SE453491B - Forfarande for avsettning av en transparent, solstralningsreglerande film bestaende huvudsakligen av titannitrid pa ett transparent upphettat bandformigt glassubstrat - Google Patents
Forfarande for avsettning av en transparent, solstralningsreglerande film bestaende huvudsakligen av titannitrid pa ett transparent upphettat bandformigt glassubstratInfo
- Publication number
- SE453491B SE453491B SE8403834A SE8403834A SE453491B SE 453491 B SE453491 B SE 453491B SE 8403834 A SE8403834 A SE 8403834A SE 8403834 A SE8403834 A SE 8403834A SE 453491 B SE453491 B SE 453491B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- titanium
- gas
- glass
- transparent
- glass substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/225—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
'1 . 453 491 pyrolys, såsom beskrives exempelvis i U.S. patentet 3.652.246.
Likartade filmer har framställts genom kemisk ångavsättning, såsom beskrives exempelvis i U.S. 3.850.679,och genom pyrolys av finpulveriserade material, såsom beskrives i U.S, patentet 4.325.988. Dessa filmer har icke lika hög reflektionsförmåga som de vakuumavsatta metallerna men de kan framställas billigare. De kräver material, såsom kobolt och krom, som är av begränsad tillgänglighet, och måste importeras till3U.S.A. Krom och nickel misstänkas även orsaka cancer, varför säkerheten av sådana belagda produkter för vitt spridd användning kan ifrågasättas.
Man har även föreslagit i U.S. patentet 3.885.855 att fram- ställa solstrålningsreglerande filmer genom reaktiv katodisk förstoftning (sputtering) av nitrider, karbider eller borider av metallerna titan, zirkonium, hafnium, vanadin, niob, tantal, krom, molybden eller volfram. Under det att effektiva optiska egenskaper är kända för vissa av dessa material skulle framställning i stor skala av arkitekturglas genom den vakuumelektriska metoden eller reaktiv katodisk för- stoftning bli förhållandevis dyrbara. ïhaskinverktygsindustrin har använt hårda, förhållandevis f tjocka, opaka nötningsbeständiga beläggningarna av titannitrid. i I Dessa beläggningar framställas vid mycket höga temperaturer, , exempelvis l000°C, med en reaktionsblandning av kväve, väte Éoch titantetraklorid. I japanska patentet 74-83679 och svenska patentet 397.370 anges emellertid sådana nötnings- beständiga beläggningar vilka alla är funktionellt opaka och åtminstone cirka 3 hm tjocka, vilka framställts genom reaktion av ammoniak och titantetraklorid vid temperaturer inom området 550°C.
U.S. patentet 4.310.567 beskriver framställning av nitrid- beläggningar, men inget förfarande beskrives som kan ge tunna transparenta filmer för användning i samband med sol- 455 491 strålning. U.S. patentet 4.196.233, sökande Bitzer, beskriver även en nitridbeläggningsprocess.
Det är ett ändamål med uppfinningen att åstadkomma ett för- farande för mycket hastig avsättning av solstrålningsregle- rande beläggningar på glas genom kemisk ångavsättning från en reaktiv ångblandning på ytan av hett glas, t.ex. i en float- -glaslinje.
Avsättningsprocessen kan använda enkel och prisbillig utrust- ning som arbetar vid atmosfärstryck utan behov av komplicerad och dyrbar vakuum- och elektrisk utrustning och med prisbil- liga och lättillgängliga råmaterial.
Uppfinningen avser ett förfarande för avsättning av en trans- parent, solstrålningsreglerande film bestående huvudsakligen av titannitrid på ett transparent upphettat bandformigt glas- substrat, som kännetecknas av att man a) bereder en första förvärmd gasformig blandning av titantetrahalogenidånga såsom reaktionskomponent i en inert bärargas, b) bereder en andra förvärmd gasformig blandning inne- . _12. .. hallande ammoniak sasom kvavedonator och reducerande gas samt inert bärargas, varvid den första-gasbland- ningen och den andra gasblandningen tillsammans innehåller minst 0,1 molprocent av titantetrahaloge- niden, baserat på gasen i de båda blandningarna, och c) blandar de båda gasblandningarna vid en temperatur under S00°C i omedelbar närhet av substratet, som hâlles vid en temperatur av minst ca 500°C, så att en väsentligen slöjfri film bildas av reaktionspro- dukterna av reaktionskomponenterna på glassubstra- _ tet.
\ Uppfinningen utnyttjar en reaktion mellan en titantetrahalo- genid, såsom titantetraklorid, och en reducerande gas inne- hållande ammoniak. vardera av titantetrahalogeniden och l 453 491 den reducerande gasen hålles i en het inert bärargas och bringas att reagera i omedelbar närhet till en hetare glas- yta. När temperaturen hos glasytan är minst 500°C, företrädes- vis vid temperaturer av cirka 600°C eller högre, är avsätt- ningshastigheterna hastigast och kvaliteten är optimal.
Många glassubstrat kommer givetvis att mjukna och har en praktisk behandlingsgräns av cirka 700°C. Borsilikatglas synes vara ett speciellt lämpligt substrat för framställning av produkterna enligt uppfinningen. En föredragen kombina- titantetraklorid och ammoniak, reagerar hastigt till bildning av en starkt vid- tion av reaktionskomponenterna, häftande film vars sammansättning är primärt titannitrid, Avsätt- 1' _ TiN, med viss mängd klor även införlivad filmen. ningsatmosfären bör hållas fri från syre och vattenånga eller också kommer den avsatta filmen att utgöras huvudsakligen av titanoxid i stället för den önskade titannitriden. Mycket små mängder syre och fukt synes vara tolererade om ett över- skott av ammoniak användes. Titandioxid ökar reflektionen från glasytan men absorberar på långt när icke så mycket ljus_ som titannitrid.
Filmerna är jämna och spegelliknande och fria från grumling.
Tunna filmer, exempelvis sådana med cirka 200 Å tjock- lek, ger silverliknande reflekterad färg under det att tjockare filmer är guldfärgade, ljust blå, grå, svarta, röd- aktiga eller bruna ifråga om färg när tjockleken växer mot 0,1 um. De genomsläppta färgerna är neutrala,grå, ljusgula, blekt gröna, blekt blå eller bruna.
De mekaniska egenskaperna hos filmerna är goda. Nötnings- och repningsbeständigheten är jämförbar eller bättre än hos kommersiellt tillgängliga solstrålningsreglerande filmer på glas. Den kemiska beständigheten hos filmerna är mycket god och de motstår vatten, tvålar, baser och syror, med undantag av fluorvätesyra, som etsar både filmerna och glaset.
Titannitridfilmerna leder även elektricitet. Denna egenskap ¿ :í-J i-ï-ï- æeww* F* 455 491 tillåter användning av annat slag än såsom solstrålnings- reglerande filmer. Den kan användas såsom en del av en elektrisk krets för detektering av brustna fönster, exempel- vis i ett kylalarmsystem.
Ritningsfigurerna.
Ritningen är en tvärsektion av en apparat som är lämpad för genomförande av beläggningsprocessen.
Det nya förfarandet utnyttjar upptäckten att omsorgsfull temperaturreglering av reaktionen mellan titan- tetrahalogeniden och den reducerande gasen åstad- kommer en filmbildande reaktionskomponent och förhindrar bildning av pulver, som är den normala ytterligare produkten vid en sådan reaktion. Pulverbildningen undvikes, vilket är mycket betydelsefullt, även i mycket små mängder som skulle ge en oönskad grumlighet åt det transparenta glassubstratet.
Förfarandet kan underlättas genom användning av ett mycket stort överskott av reducerande gas för att minimera mängden halogen som kvarlämnas i beläggningen. Eventuella mängder av 2 syre och halogen som kvarstannar har ingen skadlig effekt I l 3 x l z 5 på beläggningens egenskaper. Små mängder av halogen kan å i själva verket hjälpa till med färgreglering och elektriska 5 egenskaper hos filmen om så önskas. Såsom exempel kommer i filmer som är tillräckligt tjocka för att ha färgen domineradfi av filmens bulkegenskaper, en ökning av halogenmängden en É tendens att förändra färgen från guld till röd eller svart. ; | Eftersom titantetraklorid och ammoniak reagerar vid rums- i temperatur till bildning av fasta additionsföreningar måste , dessa reaktionskomponenter blandas i omedelbar närhet av i den heta glasytan som skall beläggas. Temperaturen hos gasen ! vid blandningspunkten bör överstiga 200°C men vara under ; cirka 400°C. Om blandningstemperaturen är alltför låg kan å en viss del av den fasta additionsföreningen täcka eller 453 491 igensätta beläggningsapparaten. Å andra sidan tenderar blandning av gaserna vid alltför hög temperatur, cirka 500°C eller högre, att medföra en pulveriserad titannitrid- produkt och/eller -film på apparaten snarare än den önskade vidhäftande filmen på glaset. De föredragna temperaturerna hos blandningen varierar från cirka 250°C till 320°C.
En apparat för genomförande av blandningen och beläggningen visas schematiskt och i sektion på fig. l. Ett band av hett glas 10 rör sig i tvärriktningen pâ rullar (icke visade), såsom i kylbanan under tillverkningen av glaset. Titantetra- kloridånga blandad med en bärargas, såsom kväve, inträder i fördelningskanaler 12, som sträcker sig tvärs över bredden av det heta glasbandet 10. Titantetrakloridângblandningen passerar därefter genom strömningsbegränsningsöppningar 14 in i en smal fördelningsslits 16 och därefter in i bland- ningszonen 18. Ammoniak, som även är utspädd i en inert bärargas, såsom kväve, inströmmar i fördelningskanaler 22, passerar genom strömningsbegränsningsöppningar 24 och för- delningsslitsar 26 till blandningszonen 18. Strömningsbegräns- ningsöppningarna 14 och 24 är anordnade med likformig fördel- ning tvärs över bredden av glasbandet så att de åstadkommer en likformig fördelning av de gasformiga reaktionskomponen- terna och likformig tjocklek hos beläggningen. Skikten 28 är värmeisolering vars tjocklek väljes så att temperaturen hos gaserna i fördelningsslitsarna 16 och 26 hâlles inom det önskade området.
De blandade gaserna i zonen 18 strömmar över ytan av det heta glaset 10 och in i avgaskanalerna 30. Under förloppet av denna strömning avsättes titannitridfilmen på ytan av det heta glaset. Flera beläggningssteg kan anordnas sida vid sida för uppbyggning av den önskade filmtjockleken under en enda passage av glasbandet under serien av beläggningsanord- ningar. I själva verket tillåter användningen av ett flertal beläggningsanordningar likformig beläggning eftersom olik- formigheter hos en beläggningsanordning vanligen icke överens- 453 491 stämmer med dessa hos de andra beläggningsanordningarna och man erhåller en tendens till viss utjämning av tjockleksfel från olika beläggningsanordningar.
Luft och vattenånga måste uteslutas från avsättningsomrâdet varför en ström av torr inert gas, såsom kväve, tillföres genom kanalerna 32 på alla fyra sidor av beläggningsanord- ningen.
Beläggningsanordningarna kan även vara inverterade och anordnade under glaset. Fördelen med att ha beläggnings- anordningarna anordnade under glaset är att eventuell ansam- ling av beläggnings- eller pulverbiprodukter kvarstannar på beläggningsanordningens yta och det finns icke någon möjlighet att sådant material när ytan av glaset och härige- nom försämrar beläggningens likformighet. Tiden mellan ren- göring av beläggningsanordningarna kan därför vara längre när beläggningsanordningarna är placerade under glaset än när de är placerade ovanför.
Beläggningsanordningarna utsättas för korrosiva gaser, inkluderande reaktionskomponenten titantetraklorid och biprodukten väteklorid. Beläggningsanordningarna bör vara konstruerade av korrosionsbeständiga material. Nickel och vissa nickelbaserade legeringar innehållande nickel, krom, molybden och volfram (t.ex. Hastelloy C, varumärke för Cabot Corporation) är särskilt lämpade konstruktionsmaterial.
Koncentrationen och strömningshastigheten av reaktionskompo- nentângorna kan väljas så att ett stort stökiometriskt över- skott av ammoniak närvarar. I annat fall kan stora mängder klor kvarhâllas i beläggningen. Såsom exempel kan mellan 5 och 50 mol ammoniak användas per varje mol titantetraklorid.
Typiska koncentrationer av de blandade gaserna varierar från 0,1 till 0,5 molprocent titantetraklorid och 1 till 5 % ammoniak. Lägre koncentrationer medför lägre beläggnings- 453 491 hastigheter under det att högre koncentrationer kan medföra alltför kraftig pulverbildning.
En annan åtgärd är att blanda i tät närhet till det glas på vilket beläggningen skall avsättas. De tillvägagångssätt som beskrivas i patentet 3.979.500 undvikas för att man skall erhålla den önskade filmbildningen utan grumling eller pulverbildning.
Temperaturen hos glaset är typiskt från 500°C till 700°C när beläggningen påföres. Lägre temperaturer medför alltför långsam reaktionshastighet under det att högre temperaturer kan ge upphov till pulver eller ojämna grnfiliga beläggningar.
Det föredragna temperaturomrâdet är cirka 500 till 650°C.
Produkter som framställas enligt uppfinningen är av särskilt värde för användning till solstrålningsreglering varvid ljustransmission inom området l till 40 % vanligen användes.
Detta är storleksordningar över eventuellt icke-känsligt ljus som kan ha genomsläppts genom tidigare nötningsbeständi- ga beläggningar som användas på hårdmetaller och andra 1 maskfnbearbetningsmaterial. š Åskådliggörande exempel på uppfinningen.
I I föreliggande beskrivning och bifogade ritning visas och å beskrives en föredragen utföringsform av uppfinningen och:fihæÅ slås olika alternativoch modifikationer av denna, men det bör observeras att dessa icke är avsedda att vara uttömmande och att andra förändringar och\modifikationer kan göras inom ramen för uppfinningen. Dessa förslag som anges häri är valda och inkluderade för att åskådliggöra så att andra fack- män kan förstå uppfinningen bättre och principerna förckmnacxh blir i stånd att modifiera denna och tillämpa denna i en mångfald former, i varje fall såsom kan vara bäst lämpat för betingelserna i ett speciellt fall. ._____l -ií 453 491 Exempel l. ßcrsilikatglas upphettat till cirka s9o° föres med en hastighet av 20 cm/sek. under en följd av tre beläggnings- anordningar såsom visas på fig. 1. Varje beläggningsanordning tillföres en blandning innehållande 0,4 molprocent titan- tetrakloridånga i kväve, genom kanaler 12, och en blandning av 4 molprocent ammoniakgas i kväve genom kanaler 22. Den totala strëmningshastigheten av alla gaser som införas i varje beläggningsanordning är cirka 250 1/min. per m glas- bredd som belägges.
Inloppsslitsarna 16 och 26 i varje beläggningsanordning slutar cirka 3 cm över ytan av det glas som belägges.
Det belagda glaset har brun färg vid genomlysning och har en synlig ljustransmission av cirka 10 %. Beläggningen har en elektrisk ledningsförmàga av cirka 100 ohm per kvadrat.
Den har en mycket god infraröd reflekterande förmåga och en tjocklek av cirka 600 Å.
Exempel 2._ Förfarandet enligt exempel l upprepades med användning av koncentrationer av 0,5 % titantetraklorid och 0,5 % ammoniak.
Filmen avsattes med en fyra sekunders exponering av substratet av borsilikatglas (pyrexglas), som upphettades till 6oo°c. En film som tillät endast 20 % transmission av den totala solstrålningen bildades.
Det bör observeras att zirkonium, hafnium, vanadin, niob, tantal, krom, molybden, volfram eller blandningar därav kan substitueras för titan vid förfarandet enligt uppfinningen.
Dessa material är emellertid mer dyrbara och mindre rikligt förekommande än titan. Titannitrid föredrages sålunda i förhållande till nitrider av zirkonium, hafnium, vanadin, niob, tantal, krom, molybden, eller volfram. Bromider eller jodider kan användas i stället för klorider för transport av dessa metaller, men den större kostnaden och lägre flyk- tigheten hos bromiderna och jodiderna gör kloriderna före- dragna vid detta förfarandet. karbider och borider av de ovan angivna metallerna kan användas i stället för nitriderna. Vissa karbider kräver högre reaktionstemperaturer för dessas bildning med kända kemiska ångavsättningsmetoder, och sådana högre temperaturer gör dessa karbidavsättningar okombinerbara med normal glas- tillverkning eller -behandling. Metallboriderna kan bildas genom kemisk ångavsättning vid temperaturer som är lämpliga för glasbehandling, men föredragna och högreaktiva källor för bor,såsom diborangas är dyrbara. Därför föredragas nitriderna i förhållande till karbider och borider.
Ifråga om alla de föreningar som nämnas i det föregående styckena måste blandningstemperaturen hållas under reaktions- temperaturen, blandningen bör genomföras omedelbart innan gasen införes i närheten av en het glasyta, och temperaturen hos glaset måste vara tillräckligt hög för att åstadkomma bildning av den önskade_oorganiska produkten omedelbart när avsättningen äger rum.
Glasbeläggningsfilmerna enligt uppfinningen har särskilt önskvärda egenskaper och kan användas för utestängande av mer solstrålning än synligt ljus. Såsom exempel blockerar en film, som är tillräckligt tjock för att utestänga 85 % av den totala solstrålningen, endast 75 % av det synliga ljuset.
Detta skiljer sig från det förhållandet att de flesta sol- strâlningsreglerande filmer som nu framställas blockerar eller utestänger mindre än 75 % av den totala solstrålningen om de är tillräckligt tunna för att utestänga endast 75 % av dêt synliga ljuset.
Vidare har titannitridfilmerna enligt uppfinningen en emissionsförmåga under 0,3 % och typiskt mellan 0,1 och 0,2 i det termiska infrarödvåglängdsområdet, exempelvis cirka 10 pm. De har därför bättre värmeisolerande egenskaper vid 11 användning såsom arkitekturglas i fönster eller luftkondi- tioneringsbyggnader i vilka deras primära ändamål skulle vara att minska solstrålningen som intränger genom fönstret.
Denna emissionsförmâga är mindre än cirka 0,2 och skall jämföras med emissionsförmâgan hos hittills tillgängliga solregleringsfilmer. Dessa har typiskt ett värde varierande från 0,5 till 0,9.
Sådana filmer som avsatts med förfarandet enligt uppfinningen har icke endast de ovan angivna fördelarna men har även nötningsbeständighet som är bättre än kommersiella solstrål- ningsreglerande filmer av den typ som är baserad på krom, kisel eller på blandade oxider av kobolt, krom och järn.
Det bör även observeras att följande patentkrav är avsedda att täcka alla de generiska och speciella särdragen hos uppfinningen som beskrives häri och alla uppgifter beträffan- de uppfinningens omfång som kan anses falla däremellan.
Claims (7)
1. Förfarande för avsättning av en transparent, sol- strålningsreglerande film bestående huvudsakligen av titan- nitrid på ett transparent upphettat bandformigt glassubstrat, k ä n n e t e c k n a t därav, att man a) bereder en första förvärmd gasformig blandning av titantetrahalogenidånga såsom reaktionskomponent i en inert bärargas, b) bereder en andra förvärmd gasformig blandning inne- hållande ammoniak såsom kvävedonator och reducerande gas samt inert bärargas, varvid den första gasbland- ningen och den andra gasblandningen tillsammans innehåller minst 0,1 molprocent av titantetrahaloge- niden, baserat på gasen i de båda blandningarna, och c) blandar de båda gasblandningarna vid en temperatur under 500°C i omedelbar närhet av substratet, som hålles vid en temperatur av minst ca 500°C, så att en väsentligen slöjfri film bildas av reaktions- produkterna av reaktionskomponenterna på glas- substratet.
2. Förfarande enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k - n a t därav, att titantetrahalogeniden är titantetraklorid.
3. Förfarande enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k - n a t därav, att titantetrahalogeniden är titantetrabromid eller titantetrajodid.
4. Förfarande enligt något av patentkraven l-3, k ä n - n e t e c k n a t därav, att titantetrahalogeniden och ammo- niaken förvärmes till inom området ca 200-400°C.
5. Förfarande enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k - n a t därav, att S-50 mol ammoniak blandas med varje mol titantetraklorid. 453 491 IS
6. Förfarande enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a t därav, att blandningen av den första gasblandningen och den andra gasblandningen genomföres med gasblandningarna förvärmda till en temperatur inom området från ca 250 till 320°C.
7. Förfarande enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a t därav, att substratet förvärmes till en temperatur över 500°C.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44334082A | 1982-11-22 | 1982-11-22 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8403834D0 SE8403834D0 (sv) | 1984-07-23 |
SE8403834L SE8403834L (sv) | 1984-07-23 |
SE453491B true SE453491B (sv) | 1988-02-08 |
Family
ID=23760404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8403834A SE453491B (sv) | 1982-11-22 | 1984-07-23 | Forfarande for avsettning av en transparent, solstralningsreglerande film bestaende huvudsakligen av titannitrid pa ett transparent upphettat bandformigt glassubstrat |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US4524718A (sv) |
EP (1) | EP0128169B1 (sv) |
AU (1) | AU565957B2 (sv) |
CA (1) | CA1222912A (sv) |
CH (1) | CH662808A5 (sv) |
DE (1) | DE3390341T1 (sv) |
DK (1) | DK162938C (sv) |
ES (1) | ES8500874A1 (sv) |
GB (1) | GB2141444B (sv) |
IT (1) | IT1203683B (sv) |
MX (1) | MX160808A (sv) |
SE (1) | SE453491B (sv) |
WO (1) | WO1984002128A1 (sv) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60251274A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物被覆方法 |
EP0174743A3 (en) * | 1984-09-05 | 1988-06-08 | Morton Thiokol, Inc. | Process for transition metal nitrides thin film deposition |
US4690871A (en) * | 1986-03-10 | 1987-09-01 | Gordon Roy G | Protective overcoat of titanium nitride films |
US4847157A (en) * | 1986-08-28 | 1989-07-11 | Libbey-Owens-Ford Co. | Glass coating method and resulting article |
US4946712A (en) * | 1986-08-28 | 1990-08-07 | Libbey-Owens-Ford Co. | Glass coating method and resulting article |
US4900633A (en) * | 1987-03-26 | 1990-02-13 | Ppg Industries, Inc. | High performance multilayer coatings |
US4861669A (en) * | 1987-03-26 | 1989-08-29 | Ppg Industries, Inc. | Sputtered titanium oxynitride films |
US4920006A (en) * | 1987-03-26 | 1990-04-24 | Ppg Industries, Inc. | Colored metal alloy/oxynitride coatings |
US4924936A (en) * | 1987-08-05 | 1990-05-15 | M&T Chemicals Inc. | Multiple, parallel packed column vaporizer |
GB8801366D0 (en) * | 1988-01-21 | 1988-02-17 | Secr Defence | Infra red transparent materials |
US5167986A (en) * | 1988-04-15 | 1992-12-01 | Gordon Roy G | Titanium silicide-coated glass windows |
GB8809504D0 (en) * | 1988-04-22 | 1988-05-25 | Marconi Gec Ltd | Optical devices |
DE3830174A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Geesthacht Gkss Forschung | Leitfaehige oberflaechenschicht |
GB8824104D0 (en) * | 1988-10-14 | 1988-11-23 | Pilkington Plc | Process for coating glass |
JP2637804B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-08-06 | 日本碍子株式会社 | メッキ付き基材 |
US5139825A (en) * | 1989-11-30 | 1992-08-18 | President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides |
DE4117258A1 (de) * | 1989-12-19 | 1992-12-03 | Leybold Ag | Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist |
DE3941795A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung der schicht |
DE3941797A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
DE4117257B4 (de) * | 1989-12-27 | 2006-03-30 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Optisch wirkendes Schichtsystem mit hoher Antireflexwirkung für transparente Substrate |
DE69113994T2 (de) * | 1990-02-22 | 1996-05-02 | Roy Gerald Gordon | Titannitrid- oder zinnoxidauflage auf der oberfläche einer beschichtungsanlage. |
US5407733A (en) * | 1990-08-10 | 1995-04-18 | Viratec Thin Films, Inc. | Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating |
US5091244A (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-25 | Viratec Thin Films, Inc. | Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating |
US5308655A (en) * | 1991-08-16 | 1994-05-03 | Materials Research Corporation | Processing for forming low resistivity titanium nitride films |
US5279857A (en) * | 1991-08-16 | 1994-01-18 | Materials Research Corporation | Process for forming low resistivity titanium nitride films |
US5188979A (en) * | 1991-08-26 | 1993-02-23 | Motorola Inc. | Method for forming a nitride layer using preheated ammonia |
US5202152A (en) * | 1991-10-25 | 1993-04-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Synthesis of titanium nitride films |
DE69213898T2 (de) * | 1991-12-13 | 1997-02-06 | Ford Werke Ag | Metallnitridfilm |
US5194642A (en) * | 1992-01-24 | 1993-03-16 | Ford Motor Company | Metallo-organic precursors to titanium nitride |
US5300322A (en) * | 1992-03-10 | 1994-04-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride |
US5409735A (en) * | 1992-11-30 | 1995-04-25 | Wayne State University | Chemical vapor deposition of metal pnictogenide films using single source precursors |
US5416045A (en) * | 1993-02-18 | 1995-05-16 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical vapor depositing a titanium nitride layer on a semiconductor wafer and method of annealing tin films |
FR2708924B1 (fr) * | 1993-08-12 | 1995-10-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent. |
US5378501A (en) * | 1993-10-05 | 1995-01-03 | Foster; Robert F. | Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures |
US5628829A (en) * | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
US5975912A (en) * | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
WO1995034092A1 (en) * | 1994-06-03 | 1995-12-14 | Materials Research Corporation | A method of nitridization of titanium thin films |
WO1996012048A2 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-25 | Gelest, Inc. | Conformal titanium-based films and method for their preparation |
US5691044A (en) * | 1994-12-13 | 1997-11-25 | Asahi Glass Company, Ltd. | Light absorptive antireflector |
US5656338A (en) * | 1994-12-13 | 1997-08-12 | Gordon; Roy G. | Liquid solution of TiBr4 in Br2 used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium or titanium nitride |
US6231999B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-05-15 | Cardinal Ig Company | Heat temperable transparent coated glass article |
US5968594A (en) * | 1996-06-28 | 1999-10-19 | Lam Research Corporation | Direct liquid injection of liquid ammonia solutions in chemical vapor deposition |
US5980977A (en) * | 1996-12-09 | 1999-11-09 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Method of producing high surface area metal oxynitrides as substrates in electrical energy storage |
US5989652A (en) * | 1997-01-31 | 1999-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications |
FR2766817B1 (fr) * | 1997-07-31 | 1999-08-27 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'au moins une couche reflechissante et son procede d'obtention |
DE10080457T1 (de) * | 1999-02-12 | 2001-04-26 | Gelest Inc | CVD-Abscheidung von Wolframnitrid |
US6413860B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | PECVD of Ta films from tanatalum halide precursors |
US6410433B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
US6265311B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | PECVD of TaN films from tantalum halide precursors |
US6410432B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | CVD of integrated Ta and TaNx films from tantalum halide precursors |
US6268288B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
US6548402B2 (en) | 1999-06-11 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a thick titanium nitride film |
US6555183B2 (en) * | 1999-06-11 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition |
US20010051215A1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-12-13 | Gelest, Inc. | Methods for chemical vapor deposition of titanium-silicon-nitrogen films |
JP2001322833A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-20 | Central Glass Co Ltd | 車両用低反射ガラス |
US6451692B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Preheating of chemical vapor deposition precursors |
US6854487B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-15 | General Electric Company | Fluid conduit wall inhibiting heat transfer and method for making |
WO2005073428A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Arkema Inc. | Method of depositing film stacks on a substrate |
US7966969B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
KR100681274B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-02-09 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 및 그 제조 방법 |
US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
JP5062144B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスインジェクター |
US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
CA2803928C (en) | 2010-06-22 | 2018-05-01 | Line Travel Automated Coating Inc. | Plural component coating application system with a compressed gas flushing system and spray tip flip mechanism |
RU2534150C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2014-11-27 | Николай Евгеньевич Староверов | Способ получения нитридной наноплёнки или нанонити |
US10139520B2 (en) * | 2015-01-30 | 2018-11-27 | Cpfilms Inc. | Method of using a heat-treated titanium nitride film |
JP6851173B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2021-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB284412A (en) * | 1926-11-01 | 1928-02-01 | Henry C Stephens Ltd | Improvements in or relating to containers for liquid or semiliquid adhesives |
GB773702A (en) * | 1954-03-05 | 1957-05-01 | Metallgesellschaft Ag | Method of producing coatings from hard high-melting point nitrides |
US2865791A (en) * | 1954-03-05 | 1958-12-23 | Metallgesellschaft Ag | Metal nitride coating process |
US2953483A (en) * | 1956-08-13 | 1960-09-20 | Owens Illinois Glass Co | Method and apparatus for applying coatings to selected areas of articles |
US3511703A (en) * | 1963-09-20 | 1970-05-12 | Motorola Inc | Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide |
US3306768A (en) * | 1964-01-08 | 1967-02-28 | Motorola Inc | Method of forming thin oxide films |
GB1282866A (en) * | 1968-08-16 | 1972-07-26 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the production of glass having desired surface characteristics |
BE758067A (fr) * | 1969-10-27 | 1971-04-27 | Ppg Industries Inc | Appareil de revetement du verre |
GB1283432A (en) * | 1970-03-24 | 1972-07-26 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the coating of glass |
BE787599A (fr) * | 1971-08-16 | 1973-02-16 | Battelle Memorial Institute | Vitrage filtrant antisolaire et isolant thermique |
US4101703A (en) * | 1972-02-04 | 1978-07-18 | Schwarzkopf Development Corporation | Coated cemented carbide elements |
US3850679A (en) * | 1972-12-15 | 1974-11-26 | Ppg Industries Inc | Chemical vapor deposition of coatings |
US3979500A (en) * | 1973-05-02 | 1976-09-07 | Ppg Industries, Inc. | Preparation of finely-divided refractory powders of groups III-V metal borides, carbides, nitrides, silicides and sulfides |
US4196233A (en) * | 1974-02-07 | 1980-04-01 | Ciba-Geigy Corporation | Process for coating inorganic substrates with carbides, nitrides and/or carbonitrides |
LU74666A1 (sv) * | 1976-03-29 | 1977-10-10 | ||
US4206252A (en) * | 1977-04-04 | 1980-06-03 | Gordon Roy G | Deposition method for coating glass and the like |
JPS5437077A (en) * | 1977-08-02 | 1979-03-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Chemical evaporation method and apparatus for same |
BE879189A (fr) * | 1978-10-19 | 1980-04-04 | Bfg Glassgroup | Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus |
CH628600A5 (fr) * | 1979-02-14 | 1982-03-15 | Siv Soc Italiana Vetro | Procede pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede. |
US4401052A (en) * | 1979-05-29 | 1983-08-30 | The University Of Delaware | Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation |
IT1134153B (it) * | 1979-11-21 | 1986-07-31 | Siv Soc Italiana Vetro | Ugello per depositare in continuo su un substrato uno strato di una materia solida |
US4325988A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-20 | Ppg Industries, Inc. | Deposition of coatings from fine powder reactants |
CH640571A5 (fr) * | 1981-03-06 | 1984-01-13 | Battelle Memorial Institute | Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale. |
-
1983
- 1983-08-10 US US06/521,675 patent/US4524718A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-10-28 CH CH3499/84A patent/CH662808A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1983-10-28 EP EP83903848A patent/EP0128169B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-28 WO PCT/US1983/001678 patent/WO1984002128A1/en active IP Right Grant
- 1983-10-28 AU AU22698/83A patent/AU565957B2/en not_active Ceased
- 1983-10-28 US US06/546,471 patent/US4535000A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-28 DE DE19833390341 patent/DE3390341T1/de active Granted
- 1983-10-28 GB GB08417560A patent/GB2141444B/en not_active Expired
- 1983-11-09 CA CA000440868A patent/CA1222912A/en not_active Expired
- 1983-11-15 MX MX199416A patent/MX160808A/es unknown
- 1983-11-21 IT IT68218/83A patent/IT1203683B/it active
- 1983-11-21 ES ES527422A patent/ES8500874A1/es not_active Expired
-
1984
- 1984-07-19 DK DK353284A patent/DK162938C/da not_active IP Right Cessation
- 1984-07-23 SE SE8403834A patent/SE453491B/sv not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-02-25 US US06/704,609 patent/US4585674A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8403834D0 (sv) | 1984-07-23 |
US4585674A (en) | 1986-04-29 |
GB8417560D0 (en) | 1984-08-15 |
ES527422A0 (es) | 1984-11-01 |
EP0128169A1 (en) | 1984-12-19 |
ES8500874A1 (es) | 1984-11-01 |
GB2141444A (en) | 1984-12-19 |
US4535000A (en) | 1985-08-13 |
AU565957B2 (en) | 1987-10-01 |
WO1984002128A1 (en) | 1984-06-07 |
GB2141444B (en) | 1986-06-11 |
SE8403834L (sv) | 1984-07-23 |
IT8368218A0 (it) | 1983-11-21 |
DE3390341T1 (de) | 1985-01-10 |
EP0128169A4 (en) | 1985-08-27 |
DK353284A (da) | 1984-07-19 |
AU2269883A (en) | 1984-06-18 |
CA1222912A (en) | 1987-06-16 |
EP0128169B1 (en) | 1990-07-11 |
DK353284D0 (da) | 1984-07-19 |
DK162938C (da) | 1992-05-25 |
MX160808A (es) | 1990-05-25 |
IT1203683B (it) | 1989-02-15 |
DE3390341C2 (sv) | 1992-10-22 |
CH662808A5 (fr) | 1987-10-30 |
DK162938B (da) | 1991-12-30 |
US4524718A (en) | 1985-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE453491B (sv) | Forfarande for avsettning av en transparent, solstralningsreglerande film bestaende huvudsakligen av titannitrid pa ett transparent upphettat bandformigt glassubstrat | |
FI110684B (sv) | Förfarande för utfällning av tennoxid med låg emissivitet på ett glasunderlag | |
EP0503001B1 (en) | Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides | |
CN1094113C (zh) | 在平板玻璃上沉积氧化锡和二氧化钛涂层的方法及所获得的涂覆玻璃 | |
JP4740933B2 (ja) | ガラスをコーティングする方法 | |
JP6334782B2 (ja) | ガラス基板上にシリカコーティングを形成するプロセス | |
NL8000897A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het continu afzetten van een laag vast materiaal op het oppervlak van een tot een hoge temperatuur verhit substraat. | |
CA1200444A (en) | Coating process using alkoxy substituted silicon- bearing reactant | |
Binions et al. | Hybrid aerosol assisted and atmospheric pressure CVD of gold‐doped vanadium dioxide | |
EP1834933A1 (en) | Process for producing glass plate with thin film | |
KR19990064217A (ko) | 유리의 코팅 방법 | |
Palgrave et al. | Chemical vapour deposition of titanium chalcogenides and pnictides and tungsten oxide thin films | |
US3625749A (en) | Method for deposition of silicon dioxide films | |
US3019137A (en) | Method of manufacturing electrical resistances and articles resulting therefrom | |
US6242045B1 (en) | Process of preparing metal nitride films using a metal halide and an amine | |
EP1105356B1 (en) | Process for coating glass | |
KR830002390B1 (ko) | 전도성물질의 제조방법 | |
Blackman et al. | Chemical vapour deposition of group Vb metal phosphide thin films | |
Blackman et al. | Single-source CVD routes to titanium phosphide | |
US5314716A (en) | Nitrogen doped carbon films | |
JPS59502062A (ja) | 窒化チタニウムフィルムの化学蒸着方法 | |
JP2007022839A (ja) | 調光ガラスの製造方法 | |
WO2005073428A1 (en) | Method of depositing film stacks on a substrate | |
SE430261B (sv) | Sett att framstella belagd hardmaterialkropp | |
TW410214B (en) | Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 8403834-8 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8403834-8 Format of ref document f/p: F |