SE431321B - Foremal med en fluordopad stannioxidfilm samt forfarande for dess framstellning - Google Patents
Foremal med en fluordopad stannioxidfilm samt forfarande for dess framstellningInfo
- Publication number
- SE431321B SE431321B SE7810973A SE7810973A SE431321B SE 431321 B SE431321 B SE 431321B SE 7810973 A SE7810973 A SE 7810973A SE 7810973 A SE7810973 A SE 7810973A SE 431321 B SE431321 B SE 431321B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- fluorine
- tin
- compound
- gas
- gaseous
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 63
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 19
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 8
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N trifluoroiodomethane Chemical compound FC(F)(F)I VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 7
- GSYNTTDHMKSMFY-UHFFFAOYSA-N chloro(pentafluoro)-$l^{6}-sulfane Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)Cl GSYNTTDHMKSMFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 6
- 239000003574 free electron Substances 0.000 claims description 6
- LHFAOGJOEFXRQH-UHFFFAOYSA-N bromo(pentafluoro)-$l^{6}-sulfane Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)Br LHFAOGJOEFXRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QIYZKVMAFMDRTP-UHFFFAOYSA-N pentafluoro(trifluoromethyl)-$l^{6}-sulfane Chemical compound FC(F)(F)S(F)(F)(F)(F)F QIYZKVMAFMDRTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- ZHMUANACXUSCMY-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trifluoromethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(C)C(F)(F)F ZHMUANACXUSCMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- HAJHWZJFYVOKED-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F HAJHWZJFYVOKED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZHAKMZHPZQEIN-UHFFFAOYSA-N [I].FC(F)F Chemical compound [I].FC(F)F DZHAKMZHPZQEIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- QXDJFNYEWKDJJA-UHFFFAOYSA-N dimethylstannane Chemical compound C[SnH2]C QXDJFNYEWKDJJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007591 Tilia tomentosa Species 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBPHQJGWSVXFS-UHFFFAOYSA-N [O].[F] Chemical compound [O].[F] UOBPHQJGWSVXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N tetraethyltin Chemical compound CC[Sn](CC)(CC)CC RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- DFNPRTKVCGZMMC-UHFFFAOYSA-M tributyl(fluoro)stannane Chemical compound CCCC[Sn](F)(CCCC)CCCC DFNPRTKVCGZMMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/84—Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M14/00—Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
- H01M14/005—Photoelectrochemical storage cells
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/013—Heaters using resistive films or coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
7810975-3 2 genom att man först påför en beläggning av ren kiseldioxid på glaset. Skyddsskiktet av kiseldioxid är emellertid icke mycket verksamt på glas med hög alkalihalt och hög värme- utvidgningskoefficient, såsom vanligt soda-kalkglas. Dess- utom angriper dessa korrosiva biprodukter metalldelar i apparaten och metallföroreningar, såsom järn, kan härvid av- sättas i beläggningen, vilket medför ofördelaktiga effekter både på den elektriska ledningsförmågan och transparensen hos beläggningen.
Ett annat problem har varit förlusten av likformighet och reproducerbarhet ifråga om egenskaperna hos beläggningarna.
I den amerikanska patentskriften 2.651.585 anges att bättre likformighet och reproducerbarhet erhålles, om fukthalten i anordningen regleras. Användning av ånga i stället för vätskesprutning, såsom beskrives exempelvis i den tyska patentskriften 1.521.239, medför även likformigare och mer reproducerbara beläggningar. Även med dessa förbättringar har under senare tid undersök- ningar utförts med användning av vakuumavsättningsmetoder, exempelvis förångning och katodisk förstoftning för åstad- kommande av renare och mer reproducerbara beläggningar. Trots den högre kostnaden hos dessa vakuumprocesser anses det att minskningen av mängden korrosiva biprodukter och icke önskade föroreningar, som införes med sprutmetoderna, utgör förbätt- ringar i synnerhet vid tillämpningar innefattande högrena halvledare.
Avsiktlig tillsats av vissa föroreningar är betydelsefull vid dessa processer för åstadkommande av hög elektrisk lednings- förmåga och infraröd reflektionsförmåga. Sålunda införlivas tenn som förorening i indiumoxid, under det att antimon till- sättes till tennoxid (stannioxid) för dessa ändamål. I samt- liga fall har dessa önskade föroreningar (dopningsämnen) till uppgift att tillföra "extra" elektroner, som bidrar till led- ningsförmågan. Lösligheten av dessa föroreningar är hög och de kan tillsättas utan svårighet med användning av alla de 3 påföringsmetoder, som angivits i det föregående. Fluor har en fördel jämfört med antimon såsom dopningsämne för tennoxid genom att transparensen hos fluordopad tennoxidfilm är högre än hos antimondopad film, i synnerhet inom den röda änden av det synliga spektrum. Denna fördel med fluor är betydelse- full för potentiella tillämpningar till solceller och sol- värmekollektorer. Trots denna fördel med fluor utnyttjas för de flesta och eventuellt för alla kommersiellt tillgängliga tennoxidbeläggningar antimon såsom dopningsämne. Detta kan bero på att fluordopning endast har demonstrerats i samband med den mindre fördelaktiga sprutmetoden, under det att de förbättrade påföringsmetoderna (kemisk ångavsättning, vakuum- förångning och katodisk förstoftning) icke antas ha visats ge fluordopning. Dessutom har i en under senare tid utgiven rapport av en kommitté av experter i publikationen The American Institute of Physics Conference Proceedings, nr 25, sidan 288 (1975), angivits såsom slutsats att fluorens jäm- viktslöslighet i tennoxid är inherent lägre än lösligheten av antimon. Icke desto mindre har den lägsta resistiviteten hos tennoxidfilmer angivits i den amerikanska patentskriften 3.677.814. Med användning av en sprutmetod erhölls enligt denna patentskrift fluordopade tennoxidfilmer med så låg resistans som 15 ohm per kvadrat med användning såsom ut- gångsmaterial av en förening innehållande en direkt tenn- -fluorbindning. Det lägsta motståndet i ett kommersiellt tillgängligt tennoxidbelagt glas är hittills inom området ca 40 ohm per kvadrat. Om man önskar erhålla beläggningar med så lågt motstånd som 10 ohm per kvadrat, har man hittills varit tvingad att använda mycket dyrbarare material, såsom indiumoxid.
Det är ett ändamål med föreliggande uppfinning att åstadkomma ett förfarande för påföring av ett skikt eller en beläggning av fluordopad stannioxid med hög transparens inom det synliga omrâdet, hög elektrisk konduktivitet och hög reflektionsför- måga för infrarött ljus. Vidare kan man på ett enkelt sätt variera den elektriska ledningsförmâgan under påföringen av ett enda sådant skikt och uppnå mycket låg volymresistivitet *H G3 C3 \Q \3 04 I 0% 4 och ytresistans. Härvid erhålles en icke-korrosiv avsätt- ningsatmosfär, från vilken sådana skikt med hög renhetsgrad kan avsättas lätt utan förorening av substratet med förore- ningar eller korrosivt angrepp på substratet eller anord- ningen. Vidare användes gasformiga i stället för flytande medel för framställning av belagda produkter såsom beskrives i samband med uppfinningen. Enligt uppfinningen åstadkommes ett förfarande, som utan svårighet ger sådana skikt med i hög grad likformiga och reproducerbara egenskaper inom stora om- råden utan begränsningar som utmärker sprutningsmetoder.
Sådana skikt kan utan svårighet påföras inuti rör eller kolvar eller på ytor med komplicerad form, som icke på ett lätt sätt kan beläggas genom sprutning. Man kan åstadkomma förbättrade föremål, såsom solceller, andra halvledare som är användbara i elektriska kretsar, värmereflekterande fönster, förbättrade natriumlampor och liknande.
Sådana skikt kan pâföras med standardtillverkningsmetoder inom halvledarindustrin och inom glasindustrin.
Uppfinningen avser ett förfarande för påföring av en fluor- dopad stannioxidfilm på ett upphettat substrat, som känne- tecknas av att man intill en yta av substratet tillför en blandning innehållande (a) en gasformig förening innehållande tenn och fluor, som är fri från direkt fluor-tennbindning, (b) en gasformig, oxiderbar, tennhaltig förening och (c) en gasformig syrekälla, med eller utan (d) en inert bärargas, varvid proportionerna av komponenterna (a), (b) och (c) av- passas så att de förblir i gasfas samt (a) bringas att under- gå omvandling vid upphettning till bildning av en andra fluorhaltig förening, som uppvisar en direkt fluor-tennbind- ning när temperaturen hos den gasformiga blandningen närmar sig temperaturen hos det upphettade substratet samt den om- vandlade föreningen kvarhålles i ângfas tills den, tillsam- mans med den oxiderbara tennhaltiga föreningen, oxideras av den gasformiga syrekällan, till bildning av en fluordopad 5 stannioxid, som bringas till avsättning såsom film på det upphettade substratet.
Tenn-fluorbindningen kan bildas omedelbart före avsättningen.
Tenn-fluoridmaterialet hâlles i ångfas vid så låg temperatur att oxidation av föreningen äger rum endast sedan rearrange- manget till bildning av en tenn-fluorbindning erhållits.
Filmer av så framställd fluordopad tennoxid har låg elektrisk resistivitet och hög reflektionsförmâga för infrarött ljus.
Enligt en första utföringsform av uppfinningen beredes en organotenn-monofluoridånga i det upphettade avsättningsområ- det genom reformering av ångan av en mer flyktig förening innehållande både tenn- och fluoralkylgrupper bundna till tenn.
En andra fördelaktig utföringsform av uppfinningen utnyttjar en organotenn-monofluorid, som bildas vid eller nära gräns- ytan mellan gas och substrat genom reaktioner innefattande organotennånga och vissa fluorhaltiga gaser innehållande fluoralkyl- och/eller fluorsvavelgrupper.
Produktskiktet är i båda fallen en likformig, hård, vidhäf- tande transparent beläggning, vars elektriska ledningsförmåga och infrarödreflektionsförmâga beror på koncentrationen av det fluorhaltiga dopningsämnet.
Uppfinningen avser även ett föremål, som kan erhållas med detta förfarande och kännetecknas av att det innefattar ett företrädesvis transparent substrat, exempelvis glas, samt en fluordopad stannioxidfilm på detta, varvid koncentrationen av fria elektroner i stannioxidfilmen ligger inom omrâdet 1020-1021 cm_3 samt föremålet uppvisar en infrarödreflek- tionsförmàga av ca 90 % och/eller en maximal ytresistans av ca 5 ohm per kvadrat.
På fig. 1 visas schematiskt den anordning, som är lämpad för 7619975-3 6 genomförande av ett förfarande vid vilket ett fluorhaltigt dopningsämne utgöres av en organotenn-fluoralkylånga som över- föres i ångfas från flytande form.
Fig. 2 visar en lflfiutad skiss över en andra utföringsform en- ligt vilken det fluorhaltiga dopningsämnet bildas genom reak- tion med vissa fluoralkyl- och/eller fluorsvavelgaser som till- föras från en cylinder med komprimerad gas.
Fig. 3 visar en förenklad utföringsform av anordningen för ge- nomförande av den första eller den andra utföringsformen av uppfinningen.
Fig. 4 är en schematisk sektion genom en solcell och åskådlig- gör en användning av uppfinningen för halvledare.
Fig. 5 visar ett fönster 120, som är belagt med ett skikt 118 enligt uppfinningen. _ Figurerna 6 och 7 är diagram som visar hur konduktiviteten och reflektionsförmågan förändras med halten av fluor-dopningsämne.
Förfarandet enligt uppfinningen innefattar tvâ huvudsteg: (l) beredning av en reaktiv ångblandning som vid upphettning ger en förening med tenn-fluorbindning, och (2) tillföring av den- na ångblandning till en upphettad yta, på vilken fluordopad tennoxid avsättes. De i det följande beskrivna utföringsfor- merna skiljer sig ifråga om den kemiska källan av fhmnmnmünß- ämnet i den reaktiva ångblandningen och även vad beträffar de medel med vilka ångblandningen beredes. Det andra steget (av- sättning på den upphettade ytan) är i stort sett detsamma vid samtliga exempel.
Tenn tillföres såsom en flyktig, oxiderbar tennförening, exem- pelvis tetrametyltenn, tetraetyltenn, dibutyltenndiacetat, dimetyltenndihydrid, dimetyltenndiklorid, etc. Den föredragna föreningen är tetrametyltenn eftersom denna är tillräckligt flyktig vid rumstemperatur, icke-korrosiv, stabil och lätt kan renas. Denna flyktiga tennförening införes i en bubbelflaska nnrkerad 10 på figurerna, och en inert bärargas, exempelvis 7810973-3 7 kvävgas, bringas att bubbla genom tennföreningen. För de mycket flyktiga föreningarna, exempelvis tetrametyltenn och_ dimetyltenndihydrid, kan bubbelflaskan hållas vid rumstempera- tur, men för andra mindre flyktiga föreningar måste bubbel- flaskan och rören upphettas i lämplig grad såsom är uppenbart för fackmannen. Det är en fördel med föreliggande uppfinning att man kan undvika användning av högtemperaturapparater och att enkla utrustningar med kall vägg kan användas. Ångblandningen måste innehålla en oxiderande gas, exempelvis syre, N20, eller liknande. Syre utgör den föredragna gasen eftersom denna gas är lätt tillgänglig och fungerar lika väl som mera dyrbara alternativa oxidationsmedel.
Gastrycket bestämmes med regulatorer 25, och flödet av syrgas från en tank 20 samt av bärargas från en tank 21 regleras med regleringsventiler 30 och uppmätas med flödesmätare 40. Gas- strömmarna föras därefter genom bakventiler 50 till ett blandningsrör 60 och och en trattformad kammare 70. En tenn- oxidfilm avsättes på den hetaste ytan 80, som upphettas med upphettningsanordning 90, vanligen till en temperatur av ca 400-6oo°c.
Den allmänna typen av process som beskrivits i det föregående är allmänt känd inom ångavsättningstekniken. Olika modifika- tioner, exempelvis att substratytan anordnas vertikalt och roterande eller under reaktionskammaren och roterande, är väl- kända för fackmannen, och kan vara speciellt lämpade för an- vändning beroende pâ geometrin hos substratet eller de betin- gelser som påverkar en viss användning.
Rotation av substratet rekommenderas för att på bästa sätt röra provet genom eventuella konvektionsströmmar som kan upp- träda i apparaten och härigenom på bästa sätt säkerställa lik- formighet av de pâförda skikten. Vidare har det enligt upp- finningen visat sig att man genom att anbringa det upphettade substratet vänt nedåt kan erhålla mycket likformiga belägg- ningar på ett enklare sätt utan rotation eftersom gasen, vid upphettning uppifrån, icke uppvisar besvärande konvektions- 7810973-5 "" 8 strömmar. En annan fördel med att ha substratet ovanför de reaktiva ångorna är att eventuellt stoft och smuts eller pulver som bildas såsom biprodukt genom homogen kärnbildning i gasen, icke faller ned på den växande filmen.
Den uppfinning som beskrives utgör en förbättrad process med vilken reglerade mängder fluor såsom förorening kan införlivas i den växande tennoxidfilmen. Enligt en enklaste aspekt av uppfinningen utgöres fluor-dopningsämnet av en ånga som inne- håller en tenn-fluorbindning i varje molekyl. De övriga tre tennvalenserna är upptagna av organiska grupper och/eller halogener av annat slag än fluor. Typiska exempel pâ sådana föreningar är tributyltennfluorid. Det har visat sig att fluor som bindes på detta sätt och göres tillgängligt för en het yta i ångform icke klyves från tenn under oxidering vid en het yta.
Dessvärre är alla tidigare kända föreningar med en sådan direkt tenn-fluorbindning icke väsentligt flyktiga nära rums- temperatur.
En speciell fördel med uppfinningen âstadkommes genom att man bereder fluordopningsmedlet av flyktiga föreningar som icke uppvisar den erforderliga tenn-fluorbindningen men som vid upphettning undergâr reaktion eller omfördelning (rearrange) till bildning av en direkt tenn-fluorbindning. Denna omför- delning uppträder lämpligen vid en temperatur som är till- räckligt hög (exempelvis >lOO°C) så att den på detta sätt bildade tennfluoriden kvarstannar i ångfas, men även så låg (exempelvis <400°C) att oxidationen av föreningen äger rum efter omfördelningen. Ett exempel på en sådan förening är trimetyltrifluormetyltenn, (CH3)3SnCF3. Vid upphettning till en temperatur av ca l50°C i en upphettad zon invid avsätt- ningsytan 80 undergâr denna förening omfördelning till bild- ning av en direkt tenn-fluorbindning, i (CH3)3SnF-ånga, som därefter reagerar såsom fluordonator eller dopningsmedel.
Andra föreningar som undergâr likartade omfördelningar vid temperaturer som givetvis varierar i någon grad från förening till förening har den allmänna formeln R3SnRF} varvid R be- . -QIILBLTQÉÉ ' 7810973-3 9 tecknar en kolvätegrupp och RF är en fluorerad kolvätegrupp med minst en fluoratom bunden till den kolatom som är bundenni till tenn. Den väsentligaste fördelen med dessa fluordop- ningsmedel är att de utgöres av flyktiga vätskor, så att de lätt kan ge tillräckligt ångtryck vid förångning vid rumstem- peratur. Detta förenklar konstruktionen av anordningen, såsom visas på figur 1, genom att man eliminerar behov av att upp- rätthålla en het zon mellan bubbelanordningen 15 och reak- tionskammaren 70 för att hålla fluordopningsmedlet i ångfas.
Anordningen kan sålunda vara av den typ som vanligen benämnes "kemisk ångavsättningsreaktor av kallväggtyp" och som användes i stor utsträckning, exempelvis inom halvledarindustrin för _ avsättning av kisel, kiseldioxid, kiselnitrid, etc. Andra väsentliga egenskaper hos "kallväggreaktorn“ för halvledar- ändamål är att den minimerar icke önskade föroreningar till en låg nivå i både substratet och den påförda filmen. På lik- nande sätt kan vid glastillverkning gasblandningen tillsättas till glödgnings- och kylningsugnen på det stadium när glaset har lämplig temperatur, exempelvis ca 470°C för mjukt glas.
På detta sätt kan i hög grad likformiga filmer åstadkommas i normal glastillverkningsutrustning.
Den föredragna föreningen för användning i utföringsformen enligt figur l utgöres av (CH3)3SnCF3, eftersom denna är mer flyktig än föreningar med fler kolatomer. Denna förening ut- göres av en stabil, färglös, icke-korrosiv vätska, som icke sönderdelas i luft vid rumstemperatur och som endast reagerar ytterst långsamt med vatten.
En särskilt fördelaktig andra utföringsform av uppfinningen utnyttjar en fluorhaltig gas, som reagerar med en organotenn- ånga vid upphettning till bildning av tennfluoridànga. Så- lunda kan exempelvis d-fluoralkylhalogenider, företrädesvis sådana i vilka alkylgruppen har 4 kolatomer eller färre, sådana gaser som jodtrifluormetan, CF3I, CF3CF2I, C3F7I och liknande, blandas med organotennångor, exempelvis tetrametyl- tennånga,(CH3)4Sn, vid rumstemperatur, dvs. till 32oC, i synnerhet till en temperatur av 65°C, utan reaktion. Vidare .,_..,._.... ........-. _ f -_~,..> _.».f ».r.--.>.>m<.:-~. s-»nv-n: fl-.tx _ f/...ïfi fl-rAuv-...i v, 7819975-ål lO är fluoralkylbromider, såsom CF3Br, C2F5Br och liknande, anffin vändbara såsom fluorhaltiga gaser. De är mindre reaktiva och ca 10 till 20 gånger mer erfordras i reaktionsmedelsgasen, men de är mycket mindre dyrbara. Detta är speciellt överraskande, eftersom sådana föreningar angetts vara inerta. Fluoralkyl- klorider föredrages icke för användning, eftersom dessa reak- tivitet är väsentligt lägre än bromidernas.
När en sådan ångblandning närmar sig den upphettade ytan äger reaktion rum i gasfasen, så att de önskade tenn-fluorbind- ningarna slutligen bildas. Även om reaktionssekvensen är komplicerad, antager man att denna börjar med sådana reaktioner _ som CFBI + R4Sn-àR3SnCF3 + RI till bildning av organotennfluoralkyl R3SnCF3 i ångform i området nära gränsytan med den heta ytan, där de verkar såsom fluordopningsmedel för den tillväxande tennoxidfilmen på samma sätt som enligt den första utföringsformen.
Vissa andra fluorhaltiga gaser är även verksamma enligt denna andra utföringsform av uppfinningen. Sålunda är exempelvis svavelkloridpentafluorid SF5Cl en verksam fluordonatorgas liksom svavelbromidpentafluorid SF5Br.
Pâ likartat sätt verkar trifluormetylsvavelpentafluorid CF3SF5 i gasform till bildning av tenn-fluoridbindningar genom gas- fasreaktion.
Fördelen med denna andra utföringsform är att fluordonatorn utgöres av en gas, och processen åskådliggöres vidare på figur 2. De föredragna gaserna är CF3I och CF3Br, som är icke-korrosiva, obrännbara, icke väsentligt giftiga och kom- mersiellt lättillgängliga. SF5Cl och SF5Br är starkt giftiga och är därför mindre önskvärda för användning. CF3SF5 är ogiftigt men något mindre reaktivt än CF3I.
Avsättningsprocessen kan förenklas ytterligare, såsom visas på figur 3, om gasblandningarna förblandas och lagras i en tryck- . ....~..... ._ u... _......-_._.- 7816575-s ll gascylinder 19. För säker lagring och användning måste den oxiderbara föreningen givetvis hållas vid sådan koncentration, att den icke kan bilda en explosiv blandning. Exempelvis ut- gör den lägre explosionsgränsen för tetrametyltenn i luft ca l,9 %. Koncentrationer som använts för kemisk ângavsätt- ning är lägre än hälften av denna halt. Dessutom verkar användning av CF3I och CF3Br såsom fluordopningsmedel även såsom flammotverkande medel.
Filmer framställda enligt uppfinningen har visat sig ha infra- rödreflexionsförmåga av 90 % eller mer uppmätt, såsom är känt inom tekniken, vid den konventionella ljusvåglängden lO,um _ som är karakteristisk för termisk infrarödstrålning vid rums- temperatur. Denna reflexionsförmåga av 90 % kan jämföras med reflexionsförmågan 80 %, som hittills uppnåtts med användning av tennoxidbeläggningar. Vid vanlig användning har dessa infrarödreflekterande skikt en tjocklek av ca 0,2 till l/rm och tjocklekar mellan 0,3 och 0,5/am är typiska.
För att mer kvantitativt känneteckna fluordopningsmedels- halterna i filmerna uppmättes infrarödreflexionsförmågan inom vâglängdsintervallet 2,5;Lm till 40,um. Genom inpassning av dessa värden i teoretiska kurvor, såsom utförligare beskrives av R. Groth, E. Kauer och P.C. van den Linden, "Optical Effects of Free Carriers in SnO2 Layers", Zeitschrift für Naturforschung, volym 179, sid. 789-793 (1962), erhölls värden för koncentrationen av fria elektroner i filmerna. De er- hållna värdena låg inom intervallet från 1020 cm-3 till lO2l cm_3 och ökade regelbundet med ökande halter av fluor- dopningsmedlet. Teoretiskt skall en fri elektron avges för varje fluoratom som ersättes med en syreatom i gittret. Denna hypotes verifierades med "Auger Electron Spectroscopic"- -mätningar av den totala fluorhalten i vissa av filmerna, som gav fluorhalter överensstämmande med frielektronkoncentra- tionerna inom gränserna för försöksnoggrannheten. Denna överensstämmelse anger att större delen av den införlivade fluormängden är elektriskt aktiv. 7810973-5 12 Infrarödreflexionsförmågan vid lO,um samt även den elektriska bulkkonduktiviteten hos filmerna visade sig vara maximala vid!- en dopningshalt av ca l,5 - 2 % fluorsubstitution för syre.
Dessa maxima är mycket breda och i det närmaste maximal kon- duktivitet och reflexionsförmåga uppvisas av filmer med l till 2,5 % fluor. Vidare förefinnes även en svag, allmän absorp- tion inom hela det synliga våglängdsområdet, som ökar direkt med fluorhalten. För framställning av filmer med hög elekt- risk konduktivitet och hög synlig transparens är därför en fluorhalt i filmen av ca 1 % (dvs. förhållande fluorzsyre i filmen 0,01) särskilt önskvärd. Detta optimum varierar emel- lertid i viss grad beroende på spektralfördelningen av _ intresse för en given användning. Genom variering av halten av fluordopningsmedel kan man med rutinförsök lätt fastställa den optimala halten för en viss användning.
Halter av fluordopningsmedel överstigande 3 % kan lätt åstad- kommas i filmerna med användning av metoder enligt uppfin- ningen. Resultaten vid tidigare kända metoder har icke över- stigit l % och enligt tidigare uppfattning, såsom angivits i det föregående, har detta ansetts vara löslighetsgränsen för fluor. Även om så höga dopningshalter icke erfordras för framställning av optimal infrarödreflexionsförmåga eller elektrisk konduktivitet kan de gråa filmer som framställes vid dopningshalter av 2 % eller mer vara användbara på glas avsedda för arkitekturändamål, för begränsning av solvärme- tillförseln i luftkonditionerade byggnader. Vid sådan an- vändning sänkes dopningshalten vid ytan av filmen lämpligen till ca 2 % för åstadkommande av maximal infrarödreflexions- förmåga.
Med användning av de uppmätta elektronkoncentrationerna och värdena på elektriska ledningsförmågan kan elektrondrift- rörligheterna erhållas. För olika filmer beräknades värden från 50 till 70 cmz/volt-sekund på detta sätt. Tidigare erhållna rörlighetsvärden för tennoxidfilmer har varierat från 5 till 35 cmz/volt-sekund. Det antages att filmer enligt uppfinningen är de första filmer som uppvisar rörlighetsvärden . ......._........-_-..-».. -:-.~..->.«»~--i-~V1. ...n-HW.. ma... 7810973-3 13 överstigande 40 cm2/volt-sekund. Dessa värden åskådliggör på_ ett annat sätt den överlägsna kvaliteten hos förfarandet enligt uppfinningen och de filmer som framställes med detta.
Förfarandet enligt uppfinningen är även i hög grad lämpligt för användning vid framställning av nya anordningar, exempelvis sådana med elektronledande skikt vid tillverkning av halv- ledare (exempelvis integrerade kretsar och liknande) samt även framställning av värmereflekterande transparenta föremål, såsom fönster.
Den mest fördelaktiga utföringsformen av uppfinningen är en _ utföringsform varvid organotennfluoridföreningen med tenn- -fluorbindning bringas att sönderdelas vid substratet omedel- bart efter bildningen. Denna sönderdelning äger företrädesvis rum i en smal reaktionszon, som huvudsakligen upphettas till sönderdelningstemperaturen genom värme från substratet självt.
För att närmare åskådliggöra uppfinningen anges i det följande utföringsexempel på utföringsformer av förfarandet enligt uppfinningen och de därmed framställda produkterna.
Om icke annat anges genomfördes de i det följande angivna exemplen med följande allmänna tillvägagångssätt: Exempel l.
Förfarandet exemplifieras med ett försök med användning av anordningen enligt figur l för framställning av en gasström, som innehåller l % tetrametyltenn (CH3)4Sn, 0,02 % trimetyl- trifluormetyltenn (CH3)3SnCF3, 10 % kväve såsom bärargas samt resten syrgas. Den erhållna strömmen föres över en pyrex- -glasplatta som har en diameter av 15 cm och hâlles vid 500°C under ca 5 minuters avsättningstid. Gasflödet uppgår till ca 400 cm3 per minut. Detta gasflöde motsvarar ett gasutbyte i tratten 70 av ca ett gasutbyte per två minuter. En trans- parent film med en tjocklek av ca llflm avsättes. Filmen upp- visar ett elektriskt motstånd av 2 ohm per kvadrat motsvarande en volymresistivitet av 0,0002 ohm-cm. Denna film uppmätes \J OO ...s CD \O ,\J 04 I 04 14 ha ett förhållande fluorzsyre av ca 0,017 och en driftrörlig- het av ca 50 cmz/volt-sekund.
Exempel 2.
Vid upprepande av försöket enligt exempel 1 med användning av ett natriumfritt kiselsubstrat sjunker motståndsvärdet till ca 1 ohm per kvadrat, dvs. ca hälften av värdet av resistivi- teten som uppnås med ett natriumhaltigt substrat.
Exempel 3.
En fördelaktig utföringsform av förfarandet kan åskådliggöras med en process med utnyttjande av den på figur 2 visade anord- _ ningen. Den erhållna gasblandningen utgöres av l % tetra- metyltenn (CH3)4Sn, 0,2 % jodtrifluormetan CF3I, 20 % kväve- bärargas samt resten syre. Filmer avsatta på pyrex-glas- substrat visade samma elektriska egenskaper som enligt exempel l.
Exempel 4.
Den förenklade anordningen enligt figur 3 användes, varvid man bereder den i exempel 3 beskrivna blandningen i en tryckgas- cylinder 19. Resultaten är identiska med de enligt exempel 3 erhållna. Efter en månads lagring i gascylindern upprepades försöket varvid man erhöll identiska resultat. Detta visar stabiliteten och lagringslivslängden hos blandningen.
Exempel 5.
Försöket enligt exempel 3 upprepas med undantag av att av- sättningen avbrytes när stannioxidfilmen har en tjocklek av O,5;um Den erhållna stannioxidfilmen har en infraröd- reflexionsförmåga av ca 90 %.
Exempel 6 - 13.
De i det följande angivna gaserna användes samtliga såsom ersättning, i ekvimolära mängder, för CF3I vid förfarandet enligt exempel 3 (med undantag av att koncentrationen av fluordopningsmedel ökas 15 gånger enligt exemplen 6, 7, 8 och l3). Mycket god ledningsförmåga och reflexionsförmâga för i ,c,..., -..i ,_ .>_-_.~ _. _. . , eaaq-a -n-w. .www-- w-n - .vnøvnflunvuwfqxïqrmflßlhiæråä "751 0973-3 15 infraröd strålning erhålles.
Exempel Gas Exempel Gas 6 CF3Br lO C3F7I 7 C2F5Br ll SF5Br 8 C3F7Br 12 SF5Cl 9 CZFSI 13 CF3SF5 Konventionella fotoelektriska celler med kisel ("so1celler") har hittills uppvisat typiska ytresistensvärden av 50 - 100 ohm per kvadrat. För att man skall erhålla ett acceptabelt lågt totalt cellmotstånd avsättes ett metallgaller med ett _ mellanrum av l eller 2 mm på kiselytan. Genom avsättning av ett fluordopat tennoxidskikt med ett skiktmotstånd av ca 0,5 ohm per kvadrat (ca 2/nn tjockt) på cellytan kan mel- lanrummet i metallgallret ökas till ca 10 mm med en motsva- rande minskning av kostnaden för gallret. Alternativt kan gallerstorleken hållas ringa och cellen kan härvid fungera effektivt även när solskenet koncentrerats med en faktor av ca 100, förutsatt att tillfredsställande kylning av cellen upprätthålles.
En schematisk sektion 100 genom en sådan cell visas på figur 4, varvid ett skikt 102 med tjockleken 2,um av n-SnO2 (fluor- dopat material enligt uppfinningen användes), ett skikt 104 med tjockleken 0,4,um av n-kisel (fosfordopat kisel av tidi- gare känd typ), ett skikt 106 med tjockleken 0,1 mm av p-kisel (bordopat kisel av känd typ) är förenade till ett aluminiumskikt 108, som verkar såsom elektrod. Metallgaller 110 är anordnade med ett inbördes avstånd av ca 10 mm. Trots detta erhålles mycket gott resultat.
De'påförda skikten kan användas vid framställning av andra halvledarprodukter, exempelvis ledare eller resistorer. Tenn- oxidbeläggningar har använts för detta ändamål i integrerade kretsar. Den förbättrade konduktiviteten tillåter mer om- fattande användning av detta material. Sålunda kan icke endast skiktmotståndsområdet utvidgas till mycket lägre värden 7810975-3 16 (exempelvis ca 5 ohm per kvadrat eller mindre) än vad som hittills varit möjligt, men man kan även åstadkomma avsätt-kr ning av skiktet i samma anordning som användes exempelvis för tillväxt av epitaxialt kisel. Detta eliminerar dyrbar och besvärlig tömning, rengöring och beskickning såsom steg mellan avsättningsoperationerna.
De resistivitetsvärden som erhålles för den fluordopade tenn- 4 Ohm-cm, vilket är jämför- oxiden på kiselsubstrat är ca 10- bart med värdet för förångad tantalmetall, som i vissa fall användes såsom förbindelse i integrerade kretsar. Den goda överensstämmelsen mellan värmeutvidgningskoefficienterna för tennoxid och kisel tillåter avsättning av tjocka skikt utan väsentliga spänningar.
Figur 6 visar den elektriska ledningsförmågan hos den fluor- dopade stannioxidfilmen såsom funktion av uppmätt förhållande fluor:syre i filmen för avsättningstemperaturer av 480 och soo°c.
På figur 7 visas infrarödreflexionsförmågan hos de fluor- dopade stannioxidfilmerna såsom en funktion av det uppmätta förhållandet fluor:syre i filmen för avsättningstemperaturerna 480 och 5oo°c.
På figurerna 6 och 7 visas även (l) konduktiviteten hos tidi- gare kända dyrbara indiumoxidmaterial samt såsom beskrives i Philips Technical Review, vol. 29, sid. 17 (1968) av van Boort och Groth samt (2) de bästa tidigare kända värdena för konduk- tivitet och reflexionsförmåga hos dopade stannioxidbelägg- ningar. Även om ett flertal utföringsformer enligt uppfinningen beskrivits och åskådliggjorts, är det uppenbart för fack- mannen att en mångfald förändringar och modifikationer kan tillämpas utan att man avviker från uppfinningstanken.
Claims (20)
1. l. Föremål, k ä n n e t e c k n a t därav, att det inne- fattar ett företrädesvis transparent substrat, exempelvis glas, samt en fluordopad stannioxidfilm på detta, varvid koncentrationen av fria elektroner i stannioxidfilmen ligger inom området 1029-1021 cm_3 samt föremålet uppvisar en infra- rödreflexionsförmåga av ca 90 % och/eller en maximal yt- resistans av ca 5 ohm per kvadrat.
2. Föremål enligt patentkravet l, k ä n n e t e c k n a t därav, att föremålet uppvisar en reflexionsförmåga för infra- rött av ca 90 %, varvid filmen uppvisar ett förhållande fluorzsyre av mellan ca 0,007 och 0,03.
3. Halvledande föremål enligt patentkravet 1 av den typ som användes i elektroniska kretsar och uppvisar en belägg- ning av fluordopad stannioxid, k ä n n e t e c k n a t därav, att föremålet uppvisar en resistans av mindre än ca 5 ohm per kvadrat och en bulkresistivitet i beläggningen av ca 10-4 ohm-cm.
4. Förfarande för påföring av en fluordopad stannioxid- film på ett upphettat substrat, k ä n n e t e c k n a t därav, att man intill en yta av substratet tillför en bland- ning innehållande (a) en gasformig förening innehållande tenn och fluor, som är fri från direkt fluor-tenn-bindning, (b) en gasformig, oxiderbar, tennhaltig förening och (c) en gasformig syrekälla, med eller utan (d) en inert bärargas, varvid proportionerna av komponenterna (a), (b) och (c) avpassas så att de förblir i gasfas samt (a) bringas att undergå omvandling vid upphettning till bildning av en andra fluorhaltig förening, som uppvisar en direkt fluor-tenn- -bindning när temperaturen hos den gasformiga.blandningen närmar sig temperaturen hos det upphettade substratet samt den omvandlade föreningen kvarhålles i ångfas tills den, 781097 -3 ig CJ tillsammans med den oxiderbara tennhaltiga föreningen, oxi- deras av den gasformiga syrekällan, till bildning av en fluordopad stannioxid som bringas till avsättning såsom film på det upphettade substratet.
5. sFörfarande enligt patentkravet 4 för framställning av transparenta filmer av stannioxid på ett upphettat substrat, k ä n n e t e c k n a t därav, att man använder en gas- blandning, som från början innehåller (1) en första fluorhaltig tennorganisk förening som är fri från direkt tenn-fluorbindning, (2) en oxiderbar tennförening och (3) en oxiderande gas,7 varvid man genomför följande steg: (a) omvandlar den första fluorhaltiga tennorganiska kompo- nenten i gasblandningen till en andra gasformig tenn- organisk fluorid med en direkt tenn-fluorbindning, (b) omedelbart oxiderar denna andra fluoridförening i omedelbar närhet av substratet, så att ett fluor- dopningsmedel erhålles i gasblandningen, och (c) bereder en fluordopad stannioxidfilm på det upphettade substratet genom samtidig avsättning på detta av den oxiderbara tennföreningen och fluordopningsmedlet.
6. Förfarande enligt patentkravet 5, k ä n n e t e c k - n a t därav, att den första gasformiga fluorhaltiga tenn- organiska föreningen beredes genom upphettning av en gas- blandning innehållande (a) en gas vald från gruppen bestående av CF3I, CF3Br och homologa alkyl-arfluorerade föreningar av CF3I, CF3Br och CF3SF5, SF5Br och SF5Cl, eller blandningar av dessa ämnen, och (b) den oxiderbara tennföreningen, varvid (a) och (b) är väsentligen inerta i förhållande till varandra vid temperaturer under ca 65°C.
7. Förfarande enligt patentkravet 5 eller 6, k ä n n e - t e c k n a t därav, att omvandlingen av den första flyktiga fluorhaltiga tennorganiska föreningen, som är fri från direkt tenn-fluorbindning, till den gasformiga organotennfluorid- W 7840973-5 föreningen med direkt tenn-fluorbindning, åstadkommes vid upphettning av substratet.
8. Förfarande enligt patentkravet 4 för avsättning av filmer av fluordopad stannioxid på ett upphettat substrat, k ä n n e t e c k n a t därav, att man blandar a) en gasformig, fluorhaltig komponent och b) en gasformig, oxiderbar tennhaltig komponent och c) en gasformig, syrehaltig komponent och, eventuellt, d) inert bärargas, varvid dessa komponenter väljes så att de förblir i gasfas vid blandningstemperaturen samt att komponenten (a) och kom- ponenten (b) reagerar till bildning av en förening med en tenn-fluorbindning endast när gasblandningen upphettas till ca temperaturen hos det upphettade substratet, samt att före- ningen med tenn-fluorbindning och den syrehaltiga komponenten därefter reagerar till avsättning av filmen av fluordopad stannioxid på det upphettade substratet. 9. Förfarande enligt patentkravet 4 för avsättning av filmer av fluordopad stannioxid på ett upphettat substrat, k ä n n e t e c k n a t därav, att man blandar a) en gasformig, fluorhaltig komponent och b) en gasformig, oxiderbar tennhaltig komponent och c) en gasformig, syrehaltig komponent samt, eventuellt, d) inert bärargas, varvid dessa komponenter väljes så att de förblir i gasfas vid blandningstemperaturen och komponenten (a) samt kompo- nenten (b) reagerar till bildning av en förening med en tenn- -fluorbindning endast när gasblandningen upphettas till ca temperaturen hos det upphettade substratet, samt föreningen med tenn-fluorbindning och den syrehaltiga komponenten där- efter reagerar till avsättning av filmen av fluordopad stanni- oxid på det upphettade substratet samt komponenten (a) inne- håller en flyktig organotenn-fluorhaltig förening, som är fri från direkt tenn-fluorbindning men som vid upphettning under- går omfördelning till bildning av en direkt tenn-fluorbind- nin vid så hög temoeratur att den nybildade förenin en med
9. . , Q \:1 oo w-ä o no w e: n u: *ä direkt tenn-fluorbindning förblir i ångfas tills den reagerar tillsammans med den oxiderbara tennföreningen till avsättning av en film av fluordopad tennoxid.
10. Förfarande enligt patentkraven 4 - 9, k ä n n e - t e c k n a t därav, att tetrametyltennånga, i en koncentra- tion av upp till ca l %, utgör den flyktiga oxiderbara tenn- föreningen, samt att syrgas med ett partialtryck upp till ca en atmosfär användes såsom oxiderande gas; samt att stanni- oxid avsâttes på en yta upphettad till ca 500°C.
11. ll. Förfarande enligt patentkravet 4, k ä n n e t e c k - n a t därav, att den första fluorhaltiga föreningen utgöres av en flyktig tennförening, som sönderdelas vid upphettning till bildning av en organotennmonofluoridånga, företrädesvis trimetyltrifluormetyltenn eller trimetylpentafluoretyltenn.
12. Förfarande enligt patentkravet 5, k ä n n e t e c k - n a t därav, att man använder en blandning av (a) och (b), som är stabil vid ca 32OC, i vilken en reaktion av (a) och (b) initieras termiskt och medför bildning av en organotenn- monofluoridånga, varvid denna ånga utgör en källa för reglerad tillsats av fluorförorening till filmen av stannioxid, varvid företrädesvis fluordopningsmedlet bildas genom reaktion av trifluorjodmetan och en organotennförening innehållande minst en tenn-kolbindning per molekyl, såsom genom reaktion av tri- fluorjodmetangas och tetrametyltenn.
13. Förfarande enligt patentkravet 12, k ä n n e t e c k - n a t därav, att jod ersättes med brom.
14. Förfarande enligt patentkravet 12, k ä n n e t e c k - n a t därav, att fluordopningsmedlet beredes genom reaktion av svavelkloridpentafluoridgas eller trifluormetylsvavelpenta- fluoridgas och en organotennförening innehållande minst en tenn-kolbindning per molekyl, företrädesvis tetrametyltenn.
15. Förfarande enligt något av patentkraven 4 - 14, k ä n - 7810973-3 n e t e c k n a t därav, att mängdförhållandet fluordopnings- medelzoxiderbar tennförening väljes så att koncentrationen av fria elektroner i filmen ligger inom området ca 1020 cm'3 - 1021 cm_3.
16. Förfarande enligt något av patentkraven 4 - 15, k ä n - n e t e c k n a t därav, att halterna av fluordopningsämne i stannioxidfilmen är ca l - 3 % fluor såsom ersättning för syre.
17. Förfarande enligt patentkravet 8, k ä n n e t e c k ~ n a t därav, att komponenten (a) innehåller reaktiva fluor- alkylgrupper, såsom fluoralkylhalogenider eller blandningar av sådana, företrädesvis en gas vald från gruppen bestående av CF3 föreningar eller blandningar av dessa, eller innehåller Br, CF3I och homologa eller substituerade fluorerade reaktiva fluorsvavelgrupper, såsom SF5Cl, SF5Br eller SFSCF3 samt homologa eller substituerade föreningar eller bland- ningar av sådana, eller blandningar av dessa ämnen.
18. Förfarande enligt något av patentkraven 4 - 17, k ä n - n e t e c k n a t därav, att komponenten (a) innehåller en fluoralkylgrupp eller substituerad fluoralkylgrupp, som är bunden till en tennatom, företrädesvis trimetyltrifluor- metyltenn eller trimetylpentafluoretyltenn.
19. Förfarande enligt något av patentkraven 4 ~ 18, k ä n - n e t e c k n a t därav, att komponenten (b) innefattar en förening innehållande minst en kol-tennbindning, företrädesvis tetrametyltenn eller dimetyltenndiklorid.
20. Förfarande enligt något av patentkraven 4 - 19, k ä n - n e t e c k n a t därav, att komponenten (b) innehåller syrgas, kväve eller argon. Zl. Förfarande enligt något av patentkraven 4 - 20, k ä n - n e t e c k n a t därav, att substratet, som skall beläggas, är vänt nedåt och att gasblandningen riktas uppåt mot substratytan.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7841384A GB2033357B (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Processes for the production of tin oxide coatings and articles having such coatings |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE7810973L SE7810973L (sv) | 1980-06-23 |
| SE431321B true SE431321B (sv) | 1984-01-30 |
Family
ID=10500482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE7810973A SE431321B (sv) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Foremal med en fluordopad stannioxidfilm samt forfarande for dess framstellning |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5558363A (sv) |
| BE (1) | BE871408A (sv) |
| BR (1) | BR7806939A (sv) |
| CA (1) | CA1121666A (sv) |
| CH (1) | CH640276A5 (sv) |
| DE (1) | DE2845782A1 (sv) |
| FI (1) | FI64128C (sv) |
| FR (1) | FR2439240A1 (sv) |
| GB (1) | GB2033357B (sv) |
| IT (1) | IT1109618B (sv) |
| NL (1) | NL191210C (sv) |
| NO (1) | NO144140C (sv) |
| SE (1) | SE431321B (sv) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018090B2 (ja) * | 1979-10-03 | 1985-05-08 | 日本板硝子株式会社 | 導電薄膜の形成方法 |
| CA1171505A (en) * | 1980-07-23 | 1984-07-24 | Katherine V. Clem | Conductive elements for photovoltaic cells |
| US4377613A (en) * | 1981-09-14 | 1983-03-22 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| DE3300449A1 (de) * | 1983-01-08 | 1984-07-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampe |
| JPS59190219A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| JPS6273783A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質半導体太陽電池 |
| GB8624825D0 (en) * | 1986-10-16 | 1986-11-19 | Glaverbel | Vehicle windows |
| GB8630791D0 (en) * | 1986-12-23 | 1987-02-04 | Glaverbel | Coating glass |
| JPH07112076B2 (ja) * | 1987-05-07 | 1995-11-29 | 日本板硝子株式会社 | 二層構造を有する透明導電膜体 |
| JPH021104A (ja) * | 1988-03-08 | 1990-01-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気二重層コンデンサ |
| JPH01227418A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気二重層コンデンサ |
| DE4303074C2 (de) * | 1992-02-27 | 1994-05-19 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Ladung eines Kondensators |
| DE4243382C2 (de) * | 1992-02-27 | 1994-06-09 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Entladung eines Kondensators |
| DE4213747A1 (de) * | 1992-04-25 | 1993-10-28 | Merck Patent Gmbh | Elektrisch leitfähige Pigmente |
| DE4337986C2 (de) * | 1993-11-06 | 1996-06-05 | Schott Glaswerke | Verwendungen von Sn(IV)-Carboxylaten als Ausgangsverbindungen für Tauchlösungen zur Herstellung transparenter, elektrisch leitfähiger Einkomponentenschichten aus reinem oder dotiertem SnO¶2¶ auf Glassubstraten |
| US5698262A (en) | 1996-05-06 | 1997-12-16 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for forming tin oxide coating on glass |
| DE19801861C2 (de) * | 1998-01-20 | 2001-10-18 | Schott Glas | Verfahren zum Herstellen eines hohlen, innenbeschichteten Glasformkörpers |
| DE19810848A1 (de) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Heinz Zorn | Spiegelheizeinrichtung |
| DE19844046C2 (de) * | 1998-09-25 | 2001-08-23 | Schott Glas | Mehrscheibenisolierglas |
| US20030165731A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Gayatri Vyas | Coated fuel cell electrical contact element |
| US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| JP2007242340A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法並びにその製造装置 |
| DE102014220575A1 (de) * | 2014-10-10 | 2015-10-29 | Siemens Vai Metals Technologies Gmbh | Feuerfestbauteil zum Auskleiden eines metallurgischen Gefäßes |
| US10221201B2 (en) | 2015-12-31 | 2019-03-05 | Praxair Technology, Inc. | Tin-containing dopant compositions, systems and methods for use in ION implantation systems |
| JP7129310B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2022-09-01 | 株式会社カネカ | 蒸着装置 |
| WO2023214161A1 (en) * | 2022-05-03 | 2023-11-09 | Pilkington Group Limited | Method of forming a tin oxide coating |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2566346A (en) * | 1948-09-08 | 1951-09-04 | Pittsburgh Plate Glass Co | Electroconductive products and production thereof |
| US2651585A (en) * | 1949-06-25 | 1953-09-08 | Pittsburgh Plate Glass Co | Production of electroconductive articles |
| US3107177A (en) * | 1960-01-29 | 1963-10-15 | Pittsburgh Plate Glass Co | Method of applying an electroconductive tin oxide film and composition therefor |
| US3705054A (en) * | 1967-01-25 | 1972-12-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of applying coatings of tin oxide upon substrates |
| US3667814A (en) * | 1970-09-04 | 1972-06-06 | Alfred Krivda | Vacuum loader |
| BE788501A (fr) * | 1971-09-17 | 1973-01-02 | Libbey Owens Ford Co | Procede d'application d'enduits d'oxyde d'etain sur des substrats transparents |
| US3766053A (en) * | 1972-06-29 | 1973-10-16 | Nalco Chemical Co | Corrosion inhibitors for refining & petrochemical processing equipment |
| US3949259A (en) * | 1973-08-17 | 1976-04-06 | U.S. Philips Corporation | Light-transmitting, thermal-radiation reflecting filter |
-
1978
- 1978-10-20 FI FI783195A patent/FI64128C/fi not_active IP Right Cessation
- 1978-10-20 FR FR7829935A patent/FR2439240A1/fr active Granted
- 1978-10-20 GB GB7841384A patent/GB2033357B/en not_active Expired
- 1978-10-20 CH CH1088078A patent/CH640276A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1978-10-20 NO NO783553A patent/NO144140C/no unknown
- 1978-10-20 NL NL7810511A patent/NL191210C/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-10-20 IT IT69421/78A patent/IT1109618B/it active
- 1978-10-20 CA CA000313867A patent/CA1121666A/en not_active Expired
- 1978-10-20 DE DE19782845782 patent/DE2845782A1/de active Granted
- 1978-10-20 BR BR7806939A patent/BR7806939A/pt unknown
- 1978-10-20 BE BE191237A patent/BE871408A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-10-20 SE SE7810973A patent/SE431321B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-10-20 JP JP12943078A patent/JPS5558363A/ja active Granted
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033830A patent/JPS63245813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI64128C (fi) | 1983-10-10 |
| IT7869421A0 (it) | 1978-10-20 |
| FI783195A (fi) | 1980-04-21 |
| JPS5558363A (en) | 1980-05-01 |
| FR2439240B1 (sv) | 1984-06-29 |
| SE7810973L (sv) | 1980-06-23 |
| JPS649399B2 (sv) | 1989-02-17 |
| GB2033357B (en) | 1983-01-06 |
| NO144140B (no) | 1981-03-23 |
| NL191210C (nl) | 1995-03-16 |
| NL7810511A (nl) | 1980-04-22 |
| IT1109618B (it) | 1985-12-23 |
| JPS6361388B2 (sv) | 1988-11-29 |
| FR2439240A1 (fr) | 1980-05-16 |
| NL191210B (nl) | 1994-10-17 |
| DE2845782A1 (de) | 1980-04-30 |
| DE2845782C2 (sv) | 1990-04-19 |
| BE871408A (fr) | 1979-04-20 |
| GB2033357A (en) | 1980-05-21 |
| FI64128B (fi) | 1983-06-30 |
| BR7806939A (pt) | 1980-04-22 |
| NO783553L (no) | 1980-04-22 |
| CA1121666A (en) | 1982-04-13 |
| NO144140C (no) | 1981-07-01 |
| JPS63245813A (ja) | 1988-10-12 |
| CH640276A5 (en) | 1983-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE431321B (sv) | Foremal med en fluordopad stannioxidfilm samt forfarande for dess framstellning | |
| US4146657A (en) | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
| US4265974A (en) | Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
| USRE31708E (en) | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
| US3944684A (en) | Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate | |
| JP5700683B2 (ja) | ガラス製品上でのコーティング形成方法及びコーティングされたガラス製品の製造方法 | |
| KR100577945B1 (ko) | 유리에산화주석코팅을형성하는방법 | |
| RU2447030C2 (ru) | Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом | |
| WO1993022070A1 (en) | Method and apparatus for the formation of fluorine doped metal oxide films | |
| US20120097222A1 (en) | Transparent conducting oxide films with improved properties | |
| JP2002146536A (ja) | 酸化スズ薄膜の低温形成方法 | |
| Suh et al. | Atmospheric-pressure chemical vapor deposition of fluorine-doped tin oxide thin films | |
| JP4468894B2 (ja) | 透明導電性基板とその製造方法、および光電変換素子 | |
| JP6039402B2 (ja) | 酸化亜鉛被覆物品の作成方法 | |
| KR19990064217A (ko) | 유리의 코팅 방법 | |
| JPS61227946A (ja) | 電導性ガラス | |
| JP2009536144A (ja) | 基板上に酸化亜鉛コーティングを堆積させる方法 | |
| EP0158399A2 (en) | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings | |
| US4705701A (en) | Conductive tin oxide methods | |
| JP3984404B2 (ja) | 導電膜付きガラス板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 | |
| JP2005029464A (ja) | 薄膜付きガラス板とその製造方法、およびこのガラス板を用いた光電変換装置 | |
| IE47459B1 (en) | Processes for the production of tin oxide coatings and articles having such coatings | |
| JPH046796B2 (sv) | ||
| JPH07330336A (ja) | 酸化スズ（ｉｖ）膜の成膜方法 | |
| DK156998B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af transparente film af stannioxid paa et underlag |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 7810973-3 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7810973-3 Format of ref document f/p: F |