DK162938B - Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat - Google Patents
Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat Download PDFInfo
- Publication number
- DK162938B DK162938B DK353284A DK353284A DK162938B DK 162938 B DK162938 B DK 162938B DK 353284 A DK353284 A DK 353284A DK 353284 A DK353284 A DK 353284A DK 162938 B DK162938 B DK 162938B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- titanium
- transparent
- gas
- approx
- process according
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 13
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical group Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- UBZYKBZMAMTNKW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrabromide Chemical group Br[Ti](Br)(Br)Br UBZYKBZMAMTNKW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J titanium tetraiodide Chemical compound I[Ti](I)(I)I NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- PSFDQSOCUJVVGF-UHFFFAOYSA-N harman Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CN=C2C PSFDQSOCUJVVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical class [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYHOQSGNVUZKJA-UHFFFAOYSA-N [B+3].[B+3].[B+3].[B+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [B+3].[B+3].[B+3].[B+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] AYHOQSGNVUZKJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000405 induce cancer Toxicity 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000013675 iodine Nutrition 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/225—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
i
DK 162938 B
Den foreliggende opfindelse angår en fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titannitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat.
5 Regulering af den solvarme, der kommer ind ad vinduer, er afgørende for opretholdelse af behagelige betingelser indendøre i et varmt klima. Der er også blevet udviklet vinduesmaterialer for at reducere blænding. Solstråleregulering har man i reglen opnået ved at tilsætte absorberende 10 farvemateriale til glasset. Farvning af glas på denne måde frembyder imidlertid ulemper ved produktionen, eftersom der kan medgå lang tid til ændring af nuancer. I den senere tid harman påført reflekterende og absorberende film på klart glas for at opnå regulering af solstråling. Reflektion af 15 uønsket stråling er mere effektiv end absorption, eftersom reflektion fuldstændig eliminerer strålingen, hvorimod en del af den absorberede varme efterhånden føres ind i bygningen.
Fremgangsmåder til påføring af reflekterende og absor-20 berende solstrålereguleringsfilm er kendt inden for glasfremstilling. Film af metaller, såsom chrom eller nikkel, fordampes eller katodeforstøves f.eks. på glas i vakuum ved hjælp af apparater, der findes på markedet og således er kendte.
Selv om der fremstilles reflekterende og absorberende film 25 af god kvalitet ved hjælp af vakuummetoder, er omkostningerne dog temmelig store. Blandinger af metaloxider, såsom chrom-oxid, cobaltoxid og jemoxid, kan afsættes ved forstøvnings-pyrolyse som beskrevet f.eks. i US patentskrift nr.
3.652.246. Lignende film er blevet fremstillet ved kemisk 30 dampafsætning som f.eks. beskrevet i US patentskrift nr. 3.850.679 og ved hjælp af pyrolyse af fint pulveriserede materialer som beskrevet i US patentskrift nr. 4.325.988.
Disse film er ikke så reflekterende som de vakuumafsatte metaller, men de kan produceres biligere. De kræver faktisk 35 materialer, såsom cobalt og chrom, som findes i begrænsede mængder og nødvendigvis skal importeres. Desuden mistænkes
DK 162938 B
2 chrom og nikkel for at fremkalde kræft, således at sikkerheden ved udbredt anvendelse af sådanne overtrukne produkter i høj grad er tvivlsom.
I US patentskrift nr. 3.885.855 er det endvidere 5 foreslået at fremstille solstråleregulerende film ved reaktiv katodeforstøvning af nitrider, carbider eller borider af metallerne titan, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantal, chrom, molybden eller wolfram. Selv om nogle af disse materialer vides at have effektive optiske egenskaber, 10 ville en produktion i stor målestok af bygningsglas ved hjælp af den vakuum-elektriske metode med reaktiv katodeforstøvning være temmelig kostbar.
Maskinværktøjsindustrien har anvendt hårde, relativt tykke, uigennemsigtige, slidbestandige lag af titannitrid.
15 Disse lag dannes ved meget høje temperaturer, f.eks. 1000’C, med en nitrogen-, hydrogen- og titantetrachlorid-reaktions-blanding. Imidlertid beskriver JP patentskrift nr. 74-83679 og SE patentskrift nr. 397.370 sådanne slidbestandige lag, der alle er funktionelt uigennemsigtige og mindst ca. 3 p 20 tykke, og som er fremstillet ved reaktion mellem ammoniak og titantetrachlorid ved temperaturer omkring 550°C.
US patentskrift nr. 4.310.567 beskriver dannelse af nitridlag, men der omtales ingen fremgangsmåder, der kan tilvejebringe tynde, transparente film til solstråleregule-25 rende anvendelsesformål. US patentskrift nr. 4.196.233 beskriver ligeledes en nitridovertrækningsmetode.
Det er den foreliggende opfindelses formål at tilvejebringe en fremgangsmåde til meget hurtig afsætning af solstråleregulerende lag på glas ved kemisk dampafsætning 30 fra en reaktiv dampblanding på overfladen af varmt glas, f.eks. ved en glasflotteproces.
Afsætningsfremgangsmåden kan gennemføres med enkelt og billigt udstyr, der arbejder ved atmosfærisk tryk, uden at det er nødvendigt med kompliceret og dyrt, elektrisk og 35 vakuummaskineri, ligesom den kan gennemføres ved hjælp af billige og lettilgængelige råmaterialer.
DK 162938 B
3
Med dette formål for øje angår opfindelsen en fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titannitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat, og den her 5 omhandlede fremgangsmåde er ejendommelig ved, at (a) der fremstilles en første, forvarmet, gasformig blanding af titantetrahalogeniddamp som reaktionskomponent i en indifferent bærergas, (b) der fremstilles en anden, forvarmet, gasformig 10 blanding indeholdende ammoniak som nitrogendonor og reducerende gas samt en inaktiv bærergas, hvorhos den første gasblanding og den anden gasblanding tilsammen indeholder mindst 0,1 molprocent titantetrahalogenid, baseret på gassen i de to blandinger, og 15 (c) de to gasblandinger blandes ved en temperatur under 5009C i umiddelbar nærhed af substratet, som holdes ved en temperatur på mindst 500°C, således at der på glassubstratet af reaktionsprodukterne af reaktionskomponenterne dannes en i alt væsentligt slørfri film.
20 Ved opfindelsen udnyttes en reaktion mellem et titan tetrahalogenid, såsom titantetrachlorid, og en reducerende gas indeholdende ammoniak. Både titantetrahalogenidet og den reducerende gas holdes i en varm, indifferent bærergas og omsættes i umiddelbar nærhed af en varmere glasoverflade.
25 Når glasoverfladens temperatur er over 500'C, fortrinsvis ved temperaturer på ca. 6009C og derover, sker afsætningen hurtigst, og kvaliteten bliver bedst. Naturligvis vil mange glassubstrater blive bløde og have en praktisk oparbejdningsgrænse på ca. 7009C. Borsilicatglas synes at være et særlig 30 ønskeligt substrat til anvendelse ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen. En foretrukket kombination af reaktionskomponenter, titantetrachlorid og ammoniak, reagerer hurtigt, således at der dannes en stærkt vedhængende film, som hovedsageligt er sammensat af titannitrid, TiN, med også noget 35 chlor i filmen. Afsætningsatmosfæren skal holdes fri for oxygen og vanddamp, da den afsatte film ellers vil komme
DK 162938 B
4 til hovedsageligt at bestå af titanoxid i stedet for det ønskede titannitrid. Meget små mængder oxygen og fugt synes at kunne tolereres, når der anvendes et overskud af ammoniak.
Selv om titandioxid forøger refleksionen fra glasoverfladen, 5 absorberer det ikke lys i nær så høj grad som titannitrid.
Filmene er glatte og spejlagtige og uden uklarhed.
Tynde film, f.eks. sådanne på ca. 200 Angstrom, har en sølvagtig reflekteret farve, medens tykkere film er gyldne, blegblå, grå, sorte, rødlige eller brune, efterhånden som 10 tykkelsen stiger mod 0,1 /xm. De transmitterede farver er neutral, grå, lysegul, bleggrøn, blegblå eller brun.
Filmenes mekaniske egenskaber er gode. Slidstyrke og bestandighed over for ridser er på højde med eller bedre end de solstrålereguleringsfilm på glas, der findes på mar-15 kedet. Filmenes kemiske modstandsdygtighed er udmærket, og de modstår vand, sæber, baser og syrer, med undtagelse af flussyre, der ætser både filmene og glasset.
Titannitridfilm leder også elektricitet. Denne egenskab tillader andre anvendelser end som solstråleregulerende 20 film. Den kan anvendes som en del i et elektrisk kredsløb til påvisning af revnede vinduer, f.eks. i tyverialarmsystemer.
Opfindelsen vil i det følgende blive forklaret under henvisning til tegningen, der viser et tværsnit af et ap-25 parat, der er egnet til udførelse af overtrækningsfremgangsmåden.
Ved den nye fremgangsmåde udnyttes den erkendelse, at den omhyggelige temperaturregulering af reaktionen mellem titantetrahalogenidet og ammoniakken giver en filmdannende 30 reaktionskomponent, således at man undgå dannelse af pulver, der er det normale additionsprodukt ved en sådan reaktion. Pulverdannelsen undgås, hvilket er yderst vigtigt, selv i meget små mængder, som ville gøre det transparente glassubstrat uønsket uklart. Fremgangsmåden kan lettes ved anven-35 del se af et meget stort overskud reducerende gas for at reducere den mængde halogen, der bliver tilbage i laget.
DK 162938 B
5
Eventuelle små mængder oxygen og halogen, der bliver tilbage, har ingen skadelig virkning på overtrækkets egenskaber. Faktisk kan små mængder halogen bidrage til farveregulering og filmens elektriske egenskaber, når dette ønskes. Ved 5 film, der er tykke nok til at have en farve, der domineres af filmens massegenskaber, har stigende mængder halogen en tendens til at ændre farven fra gylden til rød til sort.
Eftersom titantetrachlorid og ammoniak reagerer ved stuetemperatur og danner faste additionsforbindelser, skal 10 disse reaktanter blandes i umiddelbar nærhed af den varme glasoverflade, der skal overtrækkes. Gassernes temperatur på blandingstidspunktet bør være over 200°C, men under ca.
400°C. Hvis blandingstemperaturen er for lav, kan noget af den faste additionsforbindelse dække eller tilstoppe overis trækningsapparatet. Hvis på den anden side gasserne blandes ved for høj en temperatur, ca. 500'C eller derover, har dette en tendens til at resultere i et pulveriseret titan-nitridprodukt og/eller -film på apparatet frem for den ønskede vedhængende film på glasset. De foretrukne temperaturer 20 ved blandingen varierer fra 250 til 320°c.
Apparatet til udførelse af blanding og overtrækning er vist skematisk på tegningen. Et bånd af varmt glas 10 bevæger sig på tværs af valser (ikke vist) som i køleovnen under glasfabrikationen. Titantetrachloriddamp blandet med 25 en bærergas, såsom nitrogen, indføres i fordelingskanaler 12, der dækker bredden af det varme glasbånd 10. Titantetra-chloriddampblandingen passerer derpå gennem strømningsforsnævringer 14 ind i en snæver fordelingsslids 16 og derfra ind i en blandingszone 18. Ammoniakken, der også er fortyndet 30 i en inaktiv bærergas, såsom nitrogen, føres ind i fordelingskanaler 22, passerer gennem forsnævringer 24 og fordelingsslidser 26 til blåndingszonen 18. Strømningsforsnævringerne 14 og 24 er anbragt med ensartet afstand over hele glasbåndets bredde, således at der fås en ensartet fordeling 35 af de gasformige reaktionskomponenter og en ensartet tykkelse på overtrækket. Lag 28 er varmeisolation, hvis tykkelse
DK 162938 B
6 vælges således, at gassernes temperatur i fordelingsslidseme 16 og 26 holdes indenfor det ønskede interval.
De blandede gasser i zonen 18 strømmer hen over overfladen på det varme glas 10 og ind i udtømningskanaler 30.
5 Under denne strøms forløb afsættes titannitridfilmen på den varme glasoverflade. Der kan anbringes flere overtrækningstrin ved siden af hinanden til opbygning af den ønskede filmtykkelse i løbet af en enkelt passage af glasbåndet under rækken af overtræksorganer. Faktisk fremmer anvendelsen 10 af flere overtræksorganer en ensartet overtrækning, eftersom den uensartethed, der skyldes et enkelt overtræksorgan, i reglen ikke svarer til den, der frembringes af andre, og der vil derfor være en tendens til udligning af tykkelsesfejl frembragt af de forskellige overtræksorganer.
15 Luft og vanddamp skal udelukkes fra afsætningsområdet, således at strømmen af tør, inaktiv gas, såsom nitrogen, sker via kanaler 32 på alle fire sider af overtræksorganerne.
Overtræksorganerne kan også være inverteret og anbragt neden under glasset. Fordelen ved at have overtræksorganerne 20 anbragt under glasset er, at eventuel dannelse af belægning eller pulverbiprodukt forbliver på overtræksorganets overflade, og der er ingen mulighed for, at et sådant materiale når glasoverfladen og derved ødelægger overtrækkets ensartethed. På den måde kan den tid, der forløber mellem rengø-25 ring af overtræksorganerne være længere, når disse er anbragt under glasset, end når de er anbragt ovenover.
Overtræksorganerne er udsat for korroderende gasarter, herunder reaktionskomponenten titantetrachlorid og biproduktet hydrogenchlorid. Overtræksorganerne bør derfor konstrue-30 res af korrosionsbestandige materialer. Nikkel og visse legeringer på nikkelbasis indeholdende nikkel, chrom, molyb-den og wolfram (f.eks. "Hastelloy® C" fra Cabot Corporation) er særlig egnede konstruktionsmaterialer.
Reaktionskomponenternes koncentration og strømnings-35 hastighed kan vælges således, at der forekommer et stort støkiometrisk overskud af ammoniak. I modsat fald kan der
DK 162938 B
7 tilbageholdes store mængder chlor i overtrækket. Der kan således anvendes mellem 5 og 10 mol ammoniak til hvert mol titantetrachlorid. Typiske koncentrationer af de blandede gasser ligger fra 0,1 til 0,5 mol% titantetrachlorid og 1-5 5% ammoniak. Lavere koncentrationer bevirker lavere over trækningshastighed, medens højere koncentrationer kan resultere i for stor pulverdannelse.
Et andet træk er, at der skal blandes ganske tæt ved det glas, hvorpå overtrækket skal afsættes.
10 Glassets temperatur ligger i reglen fra 500 til 700eC, når overtrækket påføres. Lavere temperaturer resulterer i overmåde langsomme reaktionshastigheder, medens højere temperaturer kan frembringe pulver eller ru, uklare overtræk.
Det foretrukne temperaturinterval er 500-650°C.
15 Produkter fremstillet ifølge opfindelsen har særlig værdi ved solstråleregulering, hvor den ønskede lystransmission i reglen ligger i intervallet 1-40%. Dette er en størrelsesorden, der er mange gange større end for alt ikke-føl-somt lys, der eventuelt er transmitteret gennem kendte, 20 slidbestandige overtræk anvendt på cementcarbider og andet maskinbearbejdningsmateriale.
I den foreliggende beskrivelse med den ledsagende tegning er der vist og beskrevet en foretrukket udførelsesform for opfindelsen.
25 Opfindelsen vil i det følgende blive nærmere beskrevet ved hjælp af eksempler.
Eksempel 1
Borsilicatglas, der er opvarmet til ca. 590°C, føres 30 med en hastighed på 20 cm/sek. under en række på tre overtræksorganer som vist på tegningen. Hvert overtræksorgan får tilført en blanding, der indeholder 0,4 mol% titantetra-chloriddamp i nitrogen, gennem kanaler 12 og en blanding af 4 mol% ammoniakgas i nitrogen gennem kanaler 22. Den samlede 35 strømningshastighed på alle gasser, der kommer ind i hvert overtræksorgan, er ca. 250 liter pr. minut pr. m glasbredde,
DK 162938 B
8 der overtrækkes.
Indløbsslidserne 16 og 26 på hvert overtræksorgan slutter ca. 2 cm over den glasoverflade, der skal overtrækkes.
5 Det overtrukne glas har en brun farve ved transmission og har en transmission for synligt lys på ca. 10%. Overtrækket har en elektrisk ledningsevne på ca. 100 ohm pr. kvadrat.
Det har en udmærket infrarød reflektivitet og er ca. 600 Å tykt.
10
Eksempel 2
Fremgangsmåden i eksempel 1 gentages, idet der anvendes koncentrationer på 0,5% titantetrachlorid og 0,5% ammoniak. Filmen afsættes med 4 sekunders udsættelse af bor-15 silicatglasunderlaget ("Pyrex®"-glas), der er opvarmet til 600°C. Der fås en film, der kun tillader 20%'s transmission af den samlede solbestråling.
Bromider eller ioder kan anvendes i stedet for chlo-rider i titanforbindelsen, men den større pris på og lavere 20 flygtighed for bromiderne og iodiderne gør, at der ved den her omhandlede fremgangsmåde foretrækkes chlorider.
Når det drejer sig om alle de forbindelser, der er nævnt i det foregående afsnit, skal blandingstemperaturen holdes under reaktionstemperaturen, blandingen skal finde 25 sted, lige før gassen bringes i nærheden af en varm glasoverflade, og glassets temperatur skal være tilstrækkelig høj til at bevirke dannelse af det ønskede uorganiske produkt, netop når afsætningen finder sted.
Glasovertrækningsfilm fremstillet ifølge opfindelsen 30 har særlig ønskelige egenskaber og kan anvendes til at udelukke mere solstråling end synligt lys. Således udelukker en film, der er tyk nok til at udelukke 85% af den samlede solstråling, kun 75% af det synlige lys. Dette skal ses på baggrund af, at de de fleste solstråleregulerende film, der 35 nu produceres, udelukker mindre end 75% af den samlede solstråling, hvis de er tynde nok til kun at udelukke 75% af
DK 162938B
9 det synlige lys.
Desuden har titannitridfilmene fremstillet ifølge opfindelsen en udstrålingsevne på under 0,3 og i reglen mellem 0,1 og 0,2 i bølgelængdeintervallet for infrarøde 5 varmestråler, f.eks. omkring 10 μτ&. De har således bedre varmeisoleringsegenskaber, når de anvendes som bygningsglas i vinduer i luftkonditionerede bygninger, hvor deres vigtigste formål er at reducere den solstråling, der kommer ind ad vinduerne. Denne udstrålingsevne på under ca. 0,2 10 skal sammenlignes med udstrålingsevnen hos de solstrålereguleringsfilm, der findes for øjeblikket. Denne sidstnævnte ligger i reglen fra 0,5 til 0,9.
Sådanne film, der afsættes ved fremgangsmåden ifølge den foreliggende opfindelse, har ikke blot de ovennævnte 15 fordele, men har også en slidbestandighed, der er bedre end solstrålereguleringsfilm på markedet af de typer, der er baseret på chrom, silicium eller af blandede oxider af cobalt, chrom og jern.
Claims (7)
1. Fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titan-nitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat, 5 kendetegnet ved, at (a) der fremstilles en første, forvarmet, gasformig blanding af titantetrahalogeniddamp som reaktionskomponent i en indifferent bærergas, (b) der fremstilles en anden, forvarmet, gasformig 10 blanding indeholdende ammoniak som nitrogendonor og reducerende gas samt en inaktiv bærergas, hvorhos den første gasblanding og den anden gasblanding tilsammen indeholder mindst 0,1 molprocent titantetrahalogenid, baseret på gassen i de to blandinger, og 15 (c) de to gasblandinger blandes ved en temperatur under 500°C i umiddelbar nærhed af substratet, som holdes ved en temperatur på mindst 500°C, således at der på glassubstratet af reaktionsprodukterne af reaktionskomponenteme dannes en i alt væsentligt slørfri film.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendeteg net ved, at titantetrahalogenidet er titantetrachlorid.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at titantetrahalogenidet er titantetrabromid eller titantetraiodid.
4. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af kra vene 1-3, kendetegnet ved, at titantetrahalogenidet og ammoniakken forvarmes til en temperatur i intervallet fra ca. 200 til ca. 400°C.
5. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendete g- 30 net ved, at 5-50 mol ammoniak blandes med hvert mol titantetrachlorid .
6. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at blandingen af den første og den anden gasblanding gennemføres med gas- 35 blandingerne forvarmede til en temperatur i intervallet fra ca. 250eC til ca. 320*C. DK 162938 B
7. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at substratet opvarmes til en temperatur over 500*C.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44334082A | 1982-11-22 | 1982-11-22 | |
| US44334082 | 1982-11-22 | ||
| US8301678 | 1983-10-28 | ||
| PCT/US1983/001678 WO1984002128A1 (en) | 1982-11-22 | 1983-10-28 | Chemical vapor deposition of titanium nitride and like films |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK353284D0 DK353284D0 (da) | 1984-07-19 |
| DK353284A DK353284A (da) | 1984-07-19 |
| DK162938B true DK162938B (da) | 1991-12-30 |
| DK162938C DK162938C (da) | 1992-05-25 |
Family
ID=23760404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK353284A DK162938C (da) | 1982-11-22 | 1984-07-19 | Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US4524718A (da) |
| EP (1) | EP0128169B1 (da) |
| AU (1) | AU565957B2 (da) |
| CA (1) | CA1222912A (da) |
| CH (1) | CH662808A5 (da) |
| DE (1) | DE3390341T1 (da) |
| DK (1) | DK162938C (da) |
| ES (1) | ES8500874A1 (da) |
| GB (1) | GB2141444B (da) |
| IT (1) | IT1203683B (da) |
| MX (1) | MX160808A (da) |
| SE (1) | SE453491B (da) |
| WO (1) | WO1984002128A1 (da) |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251274A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物被覆方法 |
| EP0174743A3 (en) * | 1984-09-05 | 1988-06-08 | Morton Thiokol, Inc. | Process for transition metal nitrides thin film deposition |
| US4690871A (en) * | 1986-03-10 | 1987-09-01 | Gordon Roy G | Protective overcoat of titanium nitride films |
| US4847157A (en) * | 1986-08-28 | 1989-07-11 | Libbey-Owens-Ford Co. | Glass coating method and resulting article |
| US4946712A (en) * | 1986-08-28 | 1990-08-07 | Libbey-Owens-Ford Co. | Glass coating method and resulting article |
| US4920006A (en) * | 1987-03-26 | 1990-04-24 | Ppg Industries, Inc. | Colored metal alloy/oxynitride coatings |
| US4861669A (en) * | 1987-03-26 | 1989-08-29 | Ppg Industries, Inc. | Sputtered titanium oxynitride films |
| US4900633A (en) * | 1987-03-26 | 1990-02-13 | Ppg Industries, Inc. | High performance multilayer coatings |
| US4924936A (en) * | 1987-08-05 | 1990-05-15 | M&T Chemicals Inc. | Multiple, parallel packed column vaporizer |
| GB8801366D0 (en) * | 1988-01-21 | 1988-02-17 | Secr Defence | Infra red transparent materials |
| US5167986A (en) * | 1988-04-15 | 1992-12-01 | Gordon Roy G | Titanium silicide-coated glass windows |
| GB8809504D0 (en) * | 1988-04-22 | 1988-05-25 | Marconi Gec Ltd | Optical devices |
| DE3830174A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Geesthacht Gkss Forschung | Leitfaehige oberflaechenschicht |
| GB8824104D0 (en) * | 1988-10-14 | 1988-11-23 | Pilkington Plc | Process for coating glass |
| JP2637804B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-08-06 | 日本碍子株式会社 | メッキ付き基材 |
| US5139825A (en) * | 1989-11-30 | 1992-08-18 | President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides |
| DE3941795A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung der schicht |
| DE4117258A1 (de) * | 1989-12-19 | 1992-12-03 | Leybold Ag | Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist |
| DE3941797A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE4117257B4 (de) * | 1989-12-27 | 2006-03-30 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Optisch wirkendes Schichtsystem mit hoher Antireflexwirkung für transparente Substrate |
| ES2079643T3 (es) * | 1990-02-22 | 1996-01-16 | Roy Gerald Gordon | Nitruro de titanio u oxido de estaño que se unen a una superficie recubridora. |
| US5407733A (en) * | 1990-08-10 | 1995-04-18 | Viratec Thin Films, Inc. | Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating |
| US5091244A (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-25 | Viratec Thin Films, Inc. | Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating |
| US5308655A (en) * | 1991-08-16 | 1994-05-03 | Materials Research Corporation | Processing for forming low resistivity titanium nitride films |
| US5279857A (en) * | 1991-08-16 | 1994-01-18 | Materials Research Corporation | Process for forming low resistivity titanium nitride films |
| US5188979A (en) * | 1991-08-26 | 1993-02-23 | Motorola Inc. | Method for forming a nitride layer using preheated ammonia |
| US5202152A (en) * | 1991-10-25 | 1993-04-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Synthesis of titanium nitride films |
| EP0546670B2 (en) * | 1991-12-13 | 2000-11-08 | Ford Motor Company Limited | Metal nitride films |
| US5194642A (en) * | 1992-01-24 | 1993-03-16 | Ford Motor Company | Metallo-organic precursors to titanium nitride |
| US5300322A (en) * | 1992-03-10 | 1994-04-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride |
| US5409735A (en) * | 1992-11-30 | 1995-04-25 | Wayne State University | Chemical vapor deposition of metal pnictogenide films using single source precursors |
| US5416045A (en) * | 1993-02-18 | 1995-05-16 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical vapor depositing a titanium nitride layer on a semiconductor wafer and method of annealing tin films |
| CN1037702C (zh) * | 1993-04-16 | 1998-03-11 | 利比-欧文斯-福特公司 | 涂敷－玻璃基片的方法和设备 |
| FR2708924B1 (fr) * | 1993-08-12 | 1995-10-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent. |
| US5378501A (en) * | 1993-10-05 | 1995-01-03 | Foster; Robert F. | Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures |
| US5975912A (en) * | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
| US5628829A (en) * | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| AU1745695A (en) * | 1994-06-03 | 1996-01-04 | Materials Research Corporation | A method of nitridization of titanium thin films |
| AU4001395A (en) * | 1994-10-11 | 1996-05-06 | Gelest, Inc. | Conformal titanium-based films and method for their preparation |
| US5691044A (en) * | 1994-12-13 | 1997-11-25 | Asahi Glass Company, Ltd. | Light absorptive antireflector |
| US5656338A (en) * | 1994-12-13 | 1997-08-12 | Gordon; Roy G. | Liquid solution of TiBr4 in Br2 used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium or titanium nitride |
| US6231999B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-05-15 | Cardinal Ig Company | Heat temperable transparent coated glass article |
| US5968594A (en) * | 1996-06-28 | 1999-10-19 | Lam Research Corporation | Direct liquid injection of liquid ammonia solutions in chemical vapor deposition |
| US5980977A (en) * | 1996-12-09 | 1999-11-09 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Method of producing high surface area metal oxynitrides as substrates in electrical energy storage |
| US5989652A (en) * | 1997-01-31 | 1999-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications |
| RU2121985C1 (ru) * | 1997-05-27 | 1998-11-20 | Научно-производственное объединение машиностроения | Способ нанесения покрытия на основе нитрида кремния на стеклянную, в том числе кварцевую поверхность |
| FR2766817B1 (fr) * | 1997-07-31 | 1999-08-27 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'au moins une couche reflechissante et son procede d'obtention |
| JP2002536549A (ja) * | 1999-02-12 | 2002-10-29 | ゲレスト インコーポレイテッド | 窒化タングステンの化学蒸着 |
| US6268288B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
| US6265311B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | PECVD of TaN films from tantalum halide precursors |
| US6410432B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | CVD of integrated Ta and TaNx films from tantalum halide precursors |
| US6413860B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | PECVD of Ta films from tanatalum halide precursors |
| US6410433B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
| US6555183B2 (en) * | 1999-06-11 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition |
| US6548402B2 (en) | 1999-06-11 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a thick titanium nitride film |
| US20010051215A1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-12-13 | Gelest, Inc. | Methods for chemical vapor deposition of titanium-silicon-nitrogen films |
| JP2001322833A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-20 | Central Glass Co Ltd | 車両用低反射ガラス |
| US6451692B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Preheating of chemical vapor deposition precursors |
| US6919133B2 (en) | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
| US6854487B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-15 | General Electric Company | Fluid conduit wall inhibiting heat transfer and method for making |
| WO2005073428A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Arkema Inc. | Method of depositing film stacks on a substrate |
| US7966969B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| KR100681274B1 (ko) | 2004-11-25 | 2007-02-09 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 및 그 제조 방법 |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
| JP5062144B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスインジェクター |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
| WO2011162747A1 (en) | 2010-06-22 | 2011-12-29 | Line Travel Automated Coating Inc. | Plural component coating application system with a compressed gas flushing system and spray tip flip mechanism |
| RU2534150C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2014-11-27 | Николай Евгеньевич Староверов | Способ получения нитридной наноплёнки или нанонити |
| US10139520B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-11-27 | Cpfilms Inc. | Method of using a heat-treated titanium nitride film |
| JP6851173B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2021-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB284412A (en) * | 1926-11-01 | 1928-02-01 | Henry C Stephens Ltd | Improvements in or relating to containers for liquid or semiliquid adhesives |
| US2865791A (en) * | 1954-03-05 | 1958-12-23 | Metallgesellschaft Ag | Metal nitride coating process |
| GB773702A (en) * | 1954-03-05 | 1957-05-01 | Metallgesellschaft Ag | Method of producing coatings from hard high-melting point nitrides |
| US2953483A (en) * | 1956-08-13 | 1960-09-20 | Owens Illinois Glass Co | Method and apparatus for applying coatings to selected areas of articles |
| US3511703A (en) * | 1963-09-20 | 1970-05-12 | Motorola Inc | Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide |
| US3306768A (en) * | 1964-01-08 | 1967-02-28 | Motorola Inc | Method of forming thin oxide films |
| GB1282866A (en) * | 1968-08-16 | 1972-07-26 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the production of glass having desired surface characteristics |
| GB1283432A (en) * | 1970-03-24 | 1972-07-26 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the coating of glass |
| BE787599A (fr) * | 1971-08-16 | 1973-02-16 | Battelle Memorial Institute | Vitrage filtrant antisolaire et isolant thermique |
| US4101703A (en) * | 1972-02-04 | 1978-07-18 | Schwarzkopf Development Corporation | Coated cemented carbide elements |
| US4196233A (en) * | 1974-02-07 | 1980-04-01 | Ciba-Geigy Corporation | Process for coating inorganic substrates with carbides, nitrides and/or carbonitrides |
| LU74666A1 (da) * | 1976-03-29 | 1977-10-10 | ||
| US4206252A (en) * | 1977-04-04 | 1980-06-03 | Gordon Roy G | Deposition method for coating glass and the like |
| JPS5437077A (en) * | 1977-08-02 | 1979-03-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Chemical evaporation method and apparatus for same |
| BE879189A (fr) * | 1978-10-19 | 1980-04-04 | Bfg Glassgroup | Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus |
| CH628600A5 (fr) * | 1979-02-14 | 1982-03-15 | Siv Soc Italiana Vetro | Procede pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede. |
| US4401052A (en) * | 1979-05-29 | 1983-08-30 | The University Of Delaware | Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation |
| IT1134153B (it) * | 1979-11-21 | 1986-07-31 | Siv Soc Italiana Vetro | Ugello per depositare in continuo su un substrato uno strato di una materia solida |
| CH640571A5 (fr) * | 1981-03-06 | 1984-01-13 | Battelle Memorial Institute | Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale. |
-
1983
- 1983-08-10 US US06/521,675 patent/US4524718A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-10-28 US US06/546,471 patent/US4535000A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-28 GB GB08417560A patent/GB2141444B/en not_active Expired
- 1983-10-28 EP EP83903848A patent/EP0128169B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-28 CH CH3499/84A patent/CH662808A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1983-10-28 DE DE19833390341 patent/DE3390341T1/de active Granted
- 1983-10-28 WO PCT/US1983/001678 patent/WO1984002128A1/en not_active Ceased
- 1983-10-28 AU AU22698/83A patent/AU565957B2/en not_active Ceased
- 1983-11-09 CA CA000440868A patent/CA1222912A/en not_active Expired
- 1983-11-15 MX MX199416A patent/MX160808A/es unknown
- 1983-11-21 IT IT68218/83A patent/IT1203683B/it active
- 1983-11-21 ES ES527422A patent/ES8500874A1/es not_active Expired
-
1984
- 1984-07-19 DK DK353284A patent/DK162938C/da not_active IP Right Cessation
- 1984-07-23 SE SE8403834A patent/SE453491B/sv not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-02-25 US US06/704,609 patent/US4585674A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES527422A0 (es) | 1984-11-01 |
| EP0128169A4 (en) | 1985-08-27 |
| ES8500874A1 (es) | 1984-11-01 |
| GB8417560D0 (en) | 1984-08-15 |
| WO1984002128A1 (en) | 1984-06-07 |
| AU565957B2 (en) | 1987-10-01 |
| IT1203683B (it) | 1989-02-15 |
| US4535000A (en) | 1985-08-13 |
| DE3390341C2 (da) | 1992-10-22 |
| US4524718A (en) | 1985-06-25 |
| SE8403834L (sv) | 1984-07-23 |
| AU2269883A (en) | 1984-06-18 |
| DK353284D0 (da) | 1984-07-19 |
| SE8403834D0 (sv) | 1984-07-23 |
| EP0128169A1 (en) | 1984-12-19 |
| GB2141444B (en) | 1986-06-11 |
| MX160808A (es) | 1990-05-25 |
| GB2141444A (en) | 1984-12-19 |
| US4585674A (en) | 1986-04-29 |
| CH662808A5 (fr) | 1987-10-30 |
| DK353284A (da) | 1984-07-19 |
| DE3390341T1 (de) | 1985-01-10 |
| IT8368218A0 (it) | 1983-11-21 |
| SE453491B (sv) | 1988-02-08 |
| DK162938C (da) | 1992-05-25 |
| EP0128169B1 (en) | 1990-07-11 |
| CA1222912A (en) | 1987-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK162938B (da) | Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat | |
| DK168664B1 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af et pladeglasprodukt | |
| CA1200444A (en) | Coating process using alkoxy substituted silicon- bearing reactant | |
| JP4441741B2 (ja) | 高い反射率を有する被覆基体 | |
| McCurdy | Successful implementation methods of atmospheric CVD on a glass manufacturing line | |
| DK168793B1 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af en titanoxynitridovertrukket genstand samt anvendelse af således fremstillede genstande | |
| US4857361A (en) | Haze-free infrared-reflecting coated glass | |
| EP0409890B1 (en) | Titanium silicide-coated glass windows | |
| EP0353461B1 (en) | Chemical vapor deposition of bismuth oxide | |
| US20080038457A1 (en) | Near infrared reflecting coatings on glass | |
| US4788079A (en) | Method of making haze-free tin oxide coatings | |
| JP2001002449A (ja) | 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 | |
| WO2022255200A1 (ja) | 積層膜付き基材 | |
| JPH04265253A (ja) | 被覆ガラス及びその製造法 | |
| SE513945C2 (sv) | Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper | |
| JPS62502811A (ja) | 透明な曇りのない酸化すず被膜の形成方法 | |
| EP1105356B1 (en) | Process for coating glass | |
| KR920007956B1 (ko) | 헤이즈가 없는 투명한 산화주석코팅막의 제조방법 | |
| US4775552A (en) | Nebulizable coating compositions for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings | |
| CS218598B2 (en) | Method of depositing the coating of the tin oxide of low specific resistance on the mineral base | |
| JPH0230765A (ja) | 酸化錫被覆の形成方法 | |
| WO2005073428A1 (en) | Method of depositing film stacks on a substrate | |
| US4954367A (en) | Vapor deposition of bis-tributyltin oxide | |
| JPS59502062A (ja) | 窒化チタニウムフィルムの化学蒸着方法 | |
| WO2025239125A1 (ja) | 膜付き基材、車両用窓ガラス及び膜付き基材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |