SE0802663A1 - Nya processer och anordningar - Google Patents

Description

20 25 30 Häri används termen ”via” för vilken struktur som helst som sträcker sig genom en skiva och har förrnåga att överföra elektriska signaler. Vior kan tillverkas på många olika sätt och ha många olika uppbyggnader. Exempelvis kan en via vara en plugg av metall som omges av ett isolerande material eller också kan den vara en dopad eller ej dopad halvledarplugg som omges av ett isolerande material. Viapluggarna kan ha olika tvärsnitt, d.v.s. cirkulärt, rektangulärt, kvadratiskt eller orgelbundet, även om i de flesta fall cirkulära tvärsnitt föredras.

Routing medelst vior I fig. 1 visas således schematiskt (ej skalenligt) en första aspekt av uppfinningen, nämligen en spegelstruktur i en spegelarray, som har routing- element enligt uppfinningen.

Speglarna 1 och 2 är anbringade på en stödpelare 3 via gängjärnsstrukturer 4 respektive 5, tillverkade medelst MEMS-tekniker i en substratskiva SW. Under varje spegel finns anordnat aktueringselektroder 6, 7 som kommer att förorsaka att speglarna l och 2 böjs av när elektroden 6,7 aktiveras med energi.

I anordningar enligt teknikens ståndpunkt routas elektroderna ”bort” från arrayen medelst elektriska ledningar 8, 9 anordnade på substratytan (antytt med en streckad linjekontur i figur 1). Såsom inses måste ledningen 8 från elektroden 6 för aktuering av spegeln 1 passera under spegeln 2, och då den aktiveras med energi kommer den att påverka även spegeln 2 i viss utsträckning vilket förorsakar funktionella fel I enlighet med uppfinningen finns anordnat vior 10, 1 1 genom skivan SW och kopplade till routing-ledningar 12, 13 på skivans SW baksida. Routing- ledningarna 12, 13 är naturligtvis anordnade intill varandra, lämpligen parallellt med skivans periferi där tråd-bondning 14 kan tillhandahållas om sä önskas. Alternativt skulle det kunna finnas anordnat ett dubbellager av metall 10 15 20 25 30 på baksidan med ett isolerande skikt mellan de ledande lagren. På detta sätt skulle man kunna undvika korsande ledare och därigenom öka flexibiliteten i routingstrukturerna. Genom plåteríng (eller någon annan lämplig metod som är känd av fackmannen) kan kontakt-bumpar anordnas. Företrädesvis s.k. Under Bump Metallization (UBM), vilket möjliggör flip-chip-montering av spegelkomponenten. Styrkretsar, t.ex. ASIC:er kan därvid monteras direkt på baksidan av spegelkomponenten. För större spegelarrayer, t.ex. > 12 x 12, år en sådan lösning mer kostnadseffektiv än konventionell tråd-bondning enligt teknikens ståndpunkt. Flip-chip-montering är inte möjlig utan via-teknologin.

Metod att tillverka mikrospeglar I en process för tillverkning av avböjbara mikrospeglar och/ eller arrayer av sådana speglar bondas två skivor samman i ett steg i en sådan process innan den faktiska spegelstrukturen tillverkas (en första skiva och en andra skiva), i en kontrollerad atmosfär, t.ex. vakuum. En av skivorna (första skivan) har därvid en fördjupning formad i sig för att tillhandahålla ett nödvändigt utrymme i den slutliga strukturen för att de avböjbara speglarna ska kunna röra sig fritt under avböjning. Den andra skivan (lämpligtvis en SOI-skiva) tillhandahåller ett ”lock” över fördjupningen.

Sålunda, efter att skivorna bondats tillsammans kommer fördjupningen i den första skivan att vara förseglad medelst den andra skivan och sålunda skapas en kavitet med en kontrollerad atmosfär (t.ex. vakuum). l efterföljande steg i processen utförs bearbetning av den andra skivan för att tillverka de slutliga spegelstrukturema. Spegelstrukturerna innefattar en faktisk spegeldel som är relativt tjock och styv och en gångjårnsdel.

Emellertid kan spegeln ha olika tjocklekar för att tillhandahålla olika resonansfrekvenser - tjock spegel betyder stor massa och låg frekvens; tunn spegel betyder liten massa och hög frekvens. Frekvenskraven kan vara motsatta planhetskraven. Tunnare speglar kan lättare böjas p. g.a. mekanisk påverkan.

Det är möjligt att tillverka en spegel med en styv ramdel och kvarvarande 10 15 20 25 30 4 områden nedtunnade för att tillhandahålla låg massa och högre styvhet. Även gångjärnen kan tunnas ned i varierande grad.

Gångjärnet kommer att vara väsentligt tunnare än spegeln i vissa utföringsformer, för att tillhandahålla den erforderliga flexibiliteten hos gångjärnet för att fungera såsom önskas. Speciellt kan gångj ärnet vara anordnat såsom en s.k. gimbalstruktur.

I andra fall, t.ex. när en torsionseffekt är önskvärd, kan emellertid gångjärnet ha samma tjocklek som spegeln, men den kommer därvid ha en lateral utsträckning (d.v.s. i gångjärnets tvärriktning) som är relativt liten.

Tillverkning av dessa strukturer utförs medelst lämplig maskning och etsning av den andra skivan. Emellertid utförs processtegen för tillverkning av spegelstrukturema i en atmosfär som har ett annat tryck (normalt tryck) än trycket som råder inuti kaviteten. Eftersom det kommer att föreligga en tryckskillnad över ”locket”, när etsningprocessen ”bryter igenom” SOI-skivan för att tillhandahålla de fritt hängande gångjårnsupphängda speglama, kommer det sålunda att uppstå en plötslig tryckutjämning. Denna tryckutjämning alstrar starka krafter så att de ömtåliga gångjärnsstrukturerna på speglarna mycket lätt bryts sönder och speglarna faller ut ur anordningarna, med extremt låga utbyten som resultat.

Enligt uppfinningen åstadkommes kontrollerad ventilering av strukturen så att tryckutjämningen kommer att bli mycket mjuk och inga starka krafter kommer att utövas på de delikata gångj ärnen.

Lösningen enligt en utföringsform av uppfinningen återges schematiskt i figur 2a-d.

Fig. 2a visar en första skiva 20 (substratskiva) som har en fördjupning 21 formad däri, bondad till en SOI-skiva 22 innefattande ett komponentlager 23, ett oxidlager 24 och ett bärarlager 25. I den andra skivans komponentlager 23 10 15 20 25 30 har lämpligtvis ett nedtunnat parti 23' gjorts för att definiera tj ockleken av ett gångjärn 28 (se fig. 2c) som skall ansluta spegeln till de bärande strukturema i den slutliga produkten.

Bärarlagret 25 avlägsnas och efter lämplig maskning MV utförs en första etsning för att tillhandahålla en ventileringshålprekursorstruktur 26 i resten av komponentlagret 23. Denna prekursorstruktur är väsentligen ett häl eller ett spår, som har ett fördefinierat djup, d.v.s. som sträcker sig nedåt in i komponentlagret.

Därefter åstadkommes lämplig maskning MMH för att definiera spegeln 27 och dess gångjärnsstrukturer 28 och en andra etsning utförs. Detta illustreras schematiskt i fig. 2c. Därvid kommer ventileringshälprekursorstrukturen 26 att öppna upp kaviteten 21 med kontrollerad atmosfär (t.eX. vakuum) innan etsningen har avlägsnat så mycket material från komponentlagret att gångjämsstrukturen har blivit så tunn att den skulle kunna brytas sönder p. g.a. de krafter som utövas när trycket utjämnas genom ventileringshålet.

Etsningen fortsättes till dess spegeln 27 är fri-etsad och gångjärnen 28 framställts. Speglarna kan fri-etsas i samma processteg som gångj ärnen tillverkas genom dimensionering av de ytor på vilka etsningen verkar för att styra etshastigheten. Sålunda kommer etsningen att brytas genom i de spår som definierar spegeln innan etsningen har trängt ned allt för djupt i de spår som definierar gångjämen.

I en alternativ utföringsform kan hela processen utföras i ett steg. Detta är möjligt genom att dimensionera ventileringshålprekursorstrukturen 26 så att den är tillräckligt stor för att etsningen skall avverka material däri vid en snabbare hastighet än i det spår som definierar spegeln, vilket i sin tur kommer att etsas snabbare än gångjärnen, liksom i den tidigare utföringsformen. Detta visas schematiskt i fig. 2d, som visar ett större ventilationshål 26 än i fig. 2c. 10 15 20 25 30 6 Elektrisk anslutning till önskade lager i en struktur innefattande altemerande isolerande och ledande lager Denna uppfinning avser MEMS-anordningar i vilka det är önskvärt att tillhandahålla elektrisk potential inkluderande j ordpotential vid önskade ställen i en skiktad struktur.

Med hänvisning till fig. Sa visas däri schematiskt en skiktad struktur innefattande tre (första, andra respektive tredje] lager 30, 31 och 32 av exempelvis kisel eller annat halvledande eller ledande material, och mellan dessa lager finns infört ett första isolerande lager 33 och ett andra isolerande lager 34. Denna skiktade struktur tillverkas lämpligen av två SOI-skivor som har bondats samman, varvid det första ledande lagret 30 utgör bärarlagret och det andra ledande lagret 31 utgör komponentlagret i en första SOI-skiva.

Det tredje ledande lagret utgör komponentlagret i en andra SOI-skiva. Såsom inses kan sålunda den struktur som visas i fig. Sa åstadkommas genom att bonda de två SOI-skivorna och avlägsna bärarlagret från den andra SOI-skivan.

Det finns också anordnat en viastruktur 35 som sträcker som genom det första ledande lagret 30. Viastrukturen kan innefatta kraftigt dopat Si omgivet av en isolerande inneslutning 36 för att på så sätt tillhandahålla elektrisk isolering från det omgivande ledande första lagret 30. Andra material såsom metall kan också användas för vian.

För MEMS-tillämpningar ivilka denna typ av skiktade strukturer används ofta, är det ofta önskvärt att lägga på elektrisk potential på valda skikt, och ibland vid valda punkter eller områden i sådana skikt.

Enligt uppfinningen åstadkommes en smidig metod för att skräddarsy sådana påläggningar av elektrisk potential efter det behov som föreligger. 10 15 20 25 30 Sålunda tillhandahåller uppfinningen en metod för att tillverka en elektrisk anslutning in i önskade lager i en skiktstruktur och samtidigt förhindra elektrisk koppling till intilliggande lager.

Med hänvisning till fig. 3b, visas där hur i ett första steg ett hål 37 etsas genom det tredje och det andra ledande lagret 32 och 31, och sålunda även genom det isolerande lagret 34, såväl som genom det isolerande lagret 33, och ett kort stycke in i viapluggen 35. Hålet 37 fylls med poly-kisel för att tillhandahålla ledningsförmåga. Uppfinningen begränsar inte materialvalet till poly-kisel även om detta föredrages. Vilken metall eller vilket ledande material som helst skulle kunna användas. Poly-kisel föredras p.g.a. att det har mycket likartad termiska expansionsegenskaper som kisel har. Alltför stora skillnader i expansionsegenskaper skulle kunna leda till mekanisk spänning som skulle kunna ”buckla” spegeln. Såsom visas i fig. 3b, om en potential läggs på vian 35 kommer denna potential att överföras till både det andra 31 och det tredje 32 skiktet.

I en första utföringsform av uppfinningen, som illustreras i fig. 3c, tillhandahålles emellertid elektrisk potential genom vian 35 och in i det tredje ledande lagret 32 enbart. För att åstadkomma detta har den första SOI-skivan processats innan den bondats till den andra SOI-skivan. Det måste nämligen föreligga en isolerande inneslutning 38 som omger den del av skivan där poly- kiselpluggen kommer att sträcka sig genom det andra lagret 31 i den skiktade strukturen.

Detta åstadkommes genom att etsa en trench 38 i en sluten slinga i komponentskiktet i den första SOI-skivan ned till det begravda oxidskiktet, och fylla trenchen åtminstone partiellt med oxid. Å andra sidan skulle trencherna kunna lämnas såsom de är, fyllda med luft, om de är tillräckligt breda så att ingen ”flash-over” kan uppträda. När de två SOI-skivorna har bondats samman och bärarlagret i den andra SOI-skivan har avlägsnats, utförs den procedur som diskuteras med hänvisning till fig. 3b, en poly-kiselplugg 37 tillhandahålles genom den skiktade strukturen, och resultatet som visas i fig. 3c kommer att 10 15 20 25 30 8 erhållas. Om en elektrisk potential läggs på vian i denna struktur kommer potentialen att överföras till det tredje lagret 32 utan att påverka det andra lagret.

För att eliminera risken att skada spegelytan under fyllning av hålen med poly- kisel, vilket kräver avlägsnande av poly-kisel från speglarna, kan man mekaniskt slipa bort det mesta av bärarlagret och kvarlämna endast ett tunt lager. Därefter tillverkas hålen medelst litografi och etsning och fylls med poly- kisel. Denna struktur, d.v.s. från botten och upp: spegel - bärarlageråterstod - poly-kisel, utsätts därefter för etsning till dess spegeln exponeras. Poly-kisel- ”pluggarna” kan tillverkas så att de uppvisar låg resistivitet medelst lämplig dopning, med processer som är väl kända för fackmannen.

Om å andra sidan det är önskvärt att tillhandahålla en potential selektivt till det andra lagret 31 görs ånyo en trench 38 medelst etsning, men i detta fall kommer det att göras efter att SOI-skivorna har bondats samman och bärarlagret avlägsnats från den andra SOI-skivan. Sålunda framställs trenchen 38 i det tredje lagret 32, och ånyo, liksom i utföringsforrnen i fig. Se, fylls åtminstone partiellt med isolerande material. Även i detta fall är det möjligt att lämna trencherna ofyllda. Därefter etsas ett hål 37 genom den skiktade strukturen, såsom beskrivs med hänvisning till fig. 3b, och den resulterande strukturen visas i fig. Sd. Här kommer en pålagd potential överföras till enbart det andra lagret 31 och lämna det tredje lagret opåverkat.

I de visade utföringsformerna har det visats hur den pålagda potentialen överförs till hela skikt. Emellertid kan också principen användas för att routa signaler eller elektrisk potential lokalt inom skikt. Om exempelvis den pålagda potentialen skall användas för aktueringssyfte vid ett specifikt läge inom ett skikt, skulle man kunna åstadkomma isolerande trencher som bildar routing- ”kanaler” inom lagret i fråga, så att vian kan lokaliseras vid någon önskad punkt på skivan och signaler routas till en annan punkt. Detta exemplifieras i fig. 3c, där en sådan routing-”kanal” visas schematiskt vid 39. 10 15 20 25 30 9 Naturligtvis är principen enligt metoden lika tillämpbar om det endast föreligger två lager i strukturen.

Aktuering av avböjbara strukturer I anordningar innefattande avböjbara strukturer, såsom mikrospeglar i projektorer, fiberoptiska omkopplare, optiska förstärkare etc., är en av de önskade särdragen att göra det möjligt att styra avböjning av strukturerna.

Nedan kommer hänvisning att göras till speglar även om principerna är tillämpbara på vilka avböjbara strukturer som helst, såsom högtalarelement etc.

Det finns ett antal olika sätt tillgängliga för att åstadkomma den önskade styrda avböjningen. Först och främst måste det finnas någon typ av ”gångjärns”- struktur till vilka speglarna är anslutna. En sådan struktur illustreras ovan med hänvisning till fig. 1, och sålunda är spegeln anbringad på en stödstruktur via ett ben eller en arm som har en väsentligt mindre dimension i tvärsnitt för att på så sätt tillhandahålla t.ex. en torsionsavböjning.

En annan typ av gängjärnsstruktur är en s.k. gimbalstruktur. En gimbal är en vridbart upphängd stödstruktur som medger rotation av ett objekt kring en enda axel. En uppsättning om två gimbaler, en monterad på den andra med vridaxlarna vinkelräta, kan användas för att tillåta ett föremål som monterats på den innersta gimbalen att förbli vertikal oavsett hur dess stödstruktur rör sig. I det föreliggande sammanhanget används en struktur av gimbaltyp för att möjliggöra avböjning av en spegel i väsentligen alla X-Y-riktningar (d.v.s. 2D- aktuering) medelst elektrostatisk aktuering.

Den elektrostatiska aktueringen kan åstadkommas på ett par olika sätt.

Den första som bör nämnas genom att använda vad man hänvisar till säsom ”plattkondensatoraktuering”. För en spegel som är upphängd i t.ex. en torsionsann, finns sålunda anordnat en eller flera elektroder under spegeln vid punkter sådana att när en potential påläggs elektroden kommer det att uppstå 10 15 20 25 30 10 ett elektriskt fält mellan spegeln och elektroden, vilket förorsakar en attraktion mot elektroden, varvid spegeln kommer att avböjas. Spegeln kan sj älv verka såsom elektrod eller också kan det anordnas elektrodelement på speglama.

Enligt föreliggande uppfinning i en första aspekt påläggs aktueringspotentialen på elektroderna genom att anordna viastrukturer som sträcker sig genom substratet från dess baksida. Därigenom kommer det inte att föreligga något behov att tillhandahålla routing-strukturer i samma plan som elektrodema, vilket har nackdelen att det upptar utrymme, och kan också vara tämligen komplicerat från en tillverkningssynvinkel.

I en andra aspekt kan aktueringen åstadkommas genom ”kamelektrodstrukturer”. Ett exempel på en utfonnning av sådana kamelektroder visas i fig. 4, tillämpat på en avböjbar mikrospegel.

Såsom framgår av fig. 4 finns det hoppassade kamstrukturer på spegeln respektive på stödstrukturen. Kamelektroderna på stödstrukturen (aktueringselektroderna) är kopplade till viastrukturer under strukturen och sträcker sig genom stödstrukturen från dess baksida, liksom i exemplet som diskuteras ovan. Vidare är dessa kammar anordnade vid olika nivåer, d.v.s. de är tillverkade i olika komponentskikt i de SOI-skivor som används för tillverkningen.

När sålunda en potential påläggs på aktueringselektroderna, kommer kamstrukturen på spegeln att dras nedåt, men i ljuset av att ”fingrarna” på kammarna passar ihop på ett alternerande, interfolierat sätt, kan avböjningen åstadkommas på ett smidigare sätt än i fallet då elektroder är anordnade under spegeln. Exempelvis blir det möjligt att tillverka mer kompakta strukturer med användning av kamelektroderna.

I fig. 4 illustreras schematiskt en gimbalgångjärnsstruktur innefattande både plattkondensatoraktuering och kamelektrodaktuering. 10 15 20 25 30 ll Sålunda bärs en spegel 50 upp av torsionselement 52 i en ram 54, vilken i sin tur bärs av torsionselement 56 anbringade på en omgivande stödstruktur 58.

Under spegeln 50 finns visat i skugglinjer två elektrodpar 59a respektive 59b.

Dessa elektroder är försedda med vior som sträcker sig genom skivan och som exponerar en ändyta. När elektroderna 59a aktiveras kommer de att förorsaka en avböjning av spegeln i en riktning inåt (vid den vänstra delen sett i figuren) i förhållande till ritningens plan. Motsvarande aktivering av elektroderna 59b kommer att förorsaka en avböjning inåt vid den högra delen. Uppenbarligen kommer motstående del att avböjas utåt.

För avböjning i den andra riktningen finns anordnat två kamelektrodstrukturer 60a och 60b. Fingrarna som är anbringade vid stödstrukturen kommer att utgöra aktueringselektroder. Sålunda när aktueringselektroderna aktiveras kommer gimbalramen 54 att avböjas runt sina torsionsgångj ärn 56 och orsaka att spegeln avböjs på motsvarande sätt.

I ytterligare en utföringsform är gångjärnen ”gömda” under speglarna, vilket har fördelen att speglarna kan placeras mycket tätt, d.v.s. man kan erhålla en mycket kompakt design. För vissa ljusvåglängder kan också speglarna ofta behöva beläggas med ett lämpligt material. En sådan reflekterande beläggning behöver för det mesta endast föreligga på själva spegelytan, och inte på gångjärnen och/ eller gimbalstrukturema. Med konceptet med gömda gångjärn kan hela skivan beläggas. Om gångjärnen inte är gömda måste en selektiv beläggning av det reflekterande materialet utföras, t.ex. med användning av ”lift- off', skuggmask, stencilskuggmask och andra tekniker som är mycket mer komplicerade och inte ger lika bra utbyte.

För att tillverka sådana gömda gångjärn kommer processekvensen att skilja sig från den ovan beskrivna. Hänvisning görs till fig. 5.

Samma grundprocess involverande två SOI-skivor kan användas men gångj ärnen tillverkas i komponentlagret DL1 i den första SOI-skivan, och 10 15 20 12 spegeln och en pelare som bär upp spegeln tillverkas i komponentlagret i den andra SOI-skivan. När SOI-skivorna har bondats samman efter de erforderliga strukturerna har tillverkats i respektive skiva, tillverkas en baksidesdefinerad öppning från baksidan i bärarlagret i det första SOI-skivan för att tillhandahålla ett fritt utrymme i vilket gångjärnen kan röra sig under avböjning.

Alternativt bondas ytterligare en SOI-skiva till strukturen. Därvid används dess komponentlager för att tillhandahålla ett distanselement för att göra det möjligt att spegeln rör sig (avböjs) såsom önskas. Komponentlagret DLO etsas i detta fall för att åstadkomma en fördjupning som när skivan är bondad tillhandahåller utrymmet för rörelse.

De ovan beskrivna processerna är tillämpbara även för tillhandahållande av kamelektrodstrukturer, arrangerade i dubbelaxelspegeldesigner som innehåller gimbalstrukturer, även om dess inte är gömda strukturer.

För kamelektroder finns en ytterligare metod tillgänglig, se fig. 7. Nämligen, för att åstadkomma detta måste man utföra en underets under gångjärnsstrukturerna efter att skivorna har bondats samman. Därvid skyddas gångjärnsstrukturen av ett oxidskikt och en kiselets utförs varvid material avlägsnas även från under gångjärnet för att på så sätt tillhandahålla ett fritt utrymme för avböjning. Bärardelen av denna ytterligare skiva avlägsnas genom etsning när den/ de andra skivan/ skivorna har bondats.

Claims (12)

10 15 20 25 30 35 PATENTKRAV:

1. En i skikt uppbyggd mikro-elektrisk/ mekanisk (MEMS) struktur, innefattande åtminstone tre ledande skikt med isolerande skikt däremellan, och ytterligare innefattande: en via (35, 36) i ett första yttre skikt vilken via innefattar en isolerad (36) ledande genomföring (35) genom skiktet; en elektriskt ledande plugg (37) som sträcker sig genom de övriga skikten och in i vian (35, 36) i det första yttre skiktet för att tillhandahålla ledningsförmåga genom skikten; och en isolerande inneslutning (38) som omger nämnda ledande plugg i åtminstone ett valt skikt av nämnda övriga skikt för att isolera pluggen från materialet i det valda skiktet, och där pluggen (37) är oisolerad från omgivande skivmaterial i åtminstone ett övrigt skikt.

2. Struktur enligt krav 1, där den ledande pluggen (37) år av metall eller polykisel eller dopat kisel, företrädesvis polykisel.

3. Struktur enligt krav 1, där antalet skikt är tre.

4. Struktur enligt krav 1, där den isolerande inneslutningen (38) innefattar isolerande spår (trencher) som bildar routing-kanaler (39) inuti ett skikt, så att vian (35, 36) är lokaliserad vid en punkt på skivan och signaler kan routas till en annan punkt i skiktet (Fig. Se).

5. Struktur enligt krav l, innefattande en kavitet i något av skikten.

6. Metod för att tillverka en struktur enligt krav l, innefattande stegen att tillhandahålla en första SOI-skiva som har en viastruktur i "handle"-lagret och som sträcker sig genom detta och in i det begravda oxidskiktet; att tillhandahålla en andra SOI-skiva; att bonda samman SGI-skivorna; att avlägsna den andra SOI-skivans ”handle”-lager; 10 15 20 25 30 att skapa en isolerande struktur i form av ett spår (trench) som löper i en sluten slinga i en av de två SOI-skivornas komponentlager, och som åtminstone delvis överlappar viastrukturen då SOI-skivorna bondats samman; att göra ett hål genom de sammanbondade SOI-skivornas komponentlager, vilket hål sträcker sig ned iviastrukturen; och att fylla hålet med ledande material, företrädesvis polykisel, till ästadkommande av elektrisk förbindelse.

7. Metod enligt krav 6, där spåret åtminstone delvis fylls med isolerande material.

8. Anordning innefattande åtminstone en mikrospegelstruktur anordnad på ett substrat och innefattande åtminstone en spegel, vilken spegel är upphängd i en kavitet och är fast anordnad i en ände och kan böjas av i den andra änden, och åtminstone en elektrostatisk elektrod för varje spegel för att åstadkomma avböjning av spegeln/ speglarna, där elektroderna är kopplade till viastrukturer som sträcker sig genom substratet, varvid kopplingen mellan elektroder och viastrukturer sker medelst en i skikt uppbyggd mikro-elektrisk/ mekanisk struktur enligt krav 5.

9. Anordning enligt krav 8, där spegeln är upphängd i kaviteten medelst ett första par torsionselement (52).

10. Anordning enligt krav 8, där torsionselementen är anordnade i motstående positioner på spegeln.

11. l 1. Anordning enligt krav 10, där spegeln är upphängd i en ram (54).

12. Anordning enligt krav 1 1, där ramen (54) är upphängd i kaviteten medelst ett andra par torsionselement (56) anordnade vinkelrätt mot det första paret torsionselement (52).