JPH11149317A

JPH11149317A - 加工装置

Info

Publication number: JPH11149317A
Application number: JP9313753A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Okita; 晋一沖田; Joji Iwamoto; 譲治岩本
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-11-14
Filing date: 1997-11-14
Publication date: 1999-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】２ヘッド・レーザ加工装置において、そのＸ
−Ｙステージの動作特性等に応じて最適なレーザ加工処
理時の経路を決定する。【解決手段】２ヘッド・レーザ加工装置１０は、半導
体ウェーハ１が搭載されるＸ−Ｙステージ２１、半導体
ウェーハ１に対向して加工を施す第１，第２のヘッド３
０Ａ，３０Ｂ、Ｘ−Ｙステージ２１の移動量を制御する
主制御装置５０を備える。半導体ウェーハ１の各加工対
象チップ２…内の加工対象のヒューズａ…を溶断するに
当り、主制御装置５０は、ヒューズａ…の分布状態に応
じて第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの相対的な位置
関係を決定する。又、主制御装置５０は、ヘッド３０
Ａ，３０Ｂの位置関係を維持しつつ、全加工対象チップ
２…を結ぶチップ間最適経路、及び、チップ２内のヒュ
ーズ・ブロックの全てを結ぶ最適経路を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２つの加工部を有す
る加工装置に関し、特に、半導体ウェーハに設けられた
冗長回路のヒューズの切断に用いられる２ヘッド・レー
ザ加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造分野において、プロー
ブテストによって不良と判断された不良チップを救済す
るために冗長回路を予めチップ上に設けたものが公知で
ある。斯かる冗長回路を具えたチップにおいては、冗長
回路のヒューズが溶断されて、不良チップの救済が行わ
れる。

【０００３】この場合のヒューズの溶断は、レーザ加工
装置によって行われる。レーザ加工装置によるヒューズ
の溶断を行うに当っては、１枚の半導体ウェーハ内の複
数の加工対象チップにどのような順序でレーザ加工を行
うか（ウェーハ内チップ・ソート）、更には、レーザ加
工を施すべく選択された加工対象チップ内の多数の加工
対象ヒューズに対してどのような順序でレーザ加工を行
うか（チップ内ヒューズ・ソート）を決定していた。因
みに、多数の加工対象ヒューズにレーザ加工を行う場合
には、レーザ加工装置の動作特性に基づき設定された間
隔（以下「フライ間隔」という。）に従って、複数の加
工対象ヒューズからなるヒューズ・ブロックを設定し、
このヒューズ・ブロックを１つの単位としてレーザ加工
の順序を決定していた。

【０００４】この同一の加工対象チップ内におけるヒュ
ーズ・ブロック（ヒューズ群）のレーザ加工の順序は、
他の未処理のヒューズ・ブロックを認識し、今回のレー
ザ加工の最終加工位置から最も近い距離にある未処理の
ヒューズ・ブロックを求め、斯く求めたヒューズ・ブロ
ックに対して次のレーザ加工を行い、以下、同様に、今
回の最終加工位置から最も近いヒューズ・ブロックを選
択して次回のレーザ加工を行っていた。

【０００５】特に、加工用のレーザ光を照射するレーザ
照射部（加工部）が２つある２ヘッド・レーザ加工装置
では、通常、２つの加工ヘッドの位置に基づいて、その
レーザ加工の最適経路を、上記した手順に従って決定し
ていた。具体的には、図１８に示すように加工対象チッ
プ２内に多数のヒューズ・ブロック（ａ…ｂ），（ｃ…
ｄ），（ｅ…ｆ），…がある場合、これらにレーザ加工
を行うには、前回までに既に完了したレーザ加工処理に
おける最終加工位置（図中、Ａ点，Ｂ点）を認識し、こ
の位置を開始位置とし、このＡ点，Ｂ点に関して一番近
い距離にあるヒューズ・ブロック（例えば、図１８の
（ａ…ｂ））を検知し、この検知したヒューズ・ブロッ
ク（ａ…ｂ）に対してレーザ加工を行うようにしてい
た。そして、次回の加工を行うヒューズ・ブロックを、
常に、この最も近い位置にあるヒューズ・ブロックに決
定し、このヒューズ・ブロックに対して順次レーザ加工
処理を施していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、単に、２つの加工部（Ａ点，Ｂ点）の何れかに
近い位置にあるヒューズ・ブロックに対して、順次、レ
ーザ加工処理を施したのでは、図１８に示す複雑な経路
（図１８中、破線及び２点鎖線で示す）で、そのレーザ
加工が行われることになって、必ずしも効率のよい加工
が行えず、処理に長時間を要し、スループットの向上が
達成できなかった。

【０００７】又、全体の経路の短縮化がある程度図られ
ても、これが最適経路とならない場合がある。即ち、Ｘ
−Ｙステージを用いたレーザ加工装置では、移動方向が
変化、反転すると、Ｘ−Ｙステージの移動速度の変化が
大きくなって、減速、加速等の動作が増えるからであ
る。尚、この２ヘッド・レーザ加工装置のように２つの
加工部を有する高性能の装置を効率よく作動させること
は、スループットを飛躍的に向上させる有効な手段であ
り、如何に最適経路を得るかは、近年、特に重要な課題
となっている。

【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、２以上の加工部を有する加工装置において、２以
上の加工部を、被加工物や、装置の特性等に応じた最適
な経路に従って移動させることで、作業効率を高めるこ
とができる加工装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、被加工物が搭載されるス
テージと、該ステージ上の被加工物の加工面上の加工点
に加工を施す２以上の加工部と、前記２以上の加工部と
前記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの相
対的な位置関係を制御するステージ制御部とを備えた加
工装置であって、前記ステージ制御部が少なくとも、前
記加工面上の加工点の配列パターン及び／又は加工部の
移動方向に基づいて前記２以上の加工部の相対的な位置
を決定する加工部調整手段と、前記加工面を前記加工点
の配列パターンに基づいて複数の分割領域に分割して認
識する分割領域認識手段と、該分割領域認識手段によっ
て認識された分割領域を結ぶ最適経路を決定する最適経
路決定手段と、該最適経路に沿って前記２以上の加工部
が前記被加工物上を相対的に移動するように前記相対的
な位置の前記２以上の加工部と前記ステージとを相対的
に移動させるステージ移動手段とを有するものである。

【００１０】又、請求項２に記載の発明は、前記最適経
路決定手段が、今回加工を行った分割領域から次回の加
工を行う分割領域を決定するにあたり、今回加工を行っ
た分割領域の近傍の２以上の分割領域を選択し、今回加
工を行った分割領域における、２以上の加工部のうち特
定の加工部による最終の加工点と前記２以上の分割領域
における前記最終の加工点から最も遠い前記特定の加工
部による加工点との距離及び／又は最も近い前記特定の
加工部による加工点との距離を、前記２以上の分割領域
に関して、各々算出し、今回加工を行った分割領域にお
ける、２以上の加工部のうち他の加工部による最終の加
工点と前記２以上の分割領域における前記最終の加工点
から最も遠い前記他の加工部による加工点との距離及び
／又は最も近い前記他の加工部による加工点との距離
を、前記２以上の分割領域に関して、各々算出し、該算
出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む分割
領域を、次回の加工を行う分割領域とするものである。

【００１１】又、請求項３に記載の発明は、前記ステー
ジがＸ−Ｙステージであり、前記最適経路決定手段が、
今回の加工において優先させるＸ方向若しくはＹ方向又
は予め優先させるべく決定されたＸ方向若しくはＹ方向
に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れかに重み付けを行
って、前記距離の算出を行うものである。又、請求項４
に記載の発明は、前記ステージがＸ−Ｙステージであ
り、前記最適経路決定手段が、今回の加工が行われた分
割領域の前記特定の加工部による最終の加工点から、前
記次回の加工を行う分割領域を任意の加工方向に従って
経由して、次々回の加工を行う分割領域内の前記特定の
加工部による加工点に至る距離を算出し、今回の加工が
行われた分割領域の前記他の加工部による最終の加工点
から、前記次回の加工を行う分割領域を任意の加工方向
に従って経由して、次々回の加工を行う分割領域内の前
記他の加工部による加工点に至る距離を算出し、該算出
した距離が最短となるように、前記次回の加工を行う分
割領域における加工方向を決定するものである。

【００１２】又、請求項５に記載の発明は、被加工物が
搭載されるステージと、該被加工物の加工面上の加工点
に加工を施す２以上の加工部と、前記２以上の加工部と
前記ステージの少なくとも一方を移動させてこれらの相
対的な位置関係を制御するステージ制御部とを備え、前
記ステージ制御部が少なくとも、前記加工面上の加工点
の配列パターン及び／又は加工部の移動方向に基づいて
前記２以上の加工部の相対的な位置を決定する加工部調
整手段と、前記加工面を複数の領域として認識する領域
認識手段と、該領域認識手段によって認識された領域の
すべてを結ぶ最適経路を決定する領域間最適経路決定手
段と、該領域を、加工点の配列パターンに基づいて分割
して複数の分割領域として認識する分割領域認識手段
と、該分割領域認識手段によって認識された少なくとも
２以上の分割領域のすべてを結ぶ最適経路を決定する分
割領域間最適経路決定手段と、前記領域間最適経路と前
記分割領域間最適経路とに沿って、前記２以上の加工部
が前記相対的な位置関係を維持したまま前記被加工物の
加工面上を相対的に移動するように、該２以上の加工部
と前記ステージとを相対的に移動させるステージ移動手
段とを有するものである。

【００１３】又、請求項６の発明は、前記分割領域間最
適経路決定手段が、今回加工を行った分割領域から次回
の加工を行う分割領域を決定するにあたり、今回加工を
行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を選択し、今
回加工を行った分割領域における、２以上の加工部のう
ち特定の加工部による最終の加工点と前記２以上の分割
領域における前記最終の加工点から最も遠い前記特定の
加工部の加工点との距離及び／又は最も近い前記特定の
加工部による加工点との距離を前記２以上の分割領域に
関して各々算出し、今回加工を行った分割領域におけ
る、２以上の加工部のうち他の加工部による最終の加工
点と前記２以上の分割領域における前記最終の加工点か
ら最も遠い前記他の加工部による加工点との距離及び／
又は最も近い前記他の加工部による加工点との距離を前
記２以上の分割領域に関して各々算出し、該算出した距
離のうち最も短い距離となる加工点を含む分割領域を、
次回の加工を行う領域とするものである。

【００１４】又、請求項７の発明は、前記領域間最適経
路決定手段が、前記領域間最適経路を巡回セールスマン
問題のアルゴリズムを用いて決定するものである。又、
請求項８の発明は、前記領域間最適経路決定手段が、前
記領域間最適経路をリン・アンド・カーニンハン法を用
いて決定するものである。又、請求項９の発明は、前記
ステージ制御部が、前記認識された複数の領域を１以上
の領域からなるグループに分けてこれを１つの領域とみ
なすグループ化手段を有し、前記領域間最適経路決定手
段が、前記１つの領域とみなされた少なくとも２以上の
グループを結ぶ最適経路を求め、該求めた最適経路に基
づいて前記領域間最適経路を決定するものである。

【００１５】又、請求項１０の発明は、前記ステージが
Ｘ−Ｙステージであり、前記分割領域間最適経路決定手
段が、今回の加工において優先させるＸ方向若しくはＹ
方向又は予め優先させるべく決定されたＸ方向若しくは
Ｙ方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方向の何れかに重み付
けを行って、前記距離の算出を行うものである。又、請
求項１１の発明は、前記ステージがＸ−Ｙステージであ
り、前記分割領域間最適経路決定手段が、今回の加工が
行われた分割領域の前記特定の加工部による最終の加工
点から、前記次回の加工を行う分割領域を任意の加工方
向に従って経由して、次々回の加工を行う分割領域内の
前記特定の加工部による加工点に至る距離を算出し、今
回の加工が行われた分割領域の前記他の加工部による最
終の加工点から、前記次回の加工を行う分割領域を任意
の加工方向に従って経由して、次々回の加工を行う分割
領域内の前記他の加工部による加工点に至る距離を算出
し、該算出した距離が最短となるように、前記次回の加
工を行う分割領域における加工方向を決定するものであ
る。

【００１６】又、請求項１２の発明は、前記加工部がレ
ーザビームを照射するレーザ加工部、前記ステージが被
加工物として半導体ウェーハが搭載されるＸ−Ｙステー
ジ、前記認識された領域が半導体ウェーハのチップ、前
記加工点が前記チップに配置されているヒューズ、前記
分割領域がヒューズ・ブロックとしたものである。

【００１７】（作用）上記した請求項１の発明によれ
ば、２以上の加工部を有する加工装置において、加工処
理において、その加工点の分布に応じた、２以上の加工
部の最適経路が得られる当該２以上の加工部の位置関係
を決定することができる。

【００１８】又、請求項２の発明によれば、２以上の加
工部を有する加工装置において、最適経路決定手段によ
って分割領域間を結ぶ経路が、次の分割領域の最初の加
工位置、若しくは、最終の加工位置を加味して求めら
れ、加工部とステージとの相対的な移動経路の最適化が
図られる。又、請求項３の発明によれば、２以上の加工
部を有する加工装置における最適経路の決定に当たり、
加工点の分布状態に応じてＸ方向、Ｙ方向の何れを優先
させるかが決定されるので、実際の加工点のＸ方向，Ｙ
方向の特化の状態に応じて、その加工部とＸ−Ｙステー
ジとが相対的に移動する回数を減らして、効率のよい加
工をすることができる。

【００１９】又、請求項４の発明によれば、次々回に加
工を行う分割領域に至るまでに処理が行われる次回の分
割領域における加工方向を、最適な方向に決定して、加
工時の分割領域間を結ぶ経路の最適化が図られる。又、
請求項５の発明によれば、２以上の加工部を有する加工
装置において認識された複数の領域を結ぶ最適経路が求
められ、この最適経路に沿った加工部とステージとの相
対移動を行うことによって、２以上の加工部による加工
点を結ぶ経路も、当該加工装置の特性に応じてその最適
化が図られる。更に、分割領域間最適経路決定手段によ
って分割領域間を結ぶ経路の最適化も図られる。

【００２０】又、請求項６の発明によれば、２以上の加
工部を有する加工装置において、分割領域間最適経路決
定手段によって分割領域間を結ぶ経路が、次の分割領域
の最初の加工位置、若しくは、最終の加工位置を加味し
て求められ、加工部とステージとの相対的な移動経路の
最適化が図られる。又、請求項７の発明によれば、２以
上の加工部を有する加工装置において、認識された複数
の領域を、巡回セールスマン問題における都市（地点）
とみなすだけで、これら複数の領域を結ぶ最適経路が得
られる。

【００２１】又、請求項８の発明によれば、２以上の加
工部を有する加工装置において、認識された複数の領域
を結ぶ経路を、巡回セールスマン問題の解法の１つであ
るリン・アンド・カーニンハン法を用いて決定できるの
で、その演算が容易に、且つ、比較的短期間で行えるよ
うになる。又、請求項９の発明によれば、２以上の加工
部を有する加工装置において認識された領域が、１以上
の領域からなるグループに分けられ、これらグループ間
を結ぶ最適経路を求めることで、最適経路の演算が簡略
化される。又、このときグループ化された領域が１つの
領域とみなされ、この領域内の加工点の分布状態を勘案
した最適経路を求めることができる。このとき演算に要
する時間も短縮される。

【００２２】又、請求項１０の発明によれば、分割領域
間を結ぶ最適経路を決定する際の距離の算出が、加工点
の分布状態に応じて、Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させ
て決定されるので、加工装置の特性に応じた、加工部と
Ｘ−Ｙステージとの相対的な移動方向の変換の回数が少
なく抑えられ、効率のよい加工が可能になる。又、請求
項１１の発明によれば、次々回に加工を行う分割領域に
至るまでに処理が行われる次回の分割領域における加工
方向を、最適な方向に決定して、加工時の分割領域間を
結ぶ経路の最適化が図られる。

【００２３】又、請求項１２の発明によれば、２つのレ
ーザ加工部を有する加工装置において、半導体ウェーハ
に設けられた複数のチップを結ぶ最適経路が求められ、
この最適経路に沿ってレーザ加工部とＸ−Ｙステージと
の相対移動を行うことによって、半導体ウェーハ上のヒ
ューズを結ぶレーザ加工の経路を、装置の特性に応じた
最適なものとすることができる。又、半導体ウェーハに
設けられた複数のチップを１以上チップからなるグルー
プにグループ分けし、これらグループ間を結ぶ最適経路
を求めることで、最適経路の演算が簡略化される。又、
このときグループ化された複数のチップが１つの領域と
みなされ、この領域内のすべてのヒューズの分布状態を
勘案した最適経路を求めることができる。このとき演算
に要する時間も短縮される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して説明する。尚、この実施形態
は、請求項１から請求項１２に対応する。先ず、図１を
用いて、２ヘッド・レーザ加工装置１０の全体構成につ
いて説明する。

【００２５】２ヘッド・レーザ加工装置１０は、Ｘ−Ｙ
ステージ２１とＺステージ２２からなるステージ部２０
と、前記Ｚステージ２２上に搭載された被加工物（半導
体ウェーハ）１に対して加工用のレーザ光を照射する照
射光学系３０と、被加工物（半導体ウェーハ）１の表面
形状の観察を行うための観察光学系４０と、前記Ｘ−Ｙ
ステージ２１の移動位置を検出し且つその移動量を制御
すると共に前記照射光学系３０によるレーザ光の出射タ
イミング等を制御する主制御装置（ステージ制御部、Ｘ
−Ｙステージ制御部）５０とからなる。

【００２６】このうちステージ部２０には、前記Ｘ−Ｙ
ステージ２１の移動量（Ｘ方向−Ｙ方向の移動量）を調
整するアクチュエータ２３、Ｚステージ２２上に設置さ
れた反射鏡（図示省略）に測定用のレーザ光を照射して
Ｘ−Ｙステージ２１のＸ方向・Ｙ方向の移動量を計測す
るレーザ干渉計２６が具えられている。又、照射光学系
３０は、２つのレーザ光源３１Ａ，３１Ｂと、該レーザ
光源３１Ａ，３１Ｂから各々射出されたレーザ光Ｌａ
１’，Ｌａ１”の光量を調整するための光量調整部３２
Ａ，３２Ｂと、前記光量調整部３２Ａ，３２Ｂで各々光
量が調整されたレーザ光Ｌａ１’，Ｌａ１”を、各々、
前記被加工物（半導体ウェーハ）１側に反射させる第
１，第２のビーム・スプリッタ３３Ａ，３３Ｂと、レー
ザ光Ｌａ１’，Ｌａ１”を各々被加工物（半導体ウェー
ハ）１上に集束させる第１の対物レンズ３４Ａ、第２の
対物レンズ３４Ｂと、位置調整部３５とからなる。尚、
この実施形態では、第１の対物レンズ３４Ａと第１のビ
ーム・スプリッタ３３Ａとによって第１のヘッド（第１
加工部）３０Ａが構成され、第２の対物レンズ３４Ｂと
第２のビーム・スプリッタ３３Ｂとによって第２のヘッ
ド（第２加工部）３０Ｂが構成されている。又、第１，
第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの位置関係は、主制御装置
５０が位置調整部３５を作動させることによって調整で
きるようになっている。レーザ加工の実行時、この位置
調整部３５によって調整された第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂの相対的な位置関係は保持される。

【００２７】又、観察光学系４０は、被加工物（半導体
ウェーハ）１の表面形状を観察するためのものである。
この観察光学系４０は、照明光源４１、ハーフミラー４
２、ＣＣＤカメラ４３、テレビ・モニタ４４からなる。
そして、前記照明光源４１からは観察用照明光Ｌａ２が
照射され、この照明光Ｌａ２はハーフミラー４２にて第
１の対物レンズ３４Ａ側に向けられ、この第１の対物レ
ンズ３４Ａを介して被加工物（半導体ウェーハ）１に照
射される。このとき観察用照明光Ｌａ２は、第１の対物
レンズ３４Ａの働きによってその光軸が、例えば上記レ
ーザ光Ｌａ１’の光軸と一致するように調整される。
又、上記ＣＣＤカメラ４３は、被加工物（半導体ウェー
ハ）１の表面で反射された観測用照明光Ｌａ２を受光で
きるように、当該被加工物（半導体ウェーハ）１の表面
と互いに共役な位置に配置される。

【００２８】このように被加工物（半導体ウェーハ）１
に照射された観測用照明光Ｌａ２は、第１の対物レンズ
３４Ａを介して、被加工物（半導体ウェーハ）１表面に
照射され、半導体ウェーハ１で反射された光（反射光）
が、前記ＣＣＤカメラ４３で検知され、斯く検知した反
射光に基づいて被加工物（半導体ウェーハ）１の表面形
状が、ＣＣＤカメラ４３に接続されたテレビ・モニタ４
４によって観察できるようになっている。このとき第
１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂからのレーザ光Ｌａ
１’，Ｌａ１”は、互いに異なる２つの加工点に照射さ
れるが、これら２つの加工点は、互いの間隔がＣＣＤカ
メラ４３で検知され得る領域に比べて充分に狭いため、
これらレーザ光Ｌａ１’，Ｌａ１”が照射されている領
域を認識することができる。

【００２９】又、前記主制御装置５０は、マイクロコン
ピュータにて構成され、前記Ｘ−Ｙステージ２１に接続
されたアクチュエータ２３に制御信号を出力して該Ｘ−
Ｙステージ２１のＸ方向，Ｙ方向の各々の移動量を制御
すると共に、レーザ光源３１Ａ，３１Ｂ、光量調整部３
２Ａ，３２Ｂに制御信号を出力して、レーザ光Ｌａ１
（Ｌａ１’，Ｌａ１”）の光量及び出射タイミング等を
制御する。又、Ｚステージ２２による被加工物（半導体
ウェーハ）１のＺ方向の移動量や、第１，第２のヘッド
３０Ａ，３０Ｂの位置関係も該主制御装置５０が演算
し、制御するようになっている。

【００３０】具体的には、主制御装置５０は、前記レー
ザ干渉計２６からの信号に基づいて、Ｘ−Ｙステージ２
１の実際の移動量をモニタし、その内部メモリ（図示省
略）に記憶された加工位置データ、加工処理順データ、
更には、レーザ加工処理を行うためのプログラム（図２
〜図８）等に基づいて内部のＣＰＵが、アクチュエータ
２３の動作量等を演算して、これら演算結果に応じた制
御信号をアクチュエータ２３に出力して、当該Ｘ−Ｙス
テージ２１を移動させる。

【００３１】一方で、主制御装置５０は、前記第１，第
２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの相対的な位置関係を決定
し、この決定した位置関係に基づいて、位置調整部３５
によって、実際の位置関係が達成される。従って、これ
ら第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂから照射される２
つのレーザ光（Ｌａ１’，Ｌａ１”）もその光軸の相対
的な位置が固定される。そして、２つのレーザ光（Ｌａ
１’，Ｌａ１”）はその光軸の相対的な位置関係が固定
されたまま、被加工物（半導体ウェーハ）１に対して、
相対的に移動される。この第１，第２のヘッド３０Ａ，
３０Ｂからの２つのレーザ光（Ｌａ１’，Ｌａ１”）
は、被加工物（半導体ウェーハ）１上の所望の位置（レ
ーザ加工を施すべきヒューズ位置）に所望の光量で、且
つ所望のタイミングで出射され、所望の加工点（ヒュー
ズ）に対して、非同期で、レーザ加工が行われる。

【００３２】尚、この実施形態では、主制御装置５０が
ステージ制御部として機能し、更に、以下に説明するレ
ーザ加工処理のプログラム（プログラムは主制御装置５
０の内部メモリ（図示省略）に記憶されている。）を実
行することによって、加工部調整手段、分割領域認識手
段、最適経路決定手段、ステージ移動手段、領域認識手
段、領域間最適経路決定手段、分割領域間最適経路決定
手段、グループ化手段として機能する。

【００３３】次に、上記構成の２ヘッド・レーザ加工装
置１０によるレーザ加工処理の手順について、図２〜図
８に示すフローチャートに従って説明する。図２は、レ
ーザ加工処理のメイン・ルーチンを示すフローチャート
である。レーザ加工処理は、２ヘッド加工部の配置決定
処理のプログラム（図３，図４）、ウェーハ内チップ・
ソート処理のプログラム（図５）、１チップ内又はマル
チチップ内ヒューズ・ソート処理のプログラム（図
６）、及びレーザ光照射処理のプログラム（図示省略）
の４つのサブ・ルーチンからなる。

【００３４】このレーザ加工処理が開始されると、図２
に示すように、先ず、ステップＳ１において、チップ内
の加工対象となり得る全ヒューズの分布状態を、例えば
ヒューズテーブルデータ等に基づいて分析し、これらの
分析結果、更には、主制御装置５０での演算結果等に基
づいて、２ヘッド・レーザ加工装置１０の第１，第２の
ヘッド３０Ａ，３０Ｂ（加工部）の位置関係（配置）が
決定される（２ヘッド加工部の配置決定処理）。

【００３５】次のステップＳ２では、例えば、図１１〜
図１３に示すような半導体ウェーハ１内の各加工対象チ
ップ２，２…に対して、どのような順序でレーザ加工を
行うか、即ち、レーザ加工を施すべき複数の加工対象チ
ップ２，２…を１つ宛１つの加工対象領域（領域）と認
識するか、又は、１又は２以上のチップからなるグルー
プ（マルチ・チップ）を１つの加工対象領域と認識し
て、これら加工対象領域に対し、如何なる順序でレーザ
加工を行うかが決定される（ウェーハ内チップ・ソート
処理）。

【００３６】次のステップＳ３では、更に複数の加工対
象領域に、各々、含まれる多数のヒューズに対して如何
なる順序でレーザ加工を行うべきかが決定される（１チ
ップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理）。続
く、ステップＳ４では、上記ステップＳ２で決定したウ
ェーハ内チップ・ソートに従って、今回レーザ加工をす
べき加工対象領域を特定し、更にこの加工対象領域内の
複数のヒューズに対して、前記ステップＳ３で決定した
１チップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソートで決定
された経路に従って実際に、Ｘ−Ｙステージ２１を移動
させて、レーザ加工を施すべき個々のヒューズ（加工対
象ヒューズ）に２ヘッド・レーザ加工装置１０の第１の
ヘッド３０Ａ（レーザ光Ｌａ１’の光軸），第２のヘッ
ド３０Ｂ（レーザ光Ｌａ１”の光軸）の少なくとも一方
を対向させ、当該ヒューズを溶断する（レーザ光照射処
理）。

【００３７】次に、図２のフローチャートのステップＳ
１で実行される２ヘッド加工部の配置決定処理（サブル
ーチン）について、図３，図４のフローチャートを用い
て説明する。メイン・ルーチンにおいて、処理が、この
２ヘッド加工部の配置決定処理に移ると、先ず、ステッ
プＳ１０１で、ヒューズテーブルデータ（設計データ）
に対して、Ｘ方向のフライ間隔に基づくブロック分けが
行われる。

【００３８】例えば、図９に示すように、加工対象領域
（チップ２）内に多数の加工対象ヒューズ（×印）が分
布しているのであれば、Ｘ方向に関しては、破線で示す
ようなブロックに分けられる。このとき、フライ間隔
は、図９のＦＸに示す間隔である。Ｘ方向に分布すヒュ
ーズがこのＦＸ以上の間隔を隔てていれば、同じブロッ
クと扱われることはない。

【００３９】次のステップＳ１０２では、Ｘ方向の投影
ヒューズ分布が取得され、斯く取得したときの加工対象
ヒューズの数をカウントした結果（カウント値）が閾値
以上となっている場合の、そのＹアドレスが求められ
る。ここでは説明を簡単にするために閾値を「２」とし
ている。これによって、Ｘ方向に閾値以上の数の加工対
象ヒューズが集中している箇所のＹアドレスのみ認識さ
れる。

【００４０】次のステップＳ１０３では、閾値以上の加
工対象ヒューズ数を有するＹアドレスに対して、第１，
第２のヘッド３０Ａ，３０ＢのＹ方向の間隔が、このＹ
方向に対して予め定められた範囲内（前記した位置調整
部３５で達成し得る第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂ
のＹ方向の間隔）となる全組み合わせを求め（図９中、
一点鎖線で示す）、これら全組み合わせについて、２ヘ
ッド用のフライブロック分けが行われる。

【００４１】そして、次のステップＳ１０４では、閾値
以上の数の加工対象ヒューズを有するＹアドレスに対し
て、今度は、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０ＢのＸ方
向の間隔が、このＸ方向に対して予め定められた範囲内
で、取り得る全組み合わせを求め、これら全組み合わせ
について、２ヘッド用のフライブロック分け（ここで
は、図９に示すＸ方向のヒューズブロック間隔に基づ
く）が行われる（図９の左上のフライブロック）。

【００４２】続くステップＳ１０５では、（２ヘッド用
フライブロック）に対する（２ヘッド用フライブロック
内ヒューズ数）の値（１）、即ち、 (２ヘッド用フライブロック内ヒューズ数)／(２ヘッド
用フライブロック) が最大となるように、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０
Ｂの間隔（２ヘッド間隔）と第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂの並びの方向（２ヘッド方向）とが決定され
る。

【００４３】このとき決定された２ヘッド間隔と２ヘッ
ドの方向が、「Ｘ方向フライブロック分け時」における
２ヘッド間隔、２ヘッド方向となる。次のステップＳ１
０６では、ヒューズテーブルデータ（設計データ）に対
して、今度は、Ｙ方向のフライ間隔に基づくブロック分
けが、前記したステップＳ１０１と同様に行われる。

【００４４】即ち、図９（図１０も同じ）のように加工
対象領域（チップ２）内に複数のヒューズが分布してい
ると、Ｙ方向に関しては、図１０の破線で示すようにブ
ロック分けが行われる。このとき、フライ間隔は、図１
０のＦＹに示す間隔である。ステップＳ１０７では、Ｙ
方向の投影ヒューズ分布が取得され、斯く取得したとき
の加工対象ヒューズの数をカウントした結果（カウント
値）が閾値以上となっている場合の、そのＸアドレスが
求められる。これによって、Ｙ方向に閾値以上の数の加
工対象ヒューズが集中している箇所のＸアドレスのみ認
識される。

【００４５】ステップＳ１０８では、閾値以上の加工対
象ヒューズ数を有するＸアドレスに対して、第１，第２
のヘッド３０Ａ，３０ＢのＸ方向の間隔が、このＸ方向
に対して予め定められた範囲内となる全組み合わせに基
づいて（図１０中、一点鎖線で示す）、これら全組み合
わせについて、２ヘッド用のフライブロック分けが行わ
れる。

【００４６】次のステップＳ１０９では、閾値以上の数
の加工対象ヒューズを有するＸアドレスに対して、今度
は、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０ＢのＹ方向の間隔
が、このＸ方向に対して予め定められた範囲内で取り得
る全組み合わせを求められ、これら全組み合わせに基づ
いて、実際の２ヘッド用のフライブロック分け（ここで
は、図１０に示すＹ方向のヒューズブロック間隔に基づ
く）が行われる。

【００４７】続くステップＳ１１０では、ステップＳ１
０５と同様に、（２ヘッド用フライブロック）に対する
（２ヘッド用フライブロック内ヒュー数）の値（２）、
即ち、 (２ヘッド用フライブロック内ヒュー数)／(２ヘッド用
フライブロック) が最大となるように、２ヘッド間隔と２ヘッド方向とが
決定される。このとき決定された２ヘッド間隔と２ヘッ
ドの方向が、「Ｙ方向フライブロック分け時」における
２ヘッド間隔、２ヘッド方向となる。

【００４８】そして、ステップＳ１１１では、上記した
ステップＳ１０５で求められた値（１）と、ステップＳ
１１０で求められた値（２）が比較され、大きい方の値
について、この値が得られた条件での方向（Ｘ方向又は
Ｙ方向）が「フライブロック分け優先方向」となり、そ
のとき得られた「２ヘッド間隔」、「２ヘッド方向」が
第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの配置の決定に採用
される。

【００４９】この場合、仮に、採用された「フライブロ
ック分け優先方向」とそのとき得られた「２ヘッド方
向」が直交する関係であれば、「フライブロック分け優
先方向」でない任意の方向に関して、(２ヘッド用フラ
イブロック数)に対する（２ヘッド用フライブロック内
ヒューズ数）の値（３）、即ち、 (２ヘッド用フライブロック内ヒューズ数)／(２ヘッド
用フライブロック数) が求められる。

【００５０】そして、この値（３）は、任意の方向を少
し宛、ずらして随時求められ、随時求められた値（３）
が、このときのフライ間隔内で最大となる任意の方向を
求める。この求められた任意の方向における第１，第２
のヘッド３０Ａ，３０Ｂの間隔を「２ヘッド間隔」と
し、その方向を「２ヘッド方向」とする。

【００５１】尚、ここでのＸ方向、Ｙ方向は、当該半導
体ウェーハ１の設計データのＸ方向、Ｙ方向であり、半
導体ウェーハ１が搭載されるＸ−Ｙステージ２１のＸ方
向、Ｙ方向と一致している。又、上記ステップＳ１０１
で用いられるＸ方向のフライ間隔ＦＸと、ステップＳ１
０６で用いられるＹ方向のフライ間隔ＦＹとは、同じ値
でもよいし、互いに異なる値でもよい。

【００５２】又、上記ステップＳ１０２とステップＳ１
０７の判別で用いられる閾値は、同じ値でもよいし、Ｘ
方向とＹ方向とで別個の値としてもよい。次に、上記し
たメイン・ルーチン（図２）のステップＳ２で実行され
るウェーハ内チップ・ソート処理について、図５を用い
て説明する。処理がこのウェーハ内チップ・ソート処理
に移ると、先ず、ステップＳ２０１で半導体ウェーハ１
内の加工対象チップ２，２，…をブロック分けするか否
かが判別される。このステップＳ２０１の判別は、ブロ
ック単位のグループ分けを操作者等が指示しているか
（マルチ・チップ内ヒューズ・ソート）否かが判別され
る。このステップＳ２０１の判別結果が“YES”のとき
には、ステップＳ２０２に進んで、予め定められた製品
毎、又はロット毎の値（例えばＮ×Ｍ）に基づいて半導
体ウェーハ１のチップ２，２，…を、縦Ｎ個、横Ｍ個の
チップからなるチップ群（ブロック）にグループ分け
し、これを１つの加工対象領域（マルチ・チップ）とし
て、ヒューズ・ソートを行うべきであることを記憶す
る。

【００５３】一方、前記ステップＳ２０１の判別結果が
“NO”のとき、即ち、グループ分け（ブロック化）が指
示されていない場合には、ステップＳ２０３に進み、１
つのチップを１つの加工対象領域として、ヒューズ・ソ
ートを行うべきであることを記憶する。続く、ステップ
Ｓ２０４では、Ｘ方向優先フラグ、Ｙ方向優先フラグに
基づいて、当該半導体ウェーハ１に対するレーザ加工を
Ｘ方向優先、Ｙ方向優先の何れによって行うかが判別さ
れる。このＸ方向，Ｙ方向優先フラグは、加工対象チッ
プ２，２…内の加工対象ヒューズの配列等に基づいて、
Ｘ方向／Ｙ方向の何れを優先させてレーザ加工を行うべ
きであるかをあらわすものである。このＸ方向優先フラ
グ、Ｙ方向優先フラグは、主制御装置５０が、ヒューズ
テーブルデータ等に基づいて所定のプログラムを実行す
ることによって決定される。

【００５４】仮に、Ｘ方向優先フラグがセットされてい
ると、このステップＳ２０４の判別結果が“YES”にな
って、ステップＳ２０５でＸ方向を優先させた加工対象
領域（１チップ又はマルチ・チップ）のグループ分けが
行われる（Ｘ方向→Ｙ方向→斜め）。反対に、Ｙ方向優
先フラグがセットされていると、このステップＳ２０４
の判別結果が“NO”になって、ステップＳ２０６でＹ方
向を優先させた加工対象領域のグループ分けが行われる
（Ｙ方向→Ｘ方向→斜め）。

【００５５】このステップＳ２０５，ステップＳ２０６
のグループ分けは、ウェーハ内チップ・ソートにおける
グループ分けであり、この結果は、次のステップＳ２０
７の処理に反映される。このようにＸ方向，Ｙ方向の何
れかを優先させたグループ分けが行わると、ステップＳ
２０７に進み、加工対象領域（１チップ又はマルチ・チ
ップ）又は更にグループ分けされた加工対象領域に対し
て、巡回セールスマン問題のアルゴリズムを用いた、最
適経路の決定が行われる。

【００５６】尚、上記のようにＸ方向、Ｙ方向の何れ
を優先させるかによって、加工対象チップ２，２，…の
グループ分けは以下のように、その結果が異なる。例え
ば、図１１に示すように、１１個の加工対象チップ２-
1，２-2，……２-11が半導体ウェーハ１内で分布してい
る場合を考える。尚、図示例では、１つのチップ２が１
つの加工対象領域とみなされた場合を示す。

【００５７】このとき仮にＸ方向優先フラグが設定され
ていた場合には、Ｘ方向→Ｙ方向→斜めの順でグループ
分けが行われる。この場合、先ず、加工対象チップ２，
２…のＸ方向の分布に着目して、Ｙ方向のアドレスが一
致する加工対象チップ（２-1，２-2，２-3，２-11）、
加工対象チップ（２-4，２-5，２-6）、加工対象チップ
（２-8，２-10）が各々１つのグループとして認識され
る。

【００５８】残りの加工対象チップ（２-7）、（２-9）
に関しては、シングルチップとして認識される。同じ、
図１１に示す分布状態でも、Ｙ方向→Ｘ方向→斜めのグ
ループ分けを行う場合には、上記１１個の加工対象チッ
プ２-1，２-2，…は、（２-6，２-7，２-8，２-9，２-
3）、（２-4，２-5）、（２-1，２-2）、（２-10）、
（２-11）という具合に５つのグループに分けられる。

【００５９】そして、このようにＸ方向、Ｙ方向の何れ
かを優先させてグループ分けされた複数のグループに対
して、巡回セールスマン問題のアルゴリズムを用いた、
最適経路の決定が行われる。このように加工対象ヒュー
ズの分布等に基づいて、Ｘ方向／Ｙ方向の何れかを優先
させることで、以下に示す作用効果が得られる。

【００６０】図１２，図１３に示すように、加工対象ヒ
ューズ（図中■で示す）が、Ｘ方向に偏って分布してい
る場合を考える。ここで、Ｘ方向を優先させたならば、
その経路は、図１２に示すように、加工対象ヒューズの
分布状態に応じて、即ち、最適経路Ｒx（図１２中破線
で示す）となる。

【００６１】しかるに、Ｘ方向を優先させなければ、そ
の経路は、図１３に示すように、加工対象ヒューズ（図
中■で示す）の分布状態に拘わらず、経路Ｒ（図１３
中、破線で示す）となって、最適なものとはならない。
ところで、このウェーハ内チップ・ソート処理（図５）
において、最適経路を求めるために用いられる巡回セー
ルスマン問題のアルゴリズム（特にリン・アンド・カー
ニンハン法）は、ｎ個の地点に対し、地点ｉから地点ｊ
への距離ｄij（ｉ≠ｊ）が与えられたとき、各々の地点
をちょうど１度ずつ経由する巡回路のうち最適のものを
見いだす問題である。

【００６２】その１つのアルゴリズムであるリン・アン
ド・カーニンハン法（Ｌ・Ｋ法）によれば、半導体ウェ
ーハ１内のすべての加工対象領域（例えばチップ２，
２，…）を複数の都市と認識して、これらを結ぶ最適経
路を容易に決定できる（ウェーハ内チップ・ソート）。
尚、巡回セールスマン問題の１つの解法であるＬ・Ｋ法
は、周知のアルゴリズムであるため、このリンＬ・Ｋ法
を用いた、ウェーハ内チップ・ソート（加工対象チップ
２，２…間の最適経路の決定）については、その詳細な
説明を省略する。

【００６３】このＬ・Ｋ法を適用することによって、ウ
ェーハ内チップ・ソートにおいて、加工対象チップ２，
２…を結ぶ最適経路が、２ヘッド・レーザ加工装置１０
の主制御装置５０のＣＰＵによって、短期間で算出する
ことができるようになる。次に、上記したメイン・ルー
チン（図２）のステップＳ３で実行される１チップ又は
マルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理について、図６
〜図８を用いて説明する。

【００６４】レーザ加工処理が、このサブルーチンに入
ると、先ず、図６のステップＳ５０１で、加工対象領域
（１チップ又はマルチ・チップ）内の加工対象ヒューズ
に対して、２ヘッド用のフライブロック分けを行う。こ
の２ヘッド用のフライブロック分けは、図７に示す加工
対象チップ内の２ヘッド用フライブロック分け処理を実
行することにより行われる。

【００６５】即ち、この２ヘッド用フライブロック分け
処理（図７）では、先ず、ステップＳ６０１で、加工対
象領域（１チップ又はマルチチップ）毎に、２ヘッド加
工部の配置決定処理（図３，図４）にて決定されたフラ
イブロック分け優先方向に基づいて、２ヘッド用フライ
ブロック分けが行われる。そして、ステップＳ６０２
で、２ヘッド用フライブロック分けが行われた後の、残
りヒューズに対して、１ヘッド用フライブロック分け
が、その優先方向に基づいて行われる。

【００６６】次のステップＳ６０３では、優先方向と直
交する方向に関して、前記１ヘッド用フライブロック分
けが行われた後の、残りヒューズに対して、２ヘッド用
フライブロック分けが行われる。次のステップＳ６０４
では、優先方向と直交する方向に関して、前記２ヘッド
用フライブロック分けが行われた後の、残りヒューズに
対して、１ヘッド用フライブロック分けが行われる。こ
の１ヘッド用フライブロック分けが行われた後に更に、
残っているヒューズに関しては、これらをシングルヒュ
ーズとして扱う。

【００６７】ステップＳ６０５では、優先方向の２本フ
ライブロック（２ヘッド用と１ヘッド用の両方を含む）
が優先方向と直交する方向のフライブロック及びシング
ルブロックヒューズとあわせて行われ、更に、優先方向
と直交する方向のフライブロック分けが行われる。即
ち、ここでは、シングルブロックヒューズに対しても、
最初は２ヘッド用フライブロック分けを行い、残りを１
ヘッド用シングルヒューズとする。尚、ここで、２本フ
ライブロックとは、第１ヘッド用加工ヒューズブロック
と、第２ヘッド用加工ヒューズブロックの双方が２本フ
ライブロックのもの、及び、何れか一方が２本フライブ
ロックで他方がシングルブロックのものをいう。又、残
りヒューズは、シングルブロックヒューズとして扱われ
る。

【００６８】そして、ステップＳ６０６で、ステップＳ
６０４とステップＳ６０５で求められたヒューズブロッ
ク数を比較し、ブロック数の少ない方のフライブロック
分けの結果を採用する。このように、図７に示すサブル
ーチンを実行することにより加工対象領域（１チップ又
はマルチ・チップ）内の２ヘッド用フライブロック分け
処理が行われる。

【００６９】図６に示す１チップ又はマルチ・チップ内
ヒューズソート処理の説明に戻り、上記のように２ヘッ
ド用フライブロック分けが行われると（ステップＳ５０
１）、次のステップＳ５０２で、加工対象チップ２内で
の第１のヒューズ・ブロック（加工対象ブロック）が決
定される。この第１のヒューズ・ブロックは、上記した
ウェーハ内チップ・ソートに従って、例えば前回に処理
された加工対象領域における最終加工位置（最終加工が
行われたヒューズ・ブロックの最終加工位置）から最短
距離にある加工対象領域内のヒューズ・ブロックに設定
される。

【００７０】次のステップＳ５０３では、ソート済ヒュ
ーズ・ブロックカウンタのカウント値「ｎ」を「ｎ＋
１」に設定する。このソート済みヒューズ・ブロックカ
ウンタは、当該加工対象領域（１チップ又はマルチ・チ
ップ）内のすべてのヒューズ・ブロック（総数Ｎ）に対
して処理が行われたかを確認するためのカウンタであ
る。そして、後述するステップＳ５１１の判別によっ
て、当該カウント値「ｎ」が所定の値「Ｎ」になるま
で、ステップＳ５０３からステップＳ５１１までの処理
が繰り返し行われる。

【００７１】次のステップＳ５０４では、今回（ｎ番目
のループ）のヒューズ・ブロックにおける第１，第２の
ヘッド３０Ａ，３０Ｂの各々の最終加工位置の座標が求
められる。続くステップＳ５０５では、上記求めた第
１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂのうち、第１のヘッド
３０Ａの最終加工位置の座標に基づいて、更に当該最終
加工位置の近傍の領域（例えば、上記最終加工位置に一
番近い第１近傍ブロックと２番目に近い第２近傍ブロッ
ク）が求められる。

【００７２】ここで、２ヘッドフライブロック時である
ならば、２つのヘッド３０Ａ，３０Ｂの何れかにについ
ては、実際に加工対象ヒューズが位置していない場合が
ある。従って、ヒューズが位置していない場合には、対
応する第１のヘッド３０Ａ又は第２のヘッド３０Ｂまで
の距離に基づいて第１，第２近傍ブロックが求められ
る。次のステップＳ５０６では、今回（ｎ番目のルー
プ）の最終加工位置（前記ステップＳ５０４で求められ
た座標）から第１近傍ブロックの最終加工位置までの距
離「Ｌ１」と、該今回の最終加工位置から第２近傍ブロ
ックの最終加工位置までの距離「Ｌ２」が算出され、更
に、これらの値を、２ヘッド・レーザ加工装置１０の特
性に応じて修正した値「Ｌ１’」，「Ｌ２’」が以下の
手順で求められる。

【００７３】先ず、第１のヘッド３０Ａについての今回
の最終加工位置から第１近傍ブロックの最終加工位置ま
での距離Ｌ１を求め、このＬ１の値のＸ方向成分「Ｌ１
x」、Ｙ方向成分「Ｌ1y」に対して重み係数「Ｋx」，
「Ｋy」を用いた補正が、以下の算出式に従って行われ
る。Ｌ１’＝｛（Ｋx＊Ｌ１x）²＋（Ｋy＊Ｌ１y）²｝^1/2 一方で、第１のヘッド３０Ａについての前記最終加工位
置から第２近傍ブロックの最終加工位置までの距離「Ｌ
２」が求められ、この「Ｌ２」の値のＸ方向成分「Ｌ２
x」、Ｙ方向成分「Ｌ２y」に対して重み係数「Ｋx」，
「Ｋy」を用いた補正が、以下の算出式に従って行われ
る。

【００７４】Ｌ２’＝｛（Ｋx＊Ｌ２x）²＋（Ｋy＊Ｌ２y）²｝^1/2 ここで、「重み」づけのための係数「Ｋx」，「Ｋy」
は、前述したように、加工対象領域内の加工対象ヒュー
ズの並びが、Ｘ方向，Ｙ方向の何れか一方向に特化して
いた場合等に、その特化の具合に合わせて適宜設定され
るものである。尚、特化されていない場合には、Ｋx＝
１，Ｋy＝１に設定される。

【００７５】これらの係数は、ステップＳ５０５にて、
第１近傍ブロックと第２近傍ブロックを求めるときの距
離の算出時にも「重み」づけ係数として適用される。
尚、ここでも、２ヘッドフライブロック時であるなら
ば、２つのヘッド３０Ａ，３０Ｂの何れかにについて
は、実際に加工対象ヒューズが位置していない場合があ
るので、この場合には、対応するヘッド位置までの距離
に基づいて、距離「Ｌ１’」又は「Ｌ２’」が求められ
る。

【００７６】次のステップＳ５０７では、今度は、第２
のヘッド３０Ｂの最終加工位置の座標に基づいて、上記
最終加工位置に一番近い第１近傍ブロックと２番目に近
い第２近傍ブロックが求められる。ここでも、２ヘッド
フライブロック時であるならば、２つのヘッド３０Ａ，
３０Ｂの何れかにについては、実際に加工対象ヒューズ
が位置していない場合がある。従って、ヒューズが位置
していない場合には、対応するヘッド位置までの距離に
基づいて一番目又は２番目に近いヒューズ・ブロックが
求められる。

【００７７】次のステップＳ５０８では、第２のヘッド
３０Ｂについての今回（ｎ番目のループ）の最終加工位
置（前記ステップＳ５０４で求められた座標）から第１
近傍ブロックの最終加工位置までの距離「Ｌ３」と、該
今回の最終加工位置から第２近傍ブロックの最終加工位
置までの距離「Ｌ４」が算出され、更に、これらの値
を、２ヘッド・レーザ加工装置１０の特性に応じて修正
した値「Ｌ３’」，「Ｌ４’」が求められる。ここで、
距離「Ｌ３」，「Ｌ４」を修正する手法は、上記ステッ
プＳ５０６における修正の手法と同様であり、その説明
は省略する。尚、ここでも、２ヘッドフライブロック時
であるならば、２つのヘッド３０Ａ，３０Ｂの何れかに
については、実際に加工対象ヒューズが位置していない
場合があるので、この場合には、対応するヘッド位置ま
での距離に基づいて、距離「Ｌ３’」又は「Ｌ４’」が
求められる。

【００７８】次のステップＳ５０９では、上記求められ
た４つの値「Ｌ１’」，「Ｌ２’」，「Ｌ３’」，「Ｌ
４’」が比較され、最も短い距離（「Ｌ１’」〜「Ｌ
４’」の何れか）の算出に用いられた近傍ブロックを次
候補に決定し、ステップＳ５１０に進む。

【００７９】このように、今回の加工対象ヒューズ・ブ
ロックにおける第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの各
々を基準にして、これに近傍するブロック（第１，第２
近傍ブロック）までの距離「Ｌ１’」〜「Ｌ４’」を求
め、そのうち最短の距離に該当する近傍ブロックを、次
候補に決定することによって、簡易に、１チップ又はマ
ルチ・チップ内ヒューズ・ソートにおける、ヒューズ・
ブロック間の最適経路を得ることができる。

【００８０】又、上記距離「Ｌ１」〜「Ｌ４」に対し
て、Ｘ方向、Ｙ方向の何れを優先させるかに応じて設定
される重み係数「Ｋx」，「Ｋy」を用いた補正を行って
「Ｌ１’」〜「Ｌ４’」を得る手法を用いることによっ
て、当該２ヘッド・レーザ加工装置１０の動作特性に応
じて、その最適経路を得ることができる。次のステップ
Ｓ５１０では、上記設定された次候補のヒューズ・ブロ
ック内でのレーザ加工方向が決定される。

【００８１】このレーザ加工方向の決定は、図８に示す
次候補ブロックの加工方向の決定処理に従って行われ
る。このサブルーチンが開始されると、先ず、ステップ
Ｓ７０１で、今回加工対象となったヒューズ・ブロック
の最終加工位置(前回処理で決定されたヘッド位置)から
次回加工対象となるヒューズ・ブロックの最も近い加工
位置、最も遠い加工位置を順に経て、次々回に加工対象
となるヒューズ・ブロックの最初の加工位置に至る距離
であって、第１のヘッド３０Ａの最終加工位置に基づい
た値「ＬＭ１」と、第２のヘッド３０Ｂの最終加工位置
に基づいた値「ＬＭ２」とが求められる。

【００８２】次のステップＳ７０２では、今回加工ブロ
ックの最終加工位置(前回処理で決定されたヘッド位置)
から次回加工ブロックの最も遠い加工位置、最も近い加
工位置を順に経て次々回の加工ブロックの最初の加工位
置に至る距離であって、次回加工ブロックの第１ヘッド
の最終加工位置に基づいた値「ＬＭ３」と次回加工ブロ
ックの第２ヘッドの最終加工位置に基づいた値「ＬＭ
４」とが求められる。

【００８３】そして、ステップＳ７０３に進んで、上記
ステップＳ７０１，Ｓ７０２で求められた「ＬＭ１」〜
「ＬＭ４」が互いに比較されて、そのうちの最も短い値
が求められる。次のステップＳ７０４では、上記ステッ
プＳ７０３で求められた最も短い値に応じて、レーザ加
工時の加工方向が決定される。

【００８４】即ち、最も短い値が、「ＬＭ１」又は「Ｌ
Ｍ２」の場合には、次回加工ブロックの近い加工位置か
ら遠い加工位置に向けてその加工方向が決定され、一
方、最も短い値が、「ＬＭ３」又は「ＬＭ４」の場合に
は、次回加工ブロックの遠い加工位置から近い加工位置
に向けてその加工方向が決定され、その後、本ルーチン
を終了する。

【００８５】このように、次候補のヒューズ・ブロック
での加工方向を決定する際に、第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂの各々について、今回のレーザ加工の最終加
工位置から次々回の加工を行うヒューズ・ブロックの最
も近い加工位置に至るまでの経路の距離を、実際に、一
方の加工方向と他方の加工方向を想定して算出し、該算
出した経路の距離「ＬＭ１」〜「ＬＭ４」を互いに比較
して加工方向を決定する手法を用いることによって、ヒ
ューズ・ブロック間を結ぶ、更に好適な最適経路を得る
ことができる。

【００８６】尚、「ＬＭ１」〜「ＬＭ４」を算出するに
当って、「Ｘ方向」，「Ｙ方向」の重み付けを行っても
よいのは基論である勿論である。図１４〜図１６は、本
発明を適用して、実際に、レーザ加工処理を実行した際
に得られる、ヒューズ・ブロック間の最適経路を示す図
である。図１４に示す例では、前回の処理が行われたヒ
ューズ・ブロックにおける第１，第２のヘッド３０Ａ，
３０Ｂの各々の最終加工位置がＡ，Ｂであらわされてい
る。

【００８７】そして、未だ、レーザ加工処理が行われて
いないヒューズ・ブロックが、（ａ←→ａ’，ｂ←→
ｂ’），（ｃ←→ｄ），（ｅ←→ｆ）で示されている。
この図１４に示すようにヒューズが分布している場合、
そのヒューズ・ブロック間最適経路は、図中、破線と２
点鎖線で示す経路となる。即ち、この例では、２ヘッド
用フライブロックは（ｅ←→ｆ；ｃ←→ｄ）、（ａ←→
ｂ）である。尚、（ａ←→ｂ）は１列ではあるが、本実
施形態の２ヘッド・レーザ加工装置１０によれば、Ｙ方
向に並んでいる（ａ←→ａ’；ｂ’←→ｂ）の２ヘッド
用フライブロックとして処理されることになる。

【００８８】このようにブロック化されたヒューズに対
しては、Ａ，Ｂ点から次のヒューズ・ブロックに移動す
る際には、図６に示す１チップ又はマルチ・チップ内ヒ
ューズ・ソート処理のステップＳ５０６，Ｓ５０８によ
って、（Ａ→ａ→ｂ’）となる経路Ｌ１’、（Ａ→ｅ→
ｆ）となる経路Ｌ２’、（Ｂ→ａ’→ｂ）となる経路Ｌ
３’、（Ｂ→ｃ→ｄ）となる経路Ｌ４’とが求められ
る。

【００８９】そして、図６のステップＳ５０９で、その
うち最短のＬ１’（＝Ｌ３’）が選ばれ、次候補が（ａ
←→ａ’）又は（ｂ←→ｂ’）に決定される。ここで
は、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの何れを基準に
しても近傍ブロックの選択（次候補の決定）は変わらな
い（Ｌ１’＝Ｌ３’，Ｌ２’＝Ｌ４’）。尚、図示例で
は、（Ａ←→Ｂ）の距離、（ａ←→ａ’）の距離，（ｂ
←→ｂ’）の距離、（ｃ←→ｅ）の距離，（ｄ←→ｆ）
の距離はすべて等しいものとしている。

【００９０】上記のように次候補のヒューズ・ブロック
が決定されると、続いて、図８に示す次候補ブロックの
加工方向の決定処理で、その加工方向が決定される。こ
の処理のステップＳ７０１では、距離ＬＭ１，ＬＭ２が
求められる。ここでＬＭ１は（Ａ→ａ→ｂ’→ｅ→
ｆ）、ＬＭ２は（Ｂ→ａ’→ｂ→ｃ→ｄ）となる。

【００９１】又、ステップＳ７０２では、距離ＬＭ３，
ＬＭ４が求められる。ここで、ＬＭ３は（Ａ→ｂ’→ａ
→ｅ→ｆ）、ＬＭ４は（Ｂ→ｂ→ａ’→ｃ→ｄ）とな
る。従って、このうち距離が最短になるのはＬＭ３（＝
ＬＭ４）であり、次候補のヒューズ・ブロック（ａ←→
ａ’）又は（ｂ←→ｂ’）に対しては、図中、下から上
に向かってレーザ加工処理が行われることになり、上記
したように第１のヘッド３０Ａは破線に示す経路に沿っ
て移動し、このとき第２のヘッド３０Ｂは一点鎖線に示
す経路に沿って移動する。

【００９２】図１５に示す例でも、前回の処理が行われ
たヒューズ・ブロックにおける第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂの各々の最終加工位置がＡ，Ｂであらわされ
ている。そして、未だ、レーザ加工処理が行われていな
いヒューズ・ブロックが、（ａ←→ｂ），（ｃ←→
ｄ），（ｅ←→ｆ），（ｇ←→ｈ）で示されている。こ
の図１５に示すようにヒューズが分布している場合、そ
のヒューズ・ブロック間最適経路は、先ず、第１のヘッ
ド３０Ａが、図中、破線で示す経路に沿って移動し、第
２のヘッド３０Ｂが２点鎖線で示す経路に沿って移動す
る。尚、ここでは、連続する２つ分の、ヒューズ・ブロ
ックへのレーザ加工処理いついて説明する。

【００９３】即ち、この例では、ヒューズの並びが、第
１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの調整された位置との
関係で、２ヘッド用フライブロックによるブロック分け
は行われず、１ヘッド用フライブロック分けにより、
（ａ←→ｂ）、（ｃ←→ｄ）、（ｅ←→ｆ）、（ｇ←→
ｈ）のヒューズ・ブロックに分けられる。このようにブ
ロック化されたヒューズに対しては、Ａ，Ｂ点から次の
ヒューズ・ブロックに移動する際、図６に示す１チップ
又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理のステップ
Ｓ５０６，Ｓ５０８が実行されて、（Ａ→ａ→ｂ）とな
る経路Ｌ１’、（Ａ→ｃ→ｄ）となる経路Ｌ２’、（Ｂ
→ｇ→ｈ）となる経路Ｌ３’、（Ｂ→ｅ→ｆ）となる経
路Ｌ４’とが求められる。

【００９４】そして、図６のステップＳ５０９で、その
うち最短のＬ３’が選ばれ、次候補が（ｇ←→ｈ）に決
定される。上記のように次候補のヒューズ・ブロックが
（ｇ←→ｈ）に決定されると、続いて、図８に示す次候
補ブロックの加工方向の決定処理で、その加工方向が決
定される。

【００９５】ここで、図１５に示すヒューズ分布におい
て、次候補として第２のヘッド３０Ｂによる（ｇ←→
ｈ）が選ばれたのであれば、次々候補としては、第１
のヘッド３０Ａによる（ｃ←→ｄ）へのレーザ加工処
理、第２のヘッド３０Ｂによる（ｃ←→ｄ）へのレー
ザ加工処理、第２のヘッド３０Ｂによる（ｅ←→ｆ）
へのレーザ加工処理が選ばれ得る。

【００９６】このような条件下で、ステップＳ７０１が
実行されると、距離ＬＭ１は（Ｂ→ｇ→ｈ）と（Ａ’→
ｄ→ｃ）との和となる。又、距離ＬＭ２は（Ｂ→ｇ→ｈ
→ｄ→ｃ）となる。尚、「Ａ’」は、前回のレーザ加工
処理が第２のヘッド３０Ｂのみであったときの、第１の
ヘッド３０Ａが位置する点（加工対象ヒューズは存在し
ない）を示す。

【００９７】又、この条件下で、ステップＳ７０２が実
行されると、距離ＬＭ３は（Ｂ→ｈ→ｇ）と（Ａ”→ｃ
→ｄ）との和となる。又、距離ＬＭ４は（Ｂ→ｈ→ｇ→
ｅ→ｆ）となる。尚、「Ａ”」は、「Ａ’」と同じよう
に、前回のレーザ加工処理が第２のヘッド３０Ｂのみで
あったときの、第１のヘッド３０Ａが位置する点（加工
対象ヒューズは存在しない）を示す。

【００９８】このように得られた距離ＬＭ１〜ＬＭ４の
うち、最短になるのはＬＭ１であり、次候補のヒューズ
・ブロック（ｇ←→ｈ）に対しては、図中、左から右に
向かってレーザ加工処理が行われることになる。尚、こ
の場合、次々候補は、（ｃ←→ｄ）となる。図１６に示
す例では、前回の処理が行われたヒューズ・ブロックに
おける第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの各々の最終
加工位置がＳ１，Ｒ１であらわされている。

【００９９】そして、未だ、レーザ加工処理が行われて
いないヒューズ・ブロックが、（ａ←→ｂ），（ｃ←→
ｄ），（ｅ←→ｆ），（ｇ←→ｈ），（ｉ←→ｊ），
（ｋ←→ｌ）で示されている。この図１６に示すように
ヒューズが分布している場合、図３，図４に示した２ヘ
ッド加工部の配置決定処理の実行によって決定される第
１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの位置関係は、上記し
た図１４，図１５の例と異なり、Ｘ方向，Ｙ方向の何れ
に対しても平行ではない（図示例の、Ｓ１とＲ１との位
置関係に相当する）。

【０１００】そのヒューズ・ブロック間最適経路は、図
中、破線と２点鎖線で示す経路となる。即ち、この例で
は、２ヘッド用フライブロックが（ａ←→ｂ；ｃ←→
ｄ）、（ｅ←→ｆ；ｇ←→ｈ）、（ｉ←→ｊ；ｋ←→
ｌ）である。このようにブロック化されたヒューズに対
して、Ｓ１，Ｒ１から次のヒューズ・ブロックに移動す
る場合を考える。

【０１０１】このとき実行される、図６に示す１チップ
又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソート処理のステップ
Ｓ５０６，Ｓ５０８によって、（Ｓ１→ａ→ｂ→Ｓ２）
となる経路Ｌ１’、（Ｓ１→Ｓ９→ｈ）となる経路Ｌ
２’（＝Ｌ４’）、（Ｒ１→ｃ→ｄ）となる経路Ｌ３’
（＝Ｌ１’）、（Ｒ１→ｅ→Ｒ３）となる経路Ｌ４’と
が求められる。

【０１０２】ここでＬ１’、Ｌ４’の値は、具体的に
は、次式によって求められる。

【数１】

【数２】ここで、“Ｓ１x”は“Ｓ１”の座標のＸ成分、“ａx”
は“ａ”の座標のＸ成分、“Ｓ１ｙ”は“Ｓ１”の座標
のＹ成分、“ａy”は“ａ”の座標のＹ成分、“Ｓ２x”
は“Ｓ２”の座標のＸ成分、“ｅx”は“ｅ”の座標の
Ｘ成分、“Ｓ２y”は“Ｓ２”の座標のＹ成分、“ｅx”
は“ｅ”の座標のＹ成分である。又、“Ｗx”，“Ｗy”
は重み付けのための係数である。例えば、“Ｗx”，
“Ｗy”を共に「１．０」とした場合には、Ｌ４’が最
短になり、“Ｗx”を「１．０」、“Ｗy”を「２．０」
とした場合には、Ｌ１’が最短になる。

【０１０３】以下では、は“Ｗx”を「１．０」、“Ｗ
y”を「２．０」とした場合について考える。この場
合、図６のステップＳ５０９で、最短がＬ１’（＝Ｌ
３’）とされ、次候補が（ａ←→ｂ）又は（ｃ←→ｄ）
が決定される。ここでは、第１，第２のヘッド３０Ａ，
３０Ｂの何れを基準にしても近傍ブロックの選択（次候
補の決定）は変わらない（Ｌ１’＝Ｌ３’，Ｌ２’＝Ｌ
４’）。尚、図示例では、（Ｓ１←→Ｒ１）の距離のＹ
方向成分が（ａ←→ｃ）の距離，（ｂ←→ｄ）の距離と
等しく、（Ｓ１←→Ｒ１）の距離のＸ方向成分が（ｆ←
→ｈ）の距離，（ｅ←→ｇ）の距離，（ｊ←→ｌ）の距
離，（ｉ←→ｋ）の距離と等しい。

【０１０４】上記のように次候補のヒューズ・ブロック
が決定されると、続いて、図８に示す次候補ブロックの
加工方向の決定処理で、その加工方向が決定される。こ
の処理のステップＳ７０１では、距離ＬＭ１，ＬＭ２が
求められる。ここでＬＭ１は（Ｓ１→ａ→ｂ→Ｓ２→
ｇ）、ＬＭ２は（Ｒ１→ｃ→ｄ→ｅ）となる。ここでＬ
Ｍ１＝ＬＭ２である。

【０１０５】又、ステップＳ７０２では、距離ＬＭ３，
ＬＭ４が求められる。ここで、ＬＭ３は（Ｓ１→Ｓ２→
ｂ→ａ→ｇ）、ＬＭ４は（Ｒ１→ｄ→ｃ→ｅ）となる。
ここでＬＭ３＝ＬＭ４である。ここで、距離が最短にな
るのはＬＭ１（＝ＬＭ２）であり、次候補のヒューズ・
ブロック（ａ←→ｂ）又は（ｃ←→ｄ）に対しては、図
中、左から右に向かってレーザ加工処理が行われること
になり、上記したように第１のヘッド３０Ａは破線に示
す経路に沿って移動し、このとき第２のヘッド３０Ｂは
一点鎖線に示す経路に沿って移動する。

【０１０６】この図示例では、第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂの何れに基づいて最適経路を求めても、次候
補ブロックもその加工方向も同じになる。尚、次候補ブ
ロック（ａ←→ｂ）又は（ｃ←→ｄ）が選択され、次々
候補（ｈ←→ｇ）又は（ｆ←→ｅ）に基づいて加工方向
を決定する際には、この次々候補（ｈ←→ｇ）又は（ｆ
←→ｅ）の“ｇ”，“ｅ”の座標に基づいて、その経路
ＬＭ１〜ＬＭ４を算出している。しかしながら、実際
に、ヒューズ・ブロック（ｈ←→ｇ）又は（ｆ←→ｅ）
に対してレーザ加工処理を実行する際には、ヒューズ・
ブロック（ａ←→ｂ）又は（ｃ←→ｄ）に対するレーザ
加工処理が終了した時点、即ち、最終加工位置（又は移
動位置）“Ｓ１”，“ｄ”で、これらヒューズ・ブロッ
ク（ｈ←→ｇ）又は（ｆ←→ｅ）に対する新たな加工方
向を、次のヒューズ・ブロック（図示例では（ｉ←→
ｊ），（ｋ←→ｌ））の位置に基づいて、再度、決定す
るため、実際のレーザ加工処理の経路は、第１のヘッド
３０Ａが（Ｓ１→ａ→ｂ→Ｓ２→ｈ→ｇ→ｌ→ｋ）、第
２のヘッド３０Ｂが（Ｒ１→ｃ→ｄ→Ｒ３→ｆ→ｅ→ｊ
→ｉ）となる。

【０１０７】以上、説明したように本実施形態の２ヘッ
ド・レーザ加工装置１０では、次のヒューズ・ブロック
（次候補）を、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂの各
々について、今回（ｎ番目のループ）の最終加工位置か
ら、次のヒューズ・ブロックの最終加工位置までの距離
「Ｌ１」，「Ｌ２」，「Ｌ３」，「Ｌ４」を求め、これ
らの値に基づいて決定することによってそのチップ内ヒ
ューズ・ソートが最適な経路に決定される。

【０１０８】尚、本実施形態の２ヘッド・レーザ加工装
置１０は、別個に設けられた第１，第２のヘッド３０
Ａ，３０Ｂを備えた構成となっているが、図１７に示す
ように、１つの対物レンズ１３４で、２つのレーザ光Ｌ
ａ１’，Ｌａ１”を発生させるタイプの２ヘッド・レー
ザ加工装置１１０にも本発明は適用できるのは、勿論で
ある。

【０１０９】又、本実施形態では、２つの加工部を有す
る２ヘッド・レーザ加工装置を例にあげて説明したが、
３つ以上の加工部を有する加工装置に関しても、本発明
の示す手順に従って、各加工部の互いの位置を、加工点
の分布状態等に基づいて決定することで、加工処理の効
率を高めることができる。又、本実施形態では、半導体
ウェーハ上の冗長ヒューズを溶断するためのレーザ加工
装置に本発明を適用する例をあげて説明したが、本発明
は、試料が搭載されるステージと、２以上の加工部が相
対的に移動されてその加工処理が行われる加工装置一般
に利用可能であることは勿論である。

【０１１０】又、本実施形態では、上記したレーザ加工
処理のプログラムを、主制御装置５０を構成するマイク
ロコンピュータの内部メモリ（例えばＲＯＭ）に記憶す
るようにしているが、ＣＤ−ＲＯＭ等の外部の記憶媒体
等に記憶してもよい。又、ＡＳＩＣや、ゲートアレイ、
ＰＣＢ等を用いて、本発明をハード的に実現してもよ
い。

【０１１１】又、本実施形態では、Ｘ−Ｙステージ２１
が、第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂ（加工部）に対
して相対的に移動されるようになっているが、反対に、
第１，第２のヘッド３０Ａ，３０ＢをＸ−Ｙステージ２
１に対して相対的に移動させてもよいし、Ｘ−Ｙステー
ジ２１と第１，第２のヘッド３０Ａ，３０Ｂ（加工部）
の両方を同時に動作させてもよい。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明した請求項１の発明によれば、
２以上の加工部の相対的な位置関係を、被加工物の加工
点の分布状態に応じて決定できるので、加工処理の高効
率化を図ることができる。又、請求項２の発明によれ
ば、２以上の加工部を有する加工装置における加工部の
移動経路を決定するにあたり、２以上の加工部を基準に
して、各々の加工部に係る経路を求め、その中から最適
経路を選択するようにしているので、２以上の加工部を
有する加工装置の特性、特に加工部の位置関係等に応じ
た最適経路が決定され、加工の効率が高められ、スルー
プットが向上する。

【０１１３】又、請求項３又は請求項４の発明によれ
ば、加工装置の特性に応じて、その加工部若しくはＸ−
Ｙステージの移動方向の変換の回数を少なく抑えて、加
工の効率が高められ、スループットが向上する。又、請
求項４の発明によれば、最適経路決定手段によって加工
対象となった領域における加工処理の方向を、次の領域
までの経路が最適になるように決定できるので、加工処
理における経路の更なる最適化が図られ、加工の効率が
高められ、スループットが向上する。

【０１１４】又、請求項５の発明によれば、２以上の加
工部の相対的な位置関係を、被加工物の加工点の分布状
態に応じて決定できるので、加工処理の高効率化を図る
ことができる。又、請求項６の発明によれば、２以上の
加工部を有する加工装置における加工部の移動経路を決
定するにあたり、２以上の加工部を基準にして、各々の
加工部に係る経路を求め、その中から最適経路を選択す
るようにしているので、２以上の加工部を有する加工装
置の特性、特に加工部の位置関係等に応じた最適経路が
決定され、加工の効率が高められ、スループットが向上
する。

【０１１５】又、請求項７又は請求項８の発明によれ
ば、認識された複数の領域を、巡回セールスマン問題に
おける都市（地点）とみなすだけで、これら複数の領域
を結ぶ最適経路が容易で且つ短期間の演算で得られるの
で、加工の効率が高められ、スループットが向上する。
又、請求項９の発明によれば、複数の領域がグループ化
されて１つの領域とみなされるので、最適経路の演算が
簡略化され、演算に要する時間も短縮化され、加工の効
率が高められ、スループットが向上する。

【０１１６】又、請求項１０の発明によれば、加工装置
の特性に応じて、その加工部若しくはＸ−Ｙステージの
移動方向の変換の回数を少なく抑えて、加工の効率が高
められ、スループットが向上する。又、請求項１１の発
明によれば、分割領域における加工方向の最適化を図っ
て、加工の効率が高められ、スループットが向上する。
又、請求項１２の発明によれば、分割領域に対する加工
の経路を当該Ｘ−Ｙステージの特性に応じて最適化で
き、加工の効率が高められ、スループットが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態のレーザ加工装置１０の全体
構成図である。

【図２】本発明の実施形態のレーザ加工処理のプログラ
ムを示すフローチャートである。

【図３】２ヘッド加工部の配置決定処理のサブルーチン
を示すフローチャートである。

【図４】図３に続く、２ヘッド加工部の配置決定処理の
サブルーチンを示すフローチャートである。

【図５】ウェーハ内チップ・ソート処理のサブルーチン
を示すフローチャートである。

【図６】１チップ又はマルチ・チップ内ヒューズ・ソー
ト処理のサブルーチンを示すフローチャートである。

【図７】加工対象チップ内の２ヘッド用フライブロック
分け処理のサブルーチンを示すフローチャートである。

【図８】次候補ブロックの加工方向の決定処理のサブル
ーチンを示すフローチャートである。

【図９】加工対象チップ内の加工対象ヒューズの位置を
表す平面図である。

【図１０】加工対象チップ内の加工対象ヒューズの位置
を表す平面図である。

【図１１】本実施形態のウェーハ内チップ・ソートを説
明するための半導体ウェーハ内の加工対象チップの分布
状態を示す図である。

【図１２】本実施形態のウェーハ内チップ・ソートによ
る効果を説明するための半導体ウェーハを示す図であ
る。

【図１３】本実施形態のウェーハ内チップ・ソートによ
る効果を説明するための半導体ウェーハを示す図であ
る。

【図１４】本実施形態の１チップ又はマルチ・チップ内
ヒューズ・ソートによる加工対象チップ内の加工対象ヒ
ューズの位置を表す平面図である。

【図１５】本実施形態の１チップ又はマルチ・チップ内
ヒューズ・ソートによる加工対象チップ内の加工対象ヒ
ューズの位置を表す平面図である。

【図１６】本実施形態の１チップ又はマルチ・チップ内
ヒューズ・ソートによる加工対象チップ内の加工対象ヒ
ューズの位置を表す平面図である。

【図１７】本発明が適用可能な他のレーザ加工装置１１
０の全体構成図である。

【図１８】従来のチップ内ヒューズ・ソートを説明する
ための加工対象チップ内の加工対象ヒューズの位置を表
す平面図である。

【符号の説明】

１半導体ウェーハ（加工対象）２チップ１０レーザ加工装置（加工装置）２１Ｘ−Ｙステージ（ステージ）３０照射光学系３０Ａ第１のヘッド（加工部）３０Ｂ第２のヘッド（加工部）５０主制御装置（ステージ制御部、加工部調整手段、
分割領域認識手段、最適経路決定手段、ステージ移動手
段、領域認識手段、領域間最適経路決定手段、分割領域
間最適経路決定手段、グループ化手段）ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌヒ
ューズ（加工点）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/82 Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工物が搭載されるステージと、該ステージ上の被加工物の加工面上の加工点に加工を施
す２以上の加工部と、前記２以上の加工部と前記ステージの少なくとも一方を
移動させてこれらの相対的な位置関係を制御するステー
ジ制御部とを備え、該ステージ制御部は少なくとも、前記加工面上の加工点の配列パターン及び／又は加工部
の移動方向に基づいて前記２以上の加工部の相対的な位
置を決定する加工部調整手段と、前記加工面を前記加工点の配列パターンに基づいて複数
の分割領域に分割して認識する分割領域認識手段と、該分割領域認識手段によって認識された分割領域を結ぶ
最適経路を決定する最適経路決定手段と、該最適経路に沿って、前記２以上の加工部が前記相対的
な位置関係を維持したまま、前記被加工物上を相対的に
移動させるステージ移動手段とを有することを特徴とす
る加工装置。
【請求項２】前記最適経路決定手段は、今回加工を行
った分割領域から次回の加工を行う分割領域を決定する
にあたり、今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
選択し、今回加工を行った分割領域における、２以上の加工部の
うち特定の加工部による最終の加工点と、前記２以上の
分割領域における前記最終の加工点から最も遠い前記特
定の加工部による加工点との距離及び／又は最も近い前
記特定の加工部による加工点との距離を、前記２以上の
分割領域に関して、各々算出し、今回加工を行った分割領域における、２以上の加工部の
うち他の加工部による最終の加工点と、前記２以上の分
割領域における前記最終の加工点から最も遠い前記他の
加工部による加工点との距離及び／又は最も近い前記他
の加工部による加工点との距離を、前記２以上の分割領
域に関して、各々算出し、該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
分割領域を、次回の加工を行う分割領域とすることを特
徴とする請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】前記ステージはＸ−Ｙステージであり、前記最適経路決定手段は、今回の加工において優先させ
るＸ方向若しくはＹ方向又は予め優先させるべく決定さ
れたＸ方向若しくはＹ方向に基づいて、Ｘ方向又はＹ方
向の何れかに重み付けを行って、前記距離の算出を行う
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加工装
置。
【請求項４】前記ステージはＸ−Ｙステージであり、前記最適経路決定手段は、今回の加工が行われた分割領域の前記特定の加工部によ
る最終の加工点から、前記次回の加工を行う分割領域を
任意の加工方向に従って経由して、次々回の加工を行う
分割領域内の前記特定の加工部による加工点に至る距離
を算出し、今回の加工が行われた分割領域の前記他の加工部による
最終の加工点から、前記次回の加工を行う分割領域を任
意の加工方向に従って経由して、次々回の加工を行う分
割領域内の前記他の加工部による加工点に至る距離を算
出し、該算出した距離が最短となるように、前記次回の加工を
行う分割領域における加工方向を決定することを特徴と
する請求項１から請求項３の何れかに記載の加工装置。
【請求項５】被加工物が搭載されるステージと、該被加工物の加工面上の加工点に加工を施す２以上の加
工部と、前記２以上の加工部と前記ステージの少なくとも一方を
移動させてこれらの相対的な位置関係を制御するステー
ジ制御部とを備え、前記ステージ制御部は少なくとも、前記加工面上の加工点の配列パターン及び／又は加工部
の移動方向に基づいて前記２以上の加工部の相対的な位
置を決定する加工部調整手段と、前記加工面を複数の領域として認識する領域認識手段
と、該領域認識手段によって認識された領域のすべてを結ぶ
最適経路を決定する領域間最適経路決定手段と、該領域を、加工点の配列パターンに基づいて分割して複
数の分割領域として認識する分割領域認識手段と、該分割領域認識手段によって認識された少なくとも２以
上の分割領域のすべてを結ぶ最適経路を決定する分割領
域間最適経路決定手段と、前記領域間最適経路と前記分割領域間最適経路とに沿っ
て、前記２以上の加工部が前記相対的な位置関係を維持
したまま、前記被加工物の加工面上を相対的に移動する
ように、該２以上の加工部と前記ステージとを相対的に
移動させるステージ移動手段とを有することを特徴とす
る加工装置。
【請求項６】前記分割領域間最適経路決定手段は、今
回加工を行った分割領域から次回の加工を行う分割領域
を決定するにあたり、今回加工を行った分割領域の近傍の２以上の分割領域を
選択し、今回加工を行った分割領域における、２以上の加工部の
うち特定の加工部による最終の加工点と、前記２以上の
分割領域における前記最終の加工点から最も遠い前記特
定の加工部の加工点との距離及び／又は最も近い前記特
定の加工部の加工点との距離を、前記２以上の分割領域
に関して、各々算出し、今回加工を行った分割領域における、２以上の加工部の
うち他の加工部による最終の加工点と、前記２以上の分
割領域における前記最終の加工点から最も遠い前記他の
加工部の加工点との距離及び／又は最も近い前記他の加
工部の加工点との距離を、前記２以上の分割領域に関し
て、各々算出し、該算出した距離のうち最も短い距離となる加工点を含む
分割領域を、次回の加工を行う領域とすることを特徴と
する請求項５に記載の加工装置。
【請求項７】前記領域間最適経路決定手段は、前記領
域間最適経路を巡回セールスマン問題のアルゴリズムを
用いて決定することを特徴とする請求項５又は６に記載
の加工装置。
【請求項８】前記領域間最適経路決定手段は、前記領
域間最適経路をリン・アンド・カーニンハン法を用いて
決定することを特徴とする請求項７に記載のレーザ加工
装置。
【請求項９】前記ステージ制御部は、前記認識された
複数の領域を１以上の領域からなるグループに分けてこ
れを１つの領域とみなすグループ化手段を有し、前記領域間最適経路決定手段は、前記１つの領域とみな
された少なくとも２以上のグループを結ぶ最適経路を求
め、該求めた最適経路に基づいて前記領域間最適経路を
決定することを特徴とする請求項５から請求項９の何れ
かに記載の加工装置。
【請求項１０】前記ステージはＸ−Ｙステージであ
り、前記分割領域間最適経路決定手段は、今回の加工におい
て優先させるＸ方向若しくはＹ方向又は予め優先させる
べく決定されたＸ方向若しくはＹ方向に基づいて、Ｘ方
向又はＹ方向の何れかに重み付けを行って、前記距離の
算出を行うことを特徴とする請求項６に記載の加工装
置。
【請求項１１】前記ステージはＸ−Ｙステージであ
り、前記分割領域間最適経路決定手段は、今回の加工が行われた分割領域の前記特定の加工部によ
る最終の加工点から、前記次回の加工を行う分割領域を
任意の加工方向に従って経由して、次々回の加工を行う
分割領域内の前記特定の加工部による加工点に至る距離
を算出し、今回の加工が行われた分割領域の前記他の加工部による
最終の加工点から、前記次回の加工を行う分割領域を任
意の加工方向に従って経由して、次々回の加工を行う分
割領域内の前記他の加工部による加工点に至る距離を算
出し、該算出した距離が最短となるように、前記次回の加工を
行う分割領域における加工方向を決定することを特徴と
する請求項６又は請求項１０に記載の加工装置。
【請求項１２】前記加工部は、レーザビームを照射す
るレーザ加工部であり、前記ステージは、被加工物として半導体ウェーハが搭載
されるＸ−Ｙステージであり、前記認識された領域は半導体ウェーハのチップであり、前記加工点は、前記チップに配置されているヒューズで
あり、前記分割領域はヒューズ・ブロックであることを特徴と
する請求項１から請求項１２の何れかに記載の加工装
置。