JP2003080384A

JP2003080384A - レーザマーカ

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Publication number: JP2003080384A
Application number: JP2001275431A
Authority: JP
Inventors: Satoru Matsushita; 悟松下
Original assignee: Keyence Corp
Current assignee: Keyence Corp
Priority date: 2001-09-11
Filing date: 2001-09-11
Publication date: 2003-03-18
Anticipated expiration: 2021-09-11
Also published as: JP4778647B2

Abstract

(57)【要約】【課題】印字開始までの平均待ち時間をできるだけ短
縮することが可能なレーザマーカを提供する。【解決手段】コントローラ部２は、外部機器３，３２
から与えられる印字文字の種類及び印字位置を含む設定
情報を記憶するためのＳＲＡＭ２２と、印字加工に際し
てレーザ光がたどるべき軌跡を含む展開情報を記憶する
ためのＤＲＡＭ２３と、ＤＲＡＭ２３から読み出した展
開情報にしたがってヘッド部１のレーザ発振器１１及び
偏向光学系１２を制御するＭＰＵ２１とを備えている。
ＭＰＵ２１は、ＳＲＡＭ２２に複数の設定情報を記憶さ
せると共に、複数の設定情報から展開した複数の展開情
報をＤＲＡＭ２３に記憶させ、ＤＲＡＭ２３から選択的
に読み出した１つの展開情報にしたがってレーザ発振器
１１及び偏向光学系１２を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
対象物の表面に印字加工を行うためのレーザ発振器及び
偏向光学系を有するヘッド部と、レーザ発振器及び偏向
光学系を制御するコントローラ部とを備えたレーザマー
カに関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のレーザマーカは、レーザ光を用
いて樹脂、木、金属等の対象物の表面に文字等のマーキ
ングを行うための装置である。炭酸ガスレーザ又はＹＡ
Ｇレーザのような比較的高い出力が得られるレーザから
発せられたレーザ光で樹脂、木、金属等の対象物の表面
を加熱し、表面を局部的に変色又は変形させることによ
り文字等のマーキングを行う。

【０００３】マーキングすべき文字等に沿ってレーザ光
を偏向させる方法として、通常はベクタースキャンと呼
ばれる方法が用いられる。これは、ガルバノミラーを用
いてレーザ光のＸ方向及びＹ方向の偏向を同時に制御す
ることにより、文字又は線画に沿ってレーザ光の照射ス
ポットを移動させる方法である。効率よく短時間でマー
キングを行うように、できるだけ一筆書きとなる軌跡が
選択される。

【０００４】レーザマーカはヘッド部とコントローラ部
からなり、ヘッド部にはレーザ発振器及びレーザ光の偏
向光学系が備えられている。コントローラ部には、レー
ザ発振器及び偏向光学系等の制御を行う処理手段（マイ
クロプロセッサ）が備えられている。また、印字文字の
種類及び印字位置を含む設定情報と、その設定情報から
生成される展開情報とを記憶するメモリがコントローラ
部に設けられている。展開情報は、レーザ光が対象物の
表面をたどるべき軌跡に関する情報である。

【０００５】コントローラ部にはコンソールやパーソナ
ルコンピュータのような外部機器が接続され、設定情報
が外部機器からコントローラ部に与えられる。また、印
字加工の実行に関する指示も外部機器からコントローラ
部に与えられる。

【０００６】外部機器からコントローラ部に与えられた
設定情報は一旦メモリに記憶され、印字加工を実行する
際に処理手段が設定情報の展開処理を実行する。つま
り、印字文字の種類及び印字位置を含む設定情報からレ
ーザ光がたどるべき軌跡に関する展開情報を生成する。
そして、生成された展開情報にしたがって処理手段はレ
ーザ発振器及び偏向光学系（ガルバノミラー）の駆動制
御を行う。

【０００７】通常、設定情報を記憶するメモリにはバッ
テリーバックアップ可能なＳＲＡＭ（スタティックラン
ダムアクセスメモリ）が用いられ、展開情報を記憶する
メモリにはビット単価の安い揮発性のＤＲＡＭ（ダイナ
ミックランダムアクセスメモリ）が用いられる。設定情
報の記憶に要する記憶容量は比較的小さいが、展開情報
の記憶には大きい記憶容量を必要とするからである。Ｓ
ＲＡＭには通常、複数の設定情報が記憶される。外部機
器から印字指令があったときに、その印字内容の設定情
報がＳＲＡＭに記憶されている場合は、処理手段がＳＲ
ＡＭから設定情報を読み出し、設定情報から展開情報を
生成してＤＲＡＭに記憶させた後、その展開情報にした
がってレーザ発振器及び偏向光学系の制御を行う。

【０００８】印字指令の内容がＳＲＡＭに記憶されてい
ない新たなものである場合は、処理手段は外部機器から
与えられた印字内容に関する設定情報をＳＲＡＭに記憶
すると共に展開情報を生成してＤＲＡＭに記憶させた
後、その展開情報にしたがってレーザ発振器及び偏向光
学系の制御を行う。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
レーザマーカでは、印字文字の種類や印字位置等の設定
情報については複数種類の設定情報をＳＲＡＭに記憶し
ておき、電源オフの状態でもバッテリーバックアップに
よって設定情報の記憶を保持することができるが、ＤＲ
ＡＭに記憶する展開情報については電源が切れれば無く
なる。したがって、印字指令を受けるたびにコントロー
ラ部の処理手段が印字内容を示す設定情報から展開情報
を生成してＤＲＡＭに記憶させる。この際、前回の印字
内容の展開情報がＤＲＡＭに残っている場合は、その展
開情報が新たな展開情報で書き換えられる。つまり、Ｄ
ＲＡＭには最新の印字内容に関する設定情報から生成さ
れた１つの展開情報のみが記憶される。

【００１０】しかし、特に印字内容が複雑な場合は設定
情報から展開情報を生成する処理にかかる時間が長くな
り、その間は印字開始を待たされることになる。この無
駄な待ち時間の短縮が要望されている。

【００１１】そこで、本発明は、印字開始までの平均待
ち時間をできるだけ短縮することができるレーザマーカ
を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のレーザマーカ
は、レーザ光を用いて対象物の表面に印字加工を行うた
めのレーザ発振器及び偏向光学系を有するヘッド部と、
レーザ発振器及び偏向光学系を制御するコントローラ部
とを備え、コントローラ部は、外部機器から与えられる
印字文字の種類及び印字位置を含む設定情報を記憶する
ための第１記憶領域と、印字加工に際してレーザ光がた
どるべき軌跡を含む展開情報を記憶するための第２記憶
領域と、設定情報から展開情報を生成して第２記憶領域
に記憶させると共に第２記憶領域から読み出した展開情
報にしたがってレーザ発振器及び偏向光学系を制御する
処理手段とを備えているレーザマーカであって、処理手
段は、第１記憶領域に複数の設定情報を記憶させると共
に、複数の設定情報から展開した複数の展開情報を第２
記憶領域に記憶させ、第２記憶領域から選択的に読み出
した１つの展開情報にしたがってレーザ発振器及び偏向
光学系を制御することを特徴とする。

【００１３】このような構成によれば、第２記憶領域に
は複数の展開情報が記憶されているので、それらの展開
情報のうちの１つを用いて印字を行う場合は、設定情報
から展開情報を生成する処理が不要であり、印字指令か
ら待ち時間なしに印字を開始することができる。第２記
憶領域に揮発性のＤＲＡＭを用いる場合であっても、電
源を切らない限りＤＲＡＭに記憶された複数の展開情報
が保持されるので、同じ印字内容を頻繁に印字するよう
な場合には特に、印字開始までの平均待ち時間が短くな
る効果が得られる。

【００１４】好ましい実施形態において、処理手段は、
複数の設定情報のそれぞれから順次展開情報を生成して
第２記憶領域に記憶させる際に、第２記憶領域の記憶容
量を越えたために記憶することができない展開情報が発
生した場合は、当該展開情報に対応する設定情報を第１
記憶領域から消去する。こうすれば、第１記憶領域（例
えばＳＲＡＭ）に記憶される設定情報と第２記憶領域
（例えばＤＲＡＭ）に記憶される展開情報とを常に１対
１で対応させることが可能になり、設定情報及び展開情
報の管理処理（古いものの削除、新たな情報の追加等）
が容易になる。

【００１５】別の実施形態において、処理手段は、複数
の設定情報のそれぞれから順次展開情報を生成して第２
記憶領域に記憶させる展開処理に際し、第２記憶領域の
記憶容量を越えたために記憶することができない展開情
報が発生した場合はそのまま展開処理を終了し、第１記
憶領域に設定情報が記憶されているが第２記憶領域に展
開情報が記憶されていない内容での印字加工が指示され
たときは、当該印字加工のための展開情報を作成して第
２記憶領域に記憶する前に、第２記憶領域に記憶されて
いる複数の展開情報のうち使用日時が最も古いものから
１又は複数の展開情報を削除して空き領域を確保する。
この空き領域を確保するための方法は、キャッシュメモ
リ等で一般に使用される方法と同様である。

【００１６】こうすれば、第２記憶領域には、使用日時
が最も新しい展開情報から順に記憶容量の許す範囲内で
複数の展開情報が記憶されるので、印字指令から印字開
始までの待ち時間が不要になる確率（すなわち印字内容
の展開情報が第２記憶領域に記憶されている確率）が高
くなる。つまり、印字指令から印字開始までの平均待ち
時間が短くなる。

【００１７】別の実施形態において、処理手段は、複数
の設定情報のそれぞれから順次展開情報を生成して第２
記憶領域に記憶させる展開処理に際し、あらかじめ指定
されている設定情報の展開処理を優先的に実行する。あ
らかじめ指定されている設定情報の展開処理の終了後、
第２記憶領域に空き領域がある場合は、他の設定情報の
展開処理についても任意に実行すればよい。逆に、あら
かじめ指定されている設定情報の展開処理中に第２記憶
領域の空き領域が無くなった場合は、上記のように、使
用日時が最も古いものから１又は複数の展開情報を削除
すればよい。

【００１８】また、展開処理を優先的に実行すべき複数
の設定情報の展開順位を指定しておき、その展開順位に
したがって展開処理を実行するようにしてもよい。例え
ば、印字加工の順番を指定した場合、その順番をそのま
ま展開順位として用いてもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２０】図１は、本発明の実施形態に係るレーザマ
ーカの概略構成図である。レーザマーカはヘッド部１と
コントローラ部２を備え、両者がケーブル４で接続され
ている。また、液晶表示器とタッチパネルを用いたコン
ソール（表示及び入力手段）３がケーブル５によってコ
ントローラ部２に接続されている。ヘッド部１からワー
ク（加工対象物）ＷＫに対してレーザ光ＬＢが照射さ
れ、このレーザ光ＬＢがコントローラ部２の制御によっ
て偏向される。こうして、ワークＷＫの表面に所望の文
字や記号等を印字することができる。

【００２１】図２は、本発明の実施形態に係るレーザマ
ーカの回路構成を示すブロック図である。ヘッド部１
は、レーザ発振器１１、偏向光学系１２、ＥＥＰＲＯＭ
１３及びリアルタイムクロック（ＲＴＣ）１４を内蔵し
ている。レーザ発振器１１は、炭酸ガスレーザ又はＹＡ
Ｇレーザを用いたレーザ管である。偏向光学系１２は、
ガルバノミラー及び集光レンズ系で構成される。レーザ
発振器１１から発したレーザ光ＬＢはガルバノミラーに
よってＸ方向及びＹ方向に（二次元平面で）偏向される
と共に集光レンズ系によってワークＷＫの表面に集光さ
れる。

【００２２】また、ＥＥＰＲＯＭ１３は電源が切れても
記憶内容を保持する不揮発性メモリであり、ヘッド部１
の固有情報、つまりレーザの種類、出力、集光レンズ系
の情報、積算稼働時間等を記憶するのに用いられる。リ
アルタイムクロック１４は、稼働時間を積算してレーザ
のランプ交換時期を知らせるために使用される。あるい
は、現在の日時を出力して印字データに含ませることが
できる。

【００２３】コントローラ部２は、処理手段であるマイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ）２１、第１記憶領域であるＳ
ＲＡＭ２２及び第２記憶領域であるＤＲＡＭ２３を内蔵
している。マイクロプロセッサ２１は、レーザ発振器１
１及び偏向光学系１２を含むヘッド部１の制御、外部機
器３，３２との通信、ＳＲＡＭ２２及びＤＲＡＭ２３の
リード・ライト等、レーザマーカ全体の制御を司る。

【００２４】ＳＲＡＭ２２は、バッテリーバックアップ
によって電源オフ時にも記憶内容を保持することがで
き、外部機器３，３２から受信した印字文字の種類及び
印字位置等の設定情報を記憶する。ＤＲＡＭ２３は、設
定情報から生成された展開情報、つまり印字加工のため
にレーザ光がたどるべき軌跡に関する情報を記憶し、電
源オフ時に記憶内容は消える。

【００２５】また、マイクロプロセッサ２１は、外部機
器３，３２から受信した設定情報をＳＲＡＭ２２に記憶
させると共に、設定情報から展開情報を生成してＤＲＡ
Ｍ２３に記憶させる処理も実行する。ＳＲＡＭ２２は複
数種類の設定情報を記憶することができ、それぞれの設
定情報から後述のようにして順次生成される複数の展開
情報をＤＲＡＭ２３に記憶させることができる。

【００２６】コントローラ部２にはコンソール３の他
に、パーソナルコンピュータ３２を接続することもでき
る。接続には例えばＲＳ２３２Ｃシリアル通信が用いら
れる。この場合、パーソナルコンピュータ３２の画面や
キーボードを用いてコンソール３と同様の表示及び入力
操作を行うことができる。また、コンソール３にはメモ
リカード３１を着脱可能なスロットとリード・ライト用
のインターフェイスが備えられている。コンソール３か
ら入力した印字文字の種類及び印字位置等の設定情報を
メモリカード３１に保存しておき、必要なときに読み出
してコントローラ部２に送信することができる。

【００２７】図３は、コントローラ部２が設定情報から
展開情報を生成する処理（展開処理）の概略を示すフロ
ーチャートである。まず、ステップ＃１０１においてＳ
ＲＡＭ２２から設定情報を読み出す。続くステップ＃１
０２において、設定情報に含まれる印字する文字や記号
等を複数の曲線（加工用曲線）に分解する。この際、一
筆書きのようにレーザ光を連続して照射しながらレーザ
光のスポットを移動（偏向）するように、加工用曲線が
選択される。なお、１つの加工曲線の終端から次の加工
曲線の始端への移動（偏向）はレーザ光の照射を停止し
た（出力ゼロの）状態で行われる。

【００２８】次のステップ＃１０３において、加工用曲
線の並び替えを行う。レーザ光スポットの移動が最も効
率的になるように、すなわち、加工曲線間のゼロパワー
移動を含む全移動距離が最も短くなるように、加工用曲
線の順番が選択される。この後、１つの加工曲線の終端
から次の加工曲線の始端への移動用直線がステップ＃１
０４で付加される。こうして生成した展開情報をＤＲＡ
Ｍ２３に書き込んで（ステップ＃１０５）展開処理を終
了する。

【００２９】本発明によるレーザマーカでは、コントロ
ーラ部２のマイクロプロセッサ２１はＳＲＡＭ２２に複
数の設定情報を記憶させると共に、複数の設定情報から
展開した複数の展開情報をＤＲＡＭ２３に記憶させ、Ｄ
ＲＡＭ２３から選択的に読み出した１つの展開情報にし
たがってレーザ発振器１１及び偏向光学系１２を制御す
る。

【００３０】１つの設定情報の記憶に要するＳＲＡＭ２
２の記憶容量はその内容によって異なる。同様に、１つ
の設定情報から生成される１つの展開情報の記憶に要す
るＤＲＡＭ２３の記憶容量もその内容に応じて変化す
る。また、ＳＲＡＭ２２の全記憶容量及びＤＲＡＭ２３
の全記憶容量は、コストも考慮に入れて適切な値に設定
される。このため、ＳＲＡＭ２２に記憶された複数の設
定情報に対応する展開情報のすべてをＤＲＡＭ２３に記
憶することができない場合が発生し得る。その場合の処
理として、いくつかの例を以下に説明する。

【００３１】図４は、設定情報及び展開情報の記憶管理
に関する処理の第１例を示すフローチャートである。レ
ーザマーカの電源がオンにされると、マイクロプロセッ
サ２１はステップ＃２０１でＳＲＡＭ２２から設定情報
を読み出し、展開情報を生成する（ステップ＃２０
３）。全ての設定情報について読み出しと展開情報の生
成が終了すれば（ステップ＃２０２のＹｅｓ）、ステッ
プ＃２０６の通常処理へ移行する。

【００３２】ステップ＃２０３で生成された展開情報は
ＤＲＡＭ２３に書き込まれる。書き込みが成功すれば
（ステップ＃２０４のＹｅｓ）ステップ＃２０１に戻っ
て次の設定情報の展開を行うが、ＤＲＡＭ２３の空き領
域が不足していて書き込みに失敗した場合（ステップ＃
２０４のＮｏ）は、対応する（元の）設定情報をＳＲＡ
Ｍ２２から削除して（ステップ＃２０５）からステップ
＃２０１に戻る。

【００３３】ステップ＃２０７で設定削除が指示された
ときは、ステップ＃２１３で対応する展開情報をＤＲＡ
Ｍ２３から削除すると共にステップ＃２１４で対応する
設定情報をＳＲＡＭ２２から削除する。

【００３４】ステップ＃２０８で設定追加が指示された
ときは、外部機器３又は３２から受信した設定情報をＳ
ＲＡＭ２２に格納する（ステップ＃２０９）。ＳＲＡＭ
２２に空き領域が無くて格納に失敗した場合（ステップ
＃２１０のＮｏ）はそのままステップ＃２０６に戻る。
格納に成功すれば（ステップ＃２１０のＹｅｓ）、続い
てステップ＃２１１で展開情報を生成し、ＤＲＡＭ２３
に書き込む。書き込みに成功すれば（ステップ＃２１２
のＹｅｓ）そのままステップ＃２０６に戻る。ＤＲＡＭ
２３の空き領域が無くて書き込みに失敗した場合は、ス
テップ＃２１３で書きかけの展開情報をＤＲＡＭ２３か
ら削除すると共に、ステップ＃２１４で元の設定情報を
ＳＲＡＭ２２から削除した後ステップ＃２０６に戻る。

【００３５】上記のような処理により、ＳＲＡＭ２２に
記憶されている設定情報とＤＲＡＭ２３に記憶されてい
る展開情報とが１対１で対応する。つまり、設定情報及
び展開情報の一方が記憶されておれば必ず他方も記憶さ
れていることになり、設定情報及び展開情報の管理処理
（古いものの削除、新たな情報の追加等）が容易にな
る。

【００３６】図５は、設定情報及び展開情報の記憶管理
に関する処理の第２例を示すフローチャートである。レ
ーザマーカの電源がオンにされると、マイクロプロセッ
サ２１はステップ＃３０１でＳＲＡＭ２２から設定情報
を読み出し、展開情報を生成する（ステップ＃３０
３）。全ての設定情報について読み出しと展開情報の生
成が終了すれば（ステップ＃３０２のＹｅｓ）、ステッ
プ＃３０５の通常処理へ移行する。

【００３７】ステップ＃３０３で生成された展開情報は
ＤＲＡＭ２３に書き込まれる。書き込みが成功すれば
（ステップ＃３０４のＹｅｓ）ステップ＃３０１に戻っ
て次の設定情報の展開を行うが、ＤＲＡＭ２３の空き領
域が不足していて書き込みに失敗した場合（ステップ＃
３０４のＮｏ）は展開処理を終了してステップ＃３０５
へ移行する。このとき、ＳＲＡＭ２２に記憶されている
設定情報は消去せずそのままにしておく。

【００３８】ステップ＃３０６で設定削除が指示された
ときは、ステップ＃３０７で対応する展開情報をＤＲＡ
Ｍ２３から削除すると共にステップ＃３０８で対応する
設定情報をＳＲＡＭ２２から削除する。

【００３９】ステップ＃３０９で設定追加が指示された
ときは、外部機器３又は３２から受信した設定情報をＳ
ＲＡＭ２２に格納する（ステップ＃３１０）。ＳＲＡＭ
２２に空き領域が無くて格納に失敗した場合（ステップ
＃３１１のＮｏ）はそのままステップ＃３０５に戻る。
格納に成功すれば（ステップ＃３１１のＹｅｓ）、続い
てステップ＃３１２で展開情報を生成し、ＤＲＡＭ２３
に書き込む。書き込みに成功すれば（ステップ＃３１３
のＹｅｓ）そのままステップ＃３０５に戻る。ＤＲＡＭ
２３の空き領域が無くて書き込みに失敗した場合（ステ
ップ＃３１３のＮｏ）は、ステップ＃３１４で書きかけ
の展開情報をＤＲＡＭ２３から削除した後ステップ＃３
０６に戻る。

【００４０】この第２例では、第１例と異なり、ＤＲＡ
Ｍ２３の記憶容量不足のためにＤＲＡＭ２３に記憶でき
なかった展開情報が発生したときに、対応する設定情報
はＳＲＡＭ２２から消去せずに残す。したがって、ＳＲ
ＡＭ２２に記憶された複数の設定情報のうち、１又は複
数の設定情報については対応する展開情報がＤＲＡＭ２
３に記憶されていない場合が発生する。このような設定
情報の内容で印字加工が指示されたときは、印字加工の
ための展開情報を作成してＤＲＡＭ２３に記憶する前
に、ＤＲＡＭ２３に記憶されている複数の展開情報のう
ち使用日時が最も古いものから１又は複数の展開情報を
削除して空き領域を確保する処理を実行する。この空き
領域を確保するための方法は、キャッシュメモリ等で一
般に使用される方法と同様である。

【００４１】図６は、設定情報及び展開情報の記憶管理
に関する処理の第３例を示すフローチャートである。レ
ーザマーカの電源がオンにされると、マイクロプロセッ
サ２１はステップ＃４０１でＳＲＡＭ２２から設定情報
を読み出し、ステップ＃４０２でその設定情報に優先指
定があるか否かをチェックする。すなわち、展開処理を
優先的に実行すべき設定情報についてはあらかじめ優先
指定がなされている。優先指定が無い場合はステップ＃
４０１に戻って次の設定情報の読み出しを行う。

【００４２】優先指定がある場合は、ステップ＃４０３
でその設定情報の展開情報を生成し、ＤＲＡＭ２３に書
き込む。ＤＲＡＭ２３の空き領域が不足していて書き込
みに失敗した場合（ステップ＃４０４のＮｏ）は、展開
処理を終了してステップ＃４０６の通常処理へ移行す
る。展開情報のＤＲＡＭ２３への書き込みに成功した場
合は、ステップ＃４０５で全ての設定情報の読み出しと
展開処理が終了したか否かをチェックし、終了するまで
ステップ＃４０１からステップ＃４０５が繰り返され
る。

【００４３】全ての設定情報の読み出しと展開処理が終
了すれば、ステップ＃４０６の通常処理へ移行する。ス
テップ＃４０６以降の処理については、図５（第２例）
のステップ＃３０５以降の処理と同様である。

【００４４】なお、優先指定のある全ての設定情報につ
いて展開処理とＤＲＡＭ２３への記憶が終了した状態で
ＤＲＡＭ２３に空き領域がある場合は、優先指定の無い
他の設定情報の展開処理について任意に実行してもよ
い。逆に、優先指定のある全ての設定情報について展開
処理中に第２記憶領域の空き領域が無くなった場合は、
第２例で説明したように、使用日時が最も古いものから
１又は複数の展開情報を削除すればよい。

【００４５】上記の第３例の変形例として、展開処理を
優先的に実行すべき設定情報について優先指定をする代
わりに、展開処理を無条件に行う必要の無い設定情報を
あらかじめ指定するようにしてもよい。例えば、非常に
少ない頻度で印字加工が行われる設定情報であって、印
字加工の際に外部機器３又は３２から設定情報を読み込
む手間を省くためにＳＲＡＭ２２には記憶しておきたい
設定情報が、展開処理を無条件に行う必要の無い設定情
報に該当する。この場合は、図６のフローチャートのス
テップ＃４０２の処理において、指定があればステップ
＃４０１に戻り、指定が無ければステップ＃４０３に移
行するように変えればよい。なお、展開処理を無条件に
行う必要の無い設定情報として指定されている場合であ
っても、外部機器３又は３２からの指示があれば展開処
理を行うようにしてもよい。

【００４６】また、上記の第３例の別の変形例として、
展開処理を優先的に実行すべき複数の設定情報に優先順
位（展開順位）を設定しておき、優先順位の高い設定情
報から順番に展開処理を実行するようにしてもよい。Ｄ
ＲＡＭ２３の空き領域が無くなれば、その時点で展開処
理を中止する。展開順位第１位の展開情報がＤＲＡＭ２
３に書き込まれた時点でレーザマーカは印字加工可能と
なる。優先順位（展開順位）が高いほど早く印字加工が
可能な状態になる。

【００４７】図７は設定情報の展開順位を指定するため
のコンソール３の画面表示例を示す図である。コンソー
ル３の画面４０に表示された設定情報の番号、コメント
及び展開順位の一覧表４１において任意の行を触れる
と、その行の展開順位が変更可能な状態になり、例えば
テンキーのような数字入力手段（インターフェイス）が
画面４０に重ねて表示される。数字（展開順位）を入力
すれば、数字入力手段の表示が消え、入力した数字が変
更後の展開順位として設定される。一覧表４１の右側に
は、スクロールバーが表示され、これを用いて一覧表４
１のスクロールを行い、複数ページを参照することがで
きる。

【００４８】コンソール３の代わりに、パーソナルコン
ピュータ３２を用いて展開順位を設定することも可能で
ある。また、例えば、印字加工の順番を指定した場合
に、その順番をそのまま展開順位として用いてもよい。

【００４９】図８は、設定情報及び展開情報の記憶管理
に関する処理の第４例を示すフローチャートである。こ
の例では、電源オン後の自動的な展開処理は行わず、必
要が生じた都度展開処理を行い、生成した展開情報をＤ
ＲＡＭ２３に書き加えていく。すなわち、通常処理（ス
テップ＃５０１）の後のステップ＃５０２で外部機器３
又は３２から展開指示があったか否かチェックする。

【００５０】展開指示があった場合は、ステップ＃５０
３で展開情報を生成してＤＲＡＭ２３に書き込む。書き
込みが成功すれば（ステップ＃５０４のＹｅｓ）、ステ
ップ＃５０１に戻る。ＤＲＡＭ２３の空き領域が不足し
ていて書き込みに失敗した場合（ステップ＃５０４のＮ
ｏ）は、書きかけのデータ（書き込み失敗データ）をＤ
ＲＡＭ２３から削除（ステップ＃５０５）してステップ
＃５０１に戻る。この場合は、不要な展開情報をＤＲＡ
Ｍ２３から削除した後、再度展開指示を行うことにな
る。

【００５１】なお、ＳＲＡＭ２２に記憶する複数の設定
情報及びＤＲＡＭ２３に記憶する複数の展開情報の記憶
管理に関して、上記の各例を適宜組み合わせて実施して
もよい。本発明は上記の実施形態に限らず、種々の形態
で実施することが可能である。

【００５２】例えば、展開情報を記憶させる第２記憶領
域として、ＤＲＡＭに代えてＳＲＡＭを用いてもよい。
更に、バッテリーバックアップされたＳＲＡＭ又は不揮
発性のメモリ（例えばフラッシュメモリ）を用いて電源
オフ時でも展開情報の記憶を保持するようにしてもよ
い。

【００５３】また、第２記憶領域（ＤＲＡＭ）に空き領
域が無い場合にそれを確保する方法は、上記の実施形態
のように使用日時が最も古いものから１又は複数の展開
情報を削除する方法に限るわけではなく、例えば使用頻
度の低い展開情報から順番に削除してもよいし、記憶さ
れた日時が古い展開情報から順番に削除するようにして
もよい。

【００５４】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明のレーザ
マーカによれば、第２記憶領域（ＤＲＡＭ）には複数の
展開情報が記憶されているので、それらの展開情報のう
ちの１つを用いて印字を行う場合は、設定情報から展開
情報を生成する処理が不要であり、印字指令から待ち時
間なしに印字を開始することができる。同じ印字内容を
頻繁に印字するような場合には特に、印字開始までの平
均待ち時間が短くなる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るレーザマーカの概略構
成図である。

【図２】本発明の実施形態に係るレーザマーカの回路構
成を示すブロック図である。

【図３】コントローラ部が設定情報から展開情報を生成
する処理の概略を示すフローチャートである。

【図４】設定情報及び展開情報の記憶管理に関する処理
の第１例を示すフローチャートである。

【図５】設定情報及び展開情報の記憶管理に関する処理
の第２例を示すフローチャートである。

【図６】設定情報及び展開情報の記憶管理に関する処理
の第３例を示すフローチャートである。

【図７】設定情報の展開順位を指定するためのコンソー
ルの画面表示例を示す図である。

【図８】設定情報及び展開情報の記憶管理に関する処理
の第４例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ヘッド部２コントローラ部３コンソール（外部機器）１１レーザ発振器１２偏向光学系２１マイクロプロセッサ（処理手段）２２ＳＲＡＭ（第１記憶領域）２３ＤＲＡＭ（第２記憶領域）３２パーソナルコンピュータ（外部機器）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を用いて対象物の表面に印字加工
を行うためのレーザ発振器及び偏向光学系を有するヘッ
ド部と、前記レーザ発振器及び偏向光学系を制御するコ
ントローラ部とを備え、前記コントローラ部は、外部機器から与えられる印字文
字の種類及び印字位置を含む設定情報を記憶するための
第１記憶領域と、印字加工に際して前記レーザ光がたど
るべき軌跡を含む展開情報を記憶するための第２記憶領
域と、前記設定情報から前記展開情報を生成して前記第
２記憶領域に記憶させると共に第２記憶領域から読み出
した展開情報にしたがって前記レーザ発振器及び偏向光
学系を制御する処理手段とを備えているレーザマーカで
あって、前記処理手段は、前記第１記憶領域に複数の設定情報を
記憶させると共に、前記複数の設定情報から展開した複
数の展開情報を前記第２記憶領域に記憶させ、前記第２
記憶領域から選択的に読み出した１つの展開情報にした
がって前記レーザ発振器及び偏向光学系を制御すること
を特徴とするレーザマーカ。
【請求項２】前記処理手段は、前記複数の設定情報のそ
れぞれから順次展開情報を生成して前記第２記憶領域に
記憶させる際に、前記第２記憶領域の記憶容量を越えた
ために記憶することができない展開情報が発生した場合
は、当該展開情報に対応する設定情報を前記第１記憶領
域から消去することを特徴とする請求項１記載のレーザ
マーカ。
【請求項３】前記処理手段は、前記複数の設定情報のそ
れぞれから順次展開情報を生成して前記第２記憶領域に
記憶させる展開処理に際し、前記第２記憶領域の記憶容
量を越えたために記憶することができない展開情報が発
生した場合はそのまま展開処理を終了し、前記第１記憶
領域に設定情報が記憶されているが前記第２記憶領域に
展開情報が記憶されていない内容での印字加工が指示さ
れたときは、当該印字加工のための展開情報を作成して
前記第２記憶領域に記憶する前に、前記第２記憶領域に
記憶されている複数の展開情報のうち使用日時が最も古
いものから１又は複数の展開情報を削除して空き領域を
確保することを特徴とする請求項１記載のレーザマー
カ。
【請求項４】前記処理手段は、前記複数の設定情報のそ
れぞれから順次展開情報を生成して前記第２記憶領域に
記憶させる展開処理に際し、あらかじめ指定されている
設定情報の展開処理を優先的に実行することを特徴とす
る請求項１記載のレーザマーカ。
【請求項５】展開処理を優先的に実行すべき複数の設定
情報の展開順位を指定しておき、前記展開順位にしたが
って展開処理を実行することを特徴とする請求項４記載
のレーザマーカ。