DE3300449A1 - Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampe - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampeInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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Description
j ■;--;-; : ; - ;--'3-300Λ49
PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH Lj PHD 83-002
Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für eine Hochdruckgasentladungslampe
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für eine Hochdruckgasentladungslampe, bei dem eine
Verdickung aus einem hochschmelzenden Metall, das gegebenenfalls Emittermaterial enthält, an einem Träger aus einem
hochschmelzenden Metall angebracht wird.
Hochdruckgasentladungslampen bestehen aus einem gasgefüllten Glaskolben, in dem zwei Metallstifte, die Elektrodenstifte,
koaxial angeordnet sind. Eigentliche Lichtquelle ist ein Lichtbogen, der zwischen den Enden der Stifte, den
Elektrodenspitzen, brennt. Die Elektroden werden durch das Lichtbogenplasma geheizt.
Die wichtigsten Gesichtspunkte für den Aufbau der Lampenelektroden
sind:
- Die Elektroden müssen gasdicht und temperaturbeständig aus dem Lampenkolben herausgeführt werden.
- Es muß gewährleistet sein, daß der Lichtbogen einen definierten Ansatzpunkt hat, der eine für die notwem
Elektronenemission hinreichende Temperatur aufweist.
- Die Elektroden müssen in ihren heißen Bereichen eine definierte strahlende Oberfläche (Radiator) besitzen,
die zusammen mit der eigentlichen Stromzuführung den Wärmehaushalt der Elektroden bestimmt und zur Aufnahme
von Emittermaterial dienen kann.
03/451.2 - Pi 5
j 'Γ':-! '- ' ; : 33004A9
JL 5" PHD 83-002
- Um eine hohe Leuchtdichte zu erzielen, sind hohe Bogenströme zu realisieren, die wiederum zu einer starken
Elektrodenaufheizung führen (Bogenendverluste). Die Aufheizung der Elektroden begünstigt zwar die Elektronenemission,
darf aber materialbedingte Grenzen nicht überschreiten. Eine optimale Ausregelung zwischen diesen
Randbedingungen kann dadurch erfolgen, daß die Kühlung durch Abstrahlung bestimmt wird. Dies hat auch den
Vorteil, daß die Wanddurchführung thermisch nicht übermäßig belastet wird.
Eine effektive Strahlungskühlung der Elektrodenspitze erreicht man durch eine Vergrößerung der strahlenden Oberfläche,
also durch eine Verdickung der Elektrodenspitze.
Dadurch wird gleichzeitig das Volumen und damit die Wärme-15
kapazität der Elektrodenspitze erhöht, wodurch eine Stabilisierung der Temperatur der Elektrodenspitze über
Wechselspannungsperioden erreicht wird. Durch die Vergrößerung der strahlenden Oberfläche kann auch eine
gleichmäßigere Flächenbelastung der Lampenkolbenwände
gewährleistet werden. Weiter ermöglicht die Verdickung der
Elektrodenspitze die Herstellung gekrümmter, aber glatter Elektrodenoberflächen, wodurch definierte Verhältnisse für
die Bogenansatzpunkte geschaffen werden können.
Um diese Bedingungen zu erfüllen, bestehen die Elektroden üblicherweise aus einem Durchführungsstift oder einer
Folien/Stiftkombination mit einer dem Lampenaufbau angepaßten Verdickung aus Schwermetall, üblicherweise
Wolfram, an der Elektrodenspitze.
Es ist bekannt, derartige Strukturen aus mehreren Formteilen aus z.T. verschiedenen Materialien durch Verschweißen oder
Umwickeln von verspanntem Draht herzustellen (DE-OS 28 35 904).
A [q PHD 83-002
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der DE-OS 25 24 768 bekannt. Bei diesem Verfahren wird die
Verdickung, dort "Elektrodenkopf" genannt, durch Formpressen und Sintern von Wolframpulver, einem Metallcarbidpulver und
einem Bindemittel hergestellt, beim Sintern durch Schrumpfen an einem Wolframstift als Träger befestigt und nach dem
Sintern "solange erhitzt, daß sie wenigstens teilweise schmilzt und die gewünschte Form annimmt. Die so
hergestellte Elektrode weist die Form einer Keule, also eines länglichen Gegenstands mit dickerem Ende, auf. Eine
Elektrode mit tropfenförmiger Verdickung bzw. mit einer sich zum Elektrodenende hin verdickenden Kappe oder Kuppe ist in
Fig. 5 der DE-OS 25 24 768 dargestellt.
Die Nachteile dieser mechanischen Verfahren sind
- viele z.T. aufwendige Einzelprozesse und
- fertigungstechnische Schwierigkeiten bei der Herstellung
von sehr kleinen Strukturen für miniaturisierte Entladungslampen.
Aufgabe der Erfindung ist es, die genannten Elektrodenstrukturen in Massenproduktion herzustellen, wobei sowohl
unterschiedliche Materialübergänge und -kombinationen als auch optimale Formgebungen erzielt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Verdickung durch reaktive Abscheidung aus der Gasphase, also durch Anwendung eines CVD-Verfahrens, angebracht wird.
Der Träger, z.B. ein Metallstift oder ein Zuleitungsdraht, besteht vorzugsweise aus einem der Metalle Niob, Molybdän
oder Wolfram und die aufgebrachte Verdickung, z.B. eine Kappe oder Kuppe, vorzugsweise aus Wolfram.
^ ""} . PHD 83-002
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der
Träger, z.B. ein Metallstift oder ein Zuleitungsdraht, vor dem Aufbringen der Verdickung, z.B. einer Kappe oder Kuppe,
mit dem gleichen Verfahren mit einer Schutzschicht gegen Korrosion, vorzugsweise aus Tantal, versehen.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren ist es ferner vorteilhaft,
die Verdickung durch simultane Abscheidung mit einem Emittermaterial, insbesondere Thorium, zu dotieren.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
wird die Verdickung an einem rotationssymmetrischen Träger, z.B. an einem runden Stift, angebracht. In manchen Fällen
ist es vorteilhaft, die Verdickung an einem flachen Träger,
z.B. an einer Folie, anzubringen. Die Verdickung wird
15
vorzugsweise an einem Ende des Trägers angebracht.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, insbesondere bei Anwendung eines rotationssymmetrischen
Trägers, wird das CVD-Verfahren derart gesteuert, daß eine
rotationssymmetrische, z.B. eine kugel-, halbkugel- oder tropfenförmige, Verdickung entsteht. In manchen Fällen,
insbesondere bei Anwendung eines flachen Trägers, ist es vorteilhaft, eine biradiale Verdickung an dem Träger
anzubringen..
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Eine Elektrodenstruktur für Hochdruckgasentladungslampen wird erfindungsgemäß z.B. dadurch hergestellt, daß auf einem
feinen Zuleitungsdraht eine sich zum Elektrodenende hin verdickende Kappe oder Kuppe aus hochschmelzendem Metall
durch kontrollierte Abscheidung aus der Gasphase (CVD-Verfahren} aufgebracht wird.
Die Technik der Abscheidung von Schwermetallen einzeln oder auch simultan mit anderen Komponenten auf unterschiedliche
Träger bzw. Substrate mit Hilfe der CVD-Technik ist
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hinreichend bekannt (z.B. W.A. Bryant, J. Mat. Sei. 12
(1977) 1285-1306). In der Larapentechnik sind jedoch auf diese Art und Weise bisher nur Drähte für Glühlampen
hergestellt worden (US-PS 575 002; J. Electrochem. Soc. 96 (1949) 318-333).
Die mit solchen Verfahren erzeugten Schichten weisen eine außerordentlich hohe Haftung auf dem Grundsubstrat auf, sind
hochrein und erreichen nahezu die theoretische Dichte der entsprechenden Elemente. Bei den meisten CVD-Prozessen wird
von einem metastabilen reaktiven Gasgemisch ausgegangen, welches erst an der auf eine höhere Temperatur gebrachten
Oberfläche des zu beschichtenden Substrates reagiert, so daß sich der gewünschte Stoff abscheidet. Im Falle der gut
untersuchten Wolfram-Abscheidung kann dieser Prozeß durch 15
die Bruttoreaktion
WF6 + 3H
6 + 3H2 —>
Wi
beschrieben werden. Die Struktur und die Homogenität der
abgeschiedenen Schichten hängt entscheidend von den Parameters Druck, Temperatur und Substratoberfläche ab. Soll
ein Substrat mit tiefen Einbuchtungen oder Poren auf der gesamten Oberfläche gleichmäßig beschichtet werden, müssen
Druck und Temperatur so niedrig gewählt werden, daß auch eine gleichmäßige Abscheidung in den Poren bzw. Ausbuchtungen
erfolgt. Werden Druck und Temperatur höher gewählt, erfolgt die Abscheidung vorzugsweise am Eingang der Poren,
dagegen kaum am Boden der Poren (v.d. Brekel, Philips Res. Repts. Part I, 32 (1977) 118-133, Part II, 32 (1977)
134-146).
Während bei den üblichen Anwendungen des CVD-Verfahrens die
Prozeßsteuerung so erfolgt, daß eine gleichmäßige Beschichtung resultiert, werden erfindungsgemäß mit großem
Vorteil die Prozeßparameter in Richtung auf eine nicht gleichmäßige Schichtdicke gewählt.
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Werden beispielsweise Elektrodenstifte aus dem Material für
die Kolbendurchführung mit geringem Abstand zueinander so aufgestellt, daß die Stifte nur mit einer Häl-fte in das
reaktive Gasvolumen eines CVD-Reaktors ragen, so kann die Beschichtung durch die Wahl von Druck und Temperatur so
gesteuert werden, daß vorzugsweise die Stiftspitzen beschichtet werden. Zu diesem erwünschten Effekt kommt als
weiterer Vorteil hinzu, daß bei den erforderlichen Schichtdicken von 50 bis 500 /um die Morphologie der
Elektrodenstifte dazu beiträgt, daß eine bevorzugte
Abscheidung an den Kanten und Spitzen des vorderen Stiftendes stattfindet.
Damit erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren auf relativ
einfache Weise die gleichzeitige Herstellung großer Mengen
von identischen Elektroden (Stiftmatrizen mit 50 . 50 Stiften sind sogar schon im Laborversuch ohne großen
Aufwand zu beschichten). Weiter können verschiedene Materialien nacheinander oder simultan in der gleichen
Apparatur abgeschieden werden (Emittermaterialien, Schutz-
schichten). Das Verfahren ist besonders fur die Herstellung von Elektroden für miniaturisierte Lampen geeignet, weil
relativ kleine Stifte schnell und exakt mit Schichtstrukturen ausreichender Dicke versehen werden können. Dabei
ist es ein besonderer Vorteil der CVD-Beschichtung, daß die Stifte von nahezu beliebiger Form sein können, also nicht
rotationssymmetrisch in bezug auf ihre Längsachse sein müssen.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren werden z.B. Durchführungsstifte
von Elektroden in einem thermisch geheizten CVD-Reaktor an der Spitze beschichtet. Um zu vermeiden, daß
nicht nur die Stifte, sondern auch die übrigen Reaktoroberflächen beschichtet werden (Reduktion der effektiven
Ausbeute) und um die Beschichtungsdauer zu verkürzen (für
500 /um dicke Schichten liegen die Beschichtungszeiten je
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nach Prozeßbedingungen zwischen 200 und 500 min), wird die Verdickung nach einer nicht nur im zuvor erwähnten Falle,
sondern ganz allgemein besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens durch laserunterstützte
Abscheidung aus der Gasphase aufgebracht. Dabei wird der Stift vorzugsweise mit einem leistungsstarken Laser,
insbesondere einem CG^-Laser oder einem Nd-YAG-Laser, aufgeheizt.
Bei einem Ausführungsbeispiel dieser bevorzugten Verfahrensvariante ragen die Elektrodenspitzen aus einem Halter heraus
in ein Gasgemisch, das die abzuscheidenden Komponenten in Form einer Verbindung enthält (z.B. W in der Verbindung
WFg). Die Heizung der Elektrodenspitze und des sie direkt umgebenden Gases erfolgt dann dadurch, daß ein Laserstrahl
auf die Spitze fokussiert wird. Durch die Einkopplung der 15
Laserstrahlung von der Elektrodenstirnseite her wird wegen
des über dem Elektrodenstift auftretenden Temperaturabfalles von der Spitze bis zum Sockel im Halter ohne weitere
Maßnahmen eine bevorzugte Beschichtung der vorderen Spitze erzielt. Diese Verfahrensvariante zeichnet sich dadurch aus,
daß sowohl eine hohe Ausbeute als auch eine hohe Abscheidegeschwindigkeit
erzielt wird.
Bei einer weiteren Ausführungsform der laserunterstützten
Elektrodenherstellung wird ein Trägerdraht, der durch einen Reaktor geführt wird, an diskreten Stellen entlang seiner
Längsachse durch seitliche Laserbestrahlung aufgeheizt. Durch Fokussieren der Laserstrahlung auf die Drat coberflache
werden nur Teillängen des Drahtes beschichtet. Eine gleichmäßige Beschichtung auf dem Umfang wird entweder durch
Drehen des.Drahtes oder durch Laserbestrahlung aus mehreren Richtungen erreicht. Mit Hilfe dieser Beschichtungsweise
werden an einem endlosen Draht in vorgewählten Abständen Verdickungen angebracht. Die eigentlichen Elektroden werden
dann durch Zertrennen in entsprechende Teilstücke erhalten.
33ÜU44U
X AA- PHD 83-002
Gegenüber den nach dem bisherigen Stand der Technik hergestellten Elektroden weisen die mit CVD-Verfahren hergestellten
Elektroden für Gasentladungslampen die folgenden Vorteile auf:
- Die Materialzusammensetzung kann bei Benutzung der ' konventionellen CVD-Technik weitgehend variiert werden,
wodurch z.B. vielfältige Dotierungsmöglichkeiten eröffnet werden.
- Der Träger, also z.B. der Metallstift bzw. Zuleitungs- !
draht, muß nicht rotationssymmetrisch in bezug auf seine Längsachse sein.
- Die Form der Verdickung kann durch Wahl der CVD-Abseheide-15
bedingungen mit geringem Aufwand variiert werden. Dies ist bei mechanischen Verfahren nur begrenzt möglich.
- Das Kuppenmaterial ist kompakt und homogen, so daß bei
hohen thermischen Belastungen keine Störungen durch
Gasausbruche o.a. zu erwarten sind.
- Die Elektroden können mit engen Toleranzen in großen
Mengen gleichzeitig hergestellt werden.
- Die Größe der Elektroden wird nicht durch mechanische Fertigungstechniken eingeschränkt. Eine Miniaturisierung
ist leicht durchführbar.
- Bei konventionellen Elektroden muß der Durchführungsteil 3Q aus mit dem Lampenkolben kompatiblem Material gefertigt
werden, dessen Temperaturbeständigkeit deutlich niedriger als die des Elektrodenstiftes sein kann. Bei CVD-gefertigten
Elektroden können Durchführungsteil und Elektrodenstift aus dem gleichen Material bestehen. Hier wird die
Verträglichkeit zwischen Lampenkolben und Durchführungsteil durch eine zusätzliche CVD-Beschichtung erzielt.
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Elektroden, die mit dem laserunterstützten CVD-Verfahren hergestellt werden, bieten folgende weitere Vorteile:
- Es wird durch die lokal begrenzte Aufheizung nur der Bereich der Elektrodenkuppe beschichtet.
- Schnelle Fertigung aufgrund hoher Ausbeuten und großer Wachstumsraten (mehr als 10 /um/min im Vergleich zu
1 /um/min Abscheidegeschwindigkeit bei konventionellen CVD-Verfahren).
- Da die CVD-Abscheidung temperaturabhängig ist, wird das Profil der abgeschiedenen Verdickung durch die mit dem
Laser erzeugte Temperaturverteilung geprägt (d.h. an den
._ heißesten Stellen wird im allgemeinen am meisten abge-
schieden).
Die Erfindung wird anhand einer Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 einen schematischen Schnitt durch eine Seite
einer Entladungslampe,
Fig. 2 eine Elektrodenstruktur im Schnitt, Fig. 3 eine schematische Darstellung des
Beschichtungsverfahrens und
Fig. 4 bis 7 schematische Darstellungen von Ausführungs-
. formen des lasergestützten bzw. lasergeheizten Beschichtungsverfahrens.
Die Lampenelektroden haben den in Fig. 1 skizzierten Aufbau.
Wegen der hohen Temperaturen besteht die Verdickung bzw.
Elektrodenkuppe 1 üblicherweise aus Wolfram mit oder ohne die Elektronenemission fördernden Dotierungen. Die
Verdickung ist auf einem Elektrodenstift 2 angebracht, der dann in das Durchführungsteil 3 übergeht. 3 kann ein Stift,
eine Folie oder eine Kombination von beiden sein. Während der Stift 2 üblicherweise aus Wolfram oder ähnlichen
Al.
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Metallen besteht, muß das Material des Durchführungsteils so gewählt werden, daß eine gasdichte Durchführung durch den
Glaskolben 4 möglich ist.
In Fig. 2 ist ein Beispiel für eine Elektrodenstruktur mit
einer rotationssymmetrischen Verdickung bzw. Elektrodenkuppe 1 im Schnitt dargestellt.
In Fig. 3 ist das Beschichtungsverfahren schematisch
dargestellt. Stifte 2 aus Schwermetall mit Durchmessern d 10
von 0,05 bis 1 mm stehen mit Abstanden a von 0,5 bis 10 mm in den matrixförmig angeordneten Lochbohrungen 5 von 0,2 bis
1,5 mm Durchmesser eines temperaturbeständigen Substrathalters 6. Dieser Halter 6 wird zusammen mit den Stiften in
einem (nicht dargestellten) CVD-Reaktor isotherm auf Temperaturen zwischen 6000C und 11000C aufgeheizt. Die durch
einen Pfeil angedeuteten gasförmigen Ausgangsmaterialien wie z.B. WFg und H2 werden mit Durchflußmengen zwischen 10 und
200 sccm bzw. 30 und 2000 sccm in den Reaktor geleitet, wobei sccm Kubikzentimeter pro Minute bei Normalbedingungen
bedeutet. Die Pumpleistung wird so reguliert, daß sich Gasdrücke von 1 bis 50 mbar einstellen.
In Fig. 4 ist eine Vorrichtung für eine lasergestützte Elektrodenbeschichtung schematisch dargestellt. Ein in einem
Reaktor 7 angeordneter Stift 2 mit Durchmessern von 0,05 bis 1 mm ragt 1 bis 5 mm aus einem Halter 6 heraus und wird von
der Seite mit einem Gasgemisch aus WFg und H2 umströmt,
das durch einen Gaseinlaß 8 in den Reaktor hineingeleitet wird. Von der Stirnseite des Reaktors her erfolgt die
Aufheizung mit einem durch einen Hohlspiegel 9 fokussierten Laserstrahl 10, der durch ein für den Laserstrahl durchlässiges
Fenster 11 in den Reaktorraum eingekoppelt wird. Selbstverständlich kann auch eine andere Art der Fokussierung
angewendet werden. Die Laserleistung ist so ausgeregelt, daß der im Stift absorbierte Teil der Strahlung
diesen auf Temperaturen zwischen 600 und 1500°C aufheizt.
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Die Stifttemperatur wird durch zusätzliche Fenster (nicht
dargestellt) pyrometrisch gemessen.
Höhere Drücke sind möglich, jedoch ist zu beachten, daß die in das Gas eingekoppelte Laserleistungsdichte noch nicht zu
starker Ausscheidung von Wolfram in der Gasphase führt. Dem kann durch einen stark konvergenten Strahlengang vorgebeugt
werden. Bei hinreichend kurzen Diffusionslängen muß eine "Vorkeimung" in der Gasphase auch nicht unbedingt nachteilig
sein, sondern kann zu besonders feinkristalliner Abscheidung bei hoher Geschwindigkeit führen.
In Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für die lasergeheizte Elektrodenbeschichtung dargestellt. Hier sind
mehrere Elektrodenstifte 2 in einem revolvertrommelahnlichen Halter 6 angeordnet. Der Halter kann gedreht werden, so daß
die Elektroden nacheinander in der Laserstrahl 10 gedreht und beschichtet werden.
Fig. 6 skizziert eine Anordnung für den kontinuierlichen Betrieb. Dabei werden nacheinander Halter 6 mit angesetzten
Stiften 2 an den Reaktor 7 herangeführt und mit Federn 12 vorvakuumdicht angeflanscht. Nachdem der Stift beschichtet
ist, wird der Halter abgehoben and die fertige Elektrode entnommen. Dann kann der nächste Halter angeflanscht werden.
Im Gegensatz zu den konventionellen Beschichtungsanordnungen sind vor dem öffnen des Reaktors keine langen
Abkühlzeiten zu beachten, denn die Elektrode kühlt nach dem Abschalten des Lasers wegen der kleinen Wärmekapazität sehr
schnell ab.
Ein Ausführungsbeispiel für die seitliche Laserbestrahlung ist in Fig. 7 dargestellt. Dabei wird ein Trägerdraht 13
durch gasdichte Durchführungshülsen 14 schrittweise in einen Reaktor 7 gezogen und in diesem durch einen fokussierten
Laserstrahl 10 durch ein Fenster 11 von der Seite aufge-
heizt. Es erfolgt dann eine Beschichtung einer Teilzone des
/5. PHD 83-002
Drahtes. Nach Fertigstellung dieser Teilbeschichtung wird der Draht in der durch einen Pfeil angedeuteten Richtung um
die gewünschte Elektrodenstift-Länge weitertransportiert und
die nächste Verdickung 15 wird angebracht. Das Herausführen des mit Verdickungen versehenen Trägerdrahts aus dem Reaktor
erfolgt z.B. über eine Schleuse (nicht dargestellt). Damit ist eine quasikontinuierliche Elektrodenherstellung möglich.
Die Elektrodenstifte werden aus dem Trägerdraht 13 durch Trennen des Drahtes auf einer Seite jeder Verdickung
erhalten.
Zur Herstellung von Elektroden wurden Drahtstücke aus verschiedenen Materialien nach den oben beschriebenen
Verfahren mit Wolfram derart beschichtet, daß die erwünschten Verdickungen an den Elektrodenspitzen
entstanden. An den unteren Enden blieben die Drahtstücke dagegen unbeschichtet und waren somit für eine gasdichte
Durchführung durch den Lampenkolben geeignet. Beispiele hierfür sind:
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Wolfram auf Molybdändraht (Drahtdurchmesser 300 /um, Kuppendurchmesser 760 /um)
Wolfram auf Niobdraht
(Drahtdurchmesser 300 /um, Kuppendurchmesser 1200 /um)
Wolfram auf Wolframdraht (Drahtdurchmesser 50 /um,
Kuppendurchmesser 450 /um)
Claims (15)
- PHD 83-002i PatentansprücheVerfahren zur Herstellung einer Elektrode für 'ine Hochdruckgasentladungslampe, bei dem eine Verdickung aus einem hochschmelzenden Metall, das gegebenenfalls Emittermaterial enthält, an einem Träger aus einem hochschmelzenden Metall angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung durch reaktive Abscheidung aus der Gasphase angebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Träger aus einem der Metalle Niob, Molybdän oder Wolfram und die aufgebrachte Verdickung aus Wolfram besteht.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurchgekennzeichnet, daß der Träger vor dem Anbringen derVerdickung mit dem gleichen Verfahren mit einer Schutzschicht gegen Korrosion, insbesondere aus Tantal, versehen wird.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung durch simultane Abscheidung mit einem Emittermaterial, insbesondere Thorium, dotiert wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung an einem rotationssymmetrischen Träger angebracht wird.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung an einem flachen Träger angebracht wird.V4 1. PHD 83-002
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung an einem Ende des Trägers angebracht wird.
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, insbesondere nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine rotationssymmetrische Verdickung an dem Träger angebracht wird.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, insbesondere nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine biradiale Verdickung an dem Träger angebracht wird.
- 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, 1C dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung durch laser-Ib " uunterstützte Abscheidung aus der Gasphase aufgebracht wird.
- 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mit einem CC^-Laser aufgeheizt Wird·
- 12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mit einem Nd-YAG-Laser aufgeheizt wird.
- 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12,dadurch gekennzeichnet, daß die Verdickung durch seitliche Laserbestrahlung diskreter Stellen eines endlosen Drahtes als Träger hergestellt wird.
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger mehrere Stifte in einem Revolverhalter angeordnet sind und nacheinander mit dem Laser aufgeheizt werden.Y> Z . PHD 83-002
- 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger mehrere Stifte in Haltern nacheinander an den Reaktor herangebracht, angeflanscht, beschichtet und wieder abgenommen werden. 5
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RU2467429C1 (ru) * | 2011-04-12 | 2012-11-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Импульсная ускорительная трубка |
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DE1182743B (de) * | 1961-11-10 | 1964-12-03 | Patra Patent Treuhand | Anode fuer eine Hochdruckentladungslampe, insbesondere fuer eine Edelgas-Hochdruckentladungslampe |
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FR2205583B1 (de) * | 1972-11-07 | 1975-09-12 | Commissariat Energie Atomique | |
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JPS50143371A (de) * | 1974-05-08 | 1975-11-18 | ||
NL175480C (nl) * | 1974-06-12 | 1984-11-01 | Philips Nv | Elektrode voor een ontladingslamp, werkwijze voor de vervaardiging van een dergelijke elektrode en ontladingslamp voorzien van een dergelijke elektrode. |
JPS5221229A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Kogyo Gijutsuin | Partial plating method by gaseous phase plating method |
JPS5241253U (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | ||
US4136298A (en) * | 1977-08-15 | 1979-01-23 | General Electric Company | Electrode-inlead for miniature discharge lamps |
GB2030180B (en) * | 1978-01-26 | 1983-05-25 | Secr Defence | Vapour deposition of metal in plasma discharge |
DD135013A1 (de) * | 1978-03-09 | 1979-04-04 | Hasso Meinert | Verfahren zur herstellung von wolframdraehten fuer gluehlampen |
FI64128C (fi) * | 1978-10-20 | 1983-10-10 | Roy Gerald Gordon | Foerfarande foer paofoering av en transparent fluordopad stannioxidfilm pao ett upphettat substrat med reglerad fluorfoeroreningshalt |
JPS55155457A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | Discharge lamp |
US4343658A (en) * | 1980-04-14 | 1982-08-10 | Exxon Research & Engineering Co. | Inhibition of carbon accumulation on metal surfaces |
JPS5948873B2 (ja) * | 1980-05-14 | 1984-11-29 | ペルメレック電極株式会社 | 耐食性被覆を設けた電極基体又は電極の製造方法 |
US4340617A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing a material on a surface |
DE3148441A1 (de) * | 1981-12-08 | 1983-07-21 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer thermionischen kathode |
US4451503A (en) * | 1982-06-30 | 1984-05-29 | International Business Machines Corporation | Photo deposition of metals with far UV radiation |
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