DE2721198C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Vorformlings für das Ziehen von Lichtleitfasern - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Vorformlings für das Ziehen von LichtleitfasernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Vorformlings für das Ziehen von Lichtleitfasern,
bei dem auf einem Substrat Siliziumdioxid und ein den Brechungsindex veränderndes Dotierungsmittel aus der Dampfphase niedergeschlagen werden
und dem Substrat zuzuführendes Material in den Plasmazustand
versetzt wird.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens.
Ein Verfahren dieser Art ist aus der DE-OS 2455668 bekannt Nach dem vorbekannten Verfahren
soll Siliziumoxid mit Anionen, bevorzugt Stickstoff, dotiert werden. Der Stickstoff wird dabei in der
Form von Ammoniak zugeführt und dient als Reaktionspartner des Siliziumoxids im Plasma.
Dieses Verfahren erlaubt nicht das direkte Einblasen von chemisch reinem Silizium und einem Reaktionsgas
in das Zentrum des Plasmas zum Bilden von Siliziumoxid, denn ein mehratomiges Gas, wie Ammoniak
zerfällt bereits bei Temperaturen, die weit unterhalb der Verdampfungstemperatur für Silizium
(3000 K) liegen. Dadurch wird Energie verbraucht und die Temperatur des Plasmas in dessen Zentrum
1 herabgesetzt, wodurch eine volKtändige Verdampfung
des Siliziums verhindert und die Ausbeute der chemischen Reaktion beeinträchtigt wird.
Ein entscheidender Nachteil des bekannten Verfahrens ist jedoch, daß mit ihm bei Verwendung reinen
Siliziums keine Trennung zwischen dem Aufheizen der Partikel im Plasma und der eigentlichen chemischen
Reaktion möglich ist. Die Folge davon ist, daß sich die molekulare Zusammensetzung des auf dem
Substrat niederzuschlagenden Materials, insbesoni dere im submikroskopischen Bereich, nicht genau
steuern läßt. Schließlich ist beim vorbekannten Verfahren eine Ablagerung von ultrafeinen Teilchen aus
Ciliziumoxid auf dem Substrat bei Temperaturen unterhalb 800° C nicht möglich.
Aus einer Veröffentlichung von J.Canteloup und A.Moccllin mit dem Titel »Synthesis of Ultrafine
Nitrides and Oxynitrides in an R. F. Plasma« (in »Special Ceramics 6, 1975, S. 333-345, Herausgeber Paul
Popper, Stoke on Trent) ist ferner ein Verfahren zur Gewinnung von Nitriden und Oxynitriden im Zustand
ultrafeiner Pulver bekannt, welches folgende Schritte umfaßt:
1. Man leitet in einen als Verdampfungskammer bezeichneten Raum am Kopf eines darin befindlichen
Plasmastromes und koaxial zu diesem ein durch ein Trägergas fluidisiertes Pulver ein, welches
aus einem Element wie Silizium, Aluminium oder aus einer Mischung dieser Elemente be-
steht;
2. vom Umfang einer als Reaktionskammer bezeichneten
Zwischenkammer aus leitet man in das Ende des Plasmastromes ein reaktives Gas
wie NH3 (gegebenenfalls unter Zugabe von Sauerstoff) zur beabsichtigten Bildung von Nitriden
(oder Oxynitriden) ein;
3. in einem dritten, als Abschreckkammer bezeichneten Raum sammelt man das ultrafeine Nitrid-(oder
Uxynitrid)-Pulver zumindest teilweise auf einer sehr stark gekühlten Fläche.
Dieses vorbeschriebene Verfahren läßt sich jedoch nicht in der Weise für eine Herstellung von Vorformlingen
anwenden, daß man in jedem Fall eine gleichmaßige und homogene Ablagerung auf der gesamten,
zumindest seitlichen Oberfläche eines Substrates von im allgemeinen zylindrischer oder länglich-prismatischer
Gestalt erwarten kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs bezeichneten Art zum Herstellen
eines Vorformlings für das Ziehen von Lichtleitfasern
dahingehend zu verbessern, daß sich die physikalischen und chemischen Eigenschaften des
niederzuschlagenden Materials in allen Phasen der Herstellung unter genauer Kontrolle halten lassen.
Ausgehend von einem Verfahren, wie es in der DE-OS 2455 668 beschrieben ist, wird diese Aufgabe
unter teilweiser Anwendung der Verfahrensmaßnahmen von J.Canteloup erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß eine Mischung aus pulverförmigem Silizium und einem das Dotierungsmittel bildenden, pulverförmigen
Material durch ein Inertgas oder ein Inertgas-Sauerstoff-Gemisch fluidiziert wird, dieses
Fluid in den Plasmazustand versetzt wird und danach Sauerstoff zugesetzt wird.
Durch den erfindungsgemäßen Verfahrensablauf wird eine Trennung zwischen dem Aufheizen des pulverförmigcn
Material-Gemisches im Plasma in einer ertsen Stufe und der eigentlichen chemischen Reaktion
in einer zweiten Stufe erreicht.
Ein Teil des fluidbildenden Gases oder Gasgemisches wird dabei als Trägergas für das Zuführen des
pulverförmigen Materials benutzt. Dieses Trägergas kann aus einem reinen Inertgas, wie Argon, oder aus
Sauerstoff bestehen, der durch ein Inertgas verdünnt ist. Der Rest des Gasgemisches wird der ersten Stufe
vorzugsweise am Umfang als plasmabildendes Gas zugeführt, das entweder aus einem Inertgas, reinem
Sauerstoff oder aus durch Inertgas verdünntem Sauerstoff bestehen kann.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen
2 bis 4 beansprucht.
Das Verfahren unterscheidet sich von dem eingangs beschriebenen Verfahren nach J.Canteloup in folgenden
Punkten:
a) Die Pulver der fluidisierten und eingeleiteten Mischung sind von solcher Art und solchem Zusammensetzungsverhältnis,
daß sie nach der sich anschließenden Oxidation die Bildung von exakt
dem Material gestatten, das die Grundlage für die Beschichtung auf den Substraten bildet; insbesondere
der Einsatz von Silizium hoher Reinheit läßt bei den Vorformlingen eine ebenso
reine Matrix entstehen, und das mit hoher Ausbeute;
b) das in die Zwischenzone eingeleitete Gas ist ebenso von geeigneter Beschaffenheit für den
verfolgten Zweck; unter den Bedingungen, die an der Stelle der Einleitung herrschen, nämlich
da'i die Reaktionspartner des Pulvers unter der thermischen Bewegung extrem hoher Temperaturen
und der natürlichen oder zwangsweisen Verminderung der Temperatur (in die Gegend
von 5()()()° C) im gasförmigen Zustand ■ingekommen sein müssen, gestattet dieses Gas
gleichzeitig
- durch die bis in den Kern des Plasmastromes erfoigende
Durchwirbelung die Durchführung der Oxidation des Siliziums zu Siliziumoxid und eine
»Lösung« des Dotierelementes,
- die Herbeiführung einer gewissen Reinigung des abzulagernden Materials; tatsächlich gestatten
die hohen in der Zone der Plasmabildung angewandten Temperaturen (in der Größenordnung
von 60(M)-K)000° C) eine beträchtliche Absenkung
des OH-Ionen-Gehaltes der Ausgangspulver·, andererseits vermindert die Bildung vom
flüchtigen Oxiden und Sutx>-;iden in der Reaktionszone
und die nachträgliche selektive Destillation der Dämpfe in Richtung auf die den Plasmastrom
umgebende relativ kalte Umfangszone darüber hinaus den Restgehalt an Verunreinigungen
im dotierten Siliziumoxid, welches sich anschließend auf dem Substrat ablagert;
- die Förderung der Bildung von Mikrokeimendes
niederzuschlagenden Materials, welches die für das Material der Beschichtung gewünschte
quantitative und qualitative Zusammensetzung hat, wobei das Verhältnis der Zusammensetzung
der in diesem Material enthaltenen Elemente demjenigen entspricht, das in der Ausgangsmischung
vorliegt, zwar mehr im statistischen Mittel, jedoch unter Einhaltung im submikroskopischen
Bereich (z. B. in der Größenordnung von K) nm);
c) als letzte Zone bleibt eine Kondensat! anszone,
die hier jedoch so ausgebildet ist, daß sich der Plasmastrom zumindest auf der Höhe des Substrates
in einem Strömungszustand befindet, in dem er keine größere Turbulenz aufweist a!s die,
die gerade für die Abscheidung nötig ist, und daß die Substrate vorher in dem Weg des Plasmastromes
und in dessen Richtung angeordnet worden sind, jedoch nicht an der Peripherie des Plasmastromes,
so daß diese zwei Bedingungen dazu beitragen, eine hohe Gleichmäßigkeit des Niederschlages
über den gesamten Umfang und die gesamte Länge des Substrates zu gewährleisten. Zweckmäßigerweise sind eine oder mehrere der
folgenden Bedingungen einzuhalten:
- Das Trägergas für die Pulver und das plasmabildende Gas bestehen je nach Leistung des Hochfrequenzgenerators
entweder aus reinem Sauerstoff oder aus durch ein Inertgas, wie Argon, verdünntem Sauerstoff;
- das verwendete Siliziumpulver ist das Zerklcirerungsproc^ukt
eines Stabes, der seinerseits mittels ein.« Zonenschmelzverfahrens oder einer anderen
Purifikationsmethode erhalten wurde; um eini'n Anhalt zu geben: das mittels eines Zonenschmelzverfahrens
gewonnene Silizium enthalt nur einige zehn Nanogramm an Verunreinigungen wie Kupier und/oder Eisen je Gramm Silizium;
- dem beschriebenen Verfahrensschritt des ei-
gent lichen Niedersehlagens. il h. der Hiklungcler
Vorformlinge aus dem Substrat, wird eine Verfahrensstufe
zeitlich vor- oder gegebenenfalls auch nuehgeschiiltet. während der man die Substrate
von dem Plasmastrotn durchspülen läßt, ohne daß Pulvermischung zugegeben wird, wobei
dit einleitende Stufe natürlich zum Ziel hat, die Rohre auf eine Gleiehgewichtstempcratur zu
bringen, wie sie dann anschließend während des eigentlichen Ablagerungsvorganges beibehalten
wird; was die sich (wahlweise) anschließende Stufe anbetrifft, so wird mit ihr bezweckt, eine
thermische Behandlung oder eine Sinterung des erhaltenen Belages zu bewirken, um diesem ein
besseres Verhalten im Hinblick auf das nachfolgende Ausziehen der Vorformlinge zu Lichtleitfasern
zu verleihen.
Schließlich weist das erfindungsgemäße Verfahren ilen entscheidenden Vorteil auf. daß sich beim Herstellen
von Vorformlingcn für Gradientenfasern die quantitative und/oder qualitative Zusammensetzung
der Ablagerung nach einem vorbestimmten Gesetz in Abhängigkeit von der bereits niedergeschlagenen
Schichtdicke des Ablagerungsmaterials kontinuierlich oder diskontinuierlich verändern läßt, indem man die
Mischungsverhältnisse und/oder Beschaffenheiten der Bestandteile der eingeleiteten Pulvermischung
nach einem bestimmten zeitlichen Programm entsprechend verändert.
Es sind zweifellos schon verschiedene Verfahren zum Herstellen von Vorformlingcn mit einem Breehzahlgradicnten
bekannt. Einige arbeiten mit einem durch Elektromigration beschleunigten Ionenaustausch
zwischen Thallium und Kalium oder zwischen Thallium und Natrium, andere mit einer aus einer
chemischen Reaktion in der Dampfphase (chemical vapor deposition) oder aus einer Flammcnhydrolysc
folgenden Ablagerung auf einem Dorn aus Siliziumo.xid, der vor dem Ausziehen zu beseitigen ist.
Die nach den Elektromigrationsverfahren erhaltenen Vorformlinge ergeben Fasern, deren geringste
Dämpfung für eine Wellenlänge von 0.8 um in der «jcgcnd von uj dB/km liegt und deren Herstellungspreis
in Anbetracht der geringen Geschwindigkeit des Diffusionsverfahrens, welches folglich auch die Geschwindigkeit
des Ausziehens der Vorformlinge zu Fasern beeinflußt, ziemlich hoch ist. Die durch Ablagerung
in der Dampfphase erhaltenen Vorformlinge ergeben Fasern, deren geringste Dämpfung für die gesamte
Wellenlänge zwar nur in der Größenordnung von 5 dB/km liegt, deren Herstellungspreis jedoch relativ
hoch ist. weil einerseits die durch diese Methode begrenzte geringe Ablagerungsgeschwindigkeit und
andererseits die Tatsache vorgegeben ist, daß jedes Rohr besondere mechanische (Rotations- und Translationsantrieb)
und thermische (Gebläse, Ofen etc.) Mittel erfordert. Bei den durch Flammenhydrolyse
erhaltenen Vorformlingen sind im Vergleich zu den beiden vorangegangenen Methoden zweifellos erhöhte
Ablagerungsgeschwindigkeiter. möglich, ebenso wie zufriedenstellende optische Eigenschaften,
aber sie erfordern als Unterlage für die Ablagerungen den Einsatz von Dornen, die vor dem Faserziehen
zu entfernen sind.
Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens hei der Herstellung von optischen Gradientenfasern
gestattet in hohem Maße eine Beseitigung der Nachteile und Einschränkungen der auf diese Weise
überholten bekannten Verfahren.
Eine für die Durchführung des crfindungsgcmäßen Verfahrens geeignete Vorrichtung ist gekennzeichnet
durch drei aufeinanderfolgende Kammern, von denen > die erste Kammer zur Erzeugung des Plasmas von einer
Hochfrequenzspule umgeben ist. an die sich die zweite Kammer unter Erweiterung des Strömungsquerschnitts
anschließt, in die Düsen für Sauerstoff münden, und von denen in der dritten Kammer die
i" Halterungen für die Substrate angeordnet sind.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Vorrichtung sind in den Unteransprüchen d bis 1J bean
sprucht.
Vorteilhafterweise bestehen diese Mittel zum Zu- ! . teilen der Pulver aus mindestens zwei Zuteilrädern,
die von dem Trägergas für die Pulver durchströmt werden.
Im besonderen Fall der Herstellung von optischen
rir;ulii'nlcnf;n;iTn liostrhiMi rlif· Mittel /lim R pm; j η ij>;r
.·" Mischungsverhältnisse der Pulvermischung aus einer
Anordnung, mit der sich die Drehzahl des Antriebsmotors zumindest eines der Zuteilräder in Abhängigkeit
vom Zeitablauf verändern läßt.
Um im Fall des Herstellern von Vorformlingen für
:. Lichtleitfasern die Verunreinigung durch Wasserstoff
und atmosphärische Llnrcinheiten auf ein Minimum zu reduzieren.
- wrdcn die Substrate chemisch gebeizt und in einer
reinen und trockenen Atmosphäre konscr-
ii viert;
- werden das plasmabildende und das Trägergas für die Pulvermischung getrocknet und mittels
einer Anzahl von Molekularsieben und Filtern filtriert;
ι-, - werden die Pulver 24 Stunden lang bei 400° C
im Vakuum getrocknet;
- werden die Rohre nach ihrer Beschichtung für den Transport und für ihre Lagerung bis zum
Ausziehen in ein hermetisch abgeschlossenes
κ. Behältnis gegeben.
Die erhaltenen Schichten besitzen eine solche Struktur und Haftung, daß sie Maßnahmen wie Wärmer
>enandiungen t>ei hoher temperatur oder der
Verformung der Vorformlinge zu optischen Fasern 4-, widerstehen, ohne sich abzulösen oder zu brechen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer beispielhaften Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung unter Hinv/eis auf die Zeichnung näher beschrieben, welche eine vollständige erfindungsvi
gemäße Vorrichtung, jedoch teilweise als Blockschaltbild zeigt.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung, so wie sie in
der Zeichnung dargestellt ist, gestattet die Herstellung von Vorformlingen für optische Gradientenfasern, die
-,-, man durch einfaches späteres Ausziehen erhält, und
besteht im wesentlichen aus folgenden Teilen:
- einer Gaszentrale 10, bestehend aus Mitteln zum Bevorraten, Verteilen, Reinigen und Regeln der
Durchflußmengen des Trägergases, des plasma-
h,i bildenden Gases und des Sauerstoffs;
- Mitteln 20 zum Bevorraten, Zuteilen, Regeln der Durchsatzmengen und Mischen des Siliziumpulvers
(210) und des Pulvers aus dem Dotierungselement (220);
,.-, - einem elektrischen Hochfrequenzgenerator 30 im Radiofrequenzbereich;
- schließlich aus einem Reaktor 40, der aus drei koaxial zueinander angeordneten und sich in
senkrechter Richtung von oben nach unten aneinander anschließenden und miteinander in
Verbindung stehenden Kammern 41, 42, 43 besteht, welche seitlich ganz mit einer doppelten
Wand für den Durchfluß eines Kühlmittels, wie Wasser, versehen sind.
Lfie Kammer 41 besteht aus Siliziumoxid und ist
von zylindrischer Form. Sie ist von einer Induktionsspule 410 umgeben, welche von dem Hochfrequenzgenerator
30 gespeist wird. In die obere Kappe dieser Kammer sind zwei Injektordüsen eingeführt, und zwar
eine axiale Düse 411 für das Trägergas und das Pulver und eine tangentiale Düse 412 für das plasmabildende
Gas.
Die Kammer 42, ein Übergangsstück von kegelstumpfartiger
Gestalt, besteht aus einem Metall wie rostfreiem Stahl. Durch ihre Seitenwand führen mindestens
drei injekioruüsen 421 für den Sauerstoff, die
gleichmäßig über den Umfang verteilt sind, von denen aber nur eine in der Zeichnung dargestellt ist.
Die Kammer 43 besteht aus einem Metall, wie rostfreiem Stahl, und ist zylindrisch ausgebildet. Sie enthält
eine Halterung 431 für die vorher einzusetzenden
Substrate, von denen jedes als Dorn aus einem Material, wie Siliziumoxid oder Graphit, oder als Rohr aus
einem Material, wie Siliziumoxid, ausgebildet ist. Durch den Boden dieser Kammer führt eine Leitung
432 zum Entweichen des Gasstromes in die Atmosphäre.
Es wurden Lichtleitfasern auf folgende Weise hergestellt:
Vier Rohre aus Siliziumoxid mit einem Innendurchmesser von 13 mm, einem Außendurchmesser
von 15 mm und einer Länge von 400 mm wurden gereinigt,
da die Innenoberfläche der Wandung vollständig sauber sein soll, und wurden in senkrechter
Lage in die Abiagerungskarnmer (die dritte oder unterste
Zone) eines erfindungsgemäßen Ofens eingesetzt, und zwar dort in eine Halterung, die während
der Ablagerung für eine Rotation um eine senkrechte
Achse angetrieben wurde.
Zur Ablagerung einer Schicht aus durch Aluminiumoxid dotiertem Siliziumoxid auf der Innenoberfläche
der Rohre nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wurde eine Mischung aus metallischen Pulvern mit
einer Zusammensetzung von 93,4 Gew.% Silizium und 6,6 Gew.% Aluminiumoxid verwendet.
Die wesentlichen Arbeitsbedingungen waren die folgenden:
"> - Durchsatz an plasmabildendem Gas (Argon) = 30 l/min;
- Durchsatz an Träfiergas für die Pulver (Argon) = 2 l/min;
- Durchsatz an Reaktionsgas = 6 l/min Ar-"'
gon + 4 l/min Sauerstoff;
- Durchsatz an Pulver = 25 g/h;
- elektrische Parameter des Hochfrequenzgenerators:
Stromstärke = 3,2 A
ι > Spannung = 6000 V
ι > Spannung = 6000 V
Frequenz = 8,2 MHz.
Die erhaltenen Schichten hatten eine Dicke in der Gegend von 2 mm; ihre Zusammensetzung betrug nahezu
94% Siliziumoxid und 6% Aluminiumoxid. Die -'» verhältnismäßig porösen Ablagerungen bestanden aus
kugeligen Partikeln mit einem mittleren Durchmesser von 100 nm.
Die so beschichteten vier Rohre wurden jedes für sich nachfolgenden Wärmbehandlungen in einem ho-2ϊ
rizontalen Glasofen unterzogen mit Hilfe eines Sauerstoff-Propan-Brenners,
der entlang der Rohrlänge bewegt wurde. Dabei wurden nacheinander ausgeführt:
a) eine Verdichtung (Sinterung) der Ablagerung ίο durch Erhitzen auf eine Temperatur zwischen
800 und 1000 ° C, wobei das Innere jedes Rohres
unter einem Vakuum von 2 X 10"5ToIT stand;
b) eine Überführung der Ablagerung in den Glaszustand durch mäßiges Erhitzen unter Zirkula-
j tion von Helium bis zur Transformation der Ablagerung
in durchsichtige Schichten;
c) zuletzt durch Steigerung der Heizleistung eine zunehmende und gleichmäßige Einschnürung
jedes der Rohre zu einem massiven Stab oder
4(i Vorformling, bei dem aus dem zentralen Bereich
der ursprünglichen, in den Glaszustand überführten und transparenten Ablagerung der Kern
des Vorformlings entstanden ist.
Schließlich wurde jeder Vorformling auf bekannte Weise zu einer Lichtleitfaser mit 200 um Außendurchmesser und 40 UiTi Kerndurchmesser ausgezogen.
Schließlich wurde jeder Vorformling auf bekannte Weise zu einer Lichtleitfaser mit 200 um Außendurchmesser und 40 UiTi Kerndurchmesser ausgezogen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen eines Vorform-Hngs
für das Ziehen von Lichtleitfasern, bei dem auf einem Substrat Siliziumdioxyd und ein den
Brechungsindex veränderndes Dotierungsmaterial aus der Dampfphase niedergeschlagen werden
und dem Substrat zuzuführendes Material in den Plasmazustand versetzt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Mischung aus pulverförmigem Silizium und einem das Dotierungsmaterial
bildenden, pulverförmigen Material durch ein Inertgas oder ein Inertgas-Sauerstoff-Gemisch
fluidiziert wird, dieses Fluid in den Plasmazustand versetzt wird und danach Sauerstoff zugesetzt
wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Siliziumpulver verwendet wird,
das durch Zerkleinerung eines reinen Siliziumstabes erhaUen wurde.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensstufe der eigentlichen
Beschichtung der Vorformlinge eine zusätzliche Verfahrensstufe zeitlich vorangeht und
gegebenenfalls auch folgt, in der man die Substrate von dem Plasmastrom durchspülen läßt, ohne daß
Pulvermischung zugegeben wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zum Herstellen von Vorformlingen für optische
Gradientenfasern, bei dem man die quantitative und/oder qualitative Zusammensetzung des abzulagernden
Materialsrach ei;:^r von der bereits abgelagerten Schichtdicke abhängigen, vorbestimmten
Funktion kontinuierlich o-^er diskontinuierlich
verändert, dadurch gekennzeichnet, daß man die Zusammensetzungsverhältnisse und/oder die Beschaffenheiten
der Bestandteile der eingeleiteten Pulvermischung in Abhängigkeit von der Zeit und
nach einem bestimmten Programm entsprechend ändert.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahiens nach einem der Ansprüche 1-4, gekem>zeichnet
durch drei aufeinanderfolgende Kammern (41, 42, 43), von denen die erste Kammer
(41) zur Erzeugung des Plasmas von einer Hochfrequenzspule (410) umgeben ist, an die sich die
zweite Kammer (42) unter Erweiterung des Strömungsquerschnitts anschließt, in die Düsen (421)
für Sauerstoff münden, und von denen in der dritten
Kammer (43) die Halterungen (431) für die Substrate angeordnet sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß /um Zuteilen des pulverförmigen
Siliziums und des pulverförmigen Doticrungsmaterials mindestens zwei über eine gemeinsame
Injektor-Mischdüse (411) mit der ersten Kammer (41) verbundene Zuteilräder (210, 220) vorgesehen
sind, die von einem Teil des Fluidgases als Trägergas für die Pulvermischung durchströmt
sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6 zum Herstellen von Vorformlingen für optische Gradientenfasern,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Regeln des Mischungsverhältnisses der Pulvermischung
eine Anordnung vorgesehen ist, mit der sich die Drehzahl des Antriebsmotors zumindest eines der
Ziitcilriidcr zeitabhängig verändern läßt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektor-Mischdüse (411)
für das Trägergas für die Pulvermischung koaxial mit der ersten Kammer (41) angeordnet ist, während
die Injektordüse (412) für den Rest des plasmaerzeugenden Fluidgases vom Umfang aus in die
erste Kammer (41) geführt ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Injek'ordüsen
(421) für den Sauerstoff vom Umfang aus in die zweite Kammer (42) geführt sind.
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- 1978-10-13 US US05/951,012 patent/US4207834A/en not_active Expired - Lifetime
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