距離Ｌ１は、（ロ）→（ホ）間の距離Ｌ２よ
り長いため、上記した第２のアルゴリズムを適用しなけ
れば、このチップ内ヒューズ・ソートによる最適経路は
図中実線に示すようになり、必ずしも、最適の経路が得
られない。しかして、上記したＸ方向（又はＹ方向）を
優先させる第２のアルゴリズムを適用して、距離Ｌ１，
Ｌ２を重み係数「Ｋx」，「Ｋy」で補正すれば、その係
数「Ｋx」，「Ｋy」によってＬ１の方が短くなり、図２
４の破線で示す最適経路が得られる。

【０１３６】次のステップＳ３１０では、上記設定され
た次候補のヒューズ・ブロック内でのレーザ加工方向が
決定される。このレーザ加工方向の決定は、図６に示す
次候補ブロックの加工方向の決定処理のサブルーチンに
従って行われる。以下、図２３を参照して説明する。こ
のサブルーチンが開始されると、先ず、ステップＳ４０
１で、今回の最終加工位置（図２３のヒューズ・ブロッ
ク（ａ…ａ’）の）→次候補のヒューズ・ブロック内
で今回の最終加工位置に最も近い加工位置（図２３の
ヒューズ・ブロック（ｃ…ｃ’）の）→次候補のヒュ
ーズ・ブロック内で今回の最終加工位置に最も遠い加工
位置（図２３のヒューズ・ブロック（ｃ…ｃ’）の）
→次々回のヒューズ・ブロック内で次候補のヒューズ・
ブロック（ｃ…ｃ’）に最も近い加工位置（図２３のヒ
ューズ・ブロック（ｂ…ｂ’）の）までの経路ＬＭ
（図２３の実線）が求められる。

【０１３７】次のステップＳ４０３では、今回の最終加
工位置（図２３のヒューズ・ブロック（ａ…ａ’）の
）→次候補のヒューズ・ブロック内で今回の最終加工
位置から最も遠い加工位置（図２３のヒューズ・ブロ
ック（ｃ…ｃ’）の）→次候補のヒューズ・ブロック
内で今回の最終加工位置に最も近い加工位置（図２３の
ヒューズ・ブロック（ｃ…ｃ’）の）→次々回のヒュ
ーズ・ブロック内で次候補のヒューズ・ブロック（ｃ…
ｃ’）に最も近い加工位置（図２３のヒューズ・ブロッ
ク（ｂ…ｂ’）の）までの経路ＬＮ（図２３の破線）
が求められる。

【０１３８】ところで、経路ＬＭ，ＬＮを求めるに当た
っては、次々回のヒューズ・ブロックの加工位置（図２
３の）の座標を求める必要があるが、上記した第１近
傍ブロックと第２近傍ブロックのうち、次候補に設定さ
れなかった方のブロックを、次々回のヒューズ・ブロッ
クと推定して、その加工位置（図２３の）の座標がこ
れに代えて用いられる。

【０１３９】続くステップＳ４０５では、上記求められ
た経路ＬＭと経路ＬＮが比較され、経路ＬＭが経路ＬＮ
より短いとき（ステップＳ４０５の判別結果が“NO”の
とき）、ステップＳ４０７に進んで、次回にレーザ加工
を行うヒューズ・ブロック（次回加工ブロック）におけ
る加工方向を、今回の最終加工位置（図２３の）に近
い加工位置（図２３の）から遠い加工位置（図２３の
）に向う方向に決定して、本ルーチンを終了する。

【０１４０】一方、ステップＳ４０５の判別結果が“YE
S”、即ち、経路ＬＮが経路ＬＭより短いときには、ス
テップＳ４０９に進んで、加工方向を、今回の最終加工
位置（図２３の）から遠い加工位置（図２３の）か
ら近い加工位置（図２３の）に向う方向に決定して、
本ルーチンを終了する。このように、次候補のヒューズ
・ブロック（図２３のヒューズ・ブロック（ｃ…
ｃ’））での加工方向を決定する際に、今回のレーザ加
工の最終加工位置（図２３の）から次々回の加工を行
うヒューズ・ブロック（図２３のヒューズ・ブロック
（ｃ…ｃ’））の最も近い加工位置（図２３の）に至
るまでの経路ＬＭ，ＬＮの距離を、実際に１の加工方向
（図２３のからに向かう加工方向）と他の加工方向
（図２３のからに向かう加工方向）を想定して算出
し、該算出した経路ＬＭ，ＬＮを、互いに比較して加工
方向を決定する手法（第３のアルゴリズム、請求項１
１、請求項１６、請求項２６に対応）を用いることによ
って、図２３の破線で示すように、当該ヒューズ・ブロ
ック間を結ぶ最適経路を得ることができる。

【０１４１】図５の説明に戻り、ステップＳ３１０で上
記のように加工方向が決定されると、次のステップＳ３
１１では、上記したソート済ヒューズ・ブロックカウン
タのカウント値「ｎ」が、すべてのヒューズ・ブロック
を表す総数「Ｎ」以上になったか否かの判別結果が行わ
れ、この判別結果が“NO”であるうちは、前記ステップ
Ｓ３０３に戻ってその処理を繰り返し、判別結果が“YE
S”に転じた時点で、当該加工対象チップ２内のヒュー
ズ・ブロック（ａ…ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…
ｃ’）…に対するチップ内ヒューズ・ソートが完了した
と判断して、本ルーチンを終了する。

【０１４２】又、上記ステップＳ３０６での演算に用い
られる係数「Ｋx」を設定するにあたり、上記優先方向
決定処理（図３）のステップＳ１０２での判別結果が
“YES”のとき、「Ｋx」＝（ｎx／Ｎx），「Ｋｙ」＝１
と設定してもよい。更に、上記係数「Ｋy」を設定する
にあたり、上記優先方向決定処理のステップＳ１０３で
の判別結果が“YES”のとき、「Ｋy」＝（ｎy／Ｎy），
「Ｋx」＝１と設定してもよい。

【０１４３】このように、次のヒューズ・ブロック（次
候補）を、今回（ｎ番目のループ）の最終加工位置か
ら、次のヒューズ・ブロックの最終加工位置までの距離
「Ｌ１」，「Ｌ２」に基づいて決定することによってそ
のチップ内ヒューズ・ソートが図２２、図２３，図２
４，図２５に示すような最適な経路に決定される。この
結果、従来のように次のヒューズ・ブロック（次候補）
を今回の最終加工位置から、次のヒューズ・ブロックの
加工開始位置までの距離に基づいて決定する場合（例え
ば、図３４、図３５に示す経路）に比べて、チップ内ヒ
ューズ・ソートの最適化を図ることができる。因みに、
この第１の実施形態で説明した発明によれば、従来の手
法によって図３４に示すような加工経路となっていたも
のが、図２２に示すようにその加工経路が最適化される
ようになる。又、従来、図３５に示すような経路となっ
ていたものは、第１の実施形態の発明によれば図２５に
示すようにその加工経路の最適化が図られるようにな
る。

【０１４４】特に、図２５に示すチップ内ヒューズ・ソ
ートでは、第２のアルゴリズムを用いた手法によって、
Ｘ−Ｙステージ２１のＸ方向又はＹ方向への移動（方向
転換）が従来（図３５）に比べて少なくなるため、レー
ザ加工の効率が高められ、折り返しを少なくできる分、
最高のスループットが得られる。

【０１４５】尚、この第１の実施形態では、チップ内ヒ
ューズ・ソートにおいて、第１、第２、第３のアルゴリ
ズムを用いてレーザ加工の最適経路を求める例をあげて
説明したが、第１のアルゴリズムのみで最適経路を求め
てもよく、又、第１のアルゴリズムと第２のアルゴリズ
ムとの組み合わせ、第１のアルゴリズムと第３のアルゴ
リズムとの組み合わせでチップ内ヒューズ・ソート、更
にはウェーハ内チップ・ソートにおける最適経路を決定
してもよい。

【０１４６】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
について、図２６，図２７を用いて説明する。この第２
の実施形態は、チップ内ヒューズ・ソートの手法のみ
が、上記した第１の実施形態と異なる。従って、レーザ
加工装置１０の構成（図１）、更には、主制御装置５０
で実行される、チップ内ヒューズ・ソート処理以外のプ
ログラム（図２〜図４、図６）は、上記した第１の実施
形態と全く同一であり、その説明は省略する。尚、この
第２の実施形態は、請求項１から請求項５、請求項８か
ら請求項１３、請求項１５から請求項２１、請求項２
３、請求項２５、請求項２６に対応する。

【０１４７】図２６は、第２の実施形態において、メイ
ン・ルーチン（図２）のステップＳ３で実行されるチッ
プ内ヒューズ・ソート処理を示すサブルーチンである。
上記した第１の実施形態と同様に、メイン・ルーチンの
ステップＳ１でＸ方向，Ｙ方向の何れを優先させるかが
決定され、次いで、メイン・ルーチンのステップＳ２の
ウェーハ内チップ・ソート処理で半導体ウェーハ１内の
加工対象チップ２，２…のレーザ加工の順が決定される
と、メイン・ルーチンのステップＳ３にて、図２７に示
すチップ内ヒューズ・ソート処理が開始される。

【０１４８】先ず、図２７のステップＳ５０１で、前述
したステップＳ３０１と同様に、加工対象ヒューズａ…
ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…のヒューズ・ブロック分け
が行なわれる（図２７）。

【０１４９】次のステップＳ５０２では前述したステッ
プＳ３０２と同様に、当該加工対象チップ２内での第１
のヒューズ・ブロック（加工対象ブロック）が決定され
る。次のステップＳ５０３では前述したステップＳ３０
３と同様に、ソート済ヒューズ・ブロックカウンタのカ
ウント値「ｎ」が「ｎ＋１」に設定される。次のステッ
プＳ５０４では前述したステップＳ３０４と同様に、今
回（ｎ番目のループ）のヒューズ・ブロックにおける最
終加工位置（例えば図２７の）の座標が求められる。

【０１５０】続くステップＳ５０５では前述したステッ
プＳ３０５と同様に、上記求めた最終加工位置の座標に
基づいて、更に当該最終加工位置の近傍の領域（例え
ば、上記最終加工位置に一番近い第１ヒューズ・ブロッ
ク（例えば図２７のヒューズ・ブロック（ｂ…ｂ’））
と２番目に近い第２ヒューズ・ブロック（例えばヒュー
ズ・ブロック（ｃ…ｃ’））が選択される。

【０１５１】次のステップＳ５０６では、今回（ｎ番目
のループ）の最終加工位置から第１ヒューズ・ブロッ
ク（ｂ…ｂ’）の最も近い最初の加工位置までの距離
「Ｌ１１」と、該今回の最終加工位置から第２ヒュー
ズ・ブロックの最も近い最初の加工位置までの距離
「Ｌ２１」が算出され、更に、これらの値を、当該レー
ザ加工装置１０の特性に応じて修正した値「Ｌ１
１’」，「Ｌ２１’」が以下の手順で求められる。

【０１５２】先ず、今回の最終加工位置から第１ヒュ
ーズ・ブロックの最初の加工位置までの距離Ｌ１１を
求め、このＬ１１の値のＸ方向成分「Ｌ１１x」、Ｙ方
向成分「Ｌ１１y」に対して重み係数「Ｋx」，「Ｋy」
を用いた補正が、以下の算出式に従って行われる。 Ｌ１１’＝｛（Ｋx＊Ｌ１１x）²＋（Ｋy＊Ｌ１１y）²｝
^1/2 一方で、前記最終加工位置から第２ヒューズ・ブロッ
クの最初の加工位置までの距離「Ｌ２１」が求めら
れ、この「Ｌ２１」の値のＸ方向成分「Ｌ２１x」、Ｙ
方向成分「Ｌ２１y」に対して重み係数「Ｋx」，「Ｋ
y」を用いた補正が、以下の算出式に従って行われる。

【０１５３】 Ｌ２１’＝｛（Ｋx＊Ｌ２１x）²＋（Ｋy＊Ｌ２１y）²｝
^1/2 ここで、係数「Ｋx」，「Ｋy」は、上記した第１の実施
形態の係数「Ｋx」，「Ｋy」と同様に決定される。次の
ステップＳ５０７では、上記求められた２つの値「Ｌ１
１’」，「Ｌ２１’」が比較され、値「Ｌ２１’」が
「Ｌ１１’」以上のとき（ステップＳ５０７の判別結果
が“YES”のとき）、ステップＳ５０８に進んで上記第
１ヒューズ・ブロックを、次のレーザ加工を施すべきヒ
ューズ・ブロック（次候補）に設定して、ステップＳ５
１０に進む。

【０１５４】一方、上記求めた値「Ｌ２１’」が値「Ｌ
１１’」未満のとき（ステップＳ５０７の判別結果が
“NO”のとき）、ステップＳ５０９に進んで上記第２ヒ
ューズ・ブロックを、次候補に設定して、ステップＳ５
１０に進む。このように、今回のヒューズ・ブロックに
おける最終加工位置の近傍の第１ヒューズ・ブロック
と第２ヒューズ・ブロックを求め、今回のヒューズ・ブ
ロックの最終加工位置から第１ヒューズ・ブロックの
最初の加工位置までの距離「Ｌ１１」と、第２ヒュー
ズ・ブロックの最初の加工位置までの距離「Ｌ２１」
とを比較して、ヒューズ・ブロック間の最適経路を求め
る手法（第４のアルゴリズム、請求項８，請求項１３，
請求項２３に対応）を用いることによって、簡易にその
最適経路を得ることができる。

【０１５５】この場合にも、上記距離「Ｌ１１」，「Ｌ
２１」に対して、Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させるか
に応じて設定される重み係数「Ｋx」，「Ｋy」を用いた
補正を行って「Ｌ１’」，「Ｌ２’」を得る手法（第２
のアルゴリズム、請求項１０，請求項１５，請求項２５
に対応）が用いられ、これによって、当該レーザ加工装
置１０の動作特性に応じた最適経路が得られる。

【０１５６】次のステップＳ５１０では、前述したステ
ップＳ３１０と全く同様に、上記設定された次候補のヒ
ューズ・ブロック内でのレーザ加工方向が決定される
（第３のアルゴリズム）。このステップＳ５１０で、次
候補のヒューズ・ブロック（図２７のヒューズ・ブロッ
ク（ｂ…ｂ’））での加工方向を決定する際に、今回の
レーザ加工の最終加工位置（図２７の）から次々回の
加工を行うヒューズ・ブロック（図２７のヒューズ・ブ
ロック（ｃ…ｃ’））の加工位置（図２７の）に至る
までの経路ＬＭ１，ＬＮ１の距離を、実際に１の加工方
向（図２７のからに向かう加工方向）と他の加工方
向（図２７のからに向かう加工方向）を想定して算
出し、該算出した経路ＬＭ，ＬＮを、互いに比較して加
工方向を決定する手法（第３のアルゴリズム、請求項１
１、請求項１６、請求項２６に対応）を用いることによ
って、図２７の破線で示すように、当該ヒューズ・ブロ
ック間を結ぶ最適経路を得ることができる。

【０１５７】ステップＳ５１０で上記のように加工方向
が決定されると、次のステップＳ５１１では前述したス
テップＳ３１１と同様に、ソート済ヒューズ・ブロック
カウンタのカウント値「ｎ」が「Ｎ」以上になったか否
かの判別結果が行われ、この判別結果が“NO”であるう
ちは、前記ステップＳ５０３に戻ってその処理を繰り返
し、判別結果が“YES”に転じた時点で、当該加工対象
チップ２内のヒューズ・ブロック（ａ…ａ’），（ｂ…
ｂ’），（ｃ…ｃ’）…に対するチップ内ヒューズ・ソ
ートが完了したと判断して、本ルーチンを終了する。

【０１５８】又、次回の加工を行うヒューズ・ブロック
を決定するにあたり、今回の加工が行われたヒューズ・
ブロックの近傍にある３以上のヒューズ・ブロックを、
次候補を決定するに当って選択するようにしてもよい。
尚、この第２の実施形態では、チップ内ヒューズ・ソー
トにおいて、第２、第３、第４のアルゴリズムを用いて
レーザ加工の最適経路を求める例をあげて説明したが、
第４のアルゴリズムのみで最適経路を求めてもよく、
又、第２のアルゴリズムと第４のアルゴリズムとの組み
合わせ、第３のアルゴリズムと第４のアルゴリズムとの
組み合わせで最適経路を決定してもよい。

【０１５９】（第３の実施形態）次に、第３の実施形態
について、図２８〜図３２を用いて説明する。この第３
の実施形態は、図２８に示すように、多数のチップ２，
２…を有する半導体ウェーハ１において、１つのチップ
２をそのまま１つの加工対象チップとして扱ってウェー
ハ内チップ・ソート／チップ内ヒューズ・ソートを実行
する手順と、複数のチップ２，２，…を１つの加工対象
チップ２Ｂとみなしてウェーハ内チップ・ソート／チッ
プ内ヒューズ・ソートを実行する手順とを、操作者が選
択できるようにした点が、上記した第１，第２の実施形
態と異なる。尚、レーザ加工装置１０の構成（図１）
は、上記した第１の実施形態と同一であり、従ってその
詳細な説明は省略する。又、この第３の実施形態は、請
求項１から請求項７、請求項９から請求項１２、請求項
１４から請求項２２、請求項２４から請求項２６に対応
する。

【０１６０】以下、レーザ加工装置１０の主制御装置５
０で実行されるレーザ加工処理について説明する。図２
９のメイン・ルーチンに示すように、レーザ加工処理が
開始されると、先ず、ステップＳ６０１でチップ内の加
工対象となり得る全ヒューズの分布状態、加工対象チッ
プ２内の加工対象ヒューズ（図３２参照）ａ，…ａ’，
ｂ，…ｂ’…の分布状態、加工対象チップ２，２…の分
布状態を分析し、Ｘ方向・Ｙ方向の一方を優先させた加
工の経路の演算等を行い、これらの分析結果、演算結果
等に基づいて、Ｘ方向，Ｙ方向の何れを優先させてレー
ザ加工処理を行うかの決定がなされる（優先方向決定処
理）。

【０１６１】尚、この優先方向決定処理の具体的な手順
は、第１の実施形態で説明した優先方向決定処理（図
３）と同じであり、その詳細な説明は省略する。次のス
テップＳ６０２では、半導体ウェーハ１内の各加工対象
チップ２，２…（図２８）に対して、どのような順序で
レーザ加工を行うか、即ち、レーザ加工を施すべき複数
の加工対象チップ２，２…を認識し、これら認識された
複数の加工対象チップ２，２…に対し、如何なる順序で
レーザ加工を行うかが決定される（詳細は後述するウェ
ーハ内チップ・ソート処理（図２９））。

【０１６２】続くステップＳ６０３〜ステップＳ６０７
では、半導体ウェーハ１内のチップ２，２，…に対し
て、１つのチップをそのまま１つの加工対象チップと扱
って、後述のチップ内ヒューズ・ソートを行うか（１チ
ップ内ヒューズ・ソート）、複数のチップ２，２，…か
らなるチップ群（グループ、ブロック）にグループ化
し、これを１つの加工対象チップ２Ｂ（図３１）として
扱って（２以上のチップを１つの領域とみなして）、チ
ップ内ヒューズ・ソートを行うか（マルチ・チップ内ヒ
ューズ・ソート）が決定される。

【０１６３】即ち、ステップＳ６０３では、操作者によ
る主制御装置５０への入力操作等によって、１チップ毎
のヒューズ・ソートが指示されているか否かが判別され
る。このステップＳ６０３の判別結果が“YES”のとき
には、ステップＳ６０４に進んで１チップをそのまま１
つの加工対象チップ（１つのチップが１つの領域）とし
て扱って、ヒューズ・ソートを行うべきであることを記
憶する。

【０１６４】前記ステップＳ６０３の判別結果が“NO”
のとき、即ち、マルチ・チップ内ヒューズ・ソートを行
うことが指示されている場合には、更にステップＳ６０
５に進み、マルチ・チップ内ヒューズ・ソートを行うに
当たって、ブロック単位のグループ分けを操作者等が指
示しているか否かが判別される。このステップＳ６０５
の判別結果が“YES”のときには、ステップＳ６０６に
進んで、予め定められた製品毎、又はロット毎の値（例
えばＮ×Ｍ）に基づいてチップ２，２，…を、縦Ｎ個、
横Ｍ個のチップからなるチップ群（ブロック）とし、こ
れを１つの加工対象チップ（１つのブロックが１つの領
域（マルチ・チップ））とみなして、ヒューズ・ソート
を行うべきであることを記憶する。ここで「Ｍ」，
「Ｎ」は、半導体ウェーハ１内でのチップ２，２，…の
配列、及び「Ｍ×Ｎ」でブロック化された領域内の加工
ヒューズの配置に着目して、即ち、どのようにブロック
分けすればチップ２，２，…間の最適経路を得、しか
も、そのブロック内の加工ヒューズに対して、最適なレ
ーザ加工の経路を得ることができるかを考慮して予め製
品毎、又はロット毎に決定された値である。

【０１６５】一方、前記ステップＳ６０５の判別結果が
“NO”のとき、即ち、ブロック分けが指示されていない
場合には、ステップＳ６０７に進み、マルチ・チップ内
ヒューズ・ソートを行うに当たって、半導体ウェーハ１
内の加工対象のヒューズの分布等に基づいたグループ分
け（１つのグループが１つの領域（マルチ・チップ））
を操作者等が指示していると判断して、後述のウェーハ
内チップ・ソート処理（図３０）により優先方向に基づ
いてグループ分けされたグループを１つの加工対象チッ
プとみなして、ヒューズ・ソートを行うべきであること
を記憶する。尚、このステップＳ６０７の処理には、図
３０のウェーハ内チップ・ソートにおいて、ブロック分
け後にグループ分けが適用されている場合も含まれる。

【０１６６】このように半導体ウェーハ１内の複数のチ
ップ２，２，…について、１チップをそのまま１つの加
工対象チップ２とみなしてチップ内ヒューズ・ソートを
行うか（１チップ内ヒューズ・ソート）、ブロック分け
若しくはグループ分けされた複数のチップ２，２，…を
１つの加工対象チップ（マルチ・チップ）とみなしてマ
ルチ・チップ内ヒューズ・ソートを行うかがが決定され
ると、ステップＳ６０８でこれらの判別結果に応じて、
実際に、「１チップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソ
ート」が行われる（図３１）。

【０１６７】この場合、ステップＳ６０８の「１チップ
又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート」では、１チッ
プとみなされた１つの加工対象チップ（図３２に示す例
では、３つのチップ２，２，２が１つの加工対象チップ
２Ｂとみなされる）のヒューズ・ブロック（ａ…
ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’），…）に対して、
どのような順序で、当該ヒューズ・ブロック（ａ…
ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’），…に対するレー
ザ加工を行うかが決定される（詳細は後述する１チップ
又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理（図３
１））。

【０１６８】続く、ステップＳ６０９では、上記ステッ
プＳ６０２で決定したウェーハ内チップ・ソートに従っ
て、今回レーザ加工をすべき加工対象チップ２又は加工
対象チップ２Ｂ（マルチ・チップ）を特定し、更に、そ
の中のヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…に対し
て、前記ステップＳ６０８で決定したチップ内ヒューズ
・ソートに従って実際にＸ−Ｙステージ２１を移動さ
せ、個々のヒューズａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’…に
レーザ加工装置１０の対物レンズ３４（レーザ光Ｌａ１
の光軸）を対向させ、レーザ光Ｌａ１の光軸を当該ヒュ
ーズに合わせてレーザ加工を行う（レーザ光照射処
理）。

【０１６９】次に、上記したメイン・ルーチン（図２
９）のステップＳ６０２で実行されるウェーハ内チップ
・ソート処理について、図３０を用いて説明する。処理
がこのウェーハ内チップ・ソート処理に移ると、先ず、
ステップＳ７０１で半導体ウェーハ１内のチップ２，
２，…をブロック分けするか否かが判別される。このス
テップＳ７０１の判別は、前記したメイン・ルーチンの
ステップＳ６０５と同じ手法で行われる。

【０１７０】このステップＳ７０１の判別結果が“YE
S”のときには、ステップＳ７０２に進み、製品毎の値
（例えばＫ×Ｌ）に基づいてチップ２，２，…を、縦Ｋ
個、横Ｌ個のチップからなるブロック（１つの領域）と
認識し、これを１つの加工対象チップとして（マルチ・
チップ）、ステップＳ７０４以降の処理を行う。ここで
「Ｋ」，「Ｌ」は、半導体ウェーハ１内でのチップ２，
２，…の配列に着目して、即ち、どのようにブロック分
けすればチップ２，２，…間の最適経路を得ることがで
きるかを考慮して予め製品毎、又はロット毎に決定され
た値である。この「Ｋ」，「Ｌ」の値の決定は、前記し
た「Ｍ」，「Ｎ」と個別の目的で行われるため、同一の
値、互いに異なる値のどちらともなり得る。

【０１７１】一方、ステップＳ７０１の判別結果が“N
O”のときには、ステップＳ７０３に進み、１つのチッ
プ２，２，…をそのまま１つの加工対象チップとして扱
い、ステップＳ７０４以降の処理を行う。続く、ステッ
プＳ７０４では、Ｘ方向優先フラグ、Ｙ方向優先フラグ
に基づいて、当該半導体ウェーハ１に対するレーザ加工
をＸ方向優先、Ｙ方向優先の何れによって行うかが判別
される。前記したＸ方向，Ｙ方向優先フラグは、メイン
・ルーチン（図２９）のステップＳ６０１で行われる優
先方向決定処理（第１の実施形態の図３参照）で決定さ
れる。

【０１７２】仮に、Ｘ方向優先フラグがセットされてい
ると、このステップＳ７０４の判別結果が“YES”にな
って、ステップＳ７０５でＸ方向を優先させた加工対象
チップ２，２…（又は２Ｂ，２Ｂ…）のグループ分けが
行われる（Ｘ方向→Ｙ方向→斜め）。反対に、Ｙ方向優
先フラグがセットされていると、このステップＳ７０４
の判別結果が“NO”になって、ステップＳ７０６でＹ方
向を優先させた加工対象チップ２，２…（又は２Ｂ，２
Ｂ…）のグループ分けが行われる（Ｙ方向→Ｘ方向→斜
め）。

【０１７３】このステップＳ７０５，ステップＳ７０６
のグループ分けは、ウェーハ内チップ・ソートにおける
グループ分けであり、この結果は、次のステップＳ７０
７の処理に反映される。Ｘ方向、Ｙ方向を各々優先させ
た場合の差異は、第１の実施形態の場合と同じ（図１
２）であり、その詳細な説明は省略する。

【０１７４】このようにＸ方向，Ｙ方向の何れかを優先
させたグループ分けが行わると、ステップＳ７０７に進
み、このグループ化されたチップ群に対して、巡回セー
ルスマン問題のアルゴリズムを用いた、最適経路の決定
が行われる。このステップＳ７０７における最適経路の
決定の手法も、上記した第１の実施形態の場合と同じで
あり、その詳細な説明は省略する。

【０１７５】次に、上記したメイン・ルーチン（図２
９）のステップＳ６０８で実行される「１チップ又はマ
ルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理」について、図３
１を用いて説明する。尚、ここでは３つのチップ２，
２，２が、１つの加工対象チップ２Ｂ（１つの領域）と
みなされた例（図３２）に従って説明する。処理が、こ
の「１チップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート処
理」に移ると、先ず、ステップＳ８０１で、前記したメ
イン・ルーチン（図２９）のステップＳ６０３〜ステッ
プ６０７で記憶された指示内容に従って、半導体ウェー
ハ１内のチップ２，２，…の各々が１つの加工対象チッ
プとして扱われたり、あるいは、ブロック分け若しくは
グループ分けされた複数のチップが１つの加工対象チッ
プと扱われ（みなされて）、この１つの加工対象チップ
に対して、その中の加工対象ヒューズａ…ａ’，ｂ…
ｂ’，ｃ…ｃ’…，ｌ…ｌ’のヒューズ・ブロック分け
が行なわれる（図３２）。

【０１７６】次のステップＳ８０２では、図５に示した
ステップＳ３０２（第１の実施形態）と同様に、加工対
象チップ２Ｂ（ここでは３つのチップ２，２，２からな
る）内での第１のヒューズ・ブロック（加工対象ブロッ
ク；例えば（ｂ…ｂ’））が決定される。そして、続く
ステップＳ８０３〜ステップＳ８１１では、第１の実施
形態の「チップ内ヒューズ・ソート」のステップＳ３０
３〜ステップＳ３１１と同様に処理が行われる。

【０１７７】即ち、ステップＳ８０３で、ソート済ヒュ
ーズ・ブロックカウンタのカウント値「ｎ」が「ｎ＋
１」に設定され、ステップＳ８０４で今回（ｎ番目のル
ープ）のヒューズ・ブロックにおける最終加工位置（例
えば、「ｂ’」）の座標が求められる。そして、ステッ
プＳ８０５で上記求めた最終加工位置（ｂ’）の座標に
基づいて、該最終加工位置（ｂ’）に最も近い第１ヒュ
ーズ・ブロック（ｅ…ｅ’）と２番目に近い第２ヒュー
ズ・ブロック（ｄ…ｄ’）とを選択し、続く、ステップ
Ｓ８０６で今回の最終加工位置（ｂ’）から第１ヒュー
ズ・ブロックの最も遠い最後の加工位置（ｅ’）までの
距離Ｌ１’と、該今回の最終加工位置（ｂ’）から第２
ヒューズ・ブロックの最も遠い最後の加工位置（ｄ）ま
での距離Ｌ２’が算出される。

【０１７８】ここで、通常は、今回の最終加工位置から
第１及び第２ヒューズ・ブロックの最も遠い最後の加工
位置までの各々の距離を比較するが、製品毎のヒューズ
の並びによっては、今回の最終加工位置から第１及び第
２ヒューズ・ブロックの最も近い最初の加工位置までの
各々の距離を比較してもよい。図３２に示すヒューズの
配置では、通常、Ｘ方向優先となるため距離の算出に重
み付けがなされて、（Ｌ１’＜Ｌ２’）となる。

【０１７９】ステップＳ８０７では、これら２つの値
「Ｌ１’」，「Ｌ２’」が実際に比較され、この比較結
果に基づいて、即ち、値「Ｌ２’」が「Ｌ１’」以上の
ときステップＳ８０８で上記第１ヒューズ・ブロック
を、次のレーザ加工を施すべきヒューズ・ブロック（次
候補）に設定し、値「Ｌ２’」が値「Ｌ１’」未満のと
きステップＳ８０９で上記第２ヒューズ・ブロックを、
次候補に設定して、各々、ステップＳ８１０に進む。

【０１８０】次のステップＳ８１０では、上記第１の実
施形態のステップＳ３１０と同じ手法で、次候補のヒュ
ーズ・ブロック内でのレーザ加工方向が決定される。ス
テップＳ８１０で上記のように加工方向が決定されると
（図３２の例では、図中、左から右）、次のステップＳ
８１１に進み、ソート済ヒューズ・ブロックカウンタの
カウント値「ｎ」が「Ｎ」以上になったか否かの判別結
果が行われ、この判別結果が“YES”に転じた時点で、
加工対象チップ２Ｂ内のすべてのヒューズ・ブロック
（ａ…ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’）…（ｌ…
ｌ’）に対するチップ内ヒューズ・ソートが完了したと
判断して、本ルーチンを終了する。

【０１８１】このように、複数のチップ２，２，…をブ
ロック分け又はグループ分けし、これを１つの領域（加
工対象チップ２Ｂ）とみなして、ウェーハ内チップ・ソ
ート処理（図３０）及び／又はチップ内ヒューズ・ソー
ト処理（図３１）を実行することで、図３２に示すよう
に、もともとのチップ２，２，…を超えて、ヒューズの
加工を行うことができ、特に、従来のように、１チップ
２，２…毎のチップ内ヒューズ・ソート処理を実行した
場合（図３６の一点鎖線）に比べて、移動距離（図３２
の点線）は著しく短くなり、更に、レーザ加工の経路の
方向転換の回数も飛躍的に減少できる。この結果、同じ
数のヒューズに対してレーザ加工を行う場合、その処理
時間が大幅に短縮できる。又、レーザ加工の経路が単純
になる分、３４の移動速度自体を速めることもできる。

【０１８２】特に、図１に示すレーザ加工装置１０のよ
うに加工部３４を固定するレーザ加工装置１０では、Ｘ
−Ｙステージ２１側を移動しなければならないため、そ
の経路の最適化は、レーザ加工装置１０にてより顕著な
作用効果を奏する。尚、この第３の実施形態でも、チッ
プ内ヒューズ・ソートにおいても、前述した第４のアル
ゴリズムのみで最適経路を求めてもよく、又、第２のア
ルゴリズムと第４のアルゴリズムとの組み合わせ、第３
のアルゴリズムと第４のアルゴリズムとの組み合わせで
最適経路を決定してもよい。

【０１８３】又、第１〜第３の実施形態では、Ｘ方向、
Ｙ方向の何れを優先させるかを、図３に示すプログラム
を実行することにより求めるようにしているが、当該メ
イン・ルーチン（図２，図２９）に先だって、予め設計
データ等に基づいて求めておいてもよい。又、第１〜第
３の実施形態では、上記したレーザ加工処理のプログラ
ムを、主制御装置５０を構成するマイクロコンピュータ
の内部メモリ（例えばＲＯＭ）に記憶する例をあげて説
明したが、ＣＤ−ＲＯＭ等の外部の記憶媒体等に記憶し
てもよい。

【０１８４】又、ＡＳＩＣや、ゲートアレイ、ＰＣＢ等
を用いて、本発明をハード的に実現してもよい。又、上
記第１〜第３の実施形態では、Ｘ−Ｙステージ２１が、
対物レンズ（加工部）３４に対して相対的に移動される
ようになっているが、反対に、対物レンズ３４をＸ−Ｙ
ステージ２１に対して相対的に移動させてもよいし、Ｘ
−Ｙステージ２１と対物レンズ（加工部）３４の両方を
同時に動作させてもよい。

【０１８５】

【発明の効果】以上説明した請求項１又は請求項２の発
明によれば、加工装置における加工部の移動経路を決定
するにあたり、複数の領域を結ぶ最適経路が、当該加工
装置の特性等に応じて決定され、加工の効率が高めら
れ、スループットが向上する。又、請求項３又は請求項
４の発明によれば、認識された複数の領域を、巡回セー
ルスマン問題における都市（地点）とみなすだけで、こ
れら複数の領域を結ぶ最適経路が容易で且つ短期間の演
算で得られるので、加工の効率が高められ、スループッ
トが向上する。

【０１８６】又、請求項５の発明によれば、複数の領域
がグループ化されて１つの領域とみなされるので、最適
経路の演算が簡略化され、演算に要する時間も短縮化さ
れ、加工の効率が高められ、スループットが向上する。
又、請求項６又は請求項７の発明によれば、加工装置の
特性に応じて、その加工部若しくはＸ−Ｙステージの移
動方向の変換の回数を少なく抑えて、加工の効率が高め
られ、スループットが向上する。

【０１８７】又、請求項８又は請求項９の発明によれ
ば、最適経路決定手段によって加工の経路が決定された
領域において、更に細分化された分割領域に対する加工
の経路の最適化が図られ、加工の効率が高められ、スル
ープットが向上する。又、請求項１０の発明によれば、
分割領域に対する加工の経路を当該Ｘ−Ｙステージの特
性に応じて最適化でき、加工の効率が高められ、スルー
プットが向上する。

【０１８８】又、請求項１１の発明によれば、分割領域
における加工方向の最適化を図って、加工の効率が高め
られ、スループットが向上する。又、請求項１２の発明
によれば、レーザ加工装置におけるレーザ加工の経路の
最適化が図られ、レーザ加工の効率が高められ、スルー
プットが向上する。

【０１８９】又、請求項１３又は請求項１４の発明によ
れば、最適経路決定手段によって認識された分割領域に
対する加工の経路の最適化が図られ、加工の効率が高め
られ、スループットが向上する。又、請求項１５の発明
によれば、認識された分割領域に対する加工の経路を当
該Ｘ−Ｙステージの特性に応じて最適化でき、加工の効
率が高められ、スループットが向上する。

【０１９０】又、請求項１６の発明によれば、認識され
た分割領域における加工方向の最適化を図って、加工の
効率が高められ、スループットが向上する。又、請求項
１７の発明によれば、半導体ウェーハに設けられた複数
のチップを結ぶ最適経路が求められ、レーザ加工の効率
が高められ、スループットが向上する。

【０１９１】又、請求項１８又は請求項１９の発明によ
れば、チップを、巡回セールスマン問題における都市
（地点）とみなすだけで、これら複数のチップを結ぶ最
適経路が容易で且つ短期間の演算で得られるので、半導
体ウェーハに対するレーザ加工の効率が高められ、スル
ープットが向上する。又、請求項２０の発明によれば、
複数のチップが２以上のグループ分けされて、これらグ
ループ間を結ぶ最適経路が求められるので、最適経路の
演算が簡略化され、演算に要する時間も短縮され、レー
ザ加工の効率が高められ、スループットが向上する。

【０１９２】又、請求項２１又は請求項２２の発明によ
れば、加工点の分布状態に応じて、Ｘ方向、Ｙ方向の何
れを優先させるかが決定されるので、当該レーザ加工装
置の特性に応じて、その加工部若しくはＸ−Ｙステージ
の移動方向の変換の回数を少なく抑え、効率のよいレー
ザ加工が可能になり、スループットが向上する。

【０１９３】又、請求項２３から請求項２６の発明によ
れば、チップ内の加工点（ヒューズ）に対して更に精細
なレーザ加工部又はＸ−Ｙステージの移動を行うにあた
り、ヒューズ・ブロック間最適経路決定手段によってヒ
ューズ・ブロック間の経路の最適化が図られるので、レ
ーザ加工の効率が高められ、スループットが向上する。
又、請求項２７の発明によれば、レーザ加工装置におい
て、媒体に記憶された当該プログラムを当該コンピュー
タに実行させることで、被加工物の加工面の複数の領域
を結ぶ最適経路が求められ、効率のよいレーザ加工が可
能になり、スループットが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態のレーザ加工装置１０の全体構
成図である。

【図２】第１の実施形態のレーザ加工処理のプログラム
を示すフローチャートである。

【図３】優先方向決定処理のサブルーチンを示すフロー
チャートである。

【図４】ウェーハ内チップ・ソート処理のサブルーチン
を示すフローチャートである。

【図５】チップ内ヒューズ・ソート処理のサブルーチン
を示すフローチャートである。

【図６】次候補ブロックの加工方向の決定処理のサブル
ーチンを示すフローチャートである。

【図７】チップ内のヒューズ位置を表すＸアドレス，Ｙ
アドレスを説明する図である。

【図８】チップ内のヒューズの分布状態を説明する図で
ある。

【図９】チップ内のヒューズの分布状態を説明する図で
ある。

【図１０】Ｙ方向に特化したチップ内のヒューズの分布
状態を説明する図である。

【図１１】Ｘ方向、Ｙ方向を各々優先させたときの経路
の差異を示す図である。

【図１２】半導体ウェーハ内のチップのグループ分けを
示す図である。

【図１３】Ｘ方向を優先させて決定された経路を示す図
である。

【図１４】Ｘ方向を優先させずに決定された経路を示す
図である。

【図１５】Ｌ・Ｋ法による経路の決定の手順を示す図で
ある。

【図１６】Ｌ・Ｋ法による経路の決定の手順を示す図で
ある。

【図１７】Ｌ・Ｋ法による経路の決定の手順を示す図で
ある。

【図１８】Ｌ・Ｋ法において２近傍交換によって経路を
決定する手順を示す図である。

【図１９】Ｌ・Ｋ法において２近傍交換によって経路を
決定する手順を示す図である。

【図２０】経路のねじれを強制的に除去する方法を示す
図である。

【図２１】Ｌ・Ｋ法によって決定されたウェーハ内チッ
プ・ソートを示す図である。

【図２２】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図２３】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図２４】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図２５】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図２６】第２の実施形態のチップ内ヒューズ・ソート
処理のサブルーチンを示すフローチャートである。

【図２７】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図２８】第３の実施形態にてブロック分け若しくはグ
ループ分けが行われる半導体ウェーハ１を示す図であ
る。

【図２９】第３の実施形態のレーザ加工処理のプログラ
ムを示すフローチャートである。

【図３０】ウェーハ内チップ・ソート処理のサブルーチ
ンを示すフローチャートである。

【図３１】１チップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソ
ート処理のサブルーチンを示すフローチャートである。

【図３２】ヒューズ・ブロックを結ぶ経路の決定に本発
明を適用した例を示す図である。

【図３３】従来の方法で決定されたウェーハ内のチップ
間の経路を示す図である。

【図３４】従来の方法で決定されたチップ内のヒューズ
・ブロック間の経路を示す図である。

【図３５】従来の方法で決定されたチップ内のヒューズ
・ブロック間の経路を示す図である。

【図３６】従来の方法で決定されたチップ内のヒューズ
・ブロック間の経路を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェーハ ２ 加工対象チップ １０ レーザ加工装置（加工装置） ２１ Ｘ−Ｙステージ（ステージ） ５０ 主制御装置（Ｘ−Ｙステージ制御部、ステージ制
御部） ａ…ａ’，ｂ…ｂ’，ｃ…ｃ’，ｄ…ｄ’，ｅ…ｅ’，
ｆ…ｆ’ ヒューズ （ａ…ａ’），（ｂ…ｂ’），（ｃ…ｃ’），（ｄ…
ｄ’），（ｅ…ｅ’），（ｆ…ｆ’），（ｇ…ｇ’），
（ｈ…ｈ’），（ｉ…ｉ’），（ｊ…ｊ’），（ｋ…
ｋ’），（ｌ…ｌ’） ヒューズ・ブロック

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加工物が搭載されるステージと、 該ステージ上の被加工物の加工面に加工を施す加工部
   と、 前記加工部と前記ステージの少なくとも一方を移動させ
   てこれらの相対的な位置関係を制御するステージ制御部
   とを備え、 該ステージ制御部は少なくとも、 前記加工面を複数の領域に分割して認識する領域認識手
   段と、 該領域認識手段によって認識された領域のすべてを結ぶ
   最適経路を、一括して演算して決定する最適経路決定手
   段と、 該最適経路に沿って、前記加工部が前記被加工物上を相
   対的に移動するように、該加工部と前記ステージとを相
   対的に移動させるステージ移動手段とを有することを特
   徴とする加工装置。
2. 【請求項２】 被加工物が搭載されるステージと、 該ステージ上の被加工物の加工面上の加工点に加工を施
   す加工部と、 前記加工部と前記ステージの少なくとも一方を移動させ
   てこれらの相対的な位置関係を制御するステージ制御部
   とを備え、 該ステージ制御部は少なくとも、 前記加工面を複数の領域に分割して認識する領域認識手
   段と、 該領域認識手段によって認識された各々の領域に加工点
   が含まれているかを認識する加工点認識手段と、 該加工点認識手段によって認識された少なくとも２以上
   の領域のすべてを結ぶ最適経路を決定する最適経路決定
   手段と、 該最適経路に沿って、前記加工部が前記被加工物上を相
   対的に移動するように、該加工部と前記ステージとを相
   対的に移動させるステージ移動手段とを有することを特
   徴とする加工装置。
3. 【請求項３】 前記最適経路決定手段は、前記最適経路
   を巡回セールスマン問題のアルゴリズムを用いて決定す
   ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加工
   装置。
4. 【請求項４】 前記最適経路決定手段は、前記最適経路
   をリン・アンド・カーニンハン法を用いて決定すること
   を特徴とする請求項３に記載の加工装置。
5. 【請求項５】 前記ステージ制御部は、更に、前記領域
   認識手段によって認識された複数の領域を１以上の領域
   からなるグループにグループ化してこのグループを１つ
   の領域とみなすグループ化手段を有し、 前記最適経路決定手段は、前記グループ化されて１つの
   領域とみなされた少なくとも２以上のグループのすべて
   を結ぶグループ間最適経路を求め、該グループ間最適経
   路に基づいて前記最適経路を決定することを特徴とする
   請求項１から請求項４の何れかに記載の加工装置。
6. 【請求項６】 前記ステージはＸ−Ｙステージであり、 前記グループ化手段は、前記加工点のＸ方向とＹ方向の
   分布状態に応じてＸ方向への移動、Ｙ方向への移動の何
   れを優先させるかを判定し、該判定の結果に基づいて前
   記グループ化を行うことを特徴とする請求項５に記載の
   加工装置。
7. 【請求項７】 前記グループ化手段は、前記被加工物の
   製品の種類毎に予め決定されたパターンに基づいて前記
   領域のグループ化を行うことを特徴とする請求項５に記
   載の加工装置。
8. 【請求項８】 前記最適経路決定手段は、前記領域を細
   分化し、該細分化した分割領域を認識し、当該領域内の
   今回加工を行った分割領域から同領域内の次回の加工を
   行う分割領域を決定するにあたり、 今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
   選択し、 今回加工を行った分割領域での最終の加工点と、前記２
   以上の分割領域内で前記最終の加工点に最も近い加工点
   との距離を各々算出し、 該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
   分割領域を、次回の加工を行う分割領域とすることを特
   徴とする請求項１、請求項２、請求項５から請求項７の
   何れかに記載の加工装置。
9. 【請求項９】 前記最適経路決定手段は、前記領域を細
   分化し、該細分化した分割領域を認識し、当該領域内の
   今回加工を行った分割領域から同領域内の次回の加工を
   行う分割領域を決定するにあたり、 今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
   選択し、 今回加工を行った分割領域での最終の加工点と、前記２
   以上の分割領域内で前記最終の加工点から最も遠い加工
   点若しくは最も近い加工点との距離を各々算出し、 該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
   分割領域を、次回の加工を行う分割領域とすることを特
   徴とする請求項１、請求項２、請求項５から請求項７の
   何れかに記載の加工装置。
10. 【請求項１０】 前記ステージはＸ−Ｙステージであ
    り、 前記最適経路決定手段は、今回の加工において優先させ
    るＸ方向若しくはＹ方向又は予め優先させるべく決定さ
    れたＸ方向若しくはＹ方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方
    向の何れかに重み付けを行って、前記距離の算出を行う
    ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の加工装
    置。
11. 【請求項１１】 前記ステージはＸ−Ｙステージであ
    り、 前記最適経路決定手段は、 今回の加工が行われた分割領域の最終の加工点から、前
    記次回の加工を行う分割領域を、任意の加工方向に従っ
    て経由して、次々回の加工を行う分割領域内の加工点に
    至る距離を算出し、該算出した距離が最短となるよう
    に、前記次回の加工を行う分割領域における加工方向を
    決定することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載
    の加工装置。
12. 【請求項１２】 前記加工部は、レーザビームを照射す
    るレーザ加工部であることを特徴とする請求項１から請
    求項１１の何れかに記載の加工装置。
13. 【請求項１３】 被加工物が搭載されるステージと、 該ステージ上の被加工物の加工面上の加工点に加工を施
    す加工部と、 前記加工部と前記ステージの少なくとも一方を移動させ
    てこれらの相対的な位置関係を制御するステージ制御部
    とを備え、 該ステージ制御部は少なくとも、 前記加工面を複数の分割領域に分割して認識する分割領
    域認識手段と、 該分割領域認識手段によって認識された分割領域を結ぶ
    最適経路を決定する最適経路決定手段と、 該最適経路に沿って、前記加工部が前記被加工物上を相
    対的に移動するように、該加工部と前記ステージとを相
    対的に移動させるステージ移動手段とを有し、 前記最適経路決定手段は、今回加工を行った分割領域か
    ら次回の加工を行う分割領域を決定するにあたり、 今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
    選択し、 今回加工を行った分割領域での最終の加工点と、前記２
    以上の分割領域内で前記最終の加工点に最も近い加工点
    との距離を各々算出し、 該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
    分割領域を、次回の加工を行う分割領域とすることを特
    徴とする加工装置。
14. 【請求項１４】 被加工物が搭載されるステージと、 該ステージ上の被加工物の加工面上の加工点に加工を施
    す加工部と、 前記加工部と前記ステージの少なくとも一方を移動させ
    てこれらの相対的な位置関係を制御するステージ制御部
    とを備え、 該ステージ制御部は少なくとも、 前記加工面を複数の分割領域に分割して認識する分割領
    域認識手段と、 該分割領域認識手段によって認識された分割領域を結ぶ
    最適経路を決定する最適経路決定手段と、 該最適経路に沿って、前記加工部が前記被加工物上を相
    対的に移動するように、該加工部と前記ステージとを相
    対的に移動させるステージ移動手段とを有し、 前記最適経路決定手段は、今回加工を行った分割領域か
    ら次回の加工を行う分割領域を決定するにあたり、 今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
    選択し、 今回加工を行った分割領域での最終の加工点と、前記２
    以上の分割領域内で前記最終の加工点から最も遠い加工
    点若しくは最も近い加工点との距離を各々算出し、 該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
    分割領域を、次回の加工を行う領域とすることを特徴と
    する加工装置。
15. 【請求項１５】 前記ステージはＸ−Ｙステージであ
    り、 前記最適経路決定手段は、今回の加工において優先させ
    るＸ方向若しくはＹ方向又は予め優先させるべく決定さ
    れたＸ方向若しくはＹ方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方
    向の何れかに重み付けを行って、前記距離の算出を行う
    ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の加
    工装置。
16. 【請求項１６】 前記ステージはＸ−Ｙステージであ
    り、 前記最適経路決定手段は、 今回の加工が行われた分割領域の最終の加工点から、前
    記次回の加工を行う分割領域を、任意の加工方向に従っ
    て経由して、次々回の加工を行う分割領域内の加工点に
    至る距離を算出し、該算出した距離が最短となるよう
    に、前記次回の加工を行う分割領域における加工方向を
    決定することを特徴とする請求項１３から請求項１５の
    何れかに記載の加工装置。
17. 【請求項１７】 半導体ウェーハが搭載されるＸ−Ｙス
    テージと、 該Ｘ−Ｙステージ上の半導体ウェーハに加工を施すレー
    ザ加工部と、 前記レーザ加工部と前記Ｘ−Ｙステージの少なくとも一
    方を移動させてこれらの相対的な位置関係を制御するＸ
    −Ｙステージ制御部とを備え、 前記Ｘ−Ｙステージ制御部は少なくとも、 前記半導体ウェーハに形成された複数のチップから、加
    工を行うチップを識別するチップ識別手段と、 該チップ識別手段によって識別された、少なくとも２以
    上のチップのすべてを結ぶチップ間最適経路を決定する
    チップ間最適経路決定手段と、 該チップ内を、チップ内のヒューズの配置に基づいて、
    複数のヒューズ・ブロックに分割して認識するヒューズ
    ・ブロック化手段と、 該ヒューズ・ブロック化手段によって認識された少なく
    とも２以上のヒューズ・ブロックのすべてを結ぶヒュー
    ズ・ブロック間最適経路を決定するヒューズ・ブロック
    間最適経路決定手段と、 前記チップ間最適経路と前記ヒューズ・ブロック間最適
    経路とに沿って、前記レーザ加工部が前記半導体ウェー
    ハ面上を相対的に移動するように、該レーザ加工部と前
    記Ｘ−Ｙステージとを相対的に移動させるステージ移動
    手段とを有することを特徴とするレーザ加工装置。
18. 【請求項１８】 前記チップ間最適経路決定手段は、前
    記チップ間最適経路を巡回セールスマン問題のアルゴリ
    ズムを用いて決定することを特徴とする請求項１７に記
    載のレーザ加工装置。
19. 【請求項１９】 前記チップ間最適経路決定手段は、前
    記チップ間最適経路をリン・アンド・カーニンハン法を
    用いて決定することを特徴とする請求項１８に記載のレ
    ーザ加工装置。
20. 【請求項２０】 前記Ｘ−Ｙステージ制御部は、前記チ
    ップ識別手段によって認識された複数のチップを１以上
    のチップからなるグループにグループ化してこれを１つ
    のチップとみなすグループ化手段を有し、 前記チップ間最適経路決定手段は、前記グループ化され
    て１つのチップとみなされた少なくとも２以上のグルー
    プを結ぶ最適経路を求め、該求めた最適経路に基づいて
    前記チップ間最適経路を決定することを特徴とする請求
    項１７から請求項１９の何れかに記載のレーザ加工装
    置。
21. 【請求項２１】 前記グループ化手段は、加工をすべき
    チップ内のヒューズのＸ方向とＹ方向の分布状態に応じ
    てＸ方向、Ｙ方向の何れを優先させるかを判定し、該判
    定の結果に基づいてグループ化を行うことを特徴とする
    請求項２０に記載のレーザ加工装置。
22. 【請求項２２】 前記グループ化手段は、前記半導体ウ
    ェーハのロット毎に予め決定されたパターンに基づいて
    前記チップのグループ化を行うことを特徴とする請求項
    ２０に記載のレーザ加工装置。
23. 【請求項２３】 前記ヒューズ・ブロック間最適経路決
    定手段は、今回加工を行ったヒューズ・ブロックから次
    回の加工を行うヒューズ・ブロックを決定するにあた
    り、 今回加工を行ったヒューズ・ブロックの近傍の２以上の
    ヒューズブロックを選択し、 今回加工を行ったヒューズ・ブロック内の最終加工ヒュ
    ーズと、前記２以上のヒューズ・ブロック内で前記最終
    加工ヒューズに最も近いヒューズとの距離を各々算出
    し、 該算出した距離のうち最も短い距離となるヒューズを含
    むヒューズ・ブロックを、次回の加工を行うヒューズ・
    ブロックとすることを特徴とする請求項１７から請求項
    ２２の何れかに記載のレーザ加工装置。
24. 【請求項２４】 前記ヒューズ・ブロック間最適経路決
    定手段は、今回加工を行ったヒューズ・ブロックから次
    回の加工を行うヒューズ・ブロックを決定するにあた
    り、 今回加工を行ったヒューズ・ブロックの近傍の２以上の
    ヒューズブロックを選択し、 今回加工を行ったヒューズ・ブロック内の最終加工ヒュ
    ーズと、前記２以上のヒューズ・ブロック内で前記最終
    加工ヒューズから最も遠いヒューズ若しくは最も近いヒ
    ューズとの距離を各々算出し、 該算出した距離のうち最も短い距離となるヒューズを含
    むヒューズ・ブロックを、次回の加工を行うヒューズ・
    ブロックとすることを特徴とする請求項１７から請求項
    ２２の何れかに記載のレーザ加工装置。
25. 【請求項２５】 前記ヒューズ・ブロック間最適経路決
    定手段は、今回の加工において優先させるＸ方向若しく
    はＹ方向若しくは予め優先させるべく決定されたＸ方向
    若しくはＹ方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れか
    に重み付けを行って、前記距離を算出することを特徴と
    する請求項２１又は請求項２２に記載のレーザ加工装
    置。
26. 【請求項２６】 前記ステージはＸ−Ｙステージであ
    り、 前記ヒューズ・ブロック間最適経路決定手段は、 今回の加工が行われたヒューズ・ブロックの最終加工ヒ
    ューズから、次回の加工を行うヒューズ・ブロック内を
    任意の加工方向に沿って経由して、次々回の加工を行う
    ヒューズ・ブロック内のヒューズに至る距離を算出し、
    該算出した距離が最短となるように、前記次回の加工を
    行うヒューズ・ブロック内での加工方向を決定すること
    を特徴とする請求項２３から請求項１５の何れかに記載
    の加工装置。
27. 【請求項２７】 ステージ上の被加工物の加工面上の加
    工点に加工を施す加工部と当該ステージとの相対的な位
    置関係を、コンピュータによって制御するためのプログ
    ラムを記憶した媒体であって、 該プログラムは、前記コンピュータに、 前記加工面を複数の領域に分割して該領域を認識させ、 該認識させた少なくとも２以上の領域のすべてを結ぶ最
    適経路を、一括して決定させると共に、 前記コンピュータをして、前記加工部が前記被加工物上
    を前記最適経路に沿って相対的に移動するように、前記
    ステージと前記加工部の少なくとも一方を制御せしめる
    ことを特徴とする加工装置の制御プログラムを記憶した
    媒体。